JP2565187B2 - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
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- G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
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- G11B5/3153—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers including at least one magnetic thin film coupled by interfacing to the basic magnetic thin film structure
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、PCM（Pulse Code Modulation）記録再生装
置等に用いられる薄膜磁気ヘッドに関し、特に上部磁性
体の改良に関する。
置等に用いられる薄膜磁気ヘッドに関し、特に上部磁性
体の改良に関する。
〔発明の概要〕 本発明は、下部磁性体上にコイル導体及び上部磁性体
が絶縁層を介して順次積層形成されてなる薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、 上記上部磁性体が、層間絶縁膜を介した軟磁性薄膜の
多層膜構造であり、かつ、フロントギャップ近傍部及び
バックギャップ近傍部で軟磁性薄膜のみで構成されるこ
とにより、 疑似ギャップがなく、高周波領域において再生効率の
優れた薄膜磁気ヘッドとしようとするものである。
が絶縁層を介して順次積層形成されてなる薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、 上記上部磁性体が、層間絶縁膜を介した軟磁性薄膜の
多層膜構造であり、かつ、フロントギャップ近傍部及び
バックギャップ近傍部で軟磁性薄膜のみで構成されるこ
とにより、 疑似ギャップがなく、高周波領域において再生効率の
優れた薄膜磁気ヘッドとしようとするものである。
一般に、薄膜磁気ヘッドは、ヘッドを構成する下部磁
性体、コイル導体、上部磁性体等がスパッタリング等の
真空薄膜形成技術で構成されるため、量産性に優れ、か
つ特性の均一なヘッドが得られるとともに、フォトリソ
グラフィ技術でパターニングを行っているので、狭トラ
ック、狭ギャップ等の微小寸法化が容易である。
性体、コイル導体、上部磁性体等がスパッタリング等の
真空薄膜形成技術で構成されるため、量産性に優れ、か
つ特性の均一なヘッドが得られるとともに、フォトリソ
グラフィ技術でパターニングを行っているので、狭トラ
ック、狭ギャップ等の微小寸法化が容易である。
このため、上記薄膜磁気ヘッドは、記録に関与するヘ
ッド磁界が急峻となり、高密度記録が可能となるととも
に、高分解能の記録ができ、さらに小型化が可能であ
る。
ッド磁界が急峻となり、高密度記録が可能となるととも
に、高分解能の記録ができ、さらに小型化が可能であ
る。
一方、情報を記録する磁気記録媒体においては、記録
信号の高密度化や高品質化が進められており、この高密
度記録に対応して磁性粉にFe,Co,Ni等を主成分とした強
磁性金属の粉末を用いたいわゆるメタルテープ、あるい
は上記強磁性金属を蒸着等の手法でベースフィルム上に
直接披着したいわゆる蒸着テープが開発され、各分野で
実用化されている。
信号の高密度化や高品質化が進められており、この高密
度記録に対応して磁性粉にFe,Co,Ni等を主成分とした強
磁性金属の粉末を用いたいわゆるメタルテープ、あるい
は上記強磁性金属を蒸着等の手法でベースフィルム上に
直接披着したいわゆる蒸着テープが開発され、各分野で
実用化されている。
ところで、このような高抗磁力を有する磁気記録媒体
の特性を発揮せしめるためには、薄膜磁気ヘッドのコア
（上部磁性体及び下部磁性体）が高い飽和磁束密度を有
するとともに、化透磁率を併せて有する軟磁性材料で形
成する必要がある。例えば、この軟磁性材料として多用
されているフェライト材では飽和磁束密度が低く、ま
た、Fe−Ni系合金（パーマロイ）では耐摩耗性に問題が
ある。
の特性を発揮せしめるためには、薄膜磁気ヘッドのコア
（上部磁性体及び下部磁性体）が高い飽和磁束密度を有
するとともに、化透磁率を併せて有する軟磁性材料で形
成する必要がある。例えば、この軟磁性材料として多用
されているフェライト材では飽和磁束密度が低く、ま
た、Fe−Ni系合金（パーマロイ）では耐摩耗性に問題が
ある。
従来、かかる諸要求を満たすコア材料として、Fe−Al
−Si系合金（センダスト）が好適であると考えられ、既
に実用化されていることは周知の通りである。
−Si系合金（センダスト）が好適であると考えられ、既
に実用化されていることは周知の通りである。
しかしながら、例えばこのセンダスト合金を上部磁性
体として使用した薄膜磁気ヘッドにおいては、上記磁性
体の比抵抗が小さくなり、高周波領域で渦電流損が生じ
る。したがって、この薄膜磁気ヘッドは実効透磁率が低
下し、良好な記録再生ができなくなるという欠点があ
る。
体として使用した薄膜磁気ヘッドにおいては、上記磁性
体の比抵抗が小さくなり、高周波領域で渦電流損が生じ
る。したがって、この薄膜磁気ヘッドは実効透磁率が低
下し、良好な記録再生ができなくなるという欠点があ
る。
そこで、従来、上記渦電流損を抑えるために、上記上
部磁性体が、センダスト等よりなる軟磁性薄膜とSiO2等
の絶縁膜とを交互に積層して多層構造とした薄膜磁気ヘ
ッドが提案されている。
部磁性体が、センダスト等よりなる軟磁性薄膜とSiO2等
の絶縁膜とを交互に積層して多層構造とした薄膜磁気ヘ
ッドが提案されている。
すなわち、上記薄膜磁気ヘッドにおいては、第４図に
示すように、Mn−Zn系フェライト等よりなる下部磁性体
（51）上に、第１絶縁層（52）を介して、第１コイル導
体（53）及び第２コイル導体（54）が第２絶縁層（55）
を介して渦巻状に形成されている。さらに、第２コイル
導体（54）を被覆する如く形成された第３絶縁層（56）
上に上部磁性体（57）が形成されている。この上部磁性
体（57）は、センダスト等よりなる軟磁性薄膜（57a）
とSiO2等の絶縁材料よりなる層間絶縁膜（57b）とが交
互に積層形成されている。
示すように、Mn−Zn系フェライト等よりなる下部磁性体
（51）上に、第１絶縁層（52）を介して、第１コイル導
体（53）及び第２コイル導体（54）が第２絶縁層（55）
を介して渦巻状に形成されている。さらに、第２コイル
導体（54）を被覆する如く形成された第３絶縁層（56）
上に上部磁性体（57）が形成されている。この上部磁性
体（57）は、センダスト等よりなる軟磁性薄膜（57a）
とSiO2等の絶縁材料よりなる層間絶縁膜（57b）とが交
互に積層形成されている。
このように、上部磁性体（57）を軟磁性薄膜（57a）
と層間絶縁膜（57b）との多層膜構造とすることによ
り、上記上部磁性体（57）は渦電流に対する抵抗が大き
くなり、実効透磁率が大きくなる。
と層間絶縁膜（57b）との多層膜構造とすることによ
り、上記上部磁性体（57）は渦電流に対する抵抗が大き
くなり、実効透磁率が大きくなる。
しかしながら、上記薄膜磁気ヘッドにあっては、上記
磁性体（57）の層間絶縁膜（57b）が磁気記録媒体対接
面（58）上に露出して形成されるので、この露出してい
る各層間絶縁膜（57b）が疑似ギャップとして作用し、
再生波形が劣化するという問題がある。
磁性体（57）の層間絶縁膜（57b）が磁気記録媒体対接
面（58）上に露出して形成されるので、この露出してい
る各層間絶縁膜（57b）が疑似ギャップとして作用し、
再生波形が劣化するという問題がある。
また、上記上部磁性体（57）は、フロントギャップ近
傍部及びバックギャップにおいて、上記層間絶縁膜（57
b）が磁束の流れに対して交差する方向に形成されるこ
とになる。したがって、上部磁性体（57）の磁気抵抗が
大きくなり、再生効率の悪化の原因となっている。
傍部及びバックギャップにおいて、上記層間絶縁膜（57
b）が磁束の流れに対して交差する方向に形成されるこ
とになる。したがって、上部磁性体（57）の磁気抵抗が
大きくなり、再生効率の悪化の原因となっている。
そこで、本発明は上述の実情に鑑みて提案されたもの
であり、疑似ギャップがなく、高周波領域において再生
効率の優れた薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とす
る。
であり、疑似ギャップがなく、高周波領域において再生
効率の優れた薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とす
る。
この目的を達成するために、本発明の薄膜磁気ヘッド
は、下部磁性体上にコイル導体及び上部磁性体が絶縁層
を介して順次積層形成されてなる薄膜磁気ヘッドにおい
て、上記上部磁性体は層間絶膜を介して軟磁性薄膜の多
層膜よりなり、かつ、上記上部磁性体はフロントギャッ
プ近傍部及びバックギャップ近傍部において軟磁性薄膜
のみで構成されていることを特徴とするものである。
は、下部磁性体上にコイル導体及び上部磁性体が絶縁層
を介して順次積層形成されてなる薄膜磁気ヘッドにおい
て、上記上部磁性体は層間絶膜を介して軟磁性薄膜の多
層膜よりなり、かつ、上記上部磁性体はフロントギャッ
プ近傍部及びバックギャップ近傍部において軟磁性薄膜
のみで構成されていることを特徴とするものである。
このように、上部磁性体が極めて薄い軟磁性薄膜と層
間絶縁膜との多層膜で構成されているので、高周波領域
でも渦電流損が抑えられ、磁気効率が向上する。また、
上記上部磁性体はフロントギャップ近傍部では軟磁性薄
膜のみ構成されているので、疑似ギャップがなくなると
ともに、磁気効率が向上する。一方、バックギャップ近
傍部においても、上部磁性体は軟磁性薄膜のみで構成さ
れているので磁束が層間絶縁膜を横切ることがなく、磁
性抵抗が小さくなる。
間絶縁膜との多層膜で構成されているので、高周波領域
でも渦電流損が抑えられ、磁気効率が向上する。また、
上記上部磁性体はフロントギャップ近傍部では軟磁性薄
膜のみ構成されているので、疑似ギャップがなくなると
ともに、磁気効率が向上する。一方、バックギャップ近
傍部においても、上部磁性体は軟磁性薄膜のみで構成さ
れているので磁束が層間絶縁膜を横切ることがなく、磁
性抵抗が小さくなる。
以下、本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの一実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。
ついて図面を参照しながら説明する。
本実施例の薄膜磁気ヘッドにおいては、第１図及び第
２図に示すように、下部磁性体（１）の一平面上にフロ
ントギャップFG近傍部やバックギャップBGを除いてSiO2
等よりなる第１絶縁層（２）が形成されている。
２図に示すように、下部磁性体（１）の一平面上にフロ
ントギャップFG近傍部やバックギャップBGを除いてSiO2
等よりなる第１絶縁層（２）が形成されている。
上記下部磁性体（１）としては、Mn−Zn系フェライト
やNi−Zn系フェライト等の強磁性酸化物基板、または、
セラミック等の非磁性基板上にFe−Ni系合金（パーマロ
イ）やFe−Al−Si系合金（センダスト）等の強磁性金属
材料を積層した複合基板、あるいは上記強磁性酸化物基
板上にパーマロイやセンダスト等の強磁性金属材料を積
層した複合基板、等が使用される。
やNi−Zn系フェライト等の強磁性酸化物基板、または、
セラミック等の非磁性基板上にFe−Ni系合金（パーマロ
イ）やFe−Al−Si系合金（センダスト）等の強磁性金属
材料を積層した複合基板、あるいは上記強磁性酸化物基
板上にパーマロイやセンダスト等の強磁性金属材料を積
層した複合基板、等が使用される。
また、上記第１絶縁層（２）上にはCuあるいはAl等の
金属導体よりなる第１コイル導体（３）が所定の間隔を
もって渦巻状（本実施例では３ターン）にパターンエッ
チングされている。
金属導体よりなる第１コイル導体（３）が所定の間隔を
もって渦巻状（本実施例では３ターン）にパターンエッ
チングされている。
さらに、上記第１コイル導体（３）を被覆するように
第２絶縁層（７）が被着形成され、上記第１コイル導体
（３）と同一の巻回方向を有し、上記第２絶縁層（４）
に形成されたコンタクト窓部（５）を介して、上記第１
コイル導体（３）と電気的に接続される渦巻状（本実施
例では３ターン）の第２コイル導体（６）が形成されて
いる。すなわち、本実施例のコイル導体はスパイラル２
層重ね６ターンの巻線構造となる。また、この第２コイ
ル導体（６）上には、後述の上部磁性体（30）との絶縁
を図るために第３絶縁層（７）が形成されている。
第２絶縁層（７）が被着形成され、上記第１コイル導体
（３）と同一の巻回方向を有し、上記第２絶縁層（４）
に形成されたコンタクト窓部（５）を介して、上記第１
コイル導体（３）と電気的に接続される渦巻状（本実施
例では３ターン）の第２コイル導体（６）が形成されて
いる。すなわち、本実施例のコイル導体はスパイラル２
層重ね６ターンの巻線構造となる。また、この第２コイ
ル導体（６）上には、後述の上部磁性体（30）との絶縁
を図るために第３絶縁層（７）が形成されている。
上記コイル導体（３），（６）としては、スパイラル
型に限られず、多層ヘリカル型あるいはジグザグ型等如
何なる巻線構造であっても良い。
型に限られず、多層ヘリカル型あるいはジグザグ型等如
何なる巻線構造であっても良い。
さらにまた、Ta2O5等よりなるギャップスペーサ
（９）や上記第３絶縁層（７）を被覆する如く上部磁性
体（30）が所定のトラック幅のなるように形成されてい
る。
（９）や上記第３絶縁層（７）を被覆する如く上部磁性
体（30）が所定のトラック幅のなるように形成されてい
る。
さらにまた、図示してないが、上記上部磁性体（30）
等を覆うように、SiO2等よりなる保護膜が形成され、ア
ニール処理を施した後、上記保護膜上にガラス等の接着
材を溶融充填することにより平坦化され、さらに、磁気
記録媒体対接面（10）の摩耗対策としてセラミックの非
磁性材よりなる保護板が上記接着材上に融着接合されて
いる。
等を覆うように、SiO2等よりなる保護膜が形成され、ア
ニール処理を施した後、上記保護膜上にガラス等の接着
材を溶融充填することにより平坦化され、さらに、磁気
記録媒体対接面（10）の摩耗対策としてセラミックの非
磁性材よりなる保護板が上記接着材上に融着接合されて
いる。
ここで、本発明にあっては、上記上部磁性体（30）
は、コイル導体（３），（６）が磁極間距離に巻回され
る領域では軟磁性薄膜（30a）と層間絶縁膜（30b）とが
交互に積層されているとともに、フロントギャップFG近
傍部（デプス部分に相当）上及びバックギャップBG領域
では軟磁性薄膜（30a）のみで形成されている。
は、コイル導体（３），（６）が磁極間距離に巻回され
る領域では軟磁性薄膜（30a）と層間絶縁膜（30b）とが
交互に積層されているとともに、フロントギャップFG近
傍部（デプス部分に相当）上及びバックギャップBG領域
では軟磁性薄膜（30a）のみで形成されている。
上記軟磁性薄膜（30a）は、センダストやパーマロイ
等の高透磁率，高飽和磁束密度を有する軟磁性材料より
なり、各軟磁性薄膜（30a）の厚みはスキンデプス長の
２倍以下の厚みとなるように形成されている。
等の高透磁率，高飽和磁束密度を有する軟磁性材料より
なり、各軟磁性薄膜（30a）の厚みはスキンデプス長の
２倍以下の厚みとなるように形成されている。
また、上記層間絶縁膜（30b）は、SiO2,Al2O3等の電
気的絶縁性のある非磁性体よりなり、各層間絶縁膜（30
b）の厚みは数百Å程度となるように形成されている。
気的絶縁性のある非磁性体よりなり、各層間絶縁膜（30
b）の厚みは数百Å程度となるように形成されている。
このような構成の上部磁性体（30）の形成方法として
は種々の方法がある。
は種々の方法がある。
例えば、フロントギャップFG近傍部及びバックギャッ
プBG近傍部の層間絶縁膜をエッチングにより取り除く方
法がある。すなわち、まず、第３絶縁層（７）上に不活
性ガス雰囲気中で軟磁性薄膜（30a）が所定の厚みとな
るように被着し、所定形状にエッチングを施した後、こ
の軟磁性薄膜（30a）上に層間絶縁膜（30b）をスパッタ
リング等の手法で形成する。次いで、フロントギャップ
FG近傍部及びバックギャップBG近傍部以外の部分にレジ
ストを塗布し、イオンエッチングやプラズマエッチング
等の手法で上記フロントギャップFG近傍部及びバックギ
ャップBG近傍部の層間絶縁膜（30b）を除去する。さら
に、上述の工程を繰り返して所望の厚みの上部磁性体
（30）を形成する。
プBG近傍部の層間絶縁膜をエッチングにより取り除く方
法がある。すなわち、まず、第３絶縁層（７）上に不活
性ガス雰囲気中で軟磁性薄膜（30a）が所定の厚みとな
るように被着し、所定形状にエッチングを施した後、こ
の軟磁性薄膜（30a）上に層間絶縁膜（30b）をスパッタ
リング等の手法で形成する。次いで、フロントギャップ
FG近傍部及びバックギャップBG近傍部以外の部分にレジ
ストを塗布し、イオンエッチングやプラズマエッチング
等の手法で上記フロントギャップFG近傍部及びバックギ
ャップBG近傍部の層間絶縁膜（30b）を除去する。さら
に、上述の工程を繰り返して所望の厚みの上部磁性体
（30）を形成する。
あるいは、フロントギャップFG近傍部以外に層間絶縁
膜を形成する方法もある。すなわち、上記方法と同様に
軟磁性薄膜（30a）を所定形状に形成した後、フロント
ギャップFG近傍部にレジストパターン形成する。続い
て、この軟磁性薄膜（30a）上にスパッタリング等の手
法で層間絶縁膜（30b）を形成した後、このレジストを
溶剤等で除去する。このような工程を繰り返して、所望
の厚みの上部磁性体（30）を形成する方法もある。
膜を形成する方法もある。すなわち、上記方法と同様に
軟磁性薄膜（30a）を所定形状に形成した後、フロント
ギャップFG近傍部にレジストパターン形成する。続い
て、この軟磁性薄膜（30a）上にスパッタリング等の手
法で層間絶縁膜（30b）を形成した後、このレジストを
溶剤等で除去する。このような工程を繰り返して、所望
の厚みの上部磁性体（30）を形成する方法もある。
ここで、上記上部磁性体（30）において、軟磁性薄膜
（30a）のみで形成されている部分（デプス相当部分）
は、ヘッドの磁気効率を向上させるため、磁気記録媒体
対接面方向の長さが10μｍ程度と極めて小さく形成さ
れ、また、軟磁性薄膜（30a）と層間絶縁膜（30b）との
多層膜構造部分では、コイル導体の巻線数を確保するた
めに、数十μｍ〜数百μｍとかなり大きく形成されてい
る。
（30a）のみで形成されている部分（デプス相当部分）
は、ヘッドの磁気効率を向上させるため、磁気記録媒体
対接面方向の長さが10μｍ程度と極めて小さく形成さ
れ、また、軟磁性薄膜（30a）と層間絶縁膜（30b）との
多層膜構造部分では、コイル導体の巻線数を確保するた
めに、数十μｍ〜数百μｍとかなり大きく形成されてい
る。
したがって、磁路の大部分が軟磁性薄膜（30a）と層
間絶縁膜（30b）との多層膜構造となり、上部磁性体（3
0）は高周波領域でも渦電流損は小さくなり、高透磁率
となる。しかも、フロントギャップFG近傍部において、
上部磁性体（30）は軟磁性薄膜（30a）のみで形成され
ているので、磁気記録媒体対接面（10）上には上記層間
絶縁膜（30b）が露出することはなくなる。このため、
従来の欠点であった疑似ギャップを解消できる。また、
フロントギャップFG近傍部で、磁束が層間絶縁膜（30
b）を横切ることがなくなり、磁気抵抗を抑えることが
できる。したがって、再生効率が向上し、良好な記録・
再生が可能となる。
間絶縁膜（30b）との多層膜構造となり、上部磁性体（3
0）は高周波領域でも渦電流損は小さくなり、高透磁率
となる。しかも、フロントギャップFG近傍部において、
上部磁性体（30）は軟磁性薄膜（30a）のみで形成され
ているので、磁気記録媒体対接面（10）上には上記層間
絶縁膜（30b）が露出することはなくなる。このため、
従来の欠点であった疑似ギャップを解消できる。また、
フロントギャップFG近傍部で、磁束が層間絶縁膜（30
b）を横切ることがなくなり、磁気抵抗を抑えることが
できる。したがって、再生効率が向上し、良好な記録・
再生が可能となる。
なお、上記実施例では、層間絶縁膜（30b）として電
気的絶縁性のある非磁性体膜を用いたが、上記層間絶縁
膜（30b）として、Mo,Al等の非磁性金属、あるいはCo,N
i,Fe−Co系合金等の磁性金属を使用すれば、抗磁力が小
さくなり、高抗磁力の磁気記録媒体に良好な記録・再生
が可能となる。
気的絶縁性のある非磁性体膜を用いたが、上記層間絶縁
膜（30b）として、Mo,Al等の非磁性金属、あるいはCo,N
i,Fe−Co系合金等の磁性金属を使用すれば、抗磁力が小
さくなり、高抗磁力の磁気記録媒体に良好な記録・再生
が可能となる。
また、本実施例においては、上部磁性体（30）がフロ
ントギャップFG近傍部（デプス相当部分）及びバックギ
ャップBG部では軟磁性薄膜（30a）のみで形成され、磁
路の大部分を占める第３絶縁層（７）上では軟磁性薄膜
（30a）と層間絶縁膜（30b）の多層膜構造とされるので
磁束が層間絶縁膜（30b）を横切ることがなくなり、磁
気抵抗が小さくなる。したがって、磁気効率が向上し、
良好な記録・再生が可能となる。
ントギャップFG近傍部（デプス相当部分）及びバックギ
ャップBG部では軟磁性薄膜（30a）のみで形成され、磁
路の大部分を占める第３絶縁層（７）上では軟磁性薄膜
（30a）と層間絶縁膜（30b）の多層膜構造とされるので
磁束が層間絶縁膜（30b）を横切ることがなくなり、磁
気抵抗が小さくなる。したがって、磁気効率が向上し、
良好な記録・再生が可能となる。
さらに、本発明は以上の実施例のみならず、本発明の
主旨を逸脱することなく、種々の構造が取り得ることは
いうまでもない。
主旨を逸脱することなく、種々の構造が取り得ることは
いうまでもない。
以上の説明からも明らかなように、本発明の薄膜磁気
ヘッドは、上部磁性体が軟磁性薄膜の多層膜構造の場合
に生じる疑似ギャップを解消することができる。しか
も、磁路の大部分が軟磁性薄膜の多層膜構造となってい
るので高周波領域であっても渦電流損が抑えられ、透磁
率が高くなる。また、フロントギャップFG近傍部では軟
磁性薄膜のみで形成されているので、磁気抵抗を低く抑
えることができる。したがって、疑似ギャップがなくな
るとともに、高周波領域での再生効率が向上し、良好な
記録・再生が可能な薄膜磁気ヘッドとなる。
ヘッドは、上部磁性体が軟磁性薄膜の多層膜構造の場合
に生じる疑似ギャップを解消することができる。しか
も、磁路の大部分が軟磁性薄膜の多層膜構造となってい
るので高周波領域であっても渦電流損が抑えられ、透磁
率が高くなる。また、フロントギャップFG近傍部では軟
磁性薄膜のみで形成されているので、磁気抵抗を低く抑
えることができる。したがって、疑似ギャップがなくな
るとともに、高周波領域での再生効率が向上し、良好な
記録・再生が可能な薄膜磁気ヘッドとなる。
また、部磁性体がフロントギャップFG近傍部（デプス
相当部分）及びバックギャップBG部では軟磁性薄膜のみ
で形成され、磁路の大部分を占める第３絶縁層上では軟
磁性薄膜と層間絶縁膜の多層構造膜とされているので磁
束が層間絶縁膜を横切ることがなくなり、磁気抵抗が小
さくなる。したがって、磁気効率が向上し、良好な記録
・再生が可能となる。
相当部分）及びバックギャップBG部では軟磁性薄膜のみ
で形成され、磁路の大部分を占める第３絶縁層上では軟
磁性薄膜と層間絶縁膜の多層構造膜とされているので磁
束が層間絶縁膜を横切ることがなくなり、磁気抵抗が小
さくなる。したがって、磁気効率が向上し、良好な記録
・再生が可能となる。
第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一例を示す平面
図、第２図は第１図ａ−ａ線における断面図である。 第３図は従来の薄膜磁気ヘッドを示す断面図である。 １……下部磁性体 ３……第１コイル導体 ６……第２コイル導体 30……上部磁性体 30a……軟磁性薄膜 30b……層間絶縁膜
図、第２図は第１図ａ−ａ線における断面図である。 第３図は従来の薄膜磁気ヘッドを示す断面図である。 １……下部磁性体 ３……第１コイル導体 ６……第２コイル導体 30……上部磁性体 30a……軟磁性薄膜 30b……層間絶縁膜
Claims (1)
- 【請求項１】下部磁性体上にコイル導体及び上部磁性体
が絶縁層を介して順次積層形成されてなる薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、 上記上部磁性体は層間絶膜を介して軟磁性薄膜の多層膜
よりなり、 かつ、上記上部磁性体はフロントギャップ近傍部及びバ
ックギャップ近傍部において軟磁性薄膜のみで構成され
ていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60186208A JP2565187B2 (ja) | 1985-08-24 | 1985-08-24 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60186208A JP2565187B2 (ja) | 1985-08-24 | 1985-08-24 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6246414A JPS6246414A (ja) | 1987-02-28 |
| JP2565187B2 true JP2565187B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=16184260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60186208A Expired - Fee Related JP2565187B2 (ja) | 1985-08-24 | 1985-08-24 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2565187B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62125518A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-06 | Canon Inc | 薄膜磁気ヘツド |
| JP2639962B2 (ja) * | 1987-05-29 | 1997-08-13 | 三洋電機株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
| US5270895A (en) * | 1991-07-05 | 1993-12-14 | U.S. Philips Corporation | Combined read/write thin-film magnetic head with composite shared flux guide |
| US5258883A (en) * | 1991-07-05 | 1993-11-02 | U.S. Philips Corporation | Thin-film magnetic head |
| KR100590531B1 (ko) | 2003-12-19 | 2006-06-15 | 삼성전자주식회사 | 수직 자기 기록을 위한 자기 헤드 |
| US9360646B2 (en) | 2013-08-15 | 2016-06-07 | Corning Optical Communications LLC | Fiber optic ribbon cable |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5677019U (ja) * | 1979-11-12 | 1981-06-23 |
-
1985
- 1985-08-24 JP JP60186208A patent/JP2565187B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6246414A (ja) | 1987-02-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |