JPS5996524A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS5996524A JPS5996524A JP20718982A JP20718982A JPS5996524A JP S5996524 A JPS5996524 A JP S5996524A JP 20718982 A JP20718982 A JP 20718982A JP 20718982 A JP20718982 A JP 20718982A JP S5996524 A JPS5996524 A JP S5996524A
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- film
- etching
- layer
- etched
- plasma
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は磁気ディスク装置、磁気テープ装置等の磁気記
録を行なうことができる薄膜磁気ヘッドに関する。
録を行なうことができる薄膜磁気ヘッドに関する。
〈従来技術〉
従来の薄膜磁気ヘッドの構造を第１図に示す。
同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ、−
Ａ’線での切断側面断面図である。同図に示す様に磁性
基板１上にＣｕ、Ａｄ等の導体層２．該導体層２上にＳ
ｉＯ２，Ｓｉ３ Ｎ４等の絶縁層３．該絶縁層３」二に
Ｎｉ Ｆｅ合金、 Ｆｅ Ａｅ Ｓ ’合金等の磁性
層４が積層されて構成される。上記磁性基板１が下側コ
アを形成し上記磁性層４が」二側コアを形成する。同図
に示す様に上側コアと］；側コアとはヘッド後部のバッ
クコア部５にて磁気的に結合され、又ヘッド先端部のヘ
ッドギャップ部６にて」；記絶縁層３を介して対向して
いる。以」、の薄膜磁気ヘッドは主に記録用ヘッドとし
て用いられるもので、動作原理は従来のバルクヘッドと
同じ電磁誘導現象である。
Ａ’線での切断側面断面図である。同図に示す様に磁性
基板１上にＣｕ、Ａｄ等の導体層２．該導体層２上にＳ
ｉＯ２，Ｓｉ３ Ｎ４等の絶縁層３．該絶縁層３」二に
Ｎｉ Ｆｅ合金、 Ｆｅ Ａｅ Ｓ ’合金等の磁性
層４が積層されて構成される。上記磁性基板１が下側コ
アを形成し上記磁性層４が」二側コアを形成する。同図
に示す様に上側コアと］；側コアとはヘッド後部のバッ
クコア部５にて磁気的に結合され、又ヘッド先端部のヘ
ッドギャップ部６にて」；記絶縁層３を介して対向して
いる。以」、の薄膜磁気ヘッドは主に記録用ヘッドとし
て用いられるもので、動作原理は従来のバルクヘッドと
同じ電磁誘導現象である。
その記録動作を説明すれば、リードである導体層２に通
電を行なう事により上側コア及びＩ；側コアからなる磁
気コアに起磁力が発生する。この起磁力によって磁気コ
ア内に磁束が流れ、ヘッドギャップ部６にて磁束が漏洩
しこのハ（１電磁束が記録磁界となる１、 さて、以」−の薄膜磁気ヘッドは高度の記録面密度を達
成する為に複数のヘッドを並列に配列した構成が採用さ
れる。この配列構成をマルチトラック構成と呼び、隣同
志のヘッド間の周期の長さをｌ・ラックピッチと呼ぶ。
電を行なう事により上側コア及びＩ；側コアからなる磁
気コアに起磁力が発生する。この起磁力によって磁気コ
ア内に磁束が流れ、ヘッドギャップ部６にて磁束が漏洩
しこのハ（１電磁束が記録磁界となる１、 さて、以」−の薄膜磁気ヘッドは高度の記録面密度を達
成する為に複数のヘッドを並列に配列した構成が採用さ
れる。この配列構成をマルチトラック構成と呼び、隣同
志のヘッド間の周期の長さをｌ・ラックピッチと呼ぶ。
このトランクピッチは記録媒体（磁気テープ等）の幅］
」法の制約を受ける為短いものであり、その結果各ヘッ
ド形状は微細となり、各ヘッドのリード線の形状も狭小
な領域に収まるように制限されるものである。特に第１
図に示したヘッドのリード線が１回巻きの単数巻線型ヘ
ッド（シンクルターンヘッド）に比べてリード線が複数
巻きされる複数巻線型ヘッド（マルチターンヘッド）で
はリード線の［１］は非常に微細である事が必要とされ
る。
」法の制約を受ける為短いものであり、その結果各ヘッ
ド形状は微細となり、各ヘッドのリード線の形状も狭小
な領域に収まるように制限されるものである。特に第１
図に示したヘッドのリード線が１回巻きの単数巻線型ヘ
ッド（シンクルターンヘッド）に比べてリード線が複数
巻きされる複数巻線型ヘッド（マルチターンヘッド）で
はリード線の［１］は非常に微細である事が必要とされ
る。
例えば１−ラックピッチ１００μ７ｎで４回巻きのリー
ド線ｋ ４＋’−Ｊ−るマルチターンヘラ１−の場合り
一１゛線の＋１ｊば５μｍ、リード線間の間隔は２μｎ
ｔ、ｌ）−ド線膜Ｊ？−は２／ｌｔｎ、と非常に微細で
なければならない。
ド線ｋ ４＋’−Ｊ−るマルチターンヘラ１−の場合り
一１゛線の＋１ｊば５μｍ、リード線間の間隔は２μｎ
ｔ、ｌ）−ド線膜Ｊ？−は２／ｌｔｎ、と非常に微細で
なければならない。
この様な微細構造のリ−１・線を加工形成するには通常
のエツチング液による湿式エツチング法や電着法では充
分に行なえないので、ドライエツチング法が採用されて
いる。ドライエツチング法の中でもスパックエツチング
法は微細パターン形成法の有効な手段の１っである。
のエツチング液による湿式エツチング法や電着法では充
分に行なえないので、ドライエツチング法が採用されて
いる。ドライエツチング法の中でもスパックエツチング
法は微細パターン形成法の有効な手段の１っである。
今、加工粘度を説明する為にフーＡトマスクのパターン
寸法ヲマスクサイズ、エツチング加工後の仕」二がりの
バクーン利法をパターンサイズ、」−記マスクサイズと
」二記パターンサイズの寸法差を加工誤差と定義する。
寸法ヲマスクサイズ、エツチング加工後の仕」二がりの
バクーン利法をパターンサイズ、」−記マスクサイズと
」二記パターンサイズの寸法差を加工誤差と定義する。
一般に湿式エツチング法や１１（着法での加工誤差は加
二「する膜の膜厚程度あり、一方ヌバッタエツチング法
での加工誤差は加工す１す る膜の膜Ｊ９．のＴからＴ程度に留まっている。従、っ
て上述の様な微細溝゛造のリード線を加工形成するには
スパックエツチング法が適している、。
二「する膜の膜厚程度あり、一方ヌバッタエツチング法
での加工誤差は加工す１す る膜の膜Ｊ９．のＴからＴ程度に留まっている。従、っ
て上述の様な微細溝゛造のリード線を加工形成するには
スパックエツチング法が適している、。
次にヌバックエッチ／り法の−・般的な製造ヅ°ＩＪセ
ヌを第２図の工程説明図を用いて説明する。
ヌを第２図の工程説明図を用いて説明する。
基板７上に蒸着・スパッタ等によってｖｊ１層膜８を被
着し、該第１層膜８の−１−にスパツタエツチンク速度
が第１層膜８に比べて１−分車さい第２層膜９を被着す
る。
着し、該第１層膜８の−１−にスパツタエツチンク速度
が第１層膜８に比べて１−分車さい第２層膜９を被着す
る。
第２図（ｂ）の工程
】策２層膜９を所定のパターン形状にドライエツチング
法Ｔする。この第２層膜９は高粘度に加工する必要があ
る。その理由は最終的なパターンサイズが第２層膜９の
加工精度によって大きく左右されるからである。
法Ｔする。この第２層膜９は高粘度に加工する必要があ
る。その理由は最終的なパターンサイズが第２層膜９の
加工精度によって大きく左右されるからである。
第２層）摸９をマスクとしてアルゴンイオンＩＦ 囲気
で姑板面全面をスパッタしスパックエツチングを行なう
。一般に１個のイオンによってスパックされるＩｌｔ
（数をスパック効率（ａｔｏｍｓ／ ｉｏｎ ）とｎｆ
び、スパック効率が大きい程ヌパックエツチンク速度が
大きいものである。上記第２層膜９のスパック効率は上
記第１層膜８０ツバツタ効率に比べて十分小さく、従っ
て第２層膜９の被覆されていない領域では第１層膜８の
スパックエツチングが進行し、第２層膜９の被覆された
領域では第１層１１弊８は残存する。こうして第１層膜
８を所定パターンに加工することができるものである。
で姑板面全面をスパッタしスパックエツチングを行なう
。一般に１個のイオンによってスパックされるＩｌｔ
（数をスパック効率（ａｔｏｍｓ／ ｉｏｎ ）とｎｆ
び、スパック効率が大きい程ヌパックエツチンク速度が
大きいものである。上記第２層膜９のスパック効率は上
記第１層膜８０ツバツタ効率に比べて十分小さく、従っ
て第２層膜９の被覆されていない領域では第１層膜８の
スパックエツチングが進行し、第２層膜９の被覆された
領域では第１層１１弊８は残存する。こうして第１層膜
８を所定パターンに加工することができるものである。
〈本発明が解決しようとする問題点〉
−１−記ヌバッタエツチング法を用いて薄膜磁気ヘッド
のリード線を加工する場合、リード線を構成する導電体
材料及びマスク層を構成するマスク利ネ」の選定が問題
となる。
のリード線を加工する場合、リード線を構成する導電体
材料及びマスク層を構成するマスク利ネ」の選定が問題
となる。
リード線を構成する導電体材料の満たすべき条件として
は■薄膜磁気ヘッドの記録動作時に於いてリード線への
通電により発生するジｊ＝−ル熱を極小にし発熱による
断線を防止する為に電気抵抗率ρ〔立・ｃｍ ）が小さ
いこと、及び■スパツタエッチンク速度がマスク相判よ
り十分大きいことが挙げられる。ここでＣｕの物理的特
性を示すとＣｕの重砲抵抗率ρは１．７２４λ引であり
Ａｇの抵抗率ρの１．６２μｌ１ｃｍに次いて低い。又
Δｒイオンを用いた場合のＣｕのスパック率は２．３５
でＡｇのスパッタ率の３．１０．Ａｕのスパック率の２
．７０に次いで高い値を示しスパックエツチング速度が
大きい。以上の様にＣｕはリード線を構成する導′市体
材判の満たすべき条件■及び■を満たしており、リード
線の導電体利料として適している。
は■薄膜磁気ヘッドの記録動作時に於いてリード線への
通電により発生するジｊ＝−ル熱を極小にし発熱による
断線を防止する為に電気抵抗率ρ〔立・ｃｍ ）が小さ
いこと、及び■スパツタエッチンク速度がマスク相判よ
り十分大きいことが挙げられる。ここでＣｕの物理的特
性を示すとＣｕの重砲抵抗率ρは１．７２４λ引であり
Ａｇの抵抗率ρの１．６２μｌ１ｃｍに次いて低い。又
Δｒイオンを用いた場合のＣｕのスパック率は２．３５
でＡｇのスパッタ率の３．１０．Ａｕのスパック率の２
．７０に次いで高い値を示しスパックエツチング速度が
大きい。以上の様にＣｕはリード線を構成する導′市体
材判の満たすべき条件■及び■を満たしており、リード
線の導電体利料として適している。
一方マスク層を構成するマヌク拐ｔ１の満たずべき条件
としては■ヌパックエッチング速度がり−ド綿を構成す
る導電体ＩＪ Ｉｔより十分小さいこと、■反応ＩＪ：
イオンコニソチンク１−９の１′フイコーソチンク法で
高１１”を度に加工できること、■マスク層を加工形成
する際リード利表面に加工変質ＪＦ９等を生成しないこ
とが挙げられる。ここでＴＩの物理的動性を示すと、Ａ
ｒイオンを用いた場合の１゛ｉのスパッタ率は０．５０
であり上述したＣｕの２．３５ＫＪ、とべて十分率さな
ものである。又ＴｉはＣＦ４ガヌ等をエツチング進行と
して反応性イオンエクチンク法で加工でき、該反応性イ
オンエツチング法を用いた場合のＴｉ膜の加工誤差は膜
厚が］、０００Ａ程度のもので０．２５μ以下である。
としては■ヌパックエッチング速度がり−ド綿を構成す
る導電体ＩＪ Ｉｔより十分小さいこと、■反応ＩＪ：
イオンコニソチンク１−９の１′フイコーソチンク法で
高１１”を度に加工できること、■マスク層を加工形成
する際リード利表面に加工変質ＪＦ９等を生成しないこ
とが挙げられる。ここでＴＩの物理的動性を示すと、Ａ
ｒイオンを用いた場合の１゛ｉのスパッタ率は０．５０
であり上述したＣｕの２．３５ＫＪ、とべて十分率さな
ものである。又ＴｉはＣＦ４ガヌ等をエツチング進行と
して反応性イオンエクチンク法で加工でき、該反応性イ
オンエツチング法を用いた場合のＴｉ膜の加工誤差は膜
厚が］、０００Ａ程度のもので０．２５μ以下である。
以−１−の様にＴｉはマスク月利の満たすべき条件■及
び■につぃては満たしている。次に条件■について検Ｗ
：ｊする。
び■につぃては満たしている。次に条件■について検Ｗ
：ｊする。
前述の９［１くマスク層はドライエツチングによって加
工されるが、マスク層としてＴＩ膜を用いた場合、例工
ばドライエツチングの一種であるＣＦ。
工されるが、マスク層としてＴＩ膜を用いた場合、例工
ばドライエツチングの一種であるＣＦ。
ガスによるプラズマエツチングを行なえばプラズマ中の
フッ素の中性活性イＦ＊（フッ素うジヵ／ｌ／）がリー
ド材のＣｕとある程度反応はするが、Ａｄをエツチング
するＣ Ｃ１４ガス中の塩素ラジカルＣβ１程にはＣｕ
を腐蝕させることはない。従って条（／ｌ■についても
′■゛１は醒７たしていると１１えるものである。
フッ素の中性活性イＦ＊（フッ素うジヵ／ｌ／）がリー
ド材のＣｕとある程度反応はするが、Ａｄをエツチング
するＣ Ｃ１４ガス中の塩素ラジカルＣβ１程にはＣｕ
を腐蝕させることはない。従って条（／ｌ■についても
′■゛１は醒７たしていると１１えるものである。
しかし以上の様にしてリード線を構成する導電体利料と
してＣｕを選定し、マスクＫ・１を構成するマスク月利
としてＴｉを選定したとしても高次の２つの問題点が残
る。
してＣｕを選定し、マスクＫ・１を構成するマスク月利
としてＴｉを選定したとしても高次の２つの問題点が残
る。
第１の問題点
第３図はリード線を構成する導電体４：Ａ月としてＣｕ
を選定し、マスク層を構成するマヌク利ポ１としてＴｉ
を選定した場合のリード線の加ニー１−程を示す］−程
説明図である。磁性基板ｊ十にＣｕ Ｉトカ】Ｏ及びＴ
ｉ膜】１を順次真空蒸着法、スパッタ法等で被着し、−
１−記′ｒ ｉ Ｉｌ’ｇ １ ］、−にに所定パター
ン形状のフ巧トレジス１−膜■２をマスクする（第３図
（ａ））。
を選定し、マスク層を構成するマヌク利ポ１としてＴｉ
を選定した場合のリード線の加ニー１−程を示す］−程
説明図である。磁性基板ｊ十にＣｕ Ｉトカ】Ｏ及びＴ
ｉ膜】１を順次真空蒸着法、スパッタ法等で被着し、−
１−記′ｒ ｉ Ｉｌ’ｇ １ ］、−にに所定パター
ン形状のフ巧トレジス１−膜■２をマスクする（第３図
（ａ））。
次にＣＦ ４ガヌでＴｉ膜】１をプラズマエツチング加
工する（第３図（＋）））。次にフＡトレジヌトｌ関１
２を酸素プラズマあるいは剥削″液中で除去する（第３
図（Ｃ））。次にＴｉ膜１１を７７り層としてＣｕ膜１
０をエツチング加］ニする（第３図（ｄ））。
工する（第３図（＋）））。次にフＡトレジヌトｌ関１
２を酸素プラズマあるいは剥削″液中で除去する（第３
図（Ｃ））。次にＴｉ膜１１を７７り層としてＣｕ膜１
０をエツチング加］ニする（第３図（ｄ））。
−ｊ−詑第３図（ｂ）に示される如く、ＣＦ４ガヌでＴ
１１１４】１をプラズマエツチング加工する際において
、”Ｉ’ ｉ Ｉｌ’ｊｊ ］、 Ｊ （７） エツチ
ンク除去部分ｃ７） Ｃｕ ＩＩ’Ｊ Ｊ−０４７）露
出領域においてＣＩＪ膜１ｏの表面にフッ化化合物であ
るＣｕＦ２ ノ１″！１１３が生成され、＋ｉＡ ｃ＋
ＪＦ ２）ｆｆｌ ］ ３がＣｕ膜１０のエツチング加
工時にＣｕのエツチング進行を＋！［１，害する。１第
２の問題点 ′１゛ｉ膜１１をエツチング加工後、Ｔｉ膜１１上の）
ＡトレジストＩＩ匁１２を酸素プラズマあるいは剥Ｎ液
中で除去する際、Ｃｕ膜１ｏの露出領域においてＣｕ１
ｌψ１０の表面に酸化化合物であるＣｕ ０Ｍ１４が牛
Ｉ戊され、核Ｃｕ ＯＰａ ］、 ４がＣｕ ｈ”Ｉ
Ｊ Ｏのエノチンク加二に時にＣｕのエノチングノ（Ｃ
：イ１を１（１１害する。その為第３１図（ｄ）の如＜
Ｔｉ１ｌ’Ｊ］Ｉのろ−ｆ−，７りのみが進行しＣｕｌ
摸］０のエツチング加−１゜が殆どＩり了しない。
１１１４】１をプラズマエツチング加工する際において
、”Ｉ’ ｉ Ｉｌ’ｊｊ ］、 Ｊ （７） エツチ
ンク除去部分ｃ７） Ｃｕ ＩＩ’Ｊ Ｊ−０４７）露
出領域においてＣＩＪ膜１ｏの表面にフッ化化合物であ
るＣｕＦ２ ノ１″！１１３が生成され、＋ｉＡ ｃ＋
ＪＦ ２）ｆｆｌ ］ ３がＣｕ膜１０のエツチング加
工時にＣｕのエツチング進行を＋！［１，害する。１第
２の問題点 ′１゛ｉ膜１１をエツチング加工後、Ｔｉ膜１１上の）
ＡトレジストＩＩ匁１２を酸素プラズマあるいは剥Ｎ液
中で除去する際、Ｃｕ膜１ｏの露出領域においてＣｕ１
ｌψ１０の表面に酸化化合物であるＣｕ ０Ｍ１４が牛
Ｉ戊され、核Ｃｕ ＯＰａ ］、 ４がＣｕ ｈ”Ｉ
Ｊ Ｏのエノチンク加二に時にＣｕのエノチングノ（Ｃ
：イ１を１（１１害する。その為第３１図（ｄ）の如＜
Ｔｉ１ｌ’Ｊ］Ｉのろ−ｆ−，７りのみが進行しＣｕｌ
摸］０のエツチング加−１゜が殆どＩり了しない。
１−記第１の問題点及び第２の問題点によってＣｕＩＩ
＠ １．０のエツチング加工後間はＣｕ膜１０の露出領
域の表面に生成される化合物によって大幅に延長される
。その為Ｃｕ膜１０のエツチングを行なう為にはＴｉ膜
１１の膜厚を厚くする必要がある。
＠ １．０のエツチング加工後間はＣｕ膜１０の露出領
域の表面に生成される化合物によって大幅に延長される
。その為Ｃｕ膜１０のエツチングを行なう為にはＴｉ膜
１１の膜厚を厚くする必要がある。
しかし１゛ｉ膜１１の膜厚と１゛ｌ膜１１のパターン形
成の加工精度は相反する関係にあり、Ｔ ｉ膜１１の膜
厚が厚い程ＣｕｔｌａＩＯのスパンタエンチンダ後の加
工誤差が大きくなり好寸しくない。
成の加工精度は相反する関係にあり、Ｔ ｉ膜１１の膜
厚が厚い程ＣｕｔｌａＩＯのスパンタエンチンダ後の加
工誤差が大きくなり好寸しくない。
〈問題点を解決する為の手段〉
本発明は−１−述しだ間１．Ｘｆｉを解決する為にＣｕ
膜どＴｉ膜の間に保護層を介在させ、該保護層によって
Ｃｕ’膜表面に余分な化合物が生成されることを１坊止
したものである。
膜どＴｉ膜の間に保護層を介在させ、該保護層によって
Ｃｕ’膜表面に余分な化合物が生成されることを１坊止
したものである。
〈実施例〉
以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一実施例について
詳細に説明する。
詳細に説明する。
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの−・すＺ１血例を第４図
の工程説明図を用いて製造工程１１１０に１−′１明す
れば次の通９である。
の工程説明図を用いて製造工程１１１０に１−′１明す
れば次の通９である。
第４図（ａ）の工程
フェライト等の磁性基板Ｊ１にＣＩＩＩＩ・（１０を２
μｙａ、Ｎｉ Ｆｅ合金膜１５を５ Ｃ（１、”Ｌ、Ｔ
ｉ膜１１を１５００λの膜厚で順次真空蒸着法、スパッ
タ法等にて積層する。
μｙａ、Ｎｉ Ｆｅ合金膜１５を５ Ｃ（１、”Ｌ、Ｔ
ｉ膜１１を１５００λの膜厚で順次真空蒸着法、スパッ
タ法等にて積層する。
Ｔｉ膜１１」−にフＡトレジスト膜１２（例えばンプレ
イ（株）製のＡＺ１３５０や東京応化（株）製の０ＭＲ
８３）のパターンを適当な厚さで形成する。
イ（株）製のＡＺ１３５０や東京応化（株）製の０ＭＲ
８３）のパターンを適当な厚さで形成する。
第４図（ｃ）の工程
フＳ ）レシヌト膜１２をマスク層としてＣＩ？４ガス
をエツチング後スとしてＴｉ膜１１をプラズマエツチン
グする。この時フォ１〜レジスト膜１２のパターンの存
在する部分以外の領域では１″Ｉ膜１１がエツチングさ
れてＮｉＦｅ合金膜１５が露出する。このＮｉ Ｆｅ合
金膜１５はプラズマ中のフッ素ラジカルＦ＊によっては
殆どエツチングされずＣｕ膜１０の表面を保護する。
をエツチング後スとしてＴｉ膜１１をプラズマエツチン
グする。この時フォ１〜レジスト膜１２のパターンの存
在する部分以外の領域では１″Ｉ膜１１がエツチングさ
れてＮｉＦｅ合金膜１５が露出する。このＮｉ Ｆｅ合
金膜１５はプラズマ中のフッ素ラジカルＦ＊によっては
殆どエツチングされずＣｕ膜１０の表面を保護する。
第４図（ｄ）の工程
Ｔｉ膜１１上に残存する不用なフォトレシヌト膜１２を
酸素プラズマ中で除去する。この時Ｔｉ膜１１の存在す
る部分以外の領域ではＮｉＦｅ合金膜１５が酸素ラジカ
ル０＊からＣｕ１ｌφ１０表面を保護する。
酸素プラズマ中で除去する。この時Ｔｉ膜１１の存在す
る部分以外の領域ではＮｉＦｅ合金膜１５が酸素ラジカ
ル０＊からＣｕ１ｌφ１０表面を保護する。
第４図（ｅ）の工程
Ｔｉ膜１１をマスク層としてＮｉＦｅ合金膜１５及びＣ
ｕ膜１０をスパッタエツチング法にてＡｒイオンでエツ
チングする。
ｕ膜１０をスパッタエツチング法にてＡｒイオンでエツ
チングする。
以上の工程を経る牛により膜厚２７ｚ ｍ 、線幅５μ
ｍ、線間隔２μｍの微細な構造のリードパターンが形成
される。
ｍ、線間隔２μｍの微細な構造のリードパターンが形成
される。
」二記薄膜磁気ヘジドの製造二１−稈の説明から明らか
な様にＮｉ Ｆｅ合金膜１５はＣｕ膜１０の保護膜とし
て機能するものである。このＣｕ膜１０の保護膜に要求
される必要条件は■フッ素うジカルＦ＊、酸素フジ力／
１１０＊等に列して耐蝕性があること、■ヌパックエッ
チング速度がＣｕに比べてそれ程小さくないことがある
。
な様にＮｉ Ｆｅ合金膜１５はＣｕ膜１０の保護膜とし
て機能するものである。このＣｕ膜１０の保護膜に要求
される必要条件は■フッ素うジカルＦ＊、酸素フジ力／
１１０＊等に列して耐蝕性があること、■ヌパックエッ
チング速度がＣｕに比べてそれ程小さくないことがある
。
上記必要条件■について言えば、ＮｉＦｅ合金のフッ素
ラジカルＦ＊に対する耐蝕性は良好であり、例えばＣＦ
４ガスを用いた反応性イオンエツチングの場合Ｔｉ の
エツチング速度１．５０ Ａ／分に対してＮｉ Ｆｅ合
金のエツチング速度は５λ〃）と非常に小さい。又エツ
チング後の表面状態も良ＬＴで金属光沢を失なわずフッ
化物等の生成も＆められない。又、Ｎｉ Ｆｅ合金の酸
素ラジカル０十に苅する耐蝕性も良好であり、例えば３
μｍ ｖｐ：のフ−ＡＩ・レジメ１一層を円筒型のプラ
ズマエツチング装置で除去する際に３０分間酸素プラズ
マ中に放置してもＮｉ Ｆｅ合金は殆どエツチングされ
ず表面状態も良好である。
ラジカルＦ＊に対する耐蝕性は良好であり、例えばＣＦ
４ガスを用いた反応性イオンエツチングの場合Ｔｉ の
エツチング速度１．５０ Ａ／分に対してＮｉ Ｆｅ合
金のエツチング速度は５λ〃）と非常に小さい。又エツ
チング後の表面状態も良ＬＴで金属光沢を失なわずフッ
化物等の生成も＆められない。又、Ｎｉ Ｆｅ合金の酸
素ラジカル０十に苅する耐蝕性も良好であり、例えば３
μｍ ｖｐ：のフ−ＡＩ・レジメ１一層を円筒型のプラ
ズマエツチング装置で除去する際に３０分間酸素プラズ
マ中に放置してもＮｉ Ｆｅ合金は殆どエツチングされ
ず表面状態も良好である。
次に上記必要条件■について言えば、ＮｉＦｅ合金のヌ
パッタエッチング速度はＣｕの約４分の１であり標準的
なヌパッタエッチンクの場合、Ｃｕのエツチング速度が
４００Ａ／分、ＮｉＦｅ合金のエツチング速度が１００
〜扮である。リード加工の一例として膜厚が２１１７７
ＬのＣｕ膜の十に膜厚が５０ＯＡのＮｉ Ｆｅ合金膜が
積層された膜をヌパノタエッチングする場合、全エツチ
ング時間に苅してＮｉ Ｆｅ合金膜のエツチングに要す
る時間の割合は１０％以下である。以上の様にＮ ｉ
Ｆ ｅ合金膜の導入によるエツチング時間の延長は少な
いものであり、よってマスク層を１１．くする必要も生
じないからリードの加工精度の点で有利である。
パッタエッチング速度はＣｕの約４分の１であり標準的
なヌパッタエッチンクの場合、Ｃｕのエツチング速度が
４００Ａ／分、ＮｉＦｅ合金のエツチング速度が１００
〜扮である。リード加工の一例として膜厚が２１１７７
ＬのＣｕ膜の十に膜厚が５０ＯＡのＮｉ Ｆｅ合金膜が
積層された膜をヌパノタエッチングする場合、全エツチ
ング時間に苅してＮｉ Ｆｅ合金膜のエツチングに要す
る時間の割合は１０％以下である。以上の様にＮ ｉ
Ｆ ｅ合金膜の導入によるエツチング時間の延長は少な
いものであり、よってマスク層を１１．くする必要も生
じないからリードの加工精度の点で有利である。
以上の様に蒸着、ヌパッタ等により形成したＣｕ膜の平
滑な表面を被覆し保護する膜としてＮｉＦｅ合金膜は優
れており、Ｃｕ膜を保護するのに必要なＮｉＦｅ合金膜
の膜厚は５００〜１００ＯＡである。
滑な表面を被覆し保護する膜としてＮｉＦｅ合金膜は優
れており、Ｃｕ膜を保護するのに必要なＮｉＦｅ合金膜
の膜厚は５００〜１００ＯＡである。
〈効 果〉
本発明によれば、リード線を構成する導１１Ｅ体月料を
Ｃｕとし、マスク層を構成するマスク４：ＡＩＩをＴｉ
とし、１゛１膜をプラズマエツチング法にてパターン
加工し、加工後のＴ１膜をマスク層としてＣｕ膜をヌパ
ッタエッチング加工してリードを構成する場合において
、ＮｉＦｅ合金１漢をＣｕ Ｉ陣’Ｉ” ｉ膜の間に介
在させた構造とすることによって、Ｃｕ膜の保護がなさ
れることにより高精度且つ微細々り一ド線構造が実現さ
れるものである。
Ｃｕとし、マスク層を構成するマスク４：ＡＩＩをＴｉ
とし、１゛１膜をプラズマエツチング法にてパターン
加工し、加工後のＴ１膜をマスク層としてＣｕ膜をヌパ
ッタエッチング加工してリードを構成する場合において
、ＮｉＦｅ合金１漢をＣｕ Ｉ陣’Ｉ” ｉ膜の間に介
在させた構造とすることによって、Ｃｕ膜の保護がなさ
れることにより高精度且つ微細々り一ド線構造が実現さ
れるものである。
第１図は従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示し、同図（ａ
）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’線の切
断側面断面図、第２図は従来のスパッタエツチング法の
二「程説明図、第３図はリ−１・′線の加工工程を示す
工程説明図、第４図は本発明に係る薄膜磁気ヘット−の
一実施例を製造する為の丁、程説明図を示す。 図中、１：磁性基板 ２：導体層 ３：絶縁層 ４：磁性層 ５：バックコア部 ６：ヘツドギヤツプ部７二基板
８：第１層膜 ９：第２層膜 １０：Ｃｕ膜 １１：１’ｉ膜 １２：フ第１・レジヌト膜１３：
ＣｕＦｅ層 １４ ： Ｃｕ ０層１５ ： Ｎｉ Ｆ
ｅ合金膜 代理人 ブ↑理士 福 士 愛 彦（他２名）９ ｔＯノ ブ′ブーー
ーー６ＺネタＺ−タワー７ −−−−９ −Ａ２１勇 孕・３１ン１ ニー＼１６ とσノ ’、 、−−、−ニー−／−〜ｔ。 （ｂ） ・ ど−〜ｔ。 第４１゛ （ｄ） （ｅ） 哨
）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’線の切
断側面断面図、第２図は従来のスパッタエツチング法の
二「程説明図、第３図はリ−１・′線の加工工程を示す
工程説明図、第４図は本発明に係る薄膜磁気ヘット−の
一実施例を製造する為の丁、程説明図を示す。 図中、１：磁性基板 ２：導体層 ３：絶縁層 ４：磁性層 ５：バックコア部 ６：ヘツドギヤツプ部７二基板
８：第１層膜 ９：第２層膜 １０：Ｃｕ膜 １１：１’ｉ膜 １２：フ第１・レジヌト膜１３：
ＣｕＦｅ層 １４ ： Ｃｕ ０層１５ ： Ｎｉ Ｆ
ｅ合金膜 代理人 ブ↑理士 福 士 愛 彦（他２名）９ ｔＯノ ブ′ブーー
ーー６ＺネタＺ−タワー７ −−−−９ −Ａ２１勇 孕・３１ン１ ニー＼１６ とσノ ’、 、−−、−ニー−／−〜ｔ。 （ｂ） ・ ど−〜ｔ。 第４１゛ （ｄ） （ｅ） 哨
Claims (1)
- １、 基板上にリード線を構成するＣｕ膜を形成し、該
Ｃｕ膜」−に該Ｃｕ膜を保護するＮｉ Ｆｅ膜をｍｍし
、該ＮｉＦｅ１Ｊ求を二にｎｔＪ記Ｃｕ膜をヌパッタエ
ノチング加工する際のマスク層としてのＴｉ膜を被覆し
だことを特徴とする薄膜磁気ヘット′。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20718982A JPS5996524A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20718982A JPS5996524A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5996524A true JPS5996524A (ja) | 1984-06-04 |
Family
ID=16535719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20718982A Pending JPS5996524A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5996524A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002286323A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽熱利用装置 |
| JP2002286322A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽熱利用装置 |
-
1982
- 1982-11-25 JP JP20718982A patent/JPS5996524A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002286323A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽熱利用装置 |
| JP2002286322A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽熱利用装置 |
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