JPS6173220A - 磁気抵抗型ヘツド - Google Patents
磁気抵抗型ヘツドInfo
- Publication number
- JPS6173220A JPS6173220A JP19504784A JP19504784A JPS6173220A JP S6173220 A JPS6173220 A JP S6173220A JP 19504784 A JP19504784 A JP 19504784A JP 19504784 A JP19504784 A JP 19504784A JP S6173220 A JPS6173220 A JP S6173220A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- flux
- sputtered
- substrate
- sio2
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
不発明は磁気記録媒体からの信号磁界を磁気抵抗効果素
子で検出する磁気抵抗型ヘッド（以下ＭＲヘッノドいう
）に関するものである。
子で検出する磁気抵抗型ヘッド（以下ＭＲヘッノドいう
）に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来の巻線型ヘッドに対して磁気抵抗効果金利用したＭ
Ｒヘッノド多くの利点を持つ。ＭＲヘッノド磁束応答型
であるため磁気記録媒体の移送速度に依存せず、さらに
微細パターン技術による多素子化が可能で高密度記録に
適している。そのため近年、固定ヘッド式ディジタルテ
ープレコーダ用再生ヘッドとして期待がもたれている。
Ｒヘッノド多くの利点を持つ。ＭＲヘッノド磁束応答型
であるため磁気記録媒体の移送速度に依存せず、さらに
微細パターン技術による多素子化が可能で高密度記録に
適している。そのため近年、固定ヘッド式ディジタルテ
ープレコーダ用再生ヘッドとして期待がもたれている。
従来のＭＲヘッノド代表的な構成を第１図に示す。第１
図（＆）ｒ／′ｉ平面図、第１図中）ハ第１図（＆）６
’）Ａ−ム′線断面図である。この第１図に示した従来
のＭＲヘッノド大路次の様にして製造される。
図（＆）ｒ／′ｉ平面図、第１図中）ハ第１図（＆）６
’）Ａ−ム′線断面図である。この第１図に示した従来
のＭＲヘッノド大路次の様にして製造される。
まずＭｎ −Ｚｎ等のフェライト基板１にＭＲ素子から
の磁気漏洩防止のためにガラス等からなる非磁性体２を
摺動面と平行に設けた溝２１Ｌに入れる。
の磁気漏洩防止のためにガラス等からなる非磁性体２を
摺動面と平行に設けた溝２１Ｌに入れる。
次にフェライト基板１上に５１０２等の絶縁膜３をスパ
ッタにより形成し、その上にＡｕ／Ｃｒ等でバイアス線
４を作製し、絶縁膜５として阻０２等をそのバイアス線
４上にスパッタする。次にＭＲ素子として一軸磁気異方
性を有する金属強磁性薄膜であるＮｉ −Ｆａ膜（パー
マｏイ膜）６（以下ＭＲ素子６という）を真空蒸着しド
ライエツチング等により目的のパターンに加工する。次
にムｕ １０ｒ等の電極材料を蒸着しＭＲ素子６のリー
ド線パターン７を形成する。この上に絶縁層８として５
ｉ０２等をスパッタで作製し、その上にアモルファス等
の高透磁率材料をスパッタし、フラックスガイド９ａ。
ッタにより形成し、その上にＡｕ／Ｃｒ等でバイアス線
４を作製し、絶縁膜５として阻０２等をそのバイアス線
４上にスパッタする。次にＭＲ素子として一軸磁気異方
性を有する金属強磁性薄膜であるＮｉ −Ｆａ膜（パー
マｏイ膜）６（以下ＭＲ素子６という）を真空蒸着しド
ライエツチング等により目的のパターンに加工する。次
にムｕ １０ｒ等の電極材料を蒸着しＭＲ素子６のリー
ド線パターン７を形成する。この上に絶縁層８として５
ｉ０２等をスパッタで作製し、その上にアモルファス等
の高透磁率材料をスパッタし、フラックスガイド９ａ。
９ｂを形成する。最後に保護層１ｏとしてＳｉＯ等の絶
縁模ヲ蒸着する。１１は磁気テープである。
縁模ヲ蒸着する。１１は磁気テープである。
ところで以上の構造には次の欠点がある。即ちフラック
スガイドｇａ、 ９ｂにバイアス線４とＭＲ素子６の合
計膜厚分だけの段差を生じる。これによる反磁界が発生
し７ラノクスガイド９ａ、９ｂを流れる磁束が低下し出
力の低下を生じる。ここで磁束は磁気テープ１１から７
ラノクスガイド９ｂに入り、ＭＲ素子らを流れフラック
スガイド９ａへ入りフェライト基板１に落ち非磁性体２
のまわりを通って磁気テープ１１に戻る閉磁路全形成す
る。
スガイドｇａ、 ９ｂにバイアス線４とＭＲ素子６の合
計膜厚分だけの段差を生じる。これによる反磁界が発生
し７ラノクスガイド９ａ、９ｂを流れる磁束が低下し出
力の低下を生じる。ここで磁束は磁気テープ１１から７
ラノクスガイド９ｂに入り、ＭＲ素子らを流れフラック
スガイド９ａへ入りフェライト基板１に落ち非磁性体２
のまわりを通って磁気テープ１１に戻る閉磁路全形成す
る。
又、従来構成においては非磁性体２上に大きな段差があ
るため保護ガラスを樹脂接着する際、ヘッド先端部（テ
ープ摺動部）での樹脂層が厚くなりそのためテープ走行
時にこの樹脂層が摩耗を受はギャップへの流れ出しを生
じスベーンングロスなどの出力低下を起こす欠点を有し
ていた。
るため保護ガラスを樹脂接着する際、ヘッド先端部（テ
ープ摺動部）での樹脂層が厚くなりそのためテープ走行
時にこの樹脂層が摩耗を受はギャップへの流れ出しを生
じスベーンングロスなどの出力低下を起こす欠点を有し
ていた。
発明の目的
本発明はＭＲ素子およびフラックスガイドの平坦化によ
り磁束を真っすぐ導き反磁界の低下を防止するとともに
、非磁住体溝上での段差を少なくし保護ガラス接着時で
のヘッド先端部の樹脂層を薄くし、耐摩耗性の向上を目
的とする。
り磁束を真っすぐ導き反磁界の低下を防止するとともに
、非磁住体溝上での段差を少なくし保護ガラス接着時で
のヘッド先端部の樹脂層を薄くし、耐摩耗性の向上を目
的とする。
発明の構成
本発明は基板上に磁気テープ摺動面と平行に設けられた
非磁住体溝と、前記磁気テープからの磁束を磁気抵抗素
子【導く第１の７２ノクスガイドと、前記磁気抵抗素子
からの磁束を前記基板に導き閉磁路を形成する第２の７
ラノクスガイドとを有し、前記非磁住体溝の上面が基板
面より低い位置にあり、前記磁気抵抗素子および前記第
１．第２のフラックスガイドが平担な状態になっており
、これにより反磁界が発生せず高出力を得ることができ
るものである。
非磁住体溝と、前記磁気テープからの磁束を磁気抵抗素
子【導く第１の７２ノクスガイドと、前記磁気抵抗素子
からの磁束を前記基板に導き閉磁路を形成する第２の７
ラノクスガイドとを有し、前記非磁住体溝の上面が基板
面より低い位置にあり、前記磁気抵抗素子および前記第
１．第２のフラックスガイドが平担な状態になっており
、これにより反磁界が発生せず高出力を得ることができ
るものである。
実施例の説明
以下に本発明の一実施例の磁気抵抗型ヘッド（以下ＭＲ
へ、、、 ｖ’という）について説明する。
へ、、、 ｖ’という）について説明する。
第２図は本実施例のＭＲヘッノド第２図ｅ）はその平面
図、第２図（ｂ）は第２図（乙）のＢ−Ｂ’線断面図で
ろるつ尚、第１図と同一部材には同一番号を付している
。
図、第２図（ｂ）は第２図（乙）のＢ−Ｂ’線断面図で
ろるつ尚、第１図と同一部材には同一番号を付している
。
まスＭｎ −Ｚｎ等のフェライト基板１上に溝２ａを設
け、これにガラス等の非磁性体２を充填して非磁住体溝
２ｂ（ｚ形成する。この非磁住体溝２ｂはｅｃ＋２ｏｏ
ｏ 、ＧＣ＋４０００．ＤＰ３μ、ｎｐ１／１等の順に
ラッピングを行ないフェライト基板１０面からバイアス
線４とＭＲ素子６の合計膜厚分だけ掘り下げた位置まで
くるように非磁住体溝２ｂの上面を形成する。又溝２ａ
の幅はバイアス線４０幅と同等か１１ｔｍ程度広めに設
定する。第３図（ａ）にナノラップを１２時間、第３図
（′ｂ）は同４時間行った時の溝段差のタリステソプに
よる実測値を示す。溝の深さはナノラップの時間に比例
しておｈ 印０／７＋ｌ ａ ＩＦ！ ４ ｆ： ％
、＝ビンｚ ｗ 門ｙ ｉｎ ａ ｒ ｒ 。
け、これにガラス等の非磁性体２を充填して非磁住体溝
２ｂ（ｚ形成する。この非磁住体溝２ｂはｅｃ＋２ｏｏ
ｏ 、ＧＣ＋４０００．ＤＰ３μ、ｎｐ１／１等の順に
ラッピングを行ないフェライト基板１０面からバイアス
線４とＭＲ素子６の合計膜厚分だけ掘り下げた位置まで
くるように非磁住体溝２ｂの上面を形成する。又溝２ａ
の幅はバイアス線４０幅と同等か１１ｔｍ程度広めに設
定する。第３図（ａ）にナノラップを１２時間、第３図
（′ｂ）は同４時間行った時の溝段差のタリステソプに
よる実測値を示す。溝の深さはナノラップの時間に比例
しておｈ 印０／７＋ｌ ａ ＩＦ！ ４ ｆ： ％
、＝ビンｚ ｗ 門ｙ ｉｎ ａ ｒ ｒ 。
て得られる。
このようにしてフェライト基板１上に非磁住体溝２ｂｆ
作製した後、絶縁層３として５ｉＯ２ｅスパツタし、次
にムｕ１０ｒ によりバイアス線４を形成する。その上
に絶縁層５としてＳ工ｏ、ヲスパ、りした後、ＭＲ素子
６を電子ビーム蒸着（１！：Ｂ）装置でＮｉ −Ｆｅ
ｆ磁場中蒸着して作製する。次に絶縁層８として５ｉＯ
２ｉスパツタし、その上にアモルファス（Ｇｏ −Ｎｂ
＝ Ｆｅ ）’ｆｃスパッタしフラックスガイドｇａ
、ｇｂを形成した。保護層１ｏとしてＳｉＯを蒸着した
。この後アニール処理全行い保護ガラスを樹脂接着し、
摺動面をラッピング、・・ウジングの後ワイヤボンディ
ング全行いヘッドとした。
作製した後、絶縁層３として５ｉＯ２ｅスパツタし、次
にムｕ１０ｒ によりバイアス線４を形成する。その上
に絶縁層５としてＳ工ｏ、ヲスパ、りした後、ＭＲ素子
６を電子ビーム蒸着（１！：Ｂ）装置でＮｉ −Ｆｅ
ｆ磁場中蒸着して作製する。次に絶縁層８として５ｉＯ
２ｉスパツタし、その上にアモルファス（Ｇｏ −Ｎｂ
＝ Ｆｅ ）’ｆｃスパッタしフラックスガイドｇａ
、ｇｂを形成した。保護層１ｏとしてＳｉＯを蒸着した
。この後アニール処理全行い保護ガラスを樹脂接着し、
摺動面をラッピング、・・ウジングの後ワイヤボンディ
ング全行いヘッドとした。
本構成によりＭＲ素子およびフラックスガイドがほぼ平
坦な状態のものが得られる。
坦な状態のものが得られる。
出力は同一記録媒体での再生において、従来構成に比べ
本実施例では約２ｄＢ向上することができる。
本実施例では約２ｄＢ向上することができる。
本実施例ではバイアス線がＭＲ素子より下層に形成され
ているが、ＭＲ素子、７ラノクスガイドより上層に形成
される場合、又はバイアス線がない場合は非磁住体溝２
上面全基板１上面よりＭＲ素子６の膜厚分だけ下げるこ
とによってフラックスガイド９２Ｌ、ｇｂを平坦にする
ことが可能である。
ているが、ＭＲ素子、７ラノクスガイドより上層に形成
される場合、又はバイアス線がない場合は非磁住体溝２
上面全基板１上面よりＭＲ素子６の膜厚分だけ下げるこ
とによってフラックスガイド９２Ｌ、ｇｂを平坦にする
ことが可能である。
発明の効果
本発明は、ＭＲ素子およびフラックスガイドが平坦であ
るため、磁気テープから第１のフラックスガイドに入っ
てきた磁束は真っすぐにＭＲ素子まで到達しＭＲ素子を
まっすぐ流れたのち第２の７ラツクスガイドｆ入り基板
に落ち、非磁住体溝のまわりを通り磁気テープに戻り、
フラックスガイドおよびＭＲ素子に段差がないため段差
による反磁界が発生せず磁束が流れ易ぐ、段差のあるも
のに比べ高出力が得られる。
るため、磁気テープから第１のフラックスガイドに入っ
てきた磁束は真っすぐにＭＲ素子まで到達しＭＲ素子を
まっすぐ流れたのち第２の７ラツクスガイドｆ入り基板
に落ち、非磁住体溝のまわりを通り磁気テープに戻り、
フラックスガイドおよびＭＲ素子に段差がないため段差
による反磁界が発生せず磁束が流れ易ぐ、段差のあるも
のに比べ高出力が得られる。
これ以外の効果としては、保護ガラス接着時のヘッド先
端部（テープ摺動部）での接着樹脂層の厚みが薄くなり
耐摩耗性に優れている点があり、従来構成に比ベテープ
走行時における樹脂層の摩耗によるギャップくずれが少
ない利点がある。
端部（テープ摺動部）での接着樹脂層の厚みが薄くなり
耐摩耗性に優れている点があり、従来構成に比ベテープ
走行時における樹脂層の摩耗によるギャップくずれが少
ない利点がある。
第１図（ａ）は従来の磁気抵抗型ヘッドの平面図、第１
図（ｂｌは第１図（２Ｌ）のムー人′線断面図、第２図
（λ）は本発明の一実施例における磁気抵抗型ヘッドの
１・・・・・・Ｍｎ −Ｚｎ等のフェライト基板、２・
・・・・・非磁性体、２１Ｌ・・・・・・溝、２ｂ・・
・・・・非磁住体溝、３・・・・・・５ｉＯ１等の絶縁
層、４・・・・・・ムｕ／Ｃｒ 等のバイアス線、５・
・・・・・５ｉ０２等の絶縁層、６・・・・・・Ｎｉ
−Ｆｅ等のＭＲ素子、７・・・・・・ムｕ／Ｃｒ 等の
リード線、８・・・・・・５ｉ０２ 等の絶縁層、ｃａ
ａ 、 ９ ｂ −−−−・−Ｇｏ−Ｎｂ−Ｆｅ等の
アモルファスフラックスガイド、１ｏ・・・・・・Ｓｉ
Ｏ等の保護層、１１・・・・・・磁気テープ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （ａ） （ｂ）第３図 （ａ−） 位置 仁ｌ
図（ｂｌは第１図（２Ｌ）のムー人′線断面図、第２図
（λ）は本発明の一実施例における磁気抵抗型ヘッドの
１・・・・・・Ｍｎ −Ｚｎ等のフェライト基板、２・
・・・・・非磁性体、２１Ｌ・・・・・・溝、２ｂ・・
・・・・非磁住体溝、３・・・・・・５ｉＯ１等の絶縁
層、４・・・・・・ムｕ／Ｃｒ 等のバイアス線、５・
・・・・・５ｉ０２等の絶縁層、６・・・・・・Ｎｉ
−Ｆｅ等のＭＲ素子、７・・・・・・ムｕ／Ｃｒ 等の
リード線、８・・・・・・５ｉ０２ 等の絶縁層、ｃａ
ａ 、 ９ ｂ −−−−・−Ｇｏ−Ｎｂ−Ｆｅ等の
アモルファスフラックスガイド、１ｏ・・・・・・Ｓｉ
Ｏ等の保護層、１１・・・・・・磁気テープ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （ａ） （ｂ）第３図 （ａ−） 位置 仁ｌ
Claims (1)
- 基板上に磁気テープ摺動面と平行に設けられた非磁性体
と、前記磁気テープからの磁束を磁気抵抗素子に導く第
１のフラックスガイドと、前記磁気抵抗素子からの磁束
を前記基板に導き閉磁路を形成する第２のフラックスガ
イドとを有し、前記非磁住体溝の上面が基板面より低い
位置にあり、前記磁気抵抗素子および前記第１、第２の
フラックスガイドが平担な状態としたことを特徴とする
磁気抵抗型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19504784A JPS6173220A (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 磁気抵抗型ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19504784A JPS6173220A (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 磁気抵抗型ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6173220A true JPS6173220A (ja) | 1986-04-15 |
Family
ID=16334659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19504784A Pending JPS6173220A (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 磁気抵抗型ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6173220A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06325331A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-11-25 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果ヘッド |
| US5508868A (en) * | 1993-01-25 | 1996-04-16 | Read-Rite Corporation | Dual element magnetoresistive sensing head having in-gap flux guide and flux closure piece with particular connection of magnetoresistive sensing elements to differential amplifier |
| EP0777213A1 (en) * | 1995-11-29 | 1997-06-04 | Eastman Kodak Company | Flux-guided paired magnetoresistive head |
| US5867350A (en) * | 1995-03-29 | 1999-02-02 | Sony Corporation | Magneto-resistance effect head with insulated bias conductor embedded in shield groove |
-
1984
- 1984-09-18 JP JP19504784A patent/JPS6173220A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5508868A (en) * | 1993-01-25 | 1996-04-16 | Read-Rite Corporation | Dual element magnetoresistive sensing head having in-gap flux guide and flux closure piece with particular connection of magnetoresistive sensing elements to differential amplifier |
| JPH06325331A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-11-25 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果ヘッド |
| US5867350A (en) * | 1995-03-29 | 1999-02-02 | Sony Corporation | Magneto-resistance effect head with insulated bias conductor embedded in shield groove |
| EP0777213A1 (en) * | 1995-11-29 | 1997-06-04 | Eastman Kodak Company | Flux-guided paired magnetoresistive head |
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