JPS61104312A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS61104312A JPS61104312A JP22121284A JP22121284A JPS61104312A JP S61104312 A JPS61104312 A JP S61104312A JP 22121284 A JP22121284 A JP 22121284A JP 22121284 A JP22121284 A JP 22121284A JP S61104312 A JPS61104312 A JP S61104312A
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- film
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、磁気テープ等に磁気記録された信号磁化の再
生に好適な、薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
生に好適な、薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
（従来例とその問題点）
一般に、磁気テープなどに記録された信号磁化の磁束を
誘導する磁気コアと、磁束の変化を検知する磁気抵抗効
果素子からなる薄膜磁気ヘッドは、従来次に説明する方
法により製造されている。
誘導する磁気コアと、磁束の変化を検知する磁気抵抗効
果素子からなる薄膜磁気ヘッドは、従来次に説明する方
法により製造されている。
すなわち、第１図（、）及び（ｂ）は従来の製造工程を
示す断面図で、まず（ａ）図のように、フェライトなど
の磁性材料からなる基板１に形成された溝に、ガラスな
どの非磁性絶縁材料２を充填し、この上に酸化シリコン
（Ｓ ｉ０２ ）などの非磁性絶縁膜３が、スパッタな
どの方法で形成される。さらに、蒸着あるいはスパッタ
などで形成したＮｉ−ＦｅやＮｉ −Ｃ。
示す断面図で、まず（ａ）図のように、フェライトなど
の磁性材料からなる基板１に形成された溝に、ガラスな
どの非磁性絶縁材料２を充填し、この上に酸化シリコン
（Ｓ ｉ０２ ）などの非磁性絶縁膜３が、スパッタな
どの方法で形成される。さらに、蒸着あるいはスパッタ
などで形成したＮｉ−ＦｅやＮｉ −Ｃ。
などの磁性薄膜を、フォトレジストマスクを用いてイオ
ンミリフグあるいはスノヤツタエッチング等のドライエ
ツチングにより、磁気抵抗効果を有する磁性薄膜４にパ
ターン形成し、その上にＡｕあるいはＡｔなどの金属に
より、図示しない電極を形成する。
ンミリフグあるいはスノヤツタエッチング等のドライエ
ツチングにより、磁気抵抗効果を有する磁性薄膜４にパ
ターン形成し、その上にＡｕあるいはＡｔなどの金属に
より、図示しない電極を形成する。
つぎに（ｂ）図のように５ｉ０２のような非磁性薄膜５
を被膜し、その上に例えばＮｉ−Ｆｅあるいはセンダス
ト・アモルファス磁性材料膜を形成し、それを７オトレ
ノストマスクを使用してヨーク６．７に形成する。
を被膜し、その上に例えばＮｉ−Ｆｅあるいはセンダス
ト・アモルファス磁性材料膜を形成し、それを７オトレ
ノストマスクを使用してヨーク６．７に形成する。
第２図は上述の工程による薄膜磁気ヘッドの正面図を示
し、８は電極である。この動作は、一方のヨーク６から
流入した磁束は磁性薄膜４を通して、他方のヨーク７か
ら基板ｌに流れ、そのため磁性薄膜４の磁気抵抗が上記
磁束の密度に応じて変化する。いいかえれば、信号磁化
の変化を磁性薄膜４の磁気抵抗の変化として検出でき、
これが磁気ヘッドとして利用される。
し、８は電極である。この動作は、一方のヨーク６から
流入した磁束は磁性薄膜４を通して、他方のヨーク７か
ら基板ｌに流れ、そのため磁性薄膜４の磁気抵抗が上記
磁束の密度に応じて変化する。いいかえれば、信号磁化
の変化を磁性薄膜４の磁気抵抗の変化として検出でき、
これが磁気ヘッドとして利用される。
ところで上記磁性薄膜４は磁気抵抗効果素子と呼ばれて
いるが、その磁気抵抗により発熱しサーマルノイズが発
生する。それを抑えるため磁気抵抗を小さくする必要が
あり、一般には磁性薄膜４の幅Ｗ（第１図（ａ）参照）
を１０μｍ以下にしている。
いるが、その磁気抵抗により発熱しサーマルノイズが発
生する。それを抑えるため磁気抵抗を小さくする必要が
あり、一般には磁性薄膜４の幅Ｗ（第１図（ａ）参照）
を１０μｍ以下にしている。
また、磁性薄膜４に対するヨーク６．７０重なり幅が大
きいと、磁気抵抗の変化に寄与する部分が減少すること
になり、反対にそれが少なすぎると磁気抵抗が増加し、
信号磁束が減少する。そのため、非磁性絶縁膜３の厚さ
によっても変るが、最大の出力を与える重なり幅が存在
し、１０μｍ以下の磁性薄膜４の幅に対しては２μｍ以
下である。この寸法をヘッド製造時に満足させることは
、密着型の露光装置で前述したエツチング等で形成する
としても、その位置合せ精度は１μｍ以下にはならず、
従って上記２μｍ以下の重なりにすることは極めて困難
で、そのれめヨーク６．７と磁性薄膜４の重なり幅がば
らついて、完成したヘッド間で出力のばらつきができ、
量産時の歩留りを悪くしている。
きいと、磁気抵抗の変化に寄与する部分が減少すること
になり、反対にそれが少なすぎると磁気抵抗が増加し、
信号磁束が減少する。そのため、非磁性絶縁膜３の厚さ
によっても変るが、最大の出力を与える重なり幅が存在
し、１０μｍ以下の磁性薄膜４の幅に対しては２μｍ以
下である。この寸法をヘッド製造時に満足させることは
、密着型の露光装置で前述したエツチング等で形成する
としても、その位置合せ精度は１μｍ以下にはならず、
従って上記２μｍ以下の重なりにすることは極めて困難
で、そのれめヨーク６．７と磁性薄膜４の重なり幅がば
らついて、完成したヘッド間で出力のばらつきができ、
量産時の歩留りを悪くしている。
また、上記密着型露光装置に代え縮小露光装置を使用す
れば、可成り高精度の位置合せが可１．能で、要求され
る２μｍ以下のヨークと磁気抵抗効果素子である磁性薄
膜との重なりを満足させ得るが、その装置は極めて高価
で、ヘッド価格を上昇させる要因となる。
れば、可成り高精度の位置合せが可１．能で、要求され
る２μｍ以下のヨークと磁気抵抗効果素子である磁性薄
膜との重なりを満足させ得るが、その装置は極めて高価
で、ヘッド価格を上昇させる要因となる。
（発明の目的）
本発明は上述した従来例の諸問題に鑑み、磁気抵抗効果
素子を用いる薄膜磁気ヘッドの製造において、形成する
磁気抵抗効果素子とヨークとの重なり部分を、露光装置
の位置決め精度に頼らず、磁気抵抗効果素子をエツチン
グ形成するために用いたフォトレジスト膜をそのまま用
いて、ヨークとなる磁性薄膜をリフトオフ技術により形
成させて、高精度で必要な重なり寸法を満足する薄膜磁
気ヘッドの製法を提供することを目的とする。
素子を用いる薄膜磁気ヘッドの製造において、形成する
磁気抵抗効果素子とヨークとの重なり部分を、露光装置
の位置決め精度に頼らず、磁気抵抗効果素子をエツチン
グ形成するために用いたフォトレジスト膜をそのまま用
いて、ヨークとなる磁性薄膜をリフトオフ技術により形
成させて、高精度で必要な重なり寸法を満足する薄膜磁
気ヘッドの製法を提供することを目的とする。
（発明の構成〕
本発明は、磁性体または非磁性体上に磁性薄膜を形成し
た基板上に、互いに電気的に絶縁した磁気ヨークと、磁
気抵抗効果素子を形成してなる薄膜磁気ヘッドの製造に
おいて、磁気抵抗効果を有する磁性薄膜上に、基板との
接着面より頭部が庇状に大きい形のフォトレジストマス
クを形成して、上記磁性薄膜をエツチングすることによ
り、前記フォトレジストマスクの頭部形状の磁気抵抗効
果素子となる磁性薄膜を得、つぎに、スノ’？ツタなど
で上記フォトレジストマスクの庇状部の下まで第２の磁
性薄膜を被膜させ、これをリフトオンしてヨークを形成
する工程を含むことを、製法の特徴とするものである。
た基板上に、互いに電気的に絶縁した磁気ヨークと、磁
気抵抗効果素子を形成してなる薄膜磁気ヘッドの製造に
おいて、磁気抵抗効果を有する磁性薄膜上に、基板との
接着面より頭部が庇状に大きい形のフォトレジストマス
クを形成して、上記磁性薄膜をエツチングすることによ
り、前記フォトレジストマスクの頭部形状の磁気抵抗効
果素子となる磁性薄膜を得、つぎに、スノ’？ツタなど
で上記フォトレジストマスクの庇状部の下まで第２の磁
性薄膜を被膜させ、これをリフトオンしてヨークを形成
する工程を含むことを、製法の特徴とするものである。
本発明によれば、磁気抵抗効果素子である磁性薄膜の形
成に用いた、フォトレノストマスクラ用いて、ヨークと
なる他の磁性薄膜をリフトオフして形成するから、これ
らの薄膜の重なりは、フォトレジストマスクの庇の形状
によってのみ定まり、従って露光装置の位置合せに高精
度が要求されず、一般の１８重程度の位置合せ精度の露
光装置によっても再現性がよく、特性良好な薄膜磁気ヘ
ッドが得られる。
成に用いた、フォトレノストマスクラ用いて、ヨークと
なる他の磁性薄膜をリフトオフして形成するから、これ
らの薄膜の重なりは、フォトレジストマスクの庇の形状
によってのみ定まり、従って露光装置の位置合せに高精
度が要求されず、一般の１８重程度の位置合せ精度の露
光装置によっても再現性がよく、特性良好な薄膜磁気ヘ
ッドが得られる。
（実施例の説明）
以下本発明を一実施例により説明する。
第３図は本発明の一実施例を説明する工程図で、（ａ）
ｌ （ｂ）及び（ｄ）図は断面図、（ｃ）図は正面図
である。
ｌ （ｂ）及び（ｄ）図は断面図、（ｃ）図は正面図
である。
まず、（ａ）図のように、たとえばＭｎＺｎフェライト
を用いた基板１０表面に、５ＩＯ２などの非磁性絶縁膜
３を介して公知の方法で、Ａｕ電極（図示せず）を形成
した後、・ぐ−マロイ等の磁性薄膜層９を形成、さらに
その上にフォトレジストパターン１０を形成する。この
フォトレノストパターンは、たとえばキノン・ノアディ
ト系のポジ型レジストを、モノクロルベンゼン処理した
もので、上部を２μｍ程度庇状に張り出させたものであ
る。なお、この寸法は・やターン形成時の処理により制
御可能である０ つぎに（ｂ）図のように、さきのフォトレノストパター
ン１０をマスクとして正面（図では上部になる）から、
たとえばスノや、タエッチングよりも方向性が良好な、
加速されたＡｒなどのビームによるイオンミリングを行
なうと、磁性薄膜層９はフォトレジストパターンの上部
形状に従ってエツチングされ、磁気抵抗効果素子となる
磁性薄膜４に形成されろ。
を用いた基板１０表面に、５ＩＯ２などの非磁性絶縁膜
３を介して公知の方法で、Ａｕ電極（図示せず）を形成
した後、・ぐ−マロイ等の磁性薄膜層９を形成、さらに
その上にフォトレジストパターン１０を形成する。この
フォトレノストパターンは、たとえばキノン・ノアディ
ト系のポジ型レジストを、モノクロルベンゼン処理した
もので、上部を２μｍ程度庇状に張り出させたものであ
る。なお、この寸法は・やターン形成時の処理により制
御可能である０ つぎに（ｂ）図のように、さきのフォトレノストパター
ン１０をマスクとして正面（図では上部になる）から、
たとえばスノや、タエッチングよりも方向性が良好な、
加速されたＡｒなどのビームによるイオンミリングを行
なうと、磁性薄膜層９はフォトレジストパターンの上部
形状に従ってエツチングされ、磁気抵抗効果素子となる
磁性薄膜４に形成されろ。
さらに（Ｃ）図に正面図を示すように、ヨークの外形を
規制するための７オトレノストパターン１１を形成する
。なお、１２は基板１上に形成された、たとえばＡｕに
よる電極である。
規制するための７オトレノストパターン１１を形成する
。なお、１２は基板１上に形成された、たとえばＡｕに
よる電極である。
つぎに（ｄ）図のように上記のフォトレノスト・ぐター
ン１０．１１を用いて、５ｉ０２等の非磁性絶縁膜１３
、及びヨークを形成するＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒなどのアモル
ファス磁性金属あるいはＡ−マロイ等の磁性薄膜１４を
スバ、り形成し、リフトオフする。これらの膜厚は例え
ばそれぞれ、０．３μｍであり、上記の７オトレジスト
ノやターン１０．ｌｌを用いて良好にリフトオフができ
る。ヨークとなる磁性薄膜１４はスノやツタにより形成
するから、フォトレジストパターン１０の庇の下にまで
回り込み、磁性薄膜４とは庇の大きさだけ重なることに
なる。
ン１０．１１を用いて、５ｉ０２等の非磁性絶縁膜１３
、及びヨークを形成するＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒなどのアモル
ファス磁性金属あるいはＡ−マロイ等の磁性薄膜１４を
スバ、り形成し、リフトオフする。これらの膜厚は例え
ばそれぞれ、０．３μｍであり、上記の７オトレジスト
ノやターン１０．ｌｌを用いて良好にリフトオフができ
る。ヨークとなる磁性薄膜１４はスノやツタにより形成
するから、フォトレジストパターン１０の庇の下にまで
回り込み、磁性薄膜４とは庇の大きさだけ重なることに
なる。
さらに、公知の方法で絶縁膜、バイアス用導電膜、保護
膜等を形成して磁性薄膜磁気ヘッドが完成する。
膜等を形成して磁性薄膜磁気ヘッドが完成する。
本発明の上記方法によれば、磁気抵抗効果素子とヨーク
との重なり幅は、単にフォトレジスト・ぐターン１０の
庇形状のみによって定まるから、頭書したこの種磁気ヘ
ッドに要求される従来困難な前記型なり幅２μｍ以下を
容易に、かつ再現性よく達成できる。
との重なり幅は、単にフォトレジスト・ぐターン１０の
庇形状のみによって定まるから、頭書したこの種磁気ヘ
ッドに要求される従来困難な前記型なり幅２μｍ以下を
容易に、かつ再現性よく達成できる。
７’、Ｃオ、磁性薄膜４の形成はフォトレノストパター
ンの庇形状に従ってエツチングできれば、何もイオンミ
リングに限るものではない。さらに、磁性薄膜１４の形
成についても上記底下部に回り込む膜形成が可能であれ
ば、スノクツタ法に限らずイオンビームデポノションや
、メッキなど他の方法で形成してもよい。さらにまた、
上述の実施例ではヨーク外形の規制も二重に形成したフ
ォトレジストパターンのリフトオフによったが、全面に
磁性薄膜を形成後フォトエツチングしてもよい。
ンの庇形状に従ってエツチングできれば、何もイオンミ
リングに限るものではない。さらに、磁性薄膜１４の形
成についても上記底下部に回り込む膜形成が可能であれ
ば、スノクツタ法に限らずイオンビームデポノションや
、メッキなど他の方法で形成してもよい。さらにまた、
上述の実施例ではヨーク外形の規制も二重に形成したフ
ォトレジストパターンのリフトオフによったが、全面に
磁性薄膜を形成後フォトエツチングしてもよい。
（発明の効果）
以上詳細に説明して明らかなように、本発明は、露光装
置やフォトレジストパターンの精度に関係なく、磁気抵
抗効果素子とヨークの重なり幅を、フォトレジストパタ
ーンの庇形状寸法のみによって制御することが可能であ
り、従って出カ一定の磁性薄膜磁気ヘッドを容易に、し
かも歩留まりよく製造可能であり、用いて益するところ
大である。
置やフォトレジストパターンの精度に関係なく、磁気抵
抗効果素子とヨークの重なり幅を、フォトレジストパタ
ーンの庇形状寸法のみによって制御することが可能であ
り、従って出カ一定の磁性薄膜磁気ヘッドを容易に、し
かも歩留まりよく製造可能であり、用いて益するところ
大である。
第１図（ａ） （ｂ）は従来の磁性薄膜磁気ヘッドの製
造工程を示す断面図、第２図は同じく形状を示す正面図
、第３図は本発明の一実施例の製造工程を示す図で、（
ａ） ｌ （ｂ）及び（ｄ）図は断面図、（ｃ）は正面
図である。 １・・・基板、２・・・非磁性絶縁材料、３，１３・・
・非磁性絶縁膜、４，１４・・・磁性薄膜、５・・・非
磁性薄膜、６，７・・・ヨーク、８，１２・・・電極、
９・・・磁性薄膜層、１０．１１・・・フォトレジスト
パターン。 第１図 （ｂ） 第２図 第３図 （ａ） １゜
造工程を示す断面図、第２図は同じく形状を示す正面図
、第３図は本発明の一実施例の製造工程を示す図で、（
ａ） ｌ （ｂ）及び（ｄ）図は断面図、（ｃ）は正面
図である。 １・・・基板、２・・・非磁性絶縁材料、３，１３・・
・非磁性絶縁膜、４，１４・・・磁性薄膜、５・・・非
磁性薄膜、６，７・・・ヨーク、８，１２・・・電極、
９・・・磁性薄膜層、１０．１１・・・フォトレジスト
パターン。 第１図 （ｂ） 第２図 第３図 （ａ） １゜
Claims (1)
- 磁性体あるいは非磁性体上に非磁性絶縁膜を形成した基
板上に、互いに絶縁された磁気ヨークと磁気抵抗効果素
子を形成してなる薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
上記非磁性絶縁膜上に磁気抵抗効果を有する磁性薄膜を
設け、この磁性薄膜に接する面より上部が庇状に突出し
たフォトレジストマスクを用いてエッチングすることに
より、磁気抵抗効果素子を形成する工程と、上記フォト
レジストマスクの庇状に突出した下部にまで、他の磁性
薄膜を形成後、これをリフトオフすることにより、磁気
ヨークを形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜磁
気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22121284A JPH0664716B2 (ja) | 1984-10-23 | 1984-10-23 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22121284A JPH0664716B2 (ja) | 1984-10-23 | 1984-10-23 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61104312A true JPS61104312A (ja) | 1986-05-22 |
| JPH0664716B2 JPH0664716B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=16763219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22121284A Expired - Lifetime JPH0664716B2 (ja) | 1984-10-23 | 1984-10-23 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0664716B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6356419B1 (en) | 1999-07-23 | 2002-03-12 | International Business Machines Corporation | Antiparallel pinned read sensor with improved magnetresistance |
-
1984
- 1984-10-23 JP JP22121284A patent/JPH0664716B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6356419B1 (en) | 1999-07-23 | 2002-03-12 | International Business Machines Corporation | Antiparallel pinned read sensor with improved magnetresistance |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0664716B2 (ja) | 1994-08-22 |
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