JPH07114708A

JPH07114708A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法

Info

Publication number: JPH07114708A
Application number: JP28216493A
Authority: JP
Inventors: Satoji Murakami; 諭二村上; Yoshiyuki Umemoto; 美之梅本
Original assignee: FDK Corp
Current assignee: FDK Corp
Priority date: 1993-10-18
Filing date: 1993-10-18
Publication date: 1995-05-02

Abstract

(57)【要約】【目的】磁極層のエッチングによる浸蝕の発生を抑制
し、安定かつ高品質の薄膜磁気ヘッドを製造する方法を
提供すること【構成】基板１（保護層２）の表面に設けた下地導体
膜（Ｔｉ膜１５，ＮｉＦｅ膜１６）の上にレジスト層１
７を形成し、レジストのないＮｉＦｅ膜１６上に磁性層
１８を成膜した後（図（Ａ））、レジスト層を除去する
（同図（Ｂ））。次いで、磁性膜のうち磁極層となる部
位Ａおよび隣接する凹部２０をレジスト１９で被覆した
（図（Ｃ））状態で、エッチングにより不要となった磁
性層と、その下方に位置するＮｉＦｅ膜を除去する（同
図（Ｄ））。この時、レジストとＮｉＦｅ膜並びにＮｉ
Ｆｅ膜とＴｉ膜の界面は密着性がよくエッチング液が侵
入しにくいので浸蝕量は少なく、上記部位Ａまでは到達
しない。その後、レジスト並びに不要な下地導体膜を除
去し磁極層３を形成する（図（Ｅ），（Ｆ））。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＨＤＤやコンピュータ
等の磁気記録装置に用いられる薄膜磁気ヘッドの製造方
法に関するもので、より具体的には、磁極層の製造方法
の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】薄膜磁気ヘッドの構造としては、例えば
図２に示すように、アルチック等からなる基板１の上面
にアルミナ等からなる保護層２を介してパーマロイ等か
らなる下部磁極層３が形成される。この下部磁極層３
は、浮上側（図中左側）に未形成（保護層２が露出す
る）部位を有する第１磁極層４と、その第１磁極層４と
上記保護層２の露出部位を覆うようにして形成された第
２磁極層５とから構成され、上記第１磁極層４の形成部
位の肉厚が厚くなるようになっている。

【０００３】さらに、この下部磁極層３（第２磁極層
５）の上面に、ギャップ部となる非磁性材層１１，下部
絶縁層６，第１コイル層７，第１絶縁層８，第２コイル
層９，第２絶縁層１０並びに上部磁極層１２が順次積層
形成される。そして、上記下部磁極層３と上部磁極層１
２とは、図示省略するがその後方端部側で接続されてお
り、ヨークを構成している。さらに、上部磁極層１２の
上面には、図示省略の保護層が形成されている。

【０００４】ここで、上記各層の製造工程のうち下部磁
極層３、特にギャップ部分を構成する第２磁極層５の製
造方法に着目すると、従来は図３に示すような工程にし
たがって製造していた。すなわち、基板１の表面に設け
た保護層２の表面に、下地導体膜としてＴｉ膜１５並び
にＮｉＦｅ膜１６を形成し、その上にフォトリソグラフ
ィー技術によって所定のパターンからなるレジスト層１
７を形成する。次いで電解メッキ法によりレジストが除
去されて露出されたＮｉＦｅ膜１６上に磁性層１８を成
膜する。これにより、同図（Ａ）に示すような状態とな
る。

【０００５】次に、レジスト層１７を除去し（同図
（Ｂ））、除去されたレジスト層１７の下に位置してい
た下地導体膜１５，１６をイオンミルにより除去する
（同図（Ｃ））。そして、先に成膜した磁性層１８のう
ち下部磁極層となる部位Ａをレジスト１９で被覆する
（同図（Ｄ））。その後、エッチングにより露出してい
る不要となった（下部磁極層を構成しない）磁性層１８
およびその下方に位置する下地導体膜１５，１６を除去
した後（同図（Ｅ））、残ったレジスト１９を除去する
ことにより同図（Ｆ）並びに図４（Ａ）に示すように所
定形状からなる下部磁極層３が形成される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の製造方法では、実際には例えば図４（Ｂ）に示
すように、下部磁極層３のうち特にギャップ部分を構成
する部位３ａが浸蝕されて不良品となることがある。

【０００７】これは、本発明者らが知得したところによ
ると、上記した不要な磁性層１８および下地導体膜１
５，１６を除去するためのエッチング処理時に、そのエ
ッチング液がレジスト１９とアルミナ保護層２との界面
に浸透し、さらに図５に拡大して示すように、ギャップ
部位を構成する磁性層１８とアルミナ保護層２との値に
位置する下地導体膜１５，１６も浸蝕されてしまう。そ
して、係る浸蝕が大きいと、その下地導体膜１５，１６
の上に位置する磁性層１８も剥離されて上記したような
磁極層の浸蝕を生じるものと考えられる。

【０００８】本発明は、上記した背景に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、磁極層のエッチング
による浸蝕の発生を抑制し、更に磁極層を余分に削る事
がなくなる。安定かつ高品質の薄膜磁気ヘッドを製造す
る方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、基
板上に下部磁極層を設け、その下部磁極層の上に、ギャ
ップ用の非磁性材層，下部絶縁層，所定数のコイル層，
そのコイル層を覆う絶縁層を所定の位置関係で積層形成
し、さらにその上面に上部磁極層並びに保護層を形成し
てなる磁気ヘッド素子を多数形成し、次いで、前記基板
の所定部位を切断するようにした薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、前記下部磁極層または前記上部磁極層の
少なくとも一方の磁極層を製造するに際し、基板上或い
はすでに形成された所定の層の上に下地導体膜を形成
し、その下地導体膜の上に所定形状の磁性膜を形成す
る。そして前記磁性膜のうち磁極層を構成する部位およ
びその周囲に露出する前記下地導体膜の上方をレジスト
で被覆するとともに、前記レジストで被覆されずに露出
された所定部位をエッチングで除去する。次いで、前記
レジストを除去すると共に、露出する不要な前記下地導
体膜を除去するようにした。

【００１０】

【作用】下地導体膜の上に所定パターン形状の磁性膜を
成膜し、不要部分の下地導体膜及び磁性膜をエッチン
グ，イオンミルなどの手法により除去することにより、
磁性膜の所定部位のみ残して磁極層を形成するが、この
時、前記磁極層を構成する磁性膜の所定部位とそれに隣
接する下地膜をレジストで覆った状態で、それ以外の不
要な磁性膜を所定のエッチング液によりエッチングして
除去する。この時エッチング液は、本来の機能である下
方に向かって各層，膜を除去すると共に、側方、すなわ
ち各層間の界面内を入り込み浸蝕しようとするが、係る
界面はレジストと下地導体膜であり密着性がよいため、
エッチング液が侵入しにくい。よって横方向への浸蝕量
は少なく、磁極層となる部位にまでは到達せず、磁極層
が浸蝕されること無く、所望の形状に形成される。

【００１１】

【実施例】以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方
法の好適な実施例を添付図面を参照にして詳述する。図
１は本発明（方法）の好適な一実施例の要部を示すもの
である。すなわち、本発明では、磁極層を形成する工程
が従来と異なり、そこに要点を有するため、係る工程に
ついて説明する。

【００１２】同図に示すように、通常の工程にしたがっ
て１枚の基板１の上面の格子状の交点上にそれぞれ磁気
ヘッドパターンを構成する各層を順次積層形成するので
ある。すなわち、まず、基板１の表面に設けた保護層２
の表面に、下地導体膜としてＴｉ膜１５並びにＮｉＦｅ
膜１６を形成し、その上にフォトリソグラフィー技術に
よって所定のパターンからなるレジスト層１７を形成す
る。次いで電解メッキ法によりレジストが除去されて露
出されたＮｉＦｅ膜１６上に磁性層１８を成膜する。こ
れにより、図１（Ａ）に示すような状態となる。次に、
レジスト層１７を除去する（同図（Ｂ））。これによ
り、レジスト層１７が配置されていた部位が凹部２０と
なり、その凹部２０の底面から下地導体膜（ＮｉＦｅ膜
１６）が露出する。ここまでの工程は従来のものと同様
である。

【００１３】ここで本発明では、磁性層１８のうち下部
磁極層となる部位Ａをレジスト１９で被覆する（同図
（Ｃ））。すなわち、下部磁極層となる部位Ａの表面か
らそれに隣接する上記凹部２０にかけてレジスト１９を
塗布する。これにより、下部磁極層となる部位Ａおよび
逸れに隣接する下地導体膜１５，１６が完全に覆われる
一方、磁性層１８のうち残部Ｂの上にはレジスト１９が
なく露出している。

【００１４】この状態で、エッチングにより露出してい
る不要となった磁性層１８（上記残部Ｂ）と、その下方
に位置する下地導体膜のうち上側のＮｉＦｅ膜１６を除
去する（同図（Ｄ））。すなわち、エッチング時間を調
整することにより上側のＮｉＦｅ膜１６までを除去する
ようにし、さらに、Ｔｉを除去しない組成からなるエッ
チング液を使用すると、より確実に行える。

【００１５】また、この時エッチング液は、下方に向か
って各層，膜を除去すると共に、側方すなわち各層間の
界面内を入り込み浸蝕しようとするが、本例では、界面
はレジスト１９とＮｉＦｅ膜１６並びにＮｉＦｅ膜１６
とＴｉ膜１５であり、共に従来のレジストと基板との界
面の密着性に比べ密着性がよくエッチング液が侵入しに
くいので、横方向への浸蝕量は少なく、下部磁極層とな
る部位Ａにまでは到達しない。

【００１６】この後、残ったレジスト１９を除去する。
これにより同図（Ｅ）に示すように、所定形状からなる
下部磁極層３と、レジスト１９により覆われていた箇所
に存在していた下地導体膜１５，１６及び、レジスト１
９が形成されていなかった箇所に存在していたＴｉ膜１
５が残る。

【００１７】そして、下部磁極層３以外の露出する下地
導体膜１５，１６をイオンミルにより除去し、同図
（Ｆ），図４（Ａ）に示すように基板１，２上の所定位
置に所定形状からなる下部磁極層３が形成される。そし
て、上記したごとく下部磁極層となる部位Ａまでは浸蝕
されないため、欠けなどのない所望パターンの下部磁極
層３となる。

【００１８】なお、この後は通常の工程にしたがって、
ギャップ部となる非磁性材層，諸定数のコイル層とその
コイル層の上下を覆う絶縁層を所定の順で積層形成す
る。そして、最上方の絶縁層の上に上部磁極層を形成す
るのであるが、係る上部磁極層も上記した下部磁極層の
製造と同様の工程により製造される。そして、上方にい
くにしたがって各部での高低差が大きく、表面の凹凸が
大きいために磁極層の下側にエッチング液が浸蝕するお
それが高くなるが、本例では確実に抑制できる。

【００１９】なお、上記した磁極層以外の製造工程は、
従来のものと同様であるため、その説明を省略する。ま
た、下地導体膜の種類および形成総数は任意である。

【００２０】

【発明の効果】以上のように、本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法では、不要な磁性膜を除去するに際し、
磁極層を構成する磁性膜とそれに隣接する露出した下地
膜をレジストで被覆した状態でエッチング処理をするよ
うにしたため、仮にエッチング時にエッチング液が横方
向（界面ない）に侵入しようとしても、レジストと下地
導体膜の界面の密着性が良く侵入しにくいため、磁極層
を構成する磁性膜の下側部位におけるエッチングによる
浸蝕の発生を抑制し、安定かつ高品質の薄膜磁気ヘッド
を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の好適
な一実施例の要部を示す工程図である。

【図２】薄膜磁気ヘッドの一般的な構成を示す断面図で
ある。

【図３】従来の磁極層を製造する方法を示す工程図であ
る。

【図４】（Ａ）は本発明により製造される磁極層の一例
を示す平面図である。（Ｂ）は従来の製造方法により製
造される磁極層の一例を示す平面図である。

【図５】従来の問題点を説明する図である。

【符号の説明】

１５Ｔｉ膜（下地導体膜）１６ＮｉＦｅ膜（下地導体膜）１８磁性膜１９レジスト

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に下部磁極層を設け、その下部磁
極層の上に、ギャップ用の非磁性材層，下部絶縁層，所
定数のコイル層，そのコイル層を覆う絶縁層を所定の位
置関係で積層形成し、さらにその上面に上部磁極層並び
に保護層を形成してなる磁気ヘッド素子を多数形成し、
次いで、前記基板の所定部位を切断するようにした薄膜
磁気ヘッドの製造方法において、前記下部磁極層または前記上部磁極層の少なくとも一方
の磁極層を製造するに際し、基板上或いはすでに形成さ
れた所定の層の上に下地導体膜を形成し、その下地導体
膜の上に所定パターンの磁性膜を形成し、前記磁性膜のうち磁極層を構成する部位およびその周囲
に露出する前記下地導体膜の上方をレジストで被覆する
とともに、前記レジストで被覆されずに露出された所定
部位をエッチングで除去し、次いで、前記レジストを除去すると共に、露出する不要
な前記下地導体膜を除去するようにした薄膜磁気ヘッド
の製造方法。
【請求項２】前記下地導体膜を複数層から形成し、前
記エッチング処理時に前記複数の下地導体膜のうち少な
くとも最下層の下地導体膜を残すようにした請求項１に
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。