JPS61194619A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS61194619A JPS61194619A JP3494385A JP3494385A JPS61194619A JP S61194619 A JPS61194619 A JP S61194619A JP 3494385 A JP3494385 A JP 3494385A JP 3494385 A JP3494385 A JP 3494385A JP S61194619 A JPS61194619 A JP S61194619A
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- magnetic
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
薄膜磁気ヘッドの製造における下部磁極層を形成する際
に先立って、該下部磁極層形成領域にマスクメッキ法に
よりマスクパターン内からマスク上に乗り越える形に突
出部分を有する磁性層を被着すると共に、その磁性膜上
に下部磁極層を被着して、下部磁極層の媒体対向先端部
の近傍に磁束集中を緩和させる磁極突出部を形成した構
成とし、磁束集中に起因する“ネガティブエツジ”の発
生を低減することを可能にする。
に先立って、該下部磁極層形成領域にマスクメッキ法に
よりマスクパターン内からマスク上に乗り越える形に突
出部分を有する磁性層を被着すると共に、その磁性膜上
に下部磁極層を被着して、下部磁極層の媒体対向先端部
の近傍に磁束集中を緩和させる磁極突出部を形成した構
成とし、磁束集中に起因する“ネガティブエツジ”の発
生を低減することを可能にする。
本発明は磁気ディスク装置、或いは磁気テープ装置など
に用いられる薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特に記
録再生時の波形における“ネガティブエツジ”の発生を
減少させることを可能とする新規な薄膜磁気ヘッドの磁
極形成方法に関するものである。
に用いられる薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特に記
録再生時の波形における“ネガティブエツジ”の発生を
減少させることを可能とする新規な薄膜磁気ヘッドの磁
極形成方法に関するものである。
近来、磁気ディスク装置等に用いられている磁気ヘッド
は、磁気ディスク媒体に対する高密度記録化及び高効率
化が進められ、その形状も益々小型化されると共に、高
精度化がなされ、記録に寄与する磁極先端部でのヘッド
磁界分布が急峻で、高密度な記録を可能とする小型な種
々のタイプの￥１Ｍ￥！膜磁気ヘッドが既に提案され、
実用化されつつある。
は、磁気ディスク媒体に対する高密度記録化及び高効率
化が進められ、その形状も益々小型化されると共に、高
精度化がなされ、記録に寄与する磁極先端部でのヘッド
磁界分布が急峻で、高密度な記録を可能とする小型な種
々のタイプの￥１Ｍ￥！膜磁気ヘッドが既に提案され、
実用化されつつある。
例えば、薄膜磁気ヘッドの１種として上部磁極層と下部
磁極層間に層間絶縁層を介在させて磁極先端ギャップ層
とコイル導体層を積層形成したタイプの薄膜磁気ヘッド
が知られている。
磁極層間に層間絶縁層を介在させて磁極先端ギャップ層
とコイル導体層を積層形成したタイプの薄膜磁気ヘッド
が知られている。
このようなタイプの磁気ヘッドにおいては、記録再生時
に各磁極先端部の角張ったエツジ部分で大きな”ネガテ
ィブエツジ“と称される記録再生信号を劣化させるノイ
ズが発生するという問題があり、かかる問題の解消が要
求されている。
に各磁極先端部の角張ったエツジ部分で大きな”ネガテ
ィブエツジ“と称される記録再生信号を劣化させるノイ
ズが発生するという問題があり、かかる問題の解消が要
求されている。
上記の如き薄膜膜磁気ヘッドは、一般に第１４図の平面
図及び第１５図に示すＡ−Ａ’切断線に沿った第１１図
の断面図によって示されるように、例えばガラス、或い
はセラミックス等からなる非磁性基板１上に、パーマロ
イ等からなる下部磁極層２をマスクめっき法などにより
規定の形状に形成する。
図及び第１５図に示すＡ−Ａ’切断線に沿った第１１図
の断面図によって示されるように、例えばガラス、或い
はセラミックス等からなる非磁性基板１上に、パーマロ
イ等からなる下部磁極層２をマスクめっき法などにより
規定の形状に形成する。
次に該下部磁極層２上に５ｉ０２等のギャップ層３及び
第１絶縁層４を被着形成した後、該第１絶縁層４上に＃
Ｊｉ４ （Ｃｕ）等からなる導体層をスバ・ツタリング
法等により被着し、該導体層をフォトリソグラフィ工程
によって薄膜コイル５にパターニングする。
第１絶縁層４を被着形成した後、該第１絶縁層４上に＃
Ｊｉ４ （Ｃｕ）等からなる導体層をスバ・ツタリング
法等により被着し、該導体層をフォトリソグラフィ工程
によって薄膜コイル５にパターニングする。
次に該薄膜コイル５を含む第１絶縁層４上に第２絶縁層
６を被着し、かかる基板１上に、パーマロイ等からなる
上部磁極層７をマスクめっき法などにより規定の形状に
形成した後、その上面に更に５ｉ０２、又はＡｌ２Ｏ３
からなる保護層８を被着形成すると共に、前記下部磁極
層２及び上部磁極層７の先端面を露出するように切削し
、該両磁極先端面を研磨仕上げして、磁気記録媒体９に
対する対向面を形成することにより完成させている。
６を被着し、かかる基板１上に、パーマロイ等からなる
上部磁極層７をマスクめっき法などにより規定の形状に
形成した後、その上面に更に５ｉ０２、又はＡｌ２Ｏ３
からなる保護層８を被着形成すると共に、前記下部磁極
層２及び上部磁極層７の先端面を露出するように切削し
、該両磁極先端面を研磨仕上げして、磁気記録媒体９に
対する対向面を形成することにより完成させている。
ところで、このような構成の従来の薄膜磁気へラドにお
いては、第１６図の要部拡大断面図に示すように、高密
度記録再生を行うための下部磁極層２と上部磁極層７の
各媒体対向先端部の厚さ、即ち各磁極長Ｅが数μｍ以下
と極めて短いことから、記録再生時にそれら各磁極先端
の角ばったエツジ部分Ａに磁束集中現象が起こり、かか
る現象に起因して記録再生信号波形中に、所謂“ネガテ
ィブエツジ”と称される記録再生信号を劣化させるノイ
ズ波形が発生する問題がある。
いては、第１６図の要部拡大断面図に示すように、高密
度記録再生を行うための下部磁極層２と上部磁極層７の
各媒体対向先端部の厚さ、即ち各磁極長Ｅが数μｍ以下
と極めて短いことから、記録再生時にそれら各磁極先端
の角ばったエツジ部分Ａに磁束集中現象が起こり、かか
る現象に起因して記録再生信号波形中に、所謂“ネガテ
ィブエツジ”と称される記録再生信号を劣化させるノイ
ズ波形が発生する問題がある。
第１７図はこのような“ネガティブエツジ”ＮＥの発生
を伴った薄膜磁気ヘッドの孤立再生波形の１例を示すも
ので、本図の場合、下部磁極層２の角ばったエツジ部分
Ａにおいて特に顕著な“ネガティブエツジ”が現れてい
る。
を伴った薄膜磁気ヘッドの孤立再生波形の１例を示すも
ので、本図の場合、下部磁極層２の角ばったエツジ部分
Ａにおいて特に顕著な“ネガティブエツジ”が現れてい
る。
本発明は、以上のような問題点が磁極先端部近傍に、エ
ツジに対する磁束集中を緩和する突出手段を設けること
により解決されることがら、該突出手段を磁極先端部近
傍に設ける方法として、例えばマスクメッキ法において
、第１図に示すようにメッキ用下地導電膜２２及びレジ
ストマスクパターン膜２３が形成された基板２１上に、
メッキ層を纏着形成する場合、メッキ層の鑞着成長は概
略等方性であるため、第２図に示すように該メッキ層２
４をレジストマスクパターン膜２３の厚さよりも厚く鑞
着させると層厚方向のみならず、前記マスクパターン膜
２３上に沿った方向にも鑞着成長することから、このよ
うなメッキ法を薄膜磁気ヘッドの製造に通用して、基板
上に下部磁極層を形成する際に先立って、該基板上の下
部磁極層形成領域にマスクパターンを用いて該マスクパ
ターン内からマスク上に乗り越える形に突出部分を有す
る磁性層を被着し、該磁性層上に下部磁極層を被着する
ことにより、容易に下部磁極層の媒体対向先端部の近傍
に磁極突出部が形成された薄膜磁気ヘッドを得ることが
できる。
ツジに対する磁束集中を緩和する突出手段を設けること
により解決されることがら、該突出手段を磁極先端部近
傍に設ける方法として、例えばマスクメッキ法において
、第１図に示すようにメッキ用下地導電膜２２及びレジ
ストマスクパターン膜２３が形成された基板２１上に、
メッキ層を纏着形成する場合、メッキ層の鑞着成長は概
略等方性であるため、第２図に示すように該メッキ層２
４をレジストマスクパターン膜２３の厚さよりも厚く鑞
着させると層厚方向のみならず、前記マスクパターン膜
２３上に沿った方向にも鑞着成長することから、このよ
うなメッキ法を薄膜磁気ヘッドの製造に通用して、基板
上に下部磁極層を形成する際に先立って、該基板上の下
部磁極層形成領域にマスクパターンを用いて該マスクパ
ターン内からマスク上に乗り越える形に突出部分を有す
る磁性層を被着し、該磁性層上に下部磁極層を被着する
ことにより、容易に下部磁極層の媒体対向先端部の近傍
に磁極突出部が形成された薄膜磁気ヘッドを得ることが
できる。
このように薄膜磁気ヘッドにおける下部磁極層の媒体対
向先端部の近傍に、磁極突出部を形成した構成とするこ
とにより、記録再生時において当該下部磁極層の媒体対
向先端部のエツジに対する磁束集中が、近傍の磁極突出
部へも分散して緩和されることから、“ネガティブエツ
ジ”の発生を大幅に低減することが可能となる。
向先端部の近傍に、磁極突出部を形成した構成とするこ
とにより、記録再生時において当該下部磁極層の媒体対
向先端部のエツジに対する磁束集中が、近傍の磁極突出
部へも分散して緩和されることから、“ネガティブエツ
ジ”の発生を大幅に低減することが可能となる。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第３ｒｆ！Ｊ乃至第９図は本発明に係る薄膜磁気へ・ノ
ドの製造方法の一実施例を工程順に示す要部断面図であ
る。
ドの製造方法の一実施例を工程順に示す要部断面図であ
る。
先ず第３図に示すように例えばガラス、或いはセラミッ
クス等からなる非磁性基板３１上に、メッキ用下地導電
膜３２をスパッタリング法により被着形成した後、該メ
ッキ用下地導電膜３２上に磁極突出部形成用のレジスト
マスクパターン膜３３をフオＩ・リソグラフィ工程によ
り図示のように形成する。
クス等からなる非磁性基板３１上に、メッキ用下地導電
膜３２をスパッタリング法により被着形成した後、該メ
ッキ用下地導電膜３２上に磁極突出部形成用のレジスト
マスクパターン膜３３をフオＩ・リソグラフィ工程によ
り図示のように形成する。
次に第４図に示すようにマスクパターン膜３３をマスク
にして露出する前記下地導電膜３２上から該マスクパタ
ーン膜３３の膜厚を越える形に突出部分３４ａを有する
パーマロイ （Ｎｉ−Ｆｅ）等からなる磁性層３４をメ
ッキ法により形成した後、前記マスクパターン膜３３及
びその下部の下地導電膜３２を除去し、その上面に第５
図に示すように５ｉ０２． Ａ１２０ｓ等の非磁性絶縁
層３５をスパッタリング法、又は蒸着法などにより被着
形成する。
にして露出する前記下地導電膜３２上から該マスクパタ
ーン膜３３の膜厚を越える形に突出部分３４ａを有する
パーマロイ （Ｎｉ−Ｆｅ）等からなる磁性層３４をメ
ッキ法により形成した後、前記マスクパターン膜３３及
びその下部の下地導電膜３２を除去し、その上面に第５
図に示すように５ｉ０２． Ａ１２０ｓ等の非磁性絶縁
層３５をスパッタリング法、又は蒸着法などにより被着
形成する。
その後、第６図に示すように前記非磁性絶縁層３５を磁
性層３４の膜面諷同一平面となるようにラッピング平面
加工を行い、この平面加工面上にメッキ用下地導電膜３
６をスパッタリング法により被着形成した後、該メッキ
用下地導電膜３６上に下部磁極形成用のレジストマスク
パターン膜３７をフォトリソグラフィ工程により形成す
る。
性層３４の膜面諷同一平面となるようにラッピング平面
加工を行い、この平面加工面上にメッキ用下地導電膜３
６をスパッタリング法により被着形成した後、該メッキ
用下地導電膜３６上に下部磁極形成用のレジストマスク
パターン膜３７をフォトリソグラフィ工程により形成す
る。
次に第７図に示すように前記マスクパターン膜３７をマ
スクにして露出する前記下地導電膜３６上にメッキ法に
よりパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）等からなる下部磁極層３
８を形成した後、第８図に示すように前記マスクパター
ン膜３７及びその下部の下地導電膜３６を除去する。
スクにして露出する前記下地導電膜３６上にメッキ法に
よりパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）等からなる下部磁極層３
８を形成した後、第８図に示すように前記マスクパター
ン膜３７及びその下部の下地導電膜３６を除去する。
しかる後、第９図に示すように前記下部磁極層３８上に
、従来と同様の製造工程によりギャップ層３９、第１絶
縁層４０．薄膜コイル層４１．第２絶縁層４２、上部磁
極層４３及び保護層４４を順に被着形成した後、切断線
Ｂに沿って前記下部磁極層３８及び上部磁極層４３の先
端面が露出するように切削し、該両磁極先端面をう／ピ
ング１ｉ７Ｆ磨仕上を行って媒体対向面を形成すること
により、下部磁極層３８の媒体対向先端部の近傍に磁極
突出部３４ａが形成された薄膜磁気ヘッドを得ることが
できる。
、従来と同様の製造工程によりギャップ層３９、第１絶
縁層４０．薄膜コイル層４１．第２絶縁層４２、上部磁
極層４３及び保護層４４を順に被着形成した後、切断線
Ｂに沿って前記下部磁極層３８及び上部磁極層４３の先
端面が露出するように切削し、該両磁極先端面をう／ピ
ング１ｉ７Ｆ磨仕上を行って媒体対向面を形成すること
により、下部磁極層３８の媒体対向先端部の近傍に磁極
突出部３４ａが形成された薄膜磁気ヘッドを得ることが
できる。
尚、下部磁極Ｆｉ３８の媒体対向先端部の近傍に磁極突
出部３４ａを形成する方法としては、上記第３図及び第
４図による実施例の方法に限定されるものではなく、例
えば第１０図に示すようにメッキ用下地導電膜３２が形
成された非磁性基板３１上に磁極突出部形成用のレジス
トマスクパターン膜５１を形成する際に、磁極突出部を
形成する部分のレジスト膜の膜厚を他の部分の膜厚より
も薄くした段差部分を設けてお（。
出部３４ａを形成する方法としては、上記第３図及び第
４図による実施例の方法に限定されるものではなく、例
えば第１０図に示すようにメッキ用下地導電膜３２が形
成された非磁性基板３１上に磁極突出部形成用のレジス
トマスクパターン膜５１を形成する際に、磁極突出部を
形成する部分のレジスト膜の膜厚を他の部分の膜厚より
も薄くした段差部分を設けてお（。
かかるレジストマスクパターン膜５１をマスクにして、
露出する前記下地導電膜３２上から該マスクパターン膜
５１の他の部分の膜厚よりも薄くした段差部分を越える
形に、突出部分５２ａを有するパーマロイ （Ｎｉ−Ｆ
ｅ）等からなる磁性層５２をメッキ法により形成するよ
うにしてもよい。
露出する前記下地導電膜３２上から該マスクパターン膜
５１の他の部分の膜厚よりも薄くした段差部分を越える
形に、突出部分５２ａを有するパーマロイ （Ｎｉ−Ｆ
ｅ）等からなる磁性層５２をメッキ法により形成するよ
うにしてもよい。
この方法によれば、形成される磁極突出部５２ａの形成
位置及び突出長等の形状を正確に規定することが可能と
なる利点がある。
位置及び突出長等の形状を正確に規定することが可能と
なる利点がある。
叉、上記のようなレジストマスクパターン膜５１の形成
方法としては、ポジタイプのレジスト膜を用いて部分的
に露光量を調整する露光法とフォトリソグラフィ工程に
より形成するか、或いはネガタイプのレジスト膜を用い
て、このレジストマスクパターン膜を２層に積層形成す
ることによって得られる。
方法としては、ポジタイプのレジスト膜を用いて部分的
に露光量を調整する露光法とフォトリソグラフィ工程に
より形成するか、或いはネガタイプのレジスト膜を用い
て、このレジストマスクパターン膜を２層に積層形成す
ることによって得られる。
このようにして得られた薄膜磁気ヘッドによれば、第１
２図要部拡大断面図に示すように、例えば磁気信号再生
動作時における下部磁極層３８の媒体対向先端部のエツ
ジＡに集中する磁束の一部が、近傍の磁極突出部へも分
散吸収されて緩和されることから、“ネガティブエツジ
”ＮＥの波形発生が第１３図に示すように大きく減少さ
れ、それによる再生信号の影響度が僅少となり、再生特
性の信頼性が向上する。
２図要部拡大断面図に示すように、例えば磁気信号再生
動作時における下部磁極層３８の媒体対向先端部のエツ
ジＡに集中する磁束の一部が、近傍の磁極突出部へも分
散吸収されて緩和されることから、“ネガティブエツジ
”ＮＥの波形発生が第１３図に示すように大きく減少さ
れ、それによる再生信号の影響度が僅少となり、再生特
性の信頼性が向上する。
更に、以上の実施例においては磁束集中を緩和するため
の磁極突出部を、下部磁極層側にのみ形成した例につい
て説明したが、必要に応じて上部磁極層側にも同様の方
法により磁極突出部を形成出来ることはいうまでもな（
、両磁極層に対してそれぞれ磁極突出部を形成するよう
にすれば、より効果的である。
の磁極突出部を、下部磁極層側にのみ形成した例につい
て説明したが、必要に応じて上部磁極層側にも同様の方
法により磁極突出部を形成出来ることはいうまでもな（
、両磁極層に対してそれぞれ磁極突出部を形成するよう
にすれば、より効果的である。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る８膜磁気
ヘツドの製造方法によれば、下部磁極層の媒体対向先端
部の近傍に、磁束集中を緩和するための磁極突出部を設
けた薄膜磁気ヘッドを容易に形成することが可能となり
、記録再生波形における“ネガティブエツジ”の発生を
著しく低減することが可能となり、記録再生特性の信頼
性が向上する優れた利点を有する。
ヘツドの製造方法によれば、下部磁極層の媒体対向先端
部の近傍に、磁束集中を緩和するための磁極突出部を設
けた薄膜磁気ヘッドを容易に形成することが可能となり
、記録再生波形における“ネガティブエツジ”の発生を
著しく低減することが可能となり、記録再生特性の信頼
性が向上する優れた利点を有する。
第１図乃至第９図は本発明に係る薄膜磁気へ・ノドの製
造方法の一実施例を工程順に示 す要部断面図、 第１０図乃至第１１図は本発明に係る薄膜磁気へ・ノド
における、磁極突出部の形成方法の 他の実施例を示す要部断面図、 第１２図は本発明の製造方法によって得られた薄膜磁気
ヘッドを示す要部拡大断面図、 第１３図は本発明の製造方法によって得られた薄膜磁気
ヘッドによる孤立再生波形を示 す図、 第１４図は従来の薄膜磁気ヘッドを説明するための要部
平面図、 第１５図は第１４図に示すＡ−Ａ’ 切断線に沿った断
面図、 第１６図はの従来の薄膜磁気ヘッドの一例を示す要部拡
大断面図、 第１７図は従来の薄膜磁気ヘッドによる孤立再生波形を
示す図である。 第１図乃至第１３図において、 ２１、３１は非磁性基板、２２．３２．３６はメッキ用
下地導電膜、２３，３３，３７．５１はレジストマスク
パターン膜、２４はメッキ層、３４゜５２は突出部分を
有する磁性層、３４ａ、 ５２ａは磁極突出部（突出部
分）、３５は非磁性絶縁層、３８は下部磁極層、３９は
ギヤツブ層、４０は第１絶縁層、４１は薄膜コイル層、
４２は第２絶縁層、４３は上部磁極層、４４は保護層を
示す。 第１図 第２囚 第３図 第４図 第１０閏 第１１図 第１２図 第１３図
造方法の一実施例を工程順に示 す要部断面図、 第１０図乃至第１１図は本発明に係る薄膜磁気へ・ノド
における、磁極突出部の形成方法の 他の実施例を示す要部断面図、 第１２図は本発明の製造方法によって得られた薄膜磁気
ヘッドを示す要部拡大断面図、 第１３図は本発明の製造方法によって得られた薄膜磁気
ヘッドによる孤立再生波形を示 す図、 第１４図は従来の薄膜磁気ヘッドを説明するための要部
平面図、 第１５図は第１４図に示すＡ−Ａ’ 切断線に沿った断
面図、 第１６図はの従来の薄膜磁気ヘッドの一例を示す要部拡
大断面図、 第１７図は従来の薄膜磁気ヘッドによる孤立再生波形を
示す図である。 第１図乃至第１３図において、 ２１、３１は非磁性基板、２２．３２．３６はメッキ用
下地導電膜、２３，３３，３７．５１はレジストマスク
パターン膜、２４はメッキ層、３４゜５２は突出部分を
有する磁性層、３４ａ、 ５２ａは磁極突出部（突出部
分）、３５は非磁性絶縁層、３８は下部磁極層、３９は
ギヤツブ層、４０は第１絶縁層、４１は薄膜コイル層、
４２は第２絶縁層、４３は上部磁極層、４４は保護層を
示す。 第１図 第２囚 第３図 第４図 第１０閏 第１１図 第１２図 第１３図
Claims (1)
- 基板上に下部磁極層、ギャップ層及び層間絶縁層を介し
てコイル導体層及び上部磁極層を順に積層形成する薄膜
磁気ヘッドの製造方法において、上記基板上に下部磁極
層を形成する際に先立って、該基板上の下部磁極層形成
領域にマスクパターンを用いて、該マスクパターン内か
らマスク上に乗り越える形に突出部分を有する磁性層を
被着し、該磁性層上に下部磁極層を被着することにより
、下部磁極層の媒体対向先端部の近傍に、磁極突出部を
形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3494385A JPS61194619A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3494385A JPS61194619A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61194619A true JPS61194619A (ja) | 1986-08-29 |
| JPH0243244B2 JPH0243244B2 (ja) | 1990-09-27 |
Family
ID=12428252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3494385A Granted JPS61194619A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61194619A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0356126A2 (en) * | 1988-08-17 | 1990-02-28 | Quantum Corporation | Recording head to minimize undershoots in readback pulses |
-
1985
- 1985-02-22 JP JP3494385A patent/JPS61194619A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0356126A2 (en) * | 1988-08-17 | 1990-02-28 | Quantum Corporation | Recording head to minimize undershoots in readback pulses |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0243244B2 (ja) | 1990-09-27 |
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