JPH05197920A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製法Info
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- JPH05197920A JPH05197920A JP723592A JP723592A JPH05197920A JP H05197920 A JPH05197920 A JP H05197920A JP 723592 A JP723592 A JP 723592A JP 723592 A JP723592 A JP 723592A JP H05197920 A JPH05197920 A JP H05197920A
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- Japan
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- magnetic head
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- insulating film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高密度化要求に応え、高温の熱処理を必要と
する磁性体を使用するため、絶縁膜にＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ
2などの無機材絶縁膜を使用しても、寸法精度の高いト
ラックを形成する方法を提供する。 【構成】 上コアのトラック幅を有するギャップ形成部
分に、あらかじめメッキ膜を形成しておき、そののち無
機材絶縁膜を形成してから、前記メッキ膜を除去するこ
とにより形成された穴部分に上コアを形成することによ
りトラック幅を寸法精度良く形成する。
する磁性体を使用するため、絶縁膜にＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ
2などの無機材絶縁膜を使用しても、寸法精度の高いト
ラックを形成する方法を提供する。 【構成】 上コアのトラック幅を有するギャップ形成部
分に、あらかじめメッキ膜を形成しておき、そののち無
機材絶縁膜を形成してから、前記メッキ膜を除去するこ
とにより形成された穴部分に上コアを形成することによ
りトラック幅を寸法精度良く形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ハードディスク装置、
フロッピーディスク装置、ＶＴＲなどに使用される薄膜
磁気ヘッドに関する。
フロッピーディスク装置、ＶＴＲなどに使用される薄膜
磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の従来の薄膜磁気ヘッドの一例の
構成は図16〜18に示すような構造になっている。すなわ
ち、図16はたとえば特開昭61-110320号公報に示された
薄膜磁気ヘッドを示す断面図である。同図において、１
は非磁性基板、２は下コア、３はギャップ層、14は絶縁
膜、５はコイル、６は上コア、７は保護膜である。
構成は図16〜18に示すような構造になっている。すなわ
ち、図16はたとえば特開昭61-110320号公報に示された
薄膜磁気ヘッドを示す断面図である。同図において、１
は非磁性基板、２は下コア、３はギャップ層、14は絶縁
膜、５はコイル、６は上コア、７は保護膜である。
【０００３】図17は前記薄膜磁気ヘッドを示す平面図で
ある。Ｔｗは磁気ギャップを形成しているトラック幅で
ある。コイル５は下コア２と上コア６の接合部の周りに
スパイラル状に巻かれている。
ある。Ｔｗは磁気ギャップを形成しているトラック幅で
ある。コイル５は下コア２と上コア６の接合部の周りに
スパイラル状に巻かれている。
【０００４】また、図18は磁気記録媒体面から見た前記
薄膜磁気ヘッドを示す正面図である。
薄膜磁気ヘッドを示す正面図である。
【０００５】従来の薄膜磁気ヘッドは、このように構成
されており、構成材料としては、たとえば、固定磁気デ
ィスク用の薄膜磁気ヘッドでは、上下コア材料としてパ
ーマロイメッキ膜を、絶縁膜としてはフォトレジストを
用いている。また、トラック幅はフォトレジストをフォ
トリソグラフィ工程により形成できるため、写真製版の
精度で決まり高精度なトラックを形成することができ
る。
されており、構成材料としては、たとえば、固定磁気デ
ィスク用の薄膜磁気ヘッドでは、上下コア材料としてパ
ーマロイメッキ膜を、絶縁膜としてはフォトレジストを
用いている。また、トラック幅はフォトレジストをフォ
トリソグラフィ工程により形成できるため、写真製版の
精度で決まり高精度なトラックを形成することができ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
高密度化の要求からコア材料により飽和磁束密度の高い
磁性体を使う検討がなされており、このばあい、高い熱
処理を必要とする磁性体では、従来より絶縁膜として用
いてきたフォトレジストが耐熱の問題により使用できな
くなるという問題がある。
高密度化の要求からコア材料により飽和磁束密度の高い
磁性体を使う検討がなされており、このばあい、高い熱
処理を必要とする磁性体では、従来より絶縁膜として用
いてきたフォトレジストが耐熱の問題により使用できな
くなるという問題がある。
【０００７】耐熱温度が高い絶縁膜としては、たとえば
無機材であるＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2の薄膜が用いられる
が、このばあい、トラック幅を規定するためには、前記
無機材絶縁膜をイオンビームなどによりエッチングし
て、トラック幅に相当する穴を形成してやる必要があ
る。しかし、イオンビームなどによりエッチングする
際、エッチングされる絶縁膜の膜厚が厚いと、エッチン
グされた穴の底面の寸法が本来設計された寸法と異なっ
てくることがあり、高精度な寸法が要求されるトラック
幅を高精度に加工することができないという問題があ
る。
無機材であるＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2の薄膜が用いられる
が、このばあい、トラック幅を規定するためには、前記
無機材絶縁膜をイオンビームなどによりエッチングし
て、トラック幅に相当する穴を形成してやる必要があ
る。しかし、イオンビームなどによりエッチングする
際、エッチングされる絶縁膜の膜厚が厚いと、エッチン
グされた穴の底面の寸法が本来設計された寸法と異なっ
てくることがあり、高精度な寸法が要求されるトラック
幅を高精度に加工することができないという問題があ
る。
【０００８】本発明はこのような問題を解決するために
なされたもので、無機材絶縁膜を用いても寸法精度の高
いトラックが形成された薄膜磁気ヘッドおよびその製法
を提供することを目的とする。
なされたもので、無機材絶縁膜を用いても寸法精度の高
いトラックが形成された薄膜磁気ヘッドおよびその製法
を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる薄膜磁気
ヘッドは、無機材絶縁膜に、トラック幅を有しギャップ
を形成する上コア部分に相当する穴がフレームメッキに
より形成された膜をリフトオフすることによりえられた
もので、さらに本発明の製法は、ギャップ膜が形成され
たのちフレームメッキ法によりトラック幅を有するギャ
ップを形成する上コア部分に相当するメッキ膜を形成
し、そののち絶縁膜をスパッタリングなどの薄膜形成法
により形成したのち、メッキ膜をウエットエッチするこ
とにより、トラック幅を有するギャップ部分に相当する
穴を絶縁膜に形成し、そののち、上コアを形成するもの
である。
ヘッドは、無機材絶縁膜に、トラック幅を有しギャップ
を形成する上コア部分に相当する穴がフレームメッキに
より形成された膜をリフトオフすることによりえられた
もので、さらに本発明の製法は、ギャップ膜が形成され
たのちフレームメッキ法によりトラック幅を有するギャ
ップを形成する上コア部分に相当するメッキ膜を形成
し、そののち絶縁膜をスパッタリングなどの薄膜形成法
により形成したのち、メッキ膜をウエットエッチするこ
とにより、トラック幅を有するギャップ部分に相当する
穴を絶縁膜に形成し、そののち、上コアを形成するもの
である。
【００１０】
【作用】本発明による薄膜磁気ヘッドは、トラック幅精
度が、フレームメッキにより形成されたメッキ膜の寸法
精度になるので、写真製版の精度と同じ精度のトラック
幅が形成される。また、本発明の製法では、トラック幅
を規定する穴を絶縁膜に形成する方法として、メッキ膜
のリフトオフを用いるため、イオンビームなどのドライ
エッチングを用いたばあいと比べ、トラック幅を高精度
に形成できる。
度が、フレームメッキにより形成されたメッキ膜の寸法
精度になるので、写真製版の精度と同じ精度のトラック
幅が形成される。また、本発明の製法では、トラック幅
を規定する穴を絶縁膜に形成する方法として、メッキ膜
のリフトオフを用いるため、イオンビームなどのドライ
エッチングを用いたばあいと比べ、トラック幅を高精度
に形成できる。
【００１１】
【実施例】つぎに、本発明の一実施例を図面に基づいて
説明する。図１は本発明の一実施例を示す断面図であ
る。図１において、図16と同じ部分には同じ符号を付し
てある。４は絶縁膜であるが、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2など
の無機材料により形成された絶縁膜で、高温に耐えうる
点において、図16の構造のものと異なる。また非磁性基
板１としては、非磁性のセラミックスを用い、下コア
２、上コア６のコア材としてＣｏＺｒＮｂアモルファス
磁性体を用いているが、他のガラス、非磁性金属などを
基板材料として、また、他のＣｏ系磁性体、チッ化鉄な
どを磁性材料として用いることもできる。コイル５とし
てはＣｕを用いたが、他にＡｌなどの低抵抗の材料を用
いることもできる。トラック幅を規定する絶縁膜４およ
び保護膜７としてはスパッタリング法により形成したＡ
ｌ2Ｏ3を用いた。
説明する。図１は本発明の一実施例を示す断面図であ
る。図１において、図16と同じ部分には同じ符号を付し
てある。４は絶縁膜であるが、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2など
の無機材料により形成された絶縁膜で、高温に耐えうる
点において、図16の構造のものと異なる。また非磁性基
板１としては、非磁性のセラミックスを用い、下コア
２、上コア６のコア材としてＣｏＺｒＮｂアモルファス
磁性体を用いているが、他のガラス、非磁性金属などを
基板材料として、また、他のＣｏ系磁性体、チッ化鉄な
どを磁性材料として用いることもできる。コイル５とし
てはＣｕを用いたが、他にＡｌなどの低抵抗の材料を用
いることもできる。トラック幅を規定する絶縁膜４およ
び保護膜７としてはスパッタリング法により形成したＡ
ｌ2Ｏ3を用いた。
【００１２】この構成で、ギャップ３部を形成すると共
にトラック幅（図１の紙面に垂直方向の幅）を形成する
部分の上コア６は、絶縁膜４にリフトオフ法により形成
された穴で規制されており、メッキ膜でその穴を形成で
きるため、非常に精度よく形成されている。したがって
Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの耐熱性の絶縁膜を使用してト
ラック幅を精度よく形成している。
にトラック幅（図１の紙面に垂直方向の幅）を形成する
部分の上コア６は、絶縁膜４にリフトオフ法により形成
された穴で規制されており、メッキ膜でその穴を形成で
きるため、非常に精度よく形成されている。したがって
Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの耐熱性の絶縁膜を使用してト
ラック幅を精度よく形成している。
【００１３】つぎに、本発明により薄膜磁気ヘッドの製
法について説明する。
法について説明する。
【００１４】本発明による製法は、基板上に下コア、コ
イル、絶縁膜、ギャップ層を積層して形成したのち、上
コアのトラック幅を規定すると共にコアギャップを形成
する部分にあらかじめメッキ膜を形成し、そののち、絶
縁膜を全面に形成して前記メッキ膜を除去することによ
り、トラック幅を規定するギャップを形成する部分に穴
を形成し、その上に上コアを形成することにより、正確
なトラック幅を有する薄膜磁気ヘッドをうるものであ
る。以下に具体的な実施例について、図面に基づき詳細
に説明する。
イル、絶縁膜、ギャップ層を積層して形成したのち、上
コアのトラック幅を規定すると共にコアギャップを形成
する部分にあらかじめメッキ膜を形成し、そののち、絶
縁膜を全面に形成して前記メッキ膜を除去することによ
り、トラック幅を規定するギャップを形成する部分に穴
を形成し、その上に上コアを形成することにより、正確
なトラック幅を有する薄膜磁気ヘッドをうるものであ
る。以下に具体的な実施例について、図面に基づき詳細
に説明する。
【００１５】図２〜15は本発明の薄膜磁気ヘッドの製造
工程毎のヘッド断面を示す図である。
工程毎のヘッド断面を示す図である。
【００１６】まず、図２に示すように、非磁性のセラミ
ックス基板１上にＡｌ2Ｏ3をスパッタリングにより形成
し、写真製版後イオンビームエッチングによりギャップ
部とバックシャント部に相当する台４ａを形成した。
ックス基板１上にＡｌ2Ｏ3をスパッタリングにより形成
し、写真製版後イオンビームエッチングによりギャップ
部とバックシャント部に相当する台４ａを形成した。
【００１７】つぎに、図３に示すように、ＣｏＺｒＮｂ
のアモルファス磁性膜をスパッタリング法により形成
し、パターニングして下コア２を形成した。さらにその
上に、図４に示すように、スパッタリングによりＡｌ2
Ｏ3膜を形成し、絶縁膜４ｂを形成した。
のアモルファス磁性膜をスパッタリング法により形成
し、パターニングして下コア２を形成した。さらにその
上に、図４に示すように、スパッタリングによりＡｌ2
Ｏ3膜を形成し、絶縁膜４ｂを形成した。
【００１８】つぎに図５に示すように、スパッタリング
法によりＣｕ膜を形成しフォトリソグラフィ工程とメッ
キ法によりら旋状に形成して、コイル５を形成し、引き
出し部の増厚を行った。さらにその上にＡｌ2Ｏ3スパッ
タ膜である絶縁膜４ｃを形成し、コイル間を絶縁した
（図６参照）。つづいて、図６のＡ線まで平坦化研磨を
行い、下コアのギャップ部、バックシャント部およびコ
イル引き出し部を露出させた（図７参照）。
法によりＣｕ膜を形成しフォトリソグラフィ工程とメッ
キ法によりら旋状に形成して、コイル５を形成し、引き
出し部の増厚を行った。さらにその上にＡｌ2Ｏ3スパッ
タ膜である絶縁膜４ｃを形成し、コイル間を絶縁した
（図６参照）。つづいて、図６のＡ線まで平坦化研磨を
行い、下コアのギャップ部、バックシャント部およびコ
イル引き出し部を露出させた（図７参照）。
【００１９】つぎに、図８に示すようにＡｌ2Ｏ3材をス
パッタリング法により全面に形成し、バックシャント部
およびコイル引き出し部を露出させてギャップ層３を形
成した。つづいて図９に示すように、メッキ法により、
Ｃｕをトラック幅に相当する台としてギャッブ部上に形
成した。同時に、バックシャント部およびコイル引き出
し部にも同様にメッキ膜を形成した。
パッタリング法により全面に形成し、バックシャント部
およびコイル引き出し部を露出させてギャップ層３を形
成した。つづいて図９に示すように、メッキ法により、
Ｃｕをトラック幅に相当する台としてギャッブ部上に形
成した。同時に、バックシャント部およびコイル引き出
し部にも同様にメッキ膜を形成した。
【００２０】つぎに図10に示すように、トラック幅規制
膜となるＡｌ2Ｏ3膜４ｄをスパッタリング法により形成
した。引き続き、平坦化研磨を行い、トラック幅規制膜
の膜厚を制御した（図11参照）。
膜となるＡｌ2Ｏ3膜４ｄをスパッタリング法により形成
した。引き続き、平坦化研磨を行い、トラック幅規制膜
の膜厚を制御した（図11参照）。
【００２１】つぎに図12に示すように、ギャップ部上、
および、バックシャント部上に形成されたメッキ膜をウ
エットエッチングにより除去し、トラック幅およびバッ
クシャントのための穴が形成されたＡｌ2Ｏ3膜４ｄを形
成した。この際コイル引き出し部の露出したＣｕ部分は
エッチングされないようにマスクしておく。そののち、
ＣｏＺｒＮｂアモルファス磁性膜を形成し、パターニン
グして上コア６を形成した（図13参照）。そののち、コ
イルの引き出し部５ａを形成した（図14参照）。
および、バックシャント部上に形成されたメッキ膜をウ
エットエッチングにより除去し、トラック幅およびバッ
クシャントのための穴が形成されたＡｌ2Ｏ3膜４ｄを形
成した。この際コイル引き出し部の露出したＣｕ部分は
エッチングされないようにマスクしておく。そののち、
ＣｏＺｒＮｂアモルファス磁性膜を形成し、パターニン
グして上コア６を形成した（図13参照）。そののち、コ
イルの引き出し部５ａを形成した（図14参照）。
【００２２】つぎに図15に示すように、表面全面にスパ
ッタリング法によりＡｌ2Ｏ3膜を付着して保護膜７を形
成し、Ｂ線まで平坦化研磨を行ないコイル接続部を露出
させ、図１に示すような薄膜磁気ヘッドを形成した。こ
ののち、ヘッドチップ形状に加工する。
ッタリング法によりＡｌ2Ｏ3膜を付着して保護膜７を形
成し、Ｂ線まで平坦化研磨を行ないコイル接続部を露出
させ、図１に示すような薄膜磁気ヘッドを形成した。こ
ののち、ヘッドチップ形状に加工する。
【００２３】なお、本発明の一実施例では、トラック幅
規制膜としてＡｌ2Ｏ3膜をトラック幅規制の穴を形成す
るためのリフトオフする材料としてＣｕメッキ膜を用い
たが、これらの材料に限らず、トラック幅規制膜の材質
としては、リフトオフする材料とエッチングの選択比が
大きいものであれば使用が可能である。また、リフトオ
フする材料としては、メッキ法で成膜できる材料で、し
かもトラック幅規制膜が上記リフトオフする材料のエッ
チャントに不溶であるエッチャントが使用できるもので
あればいずれの材料でもよい。
規制膜としてＡｌ2Ｏ3膜をトラック幅規制の穴を形成す
るためのリフトオフする材料としてＣｕメッキ膜を用い
たが、これらの材料に限らず、トラック幅規制膜の材質
としては、リフトオフする材料とエッチングの選択比が
大きいものであれば使用が可能である。また、リフトオ
フする材料としては、メッキ法で成膜できる材料で、し
かもトラック幅規制膜が上記リフトオフする材料のエッ
チャントに不溶であるエッチャントが使用できるもので
あればいずれの材料でもよい。
【００２４】また、コイルに関しても、本発明の一実施
例では単層の場合について説明したが、２層以上のコイ
ルに対しても本発明の薄膜磁気ヘッドおよびその製法を
適用できるのは言うまでもない。
例では単層の場合について説明したが、２層以上のコイ
ルに対しても本発明の薄膜磁気ヘッドおよびその製法を
適用できるのは言うまでもない。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による薄膜
磁気ヘッドはトラック幅規制膜がメッキ膜によるリフト
オフされた穴を有するように形成されているため、その
トラック幅精度はＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの無機材絶縁
膜でも、写真製版の精度で決まり、高精度のトラック幅
を有する薄膜磁気ヘッドをうることができる。
磁気ヘッドはトラック幅規制膜がメッキ膜によるリフト
オフされた穴を有するように形成されているため、その
トラック幅精度はＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの無機材絶縁
膜でも、写真製版の精度で決まり、高精度のトラック幅
を有する薄膜磁気ヘッドをうることができる。
【００２６】さらに、本発明の製法によれば、絶縁膜の
膜厚が変わっても、そのトラック幅寸法には影響され
ず、高精度のトラック幅規制膜を形成できる。
膜厚が変わっても、そのトラック幅寸法には影響され
ず、高精度のトラック幅規制膜を形成できる。
【００２７】その結果、高い熱処理を必要とする磁性体
を使用しても、高温に耐えうる絶縁膜で高精度にトラッ
ク幅を規制でき、高密度化の要求に応えられる薄膜磁気
ヘッドをえられるという効果がある。
を使用しても、高温に耐えうる絶縁膜で高精度にトラッ
ク幅を規制でき、高密度化の要求に応えられる薄膜磁気
ヘッドをえられるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例である薄膜磁気ヘッドの断面
図である。
図である。
【図２】本発明の一実施例ある薄膜磁気ヘッドの製法の
一工程を示す図である。
一工程を示す図である。
【図３】本発明の一実施例ある薄膜磁気ヘッドの製法の
一工程を示す図である。
一工程を示す図である。
【図４】本発明の一実施例ある薄膜磁気ヘッドの製法の
一工程を示す図である。
一工程を示す図である。
【図５】本発明の一実施例ある薄膜磁気ヘッドの製法の
一工程を示す図である。
一工程を示す図である。
【図６】本発明の一実施例ある薄膜磁気ヘッドの製法の
一工程を示す図である。
一工程を示す図である。
【図７】本発明の一実施例ある薄膜磁気ヘッドの製法の
一工程を示す図である。
一工程を示す図である。
【図８】本発明の一実施例ある薄膜磁気ヘッドの製法の
一工程を示す図である。
一工程を示す図である。
【図９】本発明の一実施例ある薄膜磁気ヘッドの製法の
一工程を示す図である。
一工程を示す図である。
【図１０】本発明の一実施例ある薄膜磁気ヘッドの製法
の一工程を示す図である。
の一工程を示す図である。
【図１１】本発明の一実施例ある薄膜磁気ヘッドの製法
の一工程を示す図である。
の一工程を示す図である。
【図１２】本発明の一実施例ある薄膜磁気ヘッドの製法
の一工程を示す図である。
の一工程を示す図である。
【図１３】本発明の一実施例ある薄膜磁気ヘッドの製法
の一工程を示す図である。
の一工程を示す図である。
【図１４】本発明の一実施例ある薄膜磁気ヘッドの製法
の一工程を示す図である。
の一工程を示す図である。
【図１５】本発明の一実施例ある薄膜磁気ヘッドの製法
の一工程を示す図である。
の一工程を示す図である。
【図１６】従来の薄膜磁気ヘッドの一例の断面図であ
る。
る。
【図１７】従来の薄膜磁気ヘッドの一例の平面図であ
る。
る。
【図１８】従来の薄膜磁気ヘッドの一例の正面図であ
る。
る。
１ 非磁性基板 ２ 下コア ３ ギャップ層 ４ 絶縁膜 ５ コイル ６ 上コア ７ 保護膜 ８ メッキ膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年５月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】つぎに、本発明による薄膜磁気ヘッドの製
法について説明する。
法について説明する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１０】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１１】
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１２】
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１３】
Claims (2)
- 【請求項１】 非磁性基板上に形成された下コア、ギャ
ップ層、コイル、絶縁膜、上コア、保護膜などの積層体
からなる薄膜磁気ヘッドであって、トラック幅がギャッ
プ部近傍にメッキ膜によるリフトオフ法により形成され
た穴を有する絶縁膜により規定されていることを特徴と
する薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 非磁性基板上に下コア、ギャップ層、コ
イル、絶縁膜、上コア、保護膜などを積層して構成する
薄膜磁気ヘッドの製法であって、トラック幅を有しギャ
ップを形成する上コア部分に相当するメッキ膜を形成し
たのち絶縁膜を形成し、そののち、メッキ膜を除去する
ことにより、絶縁膜にトラック幅を有するギャップ形成
部分に相当する穴を形成し、その上に上コアを形成して
トラック幅を規定することを特徴とする薄膜磁気ヘッド
の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP723592A JPH05197920A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP723592A JPH05197920A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05197920A true JPH05197920A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=11660335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP723592A Pending JPH05197920A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05197920A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6008969A (en) * | 1997-12-18 | 1999-12-28 | Read-Rite Corporation | Planar recording head having formed yokes |
| US6324036B1 (en) | 1999-05-26 | 2001-11-27 | International Business Machines Corporation | Combination inductive write head and magnetoresistive (MR) read head with improved topography |
-
1992
- 1992-01-20 JP JP723592A patent/JPH05197920A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6008969A (en) * | 1997-12-18 | 1999-12-28 | Read-Rite Corporation | Planar recording head having formed yokes |
| US6324036B1 (en) | 1999-05-26 | 2001-11-27 | International Business Machines Corporation | Combination inductive write head and magnetoresistive (MR) read head with improved topography |
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