JPH0544088B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0544088B2 JPH0544088B2 JP59229716A JP22971684A JPH0544088B2 JP H0544088 B2 JPH0544088 B2 JP H0544088B2 JP 59229716 A JP59229716 A JP 59229716A JP 22971684 A JP22971684 A JP 22971684A JP H0544088 B2 JPH0544088 B2 JP H0544088B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic head
- head element
- wavelength region
- sensing part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
- G11B5/397—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read with a plurality of independent magnetoresistive active read-out elements for respectively transducing from selected components
- G11B5/3977—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read with a plurality of independent magnetoresistive active read-out elements for respectively transducing from selected components from different information tracks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/488—Disposition of heads
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えばデジタルオーデイオテープレ
コーダ（以下DATという）用の多チヤンネル磁
気抵抗効果（MR）型磁気ヘツドに係わる。
コーダ（以下DATという）用の多チヤンネル磁
気抵抗効果（MR）型磁気ヘツドに係わる。
DAT用多チヤンネルMR型磁気ヘツドにおい
ては、多数のデータトラツクに夫々対応して設け
られた磁気ヘツド素子と、グラフイツク、キヤラ
クター等の情報が独立に記録再生されるトラツク
（以下AUXトラツクという）に対応して設けられ
た磁気ヘツド素子と、高速ランダムアクセスを可
能にするトラツク、すなわち可変速、正逆読出し
が可能とされた例えばタイムコード、曲番等の情
報が入つているキユートラツク（以下CUEトラ
ツクという）に対応して設けられた磁気ヘツド素
子とが配列されてなる。
ては、多数のデータトラツクに夫々対応して設け
られた磁気ヘツド素子と、グラフイツク、キヤラ
クター等の情報が独立に記録再生されるトラツク
（以下AUXトラツクという）に対応して設けられ
た磁気ヘツド素子と、高速ランダムアクセスを可
能にするトラツク、すなわち可変速、正逆読出し
が可能とされた例えばタイムコード、曲番等の情
報が入つているキユートラツク（以下CUEトラ
ツクという）に対応して設けられた磁気ヘツド素
子とが配列されてなる。
これらの各トラツクのうち、データトラツク
と、AUXトラツクは、その記録密度を上げるた
めに短波長（以下第１の波長領域という）の記録
がなされるに比し、CUEトラツクに関しては、
高速サーチ時のスペーシング増大によつても信号
の読出しを確実に行うことができるように、第１
の波長領域に比しかなり長い波長領域（以下第２
の波長領域という）での記録がなされる。
と、AUXトラツクは、その記録密度を上げるた
めに短波長（以下第１の波長領域という）の記録
がなされるに比し、CUEトラツクに関しては、
高速サーチ時のスペーシング増大によつても信号
の読出しを確実に行うことができるように、第１
の波長領域に比しかなり長い波長領域（以下第２
の波長領域という）での記録がなされる。
しかしながら通常この種の磁気ヘツドにおいて
は、製造の簡易化をはかるために、各トラツク対
応するいずれの磁気ヘツド素子に関しても、これ
らを同一工程によつて、製造するようにしてこれ
ら磁気ヘツド素子の作成における設計は感度が特
に要求されるデータトラツクの磁気ヘツド素子に
おいて最も良好な特性となるように選ばれてい
る。先ず、従来の多チヤンネルMR型磁気ヘツド
について説明する。
は、製造の簡易化をはかるために、各トラツク対
応するいずれの磁気ヘツド素子に関しても、これ
らを同一工程によつて、製造するようにしてこれ
ら磁気ヘツド素子の作成における設計は感度が特
に要求されるデータトラツクの磁気ヘツド素子に
おいて最も良好な特性となるように選ばれてい
る。先ず、従来の多チヤンネルMR型磁気ヘツド
について説明する。
第６図及び第７図は従来の多チヤンネルMR型
磁気ヘツドの略線的平面図及びその断面図を示す
もので、この磁気ヘツドにおいては、例えばNi
−Zn系フエライトよりなる磁性基板１上に各チ
ヤンネルすなわち各トラツクに対応するMR感磁
部に対してバイアス磁界を与えるためのバイアス
磁界発生の電流通路となる帯状導電膜よりなるバ
イアス導体２が各チヤンネルの配列方向に沿つて
直線的に披着形成され、これの上に絶縁層３を介
して例えばNi−Fe系合金或いはNi−Co系合金薄
膜等よりなる各チヤンネル、すなわちAUXトラ
ツク及びCUEトラツクと、各データトラツクに
夫々対応するMR感磁部MRaux及びMRcueと
MRとが配列形成され、さらにこれの上に絶縁層
５を介してNi−Fe系合金等の磁性層よりなるフ
ロント磁気コア６とバツク磁気コア７とが、各チ
ヤンネルに関して夫々のMR電磁部MRaux，
MR，MRcueを横切る方向に且つ各感磁部
MRaux，MR，MRcue上において所要の間隔の
不連続部を介して形成される。フロントの磁気コ
ア６の外端部は非磁性絶縁層、すなわちギヤツプ
スペーサ４を介して磁性基板１と対向するように
なされ、このコア６と磁性基板１との間にギヤツ
プスペーサ４によつてそのギヤツプ長が設定され
た磁気ギヤツプｇが形成されるようにする。この
ギヤツプスペーサ４は、後えば絶縁層５及び（又
は）３によつて形成することもできるし、この層
５，３の一部の厚さをエツチングするとか、多の
非磁性層をあらたに披着するなどによつて形成で
き、その幅は、磁気ギヤツプｇのギヤツプデプス
ｄに選ばれる。バツク磁気コア７の外端は、例え
ば絶縁層３及び５に穿設された窓８を通じて磁気
基板１に磁気的に密に結合するように連結され
る。そしてこれらバイアス導体２、MR感磁部
MRaux，MR，MRcue、磁気コア６及び７を覆
つて非磁性絶縁性保護層９が披着され、これの上
に接着剤層１０によつて保護基板１１が接着され
る。そして基板１及び１１とさらにこれらの間の
フロント磁気コア６の外端面が共通に切削研摩さ
れて磁気媒体との対接面１２が形成される。この
ようにして各磁気ギヤツプｇが対接面１２に臨み
磁性基板１上に基板１−各磁気ギヤツプｇ−各フ
ロント磁気コア６−各MR感磁部MRaux，MR，
MRcue−各バツク磁気コア７−磁性基板１によ
る各閉磁路が形成されたAUX及びCUEトラツク
に対応する磁気ヘツド素子部haux，hcueとデー
タトラツク用磁気ヘツド素子部ｈが形成されて成
る。
磁気ヘツドの略線的平面図及びその断面図を示す
もので、この磁気ヘツドにおいては、例えばNi
−Zn系フエライトよりなる磁性基板１上に各チ
ヤンネルすなわち各トラツクに対応するMR感磁
部に対してバイアス磁界を与えるためのバイアス
磁界発生の電流通路となる帯状導電膜よりなるバ
イアス導体２が各チヤンネルの配列方向に沿つて
直線的に披着形成され、これの上に絶縁層３を介
して例えばNi−Fe系合金或いはNi−Co系合金薄
膜等よりなる各チヤンネル、すなわちAUXトラ
ツク及びCUEトラツクと、各データトラツクに
夫々対応するMR感磁部MRaux及びMRcueと
MRとが配列形成され、さらにこれの上に絶縁層
５を介してNi−Fe系合金等の磁性層よりなるフ
ロント磁気コア６とバツク磁気コア７とが、各チ
ヤンネルに関して夫々のMR電磁部MRaux，
MR，MRcueを横切る方向に且つ各感磁部
MRaux，MR，MRcue上において所要の間隔の
不連続部を介して形成される。フロントの磁気コ
ア６の外端部は非磁性絶縁層、すなわちギヤツプ
スペーサ４を介して磁性基板１と対向するように
なされ、このコア６と磁性基板１との間にギヤツ
プスペーサ４によつてそのギヤツプ長が設定され
た磁気ギヤツプｇが形成されるようにする。この
ギヤツプスペーサ４は、後えば絶縁層５及び（又
は）３によつて形成することもできるし、この層
５，３の一部の厚さをエツチングするとか、多の
非磁性層をあらたに披着するなどによつて形成で
き、その幅は、磁気ギヤツプｇのギヤツプデプス
ｄに選ばれる。バツク磁気コア７の外端は、例え
ば絶縁層３及び５に穿設された窓８を通じて磁気
基板１に磁気的に密に結合するように連結され
る。そしてこれらバイアス導体２、MR感磁部
MRaux，MR，MRcue、磁気コア６及び７を覆
つて非磁性絶縁性保護層９が披着され、これの上
に接着剤層１０によつて保護基板１１が接着され
る。そして基板１及び１１とさらにこれらの間の
フロント磁気コア６の外端面が共通に切削研摩さ
れて磁気媒体との対接面１２が形成される。この
ようにして各磁気ギヤツプｇが対接面１２に臨み
磁性基板１上に基板１−各磁気ギヤツプｇ−各フ
ロント磁気コア６−各MR感磁部MRaux，MR，
MRcue−各バツク磁気コア７−磁性基板１によ
る各閉磁路が形成されたAUX及びCUEトラツク
に対応する磁気ヘツド素子部haux，hcueとデー
タトラツク用磁気ヘツド素子部ｈが形成されて成
る。
このような構成において、バイアス導体２に所
要の通電がなされて各MR感磁部MRaux，
MRcue，MRにバイアス磁界が与えられ、各MR
感磁部MRaux，MRcue，MRに検出電流が通電
され、磁気媒体上の記録磁界による各MR感磁部
MRaux，MRcue，MRを通ずる上述した各閉磁
路における磁界変化に基く抵抗変化を例えば電圧
変化として検出してその再生を行う。
要の通電がなされて各MR感磁部MRaux，
MRcue，MRにバイアス磁界が与えられ、各MR
感磁部MRaux，MRcue，MRに検出電流が通電
され、磁気媒体上の記録磁界による各MR感磁部
MRaux，MRcue，MRを通ずる上述した各閉磁
路における磁界変化に基く抵抗変化を例えば電圧
変化として検出してその再生を行う。
上述した多チヤンネルMR型磁気ヘツドにおい
て、CUEトラツク用の磁気ヘツド素子部hcueの
トラツク幅Wcueは、他の磁気ヘツド素子部にお
けるトラツク幅Ｗより大に選定されているもので
あるが、各MR感磁部MRaux，MRcue，MR、
したがつて各不連続部Ｇは各磁気ヘツド素子
haux，hcue及びｈの配列方向に沿つて一直線上
にすなわち磁気媒体との対接面１２から等しい距
離Ｌの位置に配列されており、且つまた、ギヤツ
プデプス（ギヤツプ深さ）を規制するギヤツプス
ペーサ４の幅も各磁気ヘツド素子部haux，hcue
及びｈのいずれも同じに選定されていて、各素子
部haux，hcue及びｈの各磁気ギヤツプｇのギヤ
ツプデプスすなわちギヤツプの深さは一定の深さ
ｄに選定されている。
て、CUEトラツク用の磁気ヘツド素子部hcueの
トラツク幅Wcueは、他の磁気ヘツド素子部にお
けるトラツク幅Ｗより大に選定されているもので
あるが、各MR感磁部MRaux，MRcue，MR、
したがつて各不連続部Ｇは各磁気ヘツド素子
haux，hcue及びｈの配列方向に沿つて一直線上
にすなわち磁気媒体との対接面１２から等しい距
離Ｌの位置に配列されており、且つまた、ギヤツ
プデプス（ギヤツプ深さ）を規制するギヤツプス
ペーサ４の幅も各磁気ヘツド素子部haux，hcue
及びｈのいずれも同じに選定されていて、各素子
部haux，hcue及びｈの各磁気ギヤツプｇのギヤ
ツプデプスすなわちギヤツプの深さは一定の深さ
ｄに選定されている。
この磁気ヘツドに対する磁気媒体の正移行方向
は、第７図に矢印ａをもつて示す磁気ヘツドの厚
さ方向に沿い、例えば保護基板１１側から磁性基
板１側に向う方向に選ばれる。
は、第７図に矢印ａをもつて示す磁気ヘツドの厚
さ方向に沿い、例えば保護基板１１側から磁性基
板１側に向う方向に選ばれる。
そして、この種の多チヤンネルMR型磁気ヘツ
ドにおいては、通常そのCUEトラツクに対する
磁気ヘツド素子hcueを、他のデータトラツク用
の磁気ヘツド素子ｈ等と同一の構成、すなわち同
一の特性としている。この場合、冒頭に述べたよ
うにデータトラツクにおける再生を最も良好に行
うことができるように、その構成、すなわち磁気
ヘツドｇのギヤツプデプスｄ、磁気媒体との対接
面からMR感磁部迄の距離（すなわち、フロント
磁気コアの実質的長さＬ）、ギヤツプ長、コアの
厚さ等が選定されている。
ドにおいては、通常そのCUEトラツクに対する
磁気ヘツド素子hcueを、他のデータトラツク用
の磁気ヘツド素子ｈ等と同一の構成、すなわち同
一の特性としている。この場合、冒頭に述べたよ
うにデータトラツクにおける再生を最も良好に行
うことができるように、その構成、すなわち磁気
ヘツドｇのギヤツプデプスｄ、磁気媒体との対接
面からMR感磁部迄の距離（すなわち、フロント
磁気コアの実質的長さＬ）、ギヤツプ長、コアの
厚さ等が選定されている。
上述した他チヤンネルMR型磁気ヘツドにおい
ては、長波長域、すなわち第２の波長域、具体的
には上述したCUEトラツク用の磁気ヘツド素子
hcueに問題が生じる。すなわち、上述したよう
に、フロント磁気コア６と、バツク磁気コア７と
を有し、両者間の不連続部ＧにMR感磁部が配置
されたいわゆるヨーク型のMR型磁気ヘツドにお
いて、そのフロント磁気コア６の実質的長さＬ及
び厚さが有限であることから、磁気媒体からの長
波長磁束を完全にMR感磁部に通ずる磁路中にと
り入れることはできない。つまり、長波長再生出
力特性の劣化と、長波長域での位相回転は、この
磁気ヘツドの構造から来る固有の性質である。特
に上述したように各MR型磁気ヘツド素子を、長
波長域において良好な出力特性が得られるよう
に、各磁気ヘツド素子におけるフロント磁気コア
６の実質的長さ、すなわち、磁気媒体との対接面
１２からMR感磁部MRaux，MRcue，MRまで
距離Ｌが小に選ばれていることによつて長波長域
での再生出力特性の低下及び位相回転による出力
波形のくずれ、いわゆる波形のなまりが著しく、
CUEトラツク上の信号の読み出しに支障を来す
場合があり、殊に磁気媒体の逆送り時の読み出し
に問題が生じてくる。
ては、長波長域、すなわち第２の波長域、具体的
には上述したCUEトラツク用の磁気ヘツド素子
hcueに問題が生じる。すなわち、上述したよう
に、フロント磁気コア６と、バツク磁気コア７と
を有し、両者間の不連続部ＧにMR感磁部が配置
されたいわゆるヨーク型のMR型磁気ヘツドにお
いて、そのフロント磁気コア６の実質的長さＬ及
び厚さが有限であることから、磁気媒体からの長
波長磁束を完全にMR感磁部に通ずる磁路中にと
り入れることはできない。つまり、長波長再生出
力特性の劣化と、長波長域での位相回転は、この
磁気ヘツドの構造から来る固有の性質である。特
に上述したように各MR型磁気ヘツド素子を、長
波長域において良好な出力特性が得られるよう
に、各磁気ヘツド素子におけるフロント磁気コア
６の実質的長さ、すなわち、磁気媒体との対接面
１２からMR感磁部MRaux，MRcue，MRまで
距離Ｌが小に選ばれていることによつて長波長域
での再生出力特性の低下及び位相回転による出力
波形のくずれ、いわゆる波形のなまりが著しく、
CUEトラツク上の信号の読み出しに支障を来す
場合があり、殊に磁気媒体の逆送り時の読み出し
に問題が生じてくる。
又、データトラツク用、CUEトラツク用のす
べての磁気ヘツド素子に関して、同一特性とする
場合、本来磁気ヘツドにおける伝送特性は、長波
長において高い伝達関数を示すことから、これに
よるCUEトラツクに対する長波長再生時の過大
入力によるこのMR感磁部における非線形動作が
問題となるおそれがある。
べての磁気ヘツド素子に関して、同一特性とする
場合、本来磁気ヘツドにおける伝送特性は、長波
長において高い伝達関数を示すことから、これに
よるCUEトラツクに対する長波長再生時の過大
入力によるこのMR感磁部における非線形動作が
問題となるおそれがある。
更に、また、上述したように磁気媒体との対接
面からMR感磁部迄の距離Ｌが小に選ばれている
ことによつて、高速サーチ時の摺動ノイズの問題
が生じる。この摺動ノイズは、MR感磁部への検
出電流の通電による発熱が、磁気ヘツドの磁気媒
体の高速走行に伴う不安定な接触によつて不安定
に放散することに基いて生ずるものである。すな
わち、今、例えばCUEトラツクからの再生出力
波形が第８図Ａに示すノイズのない波形で、これ
による検出データ列が第８図Ｂで示す矩形波列で
あるとすると、摺動ノイズが生ずる場合、その検
出波形は第９図Ａに示すように摺動ノイズによる
低域ノイズの直流レベルの変動が生じ、これが第
９図Ｂに示す検出データのジツタの発生を招来す
る。
面からMR感磁部迄の距離Ｌが小に選ばれている
ことによつて、高速サーチ時の摺動ノイズの問題
が生じる。この摺動ノイズは、MR感磁部への検
出電流の通電による発熱が、磁気ヘツドの磁気媒
体の高速走行に伴う不安定な接触によつて不安定
に放散することに基いて生ずるものである。すな
わち、今、例えばCUEトラツクからの再生出力
波形が第８図Ａに示すノイズのない波形で、これ
による検出データ列が第８図Ｂで示す矩形波列で
あるとすると、摺動ノイズが生ずる場合、その検
出波形は第９図Ａに示すように摺動ノイズによる
低域ノイズの直流レベルの変動が生じ、これが第
９図Ｂに示す検出データのジツタの発生を招来す
る。
本発明は、上述したいわゆるヨーク型の多チヤ
ンネルMR型磁気ヘツドにおける諸問題を、製造
工程数の増加を全く来すことなく、或いは殆んど
来すこなく解決できるようにした多チヤンネル
MR型磁気ヘツドを提供するものである。
ンネルMR型磁気ヘツドにおける諸問題を、製造
工程数の増加を全く来すことなく、或いは殆んど
来すこなく解決できるようにした多チヤンネル
MR型磁気ヘツドを提供するものである。
本発明は、共通の磁性基板上に第１の波長領域
の再生用磁気ヘツド素子例えば、データトラツク
用及びAUXトラツク用の各磁気ヘツド素子と、
この第１の波長領域に比し長波長の第２の波長領
域の再生用磁気ヘツド素子例えばCUEトラツク
用の磁気ヘツド素子とを配列する。各再生用磁気
ヘツド素子は、夫々磁気記録媒体との対接面に臨
んで設けられた磁気ギヤツプを有する磁気回路を
有し、各磁気回路には不連続部が設けられる。こ
れら不連続部には各不連続部を磁気的に結合する
ように磁気抵抗効果感磁部を設ける。第２の波長
領域の再生用磁気ヘツド素子の磁気抵抗効果感磁
部は、第１の波長領域の再生用磁気ヘツド素子の
磁気抵抗効果感磁部に比し磁気記録媒体との対接
面から後退した位置に配置する。すなわち、第２
の波長領域に関する磁気ヘツド素子の磁気回路を
構成するフロント磁気コアの実質的長さを第１の
波長領域に関するそれより大にする。
の再生用磁気ヘツド素子例えば、データトラツク
用及びAUXトラツク用の各磁気ヘツド素子と、
この第１の波長領域に比し長波長の第２の波長領
域の再生用磁気ヘツド素子例えばCUEトラツク
用の磁気ヘツド素子とを配列する。各再生用磁気
ヘツド素子は、夫々磁気記録媒体との対接面に臨
んで設けられた磁気ギヤツプを有する磁気回路を
有し、各磁気回路には不連続部が設けられる。こ
れら不連続部には各不連続部を磁気的に結合する
ように磁気抵抗効果感磁部を設ける。第２の波長
領域の再生用磁気ヘツド素子の磁気抵抗効果感磁
部は、第１の波長領域の再生用磁気ヘツド素子の
磁気抵抗効果感磁部に比し磁気記録媒体との対接
面から後退した位置に配置する。すなわち、第２
の波長領域に関する磁気ヘツド素子の磁気回路を
構成するフロント磁気コアの実質的長さを第１の
波長領域に関するそれより大にする。
上述したように本発明によれば、第２の波長領
域、すなわち長波長領域に関する磁気ヘツド素
子、例えばCUEトラツクに対しての磁気ヘツド
素子において、そのMR感磁部を他に比し、磁気
媒体との対接面より後退させたことによつて、こ
のCUEトラツク磁気ヘツド素子の特性を、他の
例えばデータトラツクに対する磁気ヘツド素子と
は異なる長波長特性にすぐれた素子とすることが
できる。また、このように長波長領域に関する磁
気ヘツド素子に関してそのMR感磁部を後退させ
たことにより、実質的にフロント磁気コア長が長
くなり、これによつて感度低下を来すので、前述
した長波長再生時の過大入力によるMR関磁部の
非線形動作を回避できる。
域、すなわち長波長領域に関する磁気ヘツド素
子、例えばCUEトラツクに対しての磁気ヘツド
素子において、そのMR感磁部を他に比し、磁気
媒体との対接面より後退させたことによつて、こ
のCUEトラツク磁気ヘツド素子の特性を、他の
例えばデータトラツクに対する磁気ヘツド素子と
は異なる長波長特性にすぐれた素子とすることが
できる。また、このように長波長領域に関する磁
気ヘツド素子に関してそのMR感磁部を後退させ
たことにより、実質的にフロント磁気コア長が長
くなり、これによつて感度低下を来すので、前述
した長波長再生時の過大入力によるMR関磁部の
非線形動作を回避できる。
更にまた、長波長領域に関する例えばCUEト
ラツクに対する磁気ヘツド素子におけるMR感磁
部を磁気媒体との対接面より後退させたことによ
つて磁気媒体の高速走行時といえども摺動ノイズ
の低減化をはかることができる。すなわち磁気媒
体との対接面とMR感磁部との距離が大とされた
ことによつて、両者間の熱容量が大とされたの
で、このMR感磁部の磁気媒体との対接状態、す
なわち放熱状態の影響が小さくなり、このMR感
磁部における温度の変動を小さくできるものであ
る。
ラツクに対する磁気ヘツド素子におけるMR感磁
部を磁気媒体との対接面より後退させたことによ
つて磁気媒体の高速走行時といえども摺動ノイズ
の低減化をはかることができる。すなわち磁気媒
体との対接面とMR感磁部との距離が大とされた
ことによつて、両者間の熱容量が大とされたの
で、このMR感磁部の磁気媒体との対接状態、す
なわち放熱状態の影響が小さくなり、このMR感
磁部における温度の変動を小さくできるものであ
る。
本発明の一例を第１図及び第２図を参照して説
明するも、これら第１図及び第２図において第６
図及び第７図に対応する部分には同一符号を付し
て重複説明を省略する。
明するも、これら第１図及び第２図において第６
図及び第７図に対応する部分には同一符号を付し
て重複説明を省略する。
本発明においては、長波長を扱う再生用磁気ヘ
ツド素子、この例ではCUEトラツク用の磁気ヘ
ツド素子部hcueのフロント磁気コア６と、バツ
ク磁気コア７との間との不連続部Ｇの位置、した
がつて、ここに配置するMR感磁部部MRcueの
位置を、他の短波長を扱う再生用磁気ヘツド素
子、この例ではデータトラツク用及びAUXトラ
ツク用の各磁気ヘツド素子部ｈ及びhauxにおけ
る各不連続部Ｇの位置に比し、磁気媒体との対接
面１２より後退した位置に配置する。すなわち、
磁気ヘツド素子部haux及びｈのMR感磁部
MRaux及びMRと、対接面１２との距離をL1と
し、磁気ヘツド素子部hcueのMR感磁部MRcue
と対接面１２との距離をL2とするとき、L1＜L2
に選定する。
ツド素子、この例ではCUEトラツク用の磁気ヘ
ツド素子部hcueのフロント磁気コア６と、バツ
ク磁気コア７との間との不連続部Ｇの位置、した
がつて、ここに配置するMR感磁部部MRcueの
位置を、他の短波長を扱う再生用磁気ヘツド素
子、この例ではデータトラツク用及びAUXトラ
ツク用の各磁気ヘツド素子部ｈ及びhauxにおけ
る各不連続部Ｇの位置に比し、磁気媒体との対接
面１２より後退した位置に配置する。すなわち、
磁気ヘツド素子部haux及びｈのMR感磁部
MRaux及びMRと、対接面１２との距離をL1と
し、磁気ヘツド素子部hcueのMR感磁部MRcue
と対接面１２との距離をL2とするとき、L1＜L2
に選定する。
これがため、具体的には例えば磁性基板１上
の、各チヤンネルのMR素子に対してバイアス磁
界を与えるための電流通路となるバイアス導体２
を、各磁気ヘツド素子部haux及びｈに関しては、
対接面１２から等距離の直線上に配置するが
CUEトラツク用の磁気ヘツド素子部hcueにおい
ては、これを媒体との対接面１２より遠ざけた屈
曲パターンとすると共に、結果的にギヤツプスペ
ーサ４の幅、したがつてギヤツプデプスを第２の
波長領域の磁気ヘツド素子部hcueにおいては大
なる幅d2とし、他の第１の波長領域の各データ内
等の磁気ヘツド素子部ｈ，hauxにおいては小な
る幅d1とする。
の、各チヤンネルのMR素子に対してバイアス磁
界を与えるための電流通路となるバイアス導体２
を、各磁気ヘツド素子部haux及びｈに関しては、
対接面１２から等距離の直線上に配置するが
CUEトラツク用の磁気ヘツド素子部hcueにおい
ては、これを媒体との対接面１２より遠ざけた屈
曲パターンとすると共に、結果的にギヤツプスペ
ーサ４の幅、したがつてギヤツプデプスを第２の
波長領域の磁気ヘツド素子部hcueにおいては大
なる幅d2とし、他の第１の波長領域の各データ内
等の磁気ヘツド素子部ｈ，hauxにおいては小な
る幅d1とする。
尚、上述した例においては磁性基板１が絶縁性
を有する例えばNi−Zn系フエライトを用いた場
合を示したが、これがMn−Znフエライト等のよ
うに導電性を有する場合においてはこれの上に絶
縁層を介してバイアス導体２が形成させるもので
ある。上述の構成において、各磁気ヘツド素子部
ｈ及びhcueにおける磁気媒体との対接面１２か
らの各MR感磁部迄の距離L1及びL2を、夫々L1＝
3μｍ、L2＝20μｍとして磁気媒体の走行速度を4.8
cm／secとした場合において、波長λ＝25μｍの第
３図に示す矩形波記録信号に対する各磁気ヘツド
素子部ｈ及びhcueよりの再生出力波形をみると
夫々第４図及び第５図に示すようになる。これよ
り明らかなように、MR感磁部が後退して配置さ
れた素子部hcueでは、長波長に関して、比較的
波形くずれの少ない出力特性となる。
を有する例えばNi−Zn系フエライトを用いた場
合を示したが、これがMn−Znフエライト等のよ
うに導電性を有する場合においてはこれの上に絶
縁層を介してバイアス導体２が形成させるもので
ある。上述の構成において、各磁気ヘツド素子部
ｈ及びhcueにおける磁気媒体との対接面１２か
らの各MR感磁部迄の距離L1及びL2を、夫々L1＝
3μｍ、L2＝20μｍとして磁気媒体の走行速度を4.8
cm／secとした場合において、波長λ＝25μｍの第
３図に示す矩形波記録信号に対する各磁気ヘツド
素子部ｈ及びhcueよりの再生出力波形をみると
夫々第４図及び第５図に示すようになる。これよ
り明らかなように、MR感磁部が後退して配置さ
れた素子部hcueでは、長波長に関して、比較的
波形くずれの少ない出力特性となる。
尚、上述したように、本発明によれば、第２の
波長領域、すなほに長波長領域に対するMR磁気
ヘツド素子部におけるMR感磁部の、磁気媒体と
の対接面の距離L2を大とするものであるが、こ
れは、単に導電体２、磁気コア６及び７等のパタ
ーンを部分的に変更するのみであるので、このよ
うにすることによる製造工程数の増加は生じな
い。
波長領域、すなほに長波長領域に対するMR磁気
ヘツド素子部におけるMR感磁部の、磁気媒体と
の対接面の距離L2を大とするものであるが、こ
れは、単に導電体２、磁気コア６及び７等のパタ
ーンを部分的に変更するのみであるので、このよ
うにすることによる製造工程数の増加は生じな
い。
上述したように本発明によれば第２の波長領域
すなわち、長波長領域に関する磁気ヘツド素子の
MR感磁部を他に比し、磁気媒体との対接面より
後退させたことによつて、長波長に関して、波形
くずれが比較的少くすぐれた特性とすることがで
きる。したがつて、これによつて磁気媒体の逆方
向走行に関しても、また走行速度の変動において
もCUEトラツク上の信号を確実に読み出すこと
ができるものである。
すなわち、長波長領域に関する磁気ヘツド素子の
MR感磁部を他に比し、磁気媒体との対接面より
後退させたことによつて、長波長に関して、波形
くずれが比較的少くすぐれた特性とすることがで
きる。したがつて、これによつて磁気媒体の逆方
向走行に関しても、また走行速度の変動において
もCUEトラツク上の信号を確実に読み出すこと
ができるものである。
またこの長波長領域に関する磁気ヘツド素子に
関してそのMR感磁部を後退させたことにより、
実質的にフロント磁気コア長が長くなり、MR感
磁部MRcueより前方において、このMRcueを通
らずに、フロント磁気コア６と磁性基板１との間
に通ずる磁束の損失量が大となることによつてこ
の素子部hcueにおける感度低下を来すので、前
述した長波長再生時の過大入力によるMR感磁部
の非線形動作を回避できるものである。
関してそのMR感磁部を後退させたことにより、
実質的にフロント磁気コア長が長くなり、MR感
磁部MRcueより前方において、このMRcueを通
らずに、フロント磁気コア６と磁性基板１との間
に通ずる磁束の損失量が大となることによつてこ
の素子部hcueにおける感度低下を来すので、前
述した長波長再生時の過大入力によるMR感磁部
の非線形動作を回避できるものである。
更にまた、長波長領域に関する例えばCUEト
ラツクに対する磁気ヘツド素子におけるMR感磁
部を磁気媒体との対接面より後退させたことによ
つて磁気媒体の高速走行時といえども摺動ノイズ
の低減化をはかることができる。すなわち磁気媒
体との対接面とMR感磁部との距離が大とされた
ことによつて、両者間の熱容量が大とされたの
で、このMR感磁部の磁気媒体との対接状態、す
なわち放熱状態の影響が小さくなり、このMR感
磁部における温度の変動を小さくできるものであ
る。
ラツクに対する磁気ヘツド素子におけるMR感磁
部を磁気媒体との対接面より後退させたことによ
つて磁気媒体の高速走行時といえども摺動ノイズ
の低減化をはかることができる。すなわち磁気媒
体との対接面とMR感磁部との距離が大とされた
ことによつて、両者間の熱容量が大とされたの
で、このMR感磁部の磁気媒体との対接状態、す
なわち放熱状態の影響が小さくなり、このMR感
磁部における温度の変動を小さくできるものであ
る。
第１図及び第２図は本発明による多チヤンネル
MR型磁気ヘツド素子の一例の略線的平面図及び
そのＡ−Ａ線上の断面図、第３図〜第５図はその
説明に供する波形図、第６図及び第７図は夫々従
来の多チヤンネルMR型磁気ヘツドの一例の略線
的平面図及びその断面図、第８図及び第９図はそ
の説明に供する波形図である。 １は基板、２はバイアス導体、４はギヤツプス
ペーサー、MRcue，MRaux，MRは夫々MR感
磁部、６及び７はフロント磁気コア及びバツク磁
気コア、hcue，haux及びｈは磁気ヘツド素子部
である。
MR型磁気ヘツド素子の一例の略線的平面図及び
そのＡ−Ａ線上の断面図、第３図〜第５図はその
説明に供する波形図、第６図及び第７図は夫々従
来の多チヤンネルMR型磁気ヘツドの一例の略線
的平面図及びその断面図、第８図及び第９図はそ
の説明に供する波形図である。 １は基板、２はバイアス導体、４はギヤツプス
ペーサー、MRcue，MRaux，MRは夫々MR感
磁部、６及び７はフロント磁気コア及びバツク磁
気コア、hcue，haux及びｈは磁気ヘツド素子部
である。
Claims (1)
- １ 磁性基板上に第１の波長領域の再生用磁気ヘ
ツド素子と、該第１の波長領域に比し長波長の第
２の波長領域の再生用磁気ヘツド素子とが配列さ
れてなり、上記各再生用磁気ヘツド素子は夫々磁
気記録媒体との対接面に臨んで設けられた磁気ギ
ヤツプを有する磁気回路を有し、該磁気回路には
不連続部が設けられ、該不連続部に該不連続部を
磁気的に結合するように磁気抵抗効果感磁部が設
けられ、上記第２の波長領域の再生用磁気ヘツド
素子の磁気抵抗効果感磁部は、上記第１の波長領
域の再生用磁気ヘツド素子の磁気抵抗効果感磁部
に比し上記磁気記録媒体との対接面から後退した
位置に配置されてなる多チヤンネル磁気抵抗効果
型磁気ヘツド。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59229716A JPS61107520A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 多チヤンネル磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| CA000493617A CA1267220A (en) | 1984-10-31 | 1985-10-23 | Multi-channel magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect |
| EP85113757A EP0180201B1 (en) | 1984-10-31 | 1985-10-29 | Multi-channel magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect |
| DE8585113757T DE3581052D1 (de) | 1984-10-31 | 1985-10-29 | Mehrspurwandler mit anwendung des magnetoresistiven effektes. |
| US06/793,089 US4757410A (en) | 1984-10-31 | 1985-10-30 | Magnetoresistance effect for short and long wavelength recordings |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59229716A JPS61107520A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 多チヤンネル磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61107520A JPS61107520A (ja) | 1986-05-26 |
| JPH0544088B2 true JPH0544088B2 (ja) | 1993-07-05 |
Family
ID=16896579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59229716A Granted JPS61107520A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 多チヤンネル磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4757410A (ja) |
| EP (1) | EP0180201B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61107520A (ja) |
| CA (1) | CA1267220A (ja) |
| DE (1) | DE3581052D1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4962437A (en) * | 1988-02-24 | 1990-10-09 | Magnetic Peripherals Inc. | Thin film servo head employing the inactive transducer coils to cancel write noise from nearby data heads |
| US4939837A (en) * | 1988-09-01 | 1990-07-10 | International Business Machines Corporation | Batch fabrication process for magnetic heads |
| JP2822646B2 (ja) * | 1989-10-11 | 1998-11-11 | 松下電器産業株式会社 | 磁気抵抗型ヘッドおよびその製造方法 |
| US5137750A (en) * | 1990-11-06 | 1992-08-11 | Seagate Technology, Inc. | Method of making a thin film head with contoured pole face edges for undershoot reduction |
| DE69217416T2 (de) * | 1991-04-22 | 1997-09-04 | Sharp Kk | Kombinierter Dünnfilmmagnetkopf |
| US5646804A (en) * | 1991-05-21 | 1997-07-08 | Philips Electronics North America Corporation | Thin film magnetic head having polymer on broken flux guide sections, method of producing and integrated structure incorporating same |
| JPH04370511A (ja) * | 1991-06-20 | 1992-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層型磁気抵抗ヘッド |
| TW243530B (en) * | 1992-12-30 | 1995-03-21 | Ibm | Magnetoresistive sensor with improved microtrack profile for improved servo-positioning precision |
| EP0651374A3 (en) * | 1993-11-01 | 1995-09-06 | Hewlett Packard Co | Planar magnetoresistive head. |
| JPH07220210A (ja) * | 1994-02-03 | 1995-08-18 | Fujitsu Ltd | 磁気ディスク装置 |
| US6157510A (en) * | 1998-03-10 | 2000-12-05 | Maxtor Corporation | Magnetic storage device with multiple read elements which are offset laterally and longitudinally |
| US6266205B1 (en) | 1998-03-10 | 2001-07-24 | Maxtor Corporation | Parallel servo with ultra high bandwidth off-track detection |
| US6606216B1 (en) | 1999-05-05 | 2003-08-12 | Maxtor Corporation | Transducer head with separate data and servo read elements |
| US7453671B1 (en) * | 2005-10-31 | 2008-11-18 | Stoarge Technology Corporation | Magnetic head having a pair of magneto-resistive (MR) readers of the same type with each reader being tuned differently |
| US8829901B2 (en) * | 2011-11-04 | 2014-09-09 | Honeywell International Inc. | Method of using a magnetoresistive sensor in second harmonic detection mode for sensing weak magnetic fields |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7405727A (nl) * | 1974-04-29 | 1975-10-31 | Philips Nv | Magnetoweerstandkop. |
| JPS5223921A (en) * | 1975-08-18 | 1977-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head |
| US3979775A (en) * | 1975-09-08 | 1976-09-07 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive multitransducer assembly with compensation elements for thermal drift and bias balancing |
| FR2502375B1 (fr) * | 1981-03-20 | 1989-08-18 | Cii Honeywell Bull | Transducteur magnetoresistant de lecture d'informations a tres haute densite |
| JPS5977617A (ja) * | 1982-10-25 | 1984-05-04 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| CA1209260A (en) * | 1982-10-29 | 1986-08-05 | Tetsuo Sekiya | Magnetic transducer head using magnetroresistance effect |
| JPS59172108A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドの前面研削装置 |
-
1984
- 1984-10-31 JP JP59229716A patent/JPS61107520A/ja active Granted
-
1985
- 1985-10-23 CA CA000493617A patent/CA1267220A/en not_active Expired
- 1985-10-29 DE DE8585113757T patent/DE3581052D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-10-29 EP EP85113757A patent/EP0180201B1/en not_active Expired
- 1985-10-30 US US06/793,089 patent/US4757410A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61107520A (ja) | 1986-05-26 |
| DE3581052D1 (de) | 1991-02-07 |
| EP0180201A3 (en) | 1988-03-16 |
| EP0180201A2 (en) | 1986-05-07 |
| EP0180201B1 (en) | 1991-01-02 |
| CA1267220A (en) | 1990-03-27 |
| US4757410A (en) | 1988-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5097372A (en) | Thin film magnetic head with wide recording area and narrow reproducing area | |
| JPH0544088B2 (ja) | ||
| US4255772A (en) | Read/write magnetic head assembly with magnetoresistive sensor | |
| US5722157A (en) | Method of making an induction and magnetoresistance type composite magnetic head | |
| JPH0473201B2 (ja) | ||
| US5436779A (en) | Integrated yoke magnetoresistive transducer with magnetic shunt | |
| JP3551099B2 (ja) | 磁気テープ装置用薄膜磁気ヘッド | |
| EP0574896A2 (en) | Composite type thin film magnetic head | |
| JP2596934B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| US5966274A (en) | Magneto-resistive magnetic head with track width defined by oppositely positioned recesses and manufacturing method therefor | |
| JPS60150222A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0845024A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JP2855723B2 (ja) | 磁気テープ再生装置 | |
| JP3266589B2 (ja) | 複合型磁気ヘッド | |
| JP2526114Y2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPS5927008B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS63285719A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPS6224849B2 (ja) | ||
| JPH06223333A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘッド | |
| JPS62121915A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
| JPH0528437A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘツドを有する複合型磁気ヘツド | |
| JPS613314A (ja) | 長手記録及び垂直記録兼用再生磁気ヘツド | |
| JPH06223320A (ja) | 複合型磁気ヘッド | |
| JPS63285718A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JPH05325140A (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |