JPS61276108A - 薄膜磁気ヘツドの製法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製法Info
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- JPS61276108A JPS61276108A JP11749985A JP11749985A JPS61276108A JP S61276108 A JPS61276108 A JP S61276108A JP 11749985 A JP11749985 A JP 11749985A JP 11749985 A JP11749985 A JP 11749985A JP S61276108 A JPS61276108 A JP S61276108A
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- thin film
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＰＣＭ記録再生装置等に用いられる薄膜磁気
ヘッドの製法に関し、詳細にはトラック幅を規制する方
法に関する。
ヘッドの製法に関し、詳細にはトラック幅を規制する方
法に関する。
本発明は、薄膜磁気ヘッドの製法、特にトラック幅の規
制方法において、 磁性薄膜の上下にレーザビームに対する反射率の高い非
磁性膜を配し、このうち磁性薄膜の上層に形成された非
磁性膜をトラック幅と略等しくなるように残存形成し、
この非磁性膜をトラック幅規制のためのマスクとしてレ
ーザビームを照射することにより、 上記レーザビームの揺らぎやフォーカスの乱れ等に影響
されずに・、高精度なトラック加工を可能となるように
したものである。
制方法において、 磁性薄膜の上下にレーザビームに対する反射率の高い非
磁性膜を配し、このうち磁性薄膜の上層に形成された非
磁性膜をトラック幅と略等しくなるように残存形成し、
この非磁性膜をトラック幅規制のためのマスクとしてレ
ーザビームを照射することにより、 上記レーザビームの揺らぎやフォーカスの乱れ等に影響
されずに・、高精度なトラック加工を可能となるように
したものである。
一般に、薄膜磁気ヘッドは、記録に関与するヘッド磁界
が急峻であるため記録密度の増加が可能であるとともに
、高分解能の記録ができ、さらに小型化が可能である等
、優れた特性を有している。
が急峻であるため記録密度の増加が可能であるとともに
、高分解能の記録ができ、さらに小型化が可能である等
、優れた特性を有している。
この種の薄膜磁気ヘッドは、ヘッドを構成するコイル導
体や磁性薄膜、絶縁膜等がスバッタリング等の真空薄膜
形成技術やフォトエツチング等の手法を用いて製造され
ており、上述の真空薄膜形成技術の進歩と相俟って薄膜
磁気ヘッドが実用化されている。
体や磁性薄膜、絶縁膜等がスバッタリング等の真空薄膜
形成技術やフォトエツチング等の手法を用いて製造され
ており、上述の真空薄膜形成技術の進歩と相俟って薄膜
磁気ヘッドが実用化されている。
ところで、上記薄膜磁気ヘッドは、通常、フェライト等
よりなる基板、いわゆる下部磁性基板上に５ｉ０２．Ａ
Ｎ２０３等の絶縁膜を被着形成し、この絶縁膜上にＣｕ
、Ａ７！等のコイル導体をスパッタリング等により形成
した後、このコイル導体を所定の形状にエツチングし、
さらに、絶縁膜を介してＦｅ−Ａｊ！−３ｉ系合金、Ｆ
ｅ−Ｎｉ系合金等の磁性薄膜、いわゆる上部磁性膜を同
様の手法で被着し、ドライ装置内で所定のトラック幅と
なるようにエツチング加工を施して作製されている。
よりなる基板、いわゆる下部磁性基板上に５ｉ０２．Ａ
Ｎ２０３等の絶縁膜を被着形成し、この絶縁膜上にＣｕ
、Ａ７！等のコイル導体をスパッタリング等により形成
した後、このコイル導体を所定の形状にエツチングし、
さらに、絶縁膜を介してＦｅ−Ａｊ！−３ｉ系合金、Ｆ
ｅ−Ｎｉ系合金等の磁性薄膜、いわゆる上部磁性膜を同
様の手法で被着し、ドライ装置内で所定のトラック幅と
なるようにエツチング加工を施して作製されている。
しかしながら、上述のように上部磁性膜、コイル導体、
絶縁膜をドライエツチングによりパターニングすると、
エツチングにかなりの時間を要するという問題がある。
絶縁膜をドライエツチングによりパターニングすると、
エツチングにかなりの時間を要するという問題がある。
特に、トラック幅を規制するために、Ｆｅ−Ａｊ２−３
ｉ系合金よりなる上部磁性体をエツチングする工程にあ
っては、エツチング速度が遅く （１時間当たり１μｍ
程度）、さらに、この上部磁性膜は磁気効率を良くする
ために比較的厚（形成される（通常、１０〜１５μｍ）
ので、このエツチングにかなりの時間及ヒ熟練度を必要
としており、生産効率の悪い工程となっている。
ｉ系合金よりなる上部磁性体をエツチングする工程にあ
っては、エツチング速度が遅く （１時間当たり１μｍ
程度）、さらに、この上部磁性膜は磁気効率を良くする
ために比較的厚（形成される（通常、１０〜１５μｍ）
ので、このエツチングにかなりの時間及ヒ熟練度を必要
としており、生産効率の悪い工程となっている。
また、上記エツチング法では、上部磁性体にフォトレジ
ストを塗布してから、エツチングを行っているため、こ
のフォトレジストの露光・現像の前後にレジストの塗布
、硬化、剥離等の作業が必要であって、非常に手間のか
かる工程になっている。
ストを塗布してから、エツチングを行っているため、こ
のフォトレジストの露光・現像の前後にレジストの塗布
、硬化、剥離等の作業が必要であって、非常に手間のか
かる工程になっている。
そこで、トラック幅の規制、すなわち上部磁性膜のパタ
ーニングを効率良くかつ精度良く行える方法が要望され
ている。
ーニングを効率良くかつ精度良く行える方法が要望され
ている。
上記要望を満足するために、従来、Ａｒガス。
ＣＯ２ガス、ＹＡＧ （イツトリウム・アルミニウム・
ガーネットの結晶）等を発振源とするレーザビームを使
用して上部磁性膜のパターニングを行う方法が提案され
ている。
ガーネットの結晶）等を発振源とするレーザビームを使
用して上部磁性膜のパターニングを行う方法が提案され
ている。
しかしながら、上述のレーザビームはその波長領域が赤
外域にあり、いずれも円形ビームあるいは楕円形ビーム
となり、これらビームのオーバーランプにより上部磁性
膜のエツチングを行っているため、この加工時に上記レ
ーザビームが揺らぐと上部磁性膜のエツチング面が凹凸
状になり、均一なトラック幅の磁気ヘッドが得難くなる
。特に、上部磁性膜の段差部ではフォーカスが乱れ易く
、加工溝幅（トラック幅）や加工深さが不均一となって
しまい、精度低下の原因となっている。
外域にあり、いずれも円形ビームあるいは楕円形ビーム
となり、これらビームのオーバーランプにより上部磁性
膜のエツチングを行っているため、この加工時に上記レ
ーザビームが揺らぐと上部磁性膜のエツチング面が凹凸
状になり、均一なトラック幅の磁気ヘッドが得難くなる
。特に、上部磁性膜の段差部ではフォーカスが乱れ易く
、加工溝幅（トラック幅）や加工深さが不均一となって
しまい、精度低下の原因となっている。
そこで、本発明は上述の欠点を解決するために提案され
たものであって、薄膜磁気ヘッドのトラック幅をレーザ
ビームにより規制する工程においテ、レーザビームの揺
らぎやフォーカスの乱れ等に影響されずに高精度なトラ
ック加工が可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する
ことを目的とする。
たものであって、薄膜磁気ヘッドのトラック幅をレーザ
ビームにより規制する工程においテ、レーザビームの揺
らぎやフォーカスの乱れ等に影響されずに高精度なトラ
ック加工が可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する
ことを目的とする。
上述の目的を達成するために、本発明の薄膜磁気ヘッド
の製法は、基板上にコイル導体及び磁性薄膜を形成した
薄膜磁気ヘッドの製法において、前記磁性薄膜の上下に
各々反射率の高い第１非磁性膜及び第２非磁性膜を配し
、前記第１非磁性膜をトラック幅と略等しくするととも
に、レーザビームを照射することにより、前記磁性薄膜
のトラック幅を規制することを特徴とするものである。
の製法は、基板上にコイル導体及び磁性薄膜を形成した
薄膜磁気ヘッドの製法において、前記磁性薄膜の上下に
各々反射率の高い第１非磁性膜及び第２非磁性膜を配し
、前記第１非磁性膜をトラック幅と略等しくするととも
に、レーザビームを照射することにより、前記磁性薄膜
のトラック幅を規制することを特徴とするものである。
したがって、本発明によれば、磁性薄膜の上下にレーザ
ビームに対する反射率の高い非磁性膜を配し、このうち
磁性薄膜の上層に形成された第１非磁性膜をトラック幅
と略等しくなるように残存形成し、この第１非磁性膜を
トラック幅規制のためのマスクとしてレーザビームを照
射することにより、トラック幅を規制しているので、ト
ラック形成部分の磁性薄膜は上記第１非磁性膜によりレ
ーザビームから保護されるとともに、上記レーザ光線の
揺らぎやフォーカスの乱れ等に影響されることなく、高
精度なトラック加工が可能となる。
ビームに対する反射率の高い非磁性膜を配し、このうち
磁性薄膜の上層に形成された第１非磁性膜をトラック幅
と略等しくなるように残存形成し、この第１非磁性膜を
トラック幅規制のためのマスクとしてレーザビームを照
射することにより、トラック幅を規制しているので、ト
ラック形成部分の磁性薄膜は上記第１非磁性膜によりレ
ーザビームから保護されるとともに、上記レーザ光線の
揺らぎやフォーカスの乱れ等に影響されることなく、高
精度なトラック加工が可能となる。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。なお、本実施例では、コイル導体が１ターンの薄
膜磁気ヘッドを例に挙げて説明するが、このコイル導体
は、ヘリカル型やスパイラル型等、如何なる巻線構造で
あっても良い。
する。なお、本実施例では、コイル導体が１ターンの薄
膜磁気ヘッドを例に挙げて説明するが、このコイル導体
は、ヘリカル型やスパイラル型等、如何なる巻線構造で
あっても良い。
まず、第１図（Ａ）及び第１図（Ｂ）に示すように、例
えばＭ ｎ −Ｚ ｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェ
ライト等で形成される基板、あるいはセラミック等の非
磁性材上にＦｅ−Ｎｔ系合金（パーマロイ）やＦｅ−Ａ
Ｎ−５ｉ系合金（センダスト）等を積層した複合基板等
の下部磁性基板（１）上に５ｉ０２やＡｌ２Ｏ２等より
なる第１絶縁膜（２）をスパッタリング等により被着形
成する。なお、上記下部磁性基板（１）としてＮｉ−Ｚ
ｎ系フェライトを用いた場合には、基板ｆｉｌ自身の絶
縁抵抗が大きいので、上記第１絶縁膜（２）を形成しな
くても良い。
えばＭ ｎ −Ｚ ｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェ
ライト等で形成される基板、あるいはセラミック等の非
磁性材上にＦｅ−Ｎｔ系合金（パーマロイ）やＦｅ−Ａ
Ｎ−５ｉ系合金（センダスト）等を積層した複合基板等
の下部磁性基板（１）上に５ｉ０２やＡｌ２Ｏ２等より
なる第１絶縁膜（２）をスパッタリング等により被着形
成する。なお、上記下部磁性基板（１）としてＮｉ−Ｚ
ｎ系フェライトを用いた場合には、基板ｆｉｌ自身の絶
縁抵抗が大きいので、上記第１絶縁膜（２）を形成しな
くても良い。
次に、上記基板（１）の上面全体にＣｕあるいはＡＥ等
をスパッタリング等で形成し、第２図（Ａ）及び第２図
（Ｂ）に示すように、フォトエツチング技術等により所
定形状にパターニングしてコイル導体（３）を形成し、
さらに、この上に第２絶縁膜（４）を被着形成する。な
お、第２図（Ｂ）において、上記第２絶縁膜（４）は省
略しである。
をスパッタリング等で形成し、第２図（Ａ）及び第２図
（Ｂ）に示すように、フォトエツチング技術等により所
定形状にパターニングしてコイル導体（３）を形成し、
さらに、この上に第２絶縁膜（４）を被着形成する。な
お、第２図（Ｂ）において、上記第２絶縁膜（４）は省
略しである。
次いで、第３図（Ａ）及び第３図（Ｂ）に示すように、
上記基板（１）上に形成されたコイル導体（３）の接続
端子部（３ａ） 、 （３ａ）以外の部分にマスクスパ
ッタリングの手法で第２非磁性ｉｌＩ！（７１を膜厚２
〜３μｍ程度形成する。この第２非磁性膜（７）の材料
としては、レーザビームに対する反射率が高く、かつ非
磁性体のものが使用され、例えばＣｕ等が挙げられる。
上記基板（１）上に形成されたコイル導体（３）の接続
端子部（３ａ） 、 （３ａ）以外の部分にマスクスパ
ッタリングの手法で第２非磁性ｉｌＩ！（７１を膜厚２
〜３μｍ程度形成する。この第２非磁性膜（７）の材料
としては、レーザビームに対する反射率が高く、かつ非
磁性体のものが使用され、例えばＣｕ等が挙げられる。
続いて、上記第２非磁性膜（７）上に第３絶縁膜（８）
を膜付けし、バンクギャップ部となる部分をエツチング
により取り除いた後、上記第３絶縁膜（８）上にマスク
スパッタリングの手法を用いてセンダストやパーマロイ
等の上部磁性ｌｌ１Ｉ！（９）を被着形成する。
を膜付けし、バンクギャップ部となる部分をエツチング
により取り除いた後、上記第３絶縁膜（８）上にマスク
スパッタリングの手法を用いてセンダストやパーマロイ
等の上部磁性ｌｌ１Ｉ！（９）を被着形成する。
なお、第３図以下の図面ではバックギャップ部は省略す
る。
る。
以上で、下部磁性基板（１）と上部磁性膜（９）で磁路
が形成され、磁気ヘッドとして作動するように構成され
る。
が形成され、磁気ヘッドとして作動するように構成され
る。
次に、以上で得られた基板（１）上に、例えば５ｉ０２
等よりなる保護膜αΦを形成した後、この基板（１）に
対して真空アニール装置内でアニール処理を施す。この
透磁率μを確保するためのアニール処理は、６５０℃以
下の温度で処理する必要があり、６５０℃を越えて処理
すると、磁路を形成する下部磁性基板（１）及び上部磁
性膜（９）の抗磁力ＨｃｆＪ＜増加し、ヘッドとしての
磁気特性が劣化してしまう虞れがある。なお、このアニ
ール処理は、後述の第１非磁性膜αυを形成後に行って
も良い。
等よりなる保護膜αΦを形成した後、この基板（１）に
対して真空アニール装置内でアニール処理を施す。この
透磁率μを確保するためのアニール処理は、６５０℃以
下の温度で処理する必要があり、６５０℃を越えて処理
すると、磁路を形成する下部磁性基板（１）及び上部磁
性膜（９）の抗磁力ＨｃｆＪ＜増加し、ヘッドとしての
磁気特性が劣化してしまう虞れがある。なお、このアニ
ール処理は、後述の第１非磁性膜αυを形成後に行って
も良い。
・ さらに、上記上部磁性膜（９）上にＣｕ等よりなる
非磁性膜を膜厚２〜３μｍ程度にマスクスパッタリング
にて膜付けした後、第４図（Ａ）及び第４図（Ｂ）に示
すように、所望のトラック幅と略等しくなるように上記
非磁性膜が残存する如くエツチングを施し、第１非磁性
膜αＤを形成する。この第１非磁性膜αυの材料は上述
した第２非磁性膜（７）と同じで良い。
非磁性膜を膜厚２〜３μｍ程度にマスクスパッタリング
にて膜付けした後、第４図（Ａ）及び第４図（Ｂ）に示
すように、所望のトラック幅と略等しくなるように上記
非磁性膜が残存する如くエツチングを施し、第１非磁性
膜αＤを形成する。この第１非磁性膜αυの材料は上述
した第２非磁性膜（７）と同じで良い。
次いで、第５図（Ａ）及び第５図（Ｂ）に示すように、
上記基板（１）の第１非磁性膜Ｑｌｌ側より、第１非磁
性膜αＤ上及びその周辺に対して、ＹＡＧ等のレーザビ
ームＬを照射する。このレーザビームしは、上記第１非
磁性膜αυが形成されていない部分の保護ＩＩ＊０ω、
上部磁性膜（９）及び第３絶縁膜（８）を分断し、第２
非磁性膜（７）で反射される。したがって、上記第１非
磁性膜０υに保護された上部磁性薄膜（９）で所望のト
ラック幅Ｔｗを有するトラックが形成されるとともに、
第２非磁性膜（７）より下層部分はレーザビームＬから
保護される。なお、本実施例において、レーザビームし
には単一モードレーザで出力３．３〜３．５Ｗのものを
使用し、不活性ガスと活性ガスの混合雰囲気中で照射し
た。また、ビームスポットは直径５０〜６０μｍとして
照射した。この場合、エツチング速度は１分間当たり１
００ｍｍとなり、従来のレーザビーム加工の４〜５倍程
度まで高めることができた。
上記基板（１）の第１非磁性膜Ｑｌｌ側より、第１非磁
性膜αＤ上及びその周辺に対して、ＹＡＧ等のレーザビ
ームＬを照射する。このレーザビームしは、上記第１非
磁性膜αυが形成されていない部分の保護ＩＩ＊０ω、
上部磁性膜（９）及び第３絶縁膜（８）を分断し、第２
非磁性膜（７）で反射される。したがって、上記第１非
磁性膜０υに保護された上部磁性薄膜（９）で所望のト
ラック幅Ｔｗを有するトラックが形成されるとともに、
第２非磁性膜（７）より下層部分はレーザビームＬから
保護される。なお、本実施例において、レーザビームし
には単一モードレーザで出力３．３〜３．５Ｗのものを
使用し、不活性ガスと活性ガスの混合雰囲気中で照射し
た。また、ビームスポットは直径５０〜６０μｍとして
照射した。この場合、エツチング速度は１分間当たり１
００ｍｍとなり、従来のレーザビーム加工の４〜５倍程
度まで高めることができた。
したがって、上部磁性膜（９）のエツチングにおいて、
レーザビームＬの照射ビームが揺らいだり、あるいは上
部磁性膜（９）の段差部でフォーカスが乱れたりしても
、トラック部分の上部磁性ｐＪ ＋９１は第１非磁性Ｍ
Ｗ（１Ｂによって上記レーザビームから保護され、規定
のトラック幅Ｔｗとなるように精度良く加工される。本
実施例において、トラック幅ＴＷの誤差は±２μｍ以下
に抑えることができた。
レーザビームＬの照射ビームが揺らいだり、あるいは上
部磁性膜（９）の段差部でフォーカスが乱れたりしても
、トラック部分の上部磁性ｐＪ ＋９１は第１非磁性Ｍ
Ｗ（１Ｂによって上記レーザビームから保護され、規定
のトラック幅Ｔｗとなるように精度良く加工される。本
実施例において、トラック幅ＴＷの誤差は±２μｍ以下
に抑えることができた。
また、トラック形成部分の上部磁性膜（９）が第１非磁
性膜αυで保護されるので、レーザビームとしてビーム
径の大きなものも使用でき、従ってガウシアン分布の良
好な部分を選択的に照射して、安定な加工を施すことが
可能となる。
性膜αυで保護されるので、レーザビームとしてビーム
径の大きなものも使用でき、従ってガウシアン分布の良
好な部分を選択的に照射して、安定な加工を施すことが
可能となる。
また、従来のエツチング方法によるトラック加工には煩
雑な工程が必要であったが、本実施例の方法によれば、
この加工の工程を大幅に削減でき製造時間や製造コスト
の低減が図れる。
雑な工程が必要であったが、本実施例の方法によれば、
この加工の工程を大幅に削減でき製造時間や製造コスト
の低減が図れる。
最後に、上記第１非磁性膜αυを湿式エツチング等の手
法で取り除いた後、上記保護膜ａｌｌｌｌ上にガラス等
の接合用無機接着材（２）を溶融充填し、平坦化し、さ
らに摩耗対策としてセラミック等の非磁性材よりなる保
護板α蕩を上記接着材αシに融着接合して第６図に示す
薄膜磁気ヘッドを完成する。なお、上述の第１非磁性膜
αＢの除去工程を容易に行うために、第１非磁性膜ａυ
の形成工程の直前、すなわち保護膜αΦ上にフォトレジ
ストを塗布・乾燥して離型性に優れたレジスト層を形成
し、この上に第１非磁性膜αυを形成しても良い。ある
いは、上記第１非磁性膜ｏｎを取り除かず、残存した状
態で接着材Ｑ２）及び保護板Ｑｍを形成しても、ヘッド
の特性には同等影響のないことはいうまでもない。
法で取り除いた後、上記保護膜ａｌｌｌｌ上にガラス等
の接合用無機接着材（２）を溶融充填し、平坦化し、さ
らに摩耗対策としてセラミック等の非磁性材よりなる保
護板α蕩を上記接着材αシに融着接合して第６図に示す
薄膜磁気ヘッドを完成する。なお、上述の第１非磁性膜
αＢの除去工程を容易に行うために、第１非磁性膜ａυ
の形成工程の直前、すなわち保護膜αΦ上にフォトレジ
ストを塗布・乾燥して離型性に優れたレジスト層を形成
し、この上に第１非磁性膜αυを形成しても良い。ある
いは、上記第１非磁性膜ｏｎを取り除かず、残存した状
態で接着材Ｑ２）及び保護板Ｑｍを形成しても、ヘッド
の特性には同等影響のないことはいうまでもない。
なお、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく
、例えば、先の実施例の第１非磁性膜αυの形成工程に
おいて、保護ＭＩＩＱＱＩ上に非磁性膜をマスクスパッ
タリングにて膜付けした後、第７図（Ａ）及び第７図（
Ｂ）に示すように、フォトエツチング技術を用いて上記
非磁性膜をバターニングして第１非磁性膜α船を形成し
ても良い。この非磁性膜α旬のパターニングにおいて、
第７図中Ｔｗ’は所望のトラック幅Ｔｗと略等しく残存
し、エツチング幅ｌは隣接トラック間のクロストーク等
を考慮して設定することができる。以上のヘッドチップ
に対して、レーザビームを照射し、トラック幅加工を施
しても良い。
、例えば、先の実施例の第１非磁性膜αυの形成工程に
おいて、保護ＭＩＩＱＱＩ上に非磁性膜をマスクスパッ
タリングにて膜付けした後、第７図（Ａ）及び第７図（
Ｂ）に示すように、フォトエツチング技術を用いて上記
非磁性膜をバターニングして第１非磁性膜α船を形成し
ても良い。この非磁性膜α旬のパターニングにおいて、
第７図中Ｔｗ’は所望のトラック幅Ｔｗと略等しく残存
し、エツチング幅ｌは隣接トラック間のクロストーク等
を考慮して設定することができる。以上のヘッドチップ
に対して、レーザビームを照射し、トラック幅加工を施
しても良い。
以上の説明からも明らかなように、本発明によれば、上
部磁性膜（磁性膜１ｊｌ）の上下にレーザビームに対す
る反射率の高い非磁性膜を配し、このうち磁性薄膜の上
層に形成された第１非磁性膜をトラック幅と略等しくな
るように残存形成し、この第１非磁性膜をトラック幅規
制のためのマスクとしてレーザビームを照射することに
よりトラック幅を規制しているので、トラック形成部分
の上部磁性膜は上記第１非磁性膜で保護され、レーザビ
ームの揺らぎやフォーカスの乱れ等に影響されることな
く精度良（上部磁性膜をエツチングすることができ、高
精度なトラック加工が可能となる。
部磁性膜（磁性膜１ｊｌ）の上下にレーザビームに対す
る反射率の高い非磁性膜を配し、このうち磁性薄膜の上
層に形成された第１非磁性膜をトラック幅と略等しくな
るように残存形成し、この第１非磁性膜をトラック幅規
制のためのマスクとしてレーザビームを照射することに
よりトラック幅を規制しているので、トラック形成部分
の上部磁性膜は上記第１非磁性膜で保護され、レーザビ
ームの揺らぎやフォーカスの乱れ等に影響されることな
く精度良（上部磁性膜をエツチングすることができ、高
精度なトラック加工が可能となる。
また、レーザビームのビーム径の大きなものを使用して
上部磁性膜のエツチングを行っても良いので、レーザビ
ームのガウシアン分布の良好な部分を選択して使用でき
、安定なトラック加工が可能となる。
上部磁性膜のエツチングを行っても良いので、レーザビ
ームのガウシアン分布の良好な部分を選択して使用でき
、安定なトラック加工が可能となる。
第１図ないし第６図は本発明の薄膜磁気ヘッドの製法の
一例をその工程順序に従って示すものであり、第１図（
Ａ）は第１絶縁膜被着工程を示す概略的な斜視図、第１
図（Ｂ）は第１図（Ａ）のａ−ａ線における断面図、第
２図（Ａ）はコイル導体形成工程を示す概略的な斜視図
、第２図（Ｂ）は第２図（Ａ）のｂ−ｂ線における断面
図、第３図（Ａ）は上部磁性１５！ （磁性薄膜）被着
工程を示す概略的な斜視図、第３図（Ｂ）は第３図（Ａ
）のｃ−ｃ線における断面図、第４図（Ａ）は第 ６１
非磁性膜の形成工程を示す概略的な斜視図、第４図（Ｂ
）は第４図（Ａ）のｄ−ｄ線における断面図、第５図（
Ａ）は上部磁性膜のバターニング概略的な斜視図、第５
図（Ｂ）は第５図（Ａ）のｅ−ｅ線における断面図、第
６図は保護板の融着工程を示す断面図である。第７図は
本発明の他の例を示すもので、第７図（Ａ）は第１非磁
性膜の形成工程を示す概略的な斜視図、第７図（Ｂ）は
第７図（Ａ＞のｆ−ｒ線における断面図である。 １・・・下部磁性基板（基板） ３・・・コイル導体 ７・・・第２非磁性膜 ９・・・上部磁性膜（磁性薄膜） １１・・第１非磁性膜 Ｌ・・・レーザビーム
一例をその工程順序に従って示すものであり、第１図（
Ａ）は第１絶縁膜被着工程を示す概略的な斜視図、第１
図（Ｂ）は第１図（Ａ）のａ−ａ線における断面図、第
２図（Ａ）はコイル導体形成工程を示す概略的な斜視図
、第２図（Ｂ）は第２図（Ａ）のｂ−ｂ線における断面
図、第３図（Ａ）は上部磁性１５！ （磁性薄膜）被着
工程を示す概略的な斜視図、第３図（Ｂ）は第３図（Ａ
）のｃ−ｃ線における断面図、第４図（Ａ）は第 ６１
非磁性膜の形成工程を示す概略的な斜視図、第４図（Ｂ
）は第４図（Ａ）のｄ−ｄ線における断面図、第５図（
Ａ）は上部磁性膜のバターニング概略的な斜視図、第５
図（Ｂ）は第５図（Ａ）のｅ−ｅ線における断面図、第
６図は保護板の融着工程を示す断面図である。第７図は
本発明の他の例を示すもので、第７図（Ａ）は第１非磁
性膜の形成工程を示す概略的な斜視図、第７図（Ｂ）は
第７図（Ａ＞のｆ−ｒ線における断面図である。 １・・・下部磁性基板（基板） ３・・・コイル導体 ７・・・第２非磁性膜 ９・・・上部磁性膜（磁性薄膜） １１・・第１非磁性膜 Ｌ・・・レーザビーム
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上にコイル導体及び磁性薄膜を形成した薄膜磁気ヘ
ッドの製法において、 前記磁性薄膜の上下に各々反射率の高い第１非磁性膜及
び第２非磁性膜を配し、前記第１非磁性膜をトラック幅
と略等しくするとともに、 レーザビームを照射することにより、前記磁性薄膜のト
ラック幅を規制することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの
製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11749985A JPS61276108A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 薄膜磁気ヘツドの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11749985A JPS61276108A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 薄膜磁気ヘツドの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61276108A true JPS61276108A (ja) | 1986-12-06 |
| JPH0582649B2 JPH0582649B2 (ja) | 1993-11-19 |
Family
ID=14713249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11749985A Granted JPS61276108A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 薄膜磁気ヘツドの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61276108A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0256938A2 (en) * | 1986-08-08 | 1988-02-24 | Quantum Corporation | Lithographic technique using laser for fabrication of electronic components and the like |
| US5221422A (en) * | 1988-06-06 | 1993-06-22 | Digital Equipment Corporation | Lithographic technique using laser scanning for fabrication of electronic components and the like |
-
1985
- 1985-05-30 JP JP11749985A patent/JPS61276108A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0256938A2 (en) * | 1986-08-08 | 1988-02-24 | Quantum Corporation | Lithographic technique using laser for fabrication of electronic components and the like |
| US5221422A (en) * | 1988-06-06 | 1993-06-22 | Digital Equipment Corporation | Lithographic technique using laser scanning for fabrication of electronic components and the like |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582649B2 (ja) | 1993-11-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |