JPS62257610A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上Ω皿且立… 本発明はＤＡＴ　（デジタル・オーディオ・テープレコ
ーダー〕等に使用される薄膜磁気ヘッドの製造方法に関
し、詳しくは強磁性体の基板上に薄膜磁気コアを所定の
パターンで被着形成する方法に関するものである。

従来坐１虚 磁気テープ等の磁気記録媒体への情報の記録及び磁気記
録媒体からの情報の再生に使用される〔電磁誘導型の〕
薄膜磁気ヘッドは、強磁性体の基板上に薄膜コイルや強
磁性体薄膜コアなどのパターンを含む複数の薄膜パター
ンを、部分的に重ねて積層形成し、その後基板上に上記
薄膜パターンを保護する非磁性体の保護板を固着した構
造が一般的である。近年では上記薄膜パターンを基板の
側端縁に沿って２０個程度配置形成したＤＡＴ用マルチ
トラックヘッドが開発されている。

例えば、上記薄膜インダクティブヘッドの構造を第１図
乃至第３図を参照しながら説明する。同図において、（
１）はフェライト等の強磁性体の基板、（２）（２）・
・・は該基Ｆｊ、（１）の側端縁に沿って配設された多
数の積層薄膜パターン、（３）はこの槙屓ＦＪ膜パター
ン（２）上に固着された非磁性体の保護板である。上記
各積層薄膜パターン（２）は、基板（１）上に部分的に
形成され磁気ギャップスペーサ膜を兼ねる５ｉ０２等の
第１の絶縁パターン（４）と、該第１の絶縁パターン（
４）上にスパイラル状に被着形成された導体の薄膜コイ
ルパターン（５）と、この薄膜コイルパターン（５）の
凹凸表面を平坦化するため、該薄膜コイルパターン（５
）上に部分的に被着形成された第２の絶縁パターン（６
）と、前記基板（１）上コイル中心近傍の基板露出部（
ｌｏ）から第２の絶縁パターン（６）を跨いで基板（１
）の側端縁の第１の絶縁パターン（４）上に被着形成さ
れ、磁気ギャップ（ｇ）を形成する薄膜磁気コアパター
ン（７）とで構成される。したがってこのａＶ膜磁気コ
アパターン（７）の一端と基板（１）の側端縁間に介在
する第１の絶縁パターン（４）の厚みにて磁気ギャップ
（ｇ）が形成される。尚、（８）は薄膜コイルパターン
（５）の一端から第２の！２Ｉ縁パターン（６）上に延
設したコイル引出しパターンである。

上記ＦＸＢＱインダクティブヘッドの製造における薄膜
磁気コアパターン（７）の形成方法を具体的に第４図乃
至第８図を参照しながら説明する。まず第４図に示すよ
うに前記基板（１）上に、第１のｔ！縁パターン（４）
、１Ｈ５Ｗコイルパターン（５）及び第２の絶縁パター
ン（６）を順次積層形成したものを用意する。そしてこ
の第２の絶縁パターン（６）上に第１の３層しジス［１
（９）を被着形成する。この第１の３眉レジスト膜（９
）は、上記第２の絶縁パターン（６）の全面に亘って形
成した環化ゴム系樹脂等からなるネガ形の下部フォトレ
ジスト膜（９ａ）と、該下部フォトレジストＭＱ（９ａ
）の全面に亘って形成したＴｉ等の金属薄膜（９ｂ）と
、咳金爪ｉＩＡ　（９ｂ）上に所定のパターンで形成し
たネガ形の上部フォトレジスト膜（９ｃ）とを積層形成
したものである。上記第１の３層レジスト膜（９）の形
成後、第５図に示すように前記第１の３層レジスト膜（
９）の上部フォトレジスト膜（９ｃ）のパターンに応じ
て、金属薄膜（９ｂ）及び下部フォトレジストＩＱ　（
９ａ）を窓明けし、その全面に亘って強磁性体の薄膜磁
気コア（１０）を被着形成する。その後、第６図に示す
ように上記薄膜磁気コア（１０）上に第２の３層しジス
ト＋＋ｑｏ１）を被着形成する。この第２の３層しジス
トｆ２　（１１）は、前記第１の３層レジスト膜（９）
と同様、ポジ形の下部フォトレジスト膜（ｌｌ：４）、
金属薄膜（１１ｂ　＞及びポジ形の上部フォトレジスト
膜（１１ｃ　）を順次積層形成したもので、この第２の
３１’ｉｉレジスト膜（１１）の形成後、第７図に示す
ようにこの第２の３層レジスト１５３（１１）の上部フ
ォトレジストＩＩ（ｌｌｃ）のパターンに応じて、全屈
Ｍ膜（１１ｂ　）及び下部フォトレジストＰＱ（１１，
ａ）を窓明けする。この第２の３層レジスト膜（１１）
の窓明は後、露呈した薄膜磁気コア（１０）をエツチン
グし、残存する第１、第２の３層しジストｔＦＪ（９）
　　（１１）の下部フォトレジスト膜（９ａ）　　（１
１ａ　）及び金属薄膜（９ｂ）　　（１１ｂ　）を０２
アツシングすれば、第８図に示すように第２の絶縁パタ
ーン（６）上に所定パターンのｉｉｉ磁気コアパターン
（７）が形成される。尚、上述したように薄膜磁気コア
パターン（７）の形成に第１、第２の３層レジスト膜（
９）　　（１１）を使用するのは、第２の絶縁パターン
（６）及び薄膜磁気コア（１０）の表面、即ちレジスト
ＪＩＱ形成面に凹凸があり、この凹凸状のレジスト膜形
成面に精度良いパターン形成を実現するためである。

（°シよ゛と　ろ１　占 ところで、上述した薄膜インダクティブヘソドの製造に
おけるＶ＃膜磁気コアパターン（７）の形成方法では、
第１、第２の３Ｉ′５レジスＨＷ（９”）　　（１１）
にてマスキングを施してエツチングが行われるが、この
第１、第２の３ＲレジストＩＱ（９）　　（１１）の下
部フォトレジストＭＡ　（９ａ）（１１ａ　）をキュア
ーに適切な２００℃程度で成膜している。即ち、基板（
１）上に第１の３層レジスト１ｍ（９）を２００℃程度
で形成した後、薄膜磁気コア（１０）を形成し、更に該
薄膜磁気コア（１０）上に第２の３層レジストＭＷ（１
１）を、第１の３層しジスｌ−１１２（９）と略同一温
度の２００℃程度で形成する。そのため、上記第２の３
層レジスト膜（１１）の形成時、その成膜温度条件下で
第１の３ｒＭレジスト膜（９）が変形するという不具合
が発生し、この第１の３ＦｉレジストＩＩＩ（９）の変
形により薄膜磁気コア（１０）が剥離する虞が内包され
たままの問題点があった。

１　占を　°　るための　。

本発明は前記問題点に鑑みて提案されたもので、この問
題点を解決するための技術的手段は、ｉａ膜ココイルパ
ターン強磁性体薄膜コア等を含む複数の薄膜パターンが
積層形成された強磁性体の基板上に、第１の多層レジス
ト膜を２００℃以上の成膜温度で被着形成する工程と、
上記第１の多層レジスト膜を所定のパターンに窓明けし
、その窓明は部分を含む基板上に、薄膜磁気コアを被着
形成する工程と、上記薄膜磁気コア上に、第２の多層レ
ジスト膜を２００℃の成膜温度で被着形成する工程と、
この第２の多層レジスト膜を所定のパターンに窓明けし
、その窓明は部分をエツチングする工程と、残存した第
２の多層レジスト膜を除去して基板上に薄膜磁気コアを
所定のパターンで形成する工程とを含むことである。

皿 本発明方法によれば、薄膜磁気コアをバタ、−ン形成す
るに際し、第１の３層レジスト膜を第２の３層しジス）
Ｍｌの成膜温度以上で形成するから、第２の３層レジス
ト膜の形成時、その成膜温度条件で前記第１の３層しジ
ス）ＮＲが変形することがなくなる。

本発明方法を第１図乃至第３図に示す薄膜インダクタテ
ィプヘッドの製造における薄膜磁気コアパターン形成に
通用した一実施例を以下に説明する０本発明の特徴は後
述する第１の３層レジスト膜の形成、特にその下部フォ
トレジストＩＱの成膜温度にあり、その実施例を第４図
乃至第８図を参照しながら説明する。

薄膜磁気コアパターン（７）を形成するには、まず第４
図に示すように、従来と同様、基板（１）上に第１の絶
縁パターン（４）、薄膜コイルパターン（５）及び第２
の絶縁パターン（６）を順次積層形成したものを用意す
る。そして上記第２の絶縁パターン（６）上に環化ゴム
系樹脂等からなるネガ形の下部フォトレジスト膜（９ａ
）を、２００℃以上の成膜温度、例えば２５０℃で上記
第２の絶縁パターン（６）の全面に亘って被着形成する
。この下部フォトレジス）ＩＱ　（９ａ）上にＴｉ等か
らなるステンシル用金冗薄膜（９ｂ）をスパッタ法によ
り形成し、更に該金属薄ｉ　（９ｂ）上にネガ形の上部
フォトレジスト膜（９ｃ）を所定のパターンで被着形成
する。

上述のように下部フォトレジスト膜（９ａ）　、金属薄
膜（９ｂ）及び上部フォトレジスト膜（９Ｃ）を順次積
層して第１の３層レジスト膜（９）を形成する。この第
１の３層しジスｌ［１（９）の形成後、第５図に示すよ
うに上記第１の３Ｉｉレジスト膜（９）の上部フォトレ
ジストＭＵ　（９ｃ）のマスクパターンに応じて、Ａｒ
イオンミリングにより、金属薄膜（９ｂ）に窓明けする
。それから上部フォトレジスト１ｍ　（９ｃ）を除去後
、上記金属薄膜（９ｂ）のパターンに応じて、０２イオ
ンミリングにより、下部フォトレジスト膜（９ａ）に窓
明けし、更にその全面に亘って強磁性体の薄膜磁気コア
（１０）を被着形成する。その後、第６図に示すように
上記薄膜磁気コア（１０）上に環化ゴム系樹脂等からな
るポジ形の下部フォトレジスト膜（１１ａ　）を２００
℃の成膜温度で薄膜磁気コア（１０）の全面に亘って被
着形成する。この下部フントレジストＩＪ（ｌｌａ）の
形成時、第１の３層レジスト膜（９）の下部フォトレジ
スト膜（９ａ）の成膜温度が、前記下部フォトレジスト
膜（ｌｌａ）よりも高温であるため、第１の３層レジス
ト膜（９）の下部フォトレジスト膜（９ａ）が変形する
ことはない。

上記下部フォトレジスト膜（１１ａ）の形成後、Ｔｉ等
からなる金属薄膜（１１ｂ　）をスパッタ法により形成
し、更に該金属薄膜（１１ｂ　’）上にポジ形の上部フ
ォトレジストＦＵ（ｌｌｃ）を所定のパターンで被着形
成する。上述のように下部フォトレジストＫｍ　（ｌｌ
ａ）　、金Ｍ薄膜（１１ｂ　）及び上部フォトレジスト
ＦＪ（ｌｌｃ）を順次積層して第２の３層しジストＩＱ
（１１）を形成する。この第２の３層レジスト膜（１１
）の形成後、第７図に示すように上記第２の３層レジス
ト膜（１１）の上部フォトレジスト膜（１１Ｃ）のパタ
ーンに応じて、Ａｒイオンミリングにより金Ｊｍｉｌｉ
Ｉ（ｌｌｂに窓明けし、上部フォトレジスト１２（ｌｌ
ｃ）を除去する０次に金［８ＰＡ（ｌｌｂ）のパターン
に応じて０２イオンミリングにより、下部フォトレジス
ト膜（１１８”）に窓明けし、その窓明は部分に露呈す
る薄膜磁気コア（ｌＯ）をＡｒイオンミリングにより除
去する。そして残存する下部フォトレジストＭＱ　（９
ａ）　　（１１ａ　）及び金Ｂ薄膜（９ｂ）　　（１１
ｂ　）を０２７ｙ’／７グし、第８図に示すように第２
の絶縁パターン（６）上に所定のパターンを有するｔＪ
ＰＪ磁気コアパターン（７）を形成する。

この薄膜磁気コアパターン（７）の形成後、９１Ｍ磁気
コアパターン（７）上に非磁性体の保護板（３）を固着
することにより薄膜インダクティブヘッドが形成される
。

立皿少立来 本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第１
の３層レジスト膜の成膜温度を第２の３ｒｒＩレジスト
膜よりも高温に設定したから、）上記第２の３ｒ：ｉレ
ジスト膜の形成時、第１の３層レジスト膜が変形するこ
とが皆無となり、薄膜磁気コアの剥離を未然に防止する
ことができて信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを提供できる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は薄膜磁気ヘッドの構造を示す平面図、第２図は
第１図のヘッドのＡ−Ａ線に沿う拡大断面図、第３図は
第１図のヘッドのＢ−Ｂ線に沿う拡大断面図、第４図乃
至第８図は薄膜磁気ヘッドの製造における！膜磁気コア
パターン形成を説明するための各工程図である。 （１）　一基板、　　　　（２）　−・薄膜パターン、
（５）−薄膜コイルパターン、 （９）−・−第１の多層レジスト膜、 （１０）　−・薄膜磁気コア、 （１１）−・・−第２の多層レジスト膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）薄膜コイルパターン、強磁性体薄膜コア等を含む
   複数の薄膜パターンが積層形成された強磁性体の基板上
   に、第１の多層レジスト膜を２００℃以上の成膜温度で
   被着形成する工程と、上記第１の多層レジスト膜を所定
   のパターンに窓明けし、その窓明け部分を含む基板上に
   、薄膜磁気コアを被着形成する工程と、 上記薄膜磁気コア上に、第２の多層レジスト膜を２００
   ℃の成膜温度で被着形成する工程と、この第２の多層レ
   ジスト膜を所定のパターンに窓明けし、その窓明け部分
   をエッチングする工程と、 残存した第２の多層レジスト膜を除去して基板上に薄膜
   磁気コアを所定のパターンで形成する工程とを含むこと
   を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。