JPH06131627A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製法Info
- Publication number
- JPH06131627A JPH06131627A JP27696892A JP27696892A JPH06131627A JP H06131627 A JPH06131627 A JP H06131627A JP 27696892 A JP27696892 A JP 27696892A JP 27696892 A JP27696892 A JP 27696892A JP H06131627 A JPH06131627 A JP H06131627A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- core
- film
- plating
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気コア厚によらず高精度なトラック幅と高
精度なギャップ深さの規定および磁気特性の良い薄膜磁
気ヘッドをうる。 【構成】 非磁性基板上に設けられたメッキ下地８上の
電気的絶縁膜９上に磁性膜１０ａ、１０ｃ、１０ｅおよ
び非磁性膜１０ｂ、１０ｄを交互にスパッタ法およびイ
オンビームエッチング法で積層してコア１０を形成し、
前記メッキ下地８上に非磁性膜１１ａ、１１ｃ、１１ｅ
および磁性膜１１ｂ、１１ｄ、１１ｆを交互にメッキし
てコア１１を形成し、両コアを一端で接続し他端はギャ
ップ部３ａを介してリング状に形成したコアを有する薄
膜磁気ヘッドとその製法。磁性膜はトラック幅Ｔｗ方向
に積層される。
精度なギャップ深さの規定および磁気特性の良い薄膜磁
気ヘッドをうる。 【構成】 非磁性基板上に設けられたメッキ下地８上の
電気的絶縁膜９上に磁性膜１０ａ、１０ｃ、１０ｅおよ
び非磁性膜１０ｂ、１０ｄを交互にスパッタ法およびイ
オンビームエッチング法で積層してコア１０を形成し、
前記メッキ下地８上に非磁性膜１１ａ、１１ｃ、１１ｅ
および磁性膜１１ｂ、１１ｄ、１１ｆを交互にメッキし
てコア１１を形成し、両コアを一端で接続し他端はギャ
ップ部３ａを介してリング状に形成したコアを有する薄
膜磁気ヘッドとその製法。磁性膜はトラック幅Ｔｗ方向
に積層される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＨＤＤ、ＶＴＲ、Ｆ
ＤＤなどに使用される薄膜磁気ヘッドおよびその製法に
関する。
ＤＤなどに使用される薄膜磁気ヘッドおよびその製法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図６はたとえば特開昭６１−１１０３２
０号公報に示された従来の薄膜磁気ヘッドを示す断面図
である。図６において、１は非磁性基板、２は下コア、
３はたとえばアルミナなどのギャップ材、３ａはギャッ
プ部、４は絶縁層、５はコイル、６は上コア、７は保護
層、Ｇｄはギャップ深さ、Ｋは磁気記録媒体に情報を記
録、再生する記録、再生面である。
０号公報に示された従来の薄膜磁気ヘッドを示す断面図
である。図６において、１は非磁性基板、２は下コア、
３はたとえばアルミナなどのギャップ材、３ａはギャッ
プ部、４は絶縁層、５はコイル、６は上コア、７は保護
層、Ｇｄはギャップ深さ、Ｋは磁気記録媒体に情報を記
録、再生する記録、再生面である。
【０００３】また、図７は上記従来の薄膜磁気ヘッドの
絶縁層４と保護層７を除いたものを示す平面図である。
Ｔｗはトラック幅である。下コア２と上コア６は１箇所
で接続されており、コイル５は下コア２と上コア６の接
続部の周りにスパイラル状に巻かれている。図６は図７
のＡ−Ａ線断面を示している。
絶縁層４と保護層７を除いたものを示す平面図である。
Ｔｗはトラック幅である。下コア２と上コア６は１箇所
で接続されており、コイル５は下コア２と上コア６の接
続部の周りにスパイラル状に巻かれている。図６は図７
のＡ−Ａ線断面を示している。
【０００４】また、図８は磁気記録媒体に記録するとき
の記録、再生面Ｋから見た前記従来の薄膜磁気ヘッドを
示す正面図である。
の記録、再生面Ｋから見た前記従来の薄膜磁気ヘッドを
示す正面図である。
【０００５】従来の薄膜磁気ヘッドは、前記のように構
成されており、記録はコイル５に流れる信号電流により
発生する磁束がコア２、６を流れ、ギャップ部３ａでの
漏れ磁束で磁気記録媒体にトラック幅で信号を記録す
る。また、再生は磁気記録媒体からの漏れ磁束をギャッ
プ部３ａで拾い、コア２、６を流れる磁束の変化を電磁
誘導によりコイル５に発生する電圧に変換する。
成されており、記録はコイル５に流れる信号電流により
発生する磁束がコア２、６を流れ、ギャップ部３ａでの
漏れ磁束で磁気記録媒体にトラック幅で信号を記録す
る。また、再生は磁気記録媒体からの漏れ磁束をギャッ
プ部３ａで拾い、コア２、６を流れる磁束の変化を電磁
誘導によりコイル５に発生する電圧に変換する。
【０００６】図９（ａ）はギャップ部３ａにおける、コ
ア２、６に流れる磁速を示す説明図であり、矢印が磁束
の流れ方向を示している。また、図９（ｂ）はギャップ
部３ａにおける、磁束密度とギャップ深さＧｄの関係を
示すグラフである。この薄膜磁気ヘッドのギャップの最
深部（Ｇｄ０）付近では、図９（ａ）の矢印で示すよう
におおむねギャップ深さ方向に磁路を有するので、ギャ
ップの最深部（Ｇｄ０）からギャップ先端部に向かうに
つれて磁束密度は低下していくことが分かる。
ア２、６に流れる磁速を示す説明図であり、矢印が磁束
の流れ方向を示している。また、図９（ｂ）はギャップ
部３ａにおける、磁束密度とギャップ深さＧｄの関係を
示すグラフである。この薄膜磁気ヘッドのギャップの最
深部（Ｇｄ０）付近では、図９（ａ）の矢印で示すよう
におおむねギャップ深さ方向に磁路を有するので、ギャ
ップの最深部（Ｇｄ０）からギャップ先端部に向かうに
つれて磁束密度は低下していくことが分かる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前記のような従来の薄
膜磁気ヘッドでは、磁気コアの厚さは一般に４μｍ以下
である。高記録密度化を実現するには、狭トラック幅の
加工を行う必要がある。しかし、狭トラック幅の磁気コ
アを高精度に形成することは容易ではない。
膜磁気ヘッドでは、磁気コアの厚さは一般に４μｍ以下
である。高記録密度化を実現するには、狭トラック幅の
加工を行う必要がある。しかし、狭トラック幅の磁気コ
アを高精度に形成することは容易ではない。
【０００８】とくに、従来の薄膜磁気ヘッドをＶＴＲ、
ＦＤＤに適用するばあい、磁気ヘッドと磁気記録媒体は
こすれあうので磁気ヘッドの摩耗が重大な課題となる。
磁気ヘッドの寿命を確保するために、ギャップ深さＧｄ
を１０μｍ以上にしても、良好な記録再生特性をうるた
めには磁気コアの厚さをギャップ深さＧｄ程度以上の厚
さにする必要がある。しかし、厚い磁気コアで狭トラッ
ク幅の加工を高精度に行うことは非常に困難であり、ま
た良好な磁気特性をうることも困難である。
ＦＤＤに適用するばあい、磁気ヘッドと磁気記録媒体は
こすれあうので磁気ヘッドの摩耗が重大な課題となる。
磁気ヘッドの寿命を確保するために、ギャップ深さＧｄ
を１０μｍ以上にしても、良好な記録再生特性をうるた
めには磁気コアの厚さをギャップ深さＧｄ程度以上の厚
さにする必要がある。しかし、厚い磁気コアで狭トラッ
ク幅の加工を高精度に行うことは非常に困難であり、ま
た良好な磁気特性をうることも困難である。
【０００９】本発明は、かかる問題点を解決するために
なされたもので、ギャップ深さを１０μｍ程度以上に大
きくしても、ギャップ先端部で充分な磁束密度がえら
れ、またギャップ研磨の管理が容易な薄膜磁気ヘッドを
うることを目的としている。
なされたもので、ギャップ深さを１０μｍ程度以上に大
きくしても、ギャップ先端部で充分な磁束密度がえら
れ、またギャップ研磨の管理が容易な薄膜磁気ヘッドを
うることを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、磁性膜、ギャップ部、コイル、絶縁層、および保護
層を備え、ギャップ部を介して磁性膜はリング状コアを
形成し、前記ギャップ部での漏れ磁束により磁気記録媒
体に信号を所定のトラック幅で記録、再生する薄膜磁気
ヘッドであって、前記磁性膜はトラック幅方向に積層さ
れておりコアの一部はスパッタ法およびイオンビームエ
ッチング法で、コアの他部はメッキ法で磁性膜と非磁性
膜との積層構造に形成されているものである。
は、磁性膜、ギャップ部、コイル、絶縁層、および保護
層を備え、ギャップ部を介して磁性膜はリング状コアを
形成し、前記ギャップ部での漏れ磁束により磁気記録媒
体に信号を所定のトラック幅で記録、再生する薄膜磁気
ヘッドであって、前記磁性膜はトラック幅方向に積層さ
れておりコアの一部はスパッタ法およびイオンビームエ
ッチング法で、コアの他部はメッキ法で磁性膜と非磁性
膜との積層構造に形成されているものである。
【００１１】本発明の薄膜磁気ヘッドはスパッタ法およ
びイオンビームエッチング法で形成した第１コア部と、
メッキ法で形成した第２コア部とを、コイル、絶縁層の
形成後、第３コアで接続しリング状コアにしたものが好
ましい。
びイオンビームエッチング法で形成した第１コア部と、
メッキ法で形成した第２コア部とを、コイル、絶縁層の
形成後、第３コアで接続しリング状コアにしたものが好
ましい。
【００１２】本発明の薄膜磁気ヘッドの製法は、基板上
にメッキ下地を設け、該メッキ下地上に電気的絶縁膜を
介してスパッタ法およびイオンビームエッチング法で磁
性膜と非磁性膜とを交互に積層して第１コアを形成し、
第２コアは前記メッキ下地上にメッキ法により非磁性膜
を設け、該非磁性膜上にメッキ法により磁性膜と非磁性
膜とを交互に積層してえられる。そののち第１コアと第
２コアとを接続する。
にメッキ下地を設け、該メッキ下地上に電気的絶縁膜を
介してスパッタ法およびイオンビームエッチング法で磁
性膜と非磁性膜とを交互に積層して第１コアを形成し、
第２コアは前記メッキ下地上にメッキ法により非磁性膜
を設け、該非磁性膜上にメッキ法により磁性膜と非磁性
膜とを交互に積層してえられる。そののち第１コアと第
２コアとを接続する。
【００１３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製法はメッキ下
地上に設けられた電気的絶縁膜およびコア材料がメッキ
下地材料と選択的にリアクティブイオンエッチングでき
る材料からなるものであることが好ましい。
地上に設けられた電気的絶縁膜およびコア材料がメッキ
下地材料と選択的にリアクティブイオンエッチングでき
る材料からなるものであることが好ましい。
【００１４】本発明のスパッタ法およびイオンビームエ
ッチング法で形成された第１コアとメッキ法で形成され
た第２コアとの接続は、第１コアの結合部分を斜めにエ
ッチングし、前記斜めにエッチングした面上に、メッキ
下地上にメッキで設けられた非磁性膜上から第２のメッ
キ下地を設けるか、または前記非磁性膜をメッキする以
前に、前記斜めにエッチングされた面の、前記非磁性膜
上にあとから設けられる磁性膜と接触する位置から設け
るのが好ましい。
ッチング法で形成された第１コアとメッキ法で形成され
た第２コアとの接続は、第１コアの結合部分を斜めにエ
ッチングし、前記斜めにエッチングした面上に、メッキ
下地上にメッキで設けられた非磁性膜上から第２のメッ
キ下地を設けるか、または前記非磁性膜をメッキする以
前に、前記斜めにエッチングされた面の、前記非磁性膜
上にあとから設けられる磁性膜と接触する位置から設け
るのが好ましい。
【００１５】
【作用】前記のように構成された薄膜磁気ヘッドでは、
磁気コアはトラック幅の方向に磁性膜と非磁性膜とが交
互に積層された構造となっており、トラック幅は磁性膜
および非磁性膜の膜厚および積層数で容易に規定でき
る。また、所定のトラック幅よりも大きなギャップ深さ
においても充分な記録磁界がえられる。さらにギャップ
深さＧｄはコアのパターン幅で規定されるので、ギャッ
プ研磨はコアが露出するまででよく、ギャップ研磨の管
理が容易にできる。
磁気コアはトラック幅の方向に磁性膜と非磁性膜とが交
互に積層された構造となっており、トラック幅は磁性膜
および非磁性膜の膜厚および積層数で容易に規定でき
る。また、所定のトラック幅よりも大きなギャップ深さ
においても充分な記録磁界がえられる。さらにギャップ
深さＧｄはコアのパターン幅で規定されるので、ギャッ
プ研磨はコアが露出するまででよく、ギャップ研磨の管
理が容易にできる。
【００１６】さらに、各コアは非磁性層を挟んで磁性層
が積層されているので、非磁性層を挟まずに単に磁性層
を積層したものにくらべて、渦電流の発生が小さくすぐ
れた高周波特性をうることができる。
が積層されているので、非磁性層を挟まずに単に磁性層
を積層したものにくらべて、渦電流の発生が小さくすぐ
れた高周波特性をうることができる。
【００１７】さらにコアの一部がスパッタ法により積層
されたものであり、他部がメッキ法によって積層された
ものなので、製造が容易である。
されたものであり、他部がメッキ法によって積層された
ものなので、製造が容易である。
【００１８】
【実施例】 ［実施例１］図１は、本発明の一実施例による薄膜磁気
ヘッドの絶縁層と保護層とを除いたものを示す平面図で
ある。１は基板、３ａはギャップ部、５はコイル、１０
は第１コア、１１は第２コアである。Ｇｄはギャップ深
さ、Ｋはヘッドの記録、再生面を示す。
ヘッドの絶縁層と保護層とを除いたものを示す平面図で
ある。１は基板、３ａはギャップ部、５はコイル、１０
は第１コア、１１は第２コアである。Ｇｄはギャップ深
さ、Ｋはヘッドの記録、再生面を示す。
【００１９】図２は、上記実施例の薄膜磁気ヘッドの記
録、再生面Ｋを示す正面図である。図２において、８は
メッキ下地、９は電気的絶縁膜である。１０ａ、１０
ｃ、１０ｅは磁性膜であり、１０ｂ、１０ｄは非磁性膜
である。これらの磁性膜および非磁性膜はいづれもスパ
ッタ法で成膜し、イオンビームエッチングで所定形状に
加工し第１コア１０を形成する。また、１１ｂ、１１
ｄ、１１ｆは磁性膜であり、１１ａ、１１ｃ、１１ｅは
メッキ可能な非磁性膜である。１１ａ〜１１ｆの磁性膜
および非磁性膜はいづれもメッキ法で成膜し、両者で第
２コア１１を形成する。非磁性膜１１ａの厚さは電気的
絶縁膜９の厚さと同一または後述するようにわずかに薄
くされる。第１コア１０と第２コア１１とは一箇所で接
続されており、ギャップ３ａを磁路中に含むリング状コ
アとなっている。
録、再生面Ｋを示す正面図である。図２において、８は
メッキ下地、９は電気的絶縁膜である。１０ａ、１０
ｃ、１０ｅは磁性膜であり、１０ｂ、１０ｄは非磁性膜
である。これらの磁性膜および非磁性膜はいづれもスパ
ッタ法で成膜し、イオンビームエッチングで所定形状に
加工し第１コア１０を形成する。また、１１ｂ、１１
ｄ、１１ｆは磁性膜であり、１１ａ、１１ｃ、１１ｅは
メッキ可能な非磁性膜である。１１ａ〜１１ｆの磁性膜
および非磁性膜はいづれもメッキ法で成膜し、両者で第
２コア１１を形成する。非磁性膜１１ａの厚さは電気的
絶縁膜９の厚さと同一または後述するようにわずかに薄
くされる。第１コア１０と第２コア１１とは一箇所で接
続されており、ギャップ３ａを磁路中に含むリング状コ
アとなっている。
【００２０】本実施例において、磁性膜と非磁性膜とは
同一平面上に、トラック幅の方向に積層されるので、所
定のトラック幅Ｔｗはスパッタ法およびメッキ法で成膜
される磁性膜および非磁性膜の膜厚ならびに積層数で規
定される。
同一平面上に、トラック幅の方向に積層されるので、所
定のトラック幅Ｔｗはスパッタ法およびメッキ法で成膜
される磁性膜および非磁性膜の膜厚ならびに積層数で規
定される。
【００２１】図３は本実施例の製造工程を説明するため
の断面説明図である。以下に図３を用いて図１の実施例
の薄膜磁気ヘッドの製造法を説明する。
の断面説明図である。以下に図３を用いて図１の実施例
の薄膜磁気ヘッドの製造法を説明する。
【００２２】基板１上にメッキ下地８をたとえばスパッ
タ法などの方法により設ける（図３（ａ））。メッキ下
地８の材料としてはたとえばパーマロイ、銅などが用い
られ厚さは０．１〜０．２μｍが好ましい。その上に電
気的絶縁膜９をたとえばスパッタ法などの方法により設
ける。該絶縁膜はたとえばＳｉＯｘなどからなるもの
で、厚さは約１〜２μｍが好ましい（図３（ｂ））。つ
ぎに前記電気的絶縁膜９上に磁性膜と非磁性膜とを交互
にスパッタ法で成膜し、磁性膜１０ａ、１０ｃ、１０
ｅ、非磁性膜１０ｂ、１０ｄをうる。磁性膜は、たとえ
ばＣｏＺｒＮｂなどからなる厚さ約５μｍ、非磁性膜は
たとえばＡｌ２Ｏ３などからなる厚さ約３０００Åかそ
れ以上のものである（図３（ｃ））。図には３層の磁性
膜を示したが３層にこだわるものではなく、これより多
くても、少なくても構わない。しかし各磁性膜および非
磁性膜の厚さには上限と下限があるので、磁性膜３層程
度の積層数が、トラック幅とのかね合いの上から最も好
ましい。
タ法などの方法により設ける（図３（ａ））。メッキ下
地８の材料としてはたとえばパーマロイ、銅などが用い
られ厚さは０．１〜０．２μｍが好ましい。その上に電
気的絶縁膜９をたとえばスパッタ法などの方法により設
ける。該絶縁膜はたとえばＳｉＯｘなどからなるもの
で、厚さは約１〜２μｍが好ましい（図３（ｂ））。つ
ぎに前記電気的絶縁膜９上に磁性膜と非磁性膜とを交互
にスパッタ法で成膜し、磁性膜１０ａ、１０ｃ、１０
ｅ、非磁性膜１０ｂ、１０ｄをうる。磁性膜は、たとえ
ばＣｏＺｒＮｂなどからなる厚さ約５μｍ、非磁性膜は
たとえばＡｌ２Ｏ３などからなる厚さ約３０００Åかそ
れ以上のものである（図３（ｃ））。図には３層の磁性
膜を示したが３層にこだわるものではなく、これより多
くても、少なくても構わない。しかし各磁性膜および非
磁性膜の厚さには上限と下限があるので、磁性膜３層程
度の積層数が、トラック幅とのかね合いの上から最も好
ましい。
【００２３】積層終了後、通常用いられる方法でレジス
ト塗布、写真製版、イオンビームエッチングして第１コ
ア１０を残す（図３（ｄ））。つぎに全面にたとえばア
ルミナなどのギャップ材３をスパッタし（図３
（ｅ））、そののち異方性エッチングをして所定のギャ
ップ３ａをうる（図３（ｆ））。つぎに図示していない
が、絶縁層、コイル、再び絶縁層をスパッタリング、マ
スキングおよびエッチングなどの方法で成膜する。絶縁
層に用いる材料はその成膜の方法によって変りうるが、
Ａｌ２Ｏ３、ＴａＯｘ、ＳｉＯｘ、などが用いられる。
つぎにメッキ下地８を露出させ、このメッキ下地８上に
非磁性膜と磁性膜とを交互に順次パターンメッキして、
非磁性膜１１ａ、１１ｃ、１１ｅ、磁性膜１１ｂ、１１
ｄ、１１ｆからなる第２コア１１をうる（図３
（ｇ））。このばあい非磁性膜１１ａはトラック幅を高
精度にうるために電気的絶縁膜９と同じ厚さにすること
が好ましいが、前記第１コア１０との接続方法によって
は電気的絶縁膜９よりわずかに薄くするばあいもある。
前記コア部１０との接続部についてはあとで述べる。つ
ぎに保護層７を成膜する（図３（ｈ））。
ト塗布、写真製版、イオンビームエッチングして第１コ
ア１０を残す（図３（ｄ））。つぎに全面にたとえばア
ルミナなどのギャップ材３をスパッタし（図３
（ｅ））、そののち異方性エッチングをして所定のギャ
ップ３ａをうる（図３（ｆ））。つぎに図示していない
が、絶縁層、コイル、再び絶縁層をスパッタリング、マ
スキングおよびエッチングなどの方法で成膜する。絶縁
層に用いる材料はその成膜の方法によって変りうるが、
Ａｌ２Ｏ３、ＴａＯｘ、ＳｉＯｘ、などが用いられる。
つぎにメッキ下地８を露出させ、このメッキ下地８上に
非磁性膜と磁性膜とを交互に順次パターンメッキして、
非磁性膜１１ａ、１１ｃ、１１ｅ、磁性膜１１ｂ、１１
ｄ、１１ｆからなる第２コア１１をうる（図３
（ｇ））。このばあい非磁性膜１１ａはトラック幅を高
精度にうるために電気的絶縁膜９と同じ厚さにすること
が好ましいが、前記第１コア１０との接続方法によって
は電気的絶縁膜９よりわずかに薄くするばあいもある。
前記コア部１０との接続部についてはあとで述べる。つ
ぎに保護層７を成膜する（図３（ｈ））。
【００２４】磁性膜１１ｂ、１１ｄ、１１ｆおよび非磁
性膜１１ｃ、１１ｅはそれぞれ対応する第１コアの磁性
層１０ａ、１０ｃ、１０ｅ、非磁性層１０ｂ、１０ｄと
同じ厚さにすることが好ましい。
性膜１１ｃ、１１ｅはそれぞれ対応する第１コアの磁性
層１０ａ、１０ｃ、１０ｅ、非磁性層１０ｂ、１０ｄと
同じ厚さにすることが好ましい。
【００２５】前記電気的絶縁膜９、ギャップ材３、第１
コア１０およびメッキ下地８はリアクティブエッチング
によって選択エッチングが可能なように前記のごとき材
料が用いられている。
コア１０およびメッキ下地８はリアクティブエッチング
によって選択エッチングが可能なように前記のごとき材
料が用いられている。
【００２６】図４は図１のＢ−Ｂ断面図であり、第１コ
ア１０と第２コア１１の接続部を示すものである。
ア１０と第２コア１１の接続部を示すものである。
【００２７】図４において第１のコア１０は第２のコア
１１と接続するところが斜めにエッチングされており、
さらに第２のメッキ下地１２が設けられている。該第２
のメッキ下地は磁性体、非磁性体を問わず、たとえばパ
ーマロイ、銅などが用いられる。図４においては第２の
メッキ下地１２は第１コア１０の端部から長さＨだけず
らし、磁性膜１１ｂと接触する位置から設けられてい
る。前記第２のメッキ下地１２を第１コア１０の端部か
らＨの長さだけずらすのは、非磁性膜１１ａと接触する
ことによる影響を除くためである。
１１と接続するところが斜めにエッチングされており、
さらに第２のメッキ下地１２が設けられている。該第２
のメッキ下地は磁性体、非磁性体を問わず、たとえばパ
ーマロイ、銅などが用いられる。図４においては第２の
メッキ下地１２は第１コア１０の端部から長さＨだけず
らし、磁性膜１１ｂと接触する位置から設けられてい
る。前記第２のメッキ下地１２を第１コア１０の端部か
らＨの長さだけずらすのは、非磁性膜１１ａと接触する
ことによる影響を除くためである。
【００２８】実施例１においては図４に示すごとく、第
２のメッキ下地１２が非磁性膜１１ａとは接触しない態
様を示したが、第２のメッキ下地１２を設ける前に非磁
性膜１１ａを設け、そののち該非磁性膜１１ａ上から前
記斜めにエッチングした接続部にかけて第２のメッキ下
地１２を設けてもよい。このときは非磁性膜１１ａの厚
さと第２のメッキ下地１２の厚さとの合計が前記電気的
絶縁膜９の厚さと同一になるようにする必要がある。
２のメッキ下地１２が非磁性膜１１ａとは接触しない態
様を示したが、第２のメッキ下地１２を設ける前に非磁
性膜１１ａを設け、そののち該非磁性膜１１ａ上から前
記斜めにエッチングした接続部にかけて第２のメッキ下
地１２を設けてもよい。このときは非磁性膜１１ａの厚
さと第２のメッキ下地１２の厚さとの合計が前記電気的
絶縁膜９の厚さと同一になるようにする必要がある。
【００２９】第１コアと第２コアとの接続部を斜めにエ
ッチングしたことによって、接続部での膜切れや磁気特
性の劣化を防止することができる。
ッチングしたことによって、接続部での膜切れや磁気特
性の劣化を防止することができる。
【００３０】第２コアとの接続部の第１コアの斜めエッ
チングは、レジストを製版ののち熱処理をしてレジスト
のエッジ部を所定の傾斜角になるまで流動せしめ、それ
をマスクとしてＩＢＥでエッチングを行なうことによっ
て可能である。
チングは、レジストを製版ののち熱処理をしてレジスト
のエッジ部を所定の傾斜角になるまで流動せしめ、それ
をマスクとしてＩＢＥでエッチングを行なうことによっ
て可能である。
【００３１】［実施例２］図５は、この発明の実施例２
として第１コア１０、第２コア１１にコイル５ａ、５
ｂ、絶縁層を形成したのち第３コア１３で第１および第
２コアを接続し、リング状コアにしたものである。前記
第３コアの構造およびその製法は第１または第２コアと
同様のものでもよいし、磁性体の単層の薄膜でもよい。
として第１コア１０、第２コア１１にコイル５ａ、５
ｂ、絶縁層を形成したのち第３コア１３で第１および第
２コアを接続し、リング状コアにしたものである。前記
第３コアの構造およびその製法は第１または第２コアと
同様のものでもよいし、磁性体の単層の薄膜でもよい。
【００３２】第１および第２コアと第３コアとの接続は
第３コアが第１または第２コアと同様のもののばあいは
前記実施例１に記載の第１および第２コアの接続方法と
同様にすることができる。また磁性体単層の薄膜のばあ
いも成膜する回数が異なるだけで基本的には同じ接続方
法が用いられうる。
第３コアが第１または第２コアと同様のもののばあいは
前記実施例１に記載の第１および第２コアの接続方法と
同様にすることができる。また磁性体単層の薄膜のばあ
いも成膜する回数が異なるだけで基本的には同じ接続方
法が用いられうる。
【００３３】実施例２の構造のものは実施例１に比較し
て、製造工程が簡単になりコイルをたくさん巻くことが
できる。
て、製造工程が簡単になりコイルをたくさん巻くことが
できる。
【００３４】
【発明の効果】以上のように、本発明の薄膜磁気ヘッド
は、トラック幅方向に磁性膜と非磁性膜の積層構造に形
成されているので、磁性膜の厚さと層数によって高精度
なトラック幅と高精度なギャップ深さの規定が可能であ
り、またコアを形成する磁性膜が非磁性膜と積層されて
いるので高周波特性にすぐれているという効果がある。
は、トラック幅方向に磁性膜と非磁性膜の積層構造に形
成されているので、磁性膜の厚さと層数によって高精度
なトラック幅と高精度なギャップ深さの規定が可能であ
り、またコアを形成する磁性膜が非磁性膜と積層されて
いるので高周波特性にすぐれているという効果がある。
【図１】この発明の実施例１による薄膜磁気ヘッドを示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】この発明の実施例１を示す正面図である。
【図３】この発明の実施例１の工程を説明する断面説明
図である。
図である。
【図４】この発明の実施例１の図１のＢ−Ｂ断面図であ
る。
る。
【図５】この発明の実施例２による薄膜磁気ヘッドを示
す平面図である。
す平面図である。
【図６】従来の薄膜磁気ヘッドを示す断面図である。
【図７】従来の薄膜磁気ヘッドを示す平面図である。
【図８】従来の薄膜磁気ヘッドを示す正面図である。
【図９】従来の薄膜磁気ヘッドのコアにおける磁束を示
す説明図である。
す説明図である。
３ａ ギャップ部 ５ コイル ７ 絶縁層 ８ メッキ下地 ９ 電気的絶縁膜 １０ 第１コア １１ 第２コア １０ａ 磁性膜 １０ｃ 磁性膜 １０ｅ 磁性膜 １１ｂ 磁性膜 １１ｄ 磁性膜 １１ｆ 磁性膜 １２ 第２のメッキ下地 １３ 第３コア
Claims (5)
- 【請求項１】 磁性膜、ギャップ部、コイル、絶縁層、
および保護層を備え、ギャップ部を介して磁性膜はリン
グ状コアを形成し、前記ギャップ部での漏れ磁束により
磁気記録媒体に信号を所定のトラック幅で記録、再生す
る薄膜磁気ヘッドであって、前記磁性膜はトラック幅方
向に積層されておりコアの一部はスパッタ法およびイオ
ンビームエッチング法で、コアの他部はメッキ法で磁性
膜と非磁性膜との積層構造に形成されていることを特徴
とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 スパッタ法およびイオンビームエッチン
グ法で形成した第１コアと、メッキ法で形成した第２コ
アとを、コイル、絶縁層の形成後、第３コアで接続しリ
ング状コアにすることを特徴とする請求項１記載の薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項３】 基板上にメッキ下地を設け、該メッキ下
地上に電気的絶縁膜を介してスパッタ法およびイオンビ
ームエッチング法で磁性膜と非磁性膜とを交互に積層し
て第１コアを形成し、第２コアを前記メッキ下地上にメ
ッキ法により非磁性膜を設け、該非磁性膜上にメッキ法
により磁性膜と非磁性膜とを交互に積層して形成し、つ
いで第１コアと第２コアとを接続することを特徴とする
薄膜磁気ヘッドの製法。 - 【請求項４】 メッキ下地上に設けられた電気的絶縁膜
がコア材料、メッキ下地材料およびギャップ材料と選択
的にリアクティブイオンエッチングできる材料からなる
ものである請求項３記載の薄膜磁気ヘッドの製法。 - 【請求項５】 請求項３におけるスパッタ法およびイオ
ンビームエッチング法で形成された第１コアとメッキ法
で形成された第２コアとの接続において、第１コアの接
続部分を斜めにエッチングし、前記斜めにエッチングし
た面上に、メッキ下地に設けられた非磁性膜上から第２
のメッキ下地を設けるか、または前記非磁性膜をメッキ
する以前に、前記斜めにエッチングした面の、前記非磁
性膜上にあとから設けられる磁性膜と接触する位置から
設けて、第１コアとを接続することを特徴とする請求項
３記載の薄膜磁気ヘッドの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27696892A JPH06131627A (ja) | 1992-10-15 | 1992-10-15 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27696892A JPH06131627A (ja) | 1992-10-15 | 1992-10-15 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06131627A true JPH06131627A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17576925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27696892A Pending JPH06131627A (ja) | 1992-10-15 | 1992-10-15 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06131627A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007525818A (ja) * | 2003-04-25 | 2007-09-06 | メトグラス・インコーポレーテッド | 非晶質金属形状を切断するための選択的エッチングプロセスおよびそれから作られた構成要素 |
-
1992
- 1992-10-15 JP JP27696892A patent/JPH06131627A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007525818A (ja) * | 2003-04-25 | 2007-09-06 | メトグラス・インコーポレーテッド | 非晶質金属形状を切断するための選択的エッチングプロセスおよびそれから作られた構成要素 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5995342A (en) | Thin film heads having solenoid coils | |
| KR100319035B1 (ko) | 박막자기헤드,기록재생분리형자기헤드,및이들을이용한자기기록재생장치 | |
| EP0463753B1 (en) | Magnetic pole configuration for high density thin film recording head | |
| US6195232B1 (en) | Low-noise toroidal thin film head with solenoidal coil | |
| US4516180A (en) | Thin film magnetic head | |
| JPH0922512A (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JP3394266B2 (ja) | 磁気書込／読取ヘッドの製造方法 | |
| JP2002343639A (ja) | 薄膜コイルおよび磁気ヘッドならびに薄膜コイルの製造方法および磁気ヘッドの製造方法 | |
| US7511928B2 (en) | Magnetic tunnel effect type magnetic head, and recorder/player | |
| KR100382865B1 (ko) | 기록헤드, 기록헤드의 제조방법, 복합헤드 및자기기록재생장치 | |
| JPH06131627A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製法 | |
| EP0585930A2 (en) | Thin film magnetic head | |
| JPH06195637A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| US20020039263A1 (en) | Magnetic head , and method of manufacturing same | |
| JP2003016608A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPS6247812A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS62164203A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS62205507A (ja) | 磁気ヘツド | |
| Sillen et al. | Design and technology of sensor-last thin film magnetic heads | |
| JPH07311917A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP3164050B2 (ja) | 磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法 | |
| JPS63138516A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH06203326A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPS62110612A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH027213A (ja) | 薄膜磁気ヘッド |