JPH06215315A - 磁気ヘッド - Google Patents

磁気ヘッド

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JPH06215315A
JPH06215315A JP702693A JP702693A JPH06215315A JP H06215315 A JPH06215315 A JP H06215315A JP 702693 A JP702693 A JP 702693A JP 702693 A JP702693 A JP 702693A JP H06215315 A JPH06215315 A JP H06215315A
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JP
Japan
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magnetic
film
gap
films
metal
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Withdrawn
Application number
JP702693A
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English (en)
Inventor
Tadatoshi Hirata
忠敏 平田
Katsumi Sakata
勝美 坂田
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 高周波特性を維持するとともに、磁気ギャッ
プの見かけ上のトラック幅に対する実質的なトラック幅
の減少による記録再生の劣化を防止する。 【構成】 一対の磁気コア半体1,2がギャップ膜3,
4を介して突合わされ、その突合わせ面に磁気ギャップ
gを形成してなる磁気ヘッドにおいて、少なくとも一方
の磁気コア半体1,2が非磁性膜5b,6bを介して金
属磁性薄膜5a,6aを積層してなる積層膜(金属磁性
膜5,6)を有し、その積層膜のうち磁気ギャップ近傍
部のみが金属磁性薄膜5a,6aのみからなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ビデオテープレコーダ
(以下、VTRと称する。)等に搭載される磁気ヘッド
に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、高品位のVTRやデジタルVTR
等のような高密度磁気記録システム開発が盛んになって
きており、磁気記録媒体もこのような大量の情報を記録
するための高密度化の流れの中で、酸化鉄系から合金粉
末を用いた媒体や金属蒸着型の媒体のような高抗磁力磁
気記録媒体へと変りつつある。
【0003】このような状況の中にあって磁気ヘッドと
しては、これら高抗磁力磁気記録媒体に対応するような
高飽和磁束密度を有し周波数特性に優れた磁気ヘッドの
開発が望まれている。例えば、飽和磁束密度の高いセン
ダストやアモルファス磁性合金等の金属磁性材料を用い
た磁気ヘッドの開発が行なわれている。特に、高周波数
領域での渦電流損失を抑制するために、これら高飽和磁
束密度を有する金属磁性材料よりなる薄膜をSiO2
の非磁性膜を介して何層にも積層することが行われてい
る。このように、金属磁性膜を積層膜とすることで、バ
ルク状の金属磁性材料を用いたものに比べ、高周波数領
域における渦電流損失を低減することができる。
【0004】しかし、この種の磁気ヘッドでは、磁気ギ
ャップ部を拡大して示す図10のように、非磁性膜10
1,102を介して膜厚の薄い金属磁性薄膜103,1
04を積層してなる積層膜の磁気ギャップ部における端
面の幅Twが、磁気ギャップgのみかけ上のトラック幅
となる。すなわち、記録再生を行う磁気ギャップgの実
質的なトラック幅Tw´は、積層膜を構成する非磁性膜
101,102の部分では磁化が行われないので、この
非磁性膜101,102の膜厚分だけ見かけ上のトラッ
ク幅が小さくなる。つまり、実質的なトラック幅Tw´
は、Tw−(T 1 +T2 )となる。
【0005】このため、実質上のトラック幅の減少によ
り、記録再生効率が低下するという問題が生じる。ま
た、上記構造の磁気ヘッドで記録された磁気記録媒体を
再生する際、上記非磁性膜101,102に対応する部
分の磁気記録媒体が完全に磁化されないために、トラッ
クずれが起こったり、また、記録再生効率が低下すると
いう問題が生ずる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このような実情に鑑み
て、さらに従来においては、特開平4−61609号公
報に記載されるような磁気ヘッドが提案されている。か
かる磁気ヘッドは、高周波数領域における渦電流損失の
低減を維持しつつ、実質的なトラック幅の減少を防止す
るために、積層膜のギャップ形成面側の端面に、この積
層膜と略直交する方向に非磁性膜が介在されていない別
体の金属磁性膜を形成し、この別体の金属磁性膜によっ
て磁気ギャップのトラック幅を規制するようにしたもの
である。
【0007】ところで、上記積層膜のギャップ形成面側
の端面に別体の金属磁性膜を形成するには、フェライト
よりなるブロックの一主面に形成したトラック幅規制溝
の傾斜面上に積層膜を成膜した後、ブロック全体に金属
磁性膜を被着し、その後積層膜部分上にのみ金属磁性膜
が残存するように、当該金属磁性膜をイオンビームエッ
チングによって取り除く。
【0008】ところが、金属磁性膜の除去をイオンビー
ムエッチングによって行うと、当該金属磁性膜の磁気特
性が劣化する。また、金属磁性膜を必要部分にのみ残存
させるためにパターンニング工程が必要となる他、作業
が面倒になり、また工数が多く時間もかかり製造工程上
具合が悪い。
【0009】そこで本発明は、高周波特性を維持すると
ともに、磁気ギャップの見かけ上のトラック幅に対する
実質的なトラック幅の減少による記録再生の劣化を防止
し、高密度情報を良好に記録再生可能となす高品位で生
産性に優れた磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、一対の磁気コア半体がギャップ膜を介
して突合わされ、その突合わせ面に磁気ギャップを形成
してなる磁気ヘッドにおいて、少なくとも一方の磁気コ
ア半体が非磁性膜を介して金属磁性薄膜を積層してなる
積層膜を有し、その積層膜のうち磁気ギャップ近傍部の
みが金属磁性薄膜のみからなることを特徴とする。
【0011】
【作用】本発明においては、高周波数領域における渦電
流損失の低減を目的として非磁性膜を介して膜厚の薄い
金属磁性薄膜を何層にも積層してなる積層膜のうち、磁
気ギャップ近傍部のみが金属磁性薄膜からなるようにし
ているので、磁気ギャップの見かけ上のトラック幅と実
質的なトラック幅が一致する。したがって、磁気ギャッ
プ部に非磁性膜が存在することによる記録再生効率の低
下やトラックずれが防止される。
【0012】また、本発明においては、磁気ギャップ近
傍部の金属磁性薄膜は、非磁性膜を介して積層される金
属磁性薄膜と一体的に形成されるものであるため、エッ
チング等によって別体として形成されるものと比べ、当
該金属磁性薄膜の磁気特性の劣化が生じず、しかも製造
工程が簡略化される。
【0013】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例の磁
気ヘッドは、図1に示すように、閉磁路を構成する一対
の磁気コア半体1,2が、互いの突合わせ面に被着形成
されるギャップ膜3,4同士を突合わせることにより、
その突合わせ面に記録再生ギャップとして動作する磁気
ギャップgを形成してなっている。
【0014】上記一対の磁気コア半体1,2は、いずれ
も主コアとなる金属磁性膜5,6と、この金属磁性膜
5,6をその膜厚方向より挾み込むセラミックス等の如
き非磁性材料からなる一対の磁気コア基板7,8及び
9,10とによって構成されている。
【0015】上記金属磁性膜5,6は、図2にその拡大
図を示すように、高周波数領域における渦電流損失を回
避する目的で、膜厚の薄い金属磁性薄膜5a,6aをS
iO 2 等からなる非磁性膜5b,6bを介して何層にも
積層した積層膜とされている。特に、この実施例では、
上記磁気ギャップgの見かけ上のトラック幅と実際のト
ラック幅を同一にして記録再生効率の低下を防止するた
めに、磁気ギャップ近傍部を金属磁性薄膜5a,6aの
みによって構成している。すなわち、磁気ギャップ近傍
部には、磁路に関与しない非磁性膜5b,6bを介在さ
せないようにしている。
【0016】この結果、金属磁性薄膜5a,6aと非磁
性膜5b,6bの各膜厚の総膜厚が見かけ上の磁気ギャ
ップgのトラック幅となるが、かかる見かけ上のトラッ
ク幅が実際の磁気ギャップgのトラック幅Twに一致す
る。したがって、磁気ギャップgの見かけ上のトラック
幅に対する実質的なトラック幅の減少が生じず、これに
起因する記録再生効率の低下が起こらない。
【0017】上記金属磁性薄膜5a,6aには、例えば
高飽和磁束密度を有し、且つ軟磁気特性に優れた強磁性
合金材料よりなる膜がいずれも使用でき、結晶質,非結
晶質であるかを問わない。例示するならば、Fe−Al
−Si系合金、Fe−Ni系合金、Fe−Al−Ge系
合金、Fe−Ga−Ge系合金、Fe−Si−Ge系合
金等が挙げられる。さらには、耐蝕性や耐摩耗性等の一
層の向上を図るために、Ti、Cr、Mn、Zr、N
b、Mo、Ta、W、Ru、Os、Rh、Ir、Re、
Ni、Pd、Pt、Hf、V等の少なくとも一種を添加
したものであってよい。
【0018】これら金属磁性薄膜5a,6a及び非磁性
膜5b,6bを形成するには、いずれも膜厚制御性に優
れるスパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティ
ング法、イオンビーム法等に代表される真空薄膜形成技
術が採用される。
【0019】上記のように積層膜とされた金属磁性膜
5,6は、一方の磁気コア基板8,10の一主面に成膜
され、その膜厚方向より他方の磁気コア基板7,9によ
って挾み込まれる。これら磁気コア基板7,8及び9,
10と金属磁性膜5,6とは、例えばガラスをスパッタ
リングしてなる溶着ガラス膜11,12によって接合さ
れる。
【0020】そして、上記溶着ガラス膜11,12によ
って接合一体化された磁気コア半体1,2は、互いの突
合わせ面にそれぞれ被着形成されたAu等からなるギャ
ップ膜3,4を介して、これらAu同士の低温熱拡散接
合によって接合一体化され、その突合わせ面に磁気ギャ
ップgを形成する。なお、一方の磁気コア半体2の突合
わせ面には、上記磁気ギャップgのデプスを規制すると
ともにコイルを巻装するための巻線溝13が形成されて
いる。
【0021】次に、上述の磁気ヘッドを製造する方法に
ついて、その工程順に従って順次説明する。先ず、図3
に示すように、平面長方形状をなす非磁性材よりなる基
板14を複数用意し、これら各基板14の突合わせ面と
なる端面(2ヶ所)を鏡面仕上げする。
【0022】次いで、図4(a),(b)に示すよう
に、鏡面仕上げした各基板14の一主面にセンダスト等
からなる膜厚の薄い金属磁性薄膜15aを、スパッタリ
ング等によってその全面に亘って所望の厚みとなるよう
に成膜する。次に、磁気ギャップに相当する部分を金属
板からなるマスク(図示は省略する。)で覆い、上記金
属磁性薄膜15a上に電気的絶縁性を図るためのSiO
2 よりなる非磁性膜16aをスパッタリングによって成
膜する。
【0023】この結果、磁気ギャップに相当する部分に
は、非磁性膜16aが成膜されないことになる。
【0024】次に、上記マスクを取り除いた後、上記非
磁性膜16aの上に再び金属磁性薄膜15bを成膜す
る。そして、再び磁気ギャップに相当する部分をマスク
で覆い、非磁性膜16bをスパッタリングにより成膜す
る。以後、金属磁性薄膜15a,15b・・・15dと
非磁性膜16a,16b,16cの総膜厚が磁気ギャッ
プgのトラック幅となるまで、上述の作業を繰り返す。
なお、かかる作業は、作成する磁気ヘッドの数に応じて
各磁気ギャップ部分に対してそれぞれ行う。
【0025】この結果、金属磁性薄膜15a,15b・
・・15dと非磁性膜16a,16b,16cとが交互
に積層されてなる積層膜構造の金属磁性膜17が形成さ
れる。なお、この金属磁性膜17の磁気ギャップに相当
する部分は、マスクを介して非磁性膜16a,16b,
16cを成膜しなかったことから、これら非磁性膜16
a,16b,16cの膜厚分だけ他の部分に対して凹み
となる。
【0026】そして、上記金属磁性膜17の上に、これ
ら基板14同士を接合するためのガラスをスパッタリン
グしてなる溶着ガラス膜18を成膜する。
【0027】次に、上記金属磁性膜17が形成された各
基板14を、図5に示すように重ね合わせるとともに、
突合わせ方向から圧力Fを加えた状態で加熱する。この
結果、各基板14に成膜された溶融ガラス膜18が溶け
出し、この溶融ガラス膜18によって各基板14同士が
接合される。
【0028】しかる後、接合一体化された磁気コアブロ
ック19を、図6に示すようにスライサー等によって切
断する。切断に際しては、金属磁性膜17と略直交する
ようにして、マスクで覆った磁気ギャップに相当する部
分の中心位置(同図中線A−Aで示す位置。)と、これ
を挾むその両側の所定コア長さとなる位置(同図中線B
−B及び線C−Cで示す位置。)で切断する。同様に、
各磁気ギャップに相当する部分も切断する。
【0029】この結果、図7に示すように、一対の磁気
コア半体ブロック20,21が作成される。
【0030】次に、図8に示すように、一方の磁気コア
半体ブロック21の磁気ギャップ形成面となる面(突合
わせ面)に巻線溝22を形成する。巻線溝22は、磁気
コア半体ブロック21の長手方向にブロック全体に亘っ
てスライサー等により加工する。次いで、これら磁気コ
ア半体ブロック20,21の突合わせ面をそれぞれ鏡面
仕上げした後、これら突合わせ面にギャップ膜として機
能するAu等よりなる薄膜(図示は省略する。)を成膜
する。
【0031】そして、これら磁気コア半体ブロック2
0,21を、図9に示すように、その突合わせ面に形成
されたギャップ膜同士を突合わせ、これらに所定の圧力
を加えるとともに熱をかける。すると、上記Au同士の
低温熱拡散により上記磁気コア半体ブロック20,21
同士が接合一体化される。
【0032】この結果、各磁気コア半体ブロック20,
21の金属磁性膜17同士の突合わせ面に、記録再生ギ
ャップとして動作する磁気ギャップgが形成される。
【0033】次に、この接合一体化された磁気コア半体
ブロック20,21に対し、図9に示すように、磁気媒
体摺動面となる部分を円筒研磨する。そして、図9中線
D−D及び線E−Eで示す位置でスライサー等によって
切断する。この結果、図1に示す本実施例の磁気ヘッド
が完成する。
【0034】なお、上述の例では、ギャップ接合をAu
同士による低温熱拡散接合によって行ったが、例えば突
合わせ面にSiO2 膜を被着形成して融着ガラスによっ
て接合一体化するようにしてもよい。
【0035】以上、本発明を適用した具体的な実施例に
ついて説明したが、本発明は上述の実施例に限定される
ことなく種々の変更が可能である。例えば、前述の実施
例では、磁気ギャップgを挾んで設けられる磁気コア半
体1,2のいずれもが金属磁性膜5,6を挟んだ構成の
ものとされているが、いずれか一方の磁気コア半体1,
2がフェライト単体よりなる磁気コア或いは金属磁性膜
が単層膜構造でこれを非磁性材料よりなる基板で挾み込
んでなる磁気コアであっても構わない。
【0036】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、磁気ギャップ近傍部のみを金属磁性薄膜
のみで構成し、その他磁路を構成する部分を高周波数領
域における渦電流損失の低減を目的として金属磁性薄膜
と非磁性膜を積層した積層膜構造としているので、磁気
ギャップの見かけ上のトラック幅と実質的なトラック幅
が一致し、記録再生効率の低下やトラックズレを防止す
ることができる。したがって、本発明の磁気ヘッドによ
れば、高密度記録媒体に対しても良好に情報信号を書込
み又は読み出すことができる。
【0037】また、本発明においては、磁気ギャップ近
傍部を金属磁性薄膜のみによって形成するに際して、マ
スクによって磁気ギャップ部を覆い当該磁気ギャップ部
に非磁性膜が成膜されないようにして作成するので、エ
ッチング等によって別体として形成されるものと比べ、
当該金属磁性薄膜の磁気特性の劣化が生じず、しかも製
造工程を簡略化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用した磁気ヘッドの斜視図である。
【図2】本発明を適用した磁気ヘッドの磁気記録媒体摺
動面を拡大して示す平面図である。
【図3】本発明を適用した磁気ヘッドを製造する工程を
順次示すもので、基板作成工程を示す斜視図である。
【図4】本発明を適用した磁気ヘッドを製造する工程を
順次示すもので、(a)は金属磁性膜成膜工程を示す斜
視図であり、(b)はその要部を拡大して示す正面図で
ある。
【図5】本発明を適用した磁気ヘッドを製造する工程を
順次示すもので、磁気コアブロック作成工程を示す斜視
図である。
【図6】本発明を適用した磁気ヘッドを製造する工程を
順次示すもので、磁気コア半体ブロックへの切り出し工
程を示す斜視図である。
【図7】本発明を適用した磁気ヘッドを製造する工程を
順次示すもので、切り出した磁気コア半体ブロックを示
す斜視図である。
【図8】本発明を適用した磁気ヘッドを製造する工程を
順次示すもので、一方の磁気コア半体ブロックに巻線溝
を形成する工程を示す斜視図である。
【図9】本発明を適用した磁気ヘッドを製造する工程を
順次示すもので、磁気コア半体ブロックの接合工程を示
す斜視図である。
【図10】従来の磁気ヘッドの磁気ギャップ部を拡大し
て示す要部拡大平面図である。
【符号の説明】 1,2・・・磁気コア半体 3,4・・・ギャップ膜 5,6・・・金属磁性膜 5a,6a・・・金属磁性薄膜 5b,6b・・・非磁性膜 7,8,9,10・・・磁気コア基板 11,12・・・溶着ガラス膜 13・・・巻線溝

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一対の磁気コア半体がギャップ膜を介し
    て突合わされ、その突合わせ面に磁気ギャップを形成し
    てなる磁気ヘッドにおいて、 少なくとも一方の磁気コア半体が非磁性膜を介して金属
    磁性薄膜を積層してなる積層膜を有し、その積層膜のう
    ち磁気ギャップ近傍部のみが金属磁性薄膜のみからなる
    ことを特徴とする磁気ヘッド。
JP702693A 1993-01-19 1993-01-19 磁気ヘッド Withdrawn JPH06215315A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP702693A JPH06215315A (ja) 1993-01-19 1993-01-19 磁気ヘッド

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JP702693A JPH06215315A (ja) 1993-01-19 1993-01-19 磁気ヘッド

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