JPH0681173A - 金属膜パターン形成方法 - Google Patents
金属膜パターン形成方法Info
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- JPH0681173A JPH0681173A JP25547992A JP25547992A JPH0681173A JP H0681173 A JPH0681173 A JP H0681173A JP 25547992 A JP25547992 A JP 25547992A JP 25547992 A JP25547992 A JP 25547992A JP H0681173 A JPH0681173 A JP H0681173A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】金属膜の膜厚減少及び受けるダメージを、確実
に回避し得る金属膜パターン形成方法を提供する。 【構成】第１の工程は基板上に第１の金属膜及び第２の
金属膜を積層形成した後、第２の金属膜上にフォトレジ
スト枠を付着させる。第２の工程はフォトレジスト枠に
よって区画された内外に第３の金属膜を付着させる。第
３の工程はフォトレジスト枠を除去する。第４の工程は
フォトレジスト枠の除去跡において、化学的選択エッチ
ングにより、第２の金属膜を除去し第１の金属膜を残す
ように処理する。第５の工程は除去跡を満たし、第３の
金属膜を覆うようにフォトレジストを付着させる。第６
の工程は、フォトレジストの外側の第３の金属膜、第２
の金属膜、第１の金属膜及びフォトレジストを除去す
る。
に回避し得る金属膜パターン形成方法を提供する。 【構成】第１の工程は基板上に第１の金属膜及び第２の
金属膜を積層形成した後、第２の金属膜上にフォトレジ
スト枠を付着させる。第２の工程はフォトレジスト枠に
よって区画された内外に第３の金属膜を付着させる。第
３の工程はフォトレジスト枠を除去する。第４の工程は
フォトレジスト枠の除去跡において、化学的選択エッチ
ングにより、第２の金属膜を除去し第１の金属膜を残す
ように処理する。第５の工程は除去跡を満たし、第３の
金属膜を覆うようにフォトレジストを付着させる。第６
の工程は、フォトレジストの外側の第３の金属膜、第２
の金属膜、第１の金属膜及びフォトレジストを除去す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドのポー
ルピース等のように、高精度パターンが要求される金属
膜パターンの形成方法に関する。
ルピース等のように、高精度パターンが要求される金属
膜パターンの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドにおいて、ポールピース
をメッキによって形成する場合、基板の表面に、接着層
となる第１の金属膜を付着させ、この第１の金属膜の表
面に下地層となる第２の金属膜を積層しておき、この第
２の金属膜の表面にポールピースとなる第３の金属膜を
メッキによって付着させる。第３の金属膜のパターン形
成に当っては、フォトリソグラフィと称される高精度パ
ターン形成技術が適用されるが、フォトリソグラフィに
よるパターン形成技術には化学的エッチング処理工程が
含まれており、第１の金属膜及び第２の金属膜が、必要
な領域を超えてエッチングされ、アンダーカットを生じ
ることがある。アンダーカットを回避するための従来技
術としては、特開昭５７ー１２０６７５号公報に記載さ
れた技術が公知である。
をメッキによって形成する場合、基板の表面に、接着層
となる第１の金属膜を付着させ、この第１の金属膜の表
面に下地層となる第２の金属膜を積層しておき、この第
２の金属膜の表面にポールピースとなる第３の金属膜を
メッキによって付着させる。第３の金属膜のパターン形
成に当っては、フォトリソグラフィと称される高精度パ
ターン形成技術が適用されるが、フォトリソグラフィに
よるパターン形成技術には化学的エッチング処理工程が
含まれており、第１の金属膜及び第２の金属膜が、必要
な領域を超えてエッチングされ、アンダーカットを生じ
ることがある。アンダーカットを回避するための従来技
術としては、特開昭５７ー１２０６７５号公報に記載さ
れた技術が公知である。
【０００３】この従来技術においては、基板の表面にあ
る第１の金属膜まで、イオン．ミーリングによって除去
する。このため、第３の金属膜がミーリングに曝される
時間が長くなり、ポールピースとなるべき第３の金属膜
の膜厚が減少したり、受けるダメージが大きくなる等の
問題点があった。
る第１の金属膜まで、イオン．ミーリングによって除去
する。このため、第３の金属膜がミーリングに曝される
時間が長くなり、ポールピースとなるべき第３の金属膜
の膜厚が減少したり、受けるダメージが大きくなる等の
問題点があった。
【０００４】この問題点解決を目的とした公知文献例と
して、特開昭６４ー４７８８３号公報がある。この先行
技術では、フォトレジスト枠の除去跡において、第２の
金属膜は除去し、第１の金属膜は残すように処理する。
第２の金属膜の除去はイオン．ミーリングによって行な
うが、第１の金属膜は残すように処理するので、第３の
金属膜がイオン．ミーリングに曝される時間が短くな
る。このため、イオン．ミーリングによる第３の金属膜
の膜厚減少及びダメージを低減させることができる。
して、特開昭６４ー４７８８３号公報がある。この先行
技術では、フォトレジスト枠の除去跡において、第２の
金属膜は除去し、第１の金属膜は残すように処理する。
第２の金属膜の除去はイオン．ミーリングによって行な
うが、第１の金属膜は残すように処理するので、第３の
金属膜がイオン．ミーリングに曝される時間が短くな
る。このため、イオン．ミーリングによる第３の金属膜
の膜厚減少及びダメージを低減させることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６４ー４７８８３号公報に開示された発明では、第２の
金属膜をイオン．ミーリングによって除去していたの
で、ポールピースとなる第３の金属膜の膜厚減少及びダ
メージを完全に回避する訳には行かなかった。
６４ー４７８８３号公報に開示された発明では、第２の
金属膜をイオン．ミーリングによって除去していたの
で、ポールピースとなる第３の金属膜の膜厚減少及びダ
メージを完全に回避する訳には行かなかった。
【０００６】そこで、本発明の課題は、ポールピースと
なるべき第３の金属膜の膜厚減少及び受けるダメージ
を、確実に回避し得る金属膜パターン形成方法を提供す
ることである。
なるべき第３の金属膜の膜厚減少及び受けるダメージ
を、確実に回避し得る金属膜パターン形成方法を提供す
ることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係る金属膜パターン形成方法は、少なくと
も６つの工程を含む金属膜パターン形成方法であって、
第１の工程は、基板上に第１の金属膜及び第２の金属膜
を積層して形成した後、第２の金属膜上にフォトレジス
ト枠を付着させる工程であり、第２の工程は、前記第２
の金属膜の表面の前記フォトレジスト枠によって区画さ
れた内外に第３の金属膜を付着させる工程であり、第３
の工程は、前記フォトレジスト枠を除去する工程であ
り、第４の工程は、前記フォトレジスト枠の除去跡にお
いて前記第２の金属膜を除去し前記第１の金属膜を残す
ように処理する工程であって、前記第２の金属膜の除去
手段が化学的選択エッチングであり、第５の工程は、前
記除去跡を満たし前記除去跡によって囲まれた第３の金
属膜を覆うようにフォトレジストを付着させる工程であ
り、第６の工程は、フォトレジストの外側の第３の金属
膜、第２の金属膜、第１の金属膜及びフォトレジストを
除去する工程である。
め、本発明に係る金属膜パターン形成方法は、少なくと
も６つの工程を含む金属膜パターン形成方法であって、
第１の工程は、基板上に第１の金属膜及び第２の金属膜
を積層して形成した後、第２の金属膜上にフォトレジス
ト枠を付着させる工程であり、第２の工程は、前記第２
の金属膜の表面の前記フォトレジスト枠によって区画さ
れた内外に第３の金属膜を付着させる工程であり、第３
の工程は、前記フォトレジスト枠を除去する工程であ
り、第４の工程は、前記フォトレジスト枠の除去跡にお
いて前記第２の金属膜を除去し前記第１の金属膜を残す
ように処理する工程であって、前記第２の金属膜の除去
手段が化学的選択エッチングであり、第５の工程は、前
記除去跡を満たし前記除去跡によって囲まれた第３の金
属膜を覆うようにフォトレジストを付着させる工程であ
り、第６の工程は、フォトレジストの外側の第３の金属
膜、第２の金属膜、第１の金属膜及びフォトレジストを
除去する工程である。
【０００８】
【作用】第４の工程は、フォトレジスト枠の除去跡にお
いて第２の金属膜を除去し第１の金属膜を残すように処
理する工程であって、第２の金属膜の除去手段が化学的
選択エッチングであるから、第３の金属膜がイオン．ミ
ーリングに曝されることがない。このため、イオン．ミ
ーリングによる第３の金属膜の膜厚減少及びダメージを
回避することができる。
いて第２の金属膜を除去し第１の金属膜を残すように処
理する工程であって、第２の金属膜の除去手段が化学的
選択エッチングであるから、第３の金属膜がイオン．ミ
ーリングに曝されることがない。このため、イオン．ミ
ーリングによる第３の金属膜の膜厚減少及びダメージを
回避することができる。
【０００９】また、フォトレジスト枠の除去跡を、フォ
トレジストによって満たしてあるので、第１の金属膜
は、第２の金属膜の下側から延長された部分をフォトレ
ジストによって覆った構造となる。このため、化学的エ
ッチングによって第３の金属膜及び第２の金属膜を除去
した場合、エッチング剤による食刻はフォトレジストの
下側に延長された部分にとどまり、第２の金属膜の下側
に位置する第１の金属膜には及ばない。従って、第１の
金属膜のアダーカットを回避できる。また、第１の金属
膜を、第３の金属膜を除去する時に使用されるエッチン
グ剤に対して耐エッチング性のある材質によって形成
し、第１の金属膜のアンダーカットを回避できる。
トレジストによって満たしてあるので、第１の金属膜
は、第２の金属膜の下側から延長された部分をフォトレ
ジストによって覆った構造となる。このため、化学的エ
ッチングによって第３の金属膜及び第２の金属膜を除去
した場合、エッチング剤による食刻はフォトレジストの
下側に延長された部分にとどまり、第２の金属膜の下側
に位置する第１の金属膜には及ばない。従って、第１の
金属膜のアダーカットを回避できる。また、第１の金属
膜を、第３の金属膜を除去する時に使用されるエッチン
グ剤に対して耐エッチング性のある材質によって形成
し、第１の金属膜のアンダーカットを回避できる。
【００１０】
【実施例】図１〜図９は本発明に係る金属膜パターン形
成工程を示す図である。
成工程を示す図である。
【００１１】図１及び図２で示される工程が第１の工
程、図３に示された工程が第２の工程、図４に示された
工程が第３の工程、図５に示された工程が第４の工程、
図６に示された工程が第５の工程、図７以降が第６の工
程にそれぞれ対応する。まず、第１の工程では、図１に
示すように、基板１の上にメッキ等の手段によって第１
の金属膜２及び第２の金属膜３を積層して付着させる。
薄膜磁気ヘッドを構成する場合の基板１、第１の金属膜
２及び第２の金属膜３の材質は周知である。代表的に
は、基板１はAl2O3 ．TiC 等で構成され、表面にAl2O3
膜等の絶縁膜を有する。第１の金属膜２はチタン等で構
成され、第２の金属膜３はニッケル系合金、クロム等で
構成される。次に、図２に示すように、第２の金属膜３
の上に、フォトレジスト枠４を付着させる。フォトレジ
スト枠４は最終的に得ようとするパターンに対応したパ
ターンとなるように付着させる。
程、図３に示された工程が第２の工程、図４に示された
工程が第３の工程、図５に示された工程が第４の工程、
図６に示された工程が第５の工程、図７以降が第６の工
程にそれぞれ対応する。まず、第１の工程では、図１に
示すように、基板１の上にメッキ等の手段によって第１
の金属膜２及び第２の金属膜３を積層して付着させる。
薄膜磁気ヘッドを構成する場合の基板１、第１の金属膜
２及び第２の金属膜３の材質は周知である。代表的に
は、基板１はAl2O3 ．TiC 等で構成され、表面にAl2O3
膜等の絶縁膜を有する。第１の金属膜２はチタン等で構
成され、第２の金属膜３はニッケル系合金、クロム等で
構成される。次に、図２に示すように、第２の金属膜３
の上に、フォトレジスト枠４を付着させる。フォトレジ
スト枠４は最終的に得ようとするパターンに対応したパ
ターンとなるように付着させる。
【００１２】第２の工程では、図３に示されるごとく、
第２の金属膜３の表面のフォトレジスト枠４によって区
画された内外に、第３の金属膜５をメッキによって付着
させる。この第３の金属膜５は薄膜磁気ヘッドにおいて
はパーマロイ等の磁性薄膜として形成される。
第２の金属膜３の表面のフォトレジスト枠４によって区
画された内外に、第３の金属膜５をメッキによって付着
させる。この第３の金属膜５は薄膜磁気ヘッドにおいて
はパーマロイ等の磁性薄膜として形成される。
【００１３】第３の工程では、図４に示されるごとく、
フォトレジスト枠４を除去して第２の金属膜３を露出さ
せる。
フォトレジスト枠４を除去して第２の金属膜３を露出さ
せる。
【００１４】第４の工程は、本発明の特徴部分である。
第４の工程では、図５に示されるように、フォトレジス
ト枠４の除去跡４１において、第２の金属膜３は除去
し、第１の金属膜２は残すように処理する。第１の金属
膜２を除去する場合、従来は、イオン．ミーリング処理
を行なっていた。このため、前述したように、イオン．
ミーリングによる第３の金属膜５の膜厚減少及びダメー
ジを完全に回避する訳には行かなかった。本発明におい
ては、第２の金属膜３は、イオンミーリングではなく、
化学的選択エッチングによって行なう。従って、第３の
金属膜５がイオン．ミーリングに曝されることがない。
このため、イオン．ミーリングによる第３の金属膜５の
膜厚減少及びダメージを完全に回避することができる。
化学的選択エッチングは第２の金属膜３の材質に応じた
エッチング液を選択することによって実行される。第２
の金属膜３がニッケル系合金でなる場合に適したエッチ
ング液の代表例はアルキルベンゼンスルホン酸である。
第４の工程では、図５に示されるように、フォトレジス
ト枠４の除去跡４１において、第２の金属膜３は除去
し、第１の金属膜２は残すように処理する。第１の金属
膜２を除去する場合、従来は、イオン．ミーリング処理
を行なっていた。このため、前述したように、イオン．
ミーリングによる第３の金属膜５の膜厚減少及びダメー
ジを完全に回避する訳には行かなかった。本発明におい
ては、第２の金属膜３は、イオンミーリングではなく、
化学的選択エッチングによって行なう。従って、第３の
金属膜５がイオン．ミーリングに曝されることがない。
このため、イオン．ミーリングによる第３の金属膜５の
膜厚減少及びダメージを完全に回避することができる。
化学的選択エッチングは第２の金属膜３の材質に応じた
エッチング液を選択することによって実行される。第２
の金属膜３がニッケル系合金でなる場合に適したエッチ
ング液の代表例はアルキルベンゼンスルホン酸である。
【００１５】この後、第５の工程では、図６に示すよう
に、除去跡４１を満たし、かつ、除去跡４１によって囲
まれた第３の金属膜３を覆うように、フォトレジスト６
を付着させる。
に、除去跡４１を満たし、かつ、除去跡４１によって囲
まれた第３の金属膜３を覆うように、フォトレジスト６
を付着させる。
【００１６】次に、第６の工程では、図７に示すよう
に、フォトレジスト６の外側の第３の金属膜５及び第２
の金属膜３を除去する。この場合、第１の金属膜２は第
２の金属膜２の下からフォトレジスト６の下側に延長さ
れた部分２１があるから、化学的エッチングによって第
３の金属膜５及び第２の金属膜３を除去した場合、第１
の金属膜２の食刻はフォトレジスト６の下側に延長され
た部分２１にとどまり、第２の金属膜３の下側に位置す
る部分までは及ばない。従って、第１の金属膜２のアダ
ーカットを回避できる。また、第１の金属膜２をチタン
によって形成した場合には、パーマロイでなる第３の金
属膜５を除去する時に使用されるエッチング剤FeCl3 に
対する耐エッチング性を確保できるので、この面から
も、第１の金属膜２のアンダーカットを回避できる。
に、フォトレジスト６の外側の第３の金属膜５及び第２
の金属膜３を除去する。この場合、第１の金属膜２は第
２の金属膜２の下からフォトレジスト６の下側に延長さ
れた部分２１があるから、化学的エッチングによって第
３の金属膜５及び第２の金属膜３を除去した場合、第１
の金属膜２の食刻はフォトレジスト６の下側に延長され
た部分２１にとどまり、第２の金属膜３の下側に位置す
る部分までは及ばない。従って、第１の金属膜２のアダ
ーカットを回避できる。また、第１の金属膜２をチタン
によって形成した場合には、パーマロイでなる第３の金
属膜５を除去する時に使用されるエッチング剤FeCl3 に
対する耐エッチング性を確保できるので、この面から
も、第１の金属膜２のアンダーカットを回避できる。
【００１７】この後、図８に示すようにフォトレジスト
６を除去し、次に、図９に示すように第１の金属膜２を
除去して最終パターンが得られる。
６を除去し、次に、図９に示すように第１の金属膜２を
除去して最終パターンが得られる。
【００１８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）第４の工程は、フォトレジスト枠の除去跡におい
て第２の金属膜を除去し第１の金属膜を残すように処理
する工程であって、第２の金属膜の除去手段が化学的選
択エッチングであるから、イオン．ミーリングによる第
３の金属膜の膜厚減少及びダメージを完全に回避し得る
金属膜パターン形成方法を提供できる。 （ｂ）フォトレジスト枠の除去跡を、フォトレジストに
よって満たしてあるので、第１の金属膜のアンダーカッ
トを回避し得る金属膜パターン形成方法を提供できる。
のような効果が得られる。 （ａ）第４の工程は、フォトレジスト枠の除去跡におい
て第２の金属膜を除去し第１の金属膜を残すように処理
する工程であって、第２の金属膜の除去手段が化学的選
択エッチングであるから、イオン．ミーリングによる第
３の金属膜の膜厚減少及びダメージを完全に回避し得る
金属膜パターン形成方法を提供できる。 （ｂ）フォトレジスト枠の除去跡を、フォトレジストに
よって満たしてあるので、第１の金属膜のアンダーカッ
トを回避し得る金属膜パターン形成方法を提供できる。
【図１】〜
【図９】本発明に係る金属膜パターン形成方法の工程を
示す図である。
示す図である。
１ 基板 ２ 第１の金属膜 ３ 第２の金属膜 ４ フォトレジスト枠 ５ 第３の金属膜 ６ フォトレジスト ４１ フォトレジスト枠の除去跡
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも６つの工程を含む金属膜パタ
ーン形成方法であって、 第１の工程は、基板上に第１の金属膜及び第２の金属膜
を積層して形成した後、第２の金属膜上にフォトレジス
ト枠を付着させる工程であり、 第２の工程は、前記第２の金属膜の表面の前記フォトレ
ジスト枠によって区画された内外に第３の金属膜を付着
させる工程であり、 第３の工程は、前記フォトレジスト枠を除去する工程で
あり、 第４の工程は、前記フォトレジスト枠の除去跡において
前記第２の金属膜を除去し前記第１の金属膜を残すよう
に処理する工程であって、前記第２の金属膜の除去手段
が化学的選択エッチングであり、 第５の工程は、前記除去跡を満たし、かつ、前記除去跡
によって囲まれた第３の金属膜を覆うようにフォトレジ
ストを付着させる工程であり、 第６の工程は、フォトレジストの外側の第３の金属膜、
第２の金属膜、第１の金属膜及びフォトレジストを除去
する工程である金属膜パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25547992A JP3219165B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 金属膜パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25547992A JP3219165B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 金属膜パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0681173A true JPH0681173A (ja) | 1994-03-22 |
| JP3219165B2 JP3219165B2 (ja) | 2001-10-15 |
Family
ID=17279338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25547992A Expired - Fee Related JP3219165B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 金属膜パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3219165B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07114708A (ja) * | 1993-10-18 | 1995-05-02 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US5547557A (en) * | 1993-10-20 | 1996-08-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Formation of electroconductive thin-film pattern |
| WO2001025854A1 (en) * | 1999-10-05 | 2001-04-12 | Clariant International Ltd. | Method for forming pattern |
| US7598320B2 (en) | 2003-03-28 | 2009-10-06 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Protected polyvinyl alcohol auxiliary for forming fine pattern and process for producing the same |
| US7745077B2 (en) | 2008-06-18 | 2010-06-29 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Composition for coating over a photoresist pattern |
| US7923200B2 (en) | 2007-04-09 | 2011-04-12 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Composition for coating over a photoresist pattern comprising a lactam |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011101973A1 (ja) | 2010-02-18 | 2011-08-25 | トヨタ自動車株式会社 | 車両用シフト制御装置 |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP25547992A patent/JP3219165B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07114708A (ja) * | 1993-10-18 | 1995-05-02 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US5547557A (en) * | 1993-10-20 | 1996-08-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Formation of electroconductive thin-film pattern |
| WO2001025854A1 (en) * | 1999-10-05 | 2001-04-12 | Clariant International Ltd. | Method for forming pattern |
| US7598320B2 (en) | 2003-03-28 | 2009-10-06 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Protected polyvinyl alcohol auxiliary for forming fine pattern and process for producing the same |
| US7923200B2 (en) | 2007-04-09 | 2011-04-12 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Composition for coating over a photoresist pattern comprising a lactam |
| US7745077B2 (en) | 2008-06-18 | 2010-06-29 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Composition for coating over a photoresist pattern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3219165B2 (ja) | 2001-10-15 |
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