JPS61110319A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS61110319A JPS61110319A JP23165284A JP23165284A JPS61110319A JP S61110319 A JPS61110319 A JP S61110319A JP 23165284 A JP23165284 A JP 23165284A JP 23165284 A JP23165284 A JP 23165284A JP S61110319 A JPS61110319 A JP S61110319A
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- Japan
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- thin film
- magnetic
- film
- magnetic gap
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
庄ｉｂ以利１ｂυＥ
この発明は、薄膜磁気ヘッドの磁気ギャップ形成技術に
関し、多層薄膜を形成する必要があるエレクトロニクス
素子製作に利用できるものである。
関し、多層薄膜を形成する必要があるエレクトロニクス
素子製作に利用できるものである。
１釆些１直
最近ＤＡＴ （デジタル・オーディオ・テープレコーダ
）を初め、磁気記録装置は、高記録密度化が要求されて
いるが、線記録密度は限界に近づきつつある。そこで、
トラック密度を上げることによって、高記録密度化を達
成することが可能な磁気ヘッドとして、従来のバルクコ
アヘッドに代わり、薄膜ヘッドが採用され始めた。この
薄膜ヘッドは、書込電流を増やしても、書込み磁場が横
に広がらないので、出力が飽和後減少することがなく、
書込み機能が優れている誘導型と、磁気抵抗効果を応用
した磁束応答によるもので、再生機能が優れているＭＲ
型とに大別される。ここで、誘導型薄膜ヘッドを例にと
りその製作工程を説明すると次の通りである。
）を初め、磁気記録装置は、高記録密度化が要求されて
いるが、線記録密度は限界に近づきつつある。そこで、
トラック密度を上げることによって、高記録密度化を達
成することが可能な磁気ヘッドとして、従来のバルクコ
アヘッドに代わり、薄膜ヘッドが採用され始めた。この
薄膜ヘッドは、書込電流を増やしても、書込み磁場が横
に広がらないので、出力が飽和後減少することがなく、
書込み機能が優れている誘導型と、磁気抵抗効果を応用
した磁束応答によるもので、再生機能が優れているＭＲ
型とに大別される。ここで、誘導型薄膜ヘッドを例にと
りその製作工程を説明すると次の通りである。
すなわち、第６図に示すように、フェライト等の強磁性
体基板１上に、非磁性体薄膜であり磁気ギャップスペー
サともなる絶縁層２を形成し、さらにその絶縁層２上に
、例えばスパイラル状の導電パターン３を形成し、そし
てさらに導電パターン３を絶縁層４で覆っておき、破線
５及び６で表した磁気ギャップ形成部及び上部コアのリ
ヤ部形成予定部を、イオンミリング技術等によって選択
的にエツチング除去する。つぎに第７図の通り絶縁層２
の除去されてしまった破線５部分の復修及び絶縁強化の
目的で全面に、再び絶縁層７を全面付着させ、また破線
６のリヤ部形成予定部も再度エツチング除去する。それ
から、第８図のように、例えばＮｉ−Ｆｅ合金薄膜の上
部コア８を形成している。
体基板１上に、非磁性体薄膜であり磁気ギャップスペー
サともなる絶縁層２を形成し、さらにその絶縁層２上に
、例えばスパイラル状の導電パターン３を形成し、そし
てさらに導電パターン３を絶縁層４で覆っておき、破線
５及び６で表した磁気ギャップ形成部及び上部コアのリ
ヤ部形成予定部を、イオンミリング技術等によって選択
的にエツチング除去する。つぎに第７図の通り絶縁層２
の除去されてしまった破線５部分の復修及び絶縁強化の
目的で全面に、再び絶縁層７を全面付着させ、また破線
６のリヤ部形成予定部も再度エツチング除去する。それ
から、第８図のように、例えばＮｉ−Ｆｅ合金薄膜の上
部コア８を形成している。
Ｂ −ｊ
ところで、以上説明した薄膜ヘッドを製作する場合には
、一度除去した絶縁層２の一部を再び復修する工数を要
する。しかも絶縁層２の成膜作業は、スパッタリング技
術を用いる必要があり、一般にスパッタリングは長時間
かかるので、成膜・復修工数が太き（なる弱点があった
。しかも上部コア８のリヤ部形成のために、エツチング
除去、スパッタリング付着を繰り返すので、工、チング
時のマスク目金わせにずれを生じたりして、開口窓部６
′付近の絶縁層４，７の斜面崩れを招いてしまい、上部
コア８の閉磁路を悪化、つまり、磁束乱れを惹起する要
因となっていた。
、一度除去した絶縁層２の一部を再び復修する工数を要
する。しかも絶縁層２の成膜作業は、スパッタリング技
術を用いる必要があり、一般にスパッタリングは長時間
かかるので、成膜・復修工数が太き（なる弱点があった
。しかも上部コア８のリヤ部形成のために、エツチング
除去、スパッタリング付着を繰り返すので、工、チング
時のマスク目金わせにずれを生じたりして、開口窓部６
′付近の絶縁層４，７の斜面崩れを招いてしまい、上部
コア８の閉磁路を悪化、つまり、磁束乱れを惹起する要
因となっていた。
この発明は、以上の問題を解決する目的で提唱されたも
のである。
のである。
口°の
この発明は、下部コアとなる強磁性体基板上に、第−絶
縁層、導電コイルパターン、第二絶縁層、上部コアを薄
膜積層形成する方法において、従来通りに、導電コイル
及び第一絶縁層を形成して後、予め第一絶縁層の磁気ギ
ャップ形成予定位置上に、チタン族物質を薄膜形成して
おき、その後第二絶縁層並びに強磁性体薄膜の上部コア
を形成することにより、従来の問題点を解消するもので
ある。
縁層、導電コイルパターン、第二絶縁層、上部コアを薄
膜積層形成する方法において、従来通りに、導電コイル
及び第一絶縁層を形成して後、予め第一絶縁層の磁気ギ
ャップ形成予定位置上に、チタン族物質を薄膜形成して
おき、その後第二絶縁層並びに強磁性体薄膜の上部コア
を形成することにより、従来の問題点を解消するもので
ある。
１且
この発明は、上述の手段を採用するので、磁気ギャップ
スペーサを修復する必要がなくなり、チタン族薄膜を形
成する工数に低減できる。またこの発明は、上部コアの
リヤ部形成のためのエツチング除去回数が減り、マスク
目金わせずれを防止することもできる。しかも、この発
明は、チタン族薄膜を、従来の磁気ギャップスペーサと
なる非磁性体薄膜と上部コアとの間に介在させることに
なるので、磁気ギャップの機械的補強、つまり摩耗や破
損防止をも行えることになる。
スペーサを修復する必要がなくなり、チタン族薄膜を形
成する工数に低減できる。またこの発明は、上部コアの
リヤ部形成のためのエツチング除去回数が減り、マスク
目金わせずれを防止することもできる。しかも、この発
明は、チタン族薄膜を、従来の磁気ギャップスペーサと
なる非磁性体薄膜と上部コアとの間に介在させることに
なるので、磁気ギャップの機械的補強、つまり摩耗や破
損防止をも行えることになる。
Ｌ直匠
第１図は、この発明の一実施例によって得られた薄膜磁
気ヘッドの断面図であり、まずｌＯは、Ｍｎ−Ｚｎ単結
晶フェライト基板、ｌｌは絶縁性で非磁性体の５１０２
膜、１２は公知のフォトリングラフィ技術を利用して、
５Ｉ０２膜１１上に、Ｃｕをスパイラル状に形成した導
電コイルパターン、１３は導電コイルパターン１２を絶
縁被覆するポリイミド又は５ＩＯ２等の絶縁層である。
気ヘッドの断面図であり、まずｌＯは、Ｍｎ−Ｚｎ単結
晶フェライト基板、ｌｌは絶縁性で非磁性体の５１０２
膜、１２は公知のフォトリングラフィ技術を利用して、
５Ｉ０２膜１１上に、Ｃｕをスパイラル状に形成した導
電コイルパターン、１３は導電コイルパターン１２を絶
縁被覆するポリイミド又は５ＩＯ２等の絶縁層である。
そして、１４はこの薄膜磁気ヘッドの最も著しい特徴を
表しているＴ１薄膜、さらに１５はＮｉ−Ｆｅ合金の上
部コアとなる薄膜である。
表しているＴ１薄膜、さらに１５はＮｉ−Ｆｅ合金の上
部コアとなる薄膜である。
さて、この実施例では、上記薄膜磁気ヘッドを得るには
、次の製造工程を経る。まず、第２図に示すように、基
板１０上に従来通りに、５１０２膜１１を全面にスパッ
タリング付着させ、さらにＣｕ膜をスパッタリング付着
し、所望通りのスパイラル形状部分以外を、エツチング
除去する。つぎに、第３図のように、５１０２膜１１上
の図で左端の磁気ギャップ形成予定部に、非磁性体金属
であり、エツチング時のマスクともなり、かつ耐蝕性や
耐摩耗性及び耐熱性が優れているＴ１薄膜１４を数百Ａ
程度スパッタリング付着させる。したがって、 ５１０
２１Ｋｌｌとｒｉ薄膜１４との合計膜厚が、磁気ギャッ
プ寸法に設定されることになる。また、基板ＩＯの上部
コア直接接合部１６を形成するために、窓部１Ｂ′を、
イオンミリング技術によってエツチング除去して形成す
る。
、次の製造工程を経る。まず、第２図に示すように、基
板１０上に従来通りに、５１０２膜１１を全面にスパッ
タリング付着させ、さらにＣｕ膜をスパッタリング付着
し、所望通りのスパイラル形状部分以外を、エツチング
除去する。つぎに、第３図のように、５１０２膜１１上
の図で左端の磁気ギャップ形成予定部に、非磁性体金属
であり、エツチング時のマスクともなり、かつ耐蝕性や
耐摩耗性及び耐熱性が優れているＴ１薄膜１４を数百Ａ
程度スパッタリング付着させる。したがって、 ５１０
２１Ｋｌｌとｒｉ薄膜１４との合計膜厚が、磁気ギャッ
プ寸法に設定されることになる。また、基板ＩＯの上部
コア直接接合部１６を形成するために、窓部１Ｂ′を、
イオンミリング技術によってエツチング除去して形成す
る。
さらに、第４図のように、ポリイミド樹脂又は後述する
塗布型Ｓ ｔｏ Ｚ製の絶縁層Ｉ３を、Ｔｉ薄膜１４か
ら導電パターン１２及びそのパターン間の５１０２膜１
１を経て、窓部１Ｇ’へかけて全面被着させる。ここで
絶縁！１３に塗布型Ｓ ＋ ０２を使用する場合には、
まず絶縁物として５Ｉ０２粉末を、溶媒としてのポジ型
ナフトキノンジアジド系フォトレジスト、例えば東京応
化社製０ＣＤ−Ｔ７−５１Ｒに混入させて絶縁性ゾルを
製作し、その絶縁性ゾルをスピンコードし、低りでベー
キングしてゲル化させる。そして、第５図のように、窓
部ＩＧ’上の絶縁層１３及びＴ１薄膜１４上の絶縁層を
、再びイオンミリングにより除去する。その後公知のス
パッタリング技術により、Ｎｊ−８０，Ｆｅ−２０の合
金１５を第１図の通り付着させて４膜磁気ヘツドを得る
。
塗布型Ｓ ｔｏ Ｚ製の絶縁層Ｉ３を、Ｔｉ薄膜１４か
ら導電パターン１２及びそのパターン間の５１０２膜１
１を経て、窓部１Ｇ’へかけて全面被着させる。ここで
絶縁！１３に塗布型Ｓ ＋ ０２を使用する場合には、
まず絶縁物として５Ｉ０２粉末を、溶媒としてのポジ型
ナフトキノンジアジド系フォトレジスト、例えば東京応
化社製０ＣＤ−Ｔ７−５１Ｒに混入させて絶縁性ゾルを
製作し、その絶縁性ゾルをスピンコードし、低りでベー
キングしてゲル化させる。そして、第５図のように、窓
部ＩＧ’上の絶縁層１３及びＴ１薄膜１４上の絶縁層を
、再びイオンミリングにより除去する。その後公知のス
パッタリング技術により、Ｎｊ−８０，Ｆｅ−２０の合
金１５を第１図の通り付着させて４膜磁気ヘツドを得る
。
よって、この薄膜磁気ヘッドは、一旦形成された５ｈ０
２膜ＩＩ上の磁気ギャップ形成予定部は、Ｔｉ薄膜１４
が被着されるので、第５図に示した工程で窓部ＩＧ’を
開設の時に、不都合に除去される恐れがなく、修復する
必要がない。したがって、Ｓ＋、２膜１１の一部除去工
数も当然低減されるばかりでなく次の利点がある。つま
り第１図から判るように、下部コアである基板１０と、
上部コアである旧−Ｆｅ合金薄膜１５との間の磁気ギャ
ップ１７は、５１０２膜厚＋Ｔｌ薄膜膜厚となり、かつ
磁気ギャップスペーサの一部としてＴ１薄膜１４が埋め
込まれることになるので、磁気ギャップ１７において補
強板の役目を果たし、摩耗や破損防止が図れる。
２膜ＩＩ上の磁気ギャップ形成予定部は、Ｔｉ薄膜１４
が被着されるので、第５図に示した工程で窓部ＩＧ’を
開設の時に、不都合に除去される恐れがなく、修復する
必要がない。したがって、Ｓ＋、２膜１１の一部除去工
数も当然低減されるばかりでなく次の利点がある。つま
り第１図から判るように、下部コアである基板１０と、
上部コアである旧−Ｆｅ合金薄膜１５との間の磁気ギャ
ップ１７は、５１０２膜厚＋Ｔｌ薄膜膜厚となり、かつ
磁気ギャップスペーサの一部としてＴ１薄膜１４が埋め
込まれることになるので、磁気ギャップ１７において補
強板の役目を果たし、摩耗や破損防止が図れる。
尚、上記実施例は、チタン族物質の一例としてＴＩ薄膜
の場合を示したが、この発明では、その他のチタン族、
例えば、Ｚｒや［Ｉｆあるいは広義の物質として類似の
特性を示すものを含むものであり、同様な作用効果があ
る。
の場合を示したが、この発明では、その他のチタン族、
例えば、Ｚｒや［Ｉｆあるいは広義の物質として類似の
特性を示すものを含むものであり、同様な作用効果があ
る。
免吸Δ汰ｌ
この発明によれば、薄膜磁気ヘッド製造において、磁気
ギャップ製作工数低減とともに、磁気ギヤツブの補強を
も図ることができ、信頼性向上が達成できる。しかも、
この発明では、上部コアの形成時のエツチング等の処理
工数が短縮でき、その上にマスク回合わせずれをも防止
できるから、上部コアの閉磁路を整えることも可能とな
り、従来の欠点是正も図れる優れた長所がある。
ギャップ製作工数低減とともに、磁気ギヤツブの補強を
も図ることができ、信頼性向上が達成できる。しかも、
この発明では、上部コアの形成時のエツチング等の処理
工数が短縮でき、その上にマスク回合わせずれをも防止
できるから、上部コアの閉磁路を整えることも可能とな
り、従来の欠点是正も図れる優れた長所がある。
第１図〜第５図は、この発明の一実施例に関し、第１図
は、薄膜磁気ヘッドの断面図、第２図〜第５図は、製造
各工程における断面図である。第６図及び第７図は従来
の製造工程中の薄膜磁気ヘッドの断面図、第８図はその
完成した薄膜磁気ヘッドの断面図である。 １０・・・・基板（下部コア）、 ＩＩ・・・・第一絶縁層（ＳｉＯ□膜）、１２・・・・
導電コイルパターン、 １３・・・・第二絶縁層（ポリイミド、塗布型ｓ ＋
０２ ）、１４・・・・チタン族物質薄膜、 １５・・・・強磁性体薄膜（旧〜Ｆｅ薄膜：上部コア）
、１７・・・・磁気ギャップ。 第１図 第２図 第 ４ｒＩＪ
は、薄膜磁気ヘッドの断面図、第２図〜第５図は、製造
各工程における断面図である。第６図及び第７図は従来
の製造工程中の薄膜磁気ヘッドの断面図、第８図はその
完成した薄膜磁気ヘッドの断面図である。 １０・・・・基板（下部コア）、 ＩＩ・・・・第一絶縁層（ＳｉＯ□膜）、１２・・・・
導電コイルパターン、 １３・・・・第二絶縁層（ポリイミド、塗布型ｓ ＋
０２ ）、１４・・・・チタン族物質薄膜、 １５・・・・強磁性体薄膜（旧〜Ｆｅ薄膜：上部コア）
、１７・・・・磁気ギャップ。 第１図 第２図 第 ４ｒＩＪ
Claims (1)
- 下部コアとなる強磁性体基板上に、磁気ギャップ形成の
ための非磁性体薄膜兼用の第一絶縁層を形成し、上記第
一絶縁層上に導電コイルパターンを設け、さらに第一絶
縁層上以外で基板と直接接合し、かつ第二絶縁層を介し
て導電コイルパターン上へ乗り上げて鎖交する上部コア
となる強磁性体薄膜を形成する方法において、前記導電
コイル及び第一絶縁層を形成後、予め第一絶縁層の磁気
ギャップ形成予定位置上に、チタン族物質を薄膜形成し
ておき、その後第二絶縁層並びに強磁性体薄膜を形成す
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23165284A JPS61110319A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23165284A JPS61110319A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61110319A true JPS61110319A (ja) | 1986-05-28 |
Family
ID=16926848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23165284A Pending JPS61110319A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61110319A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62175922A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-01 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| US7215511B2 (en) | 2004-03-31 | 2007-05-08 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic write head with gap termination less than half distance between pedestal and back gap |
| US7265942B2 (en) | 2004-03-30 | 2007-09-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Inductive magnetic head with non-magnetic seed layer gap structure and method for the fabrication thereof |
-
1984
- 1984-10-31 JP JP23165284A patent/JPS61110319A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62175922A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-01 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| US7265942B2 (en) | 2004-03-30 | 2007-09-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Inductive magnetic head with non-magnetic seed layer gap structure and method for the fabrication thereof |
| US7215511B2 (en) | 2004-03-31 | 2007-05-08 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic write head with gap termination less than half distance between pedestal and back gap |
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