JPS61123011A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS61123011A JPS61123011A JP24541384A JP24541384A JPS61123011A JP S61123011 A JPS61123011 A JP S61123011A JP 24541384 A JP24541384 A JP 24541384A JP 24541384 A JP24541384 A JP 24541384A JP S61123011 A JPS61123011 A JP S61123011A
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ１ 産業上の利用分野
本発明は、磁気抵抗効果（以後、ＭＲと称す）型薄膜磁
気ヘッドの製造方法に係り、特にＶＴＲ素子膜に接続さ
れる導体層のパターン化に関するものである。
気ヘッドの製造方法に係り、特にＶＴＲ素子膜に接続さ
れる導体層のパターン化に関するものである。
（口１ 従来の技術
従来、ＭＲＲ薄膜磁気ヘッドは第５図及び第４図に示す
如く構成されており１ＭＲ素子膜（１１としては膜厚０
，５ＫＡのパーマロイ薄膜が導体層（２）としては膜厚
ｓＫＸのＣｕ薄膜が一般的に用いられている。尚、（３
）は基板、（４１は絶縁層である。ここで、薄膜の形成
は蒸着、スパッタ等によって行なわれ、そのパターン化
は写真蝕刻技術を用いて必要部分をフォトレジストで被
覆した後腐食液に浸すウェットエツチング法によって行
なわれている。尚、磁気抵抗素子の電極形成方法として
特開昭５７−１４９７８２号公報に開示されているよう
なものがある。
如く構成されており１ＭＲ素子膜（１１としては膜厚０
，５ＫＡのパーマロイ薄膜が導体層（２）としては膜厚
ｓＫＸのＣｕ薄膜が一般的に用いられている。尚、（３
）は基板、（４１は絶縁層である。ここで、薄膜の形成
は蒸着、スパッタ等によって行なわれ、そのパターン化
は写真蝕刻技術を用いて必要部分をフォトレジストで被
覆した後腐食液に浸すウェットエツチング法によって行
なわれている。尚、磁気抵抗素子の電極形成方法として
特開昭５７−１４９７８２号公報に開示されているよう
なものがある。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
しかし、近年トラック幅方向への記録密度の高密度化、
即ち多トラツク化に伴い、微小パターン例えば線幅、線
間隔が１０μｍ以下というパターンが要求されるように
なり、上記の様なウェットエツチングでは満足すべき精
度が得られない。
即ち多トラツク化に伴い、微小パターン例えば線幅、線
間隔が１０μｍ以下というパターンが要求されるように
なり、上記の様なウェットエツチングでは満足すべき精
度が得られない。
そのため、ドライエツチングの導入が試みられているが
、Ｃｕ％パーマロイはＣＦ４，００／４等のガスを用い
るケミカル性のドライエツチングでは殆どエツチングさ
れず、Ａｒ等の不活性ガスを用いたスパッタエツチング
が必要となる。ところが、このスパッタエツチングは選
択性に欠ける。
、Ｃｕ％パーマロイはＣＦ４，００／４等のガスを用い
るケミカル性のドライエツチングでは殆どエツチングさ
れず、Ａｒ等の不活性ガスを用いたスパッタエツチング
が必要となる。ところが、このスパッタエツチングは選
択性に欠ける。
即ち物質によるエツチング速度の相違が小さいと謂う欠
点を有する。この欠点のため、導体層のパターン化の際
先に形成されているＭＰ素子膜もエツチングされ損傷を
受けると謂う問題が生じることｋなる。
点を有する。この欠点のため、導体層のパターン化の際
先に形成されているＭＰ素子膜もエツチングされ損傷を
受けると謂う問題が生じることｋなる。
に）問題点を解決するための手段
本発明は上記した問題点を解決するために。
ＭＥ累子膜に導体層を接続した構造を有するＭＲＲ薄膜
磁気ヘッドにおいて、導体層を少なくとも２層以上の積
層膜とし、この積層膜のうち下部の２層に関してこの２
層膜を下部層と上部層とに区別した場合、この下部層と
して％０２添加Ａｒガスを使用したスパッタエツチング
におけるエツチング速度が上部層に比べて遅いこと、上
部層及びＭＲＲ子膜を程んど浸食しないでエツチングで
きるエッチャントが存在することの条件を満たすものを
用いるようにしたものである。
磁気ヘッドにおいて、導体層を少なくとも２層以上の積
層膜とし、この積層膜のうち下部の２層に関してこの２
層膜を下部層と上部層とに区別した場合、この下部層と
して％０２添加Ａｒガスを使用したスパッタエツチング
におけるエツチング速度が上部層に比べて遅いこと、上
部層及びＭＲＲ子膜を程んど浸食しないでエツチングで
きるエッチャントが存在することの条件を満たすものを
用いるようにしたものである。
（ホ）作 用
上記した本発明製造方法に依れば、ＭＲ累子膜を損うこ
となくリード線用の導体層のパターン化にドライエツチ
ングを導入することが出来る。
となくリード線用の導体層のパターン化にドライエツチ
ングを導入することが出来る。
（へ）実施例
以下、本発明ＭＲ型型成膜磁気ヘッド製造方法について
説明する。
説明する。
〔実施例１〕
先ず、ＭＲ累子膜としてパーマロイ薄膜を、導体層とし
てｏｒ、Ｃｕ、Ｔｉの積層膜を用いた場合について、第
１図を参照しながら説明する。
てｏｒ、Ｃｕ、Ｔｉの積層膜を用いた場合について、第
１図を参照しながら説明する。
先ず、基板ｒＦｉｌ上に絶縁層（６）（例えば、Ａ／２
０５゜８１０２等で膜厚３ＫＡ）をスパッタ形成する工
程→ＭＲ累子膜（７）（例えば、パーマロイで膜厚０゜
５ＫＡ）をスパッタ形成する工程−ＭＥ累子膜（７）を
パターン化する工程（例えば、写真蝕刻技術によりフォ
トレジストで必要部分を被覆し、Ａｒガス使使用ススバ
ッタエツチングより不必要部分のパーマロイを除去した
後、専用剥離液にてホトレジストを除去）−導体層（８
）（厚さＩＫ′Ａ−のｏｒ膜（９）と厚さ５ＫＡ′のＣ
ｕ膜ｌｌ０）と厚さＱ、 ５ Ｋ ＸのＴｉ膜０１）と
の積層膜）を蒸着にて形成する工程を終了すると第１図
１ａｌに示すような断面構造のものが得られる。次に、
斯る導体層（８１のパターン化は先ず写真蝕刻技術によ
り必要部分をホトレジスト０２）で被覆した後（第１図
１ａｌ参照）％Ａｒガス使用のスパッタエツチングによ
りレジスト未被覆部のＴｉ膜０１１と、その下部のＣｕ
膜（１０１を約４ＫＡ’除去する（第１図（ｂｌ参照）
。そして、その後０２含有Ａｒガス使用のスパッタエツ
チングによりレジスト未被覆部分の残余のＣｕ膜０（Ｎ
を除去する（第２図１ｃ）参照）。ここでａｏｒ膜〔９
）のエツチング速度はＯＵ膜Ｏ１に比し著しく遅いこと
から殆どｏｒ膜（９）をエツチングすることな（Ｃｕ膜
帥を除去でき、従ってｏｒ膜（９）の下に存在するＭ’
Ｒ累子膜（７１は完全に保護される。例えば＠ ０２２
０％含有Ａｒのプラズマに加速電圧７５０ｖを加え薄膜
に照射した場合のｏｒ膜とＣｕ膜のエツチング速度比は
１：１２である。尚、導体層（８１上部のパターン化を
Ａｒガス使用のスパッタエツチングにより行なっている
のは、０２含有Ａｒガスを使用するとＣｕ上にコンタク
ト・メタルとして用いられているＴｉのエツチング速度
が著しく遅くなり、またマスク材として用いられている
ホトレジストのエツチング速度が速くなるためである。
０５゜８１０２等で膜厚３ＫＡ）をスパッタ形成する工
程→ＭＲ累子膜（７）（例えば、パーマロイで膜厚０゜
５ＫＡ）をスパッタ形成する工程−ＭＥ累子膜（７）を
パターン化する工程（例えば、写真蝕刻技術によりフォ
トレジストで必要部分を被覆し、Ａｒガス使使用ススバ
ッタエツチングより不必要部分のパーマロイを除去した
後、専用剥離液にてホトレジストを除去）−導体層（８
）（厚さＩＫ′Ａ−のｏｒ膜（９）と厚さ５ＫＡ′のＣ
ｕ膜ｌｌ０）と厚さＱ、 ５ Ｋ ＸのＴｉ膜０１）と
の積層膜）を蒸着にて形成する工程を終了すると第１図
１ａｌに示すような断面構造のものが得られる。次に、
斯る導体層（８１のパターン化は先ず写真蝕刻技術によ
り必要部分をホトレジスト０２）で被覆した後（第１図
１ａｌ参照）％Ａｒガス使用のスパッタエツチングによ
りレジスト未被覆部のＴｉ膜０１１と、その下部のＣｕ
膜（１０１を約４ＫＡ’除去する（第１図（ｂｌ参照）
。そして、その後０２含有Ａｒガス使用のスパッタエツ
チングによりレジスト未被覆部分の残余のＣｕ膜０（Ｎ
を除去する（第２図１ｃ）参照）。ここでａｏｒ膜〔９
）のエツチング速度はＯＵ膜Ｏ１に比し著しく遅いこと
から殆どｏｒ膜（９）をエツチングすることな（Ｃｕ膜
帥を除去でき、従ってｏｒ膜（９）の下に存在するＭ’
Ｒ累子膜（７１は完全に保護される。例えば＠ ０２２
０％含有Ａｒのプラズマに加速電圧７５０ｖを加え薄膜
に照射した場合のｏｒ膜とＣｕ膜のエツチング速度比は
１：１２である。尚、導体層（８１上部のパターン化を
Ａｒガス使用のスパッタエツチングにより行なっている
のは、０２含有Ａｒガスを使用するとＣｕ上にコンタク
ト・メタルとして用いられているＴｉのエツチング速度
が著しく遅くなり、またマスク材として用いられている
ホトレジストのエツチング速度が速くなるためである。
次に、ホトレジスト０２）を除去した彼、ＫｓＦｅＣＯ
Ｎ）ｂとＫＯＨの混合水溶液を用い上記した工程でパタ
ーン化されたＣｕ膜（１０）とＴｉ膜０１）の積層膜を
マスクとして不必要部分のＣｒ膜（９）を除去する（第
１図ｆｄｌ参照）と、Ｍ’Ｒ累子膜（７）に導体層（８
）を接続した本発明Ｍ ＦＩ ＩＪ薄膜磁気−・ラドが
完成する。ここで、Ｃｒ膜（９）けＩＫＡと薄いためサ
イドエッチを極めて小さく抑、えることが出来、その腐
食液であるに３Ｆｅ（ＯＮ）６とＫＯＨの混合水溶液は
Ｔｉ膜（Ｉｌ１％Ｃｕ膜ｎ１．ＭＦｌ累子成子膜）とし
てのパーマロイの何れに対しても腐食性は持たない。尚
、Ｔｉ膜口１）は後の工程で形成される保護−絶縁用の
８１０２．Ａ１：ｗＯｌｌ等の薄膜との接着力補強用で
あり、特にひきはがしの力が加わる部分でなければ省略
しても良い。
Ｎ）ｂとＫＯＨの混合水溶液を用い上記した工程でパタ
ーン化されたＣｕ膜（１０）とＴｉ膜０１）の積層膜を
マスクとして不必要部分のＣｒ膜（９）を除去する（第
１図ｆｄｌ参照）と、Ｍ’Ｒ累子膜（７）に導体層（８
）を接続した本発明Ｍ ＦＩ ＩＪ薄膜磁気−・ラドが
完成する。ここで、Ｃｒ膜（９）けＩＫＡと薄いためサ
イドエッチを極めて小さく抑、えることが出来、その腐
食液であるに３Ｆｅ（ＯＮ）６とＫＯＨの混合水溶液は
Ｔｉ膜（Ｉｌ１％Ｃｕ膜ｎ１．ＭＦｌ累子成子膜）とし
てのパーマロイの何れに対しても腐食性は持たない。尚
、Ｔｉ膜口１）は後の工程で形成される保護−絶縁用の
８１０２．Ａ１：ｗＯｌｌ等の薄膜との接着力補強用で
あり、特にひきはがしの力が加わる部分でなければ省略
しても良い。
〔実施例２〕
次に、ＭＰ素子膜としてパーマロイ薄膜を。
導体層としてＴｉ、Ｃｕ％Ｔｉの積層膜を用いた場合に
ついて、第２図を参照しながら説明する。
ついて、第２図を参照しながら説明する。
先ず、基板（５）上に絶縁層（６）（例えば、Ａｚｚｏ
ｓで膜厚３ＫＡ）をスパッタ形成する工程→ＭＲ素子膜
（７）（例えば、パーマロイで膜厚Ｑ、 ５ Ｋ Ａ″
）をスパッタ形成する工程→ＭＲ素子膜（７１をパター
ン化する工程（例えば、写真蝕刻技術によりフォトレジ
ストで必要部分を被覆し、Ａｒガス使用のスパッタエツ
チングにより不必要部分のパーマロイを除去した後、専
用剥離液にてホトレジストを除去）−導体層（８）（厚
さＩＫＡのＴｉ１００厚さ５に１７）Ｃｕ膜１１と厚さ
０．５に人のＴｉ膜（１１１との積層膜）を蒸着にて形
成する工程を終了すると第２図（ａｌに示すような断面
構造のものが得られる。次に、斯る導体層（８ｆのパタ
ーン化は先ず写真蝕刻技術により必要部分を・ホトレジ
ス）（１２で被覆した後（第２図（ａ）参照Ｌ Ａｒガ
ス使用のスパッタエツチングによりレジスト未被覆部分
のＴｉ膜ａ１１と、その下部のＣｕ膜（＋０１を約４Ｋ
Ｋ除去する（第２図（ｂｌ参照）。そして、その後ｏ２
含有Ａｒガス使用のスパッタエツチングによりレジスト
未被覆部分の残余のＣｕ膜（＋０１を除去する（第２図
（ｃｌ参照）。
ｓで膜厚３ＫＡ）をスパッタ形成する工程→ＭＲ素子膜
（７）（例えば、パーマロイで膜厚Ｑ、 ５ Ｋ Ａ″
）をスパッタ形成する工程→ＭＲ素子膜（７１をパター
ン化する工程（例えば、写真蝕刻技術によりフォトレジ
ストで必要部分を被覆し、Ａｒガス使用のスパッタエツ
チングにより不必要部分のパーマロイを除去した後、専
用剥離液にてホトレジストを除去）−導体層（８）（厚
さＩＫＡのＴｉ１００厚さ５に１７）Ｃｕ膜１１と厚さ
０．５に人のＴｉ膜（１１１との積層膜）を蒸着にて形
成する工程を終了すると第２図（ａｌに示すような断面
構造のものが得られる。次に、斯る導体層（８ｆのパタ
ーン化は先ず写真蝕刻技術により必要部分を・ホトレジ
ス）（１２で被覆した後（第２図（ａ）参照Ｌ Ａｒガ
ス使用のスパッタエツチングによりレジスト未被覆部分
のＴｉ膜ａ１１と、その下部のＣｕ膜（＋０１を約４Ｋ
Ｋ除去する（第２図（ｂｌ参照）。そして、その後ｏ２
含有Ａｒガス使用のスパッタエツチングによりレジスト
未被覆部分の残余のＣｕ膜（＋０１を除去する（第２図
（ｃｌ参照）。
ここで、Ｔｉ膜ａ３１のエツチング速度はＣｕ膜０［に
比し著しく遅いことから殆どＴｉ膜ａりをエツチングす
ることな（Ｃｕ膜（１０１を除去でき、従ってＴｉ膜（
＋３１の下に存在するＭＥ素子膜（７）は完全に保護さ
レル。次ＩＣ％ＣＦ４ガス使用プラズマエッチンクによ
り残余レジストミノをマスクとして不必要部分のＴｉ膜
ａ３を除去し、その後ホトレジストａｚを専用剥離液に
て除去する（第２図（ｄｌ参照）と、ＭＲ素子膜（７）
に導体層（闇を接続した本発明ＭＲ型薄膜磁気ヘッドが
完成する。ここで、０ｆｆｉ含有Ａｒガス使用によるＴ
ｉ、Ｃｕのエツチング速度比は〔実施例１〕の項で示し
た条件において１：１７であり、またＣＦ４プラズマは
Ｃｕ、パーマロイを腐食することはない。尚、本実施例
において絶縁層（６）として８１０ｇ膜を用いていない
のは、ＣＦ’４プラズマによって８１０２がエツチング
され、〒ｉ膜ａ３１除去工程終了後に導体層（８１表面
と絶縁層（６１表面間の段差が大きくなることを防ぐた
めである。
比し著しく遅いことから殆どＴｉ膜ａりをエツチングす
ることな（Ｃｕ膜（１０１を除去でき、従ってＴｉ膜（
＋３１の下に存在するＭＥ素子膜（７）は完全に保護さ
レル。次ＩＣ％ＣＦ４ガス使用プラズマエッチンクによ
り残余レジストミノをマスクとして不必要部分のＴｉ膜
ａ３を除去し、その後ホトレジストａｚを専用剥離液に
て除去する（第２図（ｄｌ参照）と、ＭＲ素子膜（７）
に導体層（闇を接続した本発明ＭＲ型薄膜磁気ヘッドが
完成する。ここで、０ｆｆｉ含有Ａｒガス使用によるＴ
ｉ、Ｃｕのエツチング速度比は〔実施例１〕の項で示し
た条件において１：１７であり、またＣＦ４プラズマは
Ｃｕ、パーマロイを腐食することはない。尚、本実施例
において絶縁層（６）として８１０ｇ膜を用いていない
のは、ＣＦ’４プラズマによって８１０２がエツチング
され、〒ｉ膜ａ３１除去工程終了後に導体層（８１表面
と絶縁層（６１表面間の段差が大きくなることを防ぐた
めである。
（）ｌ 発明の効果
上述した如く本発明に依れば、ＭＲ素子膜を損うことな
くリード線用の導体層のパターン化にドライエツチング
を導入することが出来、微細なパターンを容易に再現性
をもって形成することが出来る。
くリード線用の導体層のパターン化にドライエツチング
を導入することが出来、微細なパターンを容易に再現性
をもって形成することが出来る。
第１図（ａｌ（ｂｌ（ｃｌ（ｄｌは本発明による製造工
程を説明するための断面図、第２図（ａＨｂ）（ｃｌ（
ｄｌは本発明の他の実施例である製造工程を説明するた
めの断面図。 ８３図は従来のＭ′Ｒ型１膜り気ヘッドを示す平面図、
第４図はそのＡ−Ｘ断面図である。 ｒ５＋ ・・・基板、 （７１・Ｍ Ｒ素子膜、
（９１・Ｃｒ膜。 ｔＩｒｌｌ−Ｃｕ膜、 ａ：ｌ・Ｔｉ膜。
程を説明するための断面図、第２図（ａＨｂ）（ｃｌ（
ｄｌは本発明の他の実施例である製造工程を説明するた
めの断面図。 ８３図は従来のＭ′Ｒ型１膜り気ヘッドを示す平面図、
第４図はそのＡ−Ｘ断面図である。 ｒ５＋ ・・・基板、 （７１・Ｍ Ｒ素子膜、
（９１・Ｃｒ膜。 ｔＩｒｌｌ−Ｃｕ膜、 ａ：ｌ・Ｔｉ膜。
Claims (3)
- （１）磁気抵抗効果素子膜に導体層を接続した構造を有
する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、導体層を
少なくとも２層以上の積層膜とし、この積層膜のうち下
部の２層に関してこの２層膜を下部層と上部層とに区別
した場合、この下部層として、Ｏ＿２添加Ａｒガスを使
用したスパッタエッチングにおけるエッチング速度が上
部層に比べて遅く、且つ上部層及び磁気抵抗効果素子膜
を殆ど浸食しないでエッチングできるエッチャントが存
在するものを用いた事を特徴とする磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドの製造方法。 - （２）前記磁気抵抗効果素子膜としてパーマロイ薄膜を
、前記導体層として少なくともその下部に下部層として
のＣｒ膜と上部層としてのＣｕ膜の２層が積層された積
層膜を用い、Ｃｕ膜をＯ＿２添加Ａｒガス使用スパッタ
エッチングにてパターン化した後、Ｃｒ膜をＫ＿３Ｆｅ
（ＣＮ）＿６とＫＯＨの混合水溶液によりパターン化し
た事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - （３）前記磁気抵抗効果素子膜としてパーマロイ薄膜を
、前記導体層として少なくともその下部に下部層として
のＴｉ膜と上部層としてのＣｕ膜の２層が積層された積
層膜を用い、Ｃｕ膜をＯ＿２添加Ａｒガス使用スパッタ
エッチングによりパターン化した後、Ｔｉ膜をＣＦ＿４
ガス使用プラズマエッチングによりパターン化した事を
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59245413A JPH0626009B2 (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59245413A JPH0626009B2 (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61123011A true JPS61123011A (ja) | 1986-06-10 |
| JPH0626009B2 JPH0626009B2 (ja) | 1994-04-06 |
Family
ID=17133281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59245413A Expired - Lifetime JPH0626009B2 (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0626009B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0690438A3 (en) * | 1994-06-30 | 1996-06-19 | Sony Corp | Thin film magnetic head with magnetoresistance effect |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5273713A (en) * | 1975-12-17 | 1977-06-21 | Toshiba Corp | Production of magnetoresistive thin film head |
-
1984
- 1984-11-20 JP JP59245413A patent/JPH0626009B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5273713A (en) * | 1975-12-17 | 1977-06-21 | Toshiba Corp | Production of magnetoresistive thin film head |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0690438A3 (en) * | 1994-06-30 | 1996-06-19 | Sony Corp | Thin film magnetic head with magnetoresistance effect |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0626009B2 (ja) | 1994-04-06 |
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