JPH06325331A - 磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドInfo
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- JPH06325331A JPH06325331A JP5302637A JP30263793A JPH06325331A JP H06325331 A JPH06325331 A JP H06325331A JP 5302637 A JP5302637 A JP 5302637A JP 30263793 A JP30263793 A JP 30263793A JP H06325331 A JPH06325331 A JP H06325331A
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明はフラックスガイドの磁区変動を防止し
て、再生時における記録媒体からの信号磁界に対する応
答機能を安定化した磁気抵抗効果ヘッドを提供すること
を目的とする。 【構成】磁気抵抗効果ヘッドは、記録媒体３４の記録ト
ラックから漏洩する信号磁界の変化を抵抗変化に変換す
る、記録媒体３４に対向するヘッドの先端面２６から後
退して設けられた磁気抵抗効果素子２２を含んでいる。
磁気抵抗効果素子２２は一対の端子２８ａ，２８ｂに接
続され、両端子２８ａ，２８ｂ間にセンス領域２２ａが
画成されている。磁気抵抗効果素子２２はその一端がヘ
ッドの先端面２６に露出したフラックスガイド２４の他
端に磁気的に結合している。フラックスガイド２４は磁
気抵抗効果素子２２のセンス領域２２ａを越えて記録媒
体３４の記録トラックの幅方向に伸長した概略長方形状
をしている。
て、再生時における記録媒体からの信号磁界に対する応
答機能を安定化した磁気抵抗効果ヘッドを提供すること
を目的とする。 【構成】磁気抵抗効果ヘッドは、記録媒体３４の記録ト
ラックから漏洩する信号磁界の変化を抵抗変化に変換す
る、記録媒体３４に対向するヘッドの先端面２６から後
退して設けられた磁気抵抗効果素子２２を含んでいる。
磁気抵抗効果素子２２は一対の端子２８ａ，２８ｂに接
続され、両端子２８ａ，２８ｂ間にセンス領域２２ａが
画成されている。磁気抵抗効果素子２２はその一端がヘ
ッドの先端面２６に露出したフラックスガイド２４の他
端に磁気的に結合している。フラックスガイド２４は磁
気抵抗効果素子２２のセンス領域２２ａを越えて記録媒
体３４の記録トラックの幅方向に伸長した概略長方形状
をしている。
Description
【０００１】（目次） 産業上の利用分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段 作用 実施例 発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置或いは
磁気テープ装置等の磁気記録再生装置に用いられる薄膜
磁気ヘッドに関し、特に磁気抵抗効果により記録媒体に
記録された情報を再生する磁気抵抗効果ヘッドに関す
る。
磁気テープ装置等の磁気記録再生装置に用いられる薄膜
磁気ヘッドに関し、特に磁気抵抗効果により記録媒体に
記録された情報を再生する磁気抵抗効果ヘッドに関す
る。
【０００３】近年、磁気ディスク装置の小型化・高密度
化に伴い、ヘッドスライダの浮上量が減少し、ごく低浮
上或いはスライダが記録媒体に接触する接触記録／再生
の実現が望まれている。
化に伴い、ヘッドスライダの浮上量が減少し、ごく低浮
上或いはスライダが記録媒体に接触する接触記録／再生
の実現が望まれている。
【０００４】また、従来の磁気誘導ヘッドは、磁気ディ
スクの小径化により周速（ヘッドと媒体との間の相対速
度）が減少すると、再生出力が劣化する。そこで、再生
出力が周速に依存せず、低周速でも大出力の得られる磁
気抵抗効果ヘッド（以下ＭＲヘッドと略称する）の開発
が望まれている。
スクの小径化により周速（ヘッドと媒体との間の相対速
度）が減少すると、再生出力が劣化する。そこで、再生
出力が周速に依存せず、低周速でも大出力の得られる磁
気抵抗効果ヘッド（以下ＭＲヘッドと略称する）の開発
が望まれている。
【０００５】
【従来の技術】ＭＲヘッドは磁気抵抗効果素子に一定の
センス電流を供給して、記録媒体の記録トラックから漏
洩する信号磁界の大きさの変化を抵抗変化に変換し、媒
体に記録された情報を電圧値の変化として再生する。
センス電流を供給して、記録媒体の記録トラックから漏
洩する信号磁界の大きさの変化を抵抗変化に変換し、媒
体に記録された情報を電圧値の変化として再生する。
【０００６】従来のＭＲヘッドでは、磁気抵抗効果素子
がヘッドの媒体対向面に露出していた。そのため金属製
の記録媒体と組み合わせての極低浮上、接触記録の実現
は記録媒体との短絡や放電のため非常に困難であった。
がヘッドの媒体対向面に露出していた。そのため金属製
の記録媒体と組み合わせての極低浮上、接触記録の実現
は記録媒体との短絡や放電のため非常に困難であった。
【０００７】そこで本発明者らは、磁気抵抗効果素子が
ヘッドの媒体対向面に露出せず、軟磁性層からなるフラ
ックスガイドによって媒体からの漏洩磁界を磁気抵抗効
果素子に導く構造のフラックスガイド型磁気抵抗効果ヘ
ッドを特開平５−１１４１１９号で提案した。
ヘッドの媒体対向面に露出せず、軟磁性層からなるフラ
ックスガイドによって媒体からの漏洩磁界を磁気抵抗効
果素子に導く構造のフラックスガイド型磁気抵抗効果ヘ
ッドを特開平５−１１４１１９号で提案した。
【０００８】この公開公報に開示されたＭＲヘッドは、
記録媒体に対向するヘッドの先端面から後退して設けら
れたＮｉ−Ｆｅからなる磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗
効果素子に接続され、その間に磁気抵抗効果素子のセン
ス領域を画成する一対の端子を含んでおり、これらの端
子には一定のセンス電流が供給される。
記録媒体に対向するヘッドの先端面から後退して設けら
れたＮｉ−Ｆｅからなる磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗
効果素子に接続され、その間に磁気抵抗効果素子のセン
ス領域を画成する一対の端子を含んでおり、これらの端
子には一定のセンス電流が供給される。
【０００９】ＭＲヘッドはさらに、一端がヘッドの先端
面に露出し他端が磁気抵抗効果素子の一端に磁気的に結
合した、記録媒体からの磁束を磁気抵抗効果素子に案内
するフラックスガイドを含んでいる。
面に露出し他端が磁気抵抗効果素子の一端に磁気的に結
合した、記録媒体からの磁束を磁気抵抗効果素子に案内
するフラックスガイドを含んでいる。
【００１０】フラックスガイド、磁気抵抗効果素子及び
端子は、非磁性絶縁層中に埋め込まれており、一対の上
下磁気シールドが非磁性絶縁層をその間にサンドイッチ
するように設けられて、ヘッドの先端面に記録媒体から
の磁束を受け入れるギャップを画成している。
端子は、非磁性絶縁層中に埋め込まれており、一対の上
下磁気シールドが非磁性絶縁層をその間にサンドイッチ
するように設けられて、ヘッドの先端面に記録媒体から
の磁束を受け入れるギャップを画成している。
【００１１】一対の端子により画成される磁気抵抗効果
素子のセンス領域は、記録媒体上の記録トラック幅より
も広く形成してある。フラックスガイドの平面形状は、
台形状、ホームベース形状、又は三角形状等をしてお
り、磁気抵抗効果素子のセンス領域よりその幅が狭く形
成されている。
素子のセンス領域は、記録媒体上の記録トラック幅より
も広く形成してある。フラックスガイドの平面形状は、
台形状、ホームベース形状、又は三角形状等をしてお
り、磁気抵抗効果素子のセンス領域よりその幅が狭く形
成されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記公開公報
に記載された従来のフラックスガイド型ＭＲヘッドにお
いては、幅の狭いフラックスガイドを採用していたた
め、その磁区制御が困難であった。その結果、フラック
スガイド自身の磁区変動によって、磁気抵抗効果素子の
再生出力及び再生波形が影響を受けて変動しやすくなる
という問題があった。
に記載された従来のフラックスガイド型ＭＲヘッドにお
いては、幅の狭いフラックスガイドを採用していたた
め、その磁区制御が困難であった。その結果、フラック
スガイド自身の磁区変動によって、磁気抵抗効果素子の
再生出力及び再生波形が影響を受けて変動しやすくなる
という問題があった。
【００１３】この問題を図２３を参照して詳細に説明す
る。磁気抵抗効果素子２に前部フラックスガイド３及び
後部フラックスガイド４がその一端で磁気的に結合して
いる。前部フラックスガイド３は長さＬに制約があるた
め（長さＬが長いと信号磁界Φが通過しがたい）、前部
フラックスガイド３は長さＬと幅Ｗ1 がほとんど等しい
正方形に近い形状をしている。
る。磁気抵抗効果素子２に前部フラックスガイド３及び
後部フラックスガイド４がその一端で磁気的に結合して
いる。前部フラックスガイド３は長さＬに制約があるた
め（長さＬが長いと信号磁界Φが通過しがたい）、前部
フラックスガイド３は長さＬと幅Ｗ1 がほとんど等しい
正方形に近い形状をしている。
【００１４】そのため、図示しない磁化容易軸方向が不
安定になって、媒体の記録トラックから図示矢印方向に
入射した信号磁界Φが前部フラックスガイド３及び後部
フラックスガイド４中で矢印で示すように還流して、そ
れぞれ磁壁５で仕切られた還流磁区が形成される。
安定になって、媒体の記録トラックから図示矢印方向に
入射した信号磁界Φが前部フラックスガイド３及び後部
フラックスガイド４中で矢印で示すように還流して、そ
れぞれ磁壁５で仕切られた還流磁区が形成される。
【００１５】このように、磁壁５で仕切られた複数の還
流磁区が発生する現象を多磁区構造と呼び、一方、磁化
の方向が一定方向を向いていて磁壁が形成されない磁区
構造を単磁区構造と呼ぶ。
流磁区が発生する現象を多磁区構造と呼び、一方、磁化
の方向が一定方向を向いていて磁壁が形成されない磁区
構造を単磁区構造と呼ぶ。
【００１６】磁壁は外部磁場が印加されると静磁エネル
ギーを最少にするために移動するが、前部及び後部フラ
ックスガイド３，４にピンホールや突起等が存在すると
磁壁５がスムーズに移動できなくなり、これがノイズの
原因となる。
ギーを最少にするために移動するが、前部及び後部フラ
ックスガイド３，４にピンホールや突起等が存在すると
磁壁５がスムーズに移動できなくなり、これがノイズの
原因となる。
【００１７】即ち、上記公開公報に開示されたＭＲヘッ
ドでは、フラックスガイドの磁化容易軸方向が不安定な
ためにフラックスガイドが多磁区構造化して、記録媒体
からの信号磁界Φに対する応答が不安定となり、再生信
号にノイズが混入するといった障害を生じていた。
ドでは、フラックスガイドの磁化容易軸方向が不安定な
ためにフラックスガイドが多磁区構造化して、記録媒体
からの信号磁界Φに対する応答が不安定となり、再生信
号にノイズが混入するといった障害を生じていた。
【００１８】よって本発明の目的は、上述した従来技術
の問題点を解決し、安定した再生出力及び再生波形を得
ることのできる磁気抵抗効果ヘッドを提供することであ
る。本発明の他の目的は、再生時のサイドクロストーク
を抑制した磁気抵抗効果ヘッドを提供することである。
の問題点を解決し、安定した再生出力及び再生波形を得
ることのできる磁気抵抗効果ヘッドを提供することであ
る。本発明の他の目的は、再生時のサイドクロストーク
を抑制した磁気抵抗効果ヘッドを提供することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の構成によ
ると、記録媒体に記録された情報を再生する磁気抵抗効
果ヘッドであって、記録媒体の記録トラックから漏洩す
る信号磁界の変化を抵抗変化に変換する、該記録媒体に
対向する前記ヘッドの先端面から後退して設けられた磁
気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子に接続され、
その間に磁気抵抗効果素子のセンス領域を画成する一対
の端子と、一端が前記ヘッドの先端面に露出し他端が前
記磁気抵抗効果素子の一端に磁気的に結合した、記録媒
体からの磁束を前記磁気抵抗効果素子に案内する前部フ
ラックスガイドとから構成され、前記前部フラックスガ
イドは前記磁気抵抗効果素子のセンス領域を越えて前記
記録媒体の記録トラックの幅方向に伸長した概略長方形
状をしており、該前部フラックスガイドの磁化容易軸方
向が記録トラックの幅方向に平行であることを特徴とす
る磁気抵抗効果ヘッドが提供される。
ると、記録媒体に記録された情報を再生する磁気抵抗効
果ヘッドであって、記録媒体の記録トラックから漏洩す
る信号磁界の変化を抵抗変化に変換する、該記録媒体に
対向する前記ヘッドの先端面から後退して設けられた磁
気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子に接続され、
その間に磁気抵抗効果素子のセンス領域を画成する一対
の端子と、一端が前記ヘッドの先端面に露出し他端が前
記磁気抵抗効果素子の一端に磁気的に結合した、記録媒
体からの磁束を前記磁気抵抗効果素子に案内する前部フ
ラックスガイドとから構成され、前記前部フラックスガ
イドは前記磁気抵抗効果素子のセンス領域を越えて前記
記録媒体の記録トラックの幅方向に伸長した概略長方形
状をしており、該前部フラックスガイドの磁化容易軸方
向が記録トラックの幅方向に平行であることを特徴とす
る磁気抵抗効果ヘッドが提供される。
【００２０】好ましくは、磁気抵抗効果ヘッドは一端が
前記磁気抵抗効果素子の他端に磁気的に結合した後部フ
ラックスガイドをさらに含んでいる。該後部フラックス
ガイドは前記磁気抵抗効果素子のセンス領域を越えて記
録媒体の記録トラックの幅方向に伸長した概略長方形状
をしており、該後部フラックスガイドの磁化容易軸方向
は記録トラックの幅方向に平行である。
前記磁気抵抗効果素子の他端に磁気的に結合した後部フ
ラックスガイドをさらに含んでいる。該後部フラックス
ガイドは前記磁気抵抗効果素子のセンス領域を越えて記
録媒体の記録トラックの幅方向に伸長した概略長方形状
をしており、該後部フラックスガイドの磁化容易軸方向
は記録トラックの幅方向に平行である。
【００２１】さらに好ましくは、前部及び後部フラック
スガイド上には、反強磁性膜、永久磁石膜及びフェリ磁
性膜から構成された群から選択される磁性膜が積層され
ている。磁気抵抗効果素子のセンス領域の幅は記録トラ
ックの幅以下であるのが望ましい。
スガイド上には、反強磁性膜、永久磁石膜及びフェリ磁
性膜から構成された群から選択される磁性膜が積層され
ている。磁気抵抗効果素子のセンス領域の幅は記録トラ
ックの幅以下であるのが望ましい。
【００２２】本発明の第２の構成によると、記録媒体に
記録された情報を再生する磁気抵抗効果ヘッドであっ
て、記録媒体の記録トラックから漏洩する信号磁界の変
化を抵抗変化に変換する、該記録媒体に対向する前記ヘ
ッドの先端面から後退して設けられた磁気抵抗効果素子
と、前記磁気抵抗効果素子に接続され、その間に磁気抵
抗効果素子のセンス領域を画成する一対の端子と、一端
が前記ヘッドの先端面に露出し他端が前記磁気抵抗効果
素子の一端に磁気的に結合した、記録媒体からの磁束を
前記磁気抵抗効果素子に案内する前部フラックスガイド
と、前記磁気抵抗効果素子を通った磁束を記録媒体にリ
ターンする前記磁気抵抗効果素子の他端に磁気的に結合
したリターンヨークとから構成され、前記前部フラック
スガイドは前記磁気抵抗効果素子のセンス領域を越えて
前記記録媒体の記録トラックの幅方向に伸長した概略長
方形状をしており、該前部フラックスガイドの磁化容易
軸方向が記録トラックの幅方向に平行であることを特徴
とする磁気抵抗効果ヘッドが提供される。
記録された情報を再生する磁気抵抗効果ヘッドであっ
て、記録媒体の記録トラックから漏洩する信号磁界の変
化を抵抗変化に変換する、該記録媒体に対向する前記ヘ
ッドの先端面から後退して設けられた磁気抵抗効果素子
と、前記磁気抵抗効果素子に接続され、その間に磁気抵
抗効果素子のセンス領域を画成する一対の端子と、一端
が前記ヘッドの先端面に露出し他端が前記磁気抵抗効果
素子の一端に磁気的に結合した、記録媒体からの磁束を
前記磁気抵抗効果素子に案内する前部フラックスガイド
と、前記磁気抵抗効果素子を通った磁束を記録媒体にリ
ターンする前記磁気抵抗効果素子の他端に磁気的に結合
したリターンヨークとから構成され、前記前部フラック
スガイドは前記磁気抵抗効果素子のセンス領域を越えて
前記記録媒体の記録トラックの幅方向に伸長した概略長
方形状をしており、該前部フラックスガイドの磁化容易
軸方向が記録トラックの幅方向に平行であることを特徴
とする磁気抵抗効果ヘッドが提供される。
【００２３】本発明の第３の構成によると、記録媒体に
記録された情報を再生する磁気抵抗効果ヘッドであっ
て、記録媒体の記録トラックから漏洩する信号磁界の変
化を抵抗変化に変換する、該記録媒体に対向する前記ヘ
ッドの先端面から後退して設けられた磁気抵抗効果素子
と、前記磁気抵抗効果素子に接続され、その間に磁気抵
抗効果素子のセンス領域を画成する一対の端子と、一端
が前記ヘッドの先端面に露出し他端が前記磁気抵抗効果
素子の一端に磁気的に結合した、記録媒体からの磁束を
前記磁気抵抗効果素子に案内する前部フラックスガイド
と、前記磁気抵抗効果素子に沿って前記前部フラックス
ガイドの両側に配置された一対の磁性膜とを具備したこ
とを特徴とする磁気抵抗効果ヘッドが提供される。
記録された情報を再生する磁気抵抗効果ヘッドであっ
て、記録媒体の記録トラックから漏洩する信号磁界の変
化を抵抗変化に変換する、該記録媒体に対向する前記ヘ
ッドの先端面から後退して設けられた磁気抵抗効果素子
と、前記磁気抵抗効果素子に接続され、その間に磁気抵
抗効果素子のセンス領域を画成する一対の端子と、一端
が前記ヘッドの先端面に露出し他端が前記磁気抵抗効果
素子の一端に磁気的に結合した、記録媒体からの磁束を
前記磁気抵抗効果素子に案内する前部フラックスガイド
と、前記磁気抵抗効果素子に沿って前記前部フラックス
ガイドの両側に配置された一対の磁性膜とを具備したこ
とを特徴とする磁気抵抗効果ヘッドが提供される。
【００２４】
【作用】本発明の第１及び第２の構成によると、フラッ
クスガイドの平面形状を記録トラックの幅方向に長い長
方形状にしたことにより、フラックスガイドの磁化容易
軸方向を安定化させることができ、再生出力及び再生波
形の変動を防止することができる。
クスガイドの平面形状を記録トラックの幅方向に長い長
方形状にしたことにより、フラックスガイドの磁化容易
軸方向を安定化させることができ、再生出力及び再生波
形の変動を防止することができる。
【００２５】また、磁気抵抗効果素子のセンス領域の幅
を記録トラックの幅以下とすることによって、再生時の
サイドクロストークを抑制することができる。本発明の
第３の構成によると、磁気抵抗効果素子に沿って前部フ
ラックスガイドの両側に一対の磁性膜を配置したことに
より、第１及び第２の構成と同様に、前部フラックスガ
イドの磁化容易軸方向を記録トラックの幅方向と平行に
することができ、還流磁区の発生を防止することができ
る。
を記録トラックの幅以下とすることによって、再生時の
サイドクロストークを抑制することができる。本発明の
第３の構成によると、磁気抵抗効果素子に沿って前部フ
ラックスガイドの両側に一対の磁性膜を配置したことに
より、第１及び第２の構成と同様に、前部フラックスガ
イドの磁化容易軸方向を記録トラックの幅方向と平行に
することができ、還流磁区の発生を防止することができ
る。
【００２６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。図１（Ａ）は本発明第１実施例のＭＲヘッ
ド１０の概略平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ
線に沿った断面図をそれぞれ示している。例えば、アル
ミナ−チタニウムカーバイド（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ）か
らなる導電性基板１２上には例えばアルミナ（Ａｌ2 Ｏ
3 ）からなる絶縁層１４が積層されている。
に説明する。図１（Ａ）は本発明第１実施例のＭＲヘッ
ド１０の概略平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ
線に沿った断面図をそれぞれ示している。例えば、アル
ミナ−チタニウムカーバイド（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ）か
らなる導電性基板１２上には例えばアルミナ（Ａｌ2 Ｏ
3 ）からなる絶縁層１４が積層されている。
【００２７】符号１６，１８は例えばニッケル−鉄（Ｎ
ｉ−Ｆｅ）から形成された第１及び第２磁気シールドで
あり、その間にアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）からなる非磁性
絶縁層２０が介在されている。
ｉ−Ｆｅ）から形成された第１及び第２磁気シールドで
あり、その間にアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）からなる非磁性
絶縁層２０が介在されている。
【００２８】第１及び第２磁気シールド１６，１８はヘ
ッド１０の先端面（媒体対向面）２６に再生分解能を向
上させるためにギャップ２５を画成している。非磁性絶
縁層２０内にはヘッド１０の先端面２６から離間して例
えばニッケル−鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）から形成された磁気抵
抗効果素子２２が埋め込まれている。
ッド１０の先端面（媒体対向面）２６に再生分解能を向
上させるためにギャップ２５を画成している。非磁性絶
縁層２０内にはヘッド１０の先端面２６から離間して例
えばニッケル−鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）から形成された磁気抵
抗効果素子２２が埋め込まれている。
【００２９】非磁性絶縁層２０内にはさらに、一端がヘ
ッド１０の先端面２６に露出し、他端が磁気抵抗効果素
子２２の一端に磁気的に結合した例えばニッケル−鉄
（Ｎｉ−Ｆｅ）からなる前部フラックスガイド２４が埋
め込まれている。前部フラックスガイド２４は記録媒体
３４からの磁束を磁気抵抗効果素子２２に案内する。
ッド１０の先端面２６に露出し、他端が磁気抵抗効果素
子２２の一端に磁気的に結合した例えばニッケル−鉄
（Ｎｉ−Ｆｅ）からなる前部フラックスガイド２４が埋
め込まれている。前部フラックスガイド２４は記録媒体
３４からの磁束を磁気抵抗効果素子２２に案内する。
【００３０】前部フラックスガイド２４は図１（Ａ）を
参照すると明らかなように、磁気抵抗効果素子２２の前
縁に沿って横方向に伸長した長方形状をしている。前部
フラックスガイド２４と磁気抵抗効果素子２２との重な
り部分の間隔は、例えば０．０５〜０．２μｍ程度であ
る。
参照すると明らかなように、磁気抵抗効果素子２２の前
縁に沿って横方向に伸長した長方形状をしている。前部
フラックスガイド２４と磁気抵抗効果素子２２との重な
り部分の間隔は、例えば０．０５〜０．２μｍ程度であ
る。
【００３１】磁気抵抗効果素子２２のセンス領域２２ａ
は一対の端子２８ａ，２８ｂの間隔で決定され、記録媒
体３４の記録トラック３５の幅よりもその幅が狭く形成
されている。
は一対の端子２８ａ，２８ｂの間隔で決定され、記録媒
体３４の記録トラック３５の幅よりもその幅が狭く形成
されている。
【００３２】端子２８ａ，２８ｂはセンス電流源３０に
接続されており、磁気抵抗効果素子２２にはセンス電流
源３０から一定のセンス電流が供給される。端子２８
ａ，２８ｂは例えばＡｕ，Ｃｕ，Ａｌ等から形成され
る。
接続されており、磁気抵抗効果素子２２にはセンス電流
源３０から一定のセンス電流が供給される。端子２８
ａ，２８ｂは例えばＡｕ，Ｃｕ，Ａｌ等から形成され
る。
【００３３】第２磁気シールド１８上には例えばアルミ
ナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）からなる絶縁保護膜３２が被覆され
て、磁気抵抗効果ヘッド１０が完成する。ヘッド１０の
製造は良く知られた薄膜プロセスにより行う。
ナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）からなる絶縁保護膜３２が被覆され
て、磁気抵抗効果ヘッド１０が完成する。ヘッド１０の
製造は良く知られた薄膜プロセスにより行う。
【００３４】然して、記録媒体３４の記録トラック３５
からの信号磁束はヘッド１０内に受け入れられ、前部フ
ラックスガイド２４に案内されて磁気抵抗効果素子２２
に流入し、磁気抵抗効果素子２２を磁化させる。磁気抵
抗効果素子２２を通過した磁束は第１及び第２磁気シー
ルド１６，１８に吸収される。
からの信号磁束はヘッド１０内に受け入れられ、前部フ
ラックスガイド２４に案内されて磁気抵抗効果素子２２
に流入し、磁気抵抗効果素子２２を磁化させる。磁気抵
抗効果素子２２を通過した磁束は第１及び第２磁気シー
ルド１６，１８に吸収される。
【００３５】磁気抵抗効果素子２２は信号磁束の大きさ
の変化に応じて、その抵抗値が変化する。磁気抵抗効果
素子２２にはセンス電流源３０から一定のセンス電流が
供給されているので、抵抗値の変化に応じて端子２８
ａ，２８ｂの間の電圧が変化し、記録媒体３４に記録さ
れた情報を電圧信号として再生することができる。
の変化に応じて、その抵抗値が変化する。磁気抵抗効果
素子２２にはセンス電流源３０から一定のセンス電流が
供給されているので、抵抗値の変化に応じて端子２８
ａ，２８ｂの間の電圧が変化し、記録媒体３４に記録さ
れた情報を電圧信号として再生することができる。
【００３６】本実施例では、前部フラックスガイド２４
がセンス領域２２ａ及び記録トラック３５の幅を越えて
横方向に伸長した長方形状をしているので、前部フラッ
クスガイド２４の形状異方性によりその磁化容易軸方向
を記録トラック３５の幅方向に平行にすることができ、
容易に単磁区構造を実現できる。
がセンス領域２２ａ及び記録トラック３５の幅を越えて
横方向に伸長した長方形状をしているので、前部フラッ
クスガイド２４の形状異方性によりその磁化容易軸方向
を記録トラック３５の幅方向に平行にすることができ、
容易に単磁区構造を実現できる。
【００３７】これにより、前部フラックスガイド２４の
磁区変動を防止でき、磁区変動に起因する磁気抵抗効果
素子の再生出力、再生波形の変動を防止できる。また、
磁気抵抗効果素子２２のセンス領域２２ａの幅が記録ト
ラック３５の幅よりも狭く形成されているので、再生す
べき記録トラック３５に隣接する記録トラックからのサ
イドクロストークを有効に抑制することができる。
磁区変動を防止でき、磁区変動に起因する磁気抵抗効果
素子の再生出力、再生波形の変動を防止できる。また、
磁気抵抗効果素子２２のセンス領域２２ａの幅が記録ト
ラック３５の幅よりも狭く形成されているので、再生す
べき記録トラック３５に隣接する記録トラックからのサ
イドクロストークを有効に抑制することができる。
【００３８】次に、図２を参照して本発明第２実施例の
ＭＲヘッド１０ａについて説明する。本実施例及び以下
の数多くの実施例において、図１に示した第１実施例と
実質的に同一構成部分については同一符号を付し、重複
を避けるためその説明を省略する。
ＭＲヘッド１０ａについて説明する。本実施例及び以下
の数多くの実施例において、図１に示した第１実施例と
実質的に同一構成部分については同一符号を付し、重複
を避けるためその説明を省略する。
【００３９】本実施例は図１に示した第１実施例に後部
フラックスガイド３６を追加したものである。後部フラ
ックスガイド３６は、前部フラックスガイド２４と同様
に例えばニッケル−鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）から形成されてお
り、その一端が磁気抵抗効果素子２２に磁気的に結合し
ている。
フラックスガイド３６を追加したものである。後部フラ
ックスガイド３６は、前部フラックスガイド２４と同様
に例えばニッケル−鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）から形成されてお
り、その一端が磁気抵抗効果素子２２に磁気的に結合し
ている。
【００４０】本実施例では、後部フラックスガイド３６
を設けたことにより、上述した第１実施例の効果に加え
て、磁気抵抗効果素子２２の反磁界を抑制して、再生効
率を向上させる効果を有している。
を設けたことにより、上述した第１実施例の効果に加え
て、磁気抵抗効果素子２２の反磁界を抑制して、再生効
率を向上させる効果を有している。
【００４１】図３を参照すると、本発明第３実施例のＭ
Ｒヘッド１０ｂの断面図が示されている。磁気抵抗効果
素子２２に対向する第２磁気シールド１８内面に凹部１
９が設けられており、磁気抵抗効果素子２２部分におい
て第１及び第２磁気シールド１６，１８の間隔を広く設
定している。
Ｒヘッド１０ｂの断面図が示されている。磁気抵抗効果
素子２２に対向する第２磁気シールド１８内面に凹部１
９が設けられており、磁気抵抗効果素子２２部分におい
て第１及び第２磁気シールド１６，１８の間隔を広く設
定している。
【００４２】これにより、磁気抵抗効果素子２２や前部
及び後部フラックスガイド２４，３６からの磁束漏洩を
抑制して再生効率を向上させることができる。また、磁
気抵抗効果素子２２が第２磁気シールド１８よりも第１
磁気シールド１６に近付いて配置されているため、セン
ス電流の磁界によって磁化された第１及び第２磁気シー
ルド１６，１８からの磁界により磁気抵抗効果素子２２
に磁気バイアスを印加する、所謂セルフバイアスが可能
となる。
及び後部フラックスガイド２４，３６からの磁束漏洩を
抑制して再生効率を向上させることができる。また、磁
気抵抗効果素子２２が第２磁気シールド１８よりも第１
磁気シールド１６に近付いて配置されているため、セン
ス電流の磁界によって磁化された第１及び第２磁気シー
ルド１６，１８からの磁界により磁気抵抗効果素子２２
に磁気バイアスを印加する、所謂セルフバイアスが可能
となる。
【００４３】図４を参照すると、本発明第４実施例のＭ
Ｒヘッド１０ｃの断面図が示されている。本実施例は、
磁気抵抗効果素子２２に対向する部分の第１及び第２磁
気シールド１６，１８にそれぞれ凹部１７，１９を形成
し、磁気抵抗効果素子２２対向部での第１及び第２磁気
シールド１６，１８の間隔を広く設定したものである。
Ｒヘッド１０ｃの断面図が示されている。本実施例は、
磁気抵抗効果素子２２に対向する部分の第１及び第２磁
気シールド１６，１８にそれぞれ凹部１７，１９を形成
し、磁気抵抗効果素子２２対向部での第１及び第２磁気
シールド１６，１８の間隔を広く設定したものである。
【００４４】前部フラックスガイド２４と磁気的に結合
した磁気抵抗効果素子２２の反対側で第１及び第２磁気
シールド１６，１８の間隔は狭められて、第１及び第２
磁気シールド１６，１８と磁気抵抗効果素子２２が磁気
的に結合するようになっている。
した磁気抵抗効果素子２２の反対側で第１及び第２磁気
シールド１６，１８の間隔は狭められて、第１及び第２
磁気シールド１６，１８と磁気抵抗効果素子２２が磁気
的に結合するようになっている。
【００４５】次に図５及び図６を参照して、本発明第５
実施例のＭＲヘッド１０ｄについて説明する。図５は第
５実施例のＭＲヘッド１０ｄの概略平面図であり、図６
の（Ａ），（Ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれ図５のＡ−Ａ
線、Ｂ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
実施例のＭＲヘッド１０ｄについて説明する。図５は第
５実施例のＭＲヘッド１０ｄの概略平面図であり、図６
の（Ａ），（Ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれ図５のＡ−Ａ
線、Ｂ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【００４６】本実施例は、記録媒体３４の表面と概略垂
直方向で第１及び第２磁気シールド１６，１８の間隔を
変化させるだけでなく、記録トラック３５の幅方向にも
磁気シールド１６，１８の間隔を変化させたものであ
る。
直方向で第１及び第２磁気シールド１６，１８の間隔を
変化させるだけでなく、記録トラック３５の幅方向にも
磁気シールド１６，１８の間隔を変化させたものであ
る。
【００４７】即ち、図６（Ｂ）に示されたように、磁気
抵抗効果素子２２のセンス領域２２ａに対向する部分の
第２磁気シールド１８の内面に凹部１９′を形成して、
磁気抵抗効果素子２２のセンス領域２２ａ部分で第１及
び第２磁気シールド１６，１８の間隔を広くし、図６
（Ａ）及び（Ｃ）から明らかなように他の部分ではシー
ルド間隔を狭くしたものである。
抵抗効果素子２２のセンス領域２２ａに対向する部分の
第２磁気シールド１８の内面に凹部１９′を形成して、
磁気抵抗効果素子２２のセンス領域２２ａ部分で第１及
び第２磁気シールド１６，１８の間隔を広くし、図６
（Ａ）及び（Ｃ）から明らかなように他の部分ではシー
ルド間隔を狭くしたものである。
【００４８】本実施例でも、図３の第３実施例と同様
に、磁気抵抗効果素子２２のセルフバイアスが可能にな
ると共に、センス領域以外の部分では第１及び第２磁気
シールド１６，１８の間隔を狭く設定しているので、サ
イドクロストーク抑制の効果がある。
に、磁気抵抗効果素子２２のセルフバイアスが可能にな
ると共に、センス領域以外の部分では第１及び第２磁気
シールド１６，１８の間隔を狭く設定しているので、サ
イドクロストーク抑制の効果がある。
【００４９】図７は本発明第６実施例のＭＲヘッド１０
ｅの断面図を示しており、図２に示した第２実施例のＭ
Ｒヘッド１０ａに情報記録用のコイル４０を追加したも
のである。
ｅの断面図を示しており、図２に示した第２実施例のＭ
Ｒヘッド１０ａに情報記録用のコイル４０を追加したも
のである。
【００５０】４２は一端がＭＲヘッド１０ｅの先端面２
６に露出し、他端が第２磁気シールド１８に結合した磁
極であり、磁極４２と第２磁気シールド１８の結合部を
概略中心として導体コイル４０が巻回されている。
６に露出し、他端が第２磁気シールド１８に結合した磁
極であり、磁極４２と第２磁気シールド１８の結合部を
概略中心として導体コイル４０が巻回されている。
【００５１】本実施例のＭＲヘッド１０ｅによれば、コ
イル４０に記録すべき情報で変調された電流を流すこと
により、電流値に応じた磁界が誘導されて図１に示した
記録媒体３４の記録トラック３５に情報を磁気的に記録
することができる。
イル４０に記録すべき情報で変調された電流を流すこと
により、電流値に応じた磁界が誘導されて図１に示した
記録媒体３４の記録トラック３５に情報を磁気的に記録
することができる。
【００５２】図８は本発明第７実施例のＭＲヘッド１０
ｆの断面図を示している。本実施例は図７の第２磁気シ
ールド１８を省略して、磁極４２′を第２磁気シールド
と兼用したものであり、シールド兼磁極４２′がヘッド
の先端面２６から離れたところで第１磁気シールド１６
と結合しており、この結合部を概略中心としてコイル４
０が巻回されている。
ｆの断面図を示している。本実施例は図７の第２磁気シ
ールド１８を省略して、磁極４２′を第２磁気シールド
と兼用したものであり、シールド兼磁極４２′がヘッド
の先端面２６から離れたところで第１磁気シールド１６
と結合しており、この結合部を概略中心としてコイル４
０が巻回されている。
【００５３】本実施例によれば、第２磁気シールド１８
を省略してシールド兼磁極４２′を採用したため、高記
録密度化に適した記録及び再生用の複合型ＭＲヘッドの
提供が可能となる。
を省略してシールド兼磁極４２′を採用したため、高記
録密度化に適した記録及び再生用の複合型ＭＲヘッドの
提供が可能となる。
【００５４】図９（Ａ）は本発明第８実施例のＭＲヘッ
ド１０ｇ概略平面図、図９（Ｂ）は図（Ａ）のＢ−Ｂ線
に沿った断面図である。この実施例は垂直記録、即ち記
録媒体を垂直方向に磁化して記録された情報の再生に適
した実施例である。
ド１０ｇ概略平面図、図９（Ｂ）は図（Ａ）のＢ−Ｂ線
に沿った断面図である。この実施例は垂直記録、即ち記
録媒体を垂直方向に磁化して記録された情報の再生に適
した実施例である。
【００５５】ＭＲヘッド１０ｇは記録媒体に対向するヘ
ッドの先端面２６に露出する前部フラックスガイド２４
と、ヘッドの先端面２６から後退して設けられ前部フラ
ックスガイド２４と磁気的に結合する磁気抵抗効果素子
２２と、この磁気抵抗効果素子２２に磁気的に結合して
磁束を記録媒体にリターンするリターンヨーク４４とを
含んでいる。
ッドの先端面２６に露出する前部フラックスガイド２４
と、ヘッドの先端面２６から後退して設けられ前部フラ
ックスガイド２４と磁気的に結合する磁気抵抗効果素子
２２と、この磁気抵抗効果素子２２に磁気的に結合して
磁束を記録媒体にリターンするリターンヨーク４４とを
含んでいる。
【００５６】この実施例でも、前部フラックスガイド２
４が磁気抵抗効果素子２２のセンス領域２２ａを越えて
記録トラックの幅方向に伸長した長方形状をしているた
め、図１に示した実施例と同様な効果をあげることがで
きる。
４が磁気抵抗効果素子２２のセンス領域２２ａを越えて
記録トラックの幅方向に伸長した長方形状をしているた
め、図１に示した実施例と同様な効果をあげることがで
きる。
【００５７】図１０は本発明第９実施例のＭＲヘッド１
０ｈを示しており、図９に示した第８実施例のＭＲヘッ
ド１０ｇに後部フラックスガイド３６を追加したもので
ある。
０ｈを示しており、図９に示した第８実施例のＭＲヘッ
ド１０ｇに後部フラックスガイド３６を追加したもので
ある。
【００５８】この実施例も図９に示した第８実施例と同
様に、垂直記録の再生に適しており、後部フラックスガ
イド３６を追加したことにより、磁気抵抗効果素子２２
の反磁界を抑制して、再生効率を向上することができ
る。
様に、垂直記録の再生に適しており、後部フラックスガ
イド３６を追加したことにより、磁気抵抗効果素子２２
の反磁界を抑制して、再生効率を向上することができ
る。
【００５９】図１１は本発明第１０実施例のＭＲヘッド
１０ｉの概略平面図を示している。この実施例の前部フ
ラックスガイド２４′は台形状の中央突出部２４ａを有
しており、中央突出部２４ａのみがヘッド１０ｉの先端
面２６に露出している。突出部２４ａの露出幅は記録ト
ラック３５の幅よりも狭く設定されている。
１０ｉの概略平面図を示している。この実施例の前部フ
ラックスガイド２４′は台形状の中央突出部２４ａを有
しており、中央突出部２４ａのみがヘッド１０ｉの先端
面２６に露出している。突出部２４ａの露出幅は記録ト
ラック３５の幅よりも狭く設定されている。
【００６０】上述した全ての実施例と同様に、端子２８
ａ，２８ｂで画成される磁気抵抗効果素子２２のセンス
領域２２ａの幅も記録トラック３５の幅よりも狭く設定
されるのが望ましい。
ａ，２８ｂで画成される磁気抵抗効果素子２２のセンス
領域２２ａの幅も記録トラック３５の幅よりも狭く設定
されるのが望ましい。
【００６１】本実施例は前部フラックスガイド２４′が
中央突出部２４ａのみでヘッドの先端面２６に露出して
いるので、サイドクロストークの抑制に効果がある。図
１２は本発明第１１実施例のＭＲヘッド１０ｊの概略平
面図を示しており、この実施例は図１１に示した第１０
実施例の変形例である。
中央突出部２４ａのみでヘッドの先端面２６に露出して
いるので、サイドクロストークの抑制に効果がある。図
１２は本発明第１１実施例のＭＲヘッド１０ｊの概略平
面図を示しており、この実施例は図１１に示した第１０
実施例の変形例である。
【００６２】この実施例の前部フラックスガイド２４″
はヘッドの先端面２６に露出した記録トラックの幅以下
の中央露出部２４ｂを有しており、その前端エッジ２４
ｃが中央露出部２４ｂから両端に向けてヘッドの先端面
２６から連続的に遠ざかるように形成されている。
はヘッドの先端面２６に露出した記録トラックの幅以下
の中央露出部２４ｂを有しており、その前端エッジ２４
ｃが中央露出部２４ｂから両端に向けてヘッドの先端面
２６から連続的に遠ざかるように形成されている。
【００６３】図１１に示した第１０実施例では台形状の
中央突出部２４ａを設けたために、磁区制御機能がある
程度低下するが、本実施例の前部フラックスガイド２
４″は中間部に角部を有しないので、磁区制御機能が低
下することはない。
中央突出部２４ａを設けたために、磁区制御機能がある
程度低下するが、本実施例の前部フラックスガイド２
４″は中間部に角部を有しないので、磁区制御機能が低
下することはない。
【００６４】図１３は本発明第１２実施例のＭＲヘッド
１０ｋの概略平面図を示しており、前部及び後部フラッ
クスガイドの全面にＦｅＭｎ，ＮｉＯ，ＭｎＯ，Ｃｒ2
Ｏ3，ＦｅＳ等の反強磁性膜４６を積層したものであ
る。
１０ｋの概略平面図を示しており、前部及び後部フラッ
クスガイドの全面にＦｅＭｎ，ＮｉＯ，ＭｎＯ，Ｃｒ2
Ｏ3，ＦｅＳ等の反強磁性膜４６を積層したものであ
る。
【００６５】反強磁性膜４６と前部及び後部フラックス
ガイドとの交換相互作用により、前部及び後部フラック
スガイドに記録トラックの幅方向の磁界が印加され、フ
ラックスガイド中の磁区の安定化が促進される。
ガイドとの交換相互作用により、前部及び後部フラック
スガイドに記録トラックの幅方向の磁界が印加され、フ
ラックスガイド中の磁区の安定化が促進される。
【００６６】即ち、前部及び後部フラックスガイドの磁
化容易軸方向が記録トラックの幅方向に安定して揃えら
れる。図１４は本発明第１３実施例のＭＲヘッド１０ｍ
の概略平面図を示しており、磁気抵抗効果素子２２のセ
ンス領域２２ａと概略等しい幅を除いた前部及び後部フ
ラックスガイド上に反強磁性膜４６を積層したものであ
る。
化容易軸方向が記録トラックの幅方向に安定して揃えら
れる。図１４は本発明第１３実施例のＭＲヘッド１０ｍ
の概略平面図を示しており、磁気抵抗効果素子２２のセ
ンス領域２２ａと概略等しい幅を除いた前部及び後部フ
ラックスガイド上に反強磁性膜４６を積層したものであ
る。
【００６７】本実施例によれば、磁気抵抗効果素子２２
のセンス領域２２ａ部分での透磁率を低下させることな
く、前部及び後部フラックスガイドの磁区の安定化を図
ることができる。
のセンス領域２２ａ部分での透磁率を低下させることな
く、前部及び後部フラックスガイドの磁区の安定化を図
ることができる。
【００６８】図１５は本発明第１４実施例のＭＲヘッド
１０ｎの概略平面図を示しており、フラックスガイド上
に反強磁性膜４６を積層しない部分の幅を、媒体に対向
する先端面２６側と磁気抵抗効果素子２２側で変化させ
たものである。
１０ｎの概略平面図を示しており、フラックスガイド上
に反強磁性膜４６を積層しない部分の幅を、媒体に対向
する先端面２６側と磁気抵抗効果素子２２側で変化させ
たものである。
【００６９】この実施例では、磁気抵抗効果素子２２の
センス領域２２ａの幅は記録トラックの幅よりも広く形
成されている。反強磁性膜４６を積層しない前部フラッ
クスガイドの台形状中央部分４７の幅は、先端面２６で
は記録トラックの幅以下であり、磁気抵抗効果素子２２
に結合する側では磁気抵抗効果素子２２のセンス領域２
２ａの幅と概略等しくなっている。
センス領域２２ａの幅は記録トラックの幅よりも広く形
成されている。反強磁性膜４６を積層しない前部フラッ
クスガイドの台形状中央部分４７の幅は、先端面２６で
は記録トラックの幅以下であり、磁気抵抗効果素子２２
に結合する側では磁気抵抗効果素子２２のセンス領域２
２ａの幅と概略等しくなっている。
【００７０】図１６は本発明第１５実施例のＭＲヘッド
１０ｐの概略平面図を示しており、磁気抵抗効果素子２
２のセンス領域２２ａの幅に相当する幅の中央部分４７
ａ及び所定幅の前縁部分４８を除いた前部フラックスガ
イド上に反強磁性膜４６を積層したものである。
１０ｐの概略平面図を示しており、磁気抵抗効果素子２
２のセンス領域２２ａの幅に相当する幅の中央部分４７
ａ及び所定幅の前縁部分４８を除いた前部フラックスガ
イド上に反強磁性膜４６を積層したものである。
【００７１】図１７は本発明第１６実施例のＭＲヘッド
１０ｑの概略平面図を示しており、この実施例では図１
１に示した第１０実施例と同様に前部フラックスガイド
の中央突出部２４ａのみが媒体に対向するヘッドの先端
面２６に露出している。
１０ｑの概略平面図を示しており、この実施例では図１
１に示した第１０実施例と同様に前部フラックスガイド
の中央突出部２４ａのみが媒体に対向するヘッドの先端
面２６に露出している。
【００７２】中央突出部２４ａを除いた前部フラックス
ガイドの表面上及び磁気抵抗効果素子２２のセンス領域
２２ａの幅に相当する幅を除いた後部フラックスガイド
上に反強磁性膜４６が積層されている。
ガイドの表面上及び磁気抵抗効果素子２２のセンス領域
２２ａの幅に相当する幅を除いた後部フラックスガイド
上に反強磁性膜４６が積層されている。
【００７３】図１８は本発明第１７実施例のＭＲヘッド
１０ｒの概略平面図を示している。この実施例では、前
部フラックスガイドが中央部分５０でのみ媒体に対向す
るヘッド先端面２６に露出しており、他の部分の前部フ
ラックスガイドは先端面２６から後退して設けられてい
る。
１０ｒの概略平面図を示している。この実施例では、前
部フラックスガイドが中央部分５０でのみ媒体に対向す
るヘッド先端面２６に露出しており、他の部分の前部フ
ラックスガイドは先端面２６から後退して設けられてい
る。
【００７４】さらに、前部フラックスガイドは中央部分
５０でのみ磁気抵抗効果素子２２と膜厚方向に重なって
磁気的に結合しており、他の部分では前部フラックスガ
イドは磁気抵抗効果素子２２から分離されている。
５０でのみ磁気抵抗効果素子２２と膜厚方向に重なって
磁気的に結合しており、他の部分では前部フラックスガ
イドは磁気抵抗効果素子２２から分離されている。
【００７５】そして、中央部分５０を除いた前部フラッ
クスガイド上に反強磁性膜４６が積層されている。この
実施例によれば、磁気抵抗効果素子２２のセンス領域２
２ａに相当する中央部分５０でのみ前部フラックスガイ
ドが磁気抵抗効果素子２２に磁気的に結合しているの
で、サイドクロストークを有効に抑制することができ
る。
クスガイド上に反強磁性膜４６が積層されている。この
実施例によれば、磁気抵抗効果素子２２のセンス領域２
２ａに相当する中央部分５０でのみ前部フラックスガイ
ドが磁気抵抗効果素子２２に磁気的に結合しているの
で、サイドクロストークを有効に抑制することができ
る。
【００７６】図１９は本発明第１８実施例のＭＲヘッド
１０ｓの概略平面図を示している。この実施例は図１８
の第１７実施例に後部フラックスガイドを追加したもの
であり、後部フラックスガイドも中央部分５２でのみ磁
気抵抗効果素子２２に重なっており、他の部分では分離
されている。そして、中央部分５２を除いた後部フラッ
クスガイド上に反強磁性膜４６が積層されている。
１０ｓの概略平面図を示している。この実施例は図１８
の第１７実施例に後部フラックスガイドを追加したもの
であり、後部フラックスガイドも中央部分５２でのみ磁
気抵抗効果素子２２に重なっており、他の部分では分離
されている。そして、中央部分５２を除いた後部フラッ
クスガイド上に反強磁性膜４６が積層されている。
【００７７】図２０は本発明第１９実施例のＭＲヘッド
１０ｔの概略平面図を示している。この実施例では、上
述した各実施例で採用した長方形状の前部フラックスガ
イド２４に代えて概略ホームベース形状の前部フラック
スガイド５２が磁気抵抗効果素子２２の概略センス領域
２２ａ部分で磁気抵抗効果素子２２に磁気的に結合して
いる。
１０ｔの概略平面図を示している。この実施例では、上
述した各実施例で採用した長方形状の前部フラックスガ
イド２４に代えて概略ホームベース形状の前部フラック
スガイド５２が磁気抵抗効果素子２２の概略センス領域
２２ａ部分で磁気抵抗効果素子２２に磁気的に結合して
いる。
【００７８】前部フラックスガイド５２は媒体に対向す
る先端面２６に露出した信号読み取り部５２ａを有して
おり、この信号読み取り部５２ａの幅は記録トラックの
幅よりも狭くなるように形成されている。
る先端面２６に露出した信号読み取り部５２ａを有して
おり、この信号読み取り部５２ａの幅は記録トラックの
幅よりも狭くなるように形成されている。
【００７９】前部フラックスガイド５２の両側には磁気
抵抗効果素子２２に沿って一対の磁性膜５４が配置され
ており、磁性膜５４は磁気抵抗効果素子２２に磁気的に
結合している。
抵抗効果素子２２に沿って一対の磁性膜５４が配置され
ており、磁性膜５４は磁気抵抗効果素子２２に磁気的に
結合している。
【００８０】本実施例では、概略ホームベース形状の前
部フラックスガイド５２を採用しているが、一対の磁性
膜５４を前部フラックスガイド５２の両側に配置したこ
とにより、前部フラックスガイド５２の磁化容易軸方向
を記録トラックの幅方向と平行となるように揃えること
ができる。
部フラックスガイド５２を採用しているが、一対の磁性
膜５４を前部フラックスガイド５２の両側に配置したこ
とにより、前部フラックスガイド５２の磁化容易軸方向
を記録トラックの幅方向と平行となるように揃えること
ができる。
【００８１】磁性膜５４はＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰ
ｔ、フェライト、鉄ガーネット、フェリ磁性膜等から形
成することができる。図２１は本発明第２０実施例のＭ
Ｒヘッド１０ｕの概略平面図を示しており、図２０に示
した第１９実施例の磁性膜５４上に反強磁性膜４６を積
層したものである。
ｔ、フェライト、鉄ガーネット、フェリ磁性膜等から形
成することができる。図２１は本発明第２０実施例のＭ
Ｒヘッド１０ｕの概略平面図を示しており、図２０に示
した第１９実施例の磁性膜５４上に反強磁性膜４６を積
層したものである。
【００８２】磁性膜５４上に反強磁性膜４６を積層する
ことにより、前部フラックスガイド５２の磁化容易軸方
向を記録トラックの幅方向と平行方向により安定して揃
えることができる。
ことにより、前部フラックスガイド５２の磁化容易軸方
向を記録トラックの幅方向と平行方向により安定して揃
えることができる。
【００８３】図２２は本発明第２１実施例のＭＲヘッド
１０ｖの概略平面図を示しており、図２０に示した第１
９実施例の変形例である。この実施例では、前部フラッ
クスガイド５２の両側に磁気抵抗効果素子２２の長手方
向に沿う形で配置された一対の磁性膜５４の一部を覆う
ように前部フラックスガイド５２が形成されている。反
対に、フラックスガイド５２の端部を覆うように磁性膜
５４を形成してもかまわないことは言うまでもない。
１０ｖの概略平面図を示しており、図２０に示した第１
９実施例の変形例である。この実施例では、前部フラッ
クスガイド５２の両側に磁気抵抗効果素子２２の長手方
向に沿う形で配置された一対の磁性膜５４の一部を覆う
ように前部フラックスガイド５２が形成されている。反
対に、フラックスガイド５２の端部を覆うように磁性膜
５４を形成してもかまわないことは言うまでもない。
【００８４】前部フラックスガイド５２が一対の磁性膜
５４に部分的に重なって形成されているので、前部フラ
ックスガイド５２の磁化容易軸方向をより効率よく制御
することができる。
５４に部分的に重なって形成されているので、前部フラ
ックスガイド５２の磁化容易軸方向をより効率よく制御
することができる。
【００８５】上述した各実施例では前部フラックスガイ
ド２４及び後部フラックスガイド３６上に反強磁性膜を
積層したが、反強磁性膜に代えて永久磁石膜又はフェリ
磁性膜を積層するようにしてもよい。
ド２４及び後部フラックスガイド３６上に反強磁性膜を
積層したが、反強磁性膜に代えて永久磁石膜又はフェリ
磁性膜を積層するようにしてもよい。
【００８６】
【発明の効果】本発明は以上詳述したように、フラック
スガイドの単磁区構造を実現するために必須とされる磁
化容易軸方向を媒体の記録トラックの幅方向と平行方向
に安定して揃えることができるため、フラックスガイド
の磁区変動に起因する磁気抵抗効果素子の再生出力及び
再生波形の変動を有効に防止することができる。
スガイドの単磁区構造を実現するために必須とされる磁
化容易軸方向を媒体の記録トラックの幅方向と平行方向
に安定して揃えることができるため、フラックスガイド
の磁区変動に起因する磁気抵抗効果素子の再生出力及び
再生波形の変動を有効に防止することができる。
【００８７】これにより、再生時における記録媒体から
の信号磁界に対する応答機能が著しく安定化した磁気抵
抗効果ヘッドを提供することができる。
の信号磁界に対する応答機能が著しく安定化した磁気抵
抗効果ヘッドを提供することができる。
【図１】本発明第１実施例を示す図である。
【図２】本発明第２実施例を示す図である。
【図３】本発明第３実施例の断面図である。
【図４】本発明第４実施例の断面図である。
【図５】本発明第５実施例の平面図である。
【図６】本発明第５実施例の各部分に沿った断面図であ
る。
る。
【図７】本発明第６実施例の断面図である。
【図８】本発明第７実施例の断面図である。
【図９】本発明第８実施例を示す図である。
【図１０】本発明第９実施例を示す図である。
【図１１】本発明第１０実施例の平面図である。
【図１２】本発明第１１実施例の平面図である。
【図１３】本発明第１２実施例の平面図である。
【図１４】本発明第１３実施例の平面図である。
【図１５】本発明第１４実施例の平面図である。
【図１６】本発明第１５実施例の平面図である。
【図１７】本発明第１６実施例の平面図である。
【図１８】本発明第１７実施例の平面図である。
【図１９】本発明第１８実施例の平面図である。
【図２０】本発明第１９実施例の平面図である。
【図２１】本発明第２０実施例の平面図である。
【図２２】本発明第２１実施例を示す図である。
【図２３】従来例の問題点を説明する図である。
１２ 基板 １６ 第１磁気シールド １８ 第２磁気シールド ２２ 磁気抵抗効果素子 ２２ａ センス領域 ２４ 前部フラックスガイド ２５ ギャップ ２６ ヘッド先端面（媒体対向面） ２８ａ，２８ｂ 端子 ３４ 記録媒体 ３５ 記録トラック ３６ 後部フラックスガイド ４０ 導体コイル ４２ 磁極 ４４ リターンヨーク ４６ 反強磁性膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 戸田 順三 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 溝下 義文 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (23)
- 【請求項１】 記録媒体(34)に記録された情報を再生す
る磁気抵抗効果ヘッドであって、 記録媒体(34)の記録トラック(35)から漏洩する信号磁界
の変化を抵抗変化に変換する、該記録媒体に対向する前
記ヘッドの先端面(26)から後退して設けられた磁気抵抗
効果素子(22)と、 前記磁気抵抗効果素子(22)に接続され、その間に磁気抵
抗効果素子のセンス領域(22a) を画成する一対の端子(2
8a,28b) と、 一端が前記ヘッドの先端面(26)に露出し他端が前記磁気
抵抗効果素子(22)の一端に磁気的に結合した、記録媒体
(34)からの磁束を前記磁気抵抗効果素子(22)に案内する
前部フラックスガイド(24)とから構成され、 前記前部フラックスガイド(24)は前記磁気抵抗効果素子
(22)のセンス領域(22a) を越えて前記記録媒体の記録ト
ラック(35)の幅方向に伸長した概略長方形状をしてお
り、該前部フラックスガイド(24)の磁化容易軸方向が記
録トラック(35)の幅方向に平行であることを特徴とする
磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項２】 一端が前記磁気抵抗効果素子(22)の他端
に磁気的に結合した後部フラックスガイド(36)をさらに
具備し、該後部フラックスガイド(36)は前記磁気抵抗効
果素子(22)のセンス領域(22a) を越えて前記記録媒体の
記録トラック(35)の幅方向に伸長した概略長方形状をし
ており、該後部フラックスガイド(36)の磁化容易軸方向
が記録トラック(35)の幅方向に平行である請求項１記載
の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項３】 前記前部フラックスガイド (24′) は先
端露出部が記録トラック(35)の幅以下の幅を有する突出
部(24a) を有しており、該前部フラックスガイド (2
4′) は前記突出部(24a) でのみ前記ヘッドの先端面(2
6)に露出し、残りの部分は前記先端面(26)から後退して
いる請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項４】 前記前部フラックスガイド (24″) は前
記先端面(26)に露出した記録トラック(35)の幅以下の幅
の中央露出部(24b) を有しており、該前部フラックスガ
イド (24″) の前端エッジ(24c) は該中央露出部(24b)
から両端に向けて前記ヘッドの先端面(26)から連続的に
遠ざかっている請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項５】 前記前部フラックスガイド(24)は前記ヘ
ッドの先端面(26)に露出する記録トラック(35)の幅より
も広い幅の中央露出部を有しており、前記磁気抵抗効果
素子のセンス領域(22a) の幅は記録トラック(35)の幅以
下である請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項６】 前記前部フラックスガイド(24)及び前記
後部フラックスガイド(36)の全面に積層された反強磁性
膜、永久磁石膜及びフェリ磁性膜から構成された群から
選択される磁性膜(46)をさらに具備した請求項２記載の
磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項７】 前記磁気抵抗効果素子のセンス領域(22
a) の幅に相当する部分を除いた前記前部フラックスガ
イド(24)の表面上に積層された反強磁性膜、永久磁石膜
及びフェリ磁性膜から構成された群から選択される磁性
膜(46)をさらに具備した請求項１記載の磁気抵抗効果ヘ
ッド。 - 【請求項８】 前記磁気抵抗効果素子のセンス領域(22
a) の幅に相当する部分を除いた前記前部及び後部フラ
ックスガイド(24,36) の表面上に積層された反強磁性
膜、永久磁石膜及びフェリ磁性膜から構成された群から
選択される磁性膜(46)をさらに具備した請求項２記載の
磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項９】 前記磁気抵抗効果素子(22)のセンス領域
(22a) は記録トラック(35)の幅以上の幅を有しており、 一端において記録トラック(35)の幅以下であり他端にお
いてセンス領域(22a)の幅に概略等しい幅を有する中央
部分(47)を除いた前記前部フラックスガイド(24)の表面
上に積層された反強磁性膜、永久磁石膜及びフェリ磁性
膜から構成された群から選択される磁性膜(46)をさらに
具備した請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項１０】 前記磁気抵抗効果素子のセンス領域(2
2a) の幅に相当する幅の中央部分(47a) 及び所定幅の前
縁部分(48)を除いた前記前部フラックスガイド(24)の表
面上に積層された反強磁性膜、永久磁石膜及びフェリ磁
性膜から構成された群から選択される磁性膜(46)をさら
に具備した請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項１１】 前記突出部(24a) を除いた前記前部フ
ラックスガイド (24′) の全面に積層された反強磁性
膜、永久磁石膜及びフェリ磁性膜から構成された群から
選択される磁性膜(46)をさらに具備した請求項３記載の
磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項１２】 前記前部フラックスガイド(24)及び後
部フラックスガイド(36)の少なくとも一方は、前記磁気
抵抗効果素子(22)のセンス領域(22a) の幅に対応する部
分でのみ前記磁気抵抗効果素子(22)と膜厚方向に重なっ
ている請求項２記載の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項１３】 前記磁気抵抗効果素子(22)のセンス領
域(22a) の幅は記録媒体(34)の記録トラック(35)の幅以
下である請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項１４】 記録媒体(34)に記録された情報を再生
する磁気抵抗効果ヘッドであって、 記録媒体(34)の記録トラック(35)から漏洩する信号磁界
の変化を抵抗変化に変換する、該記録媒体に対向する前
記ヘッドの先端面(26)から後退して設けられた磁気抵抗
効果素子(22)と、 前記磁気抵抗効果素子(22)に接続され、その間に磁気抵
抗効果素子のセンス領域(22a) を画成する一対の端子(2
8a,28b) と、 前記磁気抵抗効果素子(22)及び前記端子(28a,28b) がそ
の中に埋め込まれた非磁性絶縁層(20)と、 前記非磁性絶縁層(20)をその間に挟み、前記ヘッドの先
端面(26)に記録媒体(34)からの磁束を受け入れるギャッ
プ(25)を画成した第１及び第２磁気シールド(16,18)
と、 一端が前記ヘッドの先端面(26)に露出し他端が前記磁気
抵抗効果素子(22)の一端に磁気的に結合した、記録媒体
(34)から前記ギャップ(25)を介して受け入れられた磁束
を前記磁気抵抗効果素子(22)に案内する前部フラックス
ガイド(24)とから構成され、 前記前部フラックスガイド(24)は前記磁気抵抗効果素子
(22)のセンス領域(22a) を越えて前記記録媒体の記録ト
ラック(35)の幅方向に伸長した概略長方形状をしてお
り、該前部フラックスガイド(24)の磁化容易軸方向が記
録トラック(35)の幅方向に平行であることを特徴とする
磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項１５】 前記第１及び第２磁気シールド(16,1
8) の間隔は、少なくとも前記磁気抵抗効果素子のセン
ス領域(22a) で前記ヘッドの先端面(26)での間隔よりも
広く形成されており、前記磁気抵抗効果素子(22)が前記
第１磁気シールド(16)側に偏って配置されている請求項
１４記載の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項１６】 前記第１及び第２磁気シールド(16,1
8) の間隔は、前記磁気抵抗効果素子(22)に対向する部
分で前記ヘッドの先端面(26)での間隔よりも広く形成さ
れており、前記磁気抵抗効果素子(22)が前記第１磁気シ
ールド(16)側に偏って配置されている請求項１４記載の
磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項１７】 前記一対の端子(28a,28b) に接続され
た一定のセンス電流を前記磁気抵抗効果素子(22)に供給
する手段(30)をさらに具備し、 該センス電流の磁界によって磁化された第１及び第２磁
気シールド(16,18) により前記磁気抵抗効果素子(22)が
磁気的にバイアスされる請求項１５記載の磁気抵抗効果
ヘッド。 - 【請求項１８】 前記第２磁気シールド (42′) は前記
ギャップ(25)を画成した端部と反対側の端部で前記第１
磁気シールド(16)と結合しており、前記第１及び第２磁
気シールド(16,42′) の間隔は該ギャップ(25)を画成し
た端部と結合部の間の中間部分でギャップ(25)を画成し
た端部の間隔よりも広く形成されており、 該結合部を概略中心にして巻回された記録用導体コイル
(40)をさらに具備した請項１４記載の磁気抵抗効果ヘッ
ド。 - 【請求項１９】 記録媒体(34)に記録された情報を再生
する磁気抵抗効果ヘッドであって、 記録媒体の記録トラック(35)から漏洩する信号磁界の変
化を抵抗変化に変換する、該記録媒体(34)に対向する前
記ヘッドの先端面(26)から後退して設けられた磁気抵抗
効果素子(22)と、 前記磁気抵抗効果素子(22)に接続され、その間に磁気抵
抗効果素子のセンス領域(22a) を画成する一対の端子(2
8a,28b) と、 一端が前記ヘッドの先端面(26)に露出し他端が前記磁気
抵抗効果素子(22)の一端に磁気的に結合した、記録媒体
(34)からの磁束を前記磁気抵抗効果素子(22)に案内する
前部フラックスガイド(24)と、 前記磁気抵抗効果素子(22)を通った磁束を記録媒体(34)
にリターンする前記磁気抵抗効果素子(22)の他端に磁気
的に結合したリターンヨーク(44)とから構成され、 前記前部フラックスガイド(24)は前記磁気抵抗効果素子
(22)のセンス領域(22a) を越えて前記記録媒体の記録ト
ラック(35)の幅方向に伸長した概略長方形状をしてお
り、該前部フラックスガイド(24)の磁化容易軸方向が記
録トラック(35)の幅方向に平行であることを特徴とする
磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項２０】 前記磁気抵抗効果素子(22)の他端に磁
気的に結合した後部フラックスガイド(36)をさらに具備
し、前記後部フラックスガイド(36)は前記磁気抵抗効果
素子のセンス領域(22a) を越えて前記記録媒体の記録ト
ラック(35)の幅方向に伸長した概略長方形状をしてお
り、該後部フラックスガイド(36)の磁化容易軸方向は記
録トラック(35)の幅方向に平行であり、該後部フラック
スガイド(36)に前記リターンヨーク(44)が磁気的に結合
している請求項１９記載の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項２１】 記録媒体(34)に記録された情報を再生
する磁気抵抗効果ヘッドであって、 記録媒体(34)の記録トラック(35)から漏洩する信号磁界
の変化を抵抗変化に変換する、該記録媒体に対向する前
記ヘッドの先端面(26)から後退して設けられた磁気抵抗
効果素子(22)と、 前記磁気抵抗効果素子(22)に接続され、その間に磁気抵
抗効果素子のセンス領域(22a) を画成する一対の端子(2
8a,28b) と、 一端が前記ヘッドの先端面(26)に露出し他端が前記磁気
抵抗効果素子(22)の一端に磁気的に結合した、記録媒体
(34)からの磁束を前記磁気抵抗効果素子(22)に案内する
前部フラックスガイド(52)と、 前記磁気抵抗効果素子(22)に沿って前記前部フラックス
ガイド(52)の両側に配置された一対の磁性膜(54)とを具
備したことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項２２】 前記一対の磁性膜(54)の上に積層され
た一対の反強磁性膜(46)をさらに具備した請求項２１記
載の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項２３】 前記一対の磁性膜(54)の一部を覆う形
で前記前部フラックスガイド(52)が形成されている請求
項２１記載の磁気抵抗効果ヘッド。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5302637A JP2788403B2 (ja) | 1993-03-18 | 1993-12-02 | 磁気抵抗効果ヘッド |
| EP19940101405 EP0616318B1 (en) | 1993-03-18 | 1994-01-31 | Magnetoresistive head |
| DE1994617616 DE69417616T2 (de) | 1993-03-18 | 1994-01-31 | Magnetoresistiver Kopf |
| US08/791,015 US5995339A (en) | 1993-03-18 | 1997-01-27 | Magnetoresistive head with a front flux guide and an embedded MR element |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-57602 | 1993-03-18 | ||
| JP5760293 | 1993-03-18 | ||
| JP5302637A JP2788403B2 (ja) | 1993-03-18 | 1993-12-02 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06325331A true JPH06325331A (ja) | 1994-11-25 |
| JP2788403B2 JP2788403B2 (ja) | 1998-08-20 |
Family
ID=26398671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5302637A Expired - Fee Related JP2788403B2 (ja) | 1993-03-18 | 1993-12-02 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0616318B1 (ja) |
| JP (1) | JP2788403B2 (ja) |
| DE (1) | DE69417616T2 (ja) |
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