JPH01173308A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特に上部磁
気コアトラック幅精度に優れた薄膜磁気ヘッドの製造方
法に関する。

〔従来の技術〕

薄膜磁気ヘッドの製造方法は１例えば特開昭６０−３７
１３０に記載されている。この方法は、基板上に薄膜磁
気ヘッドを形成する際に、その上部磁性膜のパターンニ
ングは次の方法で行なっている。

すなわち、上部磁性膜を形成した後、その上にＡ１１２
０．等の無機物膜を形成する。その上にさらにホトレジ
スト膜を形成し、露光、現像して所定のパターンとする
。このホトレジストパターンをマスクとし、無機物をＣ
Ｆ４ガスによるイオンビームエツチングを行ない、さら
にこの無機物をマスクとし上部磁性膜をＡｒによるイオ
ンビームエツチングによりパターンニングする。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術は、イオンビームにより被加工材を加工す
る場合、エツチングされた被加工材がレジスト壁面に再
付着するということについて配慮されていなかった。以
下これについて説明する。

レジストをフォトマスクを介して露光し、不用な部分を
現像液で除去し、所望とするレジストマスクパターンを
形成して、これをマスクとしてイオンビーム加工する。

この際レジスト壁面にイオンビームにより飛散した粒子
が付着し、レジストを除去した後も突起状となりパター
ン上に残り、パターン精度を劣化させる原因となる。こ
れを防止する方法としてレジストマスクを被加工物をエ
ツチングするのに必要な最低限の膜厚に制御する方法、
あるいは現像後のレジストパターンを更に１２０℃前後
でポストベークさせてレジストパターンテーパ角をねか
せる手法がある。

しかし薄膜磁気ヘッドプロセスの場合、第１図に示す様
に薄膜磁気ヘッドの素子の段差は、半導体プロセスと異
なり１５ｔＩｍ程度の高さとなる。このためレジストを
塗布すると素子段差の上と下、特にギャップデプスの位
置、ではレジスト膜厚が異なる。またイオンビーム加工
する場合、そのイオンビーム入射角依存性により素子の
テーパ部のイオンエツチングレートが速くなるため、必
要とするレジストの最小膜厚は、素子のテーパ部、特に
その頂上部で決定される。またＮｉ−Ｆｅを加工する場
合、レジストの膜厚は、レジストとＮｉ−Ｆｅのエツチ
ングレート選択比よりＮｉ−Ｆｅの約１７２め膜厚が必
要とされる。薄膜磁気ヘッド上部磁性膜の膜厚は約２ｔ
１ｍ前後とされており、それ故レジスト膜厚としては約
１−が必要である。このため薄膜ヘッドプロセスの場合
素子段差上のレジスト膜厚を１−にすると第１図に示す
素子段差下部のレジスト膜厚は１０．前後となる。この
状態でイオンビーム加工を行なうと再付着が発生するの
は避けられない。また、ポストベーク処理を行なっても
レジスト膜厚が厚いこと、またトラック幅が２０ＩＩｍ
以下になるとポストベークによるレジスト形状変化は発
生せず同様の結果となる。

上記の如く、再付着によってマスクの精度は低下し、従
ってこのマスクによってイオンビーム加工を行なった上
部磁性膜の寸法精度も低下し、特にトラック幅精度が劣
化するという問題があった。

本発明の目的は、精度よく上部磁性膜を加工する磁気ヘ
ッドの製造方法を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、基板上に少なくとも下部磁性膜、ギャップ
膜、導電コイルをはさんだ絶縁膜及び上部磁性膜を所望
の形状に形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
上記上部磁性膜上に所望のレジストパターンを形成し、
該レジストパターンの開口部に金属膜を形成し、該金属
膜をマスクとして上記上部磁性膜をイオンビームにより
エツチングすることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
方法によって達成される。

金属膜の形成は、電気メツキ法によるのが好ましい。電
気メツキにより薄い膜を形成すればこの膜をマスクとし
て用いるとき再付着が生じなｔｌ。

金属膜としては磁性膜の材質よりスパッタ率の小さい金
属を用いることが好ましい。−例としてＣｒが用いられ
る。上記と逆にスパッタ率の大きい金属を用いてもよい
が、その場合膜厚を厚くしなければならない、電気メツ
キ法における通電膜としては上部磁性膜を兼用するか、
あるいは、通電膜として新たに金属膜を基板全面にスパ
ッタ等により付着させて用いる。

レジストの開口部に上記の方法等で金属膜を形成した後
、レジストを除去し、金属膜をマスクとしてイオンビー
ム加工により上部磁気コアを形成する。

〔作用〕゛ イオンビーム加工はイオンビームにより被加工物を飛散
させてエツチングを行なう方法であるため、薄膜磁気ヘ
ッドプロセスの様な厚いレジストを用いる場合再付着が
発生しやすい。ところが電気メツキ法等の方法によりレ
ジストパターン開口部に選択的に金属膜を形成させると
パターン側壁には再付着の様な突起は発生しない。その
ためパターン寸法はレジストパターン寸法精度により決
定され、この様に形成されたマスクにより上部磁性膜を
イオンビーム加工すれば上部磁気コアトラック幅寸法の
精度を向上することができる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を説明する。第１図に示すよう
に、アルミナ保護膜（図示せず）が形成された基板７上
に下部磁性膜６、ギャップ膜５、導電コイル４をはさん
だ絶縁膜３及び上部磁性膜２を形成し、その上にレジス
トを塗布し、プリベークを行なう。第１図（ａ）のＡＡ
’断面が第１図（ｂ）である。フォトマスクによりレジ
ストを所望のパターンに露光し、現像すると第２図に示
す様に上部磁気コアトラック部のレジストパターンが形
成される。そして次にレジストの開口部に金属膜８をメ
ツキにより形成する。メツキする金属はスパッタ率の小
さい例えばＣｒなどが好適である。Ｃｒメツキの場合、
その膜厚は約１−程度である。その後レジストを除去す
ると第３図に示す様な上部磁気コアトラック部をイオン
ビーム加工する際のマスクパターンが形成される。そし
て基板全面をＡｒガスによるイオンビームを照射し、上
部磁性膜をエツチングすることにより第４図に示す様な
薄膜磁気ヘッドのトラック部を形成する。

メツキによるマスク材として他に銅などが考えられる。

その場合はスパッタ率が異なるためメツキ膜厚が異なる
。但しこの材料は非磁性のものが好ましい。

〔発明の効果〕

本発明によれば、上部磁気コアトラック部をイオンビー
ムにより加工して製造する場合に、精密なマスクパター
ンを形成することができるので、薄膜磁気ヘッドトラッ
ク幅寸法の精度を向上できる効果及び上部磁気コアトラ
ック部加工プロセスの工程時間短縮の効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図及び第４図は、本発明の一実施
例の製造方法を示す薄膜磁気ヘッドの断面図である。 １・・・レジスト　　　　　２・・・上部磁性膜３・・
・絶縁膜　　　　　　４・・・導電コイル５・・・ギャ
ップ膜　　　　６・・・下部磁性膜７・・・基板　　　
　　　　８・・・金属膜代理人弁理士　　中　村　純之
助

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、基板上に少なくとも下部磁性膜、ギャップ膜、導電
   コイルをはさんだ絶縁膜及び上部磁性膜を所望の形状に
   形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、上記上部
   磁性膜上に所望のレジストパターンを形成し、該レジス
   トパターンの開口部に金属膜を形成し、該金属膜をマス
   クとして上記上部磁性膜をイオンビームによりエッチン
   グすることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。