JPS5977617A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS5977617A JPS5977617A JP57187074A JP18707482A JPS5977617A JP S5977617 A JPS5977617 A JP S5977617A JP 57187074 A JP57187074 A JP 57187074A JP 18707482 A JP18707482 A JP 18707482A JP S5977617 A JPS5977617 A JP S5977617A
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- layer
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- magnetic head
- thin film
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は磁気ヘッド素子部上に保護層を介して保飾板
を接合する薄膜磁気ヘッド例えば磁気抵抗ジ＋１川を利
用した磁気抵抗効果形磁気ヘッドの製造方法に関し、特
に保護層と保護板とを接着する接着層の脱落やこれに起
因するスペーシングロスを角了消しようとするものであ
る。
を接合する薄膜磁気ヘッド例えば磁気抵抗ジ＋１川を利
用した磁気抵抗効果形磁気ヘッドの製造方法に関し、特
に保護層と保護板とを接着する接着層の脱落やこれに起
因するスペーシングロスを角了消しようとするものであ
る。
背景技術とその問題点
磁気抵抗効果を利用して磁気記録媒体の再生を行な９研
気抵抗効果形磁気ヘツドが提案されている。この磁気抵
抗効果素子気ヘッドは電磁誘導形再生磁気ヘッドに比し
、狭トラツク再生、短波長再生、超低速再生が可能であ
る利益がある。そしてこの磁気抵抗効果形磁気ヘッドと
して磁気抵抗効果素子をテープ対接面から後退させて配
置したいわゆるリアタイプのものが提案されている０と
ころでこのリアタイプのものでは６Ｇ気抵抗効果素子上
に被覆される保護層、ｎ体的には絶Ｒ層表面に段差が形
成され、これに起因してスペーシングロスや信頼性の低
下を招来していた。ここでは先ずこのことについて第１
図〜第３図に示す例を挙げて考えておく。
気抵抗効果形磁気ヘツドが提案されている。この磁気抵
抗効果素子気ヘッドは電磁誘導形再生磁気ヘッドに比し
、狭トラツク再生、短波長再生、超低速再生が可能であ
る利益がある。そしてこの磁気抵抗効果形磁気ヘッドと
して磁気抵抗効果素子をテープ対接面から後退させて配
置したいわゆるリアタイプのものが提案されている０と
ころでこのリアタイプのものでは６Ｇ気抵抗効果素子上
に被覆される保護層、ｎ体的には絶Ｒ層表面に段差が形
成され、これに起因してスペーシングロスや信頼性の低
下を招来していた。ここでは先ずこのことについて第１
図〜第３図に示す例を挙げて考えておく。
リアタイプの磁気抵抗効呆形磁気ヘッドはｔｆ １図に
簡略化して示すようＫ Ｎ １−Ｚｎフェライト等の）
ｔライト基板（１）上にバイアス導体（２）、ｔ１８気
抵抗効果膜（３）及びコア磁性呻摩順次被着してなるも
のである。
簡略化して示すようＫ Ｎ １−Ｚｎフェライト等の）
ｔライト基板（１）上にバイアス導体（２）、ｔ１８気
抵抗効果膜（３）及びコア磁性呻摩順次被着してなるも
のである。
尚、この図では絶縁層等は省略さオＬ’Ｃいる。磁気抵
抗効果膜（３）はＮ １−Ｆｅ系合金、Ｎｉ−Ｃｏ系合
金等からなりテープ対接面（１８）から１０／Ｉｍはど
退ぞいた位置に形成されている。その形状はコ字状であ
り、振幅はほぼ５〜ｌＯμｍである。コア磁性体（４）
はパーマロイ、モリブデンパーマロイ、センダスト、Ｃ
ｏ−Ｚｎ、 ｌｉ”ｅ−Ｈ等のアモルファス膜等で構成
され・テープ対接ｉｍ（Ｉａ）側から奥まった方へ磁気
抵抗効果膜（３）をまたぐような配置で引き延ばされて
いる。
抗効果膜（３）はＮ １−Ｆｅ系合金、Ｎｉ−Ｃｏ系合
金等からなりテープ対接面（１８）から１０／Ｉｍはど
退ぞいた位置に形成されている。その形状はコ字状であ
り、振幅はほぼ５〜ｌＯμｍである。コア磁性体（４）
はパーマロイ、モリブデンパーマロイ、センダスト、Ｃ
ｏ−Ｚｎ、 ｌｉ”ｅ−Ｈ等のアモルファス膜等で構成
され・テープ対接ｉｍ（Ｉａ）側から奥まった方へ磁気
抵抗効果膜（３）をまたぐような配置で引き延ばされて
いる。
そしてこのコア磁性体（４）は磁気抵抗効果膜（３）の
配置で切断され、コア磁性体（４）及びフェライト基板
（１）のなす磁気回路を通る磁束が磁気抵抗効果膜（３
）を通るようＫしている０勿論テ一プ対接面（１ａ）側
にはフェライト基板（１）及びコア磁性体（４）間に磁
気ギャップｇが形成される０なお、バイアス導体（２）
を省略１７て自己バイアスとするようにしてもかまわな
い。
配置で切断され、コア磁性体（４）及びフェライト基板
（１）のなす磁気回路を通る磁束が磁気抵抗効果膜（３
）を通るようＫしている０勿論テ一プ対接面（１ａ）側
にはフェライト基板（１）及びコア磁性体（４）間に磁
気ギャップｇが形成される０なお、バイアス導体（２）
を省略１７て自己バイアスとするようにしてもかまわな
い。
このようなリアタイプの磁気抵抗効果形磁気ヘッドを製
造するには上述から明らかなように薄膜技術を用いる。
造するには上述から明らかなように薄膜技術を用いる。
すなわち、第２図及び第３図に示すように・まず・フェ
ライト基板（１）を用意し、この上にバイアス導体（２
）を被着する。フェライト基板（１）としてＭｎ−Ｚｎ
フェライト等、良導性のものを用いた場合にはフェライ
ト基板（１）上に予め、絶縁層を被覆しておく必要があ
る。このバイアス導体（２）の上に絶縁層（５）を被着
し、更にこの絶縁層（５）上尾磁気抵抗効果膜（３）を
被着する。そしてこの磁気抵抗効果膜（３）上に再度絶
＃ Ｒ（０）を被着する。この場合磁気回路の磁気抵抗
を減少させるように絶縁層（６）にコンタクト窓（６ａ
）を形成するようにする０この後、コア磁性体（４）を
被着し、更に絶縁層（７）を被着する０そしてこの絶縁
層（７）の上にガラス板やセラミック板からなる保護板
（８）全接合する。この“接合にはエポキシ系又はガラ
ス系の接着剤を用いる。
ライト基板（１）を用意し、この上にバイアス導体（２
）を被着する。フェライト基板（１）としてＭｎ−Ｚｎ
フェライト等、良導性のものを用いた場合にはフェライ
ト基板（１）上に予め、絶縁層を被覆しておく必要があ
る。このバイアス導体（２）の上に絶縁層（５）を被着
し、更にこの絶縁層（５）上尾磁気抵抗効果膜（３）を
被着する。そしてこの磁気抵抗効果膜（３）上に再度絶
＃ Ｒ（０）を被着する。この場合磁気回路の磁気抵抗
を減少させるように絶縁層（６）にコンタクト窓（６ａ
）を形成するようにする０この後、コア磁性体（４）を
被着し、更に絶縁層（７）を被着する０そしてこの絶縁
層（７）の上にガラス板やセラミック板からなる保護板
（８）全接合する。この“接合にはエポキシ系又はガラ
ス系の接着剤を用いる。
すなわち接着層・（９）を介在させる。
ところでこのようなものでは磁気回路の構成上最上部の
絶縁層（７）の上面Ｋｐｍオーダの段差が形成される。
絶縁層（７）の上面Ｋｐｍオーダの段差が形成される。
そしてテープ対接面（１ａ）を含め、この段差部の裾野
付近で接着層（９）の厚さが大となってしま９゜このた
めスペーシングロスが生じ、分解能が劣化し、又安定走
行を損うこととなる。又上述の段差部の裾野において接
着層（９）に空孔が生じ、これにより接着層（９）の脱
落が生じる。このためテープによる偏摩耗が生じ、ヘッ
ドの信頼性を損うこととなるＯ又接着層（９）として樹
脂系のものを用いた場合には接着層（９）のしみ出しが
生じ、これによってクロッキング等を招来することとも
なる。
付近で接着層（９）の厚さが大となってしま９゜このた
めスペーシングロスが生じ、分解能が劣化し、又安定走
行を損うこととなる。又上述の段差部の裾野において接
着層（９）に空孔が生じ、これにより接着層（９）の脱
落が生じる。このためテープによる偏摩耗が生じ、ヘッ
ドの信頼性を損うこととなるＯ又接着層（９）として樹
脂系のものを用いた場合には接着層（９）のしみ出しが
生じ、これによってクロッキング等を招来することとも
なる。
発明の目的
この発明はこのような事情を考慮してなされたものであ
り、接着層の脱落を防止してヘッドの信頼性を向上させ
ると共にスペーシングロスをなく１−で分解能や安定走
行を確保しつるように；−た薄膜（１１１気ヘツドの製
造方法を提供することを目的としている〇 発明の概要 この発明の薄膜磁気ヘッドのψμ造方法では・保護層を
介して保護板をヘッド素子部に被着するに先立って保ｉ
１４を平坦化するようにしている。
り、接着層の脱落を防止してヘッドの信頼性を向上させ
ると共にスペーシングロスをなく１−で分解能や安定走
行を確保しつるように；−た薄膜（１１１気ヘツドの製
造方法を提供することを目的としている〇 発明の概要 この発明の薄膜磁気ヘッドのψμ造方法では・保護層を
介して保護板をヘッド素子部に被着するに先立って保ｉ
１４を平坦化するようにしている。
この製造方法では保護層の段差を解消でき、このため接
着層を薄くすることができ、接着層の脱落やスペーシン
グロスを解消することができる。
着層を薄くすることができ、接着層の脱落やスペーシン
グロスを解消することができる。
実施例
以下、この発明の一実施例について第４図以後の図面参
照しながら説明しよう。尚これらの図において第１図〜
第３図に対応する個所には対応する符号を付してそれぞ
れの詳細説明を省略する０本例では、第４図に示すよう
に、フェライト基板（１）を用意し、この上に順次バイ
アス導体（２）、絶縁層（５）、磁気抵抗効果膜（３）
、絶縁Ｎ４＋６１、コア磁性体（４）及び絶＃層（７）
を順次被着１７ていく。これは第２図及び第３図で説明
したものと同様である。本例ではこの後最上部の絶縁層
（７）を破線で示すように平坦化する０この平坦化はイ
オンエツチングで行な９ことができる。又ラッピングを
用いるようにしてもよい０イオンエツチイングを行なう
場合には絶縁層（７）の段差部を露呈させるようにマス
クを行い、この後イオンエツチングを行えばよい。
照しながら説明しよう。尚これらの図において第１図〜
第３図に対応する個所には対応する符号を付してそれぞ
れの詳細説明を省略する０本例では、第４図に示すよう
に、フェライト基板（１）を用意し、この上に順次バイ
アス導体（２）、絶縁層（５）、磁気抵抗効果膜（３）
、絶縁Ｎ４＋６１、コア磁性体（４）及び絶＃層（７）
を順次被着１７ていく。これは第２図及び第３図で説明
したものと同様である。本例ではこの後最上部の絶縁層
（７）を破線で示すように平坦化する０この平坦化はイ
オンエツチングで行な９ことができる。又ラッピングを
用いるようにしてもよい０イオンエツチイングを行なう
場合には絶縁層（７）の段差部を露呈させるようにマス
クを行い、この後イオンエツチングを行えばよい。
ラッピングを行う場合には第５図に示す電極部（ｌＯ）
が傷ついたり切れたりする恐れがあるので、この電極部
叫に保護層０１１を被着しだ後、ラッピングを行なう。
が傷ついたり切れたりする恐れがあるので、この電極部
叫に保護層０１１を被着しだ後、ラッピングを行なう。
保護層Ｑｌｌはラッピング後化学的手法により除去する
。この場合絶縁層（７）や電極部印はおかされないよう
にされる。
。この場合絶縁層（７）や電極部印はおかされないよう
にされる。
以上のような平坦化の後、第６図に示すように、保護板
（８＋ ｆＫ：接着層（９）Ｋより接合する。この場合
には絶縁層（７）の］二而が平坦化されているので接着
層（９）の厚さを小とすることができる。このだめスペ
ーシングロスを解消でき、又接着Ｍ（９）の脱落を防止
できる。
（８＋ ｆＫ：接着層（９）Ｋより接合する。この場合
には絶縁層（７）の］二而が平坦化されているので接着
層（９）の厚さを小とすることができる。このだめスペ
ーシングロスを解消でき、又接着Ｍ（９）の脱落を防止
できる。
発明の詳細
な説明したように、この発明によれば、保護層を介して
保護板をヘッド素子部に被着するに先立つ℃保護層を平
坦化するように１７ているため、保護層に保ｒＪ！板を
接合する接着剤の厚さを小さくすることができる。この
だめスペーシングロスをなくすことができ分解能や安定
走行を確保することができる。又接着層の脱落がなく偏
摩耗管ｆ：解消できヘッドの信頼性を向上させることが
できる〇又樹脂系の接着剤を用いた場合にも接着剤のし
み出しを抑えることができクロッキング等を防止できる
。
保護板をヘッド素子部に被着するに先立つ℃保護層を平
坦化するように１７ているため、保護層に保ｒＪ！板を
接合する接着剤の厚さを小さくすることができる。この
だめスペーシングロスをなくすことができ分解能や安定
走行を確保することができる。又接着層の脱落がなく偏
摩耗管ｆ：解消できヘッドの信頼性を向上させることが
できる〇又樹脂系の接着剤を用いた場合にも接着剤のし
み出しを抑えることができクロッキング等を防止できる
。
第１図は薄膜磁気ヘッドの一例を簡略化して示す斜視図
、第２図は第１図の簿膜磁気ヘッドの製造工程を説明す
るための断面１図、８１１３図は同様の平面図、第４図
〜第６図はこの発明の一実施例を示す断面図である。 （１）はフェライト基板、（３）は磁気抵抗効果膜、（
４）はコア磁性体、（７）は絶縁層、（８）は保護板、
（９）は接着層、ｇは磁気ギャップである。 同 松隈秀盛、、、 ど１ ・、＼。 １′１．いｌ′ 第１図 第５図 第２図 第３図
、第２図は第１図の簿膜磁気ヘッドの製造工程を説明す
るための断面１図、８１１３図は同様の平面図、第４図
〜第６図はこの発明の一実施例を示す断面図である。 （１）はフェライト基板、（３）は磁気抵抗効果膜、（
４）はコア磁性体、（７）は絶縁層、（８）は保護板、
（９）は接着層、ｇは磁気ギャップである。 同 松隈秀盛、、、 ど１ ・、＼。 １′１．いｌ′ 第１図 第５図 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板」二にギャップ部を有する薄膜磁気回路と少なくと
もこの薄膜磁気回路と鎖交する信号導体とよりなる磁気
ヘッド素子部を形成する工程と、この磁気ヘッド素子部
に保訛層を介し℃保１５板を接合する工程とよりなる薄
膜磁気ヘッドの！Ｐ！造方法におい゛〔、に記保護層を
平坦化する工程を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッド
の１Ｉｔｖ造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57187074A JPS5977617A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| CA000439505A CA1212469A (en) | 1982-10-25 | 1983-10-21 | Method of manufacturing magnetic thin film transducer head |
| KR1019830004989A KR840006861A (ko) | 1982-10-25 | 1983-10-21 | 박막자기헤드(薄膜磁氣 head)의 제조방법 |
| GB08328339A GB2129600A (en) | 1982-10-25 | 1983-10-24 | Methods of manufacturing magnetic thin film transducer heads |
| DE19833338719 DE3338719A1 (de) | 1982-10-25 | 1983-10-25 | Magnetischer duennfilm-wandlerkopf und verfahren zu seiner herstellung |
| FR8317002A FR2535098A1 (fr) | 1982-10-25 | 1983-10-25 | Procede de fabrication d'une tete de transducteur magnetique a film mince |
| NL8303677A NL8303677A (nl) | 1982-10-25 | 1983-10-25 | Werkwijze voor het vervaardigen van een met een dunne film van magnetisch materiaal uitgeruste transducentkop, benevens onder toepassing van een dergelijke werkwijze vervaardigde transducentkop. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57187074A JPS5977617A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5977617A true JPS5977617A (ja) | 1984-05-04 |
Family
ID=16199676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57187074A Pending JPS5977617A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5977617A (ja) |
| KR (1) | KR840006861A (ja) |
| CA (1) | CA1212469A (ja) |
| DE (1) | DE3338719A1 (ja) |
| FR (1) | FR2535098A1 (ja) |
| GB (1) | GB2129600A (ja) |
| NL (1) | NL8303677A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0760490B2 (ja) * | 1983-08-29 | 1995-06-28 | ソニー株式会社 | 多素子薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPS61107520A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Sony Corp | 多チヤンネル磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2075466A5 (ja) * | 1970-01-29 | 1971-10-08 | Ibm | |
| FR2191186B1 (ja) * | 1972-07-03 | 1976-01-16 | Inf Ci Interna Fr | |
| DE2344561C3 (de) * | 1973-09-04 | 1978-08-31 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verschleißarmer Magnetkopf |
| GB1518515A (en) * | 1974-08-20 | 1978-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic heads |
| US4065797A (en) * | 1974-12-20 | 1977-12-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multi-element magnetic head |
| JPS54104812A (en) * | 1978-02-03 | 1979-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film magnetic head and production of the same |
| JPS55135321A (en) * | 1979-04-10 | 1980-10-22 | Fujitsu Ltd | Manufacture of thin-film magnetic head |
| NL7908611A (nl) * | 1979-11-28 | 1981-07-01 | Philips Nv | Geintegreerde magneetkopconstructie. |
-
1982
- 1982-10-25 JP JP57187074A patent/JPS5977617A/ja active Pending
-
1983
- 1983-10-21 KR KR1019830004989A patent/KR840006861A/ko not_active IP Right Cessation
- 1983-10-21 CA CA000439505A patent/CA1212469A/en not_active Expired
- 1983-10-24 GB GB08328339A patent/GB2129600A/en not_active Withdrawn
- 1983-10-25 DE DE19833338719 patent/DE3338719A1/de not_active Withdrawn
- 1983-10-25 FR FR8317002A patent/FR2535098A1/fr active Pending
- 1983-10-25 NL NL8303677A patent/NL8303677A/nl not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1212469A (en) | 1986-10-07 |
| FR2535098A1 (fr) | 1984-04-27 |
| NL8303677A (nl) | 1984-05-16 |
| GB2129600A (en) | 1984-05-16 |
| KR840006861A (ko) | 1984-12-03 |
| GB8328339D0 (en) | 1983-11-23 |
| DE3338719A1 (de) | 1984-04-26 |
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