JPH0887713A

JPH0887713A - 磁気ヘッドの製造方法

Info

Publication number: JPH0887713A
Application number: JP22300394A
Authority: JP
Inventors: Seiichi Ogata; 誠一小形; Toshinobu Watanabe; 利信渡辺; Takashi Sugano; 丘菅野; Shinji Takahashi; 伸司高橋
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1994-09-19
Filing date: 1994-09-19
Publication date: 1996-04-02

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、磁気ギャップ近傍に歪みや、残留
歪みを生じさせることがなく、高精度など磁気ギャップ
を構成することを可能とし、高い再生特性を有する磁
気ヘッドを製造し得る製造方法の提供を目的とする。【構成】一対の磁気コア半体１、２同士を突き合わせ
て接合一体化し、その突き合わせ面間に磁気ギャップｇ
1を形成してなる磁気ヘッドの製造方法において、一対
の磁気コア半体１、２の突き合わせるに際して、チップ
切断により除去される突出部３２・３２の突き合わせ面
３２ａ・３２ａ間にスペーサ３５を介在させることによ
り、磁気ギャップｇ1の対向面２９に加わる圧力を緩和
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばビデオテープレ
コーダー（ＶＴＲ）やデジタルオーディオテープレコー
ダー（Ｒ−ＤＡＴ）等の高密度記録可能な磁気記録再生
装置に搭載して好適な磁気ヘッドの製造方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】例えば、ビデオテープレコーダーやデジ
タルオーディオテープレコーダー等の磁気記録再生装置
においては、高画質化等を目的として情報信号の短波長
記録化が進められており、これに対応して磁性粉に強磁
性金属粉末を用いた、いわゆるメタルテープや、ベース
フィルム上に強磁性金属材料を直接被着した蒸着テープ
等の高抗磁力磁気記録媒体が使用されるようになってき
ている。

【０００３】一方、これに対処すべく磁気ヘッドの分野
においても研究が進められており、高抗磁力磁気記録媒
体を可能ならしめるため、コア材料に金属磁性材料を用
いるとともに狭トラック化を図った磁気ヘッドが開発さ
れている。

【０００４】このような磁気ヘッドの代表的なものとし
て、非磁性材料よりなる基板で高透磁率かつ高飽和磁束
密度を有する金属磁性膜を挟み込んでなる磁気コア半体
を、突き合わせガラス融着により接合一体化した、いわ
ゆるラミネートタイプの磁気ヘッドが知られている。

【０００５】このようなラミネートタイプの磁気ヘッド
は、上記金属磁性膜の膜厚を制御することで簡単に狭ト
ラック化が図られること、構造的に疑似ギャップが発生
しないこと、さらに、上記ガラス融着等により簡単に製
造できること等種々の利点を有する。

【０００６】そして、磁気ヘッドの分野においては、さ
らなる磁気記録の高密度化に伴い一層良好な再生特性が
求められている。このさらなる磁気記録の高密度化を向
上させるためには、狭いギャップ長のもとで高精度に磁
気ヘッドの磁気ギャップ長さを制御する必要があり、
又、面記録密度を向上させるためには、磁気ヘッドのト
ラック幅を狭くする必要がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な磁気ヘッドの製造方法においては、一対の磁気コア半
体同士を突き合わせて接合一体化するために、磁気ギャ
ップの対向面に磁気ギャップ膜を形成する。そして、そ
の後、ガラス融着等により磁気コア半体同士を接合する
際、ギャップ長精度を維持するためにある一定以上の高
い押圧力を加えながら接合が行われている。

【０００８】しかしながら、高密度磁気記録を行うため
に磁気ヘッドのトラック幅が狭くなると、上記ガラス融
着による接合の際に磁気ギャップ対向面に加わる単位面
積当たりの圧力が高くなってしまい、磁気ヘッドの磁気
ギャップ近傍に歪みが生じる。したがって、その後チッ
プ切断等の製造工程を経て磁気ヘッドが製造されたとき
該磁気ヘッドに上記歪みが残留していて、この影響でコ
ア効率が劣化するという問題を有していた。

【０００９】そこで、本発明は、一対の磁気コア半体同
士を突き合わせて接合一体化し、その突き合わせ面間に
磁気ギャップを形成してなる磁気ヘッドの製造方法にお
いて、上記一対の磁気コア半体の突き合わせるに際し
て、磁気ギャップ近傍に歪みや、残留歪みを生じさせる
ことがなく、高精度など磁気ギャップを構成すること
を可能とし、高い再生特性を有する磁気ヘッドを製造し
得る製造方法の提供を目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記問題
を解決すべく鋭意研究を進めた結果、上記一対の磁気コ
ア半体の突き合わせるに際して、磁気ギャップ対向面に
加わる単位面積当たりの圧力が高くなってしまい、磁気
ヘッドの磁気ギャップ近傍に残留歪みを生じさせること
が再生出力に影響していることを見出し、本発明をなす
に到った。

【００１１】すなわち、本発明に係る磁気ヘッドの製造
方法は、一対の磁気コア半体同士を突き合わせて接合一
体化し、その突き合わせ面間に磁気ギャップを形成して
なる磁気ヘッドの製造方法において、一対の磁気コア半
体の突き合わせるに際して、チップ切断により除去され
る突き合わせ面間にペーサを介在させることを特徴とす
る。

【００１２】上記スペーサは、厚さ５ｎｍ以上で２０ｎ
ｍ以下の薄膜であることを特徴とすることが好ましい。

【００１３】

【作用】本発明に係る磁気ヘッドの製造方法は、スペー
サを磁気ギャップ対向面以外のチップ切断により除去さ
れることとなる突き合わせ面間に介在させるものであ
る。このような位置にスペーサをに介在させることによ
り、接合の際に磁気ギャップ対向面に加わる単位面積当
たりの圧力が緩和され、磁気ヘッドの磁気ギャップ近傍
に歪みを生じさせることがない。

【００１４】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。

【００１５】作製される磁気ヘッドの構成本実施例が対象とする磁気ヘッドは、図１に示すよう
に、金属磁性膜３が膜厚方向より一対の基板１１，１２
により挟み込まれてなる磁気コア半体１と、同様に金属
磁性膜４が膜厚方向より一対の基板１３，１４により挟
み込まれてなる磁気コア半体２が、上記金属磁性膜３，
４を突き合わせるようにして接合一体化されたものであ
る。そして、上記金属磁性膜３，４の突き合わせ面間に
は、ギャップｇ₁（フロントギャップ）と、ギャップｇ
₂（バックギャップ）が形成され、該金属磁性膜３，４
により閉磁路が構成されている。

【００１６】また、上記磁気ヘッドにおいては、一方の
磁気コア半体２の対向面に、その一端によりフロントギ
ャップｇ₁のデプス（深さ）ｄを規制するとともに、図
示しないコイルを巻装するための巻線溝８が設けられて
いる。なお、この巻線溝８と対向する反対側の各側面に
は、コイルの巻装状態を良好なものとなすための巻き線
ガイド溝１８，１９が設けられている。

【００１７】また、上記金属磁性膜３，４は、高周波帯
域での渦電流損失を回避するため、絶縁膜を介して交互
に何層にも積層されている。

【００１８】上記金属磁性膜３、４は、例えば高飽和磁
束密度を有し、かつ、軟磁気特性に優れた強磁性合金材
料が使用できるが、かかる強磁性合金材料としては従来
より公知のものがいずれも使用でき、結晶質であるか、
非結晶質であるかを問わない。

【００１９】例示するならば、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金
（センダスト）、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ｎｉ
系合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｇａ−Ｇｅ系
合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇａ系合
金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇａ−Ｒｕ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ
−Ａｌ系合金等が挙げられる。また、耐蝕性や耐摩耗性
等の一層の向上を図るために、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｒｈ，Ｉｒ，
Ｒｅ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｈｆ，Ｖ等の少なくとも一種
を添加したものであってもよい。また、酸素含有センダ
スト，窒素含有センダスト、酸素含有Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇａ
−Ｒｕ系合金、窒素含有Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇａ−Ｒｕ系合金
等の結晶質磁性膜でも良い。さらには、Ｆｅ系微結晶
膜、Ｃｏ系微結晶膜を用いてもよい。

【００２０】また、強磁性非晶質合金、いわゆるアモル
ファス合金（例えば、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏの１つ以上の元
素とＰ，Ｃ，Ｂ，Ｓｉの１つ以上の元素からなる合金、
またはこれらを主成分としているＡｌ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｓ
ｎ，Ｉｎ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｎｂ等を含んだ合金等のメタル−メタロイド系アモルフ
ァス合金、或いはＣｏ，Ｈｆ，Ｚｒ等の遷移元素や希土
類元素等を主成分とするメタル−メタル系アモルファス
合金）等が挙げられる。

【００２１】これら金属磁性膜３，４の成膜方法として
は、膜厚制御性に優れるスパッタリング法、真空蒸着
法、イオンプレーティング法、イオンビーム法等に代表
される真空薄膜形成技術が採用されている。

【００２２】また、上記基板１１、１２、１３、１４に
は、フェライト材の他、非磁性フェライト、酸化ジルコ
ニウム系セラミック、結晶化ガラス、非磁性酸化鉄系セ
ラミック、ＢａＴｉＯ₃，Ｋ₂ＴｉＯ₃等のチタン酸系
セラミック等が用いられる。

【００２３】上記磁気ヘッドにおいては、基板１１，１
２，１３，１４を用いていることから、磁気ギャップの
トラック幅Ｔｗは、上記金属磁性膜３，４の膜厚によっ
て決定される。なお、磁気記録媒体摺動面には、磁気記
録媒体との当たりを確保するための段差１６，１７が設
けられている。

【００２４】また、この磁気ヘッドは、上記磁気コア半
体１，２同士を融着ガラス２０によって接合一体化され
ている。

【００２５】磁気ヘッドの製造方法先ず、図２に示すように、磁性フェライト材よりなる基
板２１と、これを重ね合わせる基板２２を用意する。そ
して、上記一方の基板２１の主面に鏡面加工を施す。

【００２６】本実施例では、上記基板２１として、単結
晶の磁性フェライト材を用いたが、これに限らず、多結
晶の磁性フェライト材やこれら単結晶と多結晶の接合フ
ェライト材、さらには、非磁性フェライト，ＢａＴｉＯ
₃，Ｋ₂ＴｉＯ₃，結晶化ガラス等の非磁性材等も使用
可能である。

【００２７】また、本実施例に用いた上記単結晶フェラ
イトの結晶面の指数を図２に示す。すなわち、フェライ
ト結晶の切り出しの結晶方位を摺動方向において（１０
０）面が現れるようにした。但し、上記結晶面の指数と
は異なる単結晶フェライト、或いは、接合基板等を用い
てもよい。

【００２８】次に、図２及び図３に示すように、上記基
板２１に絶縁膜２６を介して金属磁性膜２５を積層す
る。

【００２９】ここで、本実施例においては、上記基板２
１上に、ＳｉＯ₂膜２４を形成し、このＳｉＯ₂膜２４
上にマスクスパッタ処理により必要最小限の面積に金属
磁性膜２５を形成する。

【００３０】まず、上記基板２１に金属磁性膜２５を成
膜する前提として、基板２１との付着力向上のための下
地層として５０ｎｍ厚のＳｉＯ₂膜２４を成膜した。こ
こで、成膜される下地層としては、上記ＳｉＯ₂膜２４
の他、Ｔａ₂Ｏ₅等の酸化物膜、Ｓｉ₃Ｎ₄等の窒化物
膜、Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐｔ等の金属膜及びそれらの合
金膜、さらには、それらを組み合わせた積層膜を用いて
も良い。

【００３１】その後、上記ＳｉＯ₂膜２４上にマスクス
パッタを用いて、上述したセンダスト等の金属磁性膜２
５を形成する。この金属磁性膜２５の厚さは、高周波特
性向上のために１層当たりの２〜５μｍとし、目的とす
るトラック幅Ｔｗの１〜３倍程度の膜厚となる様に絶縁
膜２６を介して数層積層する必要がある。なお、この絶
縁膜２６に関しては、０．１〜０．３μｍ厚のＳｉＯ_2,
Ｔａ₂Ｏ₅等の酸化物膜、Ｓｉ₃Ｏ₄等の窒化物膜等を
用いれば良い。本実施例では、トラック幅Ｔｗを５μｍ
とするために一層当たりの金属磁性膜２５の厚さを３μ
ｍとし、絶縁膜２６としての０．２μｍ厚のＳｉＯ_2,膜
２４を介して三層重ね合わせた。

【００３２】次いで、図４及び図５に示すように、上記
金属磁性膜２５の表面と重ね合わせ側の基板２２の表面
にもスパッタリングを用いて０．１〜０．５μｍ厚の低
融点ガラス膜２７を形成する。このガラス膜２７は、上
記基板２１の金属磁性膜２５上の表面か、或いは、金属
磁性膜２５を形成していない重ね合わせ側の基板２２の
表面かの少なくとも一方の表面に形成しても良い。な
お、本実施例では、スパッタリングによって形成された
ガラス膜２８を用いたが、スピンコーティング等によっ
て塗布されたフリットガラスを用いてもよい。

【００３３】また、このガラス膜２７の成膜に際して
は、上記基板２１の金属磁性膜２５と重ね合わせ側の基
板２２のフェライトとの反応防止を目的として、ＳｉＯ
_2,Ｔａ₂Ｏ₅等の酸化物膜、Ｓｉ₃Ｏ₄等の窒化物膜、
Ｃｒ，Ａｌ，ＳｉＰｔ等の金属膜、これらの合金膜、或
いは、それらを組み合わせた積層膜を予めスパッタリン
グ等を用いて形成しておいても良い。本実施例では、
０．１μｍ厚のＣｒ膜２８を上記磁性基板２１の金属磁
性膜２５と重ね合わせ側の基板２２のフェライトとの反
応防止を目的として形成した後に、０．２μｍ厚のＰｂ
系のガラス膜２７をやはりスパッタリングを用いて形成
した。

【００３４】以上のようにして、金属磁性膜２５が積層
された基板２１に重ね合わせ側の基板２２を圧着しなが
ら５００〜７００°Ｃに加熱接合して、図６及び図７に
示すように、接合基板３０を作製する。なお、図７は、
図６の接合基板３０の拡大断面図である。

【００３５】次いで、上記接合基板３０を目的とするア
ジマス角と同角度で切り出す。すなわち、図８に示すよ
うに、上記接合基板３０のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ
線から、図９に示すように、所定の大きさからなる一対
の磁気コア半体ブロック３１，３１を得る。

【００３６】次いで、同図９に示すように、上記一対の
磁気コア半体ブロック３１，３１の不要な部分を平面研
削盤を用いて除去する。すなわち、上記一対の磁気コア
半体ブロック３１，３１の上記切り出し方向に沿って絶
縁膜２６を介して成膜した金属磁性膜２５が現れるまで
基板２１の不要な部分を上記基板２１の前記（１００）
面から平面研削盤を用いて除去する。そして、その後、
巻線溝８とガラス溝１５等を形成する。

【００３７】次いで、図１０に示すように、トラック幅
Ｔｗを規制するトラック幅規制溝３３・３３を機械加工
により上記各磁気コア半体ブロック３１，３１に長手方
向に沿って形成する。このトラック幅規制溝３３・３３
の形成により、磁気ギャップ対向面２９のトラック幅が
規制されるとともに、上記各磁気コア半体ブロック３
１，３１の両端部に突出部３２・３２が長手方向に沿っ
て形成されることとなる。この突出部３２・３２は、一
対の磁気コア半体ブロック３１，３１を突き合わせた場
合に磁気コアの厚み方向となる表面側と裏面側の位置と
なり、チップ切断による除去の対象とされる部分とな
る。

【００３８】なお、ここで、同図１０に示すように、ス
パッタリング等を用いて融着ガラス２０との反応を防止
する防止膜を形成しても良い。この反応防止膜として
は、厚み０．０５μｍ以上のＳｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅等の
酸化物膜Ｓｉ₃Ｎ₄等の窒化物膜、或いは、Ｃｒ，Ａ
ｌ，Ｓｉ，Ｐｔ等の金属膜及びそれらの合金膜及びそれ
らの合金膜、或いは、それらを組み合わせた積層膜を用
いれば良い。本実施例では、トラック幅規制溝２８を形
成した後、０．２μｍ厚のＣｒからなる反応防止膜をス
パッタリングを用いて形成した。

【００３９】そして次に、本実施例においては、図１１
に示すように、スペーサ３５を上記突出部３２・３２の
表面全体に成膜する。すなわち、図１３に示すように、
このスペーサ３５は、フロントギャップｇ₁が構成され
ることとなる磁気ギャップ対向面２９には成膜せず、フ
ロントギャップｇ₁の対向面以外のチップ切断により除
去されると突出部３２の突き合わせ面３２ａに成膜す
る。このような位置にスペーサ３５を成膜させるのは、
フロントギャップｇ₁対向面（磁気ギャップ対向面２
９）に加わる接合の際の圧力を緩和させるためである。

【００４０】また、上記スペーサ３５の厚さは、磁気ギ
ャップの間隔Ｌ１に対応して上記突出部３２・３２に成
膜する。したがって、後述する磁気コア半体１，２の突
き合わせ一体化の際には、磁気ギャップ対向面２９の間
隔Ｌ１よりも突出部３２の突き合わせ面３２ａの間隔Ｌ
２の方が若干大きな状態で突き合わされることとなる。

【００４１】上記スペーサ３５は、本実施例では、Ｓｉ
Ｏ₂膜をスパッタリングを用いて成膜したが、他の酸化
物膜、窒化物膜、金属膜、或いは、それらを組み合わせ
た積層膜を用いても良い。また、膜形成に際しては、上
記スパッタリングに限らず、他の真空蒸着法、イオンプ
レーティング法、イオンビーム法等に代表される真空薄
膜形成技術を採用しても良い。

【００４２】次いで、図１１に示すように、巻線溝８同
士、トラック幅規制３３同士等の位置合わせを行った
後、図１２に示すように、一対の磁気コア半体ブロック
３１，３１同士をガラスを流し込みながら融着ガラス２
０によりギャップ接合を行う。このガラスによる接合に
おいて、磁気ギャップの実質長さが０．２２μｍとなる
ようにして磁気ギャップ対向面全体にギャップ膜３６を
形成した。

【００４３】ここで、本実施例では、上述したように、
スペーサ３５が磁気ギャップの対向面２９以外の磁気コ
ア半体１，２の突き合わせ面３２ａに成膜されているこ
とから図１３に示すように、磁気ギャップ対向面２９の
間隔Ｌ１は、ギャップ膜３６によって決まるのに対し
て、突出部３２の突き合わせ面３２ａの間隔Ｌ２は、ギ
ャップ膜３６とスペーサ３５を合わせた厚さによって決
まり、前記間隔Ｌ１よりも若干大とされる。

【００４４】したがって、後述するガラス融着２０によ
る接合の際に磁気ギャップ対向面に加わる単位面積当た
りの圧力が高くなることはなく、磁気ヘッドの磁気ギャ
ップ近傍に残留歪みが生じるようなことを有効に防止す
ることができる。

【００４５】次いで、巻線溝８の加工、当たり幅加工等
を行った後に、目的とするチップ厚に切断する。すなわ
ち、磁気コアの厚みとなるように磁気コアの表面側と裏
面側をチップ切断し、所定の大きさのヘッドチップとす
る。このチップ切断により磁気コアの表面側と裏面側で
ある上記突出部３２・３２も除去されることにより、上
記スペーサ３５が除去されることになる。

【００４６】その後、磁気記録媒体摺動面には、磁気記
録媒体との当たりを確保するための段差１６，１７を設
ける。また、この切断されたヘッドチップ３４に対して
磁気記録媒体摺動面となる部分を円筒研磨するととも
に、巻線溝８にコイルを確実に巻装するための切り欠き
溝１８，１９を切削加工する。このようにして、磁気ヘ
ッドが図１に示すように完成する。実験結果以上のようにして製造された磁気ヘッドの再生出力に対
してスペーサ３５の厚さがどのように影響するかを実験
した。その結果を図１４に示す。この図１４において従
来の製造方法と同じくスペーサ３５を用いずに作製した
磁気ヘッドの再生出力を０ｄＢとした。なお、この最適
記録電流の測定にあたっては、固定ヘッド方式の電磁変
換特性測定装置を用い相対速度１０ｍ／ｓで行った。ま
た、磁気テープには、市販の８ミリビデオ用の磁気テー
プを用いた。

【００４７】図１４から明らかなように、スペーサ３５
の厚さが５ｎｍ以上から２０ｎｍ以下のときに良好な再
生特性が得られた。すなわち、本実施例により製造され
た磁気ヘッドは、再生出力を０ｄＢとした従来の磁気ヘ
ッドと比較して、約１ｄＢから１．３ｄＢ高いことが分
かる。

【００４８】このように良好な再生特性が得られる理由
は、ガラス融着時の加圧による磁気ギャップ近傍の歪み
がスペーサ３５を上記位置に介在させることによって緩
和されるからである。

【００４９】これに対し、スペーサ３５の厚さが２０ｎ
ｍを越えると、磁気ヘッドの再生出力が徐々に低下して
行く結果となった。スペーサ３５の厚さが２０ｎｍを越
えると再生出力の低下が見られたのは、磁気ギャップ長
いが平行とならず再生損失が生じたことによるものと推
測される。そこで、この原因を磁気ギャップ近傍を走査
型電子顕微鏡で観察して調べた。スペーサ３５の厚さが
２０ｎｍを越えると磁気ギャップ対向面２９での圧力が
不足し、その結果、融着ガラス２０が磁気ギャップ対向
面２９内へ流れ込み、それによる金属磁性膜２５と融着
ガラス２０の反応による磁気ギャップの乱れが見られ
た。

【００５０】以上から明らかなように、磁気ギャップと
なる間隔Ｌを規制するスペーサ３５の厚さは、５ｎｍ以
上から２０ｎｍ以下の範囲が好ましいことが分かる。

【００５１】なお、本実施例では、いわゆるラミネート
タイプの磁気ヘッドについて説明したが、金属磁性薄膜
を磁気ギャップ形成面に平行に成膜した、いわゆるメタ
ル・イン・ギャップタイプの磁気ヘッドにも実験した結
果、上記実施例と同様、良好な再生特性が得られた。

【００５２】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る磁気ヘッドの製造方法は、一対の磁気コア半体
同士を突き合わせて接合一体化し、その突き合わせ面間
に磁気ギャップを形成してなる磁気ヘッドの製造方法に
おいて、上記一対の磁気コア半体の突き合わせるに際し
て、チップ切断により除去される突き合わせ面間にスペ
ーサを介在させているので、ガラス融着による接合の際
に磁気ギャップ対向面に加わる単位面積当たりの圧力が
高くなったとしても、磁気ヘッドの磁気ギャップ近傍に
残留歪みが生じるようなことを有効に防止することがで
きる。したがって、この残留歪みによってコア効率を劣
化されることが防止され、高い再生特性を有する磁気ヘ
ッドの製造方法を提供できるととなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る磁気ヘッドの一実施例を示す斜視
図である。

【図２】上記実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を示す
もので、金属磁性膜が形成される基板と重ね合わせ側の
基板を準備する工程を示す斜視図である。

【図３】上記実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を示す
もので、基板に絶縁膜を介して金属磁性膜を成膜する工
程を示す拡大断面図である。

【図４】上記実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を示す
もので、基板にＣｒ膜とガラス膜を成膜する工程を示す
拡大断面図である。

【図５】上記実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を示す
もので、重ね合わせ側の基板にＣｒ膜とガラス膜を成膜
する工程を示す拡大断面図である。

【図６】上記一実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を示
すもので、基板に重ね合わせ側の基板を重ね合わせて接
合基板を製作する工程を示す斜視図である。

【図７】図６の拡大断面図である。

【図８】上記一実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を示
すもので、基板に重ね合わせ側の基板を重ね合わせた接
合基板にアジマス角を付与して切断する工程を示す斜視
図である。

【図９】上記一実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を示
すもので、一対の磁気コア半体ブロックの各々に巻線溝
とガラス溝を施す工程を示す斜視図である。

【図１０】上記一実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を
示すもので、一対の磁気コア半体ブロックの各々にトラ
ック幅規制溝と反応膜防止膜を施す工程を示す斜視図で
ある。

【図１１】上記一実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を
示すもので、一対の磁気コア半体ブロックの各々にスペ
ーサを介在させる工程を示す斜視図である。

【図１２】上記一実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を
示すもので、一対の磁気コア半体ブロック同士を突き合
わせ接合一体化する工程を示す斜視図である。

【図１３】上記一実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を
示すもので、一対の磁気コアを突き合わせた状態を模式
的に示す拡大平面図である。

【図１４】上記製造工程により製造された磁気ヘッドの
再生出力の測定結果を示す図である。

【符号の説明】

１，２・・・磁気コア半体３，４，２５・・・金属磁性膜８・・・巻線溝１１，１２，１３，１４・・・基板２０・・・融着ガラス２１・・・基板２２・・・重ね合わせ側の基板３２・・・突出部ｇ₁・・・フロントギャップｇ₁・・・フロントギャップｇ₂・・・バックギャップＬ１・・・磁気ギャップ対向面の間隔Ｌ２・・・突出部の突き合わせ面の間隔

フロントページの続き (72)発明者高橋伸司東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の磁気コア半体同士を突き合わせて
接合一体化し、その突き合わせ面間に磁気ギャップを形
成してなる磁気ヘッドの製造方法において、上記一対の磁気コア半体を突き合わせるに際して、チッ
プ切断により除去される突き合わせ面間にスペーサを介
在させることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】スペーサが、厚さ５ｎｍ〜２０ｎｍの薄
膜であることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。