JPH0346108A - 磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は高周波信号を効率良く記録、再生するのに好適
な磁気ヘッドに関する。

（ロ）従来の技術 従来、ＶＴＲ等の高周波信号を記録再生する装置におい
ては、ビデオヘッド用磁性材料として高周波損失の少な
いフェライト材料が用いられている。しかし、近午にな
って高品位ＶＴＲやデジタルＶＴＲのように更に広帯域
の信号を取り扱うシステムの開発が盛んになってきてお
り、記録媒体もこのような大量の情報を記録する為の高
密度化の流れの中で酸化鉄系から合金粉末媒体や金属蒸
着媒体等の高抗磁力媒体へ移行しつつある。これに対し
てフェライトヘッドではその最大磁束密度が高々５００
０ガウス程度であり、ス短波長信号を効率良く再生する
為には狭ギャップにする必要があり、上述のような保磁
力Ｈｃが１００００ｅ以上の高抗磁力媒体ではギャップ
先端部のフェライトコアが飽和し、十分な記録が出来な
い。そこで最大磁束密度の高いセンダストやアモルファ
ス磁性合金等の金属磁性材料を用いた磁気ヘッドの開発
が行われている。

従来、このような欠点を解消するため、例えば特開昭６
２−３３３０９号公報（Ｇ１１Ｂ５／１４７）等に開示
されているような高周波用積層型磁気ヘッドが提案され
ている。

この磁気ヘッドは、第８図に示すように非磁性基板（１
）（１）’　間にセンダスト等の強磁性金属薄膜（２）
とＳｉｎ、等の絶縁薄膜（３）との積層薄膜（４）が被
着形成されている一対の第１、第２コア半体（５ａ）（
５ｂ）の前記積層薄膜（４）（４）の端面同士を磁気ギ
ャップ（６）となる非磁性材料（７）を介して衝き合わ
すことにより形成されている。前記−対の第１１第２コ
ア半体（５ａ）（５ｂ）のうち一方の第１コア半体（５
ａ）には巻線溝（８）が形成されており、該巻線溝（８
）には巻線（９）が巻回されている。前記磁気ギャップ
（６）のギャップ長は前記非磁性材料（７）の厚みによ
り決定し、トラック幅は積層薄膜（４）（４）の端面同
士が衝き合わされている部分の厚みにより決定する。

しかし乍ら、上記従来の磁気ヘッドでは、第１、第２コ
ア半体（５ａ）（５ｂ）の積層薄膜（４）（４）の端面
同士を正確に衝き合わせることが困難であり、磁気ギャ
ップ（６）のトラック幅を高精度に規定することは困難
である。また、上述の磁気ヘッドでは、第１コア半体（
５ａ〉での磁束は矢印（イ）に示すように巻線溝（８）
の周りを大きく方向を変えながら流れるのに対し、第２
コア半体（５ｂ）での磁束は矢印（口〉に示すように略
一方向に流れる。即ち、前記第１、第２コア半体（５ａ
）（５ｂ）で磁束の流れ方は異なり、前記積層薄膜（４
）を構成する強磁性金属薄膜（２）は磁気異方性の関係
上、両方の磁束の流れに十分に対応することが出来ず、
記録再生特性が劣化する。

（ハ）発明が解決しようとする課題 本発明は上記従来例の欠点に鑑み為されたものであり、
第１、第２コア半体の衝き合わせのズレにより磁気ギャ
ップのトラック幅の精度が低下するのを防止した磁気ヘ
ッドを提供することを目的とするものである。

また、本発明は磁束が巻線溝の周りを効率良く流れる磁
気ヘッドを提供することを目的とするものである。

（ニ）課題を解決するための手段 本発明の磁気ヘッドは、一対の非磁性基板間に第１の強
磁性金属薄膜と絶縁薄膜とよりなり厚みが磁気ギャップ
の所望のトラック幅に等しい積層薄膜が被着形成され、
ギャップ形成面上に前記積層薄膜の端面が露出している
第１コア半体と、非磁性体のギャップ形成面上に幅が前
記積層薄膜の厚みより大きい第２の強磁性金属薄膜が被
着形成されている第２コア半体とから威り、前記第１コ
ア半体の積層薄膜の端面と前記第２コア半体の第２の強
磁性金属薄膜とを磁気ギャップとなる非磁性材料を介し
て衝き合わせたことを特徴とする更に、本発明の磁気ヘ
ッドは、前記第１、第２コア半体のうち第１コア半体に
のみ巻線溝を形成し、前記第１の強磁性金属薄膜を面内
異方性のない磁性材料で形成し、前記第２の強磁性金属
薄膜を磁気異方性を有する磁性材料で形成し、前記第２
の強磁性金属薄膜の磁化困難軸を前記磁気ギヤングのギ
ャップ深さ方向に向けたことを特徴とする。

また、本発明は第１の強磁性金属薄膜が被着形成されて
いる第１コア半体と、第２の強磁性金属薄膜が被着形成
されている第２コア半体とを有し、前記第１、第２の強
磁性金属薄膜同士を磁気ギャップとなる非磁性材料を介
して衝き合わせてなる磁気ヘッドにおいて、前記第１、
第２コア半体のうち第１コア半体にのみ巻線溝を形成し
、前記第１の強磁性金属薄膜を面内異方性のない磁性材
料で形成し、前記第２の強磁性金属薄膜を磁気異方性を
有する磁性材料で形成し、前記第２の強磁性金属薄膜の
磁化困ｌ！軸を前記磁気ギーツプのギャップ深さ方向に
向けたことを特徴とする。

（ホ）作用 一ヒ記構成の磁気ヘッドに依れば、第１コア半体と第２
コア半体の衝き合わせに多少のズレが生じても、前記第
１コア半体の積層薄膜の端面ば、その全幅において非磁
性材料を介して前記第２コア半体の第２の強磁性金属薄
膜に衝き合わされ、前記積層薄膜の端面の幅が磁気ギャ
ップのトラック幅となる。

また、上記溝底の磁気ヘッドに依れば、磁束の向きが変
化する第１コア半体では、磁束はどの向きにおいても略
均等の効率で流れ、磁束の向きがほとんどギャップ深さ
方向である第２コア半体では、磁束は高周波領域におい
て磁束が流れ易い磁化困難軸方向にのみ流れる。

（へ）実施例 以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を詳細に説明
する。

第１図は本実施例の磁気ヘッドの外観を示す斜視図であ
る。

第１図中、　（１０ａ）（１０ｂ）は第１、第２７ア半
体であり、そのうち一方の第１コア半体（１０ａ）は結
晶化ガラス、非磁性セラミック等によりなる非磁性基板
（１１）上の一部分にセンダスト等の面内異方性のない
第１の強磁性金属薄膜（１２）とＳｉｎ、等の絶縁薄膜
（１３）との積層薄膜（１４）及び５ｉＯｙ等の絶縁薄
膜（１５）が被着形成されている。前記積層薄膜（］４
）の膜厚は磁気ギャップ（１６）の所望のトラック幅に
等しく、その上方には高融点ガラス等の接着層により結
晶化ガラス、非磁性セラミ・・ｌり等よりなる非磁性基
板（１１°　）が接合されている。前記積層薄膜（１４
）は前記非磁性基板（１１）（１１’　）間のうちギャ
ップ形成側であり、且つ媒体摺接面側である領域に位置
しており、それ以外の領域には絶縁薄膜（１５）が位置
している。前記第１コア半体（１０ａ）のギャップ形成
面には非磁性基板（１１）、積層薄膜（１４）及び非磁
性基板（１１”）を通る巻線溝（１８）が形成されてい
る。前記第】コア半体（１０ａ）の媒体摺接面（２０）
のギャップ形成面側及びギャップ形成面の媒体摺接面側
には積層薄膜（１４）の端面が露出している。

また前記第２コア半体（１０ｂ）は、結晶化ガラス、非
磁性セラミック等よりなり前記第１コア半体（１０ａ）
と厚みが等しい非磁性体（２１）のギャップ形成側端面
にＣｏＺｒＮｂ等のＣＯ系非晶質材料等よりなる磁気異
方性を有する第２の強磁性金属薄膜（２２）が被着形成
されており、該第２の強磁性金属薄膜（２２）上には厚
さが磁気ギャップ（１６）の所望のギャップ長に等しい
ガラス層（非磁性材料）（１７）が被着形成されている
。

前記第１．第２コア半体（１０ａ）（１０ｂ）は、巻線
溝（１８）が形成されたギャップ形成面とガラス層（］
７）とが衝き合わされた状態で接合されており、この接
合は前記ガラス層（１７）の溶融固化により為されてい
る。前記ガラス層（１７）は磁気ギャップ（１６）とし
て作用し、該磁気ギャップ（１６）のギヤ・ツブ長は前
記ガラス層（１７）の厚みに等しく、トラック幅は積層
薄膜（１４）の膜厚に等しい。

次に、上記実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方法について
説明する。

先ず、第２図に示すように結晶化ガラス、非磁性セラミ
ック等によりなる非磁性基板（１１）上の所定部分にセ
ンダスト等よりなる面内異方性のない第１の強磁性金属
薄膜（１２）とＳｉｎ、等よりなる絶縁薄膜（１３）と
の積層薄膜（１４）を被着形成する。

前記積層薄膜（１４）の膜厚は磁気ヘッド完戒体の磁気
ギャップの所望のトラック幅に等しい。例えば５μｍ厚
の強磁性金属薄膜（１２）が０１μｍ厚の絶縁薄膜（１
３）により絶縁分離されている４層構造の積層薄膜（１
４）では、その膜厚、即ち所望のトラック幅は２０．３
μｍとなる。尚、前記積層薄膜（１４）は、非磁性基板
（１１）上全面に所望のトランク幅に等しい膜厚の積層
薄膜をスパソタリング等により被着した後、該積層薄膜
にイオンビームミＪング等のドライエツチングを施して
パターニングすることにより形成される。

次に、第３図に示すように前記非磁性基板（１１）上全
域に前記積層薄膜（１４）を覆うようにＳｉＯ！等の絶
縁薄膜（１５）を被着形成し、該絶縁薄膜（１５）の上
面（１５ａ）をエツチングにより平坦にする。

次に、第３図に示す基板の絶縁薄膜（１５）の上面全域
にスパッタリング等によりガラス薄膜（図示せず）を形
成した後、第４図に示すようにこの基板（１１）を複数
枚積み重ね、前記ガラス薄膜を加熱により溶融固化して
前記複数の基板を接合し積層基板（２３）を形成する。

次に、前記積層基板用）の積層薄膜（１４）が形成され
ていない部分を、積層薄膜（１４）の積層方向（積層基
板用）の積層方向）に−点鎖線Ａ−Ａ’に沿って切断す
ることにより、複数の第１のコアブロックを形成した後
、第５図に示すように前記第１のコアブロック突）の積
層薄膜（１４）が露出しているギャップ形成面（２５）
の積層薄膜（１４）露出部分に、前記積層薄膜（１４）
の積層方向に沿って巻線溝（１８）を形成する。前記ギ
ャップ形成面（２５）に露出している前記積層薄膜（１
４）の端面は巻線溝（１８）によりフロント部（１４ａ
）とバック部（１４ｂ）に分断される。

一方、第６図に示すように結晶化ガラス、非磁性セラミ
ック等よりなり、前記第１のコアブロック突）に相当す
る大きさの長方体状の非磁性体（２１）の上面、即ちギ
ャップ形成面上にＣｏＺ　ｒＮｂ系のＣｏ系非晶質材料
等よりなる磁気異方性を有する第２の強磁性金属薄膜（
２２）を５μｍ厚スパンタリング等により被着して第２
のコアブロック侘６）を形成する。次いで、前記第２の
強磁性金属薄膜（２２）に回転磁場中で熱処理を施した
後、前記第２のコアブロック坐）の長手方向（第１のコ
アブロック出）の積層薄膜（１４）の積層方向に相当）
に磁界をかけた状態で熱処理を施すことにより前記第２
のコアプロｌり坐）の長手方向を前記第２の強磁性金属
薄膜（２２）の磁化容易軸方向とする。これにより、前
記第２の強磁性金属薄膜〈２２）の磁気ヘッド完威体に
おける磁気ギャップのギャップ深さ方向が磁化困難軸方
向となる。

次に、前記第２のコアブロック傷）の第２の強磁性金属
薄膜（２２）上に所定の膜厚のガラス薄膜（図示せず）
をスパッタリング等により被着した後、第７図に示すよ
うに前記第１のコアブロック史）のギャップ形成面（２
５）と前記第２のコアブロック坐）の前記ガラス薄膜と
を衝き合わせ、該ガラス薄膜を加熱により溶融固化して
前記第１、第２のコアブロック」）棗）を接合しヘッド
ブロックＩ）を形成する。

そして最後に、前記ヘッドブロック生）を−点鎖線Ｂ−
Ｂ’　に沿って切断して複数のへットチップを形成し、
該ヘッドチップに媒体摺接面のＲ付加上等の外形加工を
行った後、巻線溝（１８〉を通して巻線（１９〉を巻回
することにより第１図に示す本実施例の磁気ヘッドが完
成する。

上述のような磁気ヘッドでは、第１コア半体（１０ａ）
の積層薄膜（１４）の膜厚、即ちギャップ形成面に露出
している積層薄膜（１４）の端面の幅は磁気ギャップ（
１６）の所望のトラック幅に等しく、第２コア半体（１
０ｂ）の第２の強磁性金属薄膜（２２）のギャップ衝き
合わせ部の幅は磁気ギャップ（１６）の所望のトラック
幅よりも大きいため、第１、第２コア半体（１０ａ）（
１０ｂ）の衝き合わせ位置にズレが生じても、磁気ギャ
ップ（１６）は前記積層薄膜（１４）の端面に形成され
るため、前記磁気ギャップ（１６）のトラック幅は常に
前記積層薄膜（１４）の膜厚により正確に規定される。

また、上述の磁気ヘッドでは、第１コア半体（ｌＯａ）
の積層薄膜（１４）をＦＩＩｔ威する第１の強磁性金属
薄膜（１２）は面内異方性のないセンダストにより形成
され、第２コア半体（１０ｂ）の第２の強磁性金属薄膜
（２２）は磁気異方性を有するＣｏ系アモルファス金属
等により形成されており、前記第２の強磁性金属薄膜（
２２）の磁化困難軸が磁気ギャップ（１６）のギャップ
深さ方向に向いているため、第１コア半体（１０ａ）で
は積層薄膜（１４）の第１の強磁性金属薄膜（１２）中
を矢印（）＼）に示すように巻線溝（１８）に沿って向
きを変えながら流れる磁束は、どの向きにおいても比較
的効率良く流れ、第２コア半体（１０ｂ）では、磁束は
矢印（ニ）に示すように磁化困難軸が向いている磁気ギ
ャップ（１６）のギャップ深さ方向に流れ、高周波領域
においては磁束は効率良く流れる。

尚、上述の実施例では接合用のガラス層（１７）により
磁気ギヤング（１６）を形成したが、それ以外にもＳｉ
ｎ、等の非磁性材料で磁気ギャップを形成した磁気へノ
ド等においても、本発明が適用することは言うまでもな
い。

（ト）発明の効果 本発明に依れば、磁気ギャップのトラック幅精度を向上
させた磁気ヘッドを提供し得る。

また、本発明に依れば、巻線溝の周りを磁束が効率良く
流れ、記録、再生特性が向上した磁気ヘッドを提供し得
る。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第７図は本発明に係り、第１図は磁気ヘッド
の外観を示す斜視図、第２図、第３図、第４図、第５図
、第６図及び第７図は夫々磁気ヘッドの製造方法を示す
斜視図である。第８図は従来の磁気へノドの外観を示す
斜視図である。 ＜１０ａ）・・・第１コア半体　（１０ｂ）・・・第２
コア半体（１，１）（１１，）・・非磁性基板　（１２
）・・・第１の強磁性金属薄膜　（１３）・・・絶縁薄
膜　（１４）・・・積層薄膜　（１６）・・・磁気ギャ
ップ　（１７）・・・ガラス層（非磁性材料）（１８）
・・・巻線溝　（２１）・・・非磁性体　（２２）・・
・第２の強磁性金属薄膜

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）一対の非磁性基板間に第１の強磁性金属薄膜と絶
   縁薄膜とよりなり厚みが磁気ギャップの所望のトラック
   幅に等しい積層薄膜が被着形成され、ギャップ形成面上
   に前記積層薄膜の端面が露出している第１コア半体と、
   非磁性体のギャップ形成面上に幅が前記積層薄膜の厚み
   より大きい第２の強磁性金属薄膜が被着形成されている
   第２コア半体とから成り、前記第１コア半体の積層薄膜
   の端面と前記第２コア半体の第２の強磁性金属薄膜とを
   磁気ギャップとなる非磁性材料を介して衝き合わせたこ
   とを特徴とする磁気ヘッド。
2. （２）前記第１、第２コア半体のうち第１コア半体にの
   み巻線溝を形成し、前記第１の強磁性金属薄膜を面内異
   方性のない磁性材料で形成し、前記第２の強磁性金属薄
   膜を磁気異方性を有する磁性材料で形成し、前記第２の
   強磁性金属薄膜の磁化困難軸を前記磁気ギャップのギャ
   ップ深さ方向に向けたことを特徴とする請求項（１）記
   載の磁気ヘッド。
3. （３）第１の強磁性金属薄膜が被着形成されている第１
   コア半体と、第２の強磁性金属薄膜が被着形成されてい
   る第２コア半体とを有し、前記第１、第２の強磁性金属
   薄膜同士を磁気ギャップとなる非磁性材料を介して衝き
   合わせてなる磁気ヘッドにおいて、前記第１、第２コア
   半体のうち第１コア半体にのみ巻線溝を形成し、前記第
   １の強磁性金属薄膜を面内異方性のない磁性材料で形成
   し、前記第２の強磁性金属薄膜を磁気異方性を有する磁
   性材料で形成し、前記第２の強磁性金属薄膜の磁化困難
   軸を前記磁気ギャップのギャップ深さ方向に向けたこと
   を特徴とする磁気ヘッド。