JPS5858283A - エツチング方法 - Google Patents
エツチング方法Info
- Publication number
- JPS5858283A JPS5858283A JP15715481A JP15715481A JPS5858283A JP S5858283 A JPS5858283 A JP S5858283A JP 15715481 A JP15715481 A JP 15715481A JP 15715481 A JP15715481 A JP 15715481A JP S5858283 A JPS5858283 A JP S5858283A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- etching
- thin film
- photoresist
- chemically
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスパッタエツチングによって硬化したフォトレ
ジスト膜を酸素アッシャ−を用いずに除去することので
きるエツチング方法に関する。
ジスト膜を酸素アッシャ−を用いずに除去することので
きるエツチング方法に関する。
近年、磁気記録の高密度化にともなって磁気ヘッドのト
ラック幅は極めて狭くなっており、従来のようにバルク
状の強磁性材料から切断、研磨によって狭トラツクの磁
気ヘッドを加工する方法ではもはや限界にきている。一
方半導体製造技術に用いられる微細加工技術を店開して
、強磁性薄膜を加工して得られる所謂薄膜磁気ヘッドは
、狭トラツクの磁気ヘッドを容易に得ることができ、し
かも多素子化が容易であるため最近有望視されている。
ラック幅は極めて狭くなっており、従来のようにバルク
状の強磁性材料から切断、研磨によって狭トラツクの磁
気ヘッドを加工する方法ではもはや限界にきている。一
方半導体製造技術に用いられる微細加工技術を店開して
、強磁性薄膜を加工して得られる所謂薄膜磁気ヘッドは
、狭トラツクの磁気ヘッドを容易に得ることができ、し
かも多素子化が容易であるため最近有望視されている。
この薄膜磁気ヘッドの強磁性薄膜を加工する場合、従来
では主としてケミカル・二ノチング法が用いられており
、単一層の加工では十分な精度が得られている。しかし
ながら磁気特性の向上のために、強磁性薄膜と、非磁性
薄膜を交互に積層した多層膜を使用する場合、このよう
な多層膜をケミカルエツチングで加工すると、各層での
エツチング速度が異るため、エツチング断面にテーパー
が生じることは避けられない。
では主としてケミカル・二ノチング法が用いられており
、単一層の加工では十分な精度が得られている。しかし
ながら磁気特性の向上のために、強磁性薄膜と、非磁性
薄膜を交互に積層した多層膜を使用する場合、このよう
な多層膜をケミカルエツチングで加工すると、各層での
エツチング速度が異るため、エツチング断面にテーパー
が生じることは避けられない。
一方アルゴン雰囲気中でスパッタ・エツチングを行なえ
ば、上記ケミカル・エツチングに比してエツチング速度
に太き々差はなく、またエツチングに方向性があるため
多層膜を加工した場合にテーパーの発生を回避すること
ができる。しかしながら上記アルゴン雰囲気中でスパッ
タ・エツチングを行うと、フォト・レジストはプラズマ
にさらされて硬化するため、スパッタ・エツチング後上
記フォトレジストは専用のリムーバーを使用しても除去
できなくなる。従って一般にプラズマにさらされて硬化
したフォト・レジストは酸素アッシャ−で除去されてい
る。
ば、上記ケミカル・エツチングに比してエツチング速度
に太き々差はなく、またエツチングに方向性があるため
多層膜を加工した場合にテーパーの発生を回避すること
ができる。しかしながら上記アルゴン雰囲気中でスパッ
タ・エツチングを行うと、フォト・レジストはプラズマ
にさらされて硬化するため、スパッタ・エツチング後上
記フォトレジストは専用のリムーバーを使用しても除去
できなくなる。従って一般にプラズマにさらされて硬化
したフォト・レジストは酸素アッシャ−で除去されてい
る。
しかし半導体プロセスでは加工される材料は酸素ラジカ
ルの影響を受けにくいＳ ｉ＋ ８１０２あるいはＡｔ
であるのに対して、薄膜磁気ヘッドの加工される材料は
主としてパーマロイ等の金属強磁性薄膜が使用されるこ
とが多く、従ってスパッタエツチング後、硬化したフォ
ト・レジストを酸素アッシャ−で除去すると、金属強磁
性薄膜の表面が直接酸素ラジカルにさらされるため表面
が酸化し、磁気的性質が劣化するという問題がある０本
発明は以上の従来欠点を除去するものであシ、酸素アッ
シャ−を使うことなく、プラズマで硬化したフォト・レ
ジストを除去できるスパッタ・エツチング法を可能にす
るものである。
ルの影響を受けにくいＳ ｉ＋ ８１０２あるいはＡｔ
であるのに対して、薄膜磁気ヘッドの加工される材料は
主としてパーマロイ等の金属強磁性薄膜が使用されるこ
とが多く、従ってスパッタエツチング後、硬化したフォ
ト・レジストを酸素アッシャ−で除去すると、金属強磁
性薄膜の表面が直接酸素ラジカルにさらされるため表面
が酸化し、磁気的性質が劣化するという問題がある０本
発明は以上の従来欠点を除去するものであシ、酸素アッ
シャ−を使うことなく、プラズマで硬化したフォト・レ
ジストを除去できるスパッタ・エツチング法を可能にす
るものである。
以下、本発明によるエツチング方法の実施例を示す。
第１図乃至第５図はエツチング後程を示す側面図である
。基板１上に形成した加工すべき金属強磁性薄膜（パー
マロイ）等の第１の層２の上に、さらに銅等の第２の層
３を形成する。第２の層３の材料としては、第１の層２
と選択的にケミカル・エツチングが可能な材料を使用す
る。第１の層２および第２の層３を形成した後、第２の
層３上に所望のパターンをフォト・レジスト４で形成す
る。フォト・レジスト４もスパッタ・エツチング時に同
時にエツチングされるので第１層および第２層のスパッ
タ・エツチングに十分耐え得る厚さに形成する必要があ
る。フォト・レジストでパターンを形成した後アルゴン
雰囲気中で、第１層２および第２層３を同時にスパッタ
・エツチングを行い、しかる後に第２層のみを選択的に
ケミカル・エツチングで除く。この時フォト・レジスト
４も同時に除去されることになる。第４図から明らかな
ように、スパッタ・エツチング後、第２層３が選択的に
ケミカル・エツチングされる時は、横方向にエツチング
されるため、第２層３の膜厚が厚いほど、はやくエツチ
ングされるが厚すぎると、スパッタ・エツチングに長時
間を要するため、所望のパターンの加工精度が悪くなる
。従って第２の層３の膜厚は、パターンの加工精度が低
下しない範囲で、できる限り厚い方が望ましい。
。基板１上に形成した加工すべき金属強磁性薄膜（パー
マロイ）等の第１の層２の上に、さらに銅等の第２の層
３を形成する。第２の層３の材料としては、第１の層２
と選択的にケミカル・エツチングが可能な材料を使用す
る。第１の層２および第２の層３を形成した後、第２の
層３上に所望のパターンをフォト・レジスト４で形成す
る。フォト・レジスト４もスパッタ・エツチング時に同
時にエツチングされるので第１層および第２層のスパッ
タ・エツチングに十分耐え得る厚さに形成する必要があ
る。フォト・レジストでパターンを形成した後アルゴン
雰囲気中で、第１層２および第２層３を同時にスパッタ
・エツチングを行い、しかる後に第２層のみを選択的に
ケミカル・エツチングで除く。この時フォト・レジスト
４も同時に除去されることになる。第４図から明らかな
ように、スパッタ・エツチング後、第２層３が選択的に
ケミカル・エツチングされる時は、横方向にエツチング
されるため、第２層３の膜厚が厚いほど、はやくエツチ
ングされるが厚すぎると、スパッタ・エツチングに長時
間を要するため、所望のパターンの加工精度が悪くなる
。従って第２の層３の膜厚は、パターンの加工精度が低
下しない範囲で、できる限り厚い方が望ましい。
以上のように本発明によれば、スパッタ・エツチングに
よって硬化したフォト・レジストを、酸素アッシャ−を
用いることなく除去できるため、加工された金属強磁性
薄膜等の表面が酸素ラジカルにさらされて特性が劣化す
るのを防止することができ、かつ、スパッタ・エツチン
グ本来の特徴であるテーパーの少いパターンを形成する
ことができる。
よって硬化したフォト・レジストを、酸素アッシャ−を
用いることなく除去できるため、加工された金属強磁性
薄膜等の表面が酸素ラジカルにさらされて特性が劣化す
るのを防止することができ、かつ、スパッタ・エツチン
グ本来の特徴であるテーパーの少いパターンを形成する
ことができる。
第１図乃至第５図は本発明によるエツチング方法の実施
例の工程を示す側面図である。 図中、に基 板 ２：第１の層 ３：第２の層 ４：フオトレジスト 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 １１１８１ ＠２ 図１１４図
１１５８１１ １１Ｊ３ ｖｌ
例の工程を示す側面図である。 図中、に基 板 ２：第１の層 ３：第２の層 ４：フオトレジスト 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 １１１８１ ＠２ 図１１４図
１１５８１１ １１Ｊ３ ｖｌ
Claims (1)
- １、 基板上に被覆した強磁性薄膜等の第１の薄膜を所
望のパターンにエツチングする方法であって、前記薄膜
上に該薄膜に対して選択的にケミトレジストを被覆する
工程と、アルゴン雰囲気中で前記第１の薄膜と第２の薄
膜とをスパッタエツチングする工程と、前記第２の薄膜
をケミカルエツチングし前記フォトレジストを除去する
工程とを備えたことを特徴とするエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15715481A JPS5858283A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15715481A JPS5858283A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | エツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5858283A true JPS5858283A (ja) | 1983-04-06 |
Family
ID=15643356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15715481A Pending JPS5858283A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5858283A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60247816A (ja) * | 1984-05-24 | 1985-12-07 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| US7262139B2 (en) * | 2004-06-02 | 2007-08-28 | Avx Israel, Ltd. | Method suitable for batch ion etching of copper |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP15715481A patent/JPS5858283A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60247816A (ja) * | 1984-05-24 | 1985-12-07 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPH0320809B2 (ja) * | 1984-05-24 | 1991-03-20 | Mitsubishi Electric Corp | |
| US7262139B2 (en) * | 2004-06-02 | 2007-08-28 | Avx Israel, Ltd. | Method suitable for batch ion etching of copper |
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