JPH0765319A - 薄膜形成方法とそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜形成方法とそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JPH0765319A JPH0765319A JP5207632A JP20763293A JPH0765319A JP H0765319 A JPH0765319 A JP H0765319A JP 5207632 A JP5207632 A JP 5207632A JP 20763293 A JP20763293 A JP 20763293A JP H0765319 A JPH0765319 A JP H0765319A
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- Japan
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- resist pattern
- thin film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法に関す
るもので、表面凹凸上においても膜切れのない良好な磁
気コアを得ること目的とする。 【構成】 リフトオフで磁気コア形成時にエッジ形状が
逆テーパーとなるようにレジストパターンを形成する工
程、表面に蒸着膜を形成する工程、化学エッチングする
工程、レジストを除去する工程を含む薄膜磁気ヘッドの
製造方法。
るもので、表面凹凸上においても膜切れのない良好な磁
気コアを得ること目的とする。 【構成】 リフトオフで磁気コア形成時にエッジ形状が
逆テーパーとなるようにレジストパターンを形成する工
程、表面に蒸着膜を形成する工程、化学エッチングする
工程、レジストを除去する工程を含む薄膜磁気ヘッドの
製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜形成方法と磁気記
録装置に用いられる薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する
ものである。
録装置に用いられる薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、薄膜磁気ヘッドの磁気コアには高
飽和磁化、高透磁率の非晶質合金磁性膜が用いられてい
る。磁気コアの磁気抵抗を下げてヘッド効率をあげるた
め、あるいは記録時に磁気コアの磁気飽和を防ぐために
磁性膜は厚くする事が望ましい。また、狭トラック化、
マルチチャンネル化にともない磁性膜の高精度の微細加
工技術が必要となっている。
飽和磁化、高透磁率の非晶質合金磁性膜が用いられてい
る。磁気コアの磁気抵抗を下げてヘッド効率をあげるた
め、あるいは記録時に磁気コアの磁気飽和を防ぐために
磁性膜は厚くする事が望ましい。また、狭トラック化、
マルチチャンネル化にともない磁性膜の高精度の微細加
工技術が必要となっている。
【０００３】従来用いられる薄膜のパターニング法とし
て、リフトオフ工法が知られている。リフトオフ工法を
磁気ヘッドの製造方法に用いた例としては、特開平１−
１８１１１４号公報がある。この従来のリフトオフ工法
を図４の工程図を用いて説明する。
て、リフトオフ工法が知られている。リフトオフ工法を
磁気ヘッドの製造方法に用いた例としては、特開平１−
１８１１１４号公報がある。この従来のリフトオフ工法
を図４の工程図を用いて説明する。
【０００４】基板１上にレジストパターン６を形成する
（図４（ａ））。次にＣｏ−Ｔａ−Ｚｒ非晶質磁性膜７
をスパッタで形成し（図４（ｂ））、化学エッチングを
した後（図４（ｃ））、レジストパターン６を除去し、
磁性層１１をパターン形成する（図４（ｄ））。
（図４（ａ））。次にＣｏ−Ｔａ−Ｚｒ非晶質磁性膜７
をスパッタで形成し（図４（ｂ））、化学エッチングを
した後（図４（ｃ））、レジストパターン６を除去し、
磁性層１１をパターン形成する（図４（ｄ））。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のリフトオフ工法
により上部コアを形成する場合、導伝コイルや磁気ギャ
ップ層等の薄膜形成によりできる凹凸面上に磁気コアを
形成するため、化学エッチング時にパターンエッジだけ
でなく段差部の必要な磁性膜までもが選択的にエッチン
グされ磁気コアが切断される（図３ハッチングで示
す）。
により上部コアを形成する場合、導伝コイルや磁気ギャ
ップ層等の薄膜形成によりできる凹凸面上に磁気コアを
形成するため、化学エッチング時にパターンエッジだけ
でなく段差部の必要な磁性膜までもが選択的にエッチン
グされ磁気コアが切断される（図３ハッチングで示
す）。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法には、 （１）磁気コア形成部以外に逆テーパー形状のレジスト
パターンを形成する （２）非晶質磁性膜を形成する （３）非晶質磁性膜上にＡｕ／Ｃｒ蒸着膜を形成する。
に、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法には、 （１）磁気コア形成部以外に逆テーパー形状のレジスト
パターンを形成する （２）非晶質磁性膜を形成する （３）非晶質磁性膜上にＡｕ／Ｃｒ蒸着膜を形成する。
【０００７】（４）非晶質磁性膜を化学エッチングする （５）レジストを除去する の一連の工程を含むことを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明の作用を図５の工程図に従って説明す
る。順テーパー形状の段差部１０と逆テーパー形状のレ
ジストパターン６を持つ基板１上にＣｏ−Ｔａ−Ｚｒ非
晶質磁性膜７をスパッタで形成し、非晶質磁性膜表面に
Ａｕ／Ｃｒ８を蒸着形成する（図５（ａ）、（ｂ））。
しかしレジストパターン６が逆テーパー形状のため非晶
質磁性膜７も逆テーパーになり、Ａｕ／Ｃｒ蒸着膜は遮
蔽されレジストパターン６および非晶質磁性膜７の側壁
には付着しない。次に非晶質磁性膜７を化学エッチング
するとレジストパターン６および非晶質磁性膜７の側壁
の磁性膜は緻密性が悪く短時間でエッチングされ磁性膜
７は切断される（図５（ｃ））。しかし段差部１０はＡ
ｕ／Ｃｒ蒸着膜８に保護されているためエッチング液に
侵されず、レジストパターン６を除去した後に膜切断の
無い良好な磁性膜１１をパターン形成できる（図５
（ｄ））。
る。順テーパー形状の段差部１０と逆テーパー形状のレ
ジストパターン６を持つ基板１上にＣｏ−Ｔａ−Ｚｒ非
晶質磁性膜７をスパッタで形成し、非晶質磁性膜表面に
Ａｕ／Ｃｒ８を蒸着形成する（図５（ａ）、（ｂ））。
しかしレジストパターン６が逆テーパー形状のため非晶
質磁性膜７も逆テーパーになり、Ａｕ／Ｃｒ蒸着膜は遮
蔽されレジストパターン６および非晶質磁性膜７の側壁
には付着しない。次に非晶質磁性膜７を化学エッチング
するとレジストパターン６および非晶質磁性膜７の側壁
の磁性膜は緻密性が悪く短時間でエッチングされ磁性膜
７は切断される（図５（ｃ））。しかし段差部１０はＡ
ｕ／Ｃｒ蒸着膜８に保護されているためエッチング液に
侵されず、レジストパターン６を除去した後に膜切断の
無い良好な磁性膜１１をパターン形成できる（図５
（ｄ））。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の実施例について説明する。
【００１０】図１に本発明の製造方法により作製した薄
膜磁気ヘッドの平面図を、図２に本発明により作製した
薄膜磁気ヘッドの製造方法について図１のＡ−Ａ’線断
面図を用いて示したものである。
膜磁気ヘッドの平面図を、図２に本発明により作製した
薄膜磁気ヘッドの製造方法について図１のＡ−Ａ’線断
面図を用いて示したものである。
【００１１】本ヘッドは非磁性からなる基板、Ｃｏ−Ｔ
ａ−Ｚｒ非晶質合金磁性膜からなる下部コアおよび上部
コア、ＳｉＯ2からなる絶縁層、Ａｕ／Ｃｒからなるコ
イル、ＳｉＯ2からなる磁気ギャップ層からなり、ヘッ
ド動作はコイルに通電して磁気ギャップからの漏れ磁界
で記録媒体に記録するものである。
ａ−Ｚｒ非晶質合金磁性膜からなる下部コアおよび上部
コア、ＳｉＯ2からなる絶縁層、Ａｕ／Ｃｒからなるコ
イル、ＳｉＯ2からなる磁気ギャップ層からなり、ヘッ
ド動作はコイルに通電して磁気ギャップからの漏れ磁界
で記録媒体に記録するものである。
【００１２】次に本発明が適用された上部コアの形成方
法を詳しく説明する。基板１上に下部コア２を５μｍ、
絶縁層３を１．５μｍスパッタで形成し、Ａｕ／Ｃｒ１
μｍ蒸着しイオンエッチングにより所定の形状のコイル
４を得る（図２（ａ））。
法を詳しく説明する。基板１上に下部コア２を５μｍ、
絶縁層３を１．５μｍスパッタで形成し、Ａｕ／Ｃｒ１
μｍ蒸着しイオンエッチングにより所定の形状のコイル
４を得る（図２（ａ））。
【００１３】さらにフロントおよびバックギャップ部の
絶縁層をイオンエッチングで除去し、コイル上部に絶縁
層２μｍ形成し、磁気ギャップ層５を０．７５μｍスパ
ッタで順次形成する（図２（ｂ））。そして第２図ｃに
示すように上部コア形成部以外にイメージリバース型レ
ジストを用い厚さ６μｍのパターン６を形成し、Ｃｏ−
Ｔａ−Ｚｒ非晶質合金磁性膜７を厚さ５μｍスパッタで
形成する。次に非晶質合金磁性膜７上にＣｒ１００Åと
Ａｕ６００Åを蒸着する（図２（ｄ））。この時レジス
トパターン６及びレジストパターン６上の非晶質合金磁
性膜７は逆テーパー形状であるため側壁にはＡｕ／Ｃｒ
蒸着膜８は付着しない。次にフッ酸と硝酸と水の混合液
で化学エッチングすると、Ａｕ／Ｃｒ蒸着膜８の付着し
ていないレジストパターン６の段差部のＣｏ−Ｔａ−Ｚ
ｒ非晶質合金磁性膜が選択的に除去される。そして図２
（ｅ）に示すように溶剤でフォトレジストパターン６を
除去し、Ａｕ／Ｃｒ蒸着膜８をイオンミリングし、上部
コア９がパターン形成される。このように本発明によれ
ば、上部コア９の表面はＡｕ／Ｃｒ蒸着膜８で覆われて
いるためコイル４や絶縁膜３、５の段差部はエッチング
液にさらされないので磁性膜が切断されない。またレジ
ストパターン３の寸法にほぼ等しい高精度なパターン形
成ができる。
絶縁層をイオンエッチングで除去し、コイル上部に絶縁
層２μｍ形成し、磁気ギャップ層５を０．７５μｍスパ
ッタで順次形成する（図２（ｂ））。そして第２図ｃに
示すように上部コア形成部以外にイメージリバース型レ
ジストを用い厚さ６μｍのパターン６を形成し、Ｃｏ−
Ｔａ−Ｚｒ非晶質合金磁性膜７を厚さ５μｍスパッタで
形成する。次に非晶質合金磁性膜７上にＣｒ１００Åと
Ａｕ６００Åを蒸着する（図２（ｄ））。この時レジス
トパターン６及びレジストパターン６上の非晶質合金磁
性膜７は逆テーパー形状であるため側壁にはＡｕ／Ｃｒ
蒸着膜８は付着しない。次にフッ酸と硝酸と水の混合液
で化学エッチングすると、Ａｕ／Ｃｒ蒸着膜８の付着し
ていないレジストパターン６の段差部のＣｏ−Ｔａ−Ｚ
ｒ非晶質合金磁性膜が選択的に除去される。そして図２
（ｅ）に示すように溶剤でフォトレジストパターン６を
除去し、Ａｕ／Ｃｒ蒸着膜８をイオンミリングし、上部
コア９がパターン形成される。このように本発明によれ
ば、上部コア９の表面はＡｕ／Ｃｒ蒸着膜８で覆われて
いるためコイル４や絶縁膜３、５の段差部はエッチング
液にさらされないので磁性膜が切断されない。またレジ
ストパターン３の寸法にほぼ等しい高精度なパターン形
成ができる。
【００１４】本実施例は薄膜磁気ヘッドの上部コアの形
成方法について述べているが、より複雑な表面凹凸を持
つ積層型薄膜磁気ヘッドにおいても容易に良好なパター
ンが得られる。また本実施例の磁性膜以外の薄膜形成に
おいても短時間で良好なパターンが得られる。
成方法について述べているが、より複雑な表面凹凸を持
つ積層型薄膜磁気ヘッドにおいても容易に良好なパター
ンが得られる。また本実施例の磁性膜以外の薄膜形成に
おいても短時間で良好なパターンが得られる。
【００１５】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、薄膜
形成面の下地凹凸部で膜が切断されることなく短時間で
高精度にパターン化できる。
形成面の下地凹凸部で膜が切断されることなく短時間で
高精度にパターン化できる。
【図１】本発明を用いた薄膜磁気ヘッドの平面図
【図２】（ａ）は実施例における薄膜磁気ヘッドの製造
工程順断面図 （ｂ）は実施例における薄膜磁気ヘッドの製造工程順断
面図 （ｃ）は実施例における薄膜磁気ヘッドの製造工程順断
面図 （ｄ）は実施例における薄膜磁気ヘッドの製造工程順断
面図 （ｅ）は実施例における薄膜磁気ヘッドの製造工程順断
面図
工程順断面図 （ｂ）は実施例における薄膜磁気ヘッドの製造工程順断
面図 （ｃ）は実施例における薄膜磁気ヘッドの製造工程順断
面図 （ｄ）は実施例における薄膜磁気ヘッドの製造工程順断
面図 （ｅ）は実施例における薄膜磁気ヘッドの製造工程順断
面図
【図３】従来例による製造の課題を説明する断面図
【図４】（ａ）は段差部を有する部分で従来例を実施し
た場合の製造工程順断面図 （ｂ）は段差部を有する部分で従来例を実施した場合の
製造工程順断面図 （ｃ）は段差部を有する部分で従来例を実施した場合の
製造工程順断面図 （ｄ）は段差部を有する部分で従来例を実施した場合の
製造工程順断面図
た場合の製造工程順断面図 （ｂ）は段差部を有する部分で従来例を実施した場合の
製造工程順断面図 （ｃ）は段差部を有する部分で従来例を実施した場合の
製造工程順断面図 （ｄ）は段差部を有する部分で従来例を実施した場合の
製造工程順断面図
【図５】（ａ）は本発明の作用を説明するための工程順
断面図 （ｂ）は本発明の作用を説明するための工程順断面図 （ｃ）は本発明の作用を説明するための工程順断面図 （ｄ）は本発明の作用を説明するための工程順断面図
断面図 （ｂ）は本発明の作用を説明するための工程順断面図 （ｃ）は本発明の作用を説明するための工程順断面図 （ｄ）は本発明の作用を説明するための工程順断面図
１ 基板 ２ 下部コア ３ 絶縁層 ４ コイル ５ ギャップ層 ６ フォトレジストパターン ７ 非晶質合金膜 ８ Ａｕ／Ｃｒ蒸着膜 ９ 上部コア １０ 段差パターン １１ 磁性層
Claims (6)
- 【請求項１】表面凹凸を有する基板上にレジストパター
ンを形成する工程と、前記基板上に薄膜を形成する工程
と、前記薄膜上に蒸着膜を形成する工程と、前記薄膜を
化学エッチングする工程と、レジストパターンを除去す
る工程とを有する薄膜形成方法。 - 【請求項２】下部磁性層と導伝コイルあるいは磁気感知
素子などの上に絶縁層を介して上部磁性層を形成してな
る薄膜磁気ヘッドの磁性層の形成方法で、表面凹凸を有
する基板上にレジストパターンを形成する工程と、前記
基板上およびレジストパターン上に非晶質合金磁性膜を
形成する工程と、前記非晶質合金磁性膜上に蒸着膜を形
成する工程と、前記非晶質合金磁性膜を化学エッチング
する工程と、前記レジストパターンを除去する工程とを
有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】レジストパターンのエッジ形状が逆テーパ
ーであることを特徴とする請求項１記載の薄膜形成方
法。 - 【請求項４】レジストパターンのエッジ形状が逆テーパ
ーであることを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項５】蒸着膜がＡｕ／Ｃｒであることを特徴とす
る請求項１または３に記載の薄膜形成方法。 - 【請求項６】蒸着膜がＡｕ／Ｃｒであることを特徴とす
る請求項２または４に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5207632A JPH0765319A (ja) | 1993-08-23 | 1993-08-23 | 薄膜形成方法とそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5207632A JPH0765319A (ja) | 1993-08-23 | 1993-08-23 | 薄膜形成方法とそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0765319A true JPH0765319A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=16543016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5207632A Pending JPH0765319A (ja) | 1993-08-23 | 1993-08-23 | 薄膜形成方法とそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0765319A (ja) |
-
1993
- 1993-08-23 JP JP5207632A patent/JPH0765319A/ja active Pending
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