KR0184397B1 - 박막 자기 헤드 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기록 효율이 증가하고 고밀도 기록이 가능한 박막 자기 헤드 및 그 제조 방법에 관한 것으로 그 제조 방법은 소정의 기판에 형성되어 있는 하부막상에 제1, 제2하부 자성층을 증착시키고 에칭하는 과정과, 상기 제1, 제2하부 자성층상에 소정의 갭물질을 증착시켜 갭층을 형성시키는 과정과, 상기 갭층상에 제1절연층을 형성시키고 열처리하는 과정과; 상기 제1절연층상에 코일층을 형성시키는 과정과, 상기 제1절연층 및 코일층상에 순차적으로 제2, 제3, 제4절연층을 형성시키킨 후 열처리하는 과정과, 상기 제4절연층상에 제1, 제2상부 자성층을 증착시킨후 에칭하는 과정을 포함하여 이루어진다.

상기와 같은 제조 방법을 통하여 형성된 박막 자기 헤드는 재생시에 양호한 출력 특성을 나타내는 효과를 얻을 수가 있으며 또한 기록시에 고밀도 기록이 가능하게 되는 효과를 얻을 수가 있다.

Description

박막 자기 헤드 및 그 제조 방법

제1도는 박막 자기 헤드를 구성하는 도전층을 도시한 사시도.

제2도는 제1도의 A-A′를 취하여 절단한 단면도.

제3도는 본 발명에 따른 박막 자기 헤드의 구성을 나타내는 단면도.

제4a도 내지 b도는 본 발명에 따른 박막 자기 헤드의 제조 방법을 순차적으로 도시한 제조 공정도.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

200 : 기판 201 : 하부막

202a : 제1하부 자성층 202b : 제2하부 자성층

203 : 제1절연층 204 : 제2절연층

205 : 제3절연층 206 : 제4절연층

207a : 제1상부 자성층 207b : 제2상부 자성층

G : 갭층 20, 21 : 코일층

본 발명은 자기 헤드에 관한 것으로 좀더 상세하게는 하부 자성층과 상부 자성층을 서로 상이한 재료로 형성시켜 투자율 및 포화 자속 밀도를 증가시키고 그 결과 기록 효율이 증가하고 고밀도 기록이 가능한 박막 자기 헤드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로 자기 헤드는 셋트나 시스템의 특성을 결정하는 핵심 부품으로서 자기 헤드의 제조 기술은 고기능화, 고밀도 기록화의 필요에 부응하여 기록 매체와 함께 새로운 재질의 개발이나 특성 향상을 통하여 점차적으로 성장하고 있는 추세에 있다.

비디오 카세트 레코더용 헤드는 기존의 아날로그 방식의 사용으로는 이미 극점에 달하고 있으며 최근에는 고화질화 추구를 위한 화상, 캐리어의 디지털화가 진행되어 디지털 비디오 카세트 레코더가 실용화 되고 있으며 기록 밀도도 점차 고밀도화 되고 있다.

또한 디지털 비디오 카세트 레코더용 테이프도 보자력이 높은 금속 테이프를 채용하고 있어 페라이트 코어에 잔유보자력이 높은 센더스트나 아모러포스 금속을 스퍼터링하여 사용하는 미그형 자기 헤드가 채용되고 있으며 컴퓨터 분야 헤드에서도 고화질, 고밀도화의 추세에 따라서 미그형 및 박막형의 자기 헤드가 채용되고 있다.

제1도는 이와 같은 기능을 수행하도록 하는 종래의 제조 방법에 의한 박막 자기 헤드의 구성을 나타내는 사시도 이다.

도면에 제시되어 있듯이 종래의 기술에 따른 박막 자기 헤드(100)은 기판상 순차적으로 형성되어 있는 하부 자성층(111), 코일층(112) 및 상부 자성층(113)을 구비하고 있는 전방부(a)와, 상기 코일층(112)이 연장되어 배선된 후방부(b)를 포함하고 있으며, 상기 상부 자성층(113)과 하부 자성층(111)을 포함하는 상기 전방부(a)의 선단부 즉, 폴 칩 구역(pole chip region)에는 자기 갭(G : 제2도에 도시)이 형성된다.

제2도는 제1도의 선 A-A′를 절취하여 확대한 박막 자기 헤드의 단면도이다.

도면에 제시되어 있듯이 상기 전방부(a)와 후방부(b) 사이에는 상기 하부 자성층(111)에 의하여 소정크기의 단차가 형성되어 있고, 이러한 단차가 유지된 상태로 상기 코일층(112)은 전방부(a)로부터 연장되어서 상기 후방부(b)상에 전기적으로 배선되어 있다.

이와 같은 구성으로 이루어져 있는 종래의 박막 자기 헤드에서 상기 하부 자성층(111)과 상기 상부 자성층(113)은 퍼어말로이(permalloy)로 구성되어 있다.

즉, 기록신호의 고밀도화에 따라 자기 기록 매체로는 보자력이 높은 철(Fe), 코발트(Co) 또는 니켈(Ni)계 합금 분말이 도포된 테이프가 일반적으로 사용되며 이러한 고보자화 테이프에 기록된 신호를 재생시키기 위해서 이에 대응되는 박막 자기 헤드의 상, 하부 자성층으로는 포화 자속 밀도 값이 상기 테이프와 같은 자기 기록 매체의 항자력 보다 5 - 6배정도 큰 재료 즉, 니켈-아연(Ni-Zn) 조성 또는 망간-아연(Mn-Zn) 조성으로 이루어진 퍼어말로이(permalloy)가 일반적으로 사용되고 있는 것이다.

그러나 이러한 퍼어말로이로 이루어진 재료로 상부 자성층 및 하부 자성을 구성하는 경우는 퍼어말로이가 투자율이 높은 재료로 재생 효율을 증가 시키는데는 별다른 문제점을 야기시키지 않으나 포화자속밀도가 낮아 고전류 통전시에 사용이 불가능 하고 이로 인하여 기록 효율이 저하되는 문제점이 발생하게 되는 것이다.

따라서 본 발명에 따른 박막 자기 헤드 및 그 제조 방법의 목적은 상부 자성층 및 하부 자성층을 상이한 자성 재료로 형성시켜 기록 및 재생시에 그 기능을 최대한으로 향상시킬 수 있도록 하는 박막 자기 헤드 및 그 제조 방법을 제공함에 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막 자기 헤드는 소정의 기판상에 형성되어 있는 하부막과; 상기 하부막상에 형성되어 있는 제1, 제2하부 자성층과; 상기 제1, 제2하부 자성층상에 형성되어 있는 갭층과; 상기 갭층상에 형성되어 있는 제1절연층과; 상기 제1절연층상에 형성 및 권선되어 있는 코일층과; 상기 코일층상에 순차적으로 형성되어 있는 제2, 제3, 제4절연층과; 상기 제4절연층상에 형성되어 있는 제1, 제2상부 자성층을 포함하여 이루어져 있는 것을 특징으로 하고 있다.

또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막 자기 헤드 제조 방법은 소정의 기판에 형성되어 있는 하부막상에 제1, 제2하부자성층을 증착시키고 에칭하는 과정과; 상기 제1, 제2하부 자성층상에 소정의 갭물질을 증착시켜 갭층을 형성시키는 과정과; 상기 갭층상에 제1절연층을 형성시키고 열처리 하는 과정과; 상기 제1절연층상에 코일층응 형성시키는 과정과; 상기 제1절연층 및 코일층상에 순차적으로 제2, 제3, 제4절연층을 형성시킨 후 열처리하는 과정과; 상기 제4절연층상에 제1, 제2상부 자성층을 증착시킨 후 에칭하는 과정;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하고 있다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 박막 자기 헤드 및 그 제조 방법을 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.

제3도는 본 발명에 따른 박막 자기 헤드의 구성을 나타내는 요부 단면도이다.

도면에 제시되어 있듯이 본 발명에 따른 박막 자기 헤드는 비자성 물질의 기판(200)상에 형성되어 있는 하부막(201)과, 상기 하부막(201)상에 형성되어 있는 제1, 제2하부 자성층(202a, 202b)과, 상기 제1, 제2하부 자성층(202a, 202b)상에 형성되어 있는 갭층(G)과, 상기 갭층(G)상에 형성되어 있는 제1절연층(203)과, 상기 제1절연층(203)상에 형성 및 권선되어 있는 코일층(20)과, 상기 코일층(20)상에 순차적으로 형성되어 있는 제2, 제3, 제4절연층(204, 205, 206)과, 상기 제4절연층(206)상에 형성되어 있는 제1, 제2상부 자성층(207a, 207b)을 포함하여 이루어져 있다.

종래의 제조 방법에 따른 박막 자기 헤드에서는 상기 상, 하부 자성층이 고투자율 재료인 퍼어말로이로 형성되어 있음으로 해서 재생 작용은 우수하게 수행할 수 있었으나 기록시에는 상기 퍼어말로이의 포화 자속 밀도가 낮음으로 해서 양호한 출력 특성을 얻기가 힘든 문제점을 야기 시켰다.

그러나 본 발명에 따른 박막 자기 헤드에서는 상기 상, 하부 자성층(202a, 202b, 207a, 207b)을 서로 상이한 재료로 형성시게 된다.

즉, 상기 제1, 제2하부 자성층(202a, 202b)은 니켈-철(Ni-Fe) 조성으로 이루어져 있으면서 투자율이 높은 재료인 퍼어말로이(permalloy)로 형성되게 된다.

여기서 소정의 기록 정보를 담고 있는 자기 기록 매체가 상기 갭층(G) 위를 주행하여 소정의 재생 기능이 수행되어 질 때 고투자율 재료인 퍼어말로이가 상기 갭층(G) 주위에 형성되어 있음으로 해서 재생 출력 특성이 향상되는 효과를 얻을 수가 있다.

또한 상기 제1, 제2상부 자성층(207a, 207b)은 철-실리콘-알루미륨(Fe-Si-Al)조성의 연자성 박막인 센더스트(sendust)로 이루어져 있다.

상기 센더스트는 포화 자속 밀도가 9000 - 11000 G 정도로 매우 높으며 경도 또한 500 - 560 정도로 높고 내마모성 또한 고경도 퍼어말로이를 상회하는 재료이다.

따라서 상기 자기 기록 매체가 갭층(G) 위를 주행하여 기록 작동이 수행되어 질 때 포화 자속 밀도가 높은 재료인 상기 센더스트가 상기 갭층(G) 근처에 형성되어 있음으로 해서 고밀도 기록이 가능한 효과를 얻을 수가 있는 것이다.

또한 본 발명의 다른 실시예로써 상기 제1상부 자성층(207a)은 센더스트로 구성하고 상기 제2상부 자성층(207b)은 퍼어말로이로 구성하게 되더라도 본 발명에 따른 소기의 목적을 달성하는 데는 별다른 영향을 미치지 않는다.

즉, 상기 하부 자성층(202) 및 제1상부 자성층(207a)은 포화 자속 밀도가 높은 센더스트로 형성되어 있음으로 해서 박막 자기 헤드의 기록 효율이 증가하는 효과를 얻을 수가 있다.

또한 상기 제2상부 자성층(207b)은 투자율이 높은 퍼어말로이로 형성되어 있음으로 해서 박막 자기 헤드의 재생 출력 특성이 증가하는 효과를 얻을 수가 있는 것이다.

제4도(a) 내지 (b)는 본 발명에 따른 박막 자기 헤드 제조 방법을 순차적으로 도시한 제조 공정도이다.

도면에 제시되어 있듯이, 본 발명에 따른 박막 자기 헤드 제조 방법은 소정의 기판(200)에 형성되어 있는 하부막(201)상에 제1하부 자성층(202a)을 증착시키고 에칭하는 과정과, 상기 제1하부 자성층(202a) 상에 제2하부 자성층(202b)을 증착시키고 에칭하는 과정과, 상기 제1, 제2하부 자성층(202a, 202b)상에 소정의 갭물질을 증착시켜 갭층(G)을 형성시키는 고정과, 상기 갭층(G)상에 제1절연층(203)을 형성시키고 열처리하는 과정과, 상기 제1절연층(203) 상에 코일층(20)을 형성시키는 과정과, 상기 제1절연층(203) 및 코일층(20) 상에 순차적으로 제2, 제3, 제4절연층(204, 205, 206)을 형성시키킨 후 열처리하는 과정과, 상기 제4절연층(206)상에 제1상부 자성층(207a)을 증착시킨 후 에칭하는 과정과, 상기 제1상부 자성층상에 제2상부 자성층(207b)을 형성시키는 과정을 포함하여 이루어지게 된다.

먼저 제4도(a)에 제시되어 있듯이, 소정의 기판상에 알루미나(AI₂O₃)를 스퍼터링 증착 공정과 같은 물리 기상 증착 공정에 의하여 소정의 두께로 적층시켜서 하부막(201)을 형성시킨다.

이때, 상기 절연성 하부막(201)상에 니켈-철 합금 조성의 퍼어말로이를 스퍼터링(sputtering) 증착 공정에 의하여 소정의 두께로 적층시킨 후 포토마스트를 사용하는 포토리쏘그래피(photolithography) 공정 및 이온 밀링(ion milling) 공정을 실시하여 에칭한 후 이를 통하여 소정의 형상으로 패터닝된 제1하부 자성층(202a) 및 제2하부 자성층(202b)을 형성시킨다.

여기서, 상기 제1, 제2하부 자성층(202a, 202b)중 박막 자기 헤드의 갭층(G) 형성 구역에 인접하는 부분과 상기 갭층(G) 형성 구역으로부터 후방으로 소정 길이 연장된 부분은 잔존 시키고 연장된 부분의 배면에 해당하는 후방부는 제거 시키게 된다.

이때 상기 제1, 제2하부 자성층(202a, 202b)을 형성시키는 본 발명의 다른 실시예를 설명하면 다음과 같다.

먼저, 상기 하부막(201)상에 크롬(Cr) 또는 티타늄(Ti)과 같은 도전성 금속을 이베포레이션(evaporation) 등의 증착 공정을 통하여 소정 두께로 적층시켜서 시드(seed) 층을 형성시킨다. 그 다음에 상기 시드층상에 스퍼터링 증착 공정을 통하여 니켈-철(Ni-Fe) 조성의 퍼어말로이를 증착시키고 포토리쏘그래피(photolithography) 공정 및 전기 도금 공정(electroplating)을 실시한 후 잔존하는 포토레지스트 및 시드층을 제거시킴으로써 제1, 제2하부 자성층을 형성시키게 된다.

한편 제4도(b)에 제시되어 있듯이, 상기 하부 자성층(202)상에 실리콘 산화물(SiO₂) 또는 알루미나 같은 물질을 스퍼터링 증착 공정, 이베포레이션(evepolation), 화학 기상 증착 공정(CVD) 등의 진공 증착 방법을 이용하여 소정 두께로 적층시켜 갭층(G)을 형성시킨다.

이와 같이 형성된 갭층(G)은 통상적인 포토리쏘그래피(photolithography) 공정 및 에칭 공정을 통하여 소정의 형상으로 패터닝 되게 된다.

그 다음에 포토레지스트(PR) 등의 유기성 수지나 무기질 재료를 소정 두께로 도포하여 제1절연층(203)을 형성시킨 후 상기 제1절연층(203)을 통상적인 포토리쏘그래피(photolithography) 공정을 통해 패터닝 시키게 된다.

즉, 형성된 상기 제1절연층(202) 중 갭층(G) 형성 구역에 인접하는 부분 및 상기 갭층(G) 형성 구역으로부터 후방으로 소정길이 연장된 부분중 일부를 제거하여서 상기 갭층(G) 상에 평탄한 표면 상태로 상기 제1절연층(203)을 잔존시키게 된다.

그 다음에 진공소성(vacuum bake) 등을 통해 상기 제1절연층(203)을 열처리하게 된다.

이때, 실시되는 열처리 공정의 적정온도는 300℃ 정도가 유효하다.

그 다음에 상기 제1절연층(203)상에 소정의 도전성 물질을 스퍼터링 증착 공정과 같은 진공 증착 공정 또는 전기 도금 공정에 의하여 소정 두께로 적층시켜서 도전층을 형성시킨 후 상기 도전층을 식각 공정에 의하여 소정 형상으로 패터닝 시킴으로서 코일층(20)을 형성시키게 되며 상기 코일층(20)은 상기 제1절연층상에 복수개의 코일이 권선된 상태로 형성되게 된다.

그 다음에 제4도 (c)에 제시되어 있듯이 상기 코일층(20)상에 제2절연층(204)을 형성시키게 되는데 상기 제2절연층(204)은 상기 제1절연층(203)을 형성시키는 공정과 동일한 공정을 통하여 형성되게 됨으로 상세한 설명은 생략하기로 한다.

그 후에 상기 제2절연층(204)상에 상기 코일층(20)형성과 동일한 공정을 통하여 코일층(21)을 형성시킨 후 상기 코일층(21) 상에 포토레지스트 등의 유기성 수지나 무기질 재료를 소정 두께로 도포하여 제3절연층(205)을 형성시키게 된다.

이때 상기 제3절연층(205) 또한 상기 제1절연층(203)의 형성 방법과 동일한 과정을 취하게 된다.

그 다음에 상기 제3절연층(205)상에 제4절연층(206)을 형성시키게 되는데 이때 상기 제4절연층(206) 또한 상기 제2, 제3절연층(204, 205)과 마찬가지로 제1절연층(203)을 형성하는 공정과 동일한 공정을 통하여 형성되게 된다.

그 후에 상기 제4절연층(206)상에 철-알루미늄-실리콘 조성의 연자성 박막인 센더스트를 스퍼터링 증착 공정을 통하여 소정의 두께 만큼 증착하고 포토리쏘그래피(photolithography) 공정 및 에칭 공정을 실시함으로써 제1상부 자성층(207a)을 형성시키게 된다.

종래의 제조 방법에 따른 박막 자기 헤드에서는 상기 상부 자성층(207a, 207b) 및 상기 하부 자성층(202a, 202b)이 모두 퍼어말로이로 구성되어 있었다.

따라서, 소정의 기록 신호를 담은 자기 기록 매체가 갭층위를 주행하여 박막 자기 헤드에서 기록 및 재생 기능이 수행되어 질 때 상, 하부 자성층(207, 202)을 구성하고 있는 상기 퍼어말로이가 고투자율을 유지하고 있으므로 재생시에는 양호한 출력 특성을 나타낼 수 있으나 기록시에는 포화 자속 밀도가 낮음으로 해서 고전류 기록이 불가능하게 되고 이로 인하여 기록 효율이 저하되는 문제점을 발생시키게 되었다.

그러나 본 발명에 따른 박막 자기 헤드에서는 하부 자성층(202)을 고투자율을 유지하고 있는 퍼어말로이로 구성시켜 재생시에 출력 특성이 향상되는 효과를 얻을 수가 있으며 또한 상부 자성층(207a, 207b)을 포화 자속 밀도가 높은 센더스트로 구성시킴으로써 기록시에 고전류 기록이 가능하도록 하는 효과를 얻을 수가 있는 것이다.

그 다음에 제4도 (d)에 제시되어 있듯이, 상기 제1상부 자성층(207a)위에 스퍼터링 등의 증착공정을 통하여 니켈-철 조성의 퍼어말로이를 소정의 두께로 증착시키고 포토리쏘그래피(photolithography) 공정 및 에칭 공정을 실시하여 제2상부 자성층(207b)을 형성시킴으로써 본 발명에 따른 박막 자기 헤드를 완성 하게 되는 것이다.

본 발명의 다른 실시예로써 상기 제1상부 자성층(207a)은 센더스트로 형성시키고 상기 제2상부 자성층(207b)은 퍼어말로이로 형성시키더라도 본 발명에 따른 소기의 목적을 달성하는데 별다른 영향을 미치지 않게 되며 상기한 바와 같이 재생시에 출력 특성을 향상시키는 효과를 얻을 수가 있고 기록시에 고전류 기록을 가능하게 하여 기록 효율이 향상되는 효과를 얻을 수가 있는 것이다.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 박막 자기 헤드 및 그 제조 방법은 종래의 박막 자기 헤드와는 달리 상부 자성층을 퍼어말로이로, 하부 자성층을 센더스트로 형성시킴으로써 재생시에 양호한 출력 특성을 나타내는 효과를 얻을 수가 있으며 또한 기록시에 고밀도 기록이 가능하게 되는 효과를 얻을 수가 있는 것이다.

그리고, 본 발명의 특정한 실시예가 설명 및 도시되었지만, 여러 수정이 가능하므로 본 발명은 이것에 제한되지 않음을 알 수 있다.

그러므로 본 원에 기재되었으며 청구된 원리의 진정한 정신 및 범위내에 일치하는 본 발명 및 모든 수정이 커버될 수 있음을 알 수 있다.

Claims (18)

1. 소정의 기판에 형성되어 있는 하부막상에 제1, 제2하부 자성층을 증착시키고 에칭하는 과정과; 상기 제1, 제2하부 자성층상에 소정의 갭물질을 증착시켜 갭층을 형성시키는 과정과; 상기 갭층상에 제1절연층을 형성시키고 열처리 하는 과정과; 상기 제1절연층상에 코일층을 형성시키는 과정과; 상기 제1절연층 및 코일층상에 순차적으로 제2, 제3, 제4절연층을 형성시키킨 후 열처리하는 과정과; 상기 제4절연층상에 제1, 제2상부 자성층을 증착시킨 후 에칭하는 과정;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제조 방법.
2. 제1항에 있어서, 제1, 제2하부 자성층은 증착 공정, 포토리쏘그래피(photolithography) 공정, 에칭공정을 포함하여 형성됨을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제조 방법.
3. 제2항에 있어서, 제1, 제2하부 자성층은 스퍼터링 공정에 의해 증착됨을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제조 방법.
4. 제2항에 있어서, 제1, 제2하부 자성층은 이온밀링(ion milling) 공정에 의해 에칭됨을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제조 방법.
5. 제1항에 있어서, 제1, 제2하부 자성층은 시드층 형성 공정, 증착 공정, 포토리쏘그래피(photolithography) 공정, 전기 도금 공정, 에칭 공정을 포함하여 형성됨을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제조 방법.
6. 제5항에 있어서, 시드(seed)층은 크롬(Cr) 또는 티타늄(Ti)으로 형성됨을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제조 방법.
7. 제1항에 있어서, 제1절연층은 포토리쏘그래피(photolithography) 공정, 열처리 공정을 포함하여 형성됨을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제조 방법.
8. 제7항에 있어서, 열처리 공정은 베이컴 베이크(vacuum vake) 공정임을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제조 방법.
9. 제7항에 있어서, 열처리 공정은 300℃에서 실시됨을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제조 방법.
10. 제1항에 있어서, 제2, 제3, 제4절연층은 제1절연층과 동일한 공정을 통하여 형성됨을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제조 방법.
11. 제1항에 있어서, 갭층은 증착공정, 포토리쏘그래피(photolithography) 공정, 에칭공정을 포함하여 형성됨을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제조 방법.
12. 제11항에 있어서, 갭층은 스퍼터링 또는 이베포레이션(evapolation) 또는 화학 기상 증착법에 의해 증착됨을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제조 방법.
13. 제1항에 있어서, 제1, 제2상부 자성층은 증착공정, 포토리쏘그래피(photolithography) 공정, 에칭 공정을 포함하여 형성됨을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제조 방법.
14. 제13항에 있어서, 제1, 제2상부 자성층은 스퍼터링 공정에 의해 증착됨을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제조 방법.
15. 소정의 기판상에 형성되어 있는 하부막과; 상기 하부막상에 형성되어 있는 제1, 제2하부 자성층과; 상기 제1, 제2하부 자성층상에 형성되어 있는 갭층과; 상기 갭층상에 형성되어 있는 제1절연층과; 상기 제1절연층상에 형성 및 권선되어 있는 코일층과; 상기 코일층상에 순차적으로 형성되어 있는 제2, 제3, 제4절연층과; 상기 제4절연층상에 형성되어 있는 제1, 제2상부 자성층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드.
16. 제15항에 있어서, 제1, 제2하부 자성층은 퍼어말로이로 이루어져 있음을 특징으로 하는 박막 자기 헤드.
17. 제15항에 있어서, 제1, 제2상부 자성층은 센더스트로 이루어져 있음을 특징으로 하는 박막 자기 헤드.
18. 제15항에 있어서, 제1상부 자성층은 센더스트로 이루어져 있고 제2상부 자성층은 퍼어말로이로 이루어져 있음을 특징으로 하는 박막 자기 헤드.