JPH04229407A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH04229407A JPH04229407A JP40820490A JP40820490A JPH04229407A JP H04229407 A JPH04229407 A JP H04229407A JP 40820490 A JP40820490 A JP 40820490A JP 40820490 A JP40820490 A JP 40820490A JP H04229407 A JPH04229407 A JP H04229407A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波信号を効率良く、
記録再生するのに好適な磁気ヘッドに関する。
記録再生するのに好適な磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＶＴＲ等の高周波信号を記録再生
する装置においては、ビデオヘッド用磁性材料として高
周波損失の少ないフェライト材料が用いられている。し
かし、近年になって高品位ＶＴＲやデジタルＶＴＲのよ
うに更に広帯域の信号を取り扱うシステムの開発が盛ん
になってきており、記録媒体もこのような大量の情報を
記録する為の高密度化の流れの中で酸化鉄系から合金粉
末媒体や金属蒸着媒体等の高抗磁力媒体へ移行しつつあ
る。これに対してフェライトヘッドではその最大磁束密
度が高々５０００ガウス程度であり、又短波長信号を効
率よく再生する為には狭ギャップにする必要があり、上
述のような保磁力Ｈｃが１０００Ｏｅ以上の高抗磁力媒
体ではギャップ先端部のフェライトコアが飽和し、十分
な記録が出来ない。そこで最大磁束密度の高いセンダス
トやアモルファス磁性合金等の金属磁性材料を用いた磁
気ヘッドの開発が行われている。
する装置においては、ビデオヘッド用磁性材料として高
周波損失の少ないフェライト材料が用いられている。し
かし、近年になって高品位ＶＴＲやデジタルＶＴＲのよ
うに更に広帯域の信号を取り扱うシステムの開発が盛ん
になってきており、記録媒体もこのような大量の情報を
記録する為の高密度化の流れの中で酸化鉄系から合金粉
末媒体や金属蒸着媒体等の高抗磁力媒体へ移行しつつあ
る。これに対してフェライトヘッドではその最大磁束密
度が高々５０００ガウス程度であり、又短波長信号を効
率よく再生する為には狭ギャップにする必要があり、上
述のような保磁力Ｈｃが１０００Ｏｅ以上の高抗磁力媒
体ではギャップ先端部のフェライトコアが飽和し、十分
な記録が出来ない。そこで最大磁束密度の高いセンダス
トやアモルファス磁性合金等の金属磁性材料を用いた磁
気ヘッドの開発が行われている。
【０００３】従来、このような欠点を解消するため、例
えば特開昭６２−３３３０９号公報（Ｇ１１Ｂ ５／
１４７）等に開示されているような高周波用積層型磁気
ヘッドが提案されている。
えば特開昭６２−３３３０９号公報（Ｇ１１Ｂ ５／
１４７）等に開示されているような高周波用積層型磁気
ヘッドが提案されている。
【０００４】この磁気ヘッドは、図１２に示すように非
磁性基板（１）（１’）間にセンダスト等の強磁性金属
薄膜（２）とＳｉＯ２等の絶縁薄膜（３）との積層薄膜
（４ ）が被着形成されている一対の第１、第２コア半
体（５ａ）（５ｂ）よりなる。前記第１、第２コア半体
（５ａ）（５ｂ）は前記積層薄膜（４）（４）の側端面
同士が磁気ギャップ（６）となる非磁性材料を介して衝
き合わされ、ガラス（７）（７）により接合固定されて
いる。（８）は巻線溝である。前記磁気ギャップ（６）
のトラック幅は前記積層薄膜（４）（４）の厚みにより
決定する。
磁性基板（１）（１’）間にセンダスト等の強磁性金属
薄膜（２）とＳｉＯ２等の絶縁薄膜（３）との積層薄膜
（４ ）が被着形成されている一対の第１、第２コア半
体（５ａ）（５ｂ）よりなる。前記第１、第２コア半体
（５ａ）（５ｂ）は前記積層薄膜（４）（４）の側端面
同士が磁気ギャップ（６）となる非磁性材料を介して衝
き合わされ、ガラス（７）（７）により接合固定されて
いる。（８）は巻線溝である。前記磁気ギャップ（６）
のトラック幅は前記積層薄膜（４）（４）の厚みにより
決定する。
【０００５】上記構造の磁気ヘッドでは、コア材料とし
てフェライト材を使用しない為摺動ノイズは発生しない
。また積層薄膜により磁気コアを形成するため、渦電流
損失による高周波領域における再生効率の低下は生じな
いという長所を有する。
てフェライト材を使用しない為摺動ノイズは発生しない
。また積層薄膜により磁気コアを形成するため、渦電流
損失による高周波領域における再生効率の低下は生じな
いという長所を有する。
【０００６】しかし乍ら、この構造の磁気ヘッドにおい
ても、第１、第２コア半体（５ａ）（５ｂ）の磁路を構
成する積層薄膜（４）（４）の厚みが磁気ギャップ（６
）近傍とそれ以外の部分とで同一であるため、記録時に
おいて磁気ギャップ（６）近傍で磁束の絞り効果が生じ
ず、磁気ギャップ（６）から発生する磁束は弱く、記録
効率が悪い。また、前記積層薄膜（４）の厚みが磁気ギ
ャップ（６）のトラック幅に等しく小さいため、再生時
において磁気抵抗が大きく、再生効率が悪い。
ても、第１、第２コア半体（５ａ）（５ｂ）の磁路を構
成する積層薄膜（４）（４）の厚みが磁気ギャップ（６
）近傍とそれ以外の部分とで同一であるため、記録時に
おいて磁気ギャップ（６）近傍で磁束の絞り効果が生じ
ず、磁気ギャップ（６）から発生する磁束は弱く、記録
効率が悪い。また、前記積層薄膜（４）の厚みが磁気ギ
ャップ（６）のトラック幅に等しく小さいため、再生時
において磁気抵抗が大きく、再生効率が悪い。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来例の
欠点に鑑み為されたものであり、磁気ギャップから発生
する磁束が弱いことによる記録効率の悪化、及び磁気抵
抗が大きいことによる再生効率の悪化を防止した磁気ヘ
ッドを提供することを目的とするものである。
欠点に鑑み為されたものであり、磁気ギャップから発生
する磁束が弱いことによる記録効率の悪化、及び磁気抵
抗が大きいことによる再生効率の悪化を防止した磁気ヘ
ッドを提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は第１、第２コア
半体のうち少なくとも一方のコア半体は第１、第２の非
磁性基板間に磁性薄膜を有し、該磁性薄膜の端面が露出
しているギャップ形成側の端面をギャップスペーサを介
して他方のコア半体のギャップ形成側の端面に衝き合わ
せて磁気ギャップを形成してなる磁気ヘッドにおいて、
前記第１の非磁性基板のギャップ形成側の部分では前記
ギャップ形成側に行く程該第１の非磁性基板が厚くなる
ように傾斜面が形成されており、該傾斜面により前記積
層薄膜のうちギャップ形成側の端面に露出している部分
の厚みＴＧが前記磁気ギャップの トラック幅に等しく
、それ以外の部分の厚みＴａを前記トラック幅よりも大
きく したことを特徴とする。
半体のうち少なくとも一方のコア半体は第１、第２の非
磁性基板間に磁性薄膜を有し、該磁性薄膜の端面が露出
しているギャップ形成側の端面をギャップスペーサを介
して他方のコア半体のギャップ形成側の端面に衝き合わ
せて磁気ギャップを形成してなる磁気ヘッドにおいて、
前記第１の非磁性基板のギャップ形成側の部分では前記
ギャップ形成側に行く程該第１の非磁性基板が厚くなる
ように傾斜面が形成されており、該傾斜面により前記積
層薄膜のうちギャップ形成側の端面に露出している部分
の厚みＴＧが前記磁気ギャップの トラック幅に等しく
、それ以外の部分の厚みＴａを前記トラック幅よりも大
きく したことを特徴とする。
【０００９】
【作用】上記構成に依れば、磁路を構成する磁性薄膜の
うち磁気ギャップ近傍の部分の厚みＴＧが他の部分の厚
みＴａより小さいため磁束の絞り効果が生じ、記録時に
磁気ギャップから発生する磁束は強くなる。ギャップ近
傍以外の積層薄膜の厚みＴａは磁気ギャップのトラック
幅より大きく、磁路断面積が大きくなるため再生時 に
おける磁気抵抗は小さい。
うち磁気ギャップ近傍の部分の厚みＴＧが他の部分の厚
みＴａより小さいため磁束の絞り効果が生じ、記録時に
磁気ギャップから発生する磁束は強くなる。ギャップ近
傍以外の積層薄膜の厚みＴａは磁気ギャップのトラック
幅より大きく、磁路断面積が大きくなるため再生時 に
おける磁気抵抗は小さい。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１１】図１は本実施例の磁気ヘッドの外観を示す
斜視図、図２は磁気ヘッドのテープ摺接面を示す図であ
る。
斜視図、図２は磁気ヘッドのテープ摺接面を示す図であ
る。
【００１２】図中、（７ａ）（７ｂ）は第１、第２コア
半体である。前記第１コア半体（７ａ）は結晶化ガラス
、非磁性セラミック等よりなる第１の非磁性基板（８１
）上にセンダスト等よりなる８．５μｍ厚の強磁性金属
薄膜（９）とＳｉＯ２等より なる０．３μｍ厚の絶縁
薄膜（１０）とよりなる６層構造の積層薄膜（１１）が
被着形成されており、該積層薄膜（１１）上には結晶化
ガラス、非磁性セラミック等よりなる第２の非磁性基板
（８２）が高融点ガラス（図示せず）により接合固定さ
れている。前記第１コア半体（７ａ）の第１、第２の非
磁性基板（８１）（８２）のギャップ形成側の端面には
第１の接合溝（１２）（１２）が形成されており、該接
合溝（１２）（１２）には低融点ガラス（１３）（１３
）が充填されている。前記第１の非磁性基板（８１）の
上面のうちギヤップ形成側の部分ではギャップ形成側の
端面に行く程非磁性基板（８１）が厚くなるように傾斜
面（１４）が形成されており、それ以外の部分では平行
面（１５）が形成されている。前記積層薄膜（１１）の
うちギャップ形成側の端面に露出している部分の厚みＴ
Ｇは平行面（１５）上に形成されている部分の厚みＴａ
より小さく、所望のトラック幅に等しい。
半体である。前記第１コア半体（７ａ）は結晶化ガラス
、非磁性セラミック等よりなる第１の非磁性基板（８１
）上にセンダスト等よりなる８．５μｍ厚の強磁性金属
薄膜（９）とＳｉＯ２等より なる０．３μｍ厚の絶縁
薄膜（１０）とよりなる６層構造の積層薄膜（１１）が
被着形成されており、該積層薄膜（１１）上には結晶化
ガラス、非磁性セラミック等よりなる第２の非磁性基板
（８２）が高融点ガラス（図示せず）により接合固定さ
れている。前記第１コア半体（７ａ）の第１、第２の非
磁性基板（８１）（８２）のギャップ形成側の端面には
第１の接合溝（１２）（１２）が形成されており、該接
合溝（１２）（１２）には低融点ガラス（１３）（１３
）が充填されている。前記第１の非磁性基板（８１）の
上面のうちギヤップ形成側の部分ではギャップ形成側の
端面に行く程非磁性基板（８１）が厚くなるように傾斜
面（１４）が形成されており、それ以外の部分では平行
面（１５）が形成されている。前記積層薄膜（１１）の
うちギャップ形成側の端面に露出している部分の厚みＴ
Ｇは平行面（１５）上に形成されている部分の厚みＴａ
より小さく、所望のトラック幅に等しい。
【００１３】前記第２コア半体（７ｂ）は結晶化ガラス
、非磁性セラミック等よりなる第１の非磁性基板（８１
）上にセンダスト等よりなる８．５μｍ厚の強磁性金属
薄膜（９）とＳｉＯ２等よりなる０．３μｍ厚の絶縁薄
膜（１０）とよりなる６層構 造の積層薄膜（１１）が
被着形成されており、該積層薄膜（１１）上には結晶化
ガラス、非磁性セラミック等よりなる第２の非磁性基板
（８２）が高融点ガラス（図示せず）により接合固定さ
れている。前記第２コア半体（７ｂ）のキャップ形成側
の端面には巻線溝（１６）及び第２の接合溝（１７）が
形成されており、該接合溝（１７）には低融点ガラス（
１３）が充填されている。前記第１の非磁性基板（８１
）の上面のうちギャップ形成側の部分では、ギャップ形
成側の端面に行く程非磁性基板（８１）が厚くなるよう
に傾斜面（１４）か形成されており、それ以外の部分で
は平行面（１５）が形成されている。前記積層薄膜（１
１）のうちギャップ形成側の端面に露出している部分の
厚みＴＧは平行面（１５）上 に形成されている部分の
厚みＴａより小さく、所望のトラック幅に等しい。
、非磁性セラミック等よりなる第１の非磁性基板（８１
）上にセンダスト等よりなる８．５μｍ厚の強磁性金属
薄膜（９）とＳｉＯ２等よりなる０．３μｍ厚の絶縁薄
膜（１０）とよりなる６層構 造の積層薄膜（１１）が
被着形成されており、該積層薄膜（１１）上には結晶化
ガラス、非磁性セラミック等よりなる第２の非磁性基板
（８２）が高融点ガラス（図示せず）により接合固定さ
れている。前記第２コア半体（７ｂ）のキャップ形成側
の端面には巻線溝（１６）及び第２の接合溝（１７）が
形成されており、該接合溝（１７）には低融点ガラス（
１３）が充填されている。前記第１の非磁性基板（８１
）の上面のうちギャップ形成側の部分では、ギャップ形
成側の端面に行く程非磁性基板（８１）が厚くなるよう
に傾斜面（１４）か形成されており、それ以外の部分で
は平行面（１５）が形成されている。前記積層薄膜（１
１）のうちギャップ形成側の端面に露出している部分の
厚みＴＧは平行面（１５）上 に形成されている部分の
厚みＴａより小さく、所望のトラック幅に等しい。
【００１４】前記第１、第２コア半体（７ａ）（７ｂ）
は、ギャップ形成側の端面に露出している厚みＴＧの積
層薄膜（１１）（１１）の端面同士がＳｉＯ２等の非磁
性絶縁材料よりなるギャップスペーサを介して対向する
ように衝き合わされ、前記低融点ガラス（１３）（１３
）（１３）の溶融固化により接合固定されている。前記
積層薄膜（１１）（１１）の衝き合わせ部にはトラック
幅ＴＧの磁気ギヤップ（ １８）が形成されている。ま
た、前記第１、第２コア半体（７ａ）（７ｂ）は第１の
非磁性基板（８１）と第２の非磁性基板（８２）とが対
向するように衝き合わされている。
は、ギャップ形成側の端面に露出している厚みＴＧの積
層薄膜（１１）（１１）の端面同士がＳｉＯ２等の非磁
性絶縁材料よりなるギャップスペーサを介して対向する
ように衝き合わされ、前記低融点ガラス（１３）（１３
）（１３）の溶融固化により接合固定されている。前記
積層薄膜（１１）（１１）の衝き合わせ部にはトラック
幅ＴＧの磁気ギヤップ（ １８）が形成されている。ま
た、前記第１、第２コア半体（７ａ）（７ｂ）は第１の
非磁性基板（８１）と第２の非磁性基板（８２）とが対
向するように衝き合わされている。
【００１５】次に、上記実施例の磁気ヘッドの製造方法
について説明する。先ず、図３に示すように非磁性基板
（８）の上面にコア形成溝（１９）を形成する。前記コ
ア形成溝（１９）は図４に示すように基板上面に対して
平行である平行面（１５）と該平行面（１５）に対して
３０°傾斜している傾斜面（１４）とにより底面が構成
されており、溝幅ａは１．３ｍｍ、溝深さｂは０．０７
８ｍｍ、傾斜面（１４）の高さｃは０．０２６ｍｍであ
る。
について説明する。先ず、図３に示すように非磁性基板
（８）の上面にコア形成溝（１９）を形成する。前記コ
ア形成溝（１９）は図４に示すように基板上面に対して
平行である平行面（１５）と該平行面（１５）に対して
３０°傾斜している傾斜面（１４）とにより底面が構成
されており、溝幅ａは１．３ｍｍ、溝深さｂは０．０７
８ｍｍ、傾斜面（１４）の高さｃは０．０２６ｍｍであ
る。
【００１６】次に、前記非磁性基板（８）の上面に強磁
性金属薄膜（９）及び絶縁薄膜（１０）を交互をスパッ
タリングにより被着して６層構造の積層薄膜（１１）を
形成する。図５は前記傾斜溝（１４）への積層薄膜（１
１）の成膜状態を示す図である。尚、上述のスパッタリ
ングの際のターゲットの方向は、矢印イの方向である。
性金属薄膜（９）及び絶縁薄膜（１０）を交互をスパッ
タリングにより被着して６層構造の積層薄膜（１１）を
形成する。図５は前記傾斜溝（１４）への積層薄膜（１
１）の成膜状態を示す図である。尚、上述のスパッタリ
ングの際のターゲットの方向は、矢印イの方向である。
【００１７】次に図６に示すように前記非磁性基板（８
）の上面を研削して余分な積層薄膜（１１）を除去した
後、その上に高融点ガラス層（２０）を形成する。
）の上面を研削して余分な積層薄膜（１１）を除去した
後、その上に高融点ガラス層（２０）を形成する。
【００１８】次に、図７に示すように図６に示す非磁性
基板（８）を複数枚用意し、該非磁性基板（８）を加熱
加圧することにより前記高融点ガラス層（２０）を溶融
固化して図８に示す積層ブロック（２１）を形成する。 尚、前記積層ブロック（２１）の最上面には非磁性基板
（８’）が接合固定されている。
基板（８）を複数枚用意し、該非磁性基板（８）を加熱
加圧することにより前記高融点ガラス層（２０）を溶融
固化して図８に示す積層ブロック（２１）を形成する。 尚、前記積層ブロック（２１）の最上面には非磁性基板
（８’）が接合固定されている。
【００１９】次に、前記積層ブロック（２１）をコア形
成溝（１９）の両端を通り所定のアジマス角だけ傾いて
いる破線Ａ−Ａ’に沿って切断してコアブロック半体（
２２）を複数個形成する。
成溝（１９）の両端を通り所定のアジマス角だけ傾いて
いる破線Ａ−Ａ’に沿って切断してコアブロック半体（
２２）を複数個形成する。
【００２０】次に、前記コアブロック半体（２２）を一
組用意し、図９（ａ）に示すように一方の第１コアブロ
ック半体（２２ａ）の傾斜面（１４）上に被着している
積層薄膜（１１）の端面が露出しているギャップ形成側
の端面のうち非磁性基板（８）の部分に第１の接合溝（
１２）を形成する。また、図９（ｂ）に示すように他方
の第２コアブロック半体（２２ｂ）の傾斜面（１４）上
に被着している積層薄膜（１１）の端面が露出している
ギャップ形成側の端面に巻線溝（１６）及び第２の接合
溝（１７）を形成する。前記第１、第２コアブロック半
体（２２ａ）（２２ｂ）のギャップ形成側の端面には前
述の溝加工を施した後、鏡面加工を施し、次いでギャッ
プスペーサ（図示せず）を被着形成する。
組用意し、図９（ａ）に示すように一方の第１コアブロ
ック半体（２２ａ）の傾斜面（１４）上に被着している
積層薄膜（１１）の端面が露出しているギャップ形成側
の端面のうち非磁性基板（８）の部分に第１の接合溝（
１２）を形成する。また、図９（ｂ）に示すように他方
の第２コアブロック半体（２２ｂ）の傾斜面（１４）上
に被着している積層薄膜（１１）の端面が露出している
ギャップ形成側の端面に巻線溝（１６）及び第２の接合
溝（１７）を形成する。前記第１、第２コアブロック半
体（２２ａ）（２２ｂ）のギャップ形成側の端面には前
述の溝加工を施した後、鏡面加工を施し、次いでギャッ
プスペーサ（図示せず）を被着形成する。
【００２１】次に、図１０に示すように前記一組の第１
、第２コアブロック半体（２２ａ）（２２ｂ）のギャッ
プ形成側の端面同士を積層薄膜（１１）（１１）の端面
がギャップスペーサを介して対向するように衝き合わせ
、前記第１、第２の接合溝（１２）（１７）に充填した
低融点ガラス（１３）（１３）を加熱、加圧により溶融
固化することにより接合固定してコアブロック（２３）
を形成する。
、第２コアブロック半体（２２ａ）（２２ｂ）のギャッ
プ形成側の端面同士を積層薄膜（１１）（１１）の端面
がギャップスペーサを介して対向するように衝き合わせ
、前記第１、第２の接合溝（１２）（１７）に充填した
低融点ガラス（１３）（１３）を加熱、加圧により溶融
固化することにより接合固定してコアブロック（２３）
を形成する。
【００２２】次に、図１１に示すように前記コアブロッ
ク（２３）の上端面に曲率研磨を施して媒体摺接面（２
４）を形成した後、該コアブロック（２３）を破線Ｂ−
Ｂ’に沿って切断して図１に示す本実施例の磁気ヘッド
が完成する。尚、この切断加工により非磁性基板（８）
は第１、第２の非磁性基板（８１）（８２）に分断され
る。
ク（２３）の上端面に曲率研磨を施して媒体摺接面（２
４）を形成した後、該コアブロック（２３）を破線Ｂ−
Ｂ’に沿って切断して図１に示す本実施例の磁気ヘッド
が完成する。尚、この切断加工により非磁性基板（８）
は第１、第２の非磁性基板（８１）（８２）に分断され
る。
【００２３】上述のような本実施例の磁気ヘッドでは、
磁路を構成する積層薄膜（１１）（１１）は磁気ギャッ
プ（１８）近傍部の厚みＴＧがそれ以外の部分の厚みＴ
ａより小さく、絞り形状をしているため、磁束が絞り込
まれ、磁気ギャップ（１８）近傍の積層薄膜（１１）に
集中するという磁束の絞り効果により記録時に磁気ギャ
ップ（１８）から発生する磁束は強くなり、記録効率が
向上する。また、磁気ギャップ（１８）近傍以外では積
層薄膜（１１）の厚みＴａはトラック幅よりも大 きく
、磁路断面積が大きくなるため、再生時において磁気抵
抗が小さくなり、再生効率が向上する。
磁路を構成する積層薄膜（１１）（１１）は磁気ギャッ
プ（１８）近傍部の厚みＴＧがそれ以外の部分の厚みＴ
ａより小さく、絞り形状をしているため、磁束が絞り込
まれ、磁気ギャップ（１８）近傍の積層薄膜（１１）に
集中するという磁束の絞り効果により記録時に磁気ギャ
ップ（１８）から発生する磁束は強くなり、記録効率が
向上する。また、磁気ギャップ（１８）近傍以外では積
層薄膜（１１）の厚みＴａはトラック幅よりも大 きく
、磁路断面積が大きくなるため、再生時において磁気抵
抗が小さくなり、再生効率が向上する。
【００２４】
【発明の効果】本発明に依れば、磁気ギャップから発生
する磁束が強く、記録効率が向上し、且つ磁気抵抗が小
さく、再生効率が向上した磁気ヘッドを提供し得る。
する磁束が強く、記録効率が向上し、且つ磁気抵抗が小
さく、再生効率が向上した磁気ヘッドを提供し得る。
【図１】磁気ヘッドの外観を示す斜視図である。
【図２】媒体摺接面を示す図である。
【図３】製造方法を示す斜視図である。
【図４】コア形成溝の形状を示す図である。
【図５】積層薄膜の成膜状態を示す図である。
【図６】製造方法を示す斜視図である。
【図７】製造方法を示す斜視図である。
【図８】製造方法を示す斜視図である。
【図９】製造方法を示す斜視図である。
【図１０】製造方法を示す斜視図である。
【図１１】製造方法を示す斜視図である。
【図１２】磁気ヘッドの外観を示す斜視図である。
７ａ 第１コア半体
７ｂ 第２コア半体
８１ 第１の非磁性基板
８２ 第２の非磁性基板
９ 強磁性金属薄膜
１０ 絶縁薄膜
１１ 積層薄膜
１４ 傾斜溝
１８ 磁気ギャップ
Claims (2)
- 【請求項１】 第１、第２コア半体のうち少なくとも
一方のコア半体は第１、第２の非磁性基板間に磁性薄膜
を有し、該磁性薄膜の端面が露出しているギャップ形成
側の端面をギャップスペーサを介して他方のコア半体の
ギャップ形成側の端面に衝き合わせて磁気ギャップを形
成してなる磁気ヘッドにおいて、前記第１の非磁性基板
のギャップ形成側の部分では前記ギャップ形成側に行く
程該第１の非磁性基板が厚くなるように傾斜面が形成さ
れており、該傾斜面により前記積層薄膜のうちギャップ
形成側の端面に露出している部分の厚みＴＧ が前記磁
気ギャップのトラック幅に等しく、それ以外の部分の厚
みＴａ を前記トラック幅よりも大きくしたことを特徴
とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記磁性薄膜が強磁性金属薄膜と
絶縁薄膜との積層薄膜であることを特徴とする請求項１
記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40820490A JPH04229407A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40820490A JPH04229407A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04229407A true JPH04229407A (ja) | 1992-08-18 |
Family
ID=18517692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40820490A Pending JPH04229407A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04229407A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0578234A2 (en) * | 1992-07-08 | 1994-01-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic head and method of manufacturing the same |
-
1990
- 1990-12-27 JP JP40820490A patent/JPH04229407A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0578234A2 (en) * | 1992-07-08 | 1994-01-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic head and method of manufacturing the same |
| EP0578234A3 (ja) * | 1992-07-08 | 1994-02-16 | Sharp Kk | |
| US5691866A (en) * | 1992-07-08 | 1997-11-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic head and method of manufacturing the same |
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