JPH0352124B2 - - Google Patents
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- JPH0352124B2 JPH0352124B2 JP59266674A JP26667484A JPH0352124B2 JP H0352124 B2 JPH0352124 B2 JP H0352124B2 JP 59266674 A JP59266674 A JP 59266674A JP 26667484 A JP26667484 A JP 26667484A JP H0352124 B2 JPH0352124 B2 JP H0352124B2
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はフロツピーデイスク装置、PCM録音
機、ビデオテープレコーダーなどの各種磁気記録
再生装置に利用できる薄膜磁気ヘツドの製造方法
に関するものである。
機、ビデオテープレコーダーなどの各種磁気記録
再生装置に利用できる薄膜磁気ヘツドの製造方法
に関するものである。
従来の技術
薄膜磁気ヘツドは半導体の製法である薄膜形成
技術や写真食刻技術を駆使し高精度な磁気ヘツド
を実現したものである。従来、磁気ヘツドはフエ
ライト、センダスト等の磁性材料を研削加工、ラ
ツピング等の機械加工によつてコアを製作し、こ
のコアに巻線を施して製作していた。そのため高
精度化、量生性に限界があり、近年は薄膜磁気ヘ
ツドに関心が集まり一部量産も始まつている。薄
膜磁気ヘツドは薄膜形成技術、写真食刻技術を用
いて製作するため磁気ヘツドの小型化、高精度化
が容易でありさらに磁芯が薄膜で形成されるた
め、 (1) 高周波での透磁率の劣化が少ない。
技術や写真食刻技術を駆使し高精度な磁気ヘツド
を実現したものである。従来、磁気ヘツドはフエ
ライト、センダスト等の磁性材料を研削加工、ラ
ツピング等の機械加工によつてコアを製作し、こ
のコアに巻線を施して製作していた。そのため高
精度化、量生性に限界があり、近年は薄膜磁気ヘ
ツドに関心が集まり一部量産も始まつている。薄
膜磁気ヘツドは薄膜形成技術、写真食刻技術を用
いて製作するため磁気ヘツドの小型化、高精度化
が容易でありさらに磁芯が薄膜で形成されるた
め、 (1) 高周波での透磁率の劣化が少ない。
(2) 記録に寄与するヘツド磁界が急峻であり高分
解能な記録ができる。
解能な記録ができる。
(3) マルチトラツクにした場合隣接トラツクとの
対向面積が非常に少ないので各ヘツド間のクロ
ストークがほとんど問題にならない。
対向面積が非常に少ないので各ヘツド間のクロ
ストークがほとんど問題にならない。
などの特徴がある。
以下に従来の薄膜磁気ヘツドの構成について第
１図および第２図に基いて説明する。磁芯となる
金属磁性薄膜１、巻線となる導電性薄膜２、導電
性薄膜２と金属磁性薄膜１の絶縁材およびギヤツ
プ材となる絶縁薄膜３、金属磁性薄膜１を記録媒
体４の摺動による摩耗から保護する保護絶縁薄膜
５をスパツタ、電着等の方法で付着し写真食刻に
て所定の形状に加工している。薄膜磁気ヘツドは
従来の磁気ヘツドに比べて面積的にも体積的にも
非常に微細化されており金属磁性薄膜１には磁束
飽和密度や透磁率の高い材料例えばFe−Ni合金、
Fe−Al−Si合金等の金属磁性材料が多く用いら
れる。導電性薄膜２は微細化を考慮して比抵抗の
小さいAg、Cu等の材料が用いられ、絶縁薄膜３
および保護絶縁薄膜５にはSiO2、Al2O3等が用い
られる。薄膜磁気ヘツドは記録媒体４の摺動によ
る摩耗を考慮して耐耗性材料の基板６上に薄膜を
形成しガラス、樹脂等の接着剤７によりカバー材
８を接着して構成される。
１図および第２図に基いて説明する。磁芯となる
金属磁性薄膜１、巻線となる導電性薄膜２、導電
性薄膜２と金属磁性薄膜１の絶縁材およびギヤツ
プ材となる絶縁薄膜３、金属磁性薄膜１を記録媒
体４の摺動による摩耗から保護する保護絶縁薄膜
５をスパツタ、電着等の方法で付着し写真食刻に
て所定の形状に加工している。薄膜磁気ヘツドは
従来の磁気ヘツドに比べて面積的にも体積的にも
非常に微細化されており金属磁性薄膜１には磁束
飽和密度や透磁率の高い材料例えばFe−Ni合金、
Fe−Al−Si合金等の金属磁性材料が多く用いら
れる。導電性薄膜２は微細化を考慮して比抵抗の
小さいAg、Cu等の材料が用いられ、絶縁薄膜３
および保護絶縁薄膜５にはSiO2、Al2O3等が用い
られる。薄膜磁気ヘツドは記録媒体４の摺動によ
る摩耗を考慮して耐耗性材料の基板６上に薄膜を
形成しガラス、樹脂等の接着剤７によりカバー材
８を接着して構成される。
発明が解決しようとする問題点
上記のような構成の薄膜磁気ヘツドの金属磁性
薄膜１にFe−Ni合金を用いるとスパツタ、電着
等に付着方法や写真食刻による形状加工が容易で
あり熱処理をしなくても透磁率が高いなどの利点
はあるが、記録媒体摺動による摩耗や塑性流動等
の問題があり薄膜磁気ヘツドの寿命を短かくする
原因となつていた。また薄膜磁気ヘツドの金属磁
性薄膜１にFe−Al−Si合金やアモルフアス合金
を用いると、Fe−Al−Si合金では500℃から650
℃前後で、アモルフアス合金では、350℃〜500℃
前後でそれぞれ熱処理をしないと透磁率が低くな
つて使用できない。さらに熱処理の温度により導
電性薄膜２の酸化や剥離、絶縁薄膜３の剥離が発
生するなどの問題があつた。
薄膜１にFe−Ni合金を用いるとスパツタ、電着
等に付着方法や写真食刻による形状加工が容易で
あり熱処理をしなくても透磁率が高いなどの利点
はあるが、記録媒体摺動による摩耗や塑性流動等
の問題があり薄膜磁気ヘツドの寿命を短かくする
原因となつていた。また薄膜磁気ヘツドの金属磁
性薄膜１にFe−Al−Si合金やアモルフアス合金
を用いると、Fe−Al−Si合金では500℃から650
℃前後で、アモルフアス合金では、350℃〜500℃
前後でそれぞれ熱処理をしないと透磁率が低くな
つて使用できない。さらに熱処理の温度により導
電性薄膜２の酸化や剥離、絶縁薄膜３の剥離が発
生するなどの問題があつた。
問題点を解決するための手段
本発明は、高硬度金属磁性材料で構成された下
部金属磁性薄膜上にギヤツプ材を介し高硬度金属
磁性材料で第１上部金属磁性薄膜を形成した後、
下部金属磁性薄膜と第１上部金属磁性薄膜の透磁
率が向上する温度で熱処理を施し、その後に巻線
及び絶縁薄膜を形成し、後部で下部金属磁性薄膜
と、前部で第１上部金属磁性薄膜とそれぞれ直接
接合させるとともに前記記録媒体摺動面に露出し
ないように第２の上部金属磁性薄膜を形成した。
部金属磁性薄膜上にギヤツプ材を介し高硬度金属
磁性材料で第１上部金属磁性薄膜を形成した後、
下部金属磁性薄膜と第１上部金属磁性薄膜の透磁
率が向上する温度で熱処理を施し、その後に巻線
及び絶縁薄膜を形成し、後部で下部金属磁性薄膜
と、前部で第１上部金属磁性薄膜とそれぞれ直接
接合させるとともに前記記録媒体摺動面に露出し
ないように第２の上部金属磁性薄膜を形成した。
作 用
本発明は上述の構成により、記録媒体との摺動
による薄膜磁気ヘツドの摩耗、塑性流動等の問題
を解決するとともに金属磁性薄膜の熱処理による
導電性薄膜や絶縁薄膜の酸化や剥離のないように
する事ができる。
による薄膜磁気ヘツドの摩耗、塑性流動等の問題
を解決するとともに金属磁性薄膜の熱処理による
導電性薄膜や絶縁薄膜の酸化や剥離のないように
する事ができる。
実施例
第３図及び第４図はそれぞれ本発明の一実施例
における薄膜磁気ヘツドの製造方法によつて作成
された薄膜磁気ヘツドを示す平面図及びＢ−
B′の断面図である。以下、第３図及び第４図を
用いて本実施例の薄膜磁気ヘツドの製造方法を説
明する。フエライトやSiO2等の基板１１上に蒸
着、スパツタ等の方法を用いてFe−Al−Si合金
やアモルフアス合金等の高硬度磁性材料を３〜
10μｍ程度付着しエツチング、リフトオフ等の方
法で下部金属磁性薄膜１２を形成する。さらにヘ
ツドギヤツプとなるSiO2、Al2O3等のギヤツプ材
１３を蒸着やスパツタ等の方法を用いて0.5μｍ程
度付着しその上にFe−Al−Si合金やアモルフア
ス合金等の高硬度磁性材料を3μｍ程度付着しエ
ツチング、リフトオフ等の方法で第１上部金属磁
性薄膜１４を形成する。さらに第１上部金属磁性
薄膜１４および下部金属磁性薄膜１２にFe−Al
−Si合金を用いた場合は500℃〜650℃、アモルフ
アス合金を用いた場合は350℃〜500℃に加熱し徐
冷または急冷をして磁性薄膜の透磁率を上げる。
さらにギヤツプ材１３上でかつ第１上部金属磁性
薄膜１４の後部に巻線となるCu、Ag等の導電体
を蒸着や電着等の方法で付着し所定の導電性薄膜
１５を形成し導電性薄膜１５と第２上部金属磁性
薄膜１６とを電気的に絶縁するため絶縁薄膜１７
をフオトレジスト等で形成する。導電性薄膜１５
は小面積にて多巻線を考えて二層、三層と絶縁薄
膜１７を介して重ねる場合が多く現在15〜20ター
ン程度まで実現している。さらに絶縁薄膜１７上
に、下部金属磁性薄膜１２と後部で、第１上部金
属磁性薄膜１４と前部でそれぞれ磁気的に結合し
かつ記録媒体摺動面３０に出ないようにFe−Ni
合金等の高温で熱処理の必要がなく形成が容易な
金属磁性材料で第２上部金属磁性薄膜１６を電着
やスパツタ等の方法で５〜10μｍ付着しエツチン
グ、リフトオフ等で形状を出す。下部金属磁性薄
膜１２および第１上部金属磁性薄膜１４を記録媒
体１８の摺動による摩耗から守るためAl2O3、
SiO2等で保護絶縁薄膜１９を20〜30μｍ付着し薄
膜形成によりできた15μｍ程度の凹凸をなくすた
めラツピングやプラズマ加工により保護絶縁薄膜
１９を平坦化し記録媒体１８摺動の安定化および
薄膜部の保護のため樹脂や低融点ガラス等の接着
剤２０によりガラス等カバー材２１を接着してい
る。
における薄膜磁気ヘツドの製造方法によつて作成
された薄膜磁気ヘツドを示す平面図及びＢ−
B′の断面図である。以下、第３図及び第４図を
用いて本実施例の薄膜磁気ヘツドの製造方法を説
明する。フエライトやSiO2等の基板１１上に蒸
着、スパツタ等の方法を用いてFe−Al−Si合金
やアモルフアス合金等の高硬度磁性材料を３〜
10μｍ程度付着しエツチング、リフトオフ等の方
法で下部金属磁性薄膜１２を形成する。さらにヘ
ツドギヤツプとなるSiO2、Al2O3等のギヤツプ材
１３を蒸着やスパツタ等の方法を用いて0.5μｍ程
度付着しその上にFe−Al−Si合金やアモルフア
ス合金等の高硬度磁性材料を3μｍ程度付着しエ
ツチング、リフトオフ等の方法で第１上部金属磁
性薄膜１４を形成する。さらに第１上部金属磁性
薄膜１４および下部金属磁性薄膜１２にFe−Al
−Si合金を用いた場合は500℃〜650℃、アモルフ
アス合金を用いた場合は350℃〜500℃に加熱し徐
冷または急冷をして磁性薄膜の透磁率を上げる。
さらにギヤツプ材１３上でかつ第１上部金属磁性
薄膜１４の後部に巻線となるCu、Ag等の導電体
を蒸着や電着等の方法で付着し所定の導電性薄膜
１５を形成し導電性薄膜１５と第２上部金属磁性
薄膜１６とを電気的に絶縁するため絶縁薄膜１７
をフオトレジスト等で形成する。導電性薄膜１５
は小面積にて多巻線を考えて二層、三層と絶縁薄
膜１７を介して重ねる場合が多く現在15〜20ター
ン程度まで実現している。さらに絶縁薄膜１７上
に、下部金属磁性薄膜１２と後部で、第１上部金
属磁性薄膜１４と前部でそれぞれ磁気的に結合し
かつ記録媒体摺動面３０に出ないようにFe−Ni
合金等の高温で熱処理の必要がなく形成が容易な
金属磁性材料で第２上部金属磁性薄膜１６を電着
やスパツタ等の方法で５〜10μｍ付着しエツチン
グ、リフトオフ等で形状を出す。下部金属磁性薄
膜１２および第１上部金属磁性薄膜１４を記録媒
体１８の摺動による摩耗から守るためAl2O3、
SiO2等で保護絶縁薄膜１９を20〜30μｍ付着し薄
膜形成によりできた15μｍ程度の凹凸をなくすた
めラツピングやプラズマ加工により保護絶縁薄膜
１９を平坦化し記録媒体１８摺動の安定化および
薄膜部の保護のため樹脂や低融点ガラス等の接着
剤２０によりガラス等カバー材２１を接着してい
る。
他の実施例としてギヤツプ材１３をTi、Cr等
の非磁性金属で形成しその上に第１上部金属磁性
薄膜１４をFe−Al−Si合金またはアモルフアス
合金で形成し所定の形状に加工する。さらにギヤ
ツプ部以外の非磁性金属をエツチング等により除
去し透磁率が向上する温度で熱処理を行なう。そ
の後全面にSiO2等の電気絶縁材を１〜2μｍ形成
し第１上部金属磁性薄膜１４上の電気絶縁材をエ
ツチング等により取り除く。以下第１の実施例と
同様の工程で薄膜磁気ヘツドを製作する。以上の
ように金属でギヤツプを形成するとFe−Al−Si
合金、アモルフアス合金等の蒸着やスパツタによ
る応力を緩和しギヤツプ材１３から剥離する問題
を解決しギヤツプ部以外の金属をエツチングし電
気絶縁材料を形成することにより下部金属磁性薄
膜１２や基板１１と導電性薄膜１５との電気的絶
縁を施している。
の非磁性金属で形成しその上に第１上部金属磁性
薄膜１４をFe−Al−Si合金またはアモルフアス
合金で形成し所定の形状に加工する。さらにギヤ
ツプ部以外の非磁性金属をエツチング等により除
去し透磁率が向上する温度で熱処理を行なう。そ
の後全面にSiO2等の電気絶縁材を１〜2μｍ形成
し第１上部金属磁性薄膜１４上の電気絶縁材をエ
ツチング等により取り除く。以下第１の実施例と
同様の工程で薄膜磁気ヘツドを製作する。以上の
ように金属でギヤツプを形成するとFe−Al−Si
合金、アモルフアス合金等の蒸着やスパツタによ
る応力を緩和しギヤツプ材１３から剥離する問題
を解決しギヤツプ部以外の金属をエツチングし電
気絶縁材料を形成することにより下部金属磁性薄
膜１２や基板１１と導電性薄膜１５との電気的絶
縁を施している。
以上のような製造方法によつて作成された薄膜
磁気ヘツドは金属磁性薄膜１２，１４と略直角な
面３０をラッピング等で鏡面に仕上げて記録媒体
１８と当接する面とする。矢印は記録媒体１８の
移動方向である。この結果導電性薄膜１５に電流
を流すことにより誘導される磁束は上部金属磁性
薄膜１４，１６より記録媒体１８を通つて下部金
属磁性薄膜１２と導びかれ上部金属磁性薄膜１
６，１４へと戻る。記録媒体１８の摺動面３０に
露出する金属磁性薄膜１２，１４が高硬度である
ため摩耗や塑性流動等の問題がなく、第１上部金
属磁性薄膜１４形成後熱処理を施し、その後熱処
理工程がないので導電性薄膜１５および絶縁薄膜
１７の形成方法や材料選択が容易であり剥離等の
問題のない薄膜磁気ヘツドが得られる。
磁気ヘツドは金属磁性薄膜１２，１４と略直角な
面３０をラッピング等で鏡面に仕上げて記録媒体
１８と当接する面とする。矢印は記録媒体１８の
移動方向である。この結果導電性薄膜１５に電流
を流すことにより誘導される磁束は上部金属磁性
薄膜１４，１６より記録媒体１８を通つて下部金
属磁性薄膜１２と導びかれ上部金属磁性薄膜１
６，１４へと戻る。記録媒体１８の摺動面３０に
露出する金属磁性薄膜１２，１４が高硬度である
ため摩耗や塑性流動等の問題がなく、第１上部金
属磁性薄膜１４形成後熱処理を施し、その後熱処
理工程がないので導電性薄膜１５および絶縁薄膜
１７の形成方法や材料選択が容易であり剥離等の
問題のない薄膜磁気ヘツドが得られる。
発明の効果
本発明の薄膜磁気ヘツドは高硬度であるが熱処
理の必要があり薄膜磁気ヘツドへの導入が困難で
あつてFe−Al−Si合金およびアモルフアス合金
を下部金属磁性薄膜と上部金属磁性薄膜の先端部
に用い熱処理後に導電性薄膜および絶縁薄膜を形
成し導電性薄膜および絶縁薄膜を加熱しないこと
により耐摩耗性に優れ、製作の容易な薄膜磁気ヘ
ツドが得られその実用的効果は大きい。
理の必要があり薄膜磁気ヘツドへの導入が困難で
あつてFe−Al−Si合金およびアモルフアス合金
を下部金属磁性薄膜と上部金属磁性薄膜の先端部
に用い熱処理後に導電性薄膜および絶縁薄膜を形
成し導電性薄膜および絶縁薄膜を加熱しないこと
により耐摩耗性に優れ、製作の容易な薄膜磁気ヘ
ツドが得られその実用的効果は大きい。
第１図は従来の薄膜磁気ヘツドの平面図、第２
図はそのＡ−A′断面図、第３図は本発明の一実
施例における薄膜磁気ヘツドの製造方法によつて
作成された薄膜磁気ヘツドの平面図、第４図はそ
のＢ−B′断面図である。 ６，１１……基板、１，１２，１４，１６……
金属磁性薄膜、２，１５……導電性薄膜、３，１
７……絶縁薄膜、１３……ギヤツプ材、４，１８
……記録媒体、Ｇ，Ｄ……ギヤツプデプス寸法。
図はそのＡ−A′断面図、第３図は本発明の一実
施例における薄膜磁気ヘツドの製造方法によつて
作成された薄膜磁気ヘツドの平面図、第４図はそ
のＢ−B′断面図である。 ６，１１……基板、１，１２，１４，１６……
金属磁性薄膜、２，１５……導電性薄膜、３，１
７……絶縁薄膜、１３……ギヤツプ材、４，１８
……記録媒体、Ｇ，Ｄ……ギヤツプデプス寸法。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に高硬度金属磁性材料よりなる下部金
属磁性薄膜を形成し、前記下部金属磁性薄膜上に
ギヤツプ材を介し高硬度金属磁性材料よりなる第
１上部金属磁性薄膜を媒体対向面側の端部に形成
した後、前記下部金属磁性薄膜と前記第１上部金
属磁性薄膜の透磁率が向上する温度で熱処理を施
し、前記ギヤツプ材上に導電性薄膜にて巻線を形
成し、前記導電性薄膜上に絶縁薄膜を介しかつ後
部で前記下部金属磁性薄膜と、前部で前記第１上
部金属磁性薄膜とそれぞれ直接接合させるととも
に前記媒体対向面に露出しないように第２の上部
金属磁性薄膜を形成した薄膜磁気ヘツドの製造方
法。 ２ 下部金属磁性薄膜及び第１上部金属磁性薄膜
がFe−Al−Si合金またはアモルフアス合金であ
る特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘツドの
製造方法。 ３ ギヤツプ材が非磁性金属からなる特許請求の
範囲第１項記載の薄膜磁気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26667484A JPS61144715A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26667484A JPS61144715A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61144715A JPS61144715A (ja) | 1986-07-02 |
| JPH0352124B2 true JPH0352124B2 (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=17434115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26667484A Granted JPS61144715A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61144715A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2506950A (en) * | 2012-10-15 | 2014-04-16 | Jaguar Land Rover Ltd | Brake pad where the coefficient of friction increases with increasing radial distance from the rotation axis of a contacting component |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55150116A (en) * | 1979-05-14 | 1980-11-21 | Fujitsu Ltd | Magnetic head |
| JPS60119613A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-27 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52143914U (ja) * | 1976-04-26 | 1977-10-31 |
-
1984
- 1984-12-18 JP JP26667484A patent/JPS61144715A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55150116A (en) * | 1979-05-14 | 1980-11-21 | Fujitsu Ltd | Magnetic head |
| JPS60119613A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-27 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2506950A (en) * | 2012-10-15 | 2014-04-16 | Jaguar Land Rover Ltd | Brake pad where the coefficient of friction increases with increasing radial distance from the rotation axis of a contacting component |
| GB2506950B (en) * | 2012-10-15 | 2015-08-26 | Jaguar Land Rover Ltd | A brake pad and method of forming such |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61144715A (ja) | 1986-07-02 |
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