JPH0432008A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH0432008A JPH0432008A JP13876090A JP13876090A JPH0432008A JP H0432008 A JPH0432008 A JP H0432008A JP 13876090 A JP13876090 A JP 13876090A JP 13876090 A JP13876090 A JP 13876090A JP H0432008 A JPH0432008 A JP H0432008A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は高周波信号を効率良く記録、再生するのに好適
な磁気ヘッドに関する。
な磁気ヘッドに関する。
(ロ)従来の技術
従来、VTR等の高周波信号を記録再生する装置におい
ては、ビデオヘッド用磁性材料として高周波損失の少な
いフェライト材料が用いられている。しかし、近年にな
って高品位V T RやデジタルVTRのように更に広
帯域の信号を取り扱うシステムの開発が盛んになってき
ており、記録媒体もこのような大量の情報を記録するた
めの高密度化の流れの中で酸化鉄系から合金粉末媒体や
金属蒸着媒体等の高抗磁力媒体へ移行しつつある。これ
に対してフェライトヘッドではその最大磁束密度が高々
5000ガウス程度であり、又短波長信号を効率良く再
生する為には狭ギャップにする必要があり、上述のよう
な保磁力Hcが10000e以上の高抗磁力媒体ではギ
ャップ先端部のフェライトコアが飽和し、十分な記録が
出来ない。そこで最大磁束密度の高いセンダストやアモ
ルファス磁性合金等の金属磁性材料を用いた磁気ヘッド
の開発が行われている。
ては、ビデオヘッド用磁性材料として高周波損失の少な
いフェライト材料が用いられている。しかし、近年にな
って高品位V T RやデジタルVTRのように更に広
帯域の信号を取り扱うシステムの開発が盛んになってき
ており、記録媒体もこのような大量の情報を記録するた
めの高密度化の流れの中で酸化鉄系から合金粉末媒体や
金属蒸着媒体等の高抗磁力媒体へ移行しつつある。これ
に対してフェライトヘッドではその最大磁束密度が高々
5000ガウス程度であり、又短波長信号を効率良く再
生する為には狭ギャップにする必要があり、上述のよう
な保磁力Hcが10000e以上の高抗磁力媒体ではギ
ャップ先端部のフェライトコアが飽和し、十分な記録が
出来ない。そこで最大磁束密度の高いセンダストやアモ
ルファス磁性合金等の金属磁性材料を用いた磁気ヘッド
の開発が行われている。
従来、個のような欠点を解消するため、例えば特開昭6
2−33309号公報(G11B5.′147)等に開
示されているような高周波用積層型磁気へ/ドが提案さ
れている。
2−33309号公報(G11B5.′147)等に開
示されているような高周波用積層型磁気へ/ドが提案さ
れている。
この磁気へンドは、第7図に示すように非磁性基板(1
)(] ’)間にセンダスト等の強磁性金属薄膜(2)
と510 r等の絶縁薄膜(3)との積層薄膜(4)が
被着形成されている一対の第]、第2コア半体(5a)
(5b)の前記積層薄膜(4)(4)の端面同士を磁気
ギャップgとなる非磁性材料を介して衝き合わすことに
より形成されている。前記一対の第1、第2コア半体(
5a)(5b)のうち一方の第1コア半体(5a)には
巻線溝(8)が形成されており、該巻線溝(8)には巻
線(9)が巻回されている。前記磁気ギャップgのギャ
ップ長は前記非磁性材料の厚みにより決定し、トラック
幅は積層薄膜(4)(4)の厚みにより決定する。
)(] ’)間にセンダスト等の強磁性金属薄膜(2)
と510 r等の絶縁薄膜(3)との積層薄膜(4)が
被着形成されている一対の第]、第2コア半体(5a)
(5b)の前記積層薄膜(4)(4)の端面同士を磁気
ギャップgとなる非磁性材料を介して衝き合わすことに
より形成されている。前記一対の第1、第2コア半体(
5a)(5b)のうち一方の第1コア半体(5a)には
巻線溝(8)が形成されており、該巻線溝(8)には巻
線(9)が巻回されている。前記磁気ギャップgのギャ
ップ長は前記非磁性材料の厚みにより決定し、トラック
幅は積層薄膜(4)(4)の厚みにより決定する。
しかし乍ら、上記従来の磁気へンドでは、第1、第2コ
ア半体(5a)(5b)の積層薄膜(4)(4)の端面
同士を正確に衝き合わせることが困難であり、磁気ギャ
ップgのトラック幅を高精度に規定することは困難であ
る。
ア半体(5a)(5b)の積層薄膜(4)(4)の端面
同士を正確に衝き合わせることが困難であり、磁気ギャ
ップgのトラック幅を高精度に規定することは困難であ
る。
(ハ)発明が解決しようとする課題
本発明は上記従来例の欠点に鑑み為されたものであり、
第1、第2コア半体の衝き合わせのズレにより磁気ギャ
ップのトラック幅の精度が低下するのを防止した磁気ヘ
ッドを提供することを目的とするものである。
第1、第2コア半体の衝き合わせのズレにより磁気ギャ
ップのトラック幅の精度が低下するのを防止した磁気ヘ
ッドを提供することを目的とするものである。
(ニ)課題を解決するための手段
本発明の磁気ヘッドは、−肘の非磁性基板間に第1の強
磁性金属薄膜と絶縁薄膜とよりなる積層薄膜が形成され
た一対の第1、第2コア半体を有し、前記第1コア半体
のギャップ形成側の端面のうち、前記積層薄膜の端面に
は第2の強磁性金属薄膜、非磁性薄膜及び第3の強磁性
金属薄膜が順に被着形成されており、前記第1、第2コ
ア半体は前記第3の強磁性金属薄膜が前記第2コア半体
の積層薄膜の端面に衝き合わされた状態で前記第2、第
3の強磁性金属薄膜及び前記非磁性薄膜の両側に設けら
れた非磁性の接着材により接合固定され、前記非磁性薄
膜により磁気ギャップを形成したことを特徴とする。
磁性金属薄膜と絶縁薄膜とよりなる積層薄膜が形成され
た一対の第1、第2コア半体を有し、前記第1コア半体
のギャップ形成側の端面のうち、前記積層薄膜の端面に
は第2の強磁性金属薄膜、非磁性薄膜及び第3の強磁性
金属薄膜が順に被着形成されており、前記第1、第2コ
ア半体は前記第3の強磁性金属薄膜が前記第2コア半体
の積層薄膜の端面に衝き合わされた状態で前記第2、第
3の強磁性金属薄膜及び前記非磁性薄膜の両側に設けら
れた非磁性の接着材により接合固定され、前記非磁性薄
膜により磁気ギャップを形成したことを特徴とする。
(ホ)作 用
上記構成に依れば、磁気ギャップのトラック幅は第2、
第3の強磁性金属薄膜の間に形成された非磁性薄膜の幅
により正確に規定さjする。
第3の強磁性金属薄膜の間に形成された非磁性薄膜の幅
により正確に規定さjする。
(へ)実施例
以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を詳細に説明
する。
する。
第1図は本実施例の磁気ヘッドの外観を示す斜視図であ
る。図中、(]0a)(]Ob)は第1、第2コア事体
であり、第2コア半体(10b)のギヤノブ形成側の端
面には巻線溝01)が形成されている。前記第1コア半
体(10a)は、結晶化ガラス、非磁性セラミック等よ
りなる非磁性基板(])上にセンダスト等の第1の強磁
性金属薄膜(2)と5i02等の絶縁薄膜(3)との積
層薄膜(4)が被着形成されており、該積層薄膜(4)
上には第1のガラス層(]2)により非磁性基板(1゛
)が接合固定されている。前記第1コア半体(10a)
のギャップ形成側の端面のうち前記積層薄膜(4)の端
面(13)全域と前記非磁性基板(1)(1’)の端面
(14)(14’)のうち媒体摺接側と後方側とを除く
部分には、センダスト等よりなる第2の強磁性金属薄膜
(15)が被着形成されており、該第2の強磁性金属薄
膜(15)−ヒには、Sin、等よりなる非磁性薄膜(
16)が被着形成されている。前記非磁性薄膜(16)
上のうち前記第2コア半体(10b)の巻線溝(11)
に対向する部分以外にはセンダスト等よりなる第3の強
磁性金属薄膜(17)が被着形成されている。また、前
記第1コア半体(]Oa)のギヤノブ形成側の端面のう
ち前記第2の強磁性金属薄膜(15)が形成されていな
い部分、即ち前記非磁性基板(1)(1’)の端面(1
4)(14’)のうち媒体摺接側と後方側には、前記第
1のガラス層(12)よりも低融点の第2のガラス層(
18)が被着形成されている。
る。図中、(]0a)(]Ob)は第1、第2コア事体
であり、第2コア半体(10b)のギヤノブ形成側の端
面には巻線溝01)が形成されている。前記第1コア半
体(10a)は、結晶化ガラス、非磁性セラミック等よ
りなる非磁性基板(])上にセンダスト等の第1の強磁
性金属薄膜(2)と5i02等の絶縁薄膜(3)との積
層薄膜(4)が被着形成されており、該積層薄膜(4)
上には第1のガラス層(]2)により非磁性基板(1゛
)が接合固定されている。前記第1コア半体(10a)
のギャップ形成側の端面のうち前記積層薄膜(4)の端
面(13)全域と前記非磁性基板(1)(1’)の端面
(14)(14’)のうち媒体摺接側と後方側とを除く
部分には、センダスト等よりなる第2の強磁性金属薄膜
(15)が被着形成されており、該第2の強磁性金属薄
膜(15)−ヒには、Sin、等よりなる非磁性薄膜(
16)が被着形成されている。前記非磁性薄膜(16)
上のうち前記第2コア半体(10b)の巻線溝(11)
に対向する部分以外にはセンダスト等よりなる第3の強
磁性金属薄膜(17)が被着形成されている。また、前
記第1コア半体(]Oa)のギヤノブ形成側の端面のう
ち前記第2の強磁性金属薄膜(15)が形成されていな
い部分、即ち前記非磁性基板(1)(1’)の端面(1
4)(14’)のうち媒体摺接側と後方側には、前記第
1のガラス層(12)よりも低融点の第2のガラス層(
18)が被着形成されている。
前記第2コア半体(10b)は第1コア半体(10a)
と同様に非磁性基板(1)上に第1の強磁性金属薄膜(
2)と絶縁薄膜(3)との積層薄膜(4)が被着形成さ
れており、該積層薄膜(4)上には第1のガラス(】2
)により非磁性基板(1′)が接合固定されている。
と同様に非磁性基板(1)上に第1の強磁性金属薄膜(
2)と絶縁薄膜(3)との積層薄膜(4)が被着形成さ
れており、該積層薄膜(4)上には第1のガラス(】2
)により非磁性基板(1′)が接合固定されている。
前記第1コア半体(10a)と第2コア半体(10b)
とは、前記第3の強磁性金属薄膜(]7)の上面が前記
第2コア半体(10b)の積層薄膜(4)の端面(19
)に衝き合わされ、前記第2のガラス層(18)の上面
が前記第2コア半体(1(lb)の非磁性基板(1)(
]’)の端面(20)(20’)に衝き合わされた状態
で前記第2のガラス層(]8)を接着層として接合固定
されている。尚、(21)は巻線である。この磁気へノ
ドでは、前記第2、第3の強磁性金属薄膜(15)(I
T)の間に形成された非磁性薄膜(16)により磁気ギ
ヤングgが形成され、該磁気ギヤングgのギ瀞ツブ長は
前記非磁性薄膜(]6)の膜厚に等しく、トラ・ツク幅
は前記非磁性薄膜(16)の幅に等しい。
とは、前記第3の強磁性金属薄膜(]7)の上面が前記
第2コア半体(10b)の積層薄膜(4)の端面(19
)に衝き合わされ、前記第2のガラス層(18)の上面
が前記第2コア半体(1(lb)の非磁性基板(1)(
]’)の端面(20)(20’)に衝き合わされた状態
で前記第2のガラス層(]8)を接着層として接合固定
されている。尚、(21)は巻線である。この磁気へノ
ドでは、前記第2、第3の強磁性金属薄膜(15)(I
T)の間に形成された非磁性薄膜(16)により磁気ギ
ヤングgが形成され、該磁気ギヤングgのギ瀞ツブ長は
前記非磁性薄膜(]6)の膜厚に等しく、トラ・ツク幅
は前記非磁性薄膜(16)の幅に等しい。
次に、本実施例の磁気ヘッドの製造方法について説明す
る。
る。
先ず、第2図に示すように非磁性基板(])の上面に第
1の強磁性金属薄膜(2)及び絶縁薄膜(3)よりなる
積層薄膜(4)をスパッタリング等により被着形成した
後、該積層薄膜(4)上に第1のガラス1(12)をス
クリーン印刷等に塗布形成して積層基板(22)を複数
形成し、次いで前記積層基板(22)を積み重ねる。尚
、この時、最上部には積層薄膜(4)が形成されていな
い非磁性基板(1)を載置する。
1の強磁性金属薄膜(2)及び絶縁薄膜(3)よりなる
積層薄膜(4)をスパッタリング等により被着形成した
後、該積層薄膜(4)上に第1のガラス1(12)をス
クリーン印刷等に塗布形成して積層基板(22)を複数
形成し、次いで前記積層基板(22)を積み重ねる。尚
、この時、最上部には積層薄膜(4)が形成されていな
い非磁性基板(1)を載置する。
次に、前記第1のガラス層(12)を加熱により溶融固
化して前記複数の積層基板(22)を接合固定した後、
この接合体を一点鎖線A−A’に沿って切断して第1、
第2のコア半体ブロックを形成した後、第3図に示すよ
うに第1のコア半体ブロック(虫)の切断面、即ち積層
薄膜(4)の端面(13)が露出しているギャップ形成
側の端面(24)上に第2の強磁性金属薄膜(15)、
非磁性薄膜(16)、第3の強磁性金属薄膜(]7)を
順にスパッタリング等により被着形成する。
化して前記複数の積層基板(22)を接合固定した後、
この接合体を一点鎖線A−A’に沿って切断して第1、
第2のコア半体ブロックを形成した後、第3図に示すよ
うに第1のコア半体ブロック(虫)の切断面、即ち積層
薄膜(4)の端面(13)が露出しているギャップ形成
側の端面(24)上に第2の強磁性金属薄膜(15)、
非磁性薄膜(16)、第3の強磁性金属薄膜(]7)を
順にスパッタリング等により被着形成する。
次に、第4図に示すように前述の行程で形成された第2
、第3の強磁性金属薄膜(15)(17)、非磁性薄膜
(16)のうち、後の工程で巻線溝(11)に対向する
部分の第3の強磁性金属薄膜(17)と、非磁性基板(
])の端面(14)上の媒体摺接側と後方側の部分の第
2、第3の強磁性金属薄膜(]5)(17)及び非磁性
薄膜(16)をエツチングにより除去する。
、第3の強磁性金属薄膜(15)(17)、非磁性薄膜
(16)のうち、後の工程で巻線溝(11)に対向する
部分の第3の強磁性金属薄膜(17)と、非磁性基板(
])の端面(14)上の媒体摺接側と後方側の部分の第
2、第3の強磁性金属薄膜(]5)(17)及び非磁性
薄膜(16)をエツチングにより除去する。
次に、第5図に示すように、前述の行程で第2、第3の
強磁性金属薄膜(15)(17)及び非磁性薄膜(16
)を除去した部分に第2のガラス層(18)をスパッタ
リング等により被着形成した後、前記第1のコア半体ブ
ロック(23a)の第2の強磁性金属薄膜(15)の上
面と、巻線溝(11)が形成された第2のコア半体ブロ
ック(23b)の積層薄膜(4)の端面(19)とが対
向するように前記第1のコア半体ブロック(23a)と
前記第2のコア半体ブロック(23b)とを衝き合わせ
る。そして前記第2のガラス層(J8)を加熱により溶
融固化することにより第6図に示すように前記第1、第
2のコア半体ブロック(23a)(23b)を接合固定
してコアブロック(25)を形成する。
強磁性金属薄膜(15)(17)及び非磁性薄膜(16
)を除去した部分に第2のガラス層(18)をスパッタ
リング等により被着形成した後、前記第1のコア半体ブ
ロック(23a)の第2の強磁性金属薄膜(15)の上
面と、巻線溝(11)が形成された第2のコア半体ブロ
ック(23b)の積層薄膜(4)の端面(19)とが対
向するように前記第1のコア半体ブロック(23a)と
前記第2のコア半体ブロック(23b)とを衝き合わせ
る。そして前記第2のガラス層(J8)を加熱により溶
融固化することにより第6図に示すように前記第1、第
2のコア半体ブロック(23a)(23b)を接合固定
してコアブロック(25)を形成する。
以後は、周知の如く前記コアブロック(25)を非磁性
基板(1)の部分で一点鎖線B−B’に沿って切断して
ヘッドチップを形成し、該へ・ノドチップにR付加工等
の外形加工を行い、巻線(21)を施すことにより第1
図に示す本実施例の磁気へノドが完成する。
基板(1)の部分で一点鎖線B−B’に沿って切断して
ヘッドチップを形成し、該へ・ノドチップにR付加工等
の外形加工を行い、巻線(21)を施すことにより第1
図に示す本実施例の磁気へノドが完成する。
上述のような本実施例の磁気ヘッドでは、磁気ギャップ
gの)・ラック幅は前記第2、第3の強磁性金属薄膜(
15)(17)に形成されている非磁性薄膜(16)の
幅によって規定されるため、第1、第2コア半体(10
a)(10b)の衝き合わせに位置ズレが生じても磁気
ギャップgのトラック幅は所望の値に規定される。しか
も、本実施例の製造方法では、前記非磁性薄膜(16)
の幅、即ち、前記磁気ギャップgのトラック幅は第4図
における工・/チング工程により正確に規定することが
出来る。
gの)・ラック幅は前記第2、第3の強磁性金属薄膜(
15)(17)に形成されている非磁性薄膜(16)の
幅によって規定されるため、第1、第2コア半体(10
a)(10b)の衝き合わせに位置ズレが生じても磁気
ギャップgのトラック幅は所望の値に規定される。しか
も、本実施例の製造方法では、前記非磁性薄膜(16)
の幅、即ち、前記磁気ギャップgのトラック幅は第4図
における工・/チング工程により正確に規定することが
出来る。
(ト)発明の効果
本発明に依れば、磁気ギャップのトランク幅の精度が向
上した磁気ヘッドを提供し得る。
上した磁気ヘッドを提供し得る。
第1図乃至第6図は本発明に係り、第1図は磁気ヘッド
の外観を示す斜視図、第2図、第3図、第4図、第5図
及び第6図は夫々磁気ヘッドの製遣方法を示す斜視図で
ある。第7図は従来の磁気ヘッドの外観を示す斜視図で
ある。 (1)(1°)・・・非磁性基板、(2)・・・第1の
強磁性金属薄膜、(3)・・・絶縁薄膜、(4)・・・
積層薄膜、(10a)・・・第1のコア半体、(10b
)・・第2のコア半体、(]3)・・・端面、(15)
・・第2の強磁性金属薄膜、(16)・・・非磁性薄膜
、(]7)・・・第3の強磁性金属薄膜、(20)・・
・端面、g・・・磁気ギャップ。
の外観を示す斜視図、第2図、第3図、第4図、第5図
及び第6図は夫々磁気ヘッドの製遣方法を示す斜視図で
ある。第7図は従来の磁気ヘッドの外観を示す斜視図で
ある。 (1)(1°)・・・非磁性基板、(2)・・・第1の
強磁性金属薄膜、(3)・・・絶縁薄膜、(4)・・・
積層薄膜、(10a)・・・第1のコア半体、(10b
)・・第2のコア半体、(]3)・・・端面、(15)
・・第2の強磁性金属薄膜、(16)・・・非磁性薄膜
、(]7)・・・第3の強磁性金属薄膜、(20)・・
・端面、g・・・磁気ギャップ。
Claims (1)
- (1)一対の非磁性基板間に第1の強磁性金属薄膜と絶
縁薄膜とよりなる積層薄膜が形成された一対の第1、第
2コア半体を有し、前記第1コア半体のギャップ形成側
の端面のうち、前記積層薄膜の端面には第2の強磁性金
属薄膜、非磁性薄膜及び第3の強磁性金属薄膜が順に被
着形成されており、前記第1、第2コア半体は前記第3
の強磁性金属薄膜が前記第2コア半体の積層薄膜の端面
に衝き合わされた状態で前記第2、第3の強磁性金属薄
膜及び前記非磁性薄膜の両側に設けられた非磁性の接着
材により接合固定され、前記非磁性薄膜により磁気ギャ
ップを形成したことを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13876090A JPH0432008A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13876090A JPH0432008A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0432008A true JPH0432008A (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=15229545
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13876090A Pending JPH0432008A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0432008A (ja) |
-
1990
- 1990-05-28 JP JP13876090A patent/JPH0432008A/ja active Pending
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