JPH0487011A - 磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドInfo
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- JPH0487011A JPH0487011A JP20219490A JP20219490A JPH0487011A JP H0487011 A JPH0487011 A JP H0487011A JP 20219490 A JP20219490 A JP 20219490A JP 20219490 A JP20219490 A JP 20219490A JP H0487011 A JPH0487011 A JP H0487011A
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- 230000000694 effects Effects 0.000 title abstract description 7
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 8
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 abstract 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 101000606504 Drosophila melanogaster Tyrosine-protein kinase-like otk Proteins 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ディスク装置、磁気テープ装置等の磁気
記録装置に使用されるシールド型磁気抵抗効果ヘッドに
関するものである。
記録装置に使用されるシールド型磁気抵抗効果ヘッドに
関するものである。
磁気抵抗効果ヘッド（以下、ＭＲヘッドと記す）は、高
い再生感度を有し、かつ、再生出力が磁気記録媒体−磁
気ヘッド間の相対速度に依存しないため、磁気記録装置
の高密度化、小型化に対して有利なデバイスである。こ
のＭＲヘッドにおいては、磁気抵抗効果素子（以下、Ｍ
Ｒ素子と記す）は、一般に、磁気記録媒体に対して垂直
に配置され、磁気記録媒体からの発生する磁束のうち、
磁気記録媒体に垂直な成分を検出する。分解能を高めた
ＭＲヘッドの例として、ＭＲ素子の両側に軟磁性体から
なる磁気シールドを配置したシールド型ＭＲヘッドが知
られており、１９７５年刊のアイ・イー・イー・イー・
トランザクションズ・・オン・マグネティクス誌第ＭＡ
Ｇ−１１巻１２０６ページ、特開昭６０−１５１８１６
公報、特開昭６３−１８４９０６公報、特公昭６３５０
７６９公報に示されている。
い再生感度を有し、かつ、再生出力が磁気記録媒体−磁
気ヘッド間の相対速度に依存しないため、磁気記録装置
の高密度化、小型化に対して有利なデバイスである。こ
のＭＲヘッドにおいては、磁気抵抗効果素子（以下、Ｍ
Ｒ素子と記す）は、一般に、磁気記録媒体に対して垂直
に配置され、磁気記録媒体からの発生する磁束のうち、
磁気記録媒体に垂直な成分を検出する。分解能を高めた
ＭＲヘッドの例として、ＭＲ素子の両側に軟磁性体から
なる磁気シールドを配置したシールド型ＭＲヘッドが知
られており、１９７５年刊のアイ・イー・イー・イー・
トランザクションズ・・オン・マグネティクス誌第ＭＡ
Ｇ−１１巻１２０６ページ、特開昭６０−１５１８１６
公報、特開昭６３−１８４９０６公報、特公昭６３５０
７６９公報に示されている。
第２図に、従来のシールド型ＭＲヘッドを示す。
このヘッドは、ＭＲ素子層１と、電極２と、下シールド
層１３と、上シールド層１４と、下シールド間ギャップ
層５と、上シールド間ギャップ層６とから構成され、下
シールド層１３及び上シールド層１４の摺動面端の形状
は摺動面に対し直線状となっている。
層１３と、上シールド層１４と、下シールド間ギャップ
層５と、上シールド間ギャップ層６とから構成され、下
シールド層１３及び上シールド層１４の摺動面端の形状
は摺動面に対し直線状となっている。
第２図に示す様なシールド型ＭＲヘッドにおいては、下
シールド層１３及び上シールド層１４より成る磁気シー
ルドが磁気記録媒体から発する磁束のうちの余分な磁束
を吸収し、低線記録密度領域から高線記録密度領域に至
るまで、ＭＲ素子が検出する磁束量はほぼ一定になる。
シールド層１３及び上シールド層１４より成る磁気シー
ルドが磁気記録媒体から発する磁束のうちの余分な磁束
を吸収し、低線記録密度領域から高線記録密度領域に至
るまで、ＭＲ素子が検出する磁束量はほぼ一定になる。
従って、ＭＲ素子により再生される出力電圧は、低線記
録密度領域から高線記録密度領域に至るまで振幅が一定
となり、波形干渉が小さく読み取り誤りのない信号を得
ることができる。
録密度領域から高線記録密度領域に至るまで振幅が一定
となり、波形干渉が小さく読み取り誤りのない信号を得
ることができる。
上述した従来のシールド型ＭＲヘッドでは、磁気シール
ドを配置してＭＲヘッドの分解能を高めるために、シー
ルド幅をＭＲ検出幅より大きくする必要がある。しかし
、シールド幅が大きくなると隣接トラックからのクロス
トークの危険が高くなる欠点がある。
ドを配置してＭＲヘッドの分解能を高めるために、シー
ルド幅をＭＲ検出幅より大きくする必要がある。しかし
、シールド幅が大きくなると隣接トラックからのクロス
トークの危険が高くなる欠点がある。
第３図は、第２図に示される形状の幅８１１１のＭＲ検
出部、１００戸幅のシールド層をもつシールド型ＭＲヘ
ッドのオフトラック特性の一例である。
出部、１００戸幅のシールド層をもつシールド型ＭＲヘ
ッドのオフトラック特性の一例である。
オフトラック特性は、記録ヘッドにより磁気ディスク上
に作成されたトラック幅８μ−１記録書度１５ＫＦＣＩ
のトラックに対し、シールド型ＭＲヘッドをトラック幅
方向にずらしたときの再生出力として測定されている。
に作成されたトラック幅８μ−１記録書度１５ＫＦＣＩ
のトラックに対し、シールド型ＭＲヘッドをトラック幅
方向にずらしたときの再生出力として測定されている。
この再生出力は、ＭＲ検出部がトラックの真上にきたと
き（第３図におけるＸ＝０の点）、極大値をとっている
。第３図のオフトラック特性から、ＭＲの検出部とトラ
ックが十分層れていてもトラックがシールド層の直下に
ある場合には、シールド層を通してＭＲ検出部に磁束が
流れて出力が生じてしまうこと、及びその出力がＭＲの
検出部とトラックの距離に殆ど依存しないことがわかる
。
き（第３図におけるＸ＝０の点）、極大値をとっている
。第３図のオフトラック特性から、ＭＲの検出部とトラ
ックが十分層れていてもトラックがシールド層の直下に
ある場合には、シールド層を通してＭＲ検出部に磁束が
流れて出力が生じてしまうこと、及びその出力がＭＲの
検出部とトラックの距離に殆ど依存しないことがわかる
。
通常、記録信号は媒体上の複数のトラック上に記録され
、各トラックはガードバンドで区切られている。従って
、シールド幅の大きなヘッドにおいてはオントラック以
外のトラックからの出力がノイズとなって含まれるため
、クロストーク量の大きなヘッドとなってしまう。トラ
ック幅８μｍ。
、各トラックはガードバンドで区切られている。従って
、シールド幅の大きなヘッドにおいてはオントラック以
外のトラックからの出力がノイズとなって含まれるため
、クロストーク量の大きなヘッドとなってしまう。トラ
ック幅８μｍ。
ガードハンド４ｐｍの条件で、第３図のオフトラック特
性を持つヘッドのクロストーク蓋は一１９ｄＢであり、
信頬性の観点から必要とされる一２５ｄＢに達していな
い。
性を持つヘッドのクロストーク蓋は一１９ｄＢであり、
信頬性の観点から必要とされる一２５ｄＢに達していな
い。
このような磁気シールドの影響を低減するためにはシー
ルド層全体の幅を狭くすることが考えられるが、この場
合にはＭＲ素子に厚いシールド層の端部が近接するため
、この部分での段差によって電極に断線が生じたり、磁
性層の磁気特性が劣化するといった欠点があった。
ルド層全体の幅を狭くすることが考えられるが、この場
合にはＭＲ素子に厚いシールド層の端部が近接するため
、この部分での段差によって電極に断線が生じたり、磁
性層の磁気特性が劣化するといった欠点があった。
本発明の目的は、上記欠点を解消し、クロストークが装
置から要求されるレベルより小さく高トラツク密度に適
し、かつ、分解能の高い磁気抵抗効果ヘッドを提供する
ことにある。
置から要求されるレベルより小さく高トラツク密度に適
し、かつ、分解能の高い磁気抵抗効果ヘッドを提供する
ことにある。
本発明は、非磁性基板上に下シールド層、下シールド間
ギャップ層９Ｍ！気抵抗効果素子、上シールド間ギャッ
プ層、上シールド層を積層した構造を有し、磁気記録媒
体上のガードバンドで区切られたトラック上に記録され
た信号を読み出す磁気抵抗効果ヘッドにおいて、 前記上シールド層及び前記下シールド層の摺動面端の形
状が、摺動面に対して湾曲し、一部分だけが摺動面に露
出しており、摺動面に露出しているシールド層端部の幅
がトラック幅以上、かつ、｛２．５ｘＮ−ラック幅＋ガ
ードバンド幅）十トラック幅）以下であることを特徴と
する。
ギャップ層９Ｍ！気抵抗効果素子、上シールド間ギャッ
プ層、上シールド層を積層した構造を有し、磁気記録媒
体上のガードバンドで区切られたトラック上に記録され
た信号を読み出す磁気抵抗効果ヘッドにおいて、 前記上シールド層及び前記下シールド層の摺動面端の形
状が、摺動面に対して湾曲し、一部分だけが摺動面に露
出しており、摺動面に露出しているシールド層端部の幅
がトラック幅以上、かつ、｛２．５ｘＮ−ラック幅＋ガ
ードバンド幅）十トラック幅）以下であることを特徴と
する。
第３図において、ＭＲ検出部とトラックが離れている領
域の出力は、トラックからの磁束がシールド層を通して
ＭＲ検出部に流れているためと考えられる。従って、そ
の影響はシールド層の摺動面端の形状を摺動面に対して
湾曲させ、摺動面から離すことによって大幅に低減でき
る。
域の出力は、トラックからの磁束がシールド層を通して
ＭＲ検出部に流れているためと考えられる。従って、そ
の影響はシールド層の摺動面端の形状を摺動面に対して
湾曲させ、摺動面から離すことによって大幅に低減でき
る。
このとき、摺動面に露出させるシールド端部の幅は、以
下のように制限する。すなわち、Ｓを摺動面に露出した
シールド層幅、Ｃをトラック幅、Ｄをガードバンド幅と
すると、シールド層の下には、ＭＲ検出部の下のトラッ
ク（オントラック）の他に、（（ｓ−ｃ）／ （Ｃ＋Ｄ
））本のトラックがあると考えられる。また、第３図の
様に、シールド層の下にあるトラックからの出力Ｖ２は
、ＭＲ検出部とトラックの距離に依らずほとんど一定で
あるから、オントラック出力をＶ、とすると、クロスト
ーク量は、 クロストーク量 となり、出力をデシベルで表すと、 クロストーク量 −Ｖｚ Ｖ＋ ＋１０ ｌｏｇ （（Ｓ Ｃ） ／
（Ｃ＋ Ｄ） ）で与えられる。クロストーク量とし
ては一２５ｄＢ以下が望ましいこと、及び、オントラッ
ク出力とオフトラック出力の差、つまり、Ｖ、−Ｖ、が
３０ｄＢであることから、要求されるトラック幅Ｃ、ガ
ードバンド幅りに対して、媒体面に露出したシールド幅
Ｓは、 Ｓ＜２．５Ｘ （Ｃ＋Ｄ）＋Ｃ でなくてはならない。
下のように制限する。すなわち、Ｓを摺動面に露出した
シールド層幅、Ｃをトラック幅、Ｄをガードバンド幅と
すると、シールド層の下には、ＭＲ検出部の下のトラッ
ク（オントラック）の他に、（（ｓ−ｃ）／ （Ｃ＋Ｄ
））本のトラックがあると考えられる。また、第３図の
様に、シールド層の下にあるトラックからの出力Ｖ２は
、ＭＲ検出部とトラックの距離に依らずほとんど一定で
あるから、オントラック出力をＶ、とすると、クロスト
ーク量は、 クロストーク量 となり、出力をデシベルで表すと、 クロストーク量 −Ｖｚ Ｖ＋ ＋１０ ｌｏｇ （（Ｓ Ｃ） ／
（Ｃ＋ Ｄ） ）で与えられる。クロストーク量とし
ては一２５ｄＢ以下が望ましいこと、及び、オントラッ
ク出力とオフトラック出力の差、つまり、Ｖ、−Ｖ、が
３０ｄＢであることから、要求されるトラック幅Ｃ、ガ
ードバンド幅りに対して、媒体面に露出したシールド幅
Ｓは、 Ｓ＜２．５Ｘ （Ｃ＋Ｄ）＋Ｃ でなくてはならない。
また、シールド層がトラック幅からの余分な磁束を吸収
するためには、シールド幅Ｓはトランク幅Ｃより大きく
なくてはならない。
するためには、シールド幅Ｓはトランク幅Ｃより大きく
なくてはならない。
以上２点より、摺動面に露出したシールド幅Ｓを、
Ｃｐｓ＜２．５Ｘ （Ｃ＋Ｄ） 十Ｃ
とすることにより、クロストークが小さく高トラツク密
度化に適し、かつ分解能の優れたシールド型ＭＲヘッド
を得ることができる。
度化に適し、かつ分解能の優れたシールド型ＭＲヘッド
を得ることができる。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は、本発明の一実施例を示す斜視図である。この
シールド型ＭＲヘッドは、ＭＲ素子層１と、電極２と、
下シールド層３と、上シールド層４と、下シールド間ギ
ャップ層５と、上シールド間ギャップ層６とから成り、
下シールド層３．下シールド間ギャップ層５．ＭＲ素子
層１．電極２゜上シールド間ギャップ層６．上シールド
層４を順次積層した構造を有している。
シールド型ＭＲヘッドは、ＭＲ素子層１と、電極２と、
下シールド層３と、上シールド層４と、下シールド間ギ
ャップ層５と、上シールド間ギャップ層６とから成り、
下シールド層３．下シールド間ギャップ層５．ＭＲ素子
層１．電極２゜上シールド間ギャップ層６．上シールド
層４を順次積層した構造を有している。
下シールド層３及び上シールド層４の上下シールド層の
摺動面端の形状が、摺動面に対して台形状に湾曲し、一
部分だけが摺動面に対して露出している。そして摺動面
に露出しているシールド層端部の幅（シールド幅）がト
ラック幅以上、かつ、｛２．５Ｘ（トラック輻＋ガード
バンド幅）十トラック幅）以下である。
摺動面端の形状が、摺動面に対して台形状に湾曲し、一
部分だけが摺動面に対して露出している。そして摺動面
に露出しているシールド層端部の幅（シールド幅）がト
ラック幅以上、かつ、｛２．５Ｘ（トラック輻＋ガード
バンド幅）十トラック幅）以下である。
このシールド型磁気抵抗効果ヘッドは、次の様にして製
造される。まず、セラミックの非磁性基板上に厚さ１
ｐｌｍのパーマロイを用いた下シールド層３をメツキ法
により成膜し、イオンミリングにより全体の幅が１００
μｍ、摺動面に露出する幅が３０μ園の台形の形状にパ
ターン化する。下シールド層３の上に、厚さ０．４μＩ
の５ｉＯｚを用いた下シールド間ギャップ層５をスパッ
タリング法により成膜する。更に、厚さ０．０４ｐｍの
パーマロイ膜、厚さ０．０２１．ＩｍのＴｉ膜、及び厚
さ０．０５７ｒｍのＣｏＺｒＭｏ膜が積層されたＭＲ素
子層１をスパッタリング法により成膜する。ここでＣｏ
ＺｒＭｏ膜は、パーマロイ膜と磁気的に結合してバイア
スを与え、パーマロイ膜の磁気抵抗効果を検出する。ま
たＴｉ膜は、パーマロイ膜とＣｏＺｒＭｏ膜を磁気的に
分離する。ＭＲ素子層１の上に、厚さ０．２μｍのＡｕ
を用いた電極２を蒸着法により成膜し、フォトリソグラ
フィー技術とイオンエツチング技術を用いてＭＲ素子層
と電極を同時にパターン化する。
造される。まず、セラミックの非磁性基板上に厚さ１
ｐｌｍのパーマロイを用いた下シールド層３をメツキ法
により成膜し、イオンミリングにより全体の幅が１００
μｍ、摺動面に露出する幅が３０μ園の台形の形状にパ
ターン化する。下シールド層３の上に、厚さ０．４μＩ
の５ｉＯｚを用いた下シールド間ギャップ層５をスパッ
タリング法により成膜する。更に、厚さ０．０４ｐｍの
パーマロイ膜、厚さ０．０２１．ＩｍのＴｉ膜、及び厚
さ０．０５７ｒｍのＣｏＺｒＭｏ膜が積層されたＭＲ素
子層１をスパッタリング法により成膜する。ここでＣｏ
ＺｒＭｏ膜は、パーマロイ膜と磁気的に結合してバイア
スを与え、パーマロイ膜の磁気抵抗効果を検出する。ま
たＴｉ膜は、パーマロイ膜とＣｏＺｒＭｏ膜を磁気的に
分離する。ＭＲ素子層１の上に、厚さ０．２μｍのＡｕ
を用いた電極２を蒸着法により成膜し、フォトリソグラ
フィー技術とイオンエツチング技術を用いてＭＲ素子層
と電極を同時にパターン化する。
次に、ＭＲ素子の検出部分上の８μ−のみ、電極２を化
学エツチングにより除去する。更に、厚さ０．３μ−の
５ｉｎ２膜を用いた上シールド間ギャップ層６をスパッ
タリング法により成膜し、上シールド間ギャップ層６上
に、厚さ１ ）ｔｍのパーマロイを用いた上シールド層
４をメツキ法により成膜し、フォトリソグラフィー技術
とイオンエツチング技術を用いて全体の幅が１００μ顛
、摺動面に露出する幅が３０．−の台形の形状にパター
ン化する。
学エツチングにより除去する。更に、厚さ０．３μ−の
５ｉｎ２膜を用いた上シールド間ギャップ層６をスパッ
タリング法により成膜し、上シールド間ギャップ層６上
に、厚さ１ ）ｔｍのパーマロイを用いた上シールド層
４をメツキ法により成膜し、フォトリソグラフィー技術
とイオンエツチング技術を用いて全体の幅が１００μ顛
、摺動面に露出する幅が３０．−の台形の形状にパター
ン化する。
本実施例においてはＭＲ検出幅は８Ｉｌ■、摺動面に露
出したシールド幅は３０戸ｍであるが、同様にして、摺
動面に露出したシールド幅が４．１２．２０゜６０μ−
であるヘッドをそれぞれ作成した。
出したシールド幅は３０戸ｍであるが、同様にして、摺
動面に露出したシールド幅が４．１２．２０゜６０μ−
であるヘッドをそれぞれ作成した。
これらのシールド型ＭＲヘッドを用いて、トラック幅８
ｐｙａ、ガードバンド幅４７／１１のディスクに対して
測定を行った。この条件においては、本発明から定まる
摺動面に露出したシールド幅Ｓの範囲は、 ８戸＜Ｓ＜３８μ艶 であるから、幅Ｓが１２．２０．３０Ｊｌ１１のものを
実施例１．２．３とし、幅Ｓが４．６０，１７ＩＩのも
のを比較例１．２とした。
ｐｙａ、ガードバンド幅４７／１１のディスクに対して
測定を行った。この条件においては、本発明から定まる
摺動面に露出したシールド幅Ｓの範囲は、 ８戸＜Ｓ＜３８μ艶 であるから、幅Ｓが１２．２０．３０Ｊｌ１１のものを
実施例１．２．３とし、幅Ｓが４．６０，１７ＩＩのも
のを比較例１．２とした。
オントラックに１５ＫＰＣＩ、他のトラックに１０ＫＰ
ＣＩの記録密度で信号を記録し、スペクトルアナライザ
ーにより、両者の出力の差をクロストーク量として測定
したところ、表１の結果が得られた。
ＣＩの記録密度で信号を記録し、スペクトルアナライザ
ーにより、両者の出力の差をクロストーク量として測定
したところ、表１の結果が得られた。
表１
表１より、実施例１，２．３のシールド型ＭＲヘッドは
、クロストーク量は一２５ｄＢ以下であり、また、再生
出力が半分になる記録密度（Ｄ、。）は４０ＫＦ（Ｊで
あり、高トラック密度、高分解能（高綿密度）、低クロ
ストークのヘッドであることがわかる。一方、本発明で
定まる値より、シールド幅が短い比較例１のヘッドにお
いては、Ｄ、。が極端に劣ること、及び、シールド幅が
長い比較例２のヘッドにおいては、クロストーク量は一
２５ｄＢ以上となり、磁気ヘッドとしての性能が劣るこ
とがわかる。
、クロストーク量は一２５ｄＢ以下であり、また、再生
出力が半分になる記録密度（Ｄ、。）は４０ＫＦ（Ｊで
あり、高トラック密度、高分解能（高綿密度）、低クロ
ストークのヘッドであることがわかる。一方、本発明で
定まる値より、シールド幅が短い比較例１のヘッドにお
いては、Ｄ、。が極端に劣ること、及び、シールド幅が
長い比較例２のヘッドにおいては、クロストーク量は一
２５ｄＢ以上となり、磁気ヘッドとしての性能が劣るこ
とがわかる。
次に、実施例４としてトラック幅とＭＲ検出幅が等しく
ない例を示す。
ない例を示す。
実施例１，２．３と同様にして作製されたＭＲ検出幅４
ｐｍ、媒体面に露出したシールド幅が１０戸のシールド
型ＭＲヘッドを用いて、トラック幅５μｍ、ガードバン
ド幅１μｍのディスクに対して測定を行ったところ、ク
ロストーク量は−３２，１ｄＢであり、Ｄ、。は３８．
４ＫＰＣＩであった。本実施例より、トラック幅とＭＲ
検出幅が等しくない場合についても本発明が適用される
ことがわかる。
ｐｍ、媒体面に露出したシールド幅が１０戸のシールド
型ＭＲヘッドを用いて、トラック幅５μｍ、ガードバン
ド幅１μｍのディスクに対して測定を行ったところ、ク
ロストーク量は−３２，１ｄＢであり、Ｄ、。は３８．
４ＫＰＣＩであった。本実施例より、トラック幅とＭＲ
検出幅が等しくない場合についても本発明が適用される
ことがわかる。
次に、実施例５としてシャントバイアス法ヲ用いた例を
示す。本実施例ではＭＲ素子はパーマロイでできたＭＲ
膜とＴｉでできたシャント膜だけからできており、Ｔｉ
膜に流れる電流により生じる磁界がバイアス磁界となる
。ＭＲ検出幅８μ鋼、媒体面に露出したシールド幅が２
０ｐＩＩ＋のシールド型ＭＲへ・ノドを用いて、トラッ
ク幅８ｙｍ、ガードハンド幅４μｍのディスクに対して
測定を行ったところ、クロストーク量は−３０，２ｄＢ
であり、Ｄ、。は３６．４ＫＰＣＩであった。本実施例
より、シャントバイアス法によるシールド型ＭＲヘッド
においても本発明が適用されることがわかる。
示す。本実施例ではＭＲ素子はパーマロイでできたＭＲ
膜とＴｉでできたシャント膜だけからできており、Ｔｉ
膜に流れる電流により生じる磁界がバイアス磁界となる
。ＭＲ検出幅８μ鋼、媒体面に露出したシールド幅が２
０ｐＩＩ＋のシールド型ＭＲへ・ノドを用いて、トラッ
ク幅８ｙｍ、ガードハンド幅４μｍのディスクに対して
測定を行ったところ、クロストーク量は−３０，２ｄＢ
であり、Ｄ、。は３６．４ＫＰＣＩであった。本実施例
より、シャントバイアス法によるシールド型ＭＲヘッド
においても本発明が適用されることがわかる。
また、本発明で得られた結果が、実施例で示したソフト
フィルムバイアス法、シャントバイアス法以外のバイア
ス法についても成り立つことは言うまでもない。
フィルムバイアス法、シャントバイアス法以外のバイア
ス法についても成り立つことは言うまでもない。
なお、上記実施例では、シールド層としてパーマロイを
用いたが、他の軟磁性材料であってもよい。
用いたが、他の軟磁性材料であってもよい。
以上説明した様に本発明によれば、クロストークが小さ
く高トラツク密度化に適し、かつ、分解能の高い磁気抵
抗効果ヘッドを得ることができる。
く高トラツク密度化に適し、かつ、分解能の高い磁気抵
抗効果ヘッドを得ることができる。
第１図は本発明の一実施例の磁気抵抗効果ヘッドを示す
斜視図、 第２図は従来の磁気抵抗効果ヘッドを示す斜視図、 第３図はシールド型ＭＲヘッドのオフトラック特性を表
す図である。 １・・・・・ＭＲ素子層 ・・電極 ・・下シールド層 ・・上シールド層 ・・下シールド間ギャップ層 ・・上シールド間ギャップ層
斜視図、 第２図は従来の磁気抵抗効果ヘッドを示す斜視図、 第３図はシールド型ＭＲヘッドのオフトラック特性を表
す図である。 １・・・・・ＭＲ素子層 ・・電極 ・・下シールド層 ・・上シールド層 ・・下シールド間ギャップ層 ・・上シールド間ギャップ層
Claims (1)
- （１）非磁性基板上に下シールド層、下シールド間ギャ
ップ層、磁気抵抗効果素子、上シールド間ギャップ層、
上シールド層を積層した構造を有し、磁気記録媒体上の
ガードバンドで区切られたトラック上に記録された信号
を読み出す磁気抵抗効果ヘッドにおいて、 前記上シールド層及び前記下シールド層の摺動面端の形
状が、摺動面に対して湾曲し、一部分だけが摺動面に露
出しており、摺動面に露出しているシールド層端部の幅
がトラック幅以上、かつ、｛２．５×（トラック幅＋ガ
ードバンド幅）＋トラック幅｝以下であることを特徴と
する磁気抵抗効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20219490A JPH0487011A (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20219490A JPH0487011A (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0487011A true JPH0487011A (ja) | 1992-03-19 |
Family
ID=16453526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20219490A Pending JPH0487011A (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0487011A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0616318A2 (en) * | 1993-03-18 | 1994-09-21 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head |
| US5995339A (en) * | 1993-03-18 | 1999-11-30 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head with a front flux guide and an embedded MR element |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63224016A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-19 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
-
1990
- 1990-07-30 JP JP20219490A patent/JPH0487011A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63224016A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-19 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0616318A2 (en) * | 1993-03-18 | 1994-09-21 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head |
| EP0616318A3 (en) * | 1993-03-18 | 1997-02-26 | Fujitsu Ltd | Magnetoresistive head. |
| US5995339A (en) * | 1993-03-18 | 1999-11-30 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head with a front flux guide and an embedded MR element |
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