JP2629328B2 - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、オーディオテープレコーダやビデオテープ
レコーダ等の磁気記録再生装置に搭載される電磁誘導型
の磁気ヘッド及びその製造方法に関するもので、詳細に
は複数トラックを同時に記録するマルチトラック構造と
した磁気ヘッド及びその製造方法に関するものである。

〔発明の概要〕

本発明は、積層方向にマルチトラック構造が形成され
た磁気ヘッドにおいて、複数の薄膜磁性コアをフロント
ギャップ側及びバックギャップ側でそれぞれ非磁性膜及
び補助磁性薄膜を海して積層させ、各薄膜磁性コアの磁
気ギャップを積層方向にずらして配置させることによ
り、高精度にギャップ間隔調整およびトラック位置合わ
せしようとするものである。

さらに本発明は、いずれも膜厚をトラック幅とした薄
膜磁性コア，補助磁性薄膜，非磁性膜よりなる層を順次
積層してゆき、磁気記録媒体摺動面に磁気ギャップを有
する薄膜磁性コアを各層毎にずらして配置することによ
り、ギャップ間隔調整やトラック位置合わせの不要な磁
気ヘッドを歩留りよく製造しようとするものである。

〔従来の技術〕

近年、オーディオテープレコーダやビデオテープレコ
ーダ等の分野においては、高画質記録が追求されてお
り、映像信号をPCM（パルス信号変調）記録方式により
記録する、いわゆるディジタルテープレコーダの開発が
進められている。このディジタルテープレコーダでは、
通常のテープレコーダ（アナログ）に比べ記録する信号
量が飛躍的に増大することから、複数のトラックを同時
に記録するマルチトラック記録方式が採用されている。
かかる状況より、磁気ヘッドの分野においては、ディジ
タルにおける高密度記録化に対処するべくマルチトラッ
ク構造とした磁気ヘッドへの要求が高まっている。

マルチトラック構造の磁気ヘッドとしては、例えばバ
ルクタイプの単体ヘッドチップをマルチベースに複数取
付け固定したものや、薄膜により形成された単体ヘッド
チップを同一基板上に並べて構成したもの等が挙げられ
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、上記マルチトラック構造となされた磁気ヘ
ッドにおいては、各ヘッドチップの相対位置、例えばギ
ャップ間隔調整やトラック位置合わせ等をする必要があ
り、通常、機械的手段等により行われている。上記磁気
ヘッドにおいて、さらに狭トラック化を目指そうとした
場合には、これら各ヘッドチップ間のギャップ間隔調整
やトラック位置合わせをより一層高精度に行わなければ
ならなくなる。

ところが、トラック幅を極めて狭い例えば５μｍ以下
とする場合には、先の機械的手段では各ヘッドチップ間
のギャップ間隔調整やトラック位置合わせを高精度に調
整するのは精度的に限界がある。また、これらヘッドチ
ップのマルチベースあるいは基板上への取付け作業も極
めて難しくなり、しかもその取付け作業が煩雑化し、歩
留りや製造コスト等の点で大きな難点を抱えることにな
る。

そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案され
たものであって、各ヘッドチップ間のギャップ間隔調
整，トラック位置合わせが不要な磁気ヘッドを提供しよ
うとするものである。

さらに本発明は、作業性に優れるとともに、歩留りの
向上が図れ、しかも製造コストの低下が図れる磁気ヘッ
ドの製造方法を提供しようとするものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の磁気ヘッドは、上記の目的を達成するため
に、磁気記録媒体摺動面に磁気ギャップを有する複数の
薄膜磁性コアがフロントギャップ側では非磁性膜を介し
バックギャップ側では補助磁性薄膜を介して同一基板上
に積層され、これら薄膜磁性コアと補助磁性薄膜とでそ
れぞれ閉磁路が構成されるとともに、各薄膜磁性コアの
磁気ギャップが積層方向にずらして配置されマルチトラ
ック構造とされていることを特徴とするものである。

さらに本発明の磁気ヘッドの製造方法は、磁気記録媒
体摺動面に磁気ギャップを有する第１の薄膜磁性コアを
形成する工程と、他の薄膜磁性コアのバックギャップ側
に対応する位置に補助磁性薄膜を形成するとともに、フ
ロントギャップ側を含めた他の部分に非磁性膜を積層す
る工程と、これら第１薄膜磁性コア，補助磁性薄膜及び
非磁性膜を所定のトラック幅となるように平坦化する工
程と、所定の補助磁性薄膜に対応する位置に第２の薄膜
磁性コアを積層形成する工程と、前記第１の薄膜磁性コ
アを含めた他の薄膜磁性コアのバックギャップ側に対応
する位置に補助磁性薄膜を積層するとともに、フロント
ギャップ側を含めた他の部分に非磁性膜を積層する工程
と、これら第２の薄膜磁性コア，補助磁性薄膜及び非磁
性膜を所定のトラック幅となるように平坦化する工程と
を薄膜磁性コアの積層数に対応して繰り返し、これら複
数の薄膜磁性コアの磁気ギャップを積層方向でずらして
配置しマルチトラック構造を形成することを特徴とする
ものである。

〔作用〕

本発明の磁気ヘッドにおいては、磁気記録媒体摺動面
に磁気ギャップを有する複数の薄膜磁性コアがフロント
ギャップ側では非磁性膜，バックギャップ側では補助磁
性薄膜を介して同一基板上に積層され、該薄膜磁性コア
と補助磁性薄膜とが磁気的に接続されることによって、
これら薄膜磁性コアと補助磁性薄膜により閉磁路が構成
される。また、これら複数の薄膜磁性コアの磁気ギャッ
プは、前記積層方向にずらして位置されているので、当
該積層方向にマルチトラック構造を有した型となる。

さらに本発明の磁気ヘッドの製造方法においては、磁
気記録媒体摺動面に磁気ギャップを有する第１の薄膜磁
性コアを形成すると同時に、他方の薄膜磁性コアのバッ
クギャップ側に対応する位置に補助磁性薄膜を形成し、
さらにフロントギャップ側を含めた他の部分に非磁性膜
を積層した後、これら第１の薄膜磁性コア，補助磁性薄
膜および非磁性膜を同時に所定のトラック幅となるよう
に平坦化するので、これら膜厚は全てトラック幅に規制
される。

次いで、所定の補助磁性薄膜に対応する位置に第２の
薄膜磁性コアを形成すると同時に、やはり前記第１の薄
膜磁性コアを含めた他の薄膜磁性コアのバックギャップ
側に対応する位置に補助磁性薄膜を積層し、さらにフロ
ントギャップ側を含めた他の部分に非磁性膜を積層した
後、これら第２の薄膜磁性コア，補助磁性薄膜および非
磁性膜を所定のトラック幅なるようにして平坦化してい
るので、前記トラック幅となされた平坦面上にさらにト
ラック幅となされた第２の薄膜磁性コアからなる層が形
成される。そして、薄膜磁性コアの積層数に対応してこ
れらの工程を繰り返すことにより、積層方向に磁気ギャ
ップがずれて配置され、しかも高精度に磁気ギャップ間
隔調整及びトラック位置合わせされたマルチトラック構
造の磁気ヘッドが形成される。

〔実施例〕

以下、本発明の好適な実施例について具体的に説明す
る。

先ず、本実施例の磁気ヘッドについて図面を参照しな
がら説明するが、本実施例では、その磁気ヘッドの構造
をより理解し易くするため、積層方向に２トラックとし
た磁気ヘッドして説明する。

本実施例の磁気ヘッドは、第１図に示すように、磁気
記録媒体摺動面（3a）に磁気ギャップg₁を有する薄膜磁
性コア（４），補助磁性薄膜（８），非磁性膜（12）よ
りなる第１の層と、やはり磁気記録媒体摺動面（3a）に
磁気ギャップg₂を有する薄膜磁性コア（５），補助磁性
薄膜（６），非磁性膜（13）よりなる第２の層と、主と
して補助磁性薄膜（７）及び補助磁性薄膜（９）よりな
る第３の層とからなり、これらが積層されることにより
当該積層方向に第１のヘッド素子及び第２のヘッド素子
が形成されたものである。

上記第１のヘッド素子（１）及び第２のヘッド素子
（２）は、基板（３）上に形成される薄膜磁性コア
（４）及び薄膜磁性コア（５）と、これと磁気的に接続
して閉磁路を構成する補助磁性薄膜（６），（７）及び
補助磁性薄膜（８），（９）とから構成されている。

上記基板（３）には、チタン酸カリウム，チタン酸バ
リウム，アルミナチタンカーバイト等の非磁性材料が使
用可能である。

上記薄膜磁性コア（４），（５）、補助磁性薄膜
（６），（７），（８），（９）には、高い飽和磁束密
度を有し且つ軟磁気特性に優れた強磁性材料が使用され
るが、かかる強磁性材料としては従来から公知のものが
いずれも使用でき、結晶質，非結晶質を問わない。例示
するならば、純鉄，窒化鉄,Fe−Al−Si系合金、Fe−Ni
系合金、Fe−Al系合金、Fe−Si−Co系合金、Fe−Al−Ge
系合金、Fe−Ga−Ge系合金、Fe−Si−Ge系合金、Fe−Co
−Si−Al系合金等の強磁性金属材料、あるいは、Fe−Ga
−Si系合金、さらには上記Fe−Ga−Si系合金の耐蝕性や
耐摩耗性の一層の向上を図るために、Fe,Ga,Co（Feの一
部をCoで置換したものを含む。）,Siを基本組成とする
合金に、Ti,Cr,Mn,Zr,Nb,Mo,Ta,W,Ru,Os,Rh,Ir,Re,Ni,P
b,Pt,Hf,Vの少なくとも一種を添加したものであっても
よい。

また、強磁性非晶質合金、いわゆるアモルファス合金
（例えば、Fe,Ni,Coの一つ以上の元素とP,C,B,Siの一つ
以上の元素とからなる合金、またはこれを主成分としA
l,Ge,Be,Sn,In,Mo,W,Ti,Mn,Cr,Zr,Hf,Nb等を含んだ合金
等のメタル−メタロイド系アモルファス合金、あるいは
Co,Hf,Zr等の遷移元素や希土類元素等を主成分とするメ
タル−メタル系アモルファス合金）等も使用される。

特に、上記薄膜磁性コア（４），（５）には、磁気記
録媒体との摺接による摩耗を防止する上から硬度が高
く、しかも高飽和磁束密度を有することが要求される。
かかる条件を満たすには、例えば、硬度の高い材料から
なる膜と高飽和磁束密度を有する膜とを短周期で交互に
積層することが考えられる。上記硬度の高い材料として
は、例えばダイヤモンド,Al₂O₃,SiO₂,SiN,Si₃N₄,ZrO₂,T
a₂O₅,Mn−Znフェライト,Ni−Znフェライト等が挙げられ
る。一方、高飽和磁束密度を有する膜としては、先に挙
げた強磁性材料からなる膜が使用可能である。上記高硬
度膜と強磁性材料からなる膜の膜厚としては、例えば、
高硬度膜が５〜100Åで強磁性材料からなる膜が10〜100
0Åであることが望ましい。このように、高硬度膜と強
磁性材料からなる膜とを交互に積層することにより、磁
気記録媒体との摺接による摩耗を減少することができ、
しかも高飽和磁束密度も十分確保できる。

上記薄膜磁性コア（４），（５）、補助磁性薄膜
（６），（７），（８），（９）の成膜方法としては、
真空蒸着法，スパッタリング法，イオンプレーティング
法等に代表される膜厚制御性に優れる真空薄膜形成技術
が採用される。

前記第１のヘッド素子（１）においては、前記基板
（３）の平坦面（3b）上に薄膜磁性コア（４）が形成さ
れ、該薄膜磁性コア（４）の磁気ギャップg₁が磁気記録
媒体摺接面（3a）に臨むようになされている。この薄膜
磁性コア（４）は、膜厚が所定のトラック幅Twとなされ
た一対の磁性コア（4a），（4b）からなり、その一方の
磁性コア（4a）は磁気記録媒体摺動面（3a）からバック
ギャップ側に亘って形成され、他方の磁性コア（4b）は
磁気記録媒体摺動面（3a）からフロントギャップ近傍部
のみに形成されている。なお、これら一対の磁性コア
（4a），（4b）は、バックギャップ側で分断されてい
る。

また、上記一対の磁性コア（4a），（4b）の突合わせ
面は、前記基板（３）の平坦面（3b）に対して所定角度
（アジマス角）で傾斜されている。そして、この傾斜面
にギャップ膜（図示は省略する。）が成膜されて磁気記
録媒体摺動面（3a）に臨む所定のアジマス角となされた
磁気ギャップg₁が形成されている。

そして、上記薄膜磁性コア（４）上であって、前記フ
ロントギャップ側を除く当該薄膜磁性コア（４）のバッ
クギャップ側に対応する位置には、やはり膜厚がトラッ
ク幅となされた補助磁性薄膜（６）が積層されている。
上記補助磁性薄膜（６）は、一対の補助磁性薄膜（6
a），（6b）からなり、その一方の補助磁性薄膜（6a）
が先の磁気記録媒体摺動面（3a）からバックギャップ側
に亘って形成された一方の磁性コア（4a）上に積層さ
れ、他方の補助磁性薄膜（6b）はやはり先のフロントギ
ャップ近傍部のみに形成された他方の磁性コア（4b）上
に積層されえいる。この一対の補助磁性薄膜（6a），
（6b）は、フロントギャップ近傍部及びバックギャップ
側でそれぞれ分断されている。なお、上記補助磁性薄膜
（6a），（6b）は、それぞれ前記一対の磁性コア（4
a），（4b）の形状と略同形状となされ、しかも上記磁
性コア（4a），（4b）より若干小さく形成されている。

ここで、前記フロントギャップ側の薄膜磁性コア
（４）上であって前記補助磁性薄膜（６）に対応した位
置には、やはり膜厚がトラック幅Twとなされ非磁性膜
（13）が積層されている。もちろん、この非磁性膜（1
3）は、上記補助磁性薄膜（６）と第２のヘッド素子
（２）の薄膜磁性コア（５）が形成される部分以外のと
ころを埋める形で形成されている。なお、上記非磁性膜
（13）には、例えばSiO₂,Al₂O₃,Si₃N₄等の非磁性材料等
が使用される。

また、上記一方の補助磁性薄膜（6a）上であって、バ
ックギャップ側に対応する位置には、非磁性絶縁膜（図
示は省略する。）を介してスパイラル状となされた導体
コイル（10）が形成されている。そして、この導体コイ
ル（10）の巻き始めと巻き終わり部分に外部端子（10
a），（10b）が設けられている。さらに、この導体コイ
ル（10）上には、やはり上記非磁性絶縁膜と同様の非磁
性絶縁膜（図示は省略する。）が形成されている。これ
ら非磁性絶縁膜は、先の磁性コア（6a）と最上部に形成
される補助磁性薄膜（７）との絶縁をとるためのもので
あるため、その膜厚はトラック幅である必要はない。

また、上記最上部の非磁性絶縁膜上には、先の薄膜磁
性コア（４）と磁気的に接続される補助磁性薄膜（７）
が積層されている。すなわち、この補助磁性薄膜（７）
は、先の磁気記録媒体摺動面（3a）からバックギャップ
側に亘って形成された一方の補助磁性薄膜（6a）側から
前記フロントギャップ近傍部のみに形成された他方の補
助磁性薄膜（6b）上に掛け渡されるようにして積層され
た形となされている。そして、上記補助磁性薄膜（７）
のバックギャップ側の一部（7a）が先の一方の補助磁性
薄膜（6a）上に磁気的に接続され、またフロントギャッ
プ近傍部の補助磁性薄膜（７）の一部（7b）がやはり他
方の補助磁性薄膜（6b）上に磁気的に接続されている。
なお、これら補助磁性薄膜（７）と前記補助磁性薄膜
（6a），（6b）の接続部分には、少なくとも先の非磁性
絶縁膜が形成されていない。したがって、前記薄膜磁性
コア（４）、補助磁性薄膜（６）及び最上部に形成され
る補助磁性薄膜（７）が磁気的に接続されることにな
り、この結果これらによって閉磁路が構成される。

これに対し、第２のヘッド素子（２）においては、先
のヘッド素子（１）の薄膜磁性コア（４）、一対の補助
磁性薄膜（6a），（6b）からなる補助磁性薄膜（６）、
最上部に形成される補助磁性薄膜（７）と対応する位置
に、それぞれ一対の補助磁性薄膜（8a），（8b）からな
る補助磁性薄膜（８）、磁気ギャップg₂を有する薄膜磁
性コア（５）、最上部に形成される補助磁性薄膜（９）
が対応し、前記薄膜磁性コア（５）が補助磁性薄膜
（８）と最上部の補助磁性薄膜（９）とによって挟み込
まれた構造となされている。

すなわち、前記基板（３）の平坦面（3b）上には、膜
厚がトラック幅Twとなされた一対の補助磁性薄膜（8
a），（8b）からなる補助磁性薄膜（８）が形成されて
いる。この補助磁性薄膜（８）は、フロントギャップ側
を除くバックギャップ側に形成され、そのうちの先のヘ
ッド素子（１）に隣接する一方補助磁性薄膜（8a）はフ
ロントギャップ近傍部からバックギャップ側に亘って形
成されている。これに対して、他方の補助磁性薄膜（8
b）はフロントギャップ近傍部のみに形成されている。
また、これら補助磁性薄膜（8a），（8b）は、フロンド
ギャップ近傍部及びバックギャップ側でそれぞれ分断さ
れている。

ここで、上記補助磁性薄膜（８）に対応する前記フロ
ントギャップ側の基板（３）の平坦面（3a）上には、や
はりトラック幅Twとなされた非磁性材料からなる非磁性
膜（12）が形成されている。なお、この非磁性膜（12）
はフロントギャップ側のみならず、先の第１のヘッド素
子（１）の薄膜磁性コア（４）と前記補助磁性薄膜
（８）が形成される部分以外のところを埋める形で形成
されている。

そして、上記補助磁性薄膜（８）上に前記薄膜磁性コ
ア（５）が積層され、該薄膜磁性コア（５）の磁気ギャ
ップg₂が前記磁気記録媒体摺動面（3a）に臨むようにな
されている。上記薄膜磁性コア（５）は、やはり膜厚が
トラック幅Twとなされた一対の磁性コア（5a），（5b）
から構成されている。これらのうち、第１のヘッド素子
（１）に隣接する一方の磁性コア（5a）は、磁気記録媒
体摺動面（3a）からバックギャップ側に亘って形成され
ている。特に、上記磁性コア（5a）のうちフロントギャ
ップ側の部分は、上記補助磁性薄膜（8a）上に積層され
るのではなく、前記フロントギャップ側に形成された非
磁性膜（12）上に積層されている。これに対して他方の
磁性コア（5b）は、前記磁気記録媒体摺動面（3a）から
フロントギャップ近傍部のみに形成されている。そして
この磁性コア（5b）のうち磁気記録媒体摺動面（3a）側
の部分もやはり同様、上記補助磁性薄膜（8b）上に積層
されるのではなく、前記フロントギャップ側に形成され
た非磁性膜（12）上に積層された形となっている。な
お、これら磁性コア（8a），（8b）は、バックギャップ
側で分離されている。

また、上記一対の磁性コア（5a），（5b）の突合わせ
面は、第１のヘッド素子（１）の薄膜磁性コア（４）の
傾斜面とは逆向きとなされ、やはり所定の角度（アジマ
ス角）で形成されている。そして、この傾斜面にギャッ
プ膜（図示は省略する。）が成膜されて磁気記録媒体摺
動面（3a）に臨む所定のアジマス角となされた磁気ギャ
ップg₂が形成されている。この結果、上記薄膜磁性コア
（５）の磁気ギャップg₂と先の薄膜磁性コア（４）の磁
気ギャップg₁とは逆アジマスをとる形となる。

そして、上記薄膜磁性コア（５）上であって、バック
ギャップ側に対応する位置には、非磁性絶縁膜（図示は
省略する。）を介してスパイラル状となされた導体コイ
ル（11）が形成されている。そして、この導体コイル
（11）の巻き始めと巻き終わり部分に外部端子（11
a），（11b）が設けられている。さらに、この導体コイ
ル（11）上には、やはり上記非磁性絶縁膜と同様の非磁
性絶縁膜（図示は省略する。）が形成されている。これ
ら非磁性絶縁膜は、やはり先の磁性コア（8a）と最上部
に形成される補助磁性薄膜（９）との絶縁をとるための
ものであるため、その膜厚はトラック幅である必要はな
い。

また、上記最上部の非磁性絶縁膜上には、先の薄膜磁
性コア（５）と磁気的に接続される補助磁性薄膜（９）
が積層されている。すなわち、この補助磁性薄膜（９）
は、先の磁気記録媒体衝動面（3a）からバックギャップ
側に亘って形成された一方の磁性コア（5a）から前記フ
ロントギャップ近傍部のみに形成された他方の磁性コア
（5b）上に掛け渡されるようにして積層された形となさ
れている。そして、上記補助磁性薄膜（９）のバックギ
ャップ側の一部（9a）が先の一方の磁性コア（5a）上に
磁気的に接続され、さらにフロントギャップ側の補助磁
性薄膜（９）の一部（9b）も他方のコア（5b）上に磁気
的に接続されている。なお、これら補助磁性薄膜（９）
と前記磁性コア（5a），（5b）の接続部分には、少なく
とも先の非磁性絶縁膜が形成されていない。したがっ
て、前記補助磁性薄膜（８）、上記薄膜磁性コア（５）
及び最上部に形成される補助磁性薄膜（９）が磁気的に
接続されることになり、この結果これらによって閉磁路
が構成される。

このように形成された第１のヘッド素子（１）及び第
２のヘッド素子（２）によれば、同一基板（３）上に所
定間隔をもって形成されるそれぞれの薄膜磁性コア
（４）及び薄膜磁性コア（５）がフロントギャップ側で
は非磁性膜（12）を介して積層され、バックギャップ側
では補助磁性薄膜（６），（７）及び補助磁性薄膜
（８），（９）を介し４て積層され、しかもこれら薄膜
磁性コア（４）及び薄膜磁性コア（５）の磁性ギャップ
g₁及び磁気ギャップg₂が積層方向にずらして形成されて
いるので、当該積層方向にマルチトラックが形成され
る。

また、本実施例の磁気ヘッドによれば、いずれも膜厚
がトラック幅Twとなされた薄膜磁性コア（４），
（５）、補助磁性薄膜（６），（７），（８），
（９）、非磁性膜（12），（13）よりなる層の積層体に
より構成されるものであるから、各薄膜磁性コア（４）
及び薄膜磁性コア（５）を各層毎に精度よくずらして配
置すれば、前記磁気ギャップg₁及び磁気ギャップg₂は高
精度にトラック位置合わせ及びギャップ間隔調整され
る。

さらに、上記磁気ヘッドにおいては、フロントギャッ
プ側の積層体の膜厚がいずれもがトラック幅Twとなされ
ているので、これらの各層の膜厚を制御してさらに薄く
すれば、容易に狭トラック化が達成される。

次に、上記磁気ヘッドの製造方法について図面を参照
しながら説明する。なお、この製造方法の説明において
もやはりその製造工程をより明確なものとするために、
積層方向に２トラックとした磁気ヘッドとして説明す
る。

上記磁気ヘッドを作製するには、先ず、第２図に示す
ように、チタン酸カリウム等からなる基板（３）の平坦
面（3b）上に強磁性材料をスパッタリングした後、第１
の薄膜磁性コアとなる一方の磁性コア（4b）をイオンミ
ーリングによって所定形状に形成する。

すなわち、上記磁性コア（4b）を前記基板（３）の一
端面である磁気記録媒体摺動面（3a）からフロントギャ
ップ近傍部のみに形成するとともに、他方の磁性コアと
の突合わせ面となる該磁性コア（4b）の側面（4c）を所
望のアジマス角となるように規制する。

なお、強磁性材料をスパッタリングする際に、当該強
磁性材料の磁気異方性方向をコア幅方向と形成すれば、
磁気ギャップ付近の磁壁の発生を防止することができ、
バルクハウゼンノイズを低減できる。さらには、実効ト
ラック幅の減少もない。また、上記バルクハウゼンノイ
ズの発生は、狭トラック化した場合であっても、コア幅
が膜厚に対して十分広いので生ずる虞れはない。

また、上記イオンミーリングの際に、上記磁性コア
（4b）を除いた前記基板（３）の平坦面（3b）を後述の
ギャップ膜（14）の膜厚ｌ分だけ余分にエッチングして
おく。

次に、第３図に示すように、磁気ギャップ長を規制す
るための所定の膜厚ｌとしたSiO₂等からなるギャップ膜
（14）を上記磁性コア（4b）を含めた前記基板（３）の
上に形成する。

この結果、上記ギャップ膜（14）の上面（14a）と前
記基板（３）の平坦面（3b）とが同じレベルとなる。し
たがって、次工程において上記ギャップ膜（14）上に他
方の磁性コア（4a）を形成したときに、これら一対の磁
性コア（4a），（4b）の突合わせ面に形成される磁気ギ
ャップの正確なトラック幅が規制される。なお、上記基
板（３）の平坦面（3b）上に直接ギャップ膜（14）を形
成した場合には、ギャップずれが生じ、正確なトラック
幅を決定することはできない。

次に、第４図に示すように、前記一方の磁性コア（4
b）を覆って基板（３）全体に強磁性材料をスパッタリ
ングした後、エッチングを施して他方の磁性コア（4a）
を形成する。

すなわち、エッチングによって上記磁性コア（4a）を
前記基板（３）の磁気記録媒体摺動面（3a）からバック
ギャップ側に亘って形成する。なお、上記磁性コア（4
a）は、先の一方の磁性コア（4b）とはバックギャップ
側で分断させる。

この結果、これら一対の磁性コア（4a），（4b）によ
って磁気記録媒体摺動面（3a）に臨む磁気ギャップg₁を
有する第１の薄膜磁性コア（４）が形成される。

またこのエッチングの際に、他方の薄膜磁性コア、す
なわち第２の薄膜性コアのバックギャップ側に対応する
位置に一対の補助磁性薄膜（8a），（8b）からなる補助
磁性薄膜（８）を所定形状に形成する。

すなわち、上記補助磁性薄膜（８）をフロントギャッ
プ側を除くバックギャップ側に形成し、且つそのうちの
先の第１の薄膜磁性コア（４）を構成する他方の磁性コ
ア（4a）に隣接する一方の磁性コア（8a）をフロントギ
ャップ近傍部からバックギャップ側に亘って形成し、他
方の磁性コア（8b）をフロントギャップ近傍部のみに形
成する。なお、この状態では上記一対の磁性コア（8
a），（8b）はフロントギャップ近傍部及びバックギャ
ップ側でそれぞれ接続されておらず、この結果磁気的に
接続が図られていない。

次に、第５図に示すように、上記補助磁性薄膜（８）
と前記磁気記録媒体摺動面（3a）との間のフロントギャ
ップ側を含めた他の部分、すなわち前記一対の磁性コア
（4a），（4b）及び補助磁性薄膜（８）上に非磁性膜
（12）を積層する。

次に、第６図に示すように、前記第１の薄膜磁性コア
（４），補助磁性薄膜（８）及び非磁性膜（12）を研磨
加工等によって所定のトラック幅Twとなるように平坦化
する。

この結果、上記第１の薄膜磁性コア（４），補助磁性
薄膜（８）及び非磁性膜（12）のいずれの膜厚もトラッ
ク幅Twとなり、これらによる第１の層が形成される。

したがって、トラック幅Twは上記薄膜磁性コア（４）
の膜厚により規制されることになる。このため、従来の
ようにコア幅をトラック幅とするものとは異なり、正確
なトラック幅が得られる。

次に、第７図に示すように、所定の補助磁性薄膜、す
なわち本実施例では第１の薄膜磁性コア（４）に隣接し
て形成された補助磁性薄膜（８）上に先の第３図で示し
た工程と同様にして、強磁性材料をスパッタリングした
後、第２の薄膜磁性コアとなる一方の磁性コア（5b）を
イオンミーリングによって所定形状に形成する。

すなわち、上記磁性コア（5b）を前記磁気記録媒体摺
動面（3a）からフロントギャップ近傍部のみに形成し且
つ、他方の磁性コアとの突合わせ面となる磁性コア（5
b）の側面を所望のアジマス角となるように規制する。

また、上記イオンミーリングの際に、当該第２の薄膜
磁性コアが形成される位置に相当する前記非磁性膜（1
2）を後述するギャップ膜の膜厚分だけ余分にエッチン
グしておく。

次に、先の第４図で示した工程と同様にして、磁気ギ
ャップ長を規制するための所定の膜厚としたSiO₂等から
なるギャップ膜（図示は省略する。）を上記磁性コア
（5b）を含めた前記第１の薄膜磁性コア（４）等が形成
された平坦面上に形成する。

次に、やはり第４図で示した工程と同様にして、前記
一方の磁性コア（5b）を覆って前記平坦面上に強磁性材
料をスパッタリングした後、エッチングを施して他方の
磁性コア（5a）を形成する。

すなわち、エッチングによって上記磁性コア（5a）を
前記基板（３）の磁気記録媒体摺動面（3a）からバック
ギャップ側に亘って形成する。なお、上記磁性コア（5
a）は、先の一方の磁性コア（5b）とはバックギャップ
側で分断させる。

この結果、これら一対の磁性コア（5a），（5b）によ
って磁気記録媒体摺動面（3a）に臨む磁気ギャップg₂を
有する第２の磁性薄膜コア（５）が形成される。

またこのエッチングの際に、他方の薄膜磁性コア、す
なわち第１の薄膜磁性コア（４）のバックギャップ側に
対応する位置に一対の補助磁性薄膜（6a），（6b）から
なる補助磁性薄膜（６）を所定形状に形成する。

すなわち、上記補助磁性薄膜（６）をフロントギャッ
プ側を除くバックギャップ側に形成し、且つそのうちの
先の第２の薄膜磁性コア（５）を構成する一方の磁性コ
ア（5a）に隣接する一方の磁性コア（6a）をフロントギ
ャップ近傍部からバックギャップ側に亘って形成し、他
方の磁性コア（6b）をフロントギャップ近傍部のみに形
成する。なお、この状態では上記一対の磁性コア（6
a），（6b）はフロントギャップ近傍部及びバックギャ
ップ側でそれぞれ接続されておらず、この結果磁気的に
接続が図られていない。

次に、やはり先の第５図に示した工程と同様にして、
上記補助磁性薄膜（６）と前記磁気記録媒体摺動面（3
a）との間のフロントギャップ側を含めた他の部分、す
なわち前記一対の磁性コア（5a），（5b）及び補助磁性
薄膜（６）上に非磁性膜（13）を積層する。

次に、やはり先の第６図に示した工程と同様にして、
前記第２の薄膜磁性コア（５），補助磁性薄膜（６）及
び非磁性膜（13）を研磨加工等によって所定のトラック
幅Twとなるように平坦化する。

この結果、上記第２の薄膜磁性コア（５），補助磁性
薄膜（６）及び非磁性膜（13）のいずれの膜厚もトラッ
ク幅Twとなされ、これらにより第２の層が形成される。
したがって、この第２の薄膜磁性コア（６）において
も、先の第１の薄膜磁性コア（４）と同様、正確にトラ
ック幅が規制でき、バルクハウゼンノイズの発生もな
い。

次に、第８図に示すように、上記平坦化された平坦面
上のバックギャップ側にSiO₂等からなる非磁性絶縁膜
（15a）を積層する。そして、前記第１の薄膜磁性コア
（４）及び第２の薄膜磁性コア（５）のそれぞれバック
ギャップ側に対応する位置に、銅等の導電金属材料をス
パッタリングした後、エッチングしてスパイラル状の導
体コイル（10）及び導体コイル（11）をそれぞれ形成す
る。

本実施例では、上記第１の薄膜磁性コア（４）及び第
２の薄膜磁性コア（５）上の導体コイル（10）及び導体
コイル（11）を同時に形成することができるので、工程
数を減らすことができ、生産性の向上が図れる。

次に、上記導体コイル（10），（11）上にやはりSiO₂
等からなる非磁性絶縁膜（15b）を積層する。なお、こ
れら非磁性絶縁膜（15a），（15b）の膜厚は絶縁をとる
ためのものであるため、トラック幅とする必要はない。

次に、第９図に示すように、それぞれの導体コイル
（10），（11）上に形成された非磁性絶縁層（15b）上
に強磁性材料をスパッタリングして第１の薄膜磁性コア
（４）及び第２の薄膜磁性コア（５）とそれぞれ接続を
図る第３の層となる補助磁性薄膜（７）及び補助磁性薄
膜（９）を形成する。

すなわち、第１の薄膜磁性コア（４）と接続される補
助磁性薄膜（７）を当該第１の薄膜磁性コア（４）上に
積層されるバックギャップ側の一方の補助磁性薄膜（6
a）からフロントギャップ側の他方の補助磁性薄膜（6
b）に掛け渡すようにして積層し、この補助磁性薄膜
（７）のバックギャップ側の一部を一方の補助磁性薄膜
（6a）、フロントギャップ側の一部を他方の補助磁性薄
膜（6b）にそれぞれ磁気的に接続させる。

一方、第２の薄膜磁性コア（５）と接続される補助磁
性薄膜（９）を当該第２の薄膜磁性コア（５）のバック
ギャップ側の一方の磁性コア（5a）からフロントギャッ
プ側の他方の磁性コア（5b）に掛け渡すようにして積層
し、この補助磁性薄膜（９）のバックギャップ側の一部
を一方の磁性コア（5a）、フロンドギャップ側の一部を
他方の磁性コア（5b）にそれぞれ磁気的に接続させる。

この結果、前記第１の薄膜磁性コア（４），補助磁性
薄膜（６），（７）によって閉磁路が構成される。同様
に、前記第２の薄膜磁性コア（５），補助磁性薄膜
（８），（９）によって閉磁路が構成される。したがっ
て、前記基板（３）上には、各薄膜磁性コア（４）及び
薄膜磁性コア（５）の磁気ギャップg₁及び磁気ギャップ
g₂が積層方向にずれて配置されたガードバンドの無い２
トラック構造の磁気ヘッドが完成する。

このように、本実施例の磁気ヘッドの製造方法におい
ては、いずれもトラック幅となされた薄膜磁性コア，補
助磁性薄膜，非磁性膜よりなる層を順次積層してゆき、
該薄膜磁性コアを各層毎に精度よくずらして形成してい
るので、ギャップ間隔調整やトラック位置調整が高精度
に制御され、これらの調整の要らない磁気ヘッドが歩留
りよく製造される。

以上、本実施例では本発明にかかる磁気ヘッドの構造
及びその製造方法をより明確なものとするため積層方向
に２トラックした磁気ヘッドとして説明してきたが、も
ちろん上記トラック数は３トラック以上であっても本発
明を適用することができる。

例えば、第10図に示すように、積層方向に４トラック
とした磁気ヘッドを作製するには、次のようにして作製
すればよい。

なお、第10図は磁気記録媒体摺動面から見た正面図を
示すが、その構造をより明確なものとするために、ここ
では先の非磁性膜を省略してある。

先ず、基板（29）上の所定位置に磁気記録媒体摺動面
（29a）に磁気ギャップg₁を有する第１の薄膜磁性コア
（30）を形成する。

そして、これと同時に他の薄膜磁性コア（33），（3
6），（39）のバックギャップ側に対応する位置にそれ
ぞれ補助磁性薄膜（34a），（37a），（40a）を積層す
るとともに、フロントギャップ側を含めた他の部分に非
磁性層（42a）を積層する。

次に、これら第１の薄膜磁性コア（30），補助磁性薄
膜（34a），（37a），（40a）及び非磁性層（42a）を所
定のトラック幅Twとなるように平坦化し、これらによる
第１の層を形成する。

この結果、上記第１の層には、第１のヘッドとなる第
１の薄膜磁性コア（30）を有することになる。

次に、所定の補助磁性薄膜（34a）に対応する位置に
第２の磁気ヘッドとなるやはり磁気記録媒体摺動面（29
a）に磁気ギャップg₂を有する第２の薄膜磁性コア（3
3）を積層形成する。

そして、これと同時に前記第１の薄膜磁性コア（30）
を含めた他の薄膜磁性コア（36），（39）のバックギャ
ップ側に対応する位置に補助磁性薄膜（31a），（37
b），（40b）を積層するとともに、フロントギャップ側
を含めた他の部分に非磁性層（42b）を積層する。

次に、これら第２の薄膜磁性コア（33），補助磁性薄
膜（31a），（37b），（40b），非磁性層（42b）を所定
のトラック幅Twとなるように平坦化し、これらによる第
２の層を形成する。

この結果、上記第２の層には、第２のヘッドとなる第
２の薄膜磁性コア（33）を有することになり、この第２
の薄膜磁性コア（33）は先の第１の薄膜磁性コア（30）
とずれて配置される。したがって、この状態では積層方
向に２トラック構造が形成されることになる。

次に、所定の補助磁性薄膜（37b）に対応する位置に
第３の磁気ヘッドとなるやはり磁気記録媒体摺動面（29
a）に磁気ギャップg₃を有する第３の薄膜磁性コア（3
6）を積層形成する。

そして、これと同時に前記第２の薄膜磁性コア（33）
を含めた他の薄膜磁性コア（30），（39）のバックギャ
ップ側に対応する位置に補助磁性薄膜（31b），（34
b），（40c）を積層するとともに、フロントギャップ側
を含めた他の部分に非磁性層（42c）を積層する。

次に、これら第３の薄膜磁性コア（36），補助磁性薄
膜（31b），（34b），（40c），非磁性層（42c）を所定
のトラック幅Twとなるように平坦化し、これらによる第
３の層を形成する。

この結果、上記第３の層には、第３のヘッドとなる第
３の薄膜磁性コア（36）を有することになり、この第３
の薄膜磁性コア（36）は先の第１の薄膜磁性コア（30）
及び第２の薄膜磁性コア（33）とはそれぞれずれて配置
される。したがって、この状態では積層方向に３トラッ
ク構造が形成されることになる。

次に、やはり所定の補助磁性薄膜（40c）に対応する
位置に第４の磁気ヘッドとなるやはり磁気記録媒体摺動
面（29a）に磁気ギャップg₄を有する第４の薄膜磁性コ
ア（39）を積層する。

そして、これと同時に前記第３の薄膜磁性コア（36）
を含めた他の薄膜磁性コア（30），（33）のバックギャ
ップ側に対応する位置に補助磁性薄膜（31c），（34
c），（37c）を積層するとともに、フロントギャップ側
を含めた他の部分に非磁性層（42d）を積層する。

次に、これら第４の薄膜磁性コア（39），補助磁性薄
膜（31c），（34c），（37c），非磁性層（42d）を所定
のトラック幅Twとなるように平坦化し、これらによる第
４の層を形成する。

この結果、上記第４の層には、第４のヘッドとなる第
４の薄膜磁性コア（39）を有することになり、この第４
の薄膜磁性コア（39）は先の第１の薄膜磁性コア（3
0），第２の薄膜磁性コア（33）及び第３の薄膜磁性コ
ア（36）とはそれぞれずれて配置される。したがって、
この状態では積層方向に４トラック構造が形成されるこ
とになる。

次に、この第４の層の平坦面上に非磁性絶縁層（43
a）を積層した後、各ヘッド素子に対応する位置にそれ
ぞれ導体コイル（32），（35），（38），（41）を同時
に形成し、さらにこの上に同様の非磁性絶縁層（43b）
を積層する。

そして、上記各導体コイル（32），（35），（38），
（41）上に先の薄膜磁性コア（30），（33），（36），
（39）とそれぞれ磁気的に接続を図るための補助磁性薄
膜（31d），（34d），（37d），（40d）を同時に積層形
成する。

この結果、第１の薄膜磁性コア（30），補助磁性薄膜
（31a），（31b），（31c），（31d）によって閉磁路が
構成される第１のヘッド素子が形成される。さらに、こ
の第１のヘッド素子の隣に第２の薄膜磁性コア（33），
補助磁性薄膜（34a），（34b），（34c），（34d）によ
って閉磁路が構成される第２のヘッド素子が形成され
る。以下同様に、第３の薄膜磁性コア（36），補助磁性
薄膜（37a），（37b），（37c），（37d）によって閉磁
路が構成される第３のヘッド素子、第４の薄膜磁性コア
（39），補助磁性薄膜（40a），（40b），（40c），（4
0d）によって閉磁路が構成される第４のヘッド素子が形
成される。

したがって、前記基板（29）上には、高精度にギャッ
プ間隔調整及びトラック位置調整された各層の薄膜磁性
コア（30），（33），（36），（39）の磁気ギャップ
g₁,g₂,g₃,g₄がそれぞれ積層方向にずれて配置され、当
該積層方向にガードバンドの無い４トラック構造のマル
チトラック磁気ヘッドが完成する。

以上述べてきた実施例においては、薄膜磁性コア，補
助磁性薄膜，非磁性膜のいずれの膜厚をもトラック幅と
しているが、例えばこれらの膜厚の全てをトラック幅と
するのではなく、上記非磁性層の膜厚のみをトラック幅
とするようにしてもよい。

すなわち、その構造を第11図（ａ）ないし第11図
（ｇ）の製造工程に基づいて説明する。

なお、上記第11図（ａ）ないし第11図（ｇ）は、磁気
記録媒体摺動面から見た正面図を示すが、その構造をよ
り明確なものとするために先の補助磁性薄膜は省略して
ある。

先ず、第11図（ａ）で示すように、基板（16）の平坦
面（16a）上に第１の薄膜磁性コアとなる一方の磁性コ
ア（17b）を所定形状に形成する。

このとき他方の磁性コアとの突合わせ面となる該磁性
コア（17b）の側面（17c）を所望のアジマス角となるよ
うにイオンミーリングによって規制する。

次に、第11図（ｂ）で示すように、上記磁性コア（17
b）の側面（17c）部のみにギャップ膜（図示は省略す
る。）を成膜した後、前記平坦面（16a）全体に亘って
強磁性材料をスパッタリングする。

次いで、エッチングを施して他方の磁性コア（17a）
形成すると同時に、他方の薄膜磁性コア、すなわち第２
の薄膜磁性コアのバックギャップ側に対応する位置に補
助磁性薄膜（図示は省略する。）を所定形状に形成す
る。

次に、第11図（ｃ）で示すように、上記一対の磁性コ
ア（17a），（17b）及び上記補助磁性薄膜上にSiO₂やAl
₂O₃等を積層して非磁性層（18）を形成した後、さらに
この上にTi等よりなる膜を終点検出膜（19）として積層
する。

このとき、上記非磁性層（18）と終点検出膜（19）と
を合わせた膜厚は、先の磁性コア（17a），（17b）の膜
厚より小で、しかもトラック幅Twとなるように形成す
る。

なお、上記終点検出膜（19）は後のエッチング工程で
エッチング終了を知らせる役目をするものであるから、
本実施例ではエッチングをストップさせるTi膜を採用し
た。また、このTi膜に限らず例えば、上記非磁性層（1
8）とは反射率の異なる非磁性材料等を用いてもよい。

次に、第11図（ｄ）で示すように、上記終点検出膜
（19）上にやはり先の非磁性層（18）と同様、SiO₂やAl
₂O₃等からなる非磁性層（20）を積層してこれら非磁性
層（18），終点検出膜（19），非磁性層（20）の積層体
たる非磁性中間膜（21）を形成する。

次に、第11図（ｅ）で示すように、上記非磁性中間膜
（21）を前記一対の磁性コア（17a），（17b）の膜厚と
略一致する位置まで回転砥石等によって研磨し平坦化す
る。

この結果、上記研磨面には主として前記一対の磁性コ
ア（17a），（17b）と終点検出膜（19）上に積層される
非磁性層（20）とが露出する。

次に、第11図（ｆ）に示すように、上記終点検出膜
（19）上に残存した非磁性層（20）を反応性イオンエッ
チングによって除去し平坦化する。

上記エッチングにおいては、終点検出膜（19）でエッ
チングがストップするため、必要以上のエッチングが防
止される。もちろん、上記終点検出膜（19）に前記非磁
性層（18）とは反射率の異なる材料を用いた場合には、
当然終点検出膜（19）が露出したところでエッチングを
終了すればよい。

この結果、前記基板（16）の平坦面（16a）上には、
磁気記録媒体摺動面に磁気ギャップg₁を有する一対の磁
性コア（17a），（17b）からなる第１の薄膜磁性コア
（17）と、トラック幅Twとなされた平坦面（19a）を有
する非磁性層（18）と終点検出膜（19）との積層体が形
成される。

次に、第11図（ｇ）に示すように、上記終点検出膜
（19）の平坦面（19a）上に前述の工程を順次繰り返
し、先の磁気ギャップg₁のアジマス角とは逆アジマス角
をとるやはり磁気記録媒体摺動面に磁気ギャップg₂を有
する一対の磁性コア（22a），（22b）からなる第２の薄
膜磁性コア（22）と、やはりトラック幅Twとなされた非
磁性層（23）と終点検出膜（24）との積層体を形成す
る。なお、例えば２トラックヘッドの場合には、終点検
出膜（24）を研磨の終点検出に用いることもできる。つ
まり、非磁性層（23）と終点検出膜（24）との積層膜厚
は薄膜磁性コア（22）の膜厚と一致する。このときの膜
厚T₂は必要なトラック幅Twより大きめにしておく。３ト
ラックヘッド以上の場合にも最上層のヘッドを形成する
場合には同様とすることができる。

この結果、前記基板（16）上には、互いに逆アジマス
をとる形で積層方向に磁気ギャップg₁,g₂がずれて配置
されたマルチトラック構造が形成される。

このような構成とした磁気ヘッド（もちろん以下の工
程を経て形成される。）では、磁気記録媒体上に記録を
行った場合、上記第１の薄膜磁性コア（17）の膜厚T₁及
び第２の薄膜磁性コア（22）の膜厚T₂で実際に記録され
るものの、記録フォーマット上で見た場合には、見かけ
上Twなる前記非磁性層（18）と終点検出膜（19）の積層
体の膜厚で記録されることになる。すなわち、これら薄
膜磁性コア（17）及び薄膜磁性コア（22）の間に介在す
る非磁性層（18）と終点検出膜（19）との積層体の膜厚
によって媒体上の記録トラック幅が決定される。

したがって、膜厚制御性に優れる真空薄膜形成技術及
びエッチングによって高精度に膜厚制御された上記非磁
性層（18）と終点検出膜（19）の積層体をトラック幅と
しているので、同一基板（16）上に複数の薄膜磁性コア
を形成した場合でも、媒体上の記録トラック幅を正確に
制御することができる。また、この磁気ヘッドによれ
ば、ヘッド間でのバラツキを低減することができ、また
歩留りの向上が期待でき、しかもヘッド間での互換性が
取れる。

なお、これら第１の薄膜磁性コア（17）及び第２の薄
膜磁性コア（22）により記録される領域は、上記非磁性
層（18）と終点検出膜（19）との積層体の膜厚Twがこれ
ら第１の薄膜磁性コア（17）及び第２の薄膜磁性コア
（22）の膜厚T₁及び膜厚T₂より小さいため、その一部が
重なるが、その領域は例えば薄膜磁性コア（17）からな
るヘッドを先行ヘッドとした場合、薄膜磁性コア（22）
からなる後行ヘッドによりオーバライトされるため、記
録情報に何ら影響しない。また、再生時にも上記各磁気
ギャップg₁,g₂が互いに逆アジマスとなされているので
やはり影響がない。

また、本実施例ではいずれも導体コイルをスパイラル
状に形成しているが、例えば、上記導体コイルは薄膜磁
性コア、補助磁性薄膜を巻き込むようにヘリカル状に巻
回してもよい。

なお、ここでは上記導体コイルの巻回構造をより明確
なものとするため、単層膜よりなる薄膜磁性コアに導体
コイルをヘリカル状に巻回したものについて説明する
が、先の実施例の如く多層構造を有するものでも同様で
ある。

上記薄膜磁性コア（25）に導体コイルをヘリカル状に
巻回するには、先ず、第12図に示すように、前記一対の
磁性コア（25a），磁性コア（25b）のフロントギャップ
部とバックギャップ部との接続部である脚部（25c），
（25d）と対応する基板（26）上の所定位置に所定幅と
した複数の導体コイル（27a），（27b），（27c）及び
導体コイル（28a）を形成する。

次に、これら導体コイル上に閉磁路を構成する前記一
対の磁性コア（25a），（25b）よりなる薄膜磁性コア
（25）を形成する。

そして、先の導体コイル（27a），（27b），（27c）
及び導体コイル（28a）と電気的に接続させるための導
体コイル（27d），（27e）及び導体コイル（28b），（2
8c）を上記薄膜磁性コア（25）上に積層して形成する。

すなわち、一方の磁性コア（25a）の下方に形成され
る導体コイル（27a）と導体コイル（27b）とを接続させ
る導体コイル（27d）を上記磁性コア（25a）上に積層
し、その端部にてこれらの接続を図る。これと同時に上
記導体コイル（27b）と導体コイル（27c）とを接続する
導体コイル（27e）をやはり上記磁性コア（25a）上に積
層してその端部にて接続を図る。同様にして、他方の磁
性コア（25b）の下方に形成される導体コイル（28a）と
接続を図る導体コイル（28b），（28c）を該磁性コア
（25b）上に積層して当該下方の導体コイル（28a）の両
端部にて接続を図る。

この結果、上記一方の磁性コア（25a）の脚部（25c）
には、前記導体コイル（27a），（27b），（27c），（2
7d），（27e）がヘリカル状に巻回される。また、他方
の磁性コア（25b）の脚部（25d）にも同様、前記導体コ
イル（28a），（28b），（28c）によってヘリカル状に
巻回される。

そして、これら各磁性コア（25a），（25b）に巻回さ
れた導体コイルを先の導体コイル（28b）と導体コイル
（27a）とを接続することによって電気的に接続を図
る。

このように導体コイルを薄膜磁性コア（25）にヘリカ
ル状に巻回すれば、スパイラル状に形成したときよりも
磁気記録媒体摺動面近傍部により多く導体コイルを巻回
することができる。したがって、再生効率の向上が図
れ、しかもアジマス角の異なるヘッド素子をより近接し
て配置することができ、実装密度の向上が達成される。

〔発明の効果〕

以上の説明からも明らかなように、本発明を適用した
磁気ヘッドによれば、高精度にギャップ間隔調整及びト
ラック位置調整がなされる。また、薄膜磁性コア，補助
磁性薄膜，非磁性膜の膜厚をさらに薄くして狭トラック
化を図った場合であっても、同様にギャップ間隔調整及
びトラック位置調整が高精度になされ、これらの調整を
後工程でする必要がない。

したがって、本発明の磁気ヘッドによれば、磁気記録
媒体上の記録トラック幅を正確に制御することができ、
ヘッド間での互換性も改善される。

一方、本発明の磁気ヘッドの製造方法によれば、いず
れも膜厚をトラック幅とした薄膜磁性コア，補助磁性薄
膜，非磁性膜よりなる層を順次積層してゆき、各層毎に
薄膜磁性コアの磁気ギャップを積層方向にずらして配置
させているので、高精度にギャップ間隔調整及びトラッ
ク位置調整された磁気ヘッドが歩留りよく製造できる。

したがって、生産性の向上が図れるとともに、製造コ
ストの低下も図れる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用した磁気ヘッドの一例を示す要部
拡大斜視図である。 第２図ないし第９図は本実施例の磁気ヘッドの製造工程
をそれぞれ示す要部拡大正面図であり、第２図は第１の
薄膜磁性コアとなる一方の磁性コア形成工程、第３はギ
ャップ膜成膜工程、第４図は第１の薄膜磁性コア及び第
２の薄膜磁性コアの補助磁性薄膜形成工程、第５図は非
磁性層形成工程、第６図は平坦化工程、第７図は第２の
薄膜磁性コア及び第１の薄膜磁性コアの補助磁性薄膜形
成工程、第８図は導体コイル形成工程、第９図は補助磁
性薄膜形成工程である。 第10図は４トラック構造とした磁気ヘッドの一構成例を
示す要部拡大正面図である。 第11図（ａ）ないし第11図（ｇ）は非磁性膜のみをトラ
ック幅とした磁気ヘッドの製造工程をそれぞれ示す要部
拡大正面図であり、第11図（ａ）は第１の薄膜磁性コア
となる一方の磁性コア形成工程、第11図（ｂ）は第１の
薄膜磁性コア形成工程、第11図（ｃ）は非磁性層及び終
点検出膜形成工程、第11図（ｄ）は非磁性中間膜形成工
程、第11図（ｅ）は平坦化工程、第11図（ｆ）はエッチ
ング工程、第11図（ｇ）は第２の薄膜磁性コア形成工程
である。 第12図は単層膜よりなる薄膜磁性コアに導体コイルをヘ
リカル状に巻回した磁気ヘッドの一構成例を示す要部拡
大斜視図である。 1,2……ヘッド素子 4,5,30,33,36,39……薄膜磁性コア 6,7,8,9,31a,31b,31c,31d……補助磁性薄膜 34a,34b,34c,34d,37a,37b,37c,37d,40a,40b,40c,40d,1
0,11,32,35,38,41……導体コイル g₁,g₂,g₃,g₄……磁気ギャップ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−172011（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−27510（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−296420（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−31013（ＪＰ，Ａ)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】磁気記録媒体摺動面に磁気ギャップを有す
   る複数の薄膜磁性コアがフロントギャップ側では非磁性
   膜を介しバックギャップ側では補助磁性薄膜を介して同
   一基板上に積層され、これら薄膜磁性コアと補助磁性薄
   膜とでそれぞれ閉磁路が構成されるとともに、 各薄膜磁性コアの磁気ギャップが積層方向にずらして配
   置されマルチトラック構造とされていることを特徴とす
   る磁気ヘッド。
2. 【請求項２】磁気記録媒体摺動面に磁気ギャップを有す
   る第１の薄膜磁性コアを形成する工程と、 他の薄膜磁性コアのバックギャップ側に対応する位置に
   補助磁性薄膜を形成するとともに、フロントギャップ側
   を含めた他の部分に非磁性膜を積層する工程と、 これら第１の薄膜磁性コア，補助磁性薄膜及び非磁性膜
   を所定のトラック幅となるように平坦化する工程と、 所定の補助磁性薄膜に対応する位置に第２の薄膜磁性コ
   アを積層形成する工程と、 前記第１の薄膜磁性コアを含めた他の薄膜磁性コアのバ
   ックギャップ側に対応する位置に補助磁性薄膜を積層す
   るとともに、フロントギャップ側を含めた他の部分に非
   磁性膜を積層する工程と、 これら第２の薄膜磁性コア，補助磁性薄膜及び非磁性膜
   を所定のトラック幅となるように平坦化する工程とを薄
   膜磁性コアの積層数に対応して繰り返し、 これら複数の薄膜磁性コアの磁気ギャップを積層方向で
   ずらして配置しマルチトラック構造を形成することを特
   徴とする磁気ヘッドの製造方法。