JPH0628629A - 薄膜磁気ヘッドの製法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製法Info
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- JPH0628629A JPH0628629A JP4185098A JP18509892A JPH0628629A JP H0628629 A JPH0628629 A JP H0628629A JP 4185098 A JP4185098 A JP 4185098A JP 18509892 A JP18509892 A JP 18509892A JP H0628629 A JPH0628629 A JP H0628629A
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- etching
- gap
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 サブミクロンの垂直ギャップを容易に製造す
る方法を提供する。 【構成】 基板上にＳｉを形成し、リアクティブイオン
エッチングによりＳｉを垂直にエッチングする。そのの
ち、熱酸化によりＳｉ表面をＳｉＯ2とし、ウエットエ
ッチングによりＳｉＯ2を除去しサブミクロン厚のＳｉ
の壁を形成し、再び熱酸化することによりＳｉＯ2に
し、これをギャップとする。
る方法を提供する。 【構成】 基板上にＳｉを形成し、リアクティブイオン
エッチングによりＳｉを垂直にエッチングする。そのの
ち、熱酸化によりＳｉ表面をＳｉＯ2とし、ウエットエ
ッチングによりＳｉＯ2を除去しサブミクロン厚のＳｉ
の壁を形成し、再び熱酸化することによりＳｉＯ2に
し、これをギャップとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドの製法
に関する。さらに詳しくは、バードディスク装置、フロ
ッピーディスク装置、ＶＴＲなどに使用される薄膜磁気
ヘッドの製法であって、サブミクロンの垂直ギャップを
容易に形成することができる薄膜磁気ヘッドの製法に関
する。
に関する。さらに詳しくは、バードディスク装置、フロ
ッピーディスク装置、ＶＴＲなどに使用される薄膜磁気
ヘッドの製法であって、サブミクロンの垂直ギャップを
容易に形成することができる薄膜磁気ヘッドの製法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜磁気ヘッドの一例は図14〜図
16に示すような構造になっている。すなわち、図14はた
とえば特開昭61-110320号公報に示された薄膜磁気ヘッ
ドを示す断面図である。図14において、１は非磁性基
板、６は下コア、７はギャップ層、11は絶縁膜、８はコ
イル、９は上コア、10は保護膜である。
16に示すような構造になっている。すなわち、図14はた
とえば特開昭61-110320号公報に示された薄膜磁気ヘッ
ドを示す断面図である。図14において、１は非磁性基
板、６は下コア、７はギャップ層、11は絶縁膜、８はコ
イル、９は上コア、10は保護膜である。
【０００３】図15は図14に示される薄膜磁気ヘッドの平
面図である。図15において、Ｔｗは磁気ギャップを形成
しているトラック幅であり、コイル８は下コア６と上コ
ア９の接続部の回りにスパイラル状に巻かれている。
面図である。図15において、Ｔｗは磁気ギャップを形成
しているトラック幅であり、コイル８は下コア６と上コ
ア９の接続部の回りにスパイラル状に巻かれている。
【０００４】また、図16は磁気記録媒体面から見た前記
薄膜磁気ヘッドを示す正面図である。
薄膜磁気ヘッドを示す正面図である。
【０００５】従来の薄膜磁気ヘッドは、このように構成
されており、構成材料としては、たとえば固定磁気ディ
スク用の薄膜磁気ヘッドでは、上下コア材料としてパー
マロイメッキ膜を、絶縁膜としてはフォトレジストを用
いている。また、トラック幅はフォトレジストをフォト
リソグラフィ工程により形成できるため、写真製版の精
度で決まり高精度なトラックを形成することができる。
されており、構成材料としては、たとえば固定磁気ディ
スク用の薄膜磁気ヘッドでは、上下コア材料としてパー
マロイメッキ膜を、絶縁膜としてはフォトレジストを用
いている。また、トラック幅はフォトレジストをフォト
リソグラフィ工程により形成できるため、写真製版の精
度で決まり高精度なトラックを形成することができる。
【０００６】しかしながら、この種の薄膜磁気ヘッドを
ＶＴＲなどの磁気記録媒体と摺動するシステムに適用す
るばあい、ヘッド摩耗を考慮してヘッドのギャップ深さ
を長くする必要があり、ギャップ深さを長くするに伴
い、ヘッドの飽和を防ぐために、上下のコア厚を厚くす
る必要がある。
ＶＴＲなどの磁気記録媒体と摺動するシステムに適用す
るばあい、ヘッド摩耗を考慮してヘッドのギャップ深さ
を長くする必要があり、ギャップ深さを長くするに伴
い、ヘッドの飽和を防ぐために、上下のコア厚を厚くす
る必要がある。
【０００７】このため、ＶＴＲ用のヘッドとして基板面
に対して垂直方向にギャップを設け、磁性層厚をトラッ
ク幅とするヘッドが開発されている。図17は、特開昭57
-55526号公報に記載されているこの種のヘッドの磁気記
録媒体との摺動面を示す図である。図17において、５は
コアである。ギャップは、ダイヤモンドなどによる加
工、または化学エッチングにより磁性層の一部を除去
し、その側面に非磁性層を形成しこれをギャップとして
いる。この方法では、側面に形成する非磁性層の膜厚を
制御することが難しく、また化学エッチングにより磁性
層の一部を除去すると、除去された端面の表面が荒れる
という問題もあった。
に対して垂直方向にギャップを設け、磁性層厚をトラッ
ク幅とするヘッドが開発されている。図17は、特開昭57
-55526号公報に記載されているこの種のヘッドの磁気記
録媒体との摺動面を示す図である。図17において、５は
コアである。ギャップは、ダイヤモンドなどによる加
工、または化学エッチングにより磁性層の一部を除去
し、その側面に非磁性層を形成しこれをギャップとして
いる。この方法では、側面に形成する非磁性層の膜厚を
制御することが難しく、また化学エッチングにより磁性
層の一部を除去すると、除去された端面の表面が荒れる
という問題もあった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題を解決するためになされたもので、基板面にほぼ垂直
にギャップを有する薄膜磁気ヘッドの製法において、サ
ブミクロンの垂直ギャップを容易に形成することができ
る製法を提供することを目的とする。
題を解決するためになされたもので、基板面にほぼ垂直
にギャップを有する薄膜磁気ヘッドの製法において、サ
ブミクロンの垂直ギャップを容易に形成することができ
る製法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明にかかわる薄膜磁
気ヘッドの製法は、非磁性基板上にリアクティブエッチ
ングおよび熱酸化が可能であり、その熱酸化物のエッチ
ャントに不溶性の非磁性体を形成し、そののちリアクテ
ィブイオンエッチングにより、ほぼ垂直にエッチング
し、ギャップ長よりも大きな幅を有する非磁性体の壁を
形成し、つぎに、熱酸化により前記非磁性体の表面を酸
化させ、この酸化物をウエットエッチすることによりギ
ャップ長と同じ幅を有する非磁性体の壁を形成させ、こ
れを再び熱酸化することにより前記非磁性体の酸化物の
壁を設け、これをギャップとするものである。
気ヘッドの製法は、非磁性基板上にリアクティブエッチ
ングおよび熱酸化が可能であり、その熱酸化物のエッチ
ャントに不溶性の非磁性体を形成し、そののちリアクテ
ィブイオンエッチングにより、ほぼ垂直にエッチング
し、ギャップ長よりも大きな幅を有する非磁性体の壁を
形成し、つぎに、熱酸化により前記非磁性体の表面を酸
化させ、この酸化物をウエットエッチすることによりギ
ャップ長と同じ幅を有する非磁性体の壁を形成させ、こ
れを再び熱酸化することにより前記非磁性体の酸化物の
壁を設け、これをギャップとするものである。
【００１０】または、非磁性基板上にリアクティブエッ
チングおよび熱酸化が可能であり、その熱酸化物のエッ
チャントに不溶性の非磁性体を形成し、そののちリアク
ティブイオンエッチングによりほぼ垂直にエッチング
し、垂直な側壁を有する台を形成し、そののち熱酸化に
よりギャップ長に相当する膜厚まで酸化し、そののちイ
オンビームエッチングなどにより台の表面部のみを除去
し前記非磁性体を露出させたのち、ウエットエッチによ
り前記非磁性体のみを除去し、側壁に形成した前記非磁
性体の酸化物のみを残し、これをギャップとしたもので
ある。
チングおよび熱酸化が可能であり、その熱酸化物のエッ
チャントに不溶性の非磁性体を形成し、そののちリアク
ティブイオンエッチングによりほぼ垂直にエッチング
し、垂直な側壁を有する台を形成し、そののち熱酸化に
よりギャップ長に相当する膜厚まで酸化し、そののちイ
オンビームエッチングなどにより台の表面部のみを除去
し前記非磁性体を露出させたのち、ウエットエッチによ
り前記非磁性体のみを除去し、側壁に形成した前記非磁
性体の酸化物のみを残し、これをギャップとしたもので
ある。
【００１１】本発明の製法において、前述した性質の非
磁性体としてはＳｉやＡｌを用いることができる。
磁性体としてはＳｉやＡｌを用いることができる。
【００１２】
【作用】本発明の薄膜磁気ヘッドの製法は、基板に垂直
にサブミクロンのギャップを形成するもので、従来の写
真製版技術およびエッチング技術を用いても、容易にか
つ精度良くサブミクロンギャップを形成することができ
る。
にサブミクロンのギャップを形成するもので、従来の写
真製版技術およびエッチング技術を用いても、容易にか
つ精度良くサブミクロンギャップを形成することができ
る。
【００１３】
【実施例】つぎに、本発明の薄膜磁気ヘッドの製法を図
面に基づいて説明する。図１は本発明の製法によりえら
れる薄膜磁気ヘッドの一実施例の、テープ摺動面から見
た図である。図２は同じくヘッド上面より見た図であ
る。非磁性基板１としては非磁性のセラミックスを用
い、左右のコア材料としてはＣｏＺｒＮｂアモルファス
磁性体を用いているが、他のガラス、非磁性金属などを
基板材料として、また他のＣｏ系磁性体やＦｅ系磁性体
をコア材として用いることもできる。保護膜としてはス
パッタリング法により形成したＡｌ2Ｏ3を用いた。この
構成で、ギャップはＳｉを熱酸化したＳｉＯ2である。
面に基づいて説明する。図１は本発明の製法によりえら
れる薄膜磁気ヘッドの一実施例の、テープ摺動面から見
た図である。図２は同じくヘッド上面より見た図であ
る。非磁性基板１としては非磁性のセラミックスを用
い、左右のコア材料としてはＣｏＺｒＮｂアモルファス
磁性体を用いているが、他のガラス、非磁性金属などを
基板材料として、また他のＣｏ系磁性体やＦｅ系磁性体
をコア材として用いることもできる。保護膜としてはス
パッタリング法により形成したＡｌ2Ｏ3を用いた。この
構成で、ギャップはＳｉを熱酸化したＳｉＯ2である。
【００１４】［実施例１］図３〜図７は本発明の薄膜磁
気ヘッドの製造工程毎のヘッド断面を示す図である。な
お、本実施例ではギャップ長0.2μmの薄膜磁気ヘッドを
製造するばあいについて説明している。
気ヘッドの製造工程毎のヘッド断面を示す図である。な
お、本実施例ではギャップ長0.2μmの薄膜磁気ヘッドを
製造するばあいについて説明している。
【００１５】まず、図３に示すように、非磁性のセラミ
ックス基板１上にＳｉ層２をスパッタリングにより形成
する。ついで、Ｃｒなどの金属膜３を形成したのちレジ
ストを塗布し写真製版後イオンビームエッチングにより
金属をエッチングしＳｉをエッチングするためのマスク
とする。
ックス基板１上にＳｉ層２をスパッタリングにより形成
する。ついで、Ｃｒなどの金属膜３を形成したのちレジ
ストを塗布し写真製版後イオンビームエッチングにより
金属をエッチングしＳｉをエッチングするためのマスク
とする。
【００１６】つぎに、図４に示すように、Ｓｉをリアク
ティブイオンエッチングによりほぼ垂直にエッチング
し、そののち、金属マスクをウエットエッチングまたは
イオンビームエッチングにより除去する。この際形成さ
れたＳｉの壁の幅はヘッドのギャップ長より大きく、１
μmとした。ついで、図５に示すように、熱酸化炉によ
りＳｉ表面を4000Åまで酸化させＳｉＯ2層４を形成し
た。
ティブイオンエッチングによりほぼ垂直にエッチング
し、そののち、金属マスクをウエットエッチングまたは
イオンビームエッチングにより除去する。この際形成さ
れたＳｉの壁の幅はヘッドのギャップ長より大きく、１
μmとした。ついで、図５に示すように、熱酸化炉によ
りＳｉ表面を4000Åまで酸化させＳｉＯ2層４を形成し
た。
【００１７】つぎに、図６に示すように、基板１をフッ
酸水溶液中に浸しＳｉＯ2層のみをエッチングし幅2000
ÅのＳｉの壁を形成した。そののち、再び熱酸化を行い
ＳｉをＳｉＯ2とし、ギャップ４を形成した。そして、
図７に示すように、ＣｏＺｒＮｂをスパッタリング法に
より形成し、そののち所定のトラック幅になるまで研摩
を行い、同時に平坦化を行う。
酸水溶液中に浸しＳｉＯ2層のみをエッチングし幅2000
ÅのＳｉの壁を形成した。そののち、再び熱酸化を行い
ＳｉをＳｉＯ2とし、ギャップ４を形成した。そして、
図７に示すように、ＣｏＺｒＮｂをスパッタリング法に
より形成し、そののち所定のトラック幅になるまで研摩
を行い、同時に平坦化を行う。
【００１８】つぎに、所定のコア形状になるよう写真製
版を行いイオンビームエッチングによって左右のコア５
を形成する。そののち、通常の方法に従って絶縁膜形
成、コイル形成、バックヨーク形成を経て、保護膜を形
成する（図２参照）。こののち、ヘッドチップ形状に加
工する。
版を行いイオンビームエッチングによって左右のコア５
を形成する。そののち、通常の方法に従って絶縁膜形
成、コイル形成、バックヨーク形成を経て、保護膜を形
成する（図２参照）。こののち、ヘッドチップ形状に加
工する。
【００１９】なお、前述した実施例では、絶縁膜および
保護膜としてＡｌ2Ｏ3を、コイルとしてＣｕを用いた
が、Ａｌ2Ｏ3以外の絶縁材（たとえばＳｉＯ2、ＳｉＡ
ｌＯＮ）やＣｕ以外の金属（たとえばＡｌ）をコイルと
して用いることもできる。また、ギャップ長が0.2μmの
ばあいについて説明したが、0.2μm以外のギャップ長に
対しても前述した製法を適用できるのは言うまでもな
い。また、前述した実施例ではギャップを構成する材料
としてＳｉの熱酸化によるＳｉＯ2を用いたが、それ以
外の材料でもリアクティブにエッチングでき、かつ、熱
酸化により酸化され、酸化されたものに対するエッチャ
ントで酸化する前の材料が不溶である材料ならばいずれ
の材料でもよく、たとえばＡｌの熱酸化によるＡｌ2Ｏ3
を用いることもできる。
保護膜としてＡｌ2Ｏ3を、コイルとしてＣｕを用いた
が、Ａｌ2Ｏ3以外の絶縁材（たとえばＳｉＯ2、ＳｉＡ
ｌＯＮ）やＣｕ以外の金属（たとえばＡｌ）をコイルと
して用いることもできる。また、ギャップ長が0.2μmの
ばあいについて説明したが、0.2μm以外のギャップ長に
対しても前述した製法を適用できるのは言うまでもな
い。また、前述した実施例ではギャップを構成する材料
としてＳｉの熱酸化によるＳｉＯ2を用いたが、それ以
外の材料でもリアクティブにエッチングでき、かつ、熱
酸化により酸化され、酸化されたものに対するエッチャ
ントで酸化する前の材料が不溶である材料ならばいずれ
の材料でもよく、たとえばＡｌの熱酸化によるＡｌ2Ｏ3
を用いることもできる。
【００２０】［実施例２］図８〜図13は本発明の他の実
施例の製造工程毎のヘッド断面を示す図である。なお、
本実施例もギャップ長0.2μmのばあいについて説明して
ある。
施例の製造工程毎のヘッド断面を示す図である。なお、
本実施例もギャップ長0.2μmのばあいについて説明して
ある。
【００２１】まず、図８に示すように非磁性基板上にＳ
ｉをスパッタリング法により形成し、そののちＣｒなど
の金属を形成し、写真製版後イオンビームエッチングに
より金属膜の一部を除去し、Ｓｉをエッチングするため
のマスクを形成した。
ｉをスパッタリング法により形成し、そののちＣｒなど
の金属を形成し、写真製版後イオンビームエッチングに
より金属膜の一部を除去し、Ｓｉをエッチングするため
のマスクを形成した。
【００２２】つぎに、図９に示すようにリアクティブイ
オンエッチングによりＳｉをほぼ垂直にエッチングし、
Ｓｉの台を形成した。そして、図10に示すように熱酸化
によりＳｉ表面を2000Åまで酸化させたのち、図11に示
すようにイオンビームエッチングによりＳｉＯ2表面の
みを除去しＳｉを露出させた。
オンエッチングによりＳｉをほぼ垂直にエッチングし、
Ｓｉの台を形成した。そして、図10に示すように熱酸化
によりＳｉ表面を2000Åまで酸化させたのち、図11に示
すようにイオンビームエッチングによりＳｉＯ2表面の
みを除去しＳｉを露出させた。
【００２３】ついで、図12に示すようにＫＯＨ溶液中に
浸しＳｉのみをエッチングし、ＳｉＯ2のみを残した。
つぎに、図13に示すようにＣｏＺｒＮｂをスパッタリン
グ法により形成し、所定のトラック幅になるまで機械的
に研磨し平坦化を行った。そののち、通常の方法に従っ
てコイル、絶縁膜、バックヨークおよび保護膜を形成し
薄膜磁気ヘッドをえた（図２参照）。
浸しＳｉのみをエッチングし、ＳｉＯ2のみを残した。
つぎに、図13に示すようにＣｏＺｒＮｂをスパッタリン
グ法により形成し、所定のトラック幅になるまで機械的
に研磨し平坦化を行った。そののち、通常の方法に従っ
てコイル、絶縁膜、バックヨークおよび保護膜を形成し
薄膜磁気ヘッドをえた（図２参照）。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の薄膜磁気
ヘッドの製法は従来からの写真製版技術およびエッチン
グ技術を用いても、基板に垂直にサブミクロンギャップ
を形成することができる。その結果、高密度化の要求に
応えられる薄膜磁気ヘッドをえられるという効果があ
る。
ヘッドの製法は従来からの写真製版技術およびエッチン
グ技術を用いても、基板に垂直にサブミクロンギャップ
を形成することができる。その結果、高密度化の要求に
応えられる薄膜磁気ヘッドをえられるという効果があ
る。
【図１】本発明の製法によりえられる薄膜磁気ヘッドの
磁気記録媒体との摺動面を示す図である。
磁気記録媒体との摺動面を示す図である。
【図２】本発明の製法によりえられる薄膜磁気ヘッドの
平面図である。
平面図である。
【図３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製法の一実施例の工
程説明図である。
程説明図である。
【図４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製法の一実施例の工
程説明図である。
程説明図である。
【図５】本発明の薄膜磁気ヘッドの製法の一実施例の工
程説明図である。
程説明図である。
【図６】本発明の薄膜磁気ヘッドの製法の一実施例の工
程説明図である。
程説明図である。
【図７】本発明の薄膜磁気ヘッドの製法の一実施例の工
程説明図である。
程説明図である。
【図８】本発明の薄膜磁気ヘッドの製法の他の実施例の
工程説明図である。
工程説明図である。
【図９】本発明の薄膜磁気ヘッドの製法の他の実施例の
工程説明図である。
工程説明図である。
【図１０】本発明の薄膜磁気ヘッドの製法の他の実施例
の工程説明図である。
の工程説明図である。
【図１１】本発明の薄膜磁気ヘッドの製法の他の実施例
の工程説明図である。
の工程説明図である。
【図１２】本発明の薄膜磁気ヘッドの製法の他の実施例
の工程説明図である。
の工程説明図である。
【図１３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製法の他の実施例
の工程説明図である。
の工程説明図である。
【図１４】従来の薄膜磁気ヘッドの断面説明図である。
【図１５】従来の薄膜磁気ヘッドの平面説明図である。
【図１６】従来の薄膜磁気ヘッドの正面説明図である。
【図１７】従来の薄膜磁気ヘッドの正面説明図である。
１ 非磁性基板 ２ Ｓｉ層 ３ 金属膜 ４ ＳｉＯ2層（ギャップ） ５ コア
Claims (4)
- 【請求項１】 非磁性基板上に垂直にギャップに相当す
る壁を形成し、その両側に磁性層を形成しパターニング
によりコアとしたのち、コイル、バックヨークおよび保
護膜を形成することにより薄膜磁気ヘッドを製造する方
法であって、リアクティブエッチングおよび熱酸化が可
能であり、その熱酸化物のエッチャントに不溶性の非磁
性体のリアクティブイオンエッチングにより、ギャップ
に相当しギャップ長より広い幅の前記非磁性体の壁を形
成し、そののち熱酸化により前記非磁性体表面を酸化さ
せたのち、酸化物のみをウエットエッチし、ギャップ長
に相当する幅の前記非磁性体の壁を形成したのち、再び
熱酸化することによりギャップ長に相当する幅を有する
酸化物の壁を形成し、これをギャップとすることを特徴
とする薄膜磁気ヘッドの製法。 - 【請求項２】 前記非磁性体がＳｉまたはＡｌである請
求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製法。 - 【請求項３】 非磁性基板上に垂直にギャップに相当す
る壁を形成し、その両側に磁性層を形成しパターニング
によりコアとしたのち、コイル、バックヨークおよび保
護膜を形成することにより薄膜磁気ヘッドを製造する方
法であって、リアクティブエッチングおよび熱酸化が可
能であり、その熱酸化物のエッチャントに不溶性の非磁
性体のリアクティブイオンエッチングにより垂直にエッ
チングし台を形成したのち、熱酸化により前記非磁性体
表面を酸化させ、台の表面部のみをエッチングし前記非
磁性体を露出させ、ウエットエッチにより前記非磁性体
のみを除去し台の側壁に形成した前記非磁性体の酸化物
のみを残し、これをギャップとすることを特徴とする薄
膜磁気ヘッドの製法。 - 【請求項４】 前記非磁性体がＳｉまたはＡｌである請
求項３記載の薄膜磁気ヘッドの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4185098A JPH0628629A (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 薄膜磁気ヘッドの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4185098A JPH0628629A (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 薄膜磁気ヘッドの製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0628629A true JPH0628629A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16164819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4185098A Pending JPH0628629A (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 薄膜磁気ヘッドの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0628629A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6083410A (en) * | 1997-06-04 | 2000-07-04 | Fujitsu Ltd. | Thin film magnetic head and process for producing same |
-
1992
- 1992-07-13 JP JP4185098A patent/JPH0628629A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6083410A (en) * | 1997-06-04 | 2000-07-04 | Fujitsu Ltd. | Thin film magnetic head and process for producing same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040309 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |