JP3151155B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/3109—Details
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば浮上式磁気
ヘッドなどに使用される薄膜磁気ヘッドに係り、特に、
磁気抵抗効果を利用した読み出しヘッド上にインダクテ
ィブ型の書き込み用ヘッドが積層されている薄膜磁気ヘ
ッドに関する。
ヘッドなどに使用される薄膜磁気ヘッドに係り、特に、
磁気抵抗効果を利用した読み出しヘッド上にインダクテ
ィブ型の書き込み用ヘッドが積層されている薄膜磁気ヘ
ッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の薄膜磁気ヘッドの構成を
示す拡大断面図である。この薄膜磁気ヘッドは、浮上式
ヘッドを構成するスライダのトレーリング側端面に磁気
抵抗効果を利用した読み出しヘッドｈ１と、書き込み用
のインダクティブヘッドｈ２とが積層されている。読み
出しヘッドｈ１では、センダストやパーマロイなどの高
透磁率の磁性材料により形成された下部シールド層１上
に、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）などによる下部ギャップ層２
が形成され、その上に磁気抵抗効果素子層３が設けられ
ている。磁気抵抗効果素子層３は三層で構成されてお
り、下から軟磁性層（ＳＡＬ層）、非磁性層（ＳＨＵＮ
Ｔ層）、磁気抵抗効果層（ＭＲ層）の順に積層されてい
る。通常、磁気抵抗効果層はＦｅ―Ｎｉ系合金（パーマ
ロイ）の層、非磁性層はタンタル（Ｔａ）の層であり、
また軟磁性層はＮｉ―Ｆｅ―Ｎｂ系合金などにより形成
されている。
示す拡大断面図である。この薄膜磁気ヘッドは、浮上式
ヘッドを構成するスライダのトレーリング側端面に磁気
抵抗効果を利用した読み出しヘッドｈ１と、書き込み用
のインダクティブヘッドｈ２とが積層されている。読み
出しヘッドｈ１では、センダストやパーマロイなどの高
透磁率の磁性材料により形成された下部シールド層１上
に、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）などによる下部ギャップ層２
が形成され、その上に磁気抵抗効果素子層３が設けられ
ている。磁気抵抗効果素子層３は三層で構成されてお
り、下から軟磁性層（ＳＡＬ層）、非磁性層（ＳＨＵＮ
Ｔ層）、磁気抵抗効果層（ＭＲ層）の順に積層されてい
る。通常、磁気抵抗効果層はＦｅ―Ｎｉ系合金（パーマ
ロイ）の層、非磁性層はタンタル（Ｔａ）の層であり、
また軟磁性層はＮｉ―Ｆｅ―Ｎｂ系合金などにより形成
されている。
【０００３】前記磁気抵抗効果素子層３の両側には、縦
バイアス層としてハードバイアス層４が形成されてい
る。また、前記ハードバイアス層４上から下部ギャップ
層２上にかけてＣｕ（銅）、Ｗ（タングステン）などの
電気抵抗の小さい非磁性導電性材料の主電極層５が形成
されている。さらにその上に、アルミナなどによる上部
ギャップ層７が形成される。前記上部ギャップ層７上に
は下部コア層８がパーマロイなどのメッキによって形成
されている。インダクティブヘッドｈ２ではこの下部コ
ア層８が記録媒体に記録磁界を与えるコアとして機能
し、読み出しヘッドｈ１では下部コア層８が上部シール
ド層として機能する。
バイアス層としてハードバイアス層４が形成されてい
る。また、前記ハードバイアス層４上から下部ギャップ
層２上にかけてＣｕ（銅）、Ｗ（タングステン）などの
電気抵抗の小さい非磁性導電性材料の主電極層５が形成
されている。さらにその上に、アルミナなどによる上部
ギャップ層７が形成される。前記上部ギャップ層７上に
は下部コア層８がパーマロイなどのメッキによって形成
されている。インダクティブヘッドｈ２ではこの下部コ
ア層８が記録媒体に記録磁界を与えるコアとして機能
し、読み出しヘッドｈ１では下部コア層８が上部シール
ド層として機能する。
【０００４】前記下部コア層８上には、アルミナなどに
よるギャップ層（非磁性材料層）１０とポリイミドまた
はレジスト材料により形成された絶縁層１１が積層さ
れ、前記絶縁層１１上には螺旋状となるようにパターン
形成されたコイル層１２が設けられている。前記コイル
層１２はＣｕ（銅）などの電気抵抗の小さい非磁性導電
性材料で形成されている。そして前記コイル層１２はポ
リイミドまたはレジスト材料で形成された絶縁層１４に
囲まれ、前記絶縁層１４上に、パーマロイなどの磁性材
料で形成された上部コア層１５が設けられている。前記
上部コア層１５は、その先端部１５ａが下部コア層８上
に前記ギャップ層１０を介して対向し、記録媒体に記録
磁界を与える磁気ギャップ長Ｇｌの磁気ギャップが形成
されており、基端部１５ｂは下部コア層８と磁気的に接
続されている。
よるギャップ層（非磁性材料層）１０とポリイミドまた
はレジスト材料により形成された絶縁層１１が積層さ
れ、前記絶縁層１１上には螺旋状となるようにパターン
形成されたコイル層１２が設けられている。前記コイル
層１２はＣｕ（銅）などの電気抵抗の小さい非磁性導電
性材料で形成されている。そして前記コイル層１２はポ
リイミドまたはレジスト材料で形成された絶縁層１４に
囲まれ、前記絶縁層１４上に、パーマロイなどの磁性材
料で形成された上部コア層１５が設けられている。前記
上部コア層１５は、その先端部１５ａが下部コア層８上
に前記ギャップ層１０を介して対向し、記録媒体に記録
磁界を与える磁気ギャップ長Ｇｌの磁気ギャップが形成
されており、基端部１５ｂは下部コア層８と磁気的に接
続されている。
【０００５】図４は、コイル層１２に記録電流を与える
ためのコイルリード層の形成状態を示す平面図である。
図３にも示すように、第１コイルリード層１８は、絶縁
層１４の上にてコイル層１２を横断するように形成さ
れ、第１コイルリード層１８の先端部１８ａは、絶縁層
１４に形成された穴内にバンプ形成されてコイル層１２
の巻き中心部１２ａに電気的に接続されている。また、
第２コイルリード層１９も絶縁層１４の上に形成され、
絶縁層１４に形成された穴内にバンプ形成されて、前記
コイル層１２の巻き外端１２ｂに電気的に接続されてい
る。
ためのコイルリード層の形成状態を示す平面図である。
図３にも示すように、第１コイルリード層１８は、絶縁
層１４の上にてコイル層１２を横断するように形成さ
れ、第１コイルリード層１８の先端部１８ａは、絶縁層
１４に形成された穴内にバンプ形成されてコイル層１２
の巻き中心部１２ａに電気的に接続されている。また、
第２コイルリード層１９も絶縁層１４の上に形成され、
絶縁層１４に形成された穴内にバンプ形成されて、前記
コイル層１２の巻き外端１２ｂに電気的に接続されてい
る。
【０００６】前記第１コイルリード層１８及び第２コイ
ルリード層１９は、上部コア層１５と同じ材質で形成さ
れ、前記第１コイルリード層１８及び第２コイルリード
層１９と、前記上部コア層１５は、同時にメッキにより
形成されている。下部コア層８から上部コア層１５まで
の層により、書き込み用のインダクティブヘッドｈ２が
形成されている。このインダクティブヘッドｈ２では、
第１コイルリード層１８及び第２コイルリード層１９か
ら記録電流がコイル層１２に与えられ、前記コイル層１
２から上部コア層１５及び下部コア層８に記録磁界が誘
導される。そして、磁気ギャップ長Ｇｌの部分での下部
コア層８と上部コア層の先端部１５ａからの洩れ磁界に
より、ハードディスクなどへの記録媒体に磁気信号が記
録される。
ルリード層１９は、上部コア層１５と同じ材質で形成さ
れ、前記第１コイルリード層１８及び第２コイルリード
層１９と、前記上部コア層１５は、同時にメッキにより
形成されている。下部コア層８から上部コア層１５まで
の層により、書き込み用のインダクティブヘッドｈ２が
形成されている。このインダクティブヘッドｈ２では、
第１コイルリード層１８及び第２コイルリード層１９か
ら記録電流がコイル層１２に与えられ、前記コイル層１
２から上部コア層１５及び下部コア層８に記録磁界が誘
導される。そして、磁気ギャップ長Ｇｌの部分での下部
コア層８と上部コア層の先端部１５ａからの洩れ磁界に
より、ハードディスクなどへの記録媒体に磁気信号が記
録される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図３および図４に示す
従来の薄膜磁気ヘッドでは、コイル層１２は、電気的抵
抗の低いＣｕなどで形成されているが、コイルリード層
１８と１９は、上部コア層１５と同じパーマロイなどの
軟磁性材料により形成されている。そのため、コイル層
１２へ記録電流を与える経路でのインピーダンスは、コ
イル層１２の比抵抗のみならず、軟磁性材料製のコイル
リード層１８及び１９の比抵抗にも依存することにな
る。しかし、第１コイルリード層１８及び第２コイルリ
ード層１９を形成する軟磁性材料の比抵抗は、Ｃｕなど
に比べて高いために、インピーダンスが高く、ノイズの
原因となる欠点がある。
従来の薄膜磁気ヘッドでは、コイル層１２は、電気的抵
抗の低いＣｕなどで形成されているが、コイルリード層
１８と１９は、上部コア層１５と同じパーマロイなどの
軟磁性材料により形成されている。そのため、コイル層
１２へ記録電流を与える経路でのインピーダンスは、コ
イル層１２の比抵抗のみならず、軟磁性材料製のコイル
リード層１８及び１９の比抵抗にも依存することにな
る。しかし、第１コイルリード層１８及び第２コイルリ
ード層１９を形成する軟磁性材料の比抵抗は、Ｃｕなど
に比べて高いために、インピーダンスが高く、ノイズの
原因となる欠点がある。
【０００８】また、今後のハードディスクなどの記録媒
体に対する磁気信号の記録密度を高くするためには、下
部コア層８と上部コア層１５との磁気ギャップのギャッ
プ長Ｇｌを短くすることが必要であるとともに、コイル
層１２から下部コア層８及び上部コア層１５に誘導され
る磁界の周波数を例えば数１００ＭＨｚ以上に高くする
ことが必要である。ただし、高周波数による磁気記録を
行なうためには、下部コア層８および上部コア層１５の
軟磁性特性を向上させ、さらに透磁率が高く、高飽和磁
束密度、低保磁力、高比抵抗の磁性材料を使用すること
が必要である。従来のようにパーマロイなどにより前記
上部コア層１５を形成すると、比抵抗が比較的低いため
に、高周波記録時の渦電流損によるコア損失が大きくな
る。
体に対する磁気信号の記録密度を高くするためには、下
部コア層８と上部コア層１５との磁気ギャップのギャッ
プ長Ｇｌを短くすることが必要であるとともに、コイル
層１２から下部コア層８及び上部コア層１５に誘導され
る磁界の周波数を例えば数１００ＭＨｚ以上に高くする
ことが必要である。ただし、高周波数による磁気記録を
行なうためには、下部コア層８および上部コア層１５の
軟磁性特性を向上させ、さらに透磁率が高く、高飽和磁
束密度、低保磁力、高比抵抗の磁性材料を使用すること
が必要である。従来のようにパーマロイなどにより前記
上部コア層１５を形成すると、比抵抗が比較的低いため
に、高周波記録時の渦電流損によるコア損失が大きくな
る。
【０００９】そこで、高い周波数での記録を可能とする
ために、図３と図４に示す構造の薄膜磁気ヘッドにおい
て、上部コア層１５を高比抵抗の軟磁性材料で形成する
ことが考えられている。しかしこの場合、第１コイルリ
ード層１８と第２コイルリード層１９は上部コア層１５
と同じ高比抵抗の材料で形成されることになり、インピ
ーダンスの増加を招き、高周波記録時のノイズが増加す
ることが懸念される。
ために、図３と図４に示す構造の薄膜磁気ヘッドにおい
て、上部コア層１５を高比抵抗の軟磁性材料で形成する
ことが考えられている。しかしこの場合、第１コイルリ
ード層１８と第２コイルリード層１９は上部コア層１５
と同じ高比抵抗の材料で形成されることになり、インピ
ーダンスの増加を招き、高周波記録時のノイズが増加す
ることが懸念される。
【００１０】本発明は上記従来の課題を解決するもので
あり、コイル層に記録電流を与えるコイルリード層を、
上部コア層とは別の低比抵抗の導電性材料により形成し
て、高周波記録時でのインピーダンスの増大を防止でき
るようにした薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とし
ている。
あり、コイル層に記録電流を与えるコイルリード層を、
上部コア層とは別の低比抵抗の導電性材料により形成し
て、高周波記録時でのインピーダンスの増大を防止でき
るようにした薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とし
ている。
【００１１】また本発明は、上部コア層を軟磁性特性の
優れた高比抵抗の磁性材料で形成できるようにして、高
い周波数での記録特性を向上できるようにした薄膜磁気
ヘッドを提供することを目的としている。
優れた高比抵抗の磁性材料で形成できるようにして、高
い周波数での記録特性を向上できるようにした薄膜磁気
ヘッドを提供することを目的としている。
【００１２】さらに本発明は、前記コイルリード層を形
成する際にヘッド全体の層数および成膜工程を増大する
必要をなくした薄膜磁気ヘッドを提供することを目的と
している。
成する際にヘッド全体の層数および成膜工程を増大する
必要をなくした薄膜磁気ヘッドを提供することを目的と
している。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁気抵抗効果
素子層と、この磁気抵抗効果素子層に検出電流を与える
主電極層と、主電極層上に絶縁層を介して形成された下
部コア層と、記録媒体との対向部で前記下部コア層と磁
気ギャップを介して対向する上部コア層と、両コア層に
磁界を誘導するコイル層とが設けられた薄膜磁気ヘッド
において、前記主電極層と同じ材料で主電極層と同時に
形成されたコイル引出層が設けられ、前記コイル引出層
と前記コイル層の巻き中心部とが導通していることを特
徴とするものである。
素子層と、この磁気抵抗効果素子層に検出電流を与える
主電極層と、主電極層上に絶縁層を介して形成された下
部コア層と、記録媒体との対向部で前記下部コア層と磁
気ギャップを介して対向する上部コア層と、両コア層に
磁界を誘導するコイル層とが設けられた薄膜磁気ヘッド
において、前記主電極層と同じ材料で主電極層と同時に
形成されたコイル引出層が設けられ、前記コイル引出層
と前記コイル層の巻き中心部とが導通していることを特
徴とするものである。
【００１４】上記において、前記コイル引出層とコイル
層の巻き中心部との間に、前記下部コア層と同じ材質で
下部コア層と同時に形成された導電層が介在しているこ
とが好ましい。
層の巻き中心部との間に、前記下部コア層と同じ材質で
下部コア層と同時に形成された導電層が介在しているこ
とが好ましい。
【００１５】さらに、絶縁層上に前記コイル層と同じ材
質でコイル層と同時に形成されたコイルリード層が形成
されており、このコイルリード層と前記コイル引出層と
が導通されている構造とすることが可能であり、さら
に、コイル層の巻き外端から、他方のコイルリード層が
一体に延出している構造とすることも容易である。
質でコイル層と同時に形成されたコイルリード層が形成
されており、このコイルリード層と前記コイル引出層と
が導通されている構造とすることが可能であり、さら
に、コイル層の巻き外端から、他方のコイルリード層が
一体に延出している構造とすることも容易である。
【００１６】本発明ではコイル層に記録電流が流れるま
での通路は、第１コイルリード層、コイル引出層（及び
導電層）を通過してコイル層の巻き中心部に至る経路
と、第２コイルリード層からコイル層の巻き外端に至る
経路となる。前記コイル引出層は主電極と同じ比抵抗の
低い材質で形成され、前記第１コイルリード層及び第２
コイルリード層はコイル層と同じ比抵抗の低い材質で形
成されるため、前記コイル引出層、第１コイルリード層
及び第２コイルリード層およびコイル層のインピーダン
スが低くなる。
での通路は、第１コイルリード層、コイル引出層（及び
導電層）を通過してコイル層の巻き中心部に至る経路
と、第２コイルリード層からコイル層の巻き外端に至る
経路となる。前記コイル引出層は主電極と同じ比抵抗の
低い材質で形成され、前記第１コイルリード層及び第２
コイルリード層はコイル層と同じ比抵抗の低い材質で形
成されるため、前記コイル引出層、第１コイルリード層
及び第２コイルリード層およびコイル層のインピーダン
スが低くなる。
【００１７】また、導電層は、下部コア層と同じ比抵抗
の高い磁性材料で形成されるが、前記導電層の体積はき
わめて小さいため、この導電層の抵抗値はほとんど無視
できる微小なものとなる。
の高い磁性材料で形成されるが、前記導電層の体積はき
わめて小さいため、この導電層の抵抗値はほとんど無視
できる微小なものとなる。
【００１８】また、下部コア層及び上部コア層は、コイ
ルリード層と別個のものであるため、下部コア層と上部
コア層を構成する軟磁性材料を、コイル層への記録電流
経路のインピーダンスと無関係に選択でき、パーマロイ
など以外の高飽和磁束密度、低保磁力、高比抵抗の軟磁
性材料を選択することにより、記録媒体への高い周波数
での記録特性を向上できる。
ルリード層と別個のものであるため、下部コア層と上部
コア層を構成する軟磁性材料を、コイル層への記録電流
経路のインピーダンスと無関係に選択でき、パーマロイ
など以外の高飽和磁束密度、低保磁力、高比抵抗の軟磁
性材料を選択することにより、記録媒体への高い周波数
での記録特性を向上できる。
【００１９】また、前記コイル引出層は主電極層の形成
と同じ工程で形成され、第１コイルリード層及び第２コ
イルリード層はコイル層の形成と同じ工程で形成される
ため、前記コイル引出層、第１コイルリード層及び第２
コイルリード層を形成するために、層の構造を従来より
も多くする必要がない。
と同じ工程で形成され、第１コイルリード層及び第２コ
イルリード層はコイル層の形成と同じ工程で形成される
ため、前記コイル引出層、第１コイルリード層及び第２
コイルリード層を形成するために、層の構造を従来より
も多くする必要がない。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明について図面を参照
して説明する。図１は本発明の薄膜磁気ヘッドの断面図
である。図２は薄膜磁気ヘッドの絶縁層１４および上部
コア層１５が形成される前の状態を示す斜視図である。
なお、図１は図２のＩ−Ｉ線断面に相当する断面図であ
る。この薄膜磁気ヘッドは、ハードディスク装置などに
設けられる浮上式磁気ヘッドのスライダのトレーリング
側端面に設けられるものであり、磁気抵抗効果を利用し
た読み出しヘッドｈ１と、書き込み用のインダクティブ
ヘッドｈ２とが積層されたものである。下部シールド層
１から下部コア層（上部シールド層）８までが読み出し
ヘッドｈ１であり、下部コア層８よりも上の部分が書き
込み用のインダクティブヘッドｈ２である。
して説明する。図１は本発明の薄膜磁気ヘッドの断面図
である。図２は薄膜磁気ヘッドの絶縁層１４および上部
コア層１５が形成される前の状態を示す斜視図である。
なお、図１は図２のＩ−Ｉ線断面に相当する断面図であ
る。この薄膜磁気ヘッドは、ハードディスク装置などに
設けられる浮上式磁気ヘッドのスライダのトレーリング
側端面に設けられるものであり、磁気抵抗効果を利用し
た読み出しヘッドｈ１と、書き込み用のインダクティブ
ヘッドｈ２とが積層されたものである。下部シールド層
１から下部コア層（上部シールド層）８までが読み出し
ヘッドｈ１であり、下部コア層８よりも上の部分が書き
込み用のインダクティブヘッドｈ２である。
【００２１】前記トレーリング側端面にセンダスト（Ｆ
ｅ―Ａｌ―Ｓｉ系合金）またはパーマロイで形成された
下部シールド層１が設けられ、下部シールド層１の上に
Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）などの絶縁材料で形成された下部
ギャップ層２が設けられている。下部ギャップ層２上に
は磁気抵抗効果素子層３が形成されている。この磁気抵
抗効果素子層３は三層構造であり、下からＳＡＬ膜（Ｎ
ｉ―Ｆｅ―Ｎｂ系合金）、非磁性材料製のＳＨＵＮＴ膜
（例えばＴａ（タンタル））、磁気抵抗効果を有するＭ
Ｒ膜（Ｆｅ―Ｎｉ系合金）である。そして、磁気抵抗効
果素子層３に縦バイアス磁界を与えるハードバイアス層
４が磁気抵抗効果素子層３の側方に接して形成されてい
る。
ｅ―Ａｌ―Ｓｉ系合金）またはパーマロイで形成された
下部シールド層１が設けられ、下部シールド層１の上に
Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）などの絶縁材料で形成された下部
ギャップ層２が設けられている。下部ギャップ層２上に
は磁気抵抗効果素子層３が形成されている。この磁気抵
抗効果素子層３は三層構造であり、下からＳＡＬ膜（Ｎ
ｉ―Ｆｅ―Ｎｂ系合金）、非磁性材料製のＳＨＵＮＴ膜
（例えばＴａ（タンタル））、磁気抵抗効果を有するＭ
Ｒ膜（Ｆｅ―Ｎｉ系合金）である。そして、磁気抵抗効
果素子層３に縦バイアス磁界を与えるハードバイアス層
４が磁気抵抗効果素子層３の側方に接して形成されてい
る。
【００２２】磁気抵抗効果素子層３の両側に設けられた
前記ハードバイアス層４には、それぞれ磁気抵抗効果素
子層３に検出電流を与える主電極層５が形成されてい
る。前記主電極層５はＷ（タングステン）やＣｕ（銅）
またはＡｕ（金）などの電気抵抗の低い非磁性導電性材
料で形成されている。また、下部ギャップ層２上には主
電極層５と同じ材質で主電極層５と同時に形成され且つ
主電極層５と分離されたコイル引出層６が設けられてい
る。このコイル引出層６は以下の工程で形成される。
前記ハードバイアス層４には、それぞれ磁気抵抗効果素
子層３に検出電流を与える主電極層５が形成されてい
る。前記主電極層５はＷ（タングステン）やＣｕ（銅）
またはＡｕ（金）などの電気抵抗の低い非磁性導電性材
料で形成されている。また、下部ギャップ層２上には主
電極層５と同じ材質で主電極層５と同時に形成され且つ
主電極層５と分離されたコイル引出層６が設けられてい
る。このコイル引出層６は以下の工程で形成される。
【００２３】磁気抵抗効果素子層３の上、及びハードバ
イアス層４上ならびに下部ギャップ層２の上に全面的に
電気抵抗の低い非磁性導電性材料の層が、スパッタ法や
蒸着法により形成される。そして、前記主電極層５及び
コイル引出層６となる層のみを残して、他の非磁性導電
性材料が湿式エッチングまたはドライエッチングにより
除去される。また磁気抵抗効果素子層３の材料及びハー
ドバイアス層４の材料と、主電極層５を形成する非磁性
導電材料との間に湿式エッチングまたはドライエッチン
グによるエッチング選択性がない場合、主電極層５及び
コイル引出層６のパターン以外の領域にレジスト層が形
成され、電気抵抗の低い非磁性材料が低温スパッタ法
（ＡＣ、ＲＦマグネトロン、イオンビームスパッタ）に
より成膜され、前記レジスト層が除去される。このよう
にして、主電極層５及びコイル引出層６が同じ材料で且
つ同じ成膜工程で形成される。また前記コイル引出層６
は、後で形成されるコイル層１２の一番外側のコイル１
２ｃよりも一定の寸法Ｔ1だけ外側に突出する位置まで
延ばされ、また前記主電極層５と前記コイル引出層６の
間には隙間Ｔａが形成されて互いに分離される。
イアス層４上ならびに下部ギャップ層２の上に全面的に
電気抵抗の低い非磁性導電性材料の層が、スパッタ法や
蒸着法により形成される。そして、前記主電極層５及び
コイル引出層６となる層のみを残して、他の非磁性導電
性材料が湿式エッチングまたはドライエッチングにより
除去される。また磁気抵抗効果素子層３の材料及びハー
ドバイアス層４の材料と、主電極層５を形成する非磁性
導電材料との間に湿式エッチングまたはドライエッチン
グによるエッチング選択性がない場合、主電極層５及び
コイル引出層６のパターン以外の領域にレジスト層が形
成され、電気抵抗の低い非磁性材料が低温スパッタ法
（ＡＣ、ＲＦマグネトロン、イオンビームスパッタ）に
より成膜され、前記レジスト層が除去される。このよう
にして、主電極層５及びコイル引出層６が同じ材料で且
つ同じ成膜工程で形成される。また前記コイル引出層６
は、後で形成されるコイル層１２の一番外側のコイル１
２ｃよりも一定の寸法Ｔ1だけ外側に突出する位置まで
延ばされ、また前記主電極層５と前記コイル引出層６の
間には隙間Ｔａが形成されて互いに分離される。
【００２４】７は、アルミナなどの絶縁性材料（非磁性
材料）で形成された上部ギャップ層である。この上部ギ
ャップ層７は、磁気抵抗効果素子層３、主電極層５及び
コイル引出層６の上を覆うように全面的にスパッタ法な
どで形成される。上部ギャップ層７が成膜された後に、
後述する導電層９の下端部９ａが介入するための最小幅
寸法がＴ2となる穴がイオンミリングなどにより形成さ
れる。前記上部ギャップ層７の上には、Ｆｅ―Ｎｉ系合
金（パーマロイ）、あるいは後に説明する比抵抗の高い
軟磁性材料で形成された下部コア層８が設けられる。な
おこの下部コア層８は、磁気抵抗効果を利用した読み出
しヘッドｈ１の上部シールド層として兼用されている。
材料）で形成された上部ギャップ層である。この上部ギ
ャップ層７は、磁気抵抗効果素子層３、主電極層５及び
コイル引出層６の上を覆うように全面的にスパッタ法な
どで形成される。上部ギャップ層７が成膜された後に、
後述する導電層９の下端部９ａが介入するための最小幅
寸法がＴ2となる穴がイオンミリングなどにより形成さ
れる。前記上部ギャップ層７の上には、Ｆｅ―Ｎｉ系合
金（パーマロイ）、あるいは後に説明する比抵抗の高い
軟磁性材料で形成された下部コア層８が設けられる。な
おこの下部コア層８は、磁気抵抗効果を利用した読み出
しヘッドｈ１の上部シールド層として兼用されている。
【００２５】前記下部コア層８の後方には導電層９が設
けられている。導電層９は下部コア層８と同じ材料で下
部コア層８と同じ工程で形成されたものである。すなわ
ち、メッキまたはスパッタなどで下部コア層８が形成さ
れるときに、上部ギャップ層７の前記幅寸法Ｔ2の穴の
部分に上部ギャップ層７と同じ磁性材料の層が形成さ
れ、この形成時に、下部コア層８と導電層９とが隙間Ｔ
ｂだけ分離される。また、前記導電層９の下端部９ａは
コイル引出層６と接続され導通される。この導電層９
は、コイル引出層６とコイル層１２とを導通させるもの
であるが、この導電層９は下部コア層８と同じ軟磁性材
料で形成されるため下部コア層８を高比抵抗材料で形成
したときの導電層９の電気抵抗を低減させるために、導
電層９の幅寸法Ｔ3（横断面での断面積）はできるだけ
大きい方が好ましい。
けられている。導電層９は下部コア層８と同じ材料で下
部コア層８と同じ工程で形成されたものである。すなわ
ち、メッキまたはスパッタなどで下部コア層８が形成さ
れるときに、上部ギャップ層７の前記幅寸法Ｔ2の穴の
部分に上部ギャップ層７と同じ磁性材料の層が形成さ
れ、この形成時に、下部コア層８と導電層９とが隙間Ｔ
ｂだけ分離される。また、前記導電層９の下端部９ａは
コイル引出層６と接続され導通される。この導電層９
は、コイル引出層６とコイル層１２とを導通させるもの
であるが、この導電層９は下部コア層８と同じ軟磁性材
料で形成されるため下部コア層８を高比抵抗材料で形成
したときの導電層９の電気抵抗を低減させるために、導
電層９の幅寸法Ｔ3（横断面での断面積）はできるだけ
大きい方が好ましい。
【００２６】次に、下部コア層８の上、導電層９の上及
び上部ギャップ層７の上に、インダクティブヘッドｈ２
での下部コア層８と上部コア層１５の先端部１５ａとの
間隔（ギャップ長Ｇｌ）を決めるギャップ層（非磁性材
料層）１０がアルミナやＳｉＯ2などでスパッタ形成さ
れる。このギャップ層１０上にポリイミドなどの有機樹
脂材料により絶縁層１１が形成される。そして、ギャッ
プ層１０および絶縁層１１は、導電層９上にて最小幅寸
法がＴ4となるように、イオンミリングなどにより除去
される。またコイル引出層６上では、上部ギャップ層
７、ギャップ層１０及び絶縁層１１が最小幅寸法がＴ5
となるようにイオンミリングなどにより除去される。
び上部ギャップ層７の上に、インダクティブヘッドｈ２
での下部コア層８と上部コア層１５の先端部１５ａとの
間隔（ギャップ長Ｇｌ）を決めるギャップ層（非磁性材
料層）１０がアルミナやＳｉＯ2などでスパッタ形成さ
れる。このギャップ層１０上にポリイミドなどの有機樹
脂材料により絶縁層１１が形成される。そして、ギャッ
プ層１０および絶縁層１１は、導電層９上にて最小幅寸
法がＴ4となるように、イオンミリングなどにより除去
される。またコイル引出層６上では、上部ギャップ層
７、ギャップ層１０及び絶縁層１１が最小幅寸法がＴ5
となるようにイオンミリングなどにより除去される。
【００２７】１２はＣｕ（銅）などの比抵抗の低い非磁
性導電性材料によって形成されたコイル層である。前記
コイル層１２は、前記絶縁層１１上に螺旋状にパターン
形成される。コイル層１２は、絶縁層１１上に形成され
るレジストパターンの間にメッキ工程で形成されるが、
このとき、コイル層１２の巻き中心部１２ａは、前記Ｔ
4の穴から前記導電層９に接続されて導通される。ま
た、図２に示すように、コイル層１２の巻き外端１２ｂ
では、第２コイルリード層１６がコイル層１２の形成時
に同時に一体に形成される。この第２コイルリード層１
６は、コイル層１２から外方に向けて延出されている。
性導電性材料によって形成されたコイル層である。前記
コイル層１２は、前記絶縁層１１上に螺旋状にパターン
形成される。コイル層１２は、絶縁層１１上に形成され
るレジストパターンの間にメッキ工程で形成されるが、
このとき、コイル層１２の巻き中心部１２ａは、前記Ｔ
4の穴から前記導電層９に接続されて導通される。ま
た、図２に示すように、コイル層１２の巻き外端１２ｂ
では、第２コイルリード層１６がコイル層１２の形成時
に同時に一体に形成される。この第２コイルリード層１
６は、コイル層１２から外方に向けて延出されている。
【００２８】さらに、前記コイル層１２および第２コイ
ルリード層１６のメッキ形成と同じ工程で、コイル層１
２と同じＣｕなどの低比抵抗材料により、第１コイルリ
ード層１３が形成される。図１に示すように、第１コイ
ルリード層１３の接続端部１３ａは、上部ギャップ層
７、ギャップ層１０および絶縁層１１を貫通する前記幅
寸法Ｔ5の穴を介して、前記コイル引出層６に接続され
て導通される。
ルリード層１６のメッキ形成と同じ工程で、コイル層１
２と同じＣｕなどの低比抵抗材料により、第１コイルリ
ード層１３が形成される。図１に示すように、第１コイ
ルリード層１３の接続端部１３ａは、上部ギャップ層
７、ギャップ層１０および絶縁層１１を貫通する前記幅
寸法Ｔ5の穴を介して、前記コイル引出層６に接続され
て導通される。
【００２９】また、図２に示すように、絶縁層１１上に
は、電極リード層２１と２２が設けられている。この電
極リード層２１と２２は、前記コイル層１２と第２コイ
ルリード層１６および第１コイルリード層１３と同じＣ
ｕなどの非磁性導電性材料により、同じメッキ工程によ
り形成されたものである。この電極リード層２１と２２
のそれぞれの接続端部２１ａと２２ａは、下部コア層８
の形成領域外において、上部ギャップ層７、ギャップ層
１０および絶縁層１１に形成された穴を介して各主電極
層５，５に接続されて導通されている。
は、電極リード層２１と２２が設けられている。この電
極リード層２１と２２は、前記コイル層１２と第２コイ
ルリード層１６および第１コイルリード層１３と同じＣ
ｕなどの非磁性導電性材料により、同じメッキ工程によ
り形成されたものである。この電極リード層２１と２２
のそれぞれの接続端部２１ａと２２ａは、下部コア層８
の形成領域外において、上部ギャップ層７、ギャップ層
１０および絶縁層１１に形成された穴を介して各主電極
層５，５に接続されて導通されている。
【００３０】すなわち、コイル層１２、第１コイルリー
ド層１３、第２コイルリード層１６、電極リード層２
１，２２は同時に形成されるが、その工程では、絶縁層
１１上の前記各層以外の領域にレジストパターンが形成
され、このレジストパターン間にＣｕなどの非磁性導電
性材料がメッキ形成される。前記各層が形成された後、
その上にポリイミドなどの有機材料による絶縁層１４が
形成される。さらに、その上にパーマロイなどまたはさ
らに軟磁性特性の優れた高比抵抗材料により上部コア層
１５が形成される。この上部コア層１５は、メッキやス
パッタにより形成され、上部コア層１５の先端部１５ａ
は下部コア層８上にギャップ層１０を介してギャップ長
Ｇｌにて接合される。またギャップ層１０、絶縁層１１
および絶縁層１４を貫通する最小幅寸法Ｔ6の穴が形成
され、上部コア層１５の基端部１５ｂが、前記穴を介し
て下部コア層８と磁気的に接続される。また、上部コア
層１５上にはアルミナなどの非磁性材料で形成された保
護膜（図示しない）が設けられる。
ド層１３、第２コイルリード層１６、電極リード層２
１，２２は同時に形成されるが、その工程では、絶縁層
１１上の前記各層以外の領域にレジストパターンが形成
され、このレジストパターン間にＣｕなどの非磁性導電
性材料がメッキ形成される。前記各層が形成された後、
その上にポリイミドなどの有機材料による絶縁層１４が
形成される。さらに、その上にパーマロイなどまたはさ
らに軟磁性特性の優れた高比抵抗材料により上部コア層
１５が形成される。この上部コア層１５は、メッキやス
パッタにより形成され、上部コア層１５の先端部１５ａ
は下部コア層８上にギャップ層１０を介してギャップ長
Ｇｌにて接合される。またギャップ層１０、絶縁層１１
および絶縁層１４を貫通する最小幅寸法Ｔ6の穴が形成
され、上部コア層１５の基端部１５ｂが、前記穴を介し
て下部コア層８と磁気的に接続される。また、上部コア
層１５上にはアルミナなどの非磁性材料で形成された保
護膜（図示しない）が設けられる。
【００３１】次に、前記インダクティブヘッドｈ２の動
作について説明する。記録電流の経路は、第１コイルリ
ード層１３からコイル引出層６、導電層９を経てコイル
層１２の巻き中心部１２ａに至る。ここで前記第１コイ
ルリード層１３は比抵抗の低いコイル層１２と同じ材質
で形成され、またコイル引出層６は比抵抗の低い主電極
層５と同じ材質で形成されているため、前記第１コイル
リード層１３及び前記コイル引出層６の電気抵抗は低く
なっている。また、前記導電層９は比抵抗が高い下部コ
ア層８と同じ軟磁性材料で形成されているが、導電層９
の電流方向の寸法がきわめて短いため、導電層９の電気
抵抗はきわめて微小である。また第２コイルリード層１
６も比抵抗の低いコイル層１２と同じ材質で形成されて
いるため、前記第２コイルリード層１６の電気抵抗は低
くなっている。以上から、コイル層１２への電流経路の
インピーダンスが低くなり、ノイズを低減できる。
作について説明する。記録電流の経路は、第１コイルリ
ード層１３からコイル引出層６、導電層９を経てコイル
層１２の巻き中心部１２ａに至る。ここで前記第１コイ
ルリード層１３は比抵抗の低いコイル層１２と同じ材質
で形成され、またコイル引出層６は比抵抗の低い主電極
層５と同じ材質で形成されているため、前記第１コイル
リード層１３及び前記コイル引出層６の電気抵抗は低く
なっている。また、前記導電層９は比抵抗が高い下部コ
ア層８と同じ軟磁性材料で形成されているが、導電層９
の電流方向の寸法がきわめて短いため、導電層９の電気
抵抗はきわめて微小である。また第２コイルリード層１
６も比抵抗の低いコイル層１２と同じ材質で形成されて
いるため、前記第２コイルリード層１６の電気抵抗は低
くなっている。以上から、コイル層１２への電流経路の
インピーダンスが低くなり、ノイズを低減できる。
【００３２】前記コイル層１２に記録電流が流される
と、下部コア層８及び上部コア層１５に記録磁界が誘導
され、磁気ギャップ長Ｇｌの部分での下部コア層８と上
部コア層１５の先端部１５ａから洩れ磁界となり、記録
媒体に磁気信号が記録される。記録磁界が誘導される下
部コア層８及び上部コア層１５は、コイル層１２への記
録電流の経路とは無関係な材料で形成されるため、下部
コア層８および上部コア層１５を構成する軟磁性材料を
コイルへの通電経路とは無関係に自由に選択することが
でき、例えば前記下部コア層８及び上部コア層１５を共
にＦｅ―Ｎｉ系合金（パーマロイ）により形成してもよ
いし、あるいはパーマロイよりもさらに比抵抗の高い軟
磁性材料で形成することも可能である。比抵抗の高い軟
磁性材料で下部コア層８と上部コア層１５を形成するこ
とにより、高い周波数の記録磁界の渦電流損を低減で
き、高周波記録特性を向上できる。
と、下部コア層８及び上部コア層１５に記録磁界が誘導
され、磁気ギャップ長Ｇｌの部分での下部コア層８と上
部コア層１５の先端部１５ａから洩れ磁界となり、記録
媒体に磁気信号が記録される。記録磁界が誘導される下
部コア層８及び上部コア層１５は、コイル層１２への記
録電流の経路とは無関係な材料で形成されるため、下部
コア層８および上部コア層１５を構成する軟磁性材料を
コイルへの通電経路とは無関係に自由に選択することが
でき、例えば前記下部コア層８及び上部コア層１５を共
にＦｅ―Ｎｉ系合金（パーマロイ）により形成してもよ
いし、あるいはパーマロイよりもさらに比抵抗の高い軟
磁性材料で形成することも可能である。比抵抗の高い軟
磁性材料で下部コア層８と上部コア層１５を形成するこ
とにより、高い周波数の記録磁界の渦電流損を低減で
き、高周波記録特性を向上できる。
【００３３】パーマロイに比べて比抵抗が高く、且つ高
飽和磁束密度で、低保磁力の軟磁性材料としては、以下
に示すものを例示できる。
飽和磁束密度で、低保磁力の軟磁性材料としては、以下
に示すものを例示できる。
【００３４】（１）組成式がＦｅaＭbＯcで示され、組
成比a、b、cは原子％で、 ５０≦a≦７０ ５≦b≦３０ １０≦c≦３０ a＋b＋c＝１００ なる関係を満足することを特徴とする軟磁性材料。Ｆｅ
は主成分であり、磁性を担う元素である。Ｍは希土類元
素のうち１種類か２種類の元素、または周期表の４Ａ
族、５Ａ族、６Ａ族のうち１種類か２種類以上の元素で
構成されている。これらは酸素と結合することで酸化物
を形成し、前記酸化物の含有量を調節することで比抵抗
を高めることができる。好ましくは、ｂｃｃ構造のＦｅ
の微結晶相と、元素ＭとＯを多量に含む非晶質相とが混
在したもので、Ｆｅの微結晶相の比率が５０％以下であ
る。
成比a、b、cは原子％で、 ５０≦a≦７０ ５≦b≦３０ １０≦c≦３０ a＋b＋c＝１００ なる関係を満足することを特徴とする軟磁性材料。Ｆｅ
は主成分であり、磁性を担う元素である。Ｍは希土類元
素のうち１種類か２種類の元素、または周期表の４Ａ
族、５Ａ族、６Ａ族のうち１種類か２種類以上の元素で
構成されている。これらは酸素と結合することで酸化物
を形成し、前記酸化物の含有量を調節することで比抵抗
を高めることができる。好ましくは、ｂｃｃ構造のＦｅ
の微結晶相と、元素ＭとＯを多量に含む非晶質相とが混
在したもので、Ｆｅの微結晶相の比率が５０％以下であ
る。
【００３５】（２）組成式が（Ｃｏ1-cＴc）xＭyＱzＸw
Ｙsで示され、組成比を示すcは ０．０５≦c≦０．５ y、z、w、sは原子％で、 ３≦y≦３０ ７≦z≦４０ ０≦w≦２０ ０≦s≦２０ なる関係を満足することを特徴とする軟磁性材料。Ｔは
Ｆｅ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｍｎ，Ａｌのうち１種類または２種
類以上の元素で構成されている。また前記ＴとＣｏ（コ
バルト）は主成分である。ＭはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗのうち１種類または２種類以上の元
素と希土類元素のうち１種類または２種類以上の元素で
構成されている。ＱはＯ，Ｃ，Ｂのうち１種類または２
種類以上の元素で構成されている。ＸはＳｉまたはＣｒ
のうち１種類または２種類の元素で構成されている。Ｙ
はＡｕ，Ａｇと白金属の元素のうち１種類または２種類
以上の元素で構成されている。
Ｙsで示され、組成比を示すcは ０．０５≦c≦０．５ y、z、w、sは原子％で、 ３≦y≦３０ ７≦z≦４０ ０≦w≦２０ ０≦s≦２０ なる関係を満足することを特徴とする軟磁性材料。Ｔは
Ｆｅ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｍｎ，Ａｌのうち１種類または２種
類以上の元素で構成されている。また前記ＴとＣｏ（コ
バルト）は主成分である。ＭはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗのうち１種類または２種類以上の元
素と希土類元素のうち１種類または２種類以上の元素で
構成されている。ＱはＯ，Ｃ，Ｂのうち１種類または２
種類以上の元素で構成されている。ＸはＳｉまたはＣｒ
のうち１種類または２種類の元素で構成されている。Ｙ
はＡｕ，Ａｇと白金属の元素のうち１種類または２種類
以上の元素で構成されている。
【００３６】好ましくは、ｆｃｃ構造のＣｏを主成分と
する微結晶と、ｂｃｃ構造のＦｅを主成分とする微結晶
からなる微結晶相と、前記ＭとＯを多量に含む非晶質と
が混在したもので、微結晶相の比率が５０％以下であ
る。また、読み出しヘッドｈ１の読み取り動作では、電
極リード層２１と２２から主電極層５を介して、磁気抵
抗効果素子層３に検出電流が与えられ、磁気抵抗効果素
子層３の磁気抵抗効果により、ハードディスクなどの記
録媒体からの洩れ磁界が検出される。
する微結晶と、ｂｃｃ構造のＦｅを主成分とする微結晶
からなる微結晶相と、前記ＭとＯを多量に含む非晶質と
が混在したもので、微結晶相の比率が５０％以下であ
る。また、読み出しヘッドｈ１の読み取り動作では、電
極リード層２１と２２から主電極層５を介して、磁気抵
抗効果素子層３に検出電流が与えられ、磁気抵抗効果素
子層３の磁気抵抗効果により、ハードディスクなどの記
録媒体からの洩れ磁界が検出される。
【００３７】前記第１コイルリード層１３、第２コイル
リード層１６、電極リード層２１、２２は、コイル層１
２と同じ工程で形成でき、コイル引出層６は主電極層５
と同じ工程で形成でき、さらに導電層９は下部コア層８
と同じ工程で形成できるため、層の構成が多くなること
がなく、ヘッド全体の製造工程が従来よりも複雑になる
ことはない。
リード層１６、電極リード層２１、２２は、コイル層１
２と同じ工程で形成でき、コイル引出層６は主電極層５
と同じ工程で形成でき、さらに導電層９は下部コア層８
と同じ工程で形成できるため、層の構成が多くなること
がなく、ヘッド全体の製造工程が従来よりも複雑になる
ことはない。
【００３８】なお、図１では、コイル引出層６とコイル
層１２とが導電層９を介して接続されているが、この導
電層９を下部コア層８と異なる導電性材料で形成しても
よいし、あるいは導電層９を設けず、コイル引出層６と
コイル層１２とが直接に接続されてもよい。
層１２とが導電層９を介して接続されているが、この導
電層９を下部コア層８と異なる導電性材料で形成しても
よいし、あるいは導電層９を設けず、コイル引出層６と
コイル層１２とが直接に接続されてもよい。
【００３９】また、読み出しヘッドｈ１において、磁気
抵抗効果素子層３以外の領域で、下部ギャップ層２の上
に上部ギャップ層７が積層され、その上に主電極層５及
びコイル引出層６が形成される構造であってもよい。こ
の場合には、主電極層５およびコイル引出層６の上に、
有機材料または無機材料の絶縁層が形成され、この絶縁
層上に、下部コア層８と導電層９とが形成され、導電層
９が前記絶縁層に形成された穴を介してコイル引出層９
に導通接続されたものとなる。
抵抗効果素子層３以外の領域で、下部ギャップ層２の上
に上部ギャップ層７が積層され、その上に主電極層５及
びコイル引出層６が形成される構造であってもよい。こ
の場合には、主電極層５およびコイル引出層６の上に、
有機材料または無機材料の絶縁層が形成され、この絶縁
層上に、下部コア層８と導電層９とが形成され、導電層
９が前記絶縁層に形成された穴を介してコイル引出層９
に導通接続されたものとなる。
【００４０】
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、コイル層
に記録電流が流れるまでの通路がコイル引出層およびコ
イルリード層で構成されており、
に記録電流が流れるまでの通路がコイル引出層およびコ
イルリード層で構成されており、
【００４１】（イ）前記コイル引出層は、主電極層と同
じ比抵抗の低い材質で形成され、コイルリード層はコイ
ル層と同じ比抵抗の低い材質で形成されているため、コ
イル層およびその通電路のインピーダンスをいずれも低
くできる。
じ比抵抗の低い材質で形成され、コイルリード層はコイ
ル層と同じ比抵抗の低い材質で形成されているため、コ
イル層およびその通電路のインピーダンスをいずれも低
くできる。
【００４２】（ロ）コイル層への記録電流の経路と、下
部コア層及び上部コア層を異なる材料で形成できる。よ
って、下部コア層及び上部コア層を比抵抗の高い軟磁性
材料で形成することができ、高周波記録での渦電流損な
どを低減でき、記録特性を向上できる。
部コア層及び上部コア層を異なる材料で形成できる。よ
って、下部コア層及び上部コア層を比抵抗の高い軟磁性
材料で形成することができ、高周波記録での渦電流損な
どを低減でき、記録特性を向上できる。
【００４３】（ハ）コイル引出層は主電極層と同時に形
成され、コイルリード層はコイル層と同時に形成される
ため、コイル引出層およびコイルリード層の製造工程を
新たに設ける必要がない。
成され、コイルリード層はコイル層と同時に形成される
ため、コイル引出層およびコイルリード層の製造工程を
新たに設ける必要がない。
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの構造を示す図２のＩ
―Ｉ線断面に相当する拡大断面図、
―Ｉ線断面に相当する拡大断面図、
【図２】本発明の薄膜磁気ヘッドを、絶縁層と上部コア
層とが形成される前の状態で示す斜視図、
層とが形成される前の状態で示す斜視図、
【図３】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す拡大断面
図、
図、
【図４】従来の薄膜磁気ヘッドでのコイル層への通電経
路を示す部分平面図、
路を示す部分平面図、
５ 主電極層 ６ コイル引出層 ８ 下部コア層 ９ 導電層 １２ コイル層 １２ａ 巻き中心部 １２ｂ 巻き外端 １３ 第１コイルリード層 １５ 上部コア層 １６ 第２コイルリード層 ｈ１ 読み出しヘッド ｈ２ インダクティブヘッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/39 G11B 5/31
Claims (4)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子層と、この磁気抵抗効
果素子層に検出電流を与える主電極層と、主電極層上に
絶縁層を介して形成された下部コア層と、記録媒体との
対向部で前記下部コア層と磁気ギャップを介して対向す
る上部コア層と、両コア層に磁界を誘導するコイル層と
が設けられた薄膜磁気ヘッドにおいて、前記主電極層と
同じ材料で主電極層と同時に形成されたコイル引出層が
設けられ、前記コイル引出層と前記コイル層の巻き中心
部とが導通していることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記コイル引出層とコイル層の巻き中心
部との間に、前記下部コア層と同じ材質で下部コア層と
同時に形成された導電層が介在している請求項１記載の
薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 絶縁層上に前記コイル層と同じ材質でコ
イル層と同時に形成されたコイルリード層が形成されて
おり、このコイルリード層と前記コイル引出層とが導通
されている請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 コイル層の巻き外端から、他方のコイル
リード層が一体に延出している請求項１ないし３のいず
れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
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