JP3291099B2 - 軟磁性合金および平面型磁気素子 - Google Patents
軟磁性合金および平面型磁気素子Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば磁気ヘッド用コ
ア、薄膜インダクタ、薄膜トランス、スイッチング素子
などの磁気素子に適した軟磁性合金およびそれを用いた
平面型磁気素子に関する。
ア、薄膜インダクタ、薄膜トランス、スイッチング素子
などの磁気素子に適した軟磁性合金およびそれを用いた
平面型磁気素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気素子の小型化、高性能化に伴い、数
１００ＭＨｚ以上の周波数における透磁率の高い軟磁性
材料、特に５ｋＧ以上の高い飽和磁束密度と共に、高い
比抵抗を有し、かつ低い保磁力を有するものが希求され
ている。中でもトランスにおいては高い比抵抗を有する
ものが特に求められている。高い飽和磁束密度をもつ磁
性材料としてはＦｅあるいはＦｅを主成分とする合金が
多く知られているが、スパッタ法などの成膜技術により
これらの合金の磁性膜を作成すると、飽和磁束密度は高
いものの、保磁力が大きく、また比抵抗が小さくなって
しまい良好な軟磁気特性を得ることは困難であった。
１００ＭＨｚ以上の周波数における透磁率の高い軟磁性
材料、特に５ｋＧ以上の高い飽和磁束密度と共に、高い
比抵抗を有し、かつ低い保磁力を有するものが希求され
ている。中でもトランスにおいては高い比抵抗を有する
ものが特に求められている。高い飽和磁束密度をもつ磁
性材料としてはＦｅあるいはＦｅを主成分とする合金が
多く知られているが、スパッタ法などの成膜技術により
これらの合金の磁性膜を作成すると、飽和磁束密度は高
いものの、保磁力が大きく、また比抵抗が小さくなって
しまい良好な軟磁気特性を得ることは困難であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】また、高周波数におけ
る透磁率低下の原因の一つに渦電流の発生による損失が
ある。この高周波透磁率の低下の一因である渦電流損失
を防ぐために、薄膜化および薄膜の高抵抗化を図ること
が望まれている。しかしながら、磁気特性を保ったまま
比抵抗を高めることは非常に難しく、センダスト等の合
金系の軟磁性薄膜の比抵抗は、数十〜百数十μΩ・cm程
度と小さく、少なくとも０.５Ｔ以上の飽和磁束密度を
確保しながら比抵抗を高めた軟磁性合金が求められてい
る。また、合金を薄膜として得る場合には、磁歪の発生
などの影響により良好な軟磁気特性を得ることはさらに
困難である。
る透磁率低下の原因の一つに渦電流の発生による損失が
ある。この高周波透磁率の低下の一因である渦電流損失
を防ぐために、薄膜化および薄膜の高抵抗化を図ること
が望まれている。しかしながら、磁気特性を保ったまま
比抵抗を高めることは非常に難しく、センダスト等の合
金系の軟磁性薄膜の比抵抗は、数十〜百数十μΩ・cm程
度と小さく、少なくとも０.５Ｔ以上の飽和磁束密度を
確保しながら比抵抗を高めた軟磁性合金が求められてい
る。また、合金を薄膜として得る場合には、磁歪の発生
などの影響により良好な軟磁気特性を得ることはさらに
困難である。
【０００４】本発明は前記課題を解決するためになされ
たもので、高周波用などの磁性材料として高い比抵抗を
有する軟磁性合金を提供すること、およびそれを用いた
平面磁気素子を提供することにある。
たもので、高周波用などの磁性材料として高い比抵抗を
有する軟磁性合金を提供すること、およびそれを用いた
平面磁気素子を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の軟磁性合
金は、平均結晶粒径が１０ｎｍ以下のｂｃｃ構造のＦｅ
からなる微結晶相と希土類元素とＯを含む非晶質相とが
混在されてなるとともに、全組織に占めるｂｃｃ構造の
Ｆｅの微結晶相の比率が５０％以下であり、かつ比抵抗
が４００〜１０００μΩ・cmであり、更に組成式がＦｅ
aＭbＯcで示され、Ｍは希土類元素のうち少なくとも一
種の元素またはそれらの混合物を表し、組成比ａ，ｂ，
ｃは原子％で、５０≦ａ≦７０、５≦ｂ≦３０、１９．
２≦ｃ≦３０、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００なる関係を満足する
ことを特徴とするものである。
金は、平均結晶粒径が１０ｎｍ以下のｂｃｃ構造のＦｅ
からなる微結晶相と希土類元素とＯを含む非晶質相とが
混在されてなるとともに、全組織に占めるｂｃｃ構造の
Ｆｅの微結晶相の比率が５０％以下であり、かつ比抵抗
が４００〜１０００μΩ・cmであり、更に組成式がＦｅ
aＭbＯcで示され、Ｍは希土類元素のうち少なくとも一
種の元素またはそれらの混合物を表し、組成比ａ，ｂ，
ｃは原子％で、５０≦ａ≦７０、５≦ｂ≦３０、１９．
２≦ｃ≦３０、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００なる関係を満足する
ことを特徴とするものである。
【０００６】請求項２記載の発明は、３００℃〜６００
℃で熱処理が施されていることを特徴とする請求項１記
載の軟磁性合金である。
℃で熱処理が施されていることを特徴とする請求項１記
載の軟磁性合金である。
【０００７】請求項３記載の軟磁性合金は、平均結晶粒
径が１０ｎｍ以下のｂｃｃ構造のＦｅからなる微結晶相
とＺｒ，Ｈｆから選ばれる少なくとも一種以上の元素と
Ｏを含む非晶質相とが混在されてなるとともに、全組織
に占めるｂｃｃ構造のＦｅの微結晶相の比率が５０％以
下であり、かつ比抵抗が４００〜１０００μΩ・cmであ
り、更に組成式がＦｅdＭ’eＯfで示され、Ｍ’は、Ｚ
ｒ，Ｈｆから選ばれた少なくとも一種の元素またはそれ
らの混合物を表し、組成比ｄ，ｅ，ｆは原子％で、４５
≦ｄ≦７０、５≦ｅ≦３０、２３．４≦ｆ≦４０、ｄ＋
ｅ＋ｆ＝１００なる関係を満足することを特徴とするも
のである。
径が１０ｎｍ以下のｂｃｃ構造のＦｅからなる微結晶相
とＺｒ，Ｈｆから選ばれる少なくとも一種以上の元素と
Ｏを含む非晶質相とが混在されてなるとともに、全組織
に占めるｂｃｃ構造のＦｅの微結晶相の比率が５０％以
下であり、かつ比抵抗が４００〜１０００μΩ・cmであ
り、更に組成式がＦｅdＭ’eＯfで示され、Ｍ’は、Ｚ
ｒ，Ｈｆから選ばれた少なくとも一種の元素またはそれ
らの混合物を表し、組成比ｄ，ｅ，ｆは原子％で、４５
≦ｄ≦７０、５≦ｅ≦３０、２３．４≦ｆ≦４０、ｄ＋
ｅ＋ｆ＝１００なる関係を満足することを特徴とするも
のである。
【０００８】請求項４記載の発明は、３００℃〜６００
℃で熱処理が施されていることを特徴とする請求項３記
載の軟磁性合金である。
℃で熱処理が施されていることを特徴とする請求項３記
載の軟磁性合金である。
【０００９】請求項５記載の平面型磁気素子は、基板上
に少なくともスパイラル状の平面コイルと絶縁膜と軟磁
性合金膜とが積層され、前記軟磁性合金膜は、平均結晶
粒径が１０ｎｍ以下のｂｃｃ構造のＦｅを主体とする微
結晶相と希土類元素とＯを多量に含む非晶質相とが混在
されてなるとともに、全組織に占めるｂｃｃ構造のＦｅ
の微結晶相の比率が５０％以下であり、かつ比抵抗が４
００〜１０００μΩ・cmであり、更に組成式Ｆｅ a Ｍ b Ｏ
c で示され、Ｍは希土類元素のうち少なくとも一種の元
素またはそれらの混合物を表し、組成比ａ，ｂ，ｃは原
子％で、５０≦ａ≦７０、５≦ｂ≦３０、１９．２≦ｃ
≦３０、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００なる関係を満足するもので
あることを特徴とする。
に少なくともスパイラル状の平面コイルと絶縁膜と軟磁
性合金膜とが積層され、前記軟磁性合金膜は、平均結晶
粒径が１０ｎｍ以下のｂｃｃ構造のＦｅを主体とする微
結晶相と希土類元素とＯを多量に含む非晶質相とが混在
されてなるとともに、全組織に占めるｂｃｃ構造のＦｅ
の微結晶相の比率が５０％以下であり、かつ比抵抗が４
００〜１０００μΩ・cmであり、更に組成式Ｆｅ a Ｍ b Ｏ
c で示され、Ｍは希土類元素のうち少なくとも一種の元
素またはそれらの混合物を表し、組成比ａ，ｂ，ｃは原
子％で、５０≦ａ≦７０、５≦ｂ≦３０、１９．２≦ｃ
≦３０、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００なる関係を満足するもので
あることを特徴とする。
【００１０】請求項６記載の平面型磁気素子は、基板上
に少なくともスパイラル状の平面コイルと絶縁膜と軟磁
性合金膜とが積層され、前記軟磁性合金膜は、平均結晶
粒径が１０ｎｍ以下のｂｃｃ構造のＦｅからなる微結晶
相とＺｒ，Ｈｆから選ばれる少なくとも一種以上の元素
とＯを含む非晶質相とが混在されてなるとともに、全組
織に占めるｂｃｃ構造のＦｅの微結晶相の比率が５０％
以下であり、かつ比抵抗が４００〜１０００μΩ・cmで
あり、更に組成式ＦｅdＭ’eＯfで示され、Ｍ’は、Ｚ
ｒ，Ｈｆから選ばれた少なくとも一種の元素またはそれ
らの混合物を表し、組成比ｄ，ｅ，ｆは原子％で、４５
≦ｄ≦７０、５≦ｅ≦３０、２３．４≦ｆ≦４０、ｄ＋
ｅ＋ｆ＝１００なる関係を満足するものであることを特
徴とする。
に少なくともスパイラル状の平面コイルと絶縁膜と軟磁
性合金膜とが積層され、前記軟磁性合金膜は、平均結晶
粒径が１０ｎｍ以下のｂｃｃ構造のＦｅからなる微結晶
相とＺｒ，Ｈｆから選ばれる少なくとも一種以上の元素
とＯを含む非晶質相とが混在されてなるとともに、全組
織に占めるｂｃｃ構造のＦｅの微結晶相の比率が５０％
以下であり、かつ比抵抗が４００〜１０００μΩ・cmで
あり、更に組成式ＦｅdＭ’eＯfで示され、Ｍ’は、Ｚ
ｒ，Ｈｆから選ばれた少なくとも一種の元素またはそれ
らの混合物を表し、組成比ｄ，ｅ，ｆは原子％で、４５
≦ｄ≦７０、５≦ｅ≦３０、２３．４≦ｆ≦４０、ｄ＋
ｅ＋ｆ＝１００なる関係を満足するものであることを特
徴とする。
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【作用】本発明の軟磁性合金において、Ｆｅは主成分で
あり、磁性を担う元素である。高飽和磁束密度を得るた
めにＦｅは多いほど好ましいが、７０原子％以上あると
比抵抗が小さくなってしまう。一方、Ｆｅが本発明の範
囲未満であると比抵抗を大きくすることはできるもの
の、飽和磁束密度が小さくなってしまう。希土類元素
（すなわち、周期表の３Ａ族に属するＳｃ，Ｙ，あるい
は、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇ
ｄ，Ｔｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕなどの
ランタノイド）である元素Ｍ、および、Ｚｒ，Ｈｆから
選ばれた少なくとも一種の元素Ｍ’は、軟磁気特性を得
るために必要なものである。これらは酸素と結合し易
く、結合することで酸化物を形成する。この酸化物の含
有量を調整することによって比抵抗を高めることができ
る。一方、本願発明の組成範囲とするならば、４００〜
２.０×１０5のμΩ・ｃｍの範囲の高い比抵抗を得るこ
とができ、比抵抗を高めることで渦電流損失を低減する
ことができ、高周波透磁率の低下が抑制され、高周波特
性が改善される。特に、Ｈｆには磁歪を抑制する作用が
あるものと考えられる。
あり、磁性を担う元素である。高飽和磁束密度を得るた
めにＦｅは多いほど好ましいが、７０原子％以上あると
比抵抗が小さくなってしまう。一方、Ｆｅが本発明の範
囲未満であると比抵抗を大きくすることはできるもの
の、飽和磁束密度が小さくなってしまう。希土類元素
（すなわち、周期表の３Ａ族に属するＳｃ，Ｙ，あるい
は、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇ
ｄ，Ｔｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕなどの
ランタノイド）である元素Ｍ、および、Ｚｒ，Ｈｆから
選ばれた少なくとも一種の元素Ｍ’は、軟磁気特性を得
るために必要なものである。これらは酸素と結合し易
く、結合することで酸化物を形成する。この酸化物の含
有量を調整することによって比抵抗を高めることができ
る。一方、本願発明の組成範囲とするならば、４００〜
２.０×１０5のμΩ・ｃｍの範囲の高い比抵抗を得るこ
とができ、比抵抗を高めることで渦電流損失を低減する
ことができ、高周波透磁率の低下が抑制され、高周波特
性が改善される。特に、Ｈｆには磁歪を抑制する作用が
あるものと考えられる。
【００１６】３００〜６００℃での熱処理を施すことに
より軟磁性合金膜の内部応力が除去された状態で優れた
軟磁気特性を得ることができる。上記合金からなる軟磁
性磁性膜を作成するには、軟磁性合金膜をスパッタ、蒸
着等の薄膜形成技術により作成する。スパッタ装置とし
てはＲＦ２極スパッタ、ＤＣスパッタ、マグネトロンス
パッタ、３極スパッタ、イオンビームスパッタ、対向タ
ーゲット式スパッタ等の既存のものを使用することがで
きる。軟磁性合金膜中にＯ（酸素）を添加する方法とし
ては、Ａｒ等の不活性ガス中にＯ2ガスを混合した（Ａ
ｒ＋Ｏ2）混合ガス雰囲気中でスパッタを行なう反応性
スパッタが有効である。また、Ｆｅのターゲット上に希
土類元素等の各種ペレットを配置した複合ターゲットを
用いてＡｒ等の不活性ガス中で製作することもできる。
より軟磁性合金膜の内部応力が除去された状態で優れた
軟磁気特性を得ることができる。上記合金からなる軟磁
性磁性膜を作成するには、軟磁性合金膜をスパッタ、蒸
着等の薄膜形成技術により作成する。スパッタ装置とし
てはＲＦ２極スパッタ、ＤＣスパッタ、マグネトロンス
パッタ、３極スパッタ、イオンビームスパッタ、対向タ
ーゲット式スパッタ等の既存のものを使用することがで
きる。軟磁性合金膜中にＯ（酸素）を添加する方法とし
ては、Ａｒ等の不活性ガス中にＯ2ガスを混合した（Ａ
ｒ＋Ｏ2）混合ガス雰囲気中でスパッタを行なう反応性
スパッタが有効である。また、Ｆｅのターゲット上に希
土類元素等の各種ペレットを配置した複合ターゲットを
用いてＡｒ等の不活性ガス中で製作することもできる。
【００１７】更に、軟磁性合金の組織において、全体が
非晶質相であっても、一部にｂｃｃのＦｅの微結晶相を
含んでいても良い。微結晶相の結晶粒径が大きく結晶相
の割合の高いものは、比較的比抵抗が低くなり、酸素を
多量に含む非晶質相が組織の大半を占めるものは、比抵
抗が大きくなる傾向がある。一方、前記の優れた磁気特
性と比抵抗を具備する軟磁性合金膜を用いて基板上にス
パイラル状の平面コイルを形成するならば、優れた磁気
特性を発揮する磁気素子が得られる。
非晶質相であっても、一部にｂｃｃのＦｅの微結晶相を
含んでいても良い。微結晶相の結晶粒径が大きく結晶相
の割合の高いものは、比較的比抵抗が低くなり、酸素を
多量に含む非晶質相が組織の大半を占めるものは、比抵
抗が大きくなる傾向がある。一方、前記の優れた磁気特
性と比抵抗を具備する軟磁性合金膜を用いて基板上にス
パイラル状の平面コイルを形成するならば、優れた磁気
特性を発揮する磁気素子が得られる。
【００１８】
【実施例】（１）成膜 ＲＦマグネトロンスパッタ装置を用いて、Ｆｅターゲッ
ト上に本発明のＭまたはＭ’の各元素の各種ペレットを
配置した複合ターゲットを用い、Ａｒ＋０.１〜１.０％
Ｏの雰囲気中でスパッタを行ない、膜厚が約２μmにな
るようにスパッタ時間を調整した。主なスパッタ条件を
以下に示す。 予備排気：１×１０-6Ｔｏｒｒ以下 高周波電力：４００Ｗ Ａｒガス圧：６〜８×１０-3Ｔｏｒｒ 基板：結晶化ガラス基板（間接水冷） 電極間距離：７２mm （２）熱処理 成膜後、膜の軟磁性を改善するため、真空加熱炉中で、
無磁場あるいは磁場中で３００〜６００℃の温度範囲で
６０〜３６０分間保持し徐冷するアニール処理を行なっ
た。 （３）測定 得られた軟磁性合金膜の組成を不活性ガス融解赤外線吸
収法により求めた。
ト上に本発明のＭまたはＭ’の各元素の各種ペレットを
配置した複合ターゲットを用い、Ａｒ＋０.１〜１.０％
Ｏの雰囲気中でスパッタを行ない、膜厚が約２μmにな
るようにスパッタ時間を調整した。主なスパッタ条件を
以下に示す。 予備排気：１×１０-6Ｔｏｒｒ以下 高周波電力：４００Ｗ Ａｒガス圧：６〜８×１０-3Ｔｏｒｒ 基板：結晶化ガラス基板（間接水冷） 電極間距離：７２mm （２）熱処理 成膜後、膜の軟磁性を改善するため、真空加熱炉中で、
無磁場あるいは磁場中で３００〜６００℃の温度範囲で
６０〜３６０分間保持し徐冷するアニール処理を行なっ
た。 （３）測定 得られた軟磁性合金膜の組成を不活性ガス融解赤外線吸
収法により求めた。
【００１９】（試験１） まず、上記熱処理（２）を施す前の軟磁性合金膜の飽和
磁束密度（Ｂｓ）と保磁力（Ｈｃ）をＶＳＭにより測定
した。また、比抵抗（ρ）を４端子法により測定した。
続いて、熱処理（２）後の軟磁性合金膜の飽和磁束密度
と保磁力をＶＳＭにより測定した。また、比抵抗を４端
子法により測定した。組成がＦｅ69.8Ｓｍ11.0Ｏ19.2の
軟磁性合金膜の飽和磁束密度、保磁力、比抵抗測定結果
を図１に示す。尚、図１中、飽和磁束密度は（−○−○
−）で示し、保磁力は（−●−●−）で示し、比抵抗は
（−△−△−）で示した。同様に、組成がＦｅ69.5Ｈｏ
11.5Ｏ20.0の軟磁性合金膜の飽和磁束密度（Ｂｓ）、保
磁力（Ｈｃ）、比抵抗（ρ）の測定結果を図２に示す。
尚、図２中、飽和磁束密度は（−○−○−）で示し、保
磁力は（−●−●−）で示し、比抵抗は（−△−△−）
で示した。
磁束密度（Ｂｓ）と保磁力（Ｈｃ）をＶＳＭにより測定
した。また、比抵抗（ρ）を４端子法により測定した。
続いて、熱処理（２）後の軟磁性合金膜の飽和磁束密度
と保磁力をＶＳＭにより測定した。また、比抵抗を４端
子法により測定した。組成がＦｅ69.8Ｓｍ11.0Ｏ19.2の
軟磁性合金膜の飽和磁束密度、保磁力、比抵抗測定結果
を図１に示す。尚、図１中、飽和磁束密度は（−○−○
−）で示し、保磁力は（−●−●−）で示し、比抵抗は
（−△−△−）で示した。同様に、組成がＦｅ69.5Ｈｏ
11.5Ｏ20.0の軟磁性合金膜の飽和磁束密度（Ｂｓ）、保
磁力（Ｈｃ）、比抵抗（ρ）の測定結果を図２に示す。
尚、図２中、飽和磁束密度は（−○−○−）で示し、保
磁力は（−●−●−）で示し、比抵抗は（−△−△−）
で示した。
【００２０】図１から、組成が、Ｆｅ69.8Ｓｍ11.0Ｏ
19.2で示される本発明の軟磁性合金膜では、飽和磁束密
度は１２.１ｋＧと大きく、保磁力は１５Ｏｅと小さ
く、比抵抗が６１０μΩ・cmと大きく、優れた軟磁気特
性を示している。また、図２から組成がＦｅ69.5Ｈｏ
11.5Ｏ20.0で示される本発明の軟磁性合金膜では、飽和
磁束密度は８.９ｋＧであるものの、保磁力は６.５Ｏｅ
と小さく、比抵抗にいたっては１８００μΩ・cmと非常
に大きい値を示している。さらに、両合金とも熱処理を
施すことにより、飽和磁束密度（Ｂｓ）が増加すること
がわかる。特に、Ｆｅ69.5Ｈｏ11.5Ｏ20.0の軟磁性合金
膜においては熱処理を施すことで、飽和磁束密度を十分
に高めることができている。さらにまた、図１から、Ｆ
ｅ69.8Ｓｍ11.0Ｏ19.2の軟磁性合金膜の飽和磁束密度に
関しては熱処理温度は５００℃が最適であることがわか
る。
19.2で示される本発明の軟磁性合金膜では、飽和磁束密
度は１２.１ｋＧと大きく、保磁力は１５Ｏｅと小さ
く、比抵抗が６１０μΩ・cmと大きく、優れた軟磁気特
性を示している。また、図２から組成がＦｅ69.5Ｈｏ
11.5Ｏ20.0で示される本発明の軟磁性合金膜では、飽和
磁束密度は８.９ｋＧであるものの、保磁力は６.５Ｏｅ
と小さく、比抵抗にいたっては１８００μΩ・cmと非常
に大きい値を示している。さらに、両合金とも熱処理を
施すことにより、飽和磁束密度（Ｂｓ）が増加すること
がわかる。特に、Ｆｅ69.5Ｈｏ11.5Ｏ20.0の軟磁性合金
膜においては熱処理を施すことで、飽和磁束密度を十分
に高めることができている。さらにまた、図１から、Ｆ
ｅ69.8Ｓｍ11.0Ｏ19.2の軟磁性合金膜の飽和磁束密度に
関しては熱処理温度は５００℃が最適であることがわか
る。
【００２１】さらにまた、保磁力（Ｈｃ）に関してはＦ
ｅ69.8Ｓｍ11.0Ｏ19.2の軟磁性合金膜およびＦｅ69.5Ｈ
ｏ11.5Ｏ20.0の軟磁性合金膜ともに、４００℃の熱処理
を施すことで保磁力を最小にすることができている。し
たがって、３００℃〜６００℃の熱処理が施された本発
明の軟磁性合金膜は、高い飽和磁束密度と低い保磁力、
かつ高い比抵抗が高次元でバランスされた軟磁性合金膜
といえる。中でも熱処理温度を４００℃とすることで、
Ｆｅ69.8Ｓｍ11.0Ｏ19.2においては、飽和磁束密度は１
２.５ｋＧと高く、保磁力は１.５Ｏｅと小さく、比抵抗
は４５０μΩ・cmと大きく、またＦｅ69.5Ｈｏ11.5Ｏ
20.0においては、飽和磁束密度は１１.４ｋＧと大き
く、保磁力は１.２Ｏｅと小さく、比抵抗は７７２μΩ
・ｃｍと大きくバランスのとれた優れた高抵抗軟磁気特
性を実現している。
ｅ69.8Ｓｍ11.0Ｏ19.2の軟磁性合金膜およびＦｅ69.5Ｈ
ｏ11.5Ｏ20.0の軟磁性合金膜ともに、４００℃の熱処理
を施すことで保磁力を最小にすることができている。し
たがって、３００℃〜６００℃の熱処理が施された本発
明の軟磁性合金膜は、高い飽和磁束密度と低い保磁力、
かつ高い比抵抗が高次元でバランスされた軟磁性合金膜
といえる。中でも熱処理温度を４００℃とすることで、
Ｆｅ69.8Ｓｍ11.0Ｏ19.2においては、飽和磁束密度は１
２.５ｋＧと高く、保磁力は１.５Ｏｅと小さく、比抵抗
は４５０μΩ・cmと大きく、またＦｅ69.5Ｈｏ11.5Ｏ
20.0においては、飽和磁束密度は１１.４ｋＧと大き
く、保磁力は１.２Ｏｅと小さく、比抵抗は７７２μΩ
・ｃｍと大きくバランスのとれた優れた高抵抗軟磁気特
性を実現している。
【００２２】（試験２） Ｆｅ−Ｓｍ−Ｏ系の軟磁性合金膜とＦｅ−Ｈｏ−Ｏ系の
軟磁性合金膜において、比抵抗のＦｅ含有量依存性を試
験した。それぞれ、４００℃の熱処理を施した軟磁性合
金膜について比抵抗を測定した。測定結果を図３に示
す。尚、図３中、Ｆｅ−Ｓｍ−Ｏ系の軟磁性合金膜は
（−○−○−）で示し、Ｆｅ−Ｈｏ−Ｏ系の軟磁性合金
膜は（−●−●−）で示した。図３から、両軟磁性合金
膜ともＦｅの含有量が減少するにつれて比抵抗が急激に
増加することがわかり、少なくともＦｅの含有量を７０
％以下とすれば、４００μΩｃｍ以上の高い抵抗値を示
すことがわかる。
軟磁性合金膜において、比抵抗のＦｅ含有量依存性を試
験した。それぞれ、４００℃の熱処理を施した軟磁性合
金膜について比抵抗を測定した。測定結果を図３に示
す。尚、図３中、Ｆｅ−Ｓｍ−Ｏ系の軟磁性合金膜は
（−○−○−）で示し、Ｆｅ−Ｈｏ−Ｏ系の軟磁性合金
膜は（−●−●−）で示した。図３から、両軟磁性合金
膜ともＦｅの含有量が減少するにつれて比抵抗が急激に
増加することがわかり、少なくともＦｅの含有量を７０
％以下とすれば、４００μΩｃｍ以上の高い抵抗値を示
すことがわかる。
【００２３】（試験３） ＦｅdＨｆeＯfで示される軟磁性合金膜において、４０
０℃、回転磁場中で熱処理を６時間施したものの飽和磁
束密度および比抵抗のＨｆ含有量依存性を調べた。 試
験に供したＦｅdＨｆeＯf 軟磁性合金膜において、Ｆｅ
の原子％は４５.６以上５６.６以下、Ｏの原子％は３
３.５以上３６.９以下としてＨｆの含有量を変化させ
た。測定結果を図４，５に示す。図４から、Ｈｆの含有
量が高まると、飽和磁束密度が低下してしまうことがわ
かる。また、図５から、Ｈｆの含有量を高めることで、
比抵抗が増加することがわかる。さらに、このＦｅdＨ
ｆeＯfで示される軟磁性合金膜において、各組成比の合
金の熱処理前の飽和磁束密度と比抵抗を調べた。測定結
果を図６に示す。尚、図６において、組成比を示す各ポ
イント（・）の上部に付してある値が比抵抗（μΩ・c
m）であり、下部に付してある値が飽和磁束密度（Ｔ）
である。また、表１に、磁場中で熱処理を施した軟磁性
合金の飽和磁束密度と比抵抗に加えて、保磁力と透磁率
を示した。
０℃、回転磁場中で熱処理を６時間施したものの飽和磁
束密度および比抵抗のＨｆ含有量依存性を調べた。 試
験に供したＦｅdＨｆeＯf 軟磁性合金膜において、Ｆｅ
の原子％は４５.６以上５６.６以下、Ｏの原子％は３
３.５以上３６.９以下としてＨｆの含有量を変化させ
た。測定結果を図４，５に示す。図４から、Ｈｆの含有
量が高まると、飽和磁束密度が低下してしまうことがわ
かる。また、図５から、Ｈｆの含有量を高めることで、
比抵抗が増加することがわかる。さらに、このＦｅdＨ
ｆeＯfで示される軟磁性合金膜において、各組成比の合
金の熱処理前の飽和磁束密度と比抵抗を調べた。測定結
果を図６に示す。尚、図６において、組成比を示す各ポ
イント（・）の上部に付してある値が比抵抗（μΩ・c
m）であり、下部に付してある値が飽和磁束密度（Ｔ）
である。また、表１に、磁場中で熱処理を施した軟磁性
合金の飽和磁束密度と比抵抗に加えて、保磁力と透磁率
を示した。
【００２４】
【表１】
【００２５】図６および表１から、Ｆｅは少ない方が比
抵抗は増加することがわかる。したがって、本発明では
比抵抗を高めつつ少なくとも０.５Ｔ以上の飽和磁束密
度を保つために、Ｆｅの含有量の下限値を４５原子％と
した。また、Ｆｅが多くとも、Ｈｆが５原子％未満のも
の又はＯが１０原子％未満のものも比抵抗が小さくなっ
てしまうことがわかる。なお、表１に示したＦｅ46.2Ｈ
ｆ18.2Ｏ35.6の試料の比抵抗の値は、熱処理前において
は１９４０００μΩ・ｃｍであり、組成、熱処理温度を
変化させることにより２.０×１０5μΩ・ｃｍ程度の比
抵抗が得られることは十分期待できる。
抵抗は増加することがわかる。したがって、本発明では
比抵抗を高めつつ少なくとも０.５Ｔ以上の飽和磁束密
度を保つために、Ｆｅの含有量の下限値を４５原子％と
した。また、Ｆｅが多くとも、Ｈｆが５原子％未満のも
の又はＯが１０原子％未満のものも比抵抗が小さくなっ
てしまうことがわかる。なお、表１に示したＦｅ46.2Ｈ
ｆ18.2Ｏ35.6の試料の比抵抗の値は、熱処理前において
は１９４０００μΩ・ｃｍであり、組成、熱処理温度を
変化させることにより２.０×１０5μΩ・ｃｍ程度の比
抵抗が得られることは十分期待できる。
【００２６】（試験４）外部磁界の周波数を変化させて
透磁率（μeff）を測定した。試験に供したサンプル
は、Ｆｅ54.9Ｈｆ11Ｏ34.1、センダスト膜、Ｃｏ系アモ
ルファスリボンを使用し、回転磁場中で４００℃で６時
間の熱処理を施した。測定結果を図７に示す。尚、図７
中、Ｆｅ54.9Ｈｆ11Ｏ34.1は実線、センダスト膜は点
線、Ｃｏ系アモルファスリボンは一点鎖線で示した。図
７から、センダスト膜やＣｏ系アモルファスリボンは高
周波帯域になるにつれて透磁率が低下してしまってい
る。しかしながら、本実施例のＦｅ54.9Ｈｆ11Ｏ34.1な
る組成の軟磁性合金であれば、高周波帯域であっても高
い透磁率を維持していることが明白であり、高周波用磁
性材料として非常に優れていることがわかる。
透磁率（μeff）を測定した。試験に供したサンプル
は、Ｆｅ54.9Ｈｆ11Ｏ34.1、センダスト膜、Ｃｏ系アモ
ルファスリボンを使用し、回転磁場中で４００℃で６時
間の熱処理を施した。測定結果を図７に示す。尚、図７
中、Ｆｅ54.9Ｈｆ11Ｏ34.1は実線、センダスト膜は点
線、Ｃｏ系アモルファスリボンは一点鎖線で示した。図
７から、センダスト膜やＣｏ系アモルファスリボンは高
周波帯域になるにつれて透磁率が低下してしまってい
る。しかしながら、本実施例のＦｅ54.9Ｈｆ11Ｏ34.1な
る組成の軟磁性合金であれば、高周波帯域であっても高
い透磁率を維持していることが明白であり、高周波用磁
性材料として非常に優れていることがわかる。
【００２７】図８は、Ｆｅ54.9Ｈｆ11Ｏ34.1なる組成の
軟磁性合金の成膜後における金属組織写真の模式図であ
る。この図において丸印で囲んだ領域にｂｃｃ構造のＦ
ｅの微結晶相が析出し、他の非晶質組織と異なった組織
になっている。図８に示すように丸印で囲んだ部分の面
積を計算したところ、総面積の約５０％となり、この例
の軟磁性合金においては、Ｆｅの微結晶相の割合が約５
０％、非晶質相の割合が約５０％になっていることが明
らかになった。また、図８に示した５ｎｍの大きさの目
盛りから判断すると、いずれの結晶粒子も充分に小さな
結晶粒径を示していることが判明し、平均結晶粒径を計
算したところその値は７ｎｍとなった。
軟磁性合金の成膜後における金属組織写真の模式図であ
る。この図において丸印で囲んだ領域にｂｃｃ構造のＦ
ｅの微結晶相が析出し、他の非晶質組織と異なった組織
になっている。図８に示すように丸印で囲んだ部分の面
積を計算したところ、総面積の約５０％となり、この例
の軟磁性合金においては、Ｆｅの微結晶相の割合が約５
０％、非晶質相の割合が約５０％になっていることが明
らかになった。また、図８に示した５ｎｍの大きさの目
盛りから判断すると、いずれの結晶粒子も充分に小さな
結晶粒径を示していることが判明し、平均結晶粒径を計
算したところその値は７ｎｍとなった。
【００２８】図９は、Ｆｅ46.2Ｈｆ18.2Ｏ35.6なる組成
の軟磁性合金の成膜後における金属組織写真の模式図で
ある。この図において丸印で囲んだ領域にｂｃｃ構造の
Ｆｅの微結晶相が析出し、他の非晶質組織と異なった組
織になっている。図９に示すように丸印で囲んだ部分の
面積を計算したところ、総面積の約１０％となり、この
例の軟磁性合金においては、Ｆｅの微結晶相の割合が約
１０％になっていることが明らかになった。また、図９
に示した５ｎｍの大きさの目盛りから判断すると、いず
れの結晶粒子も更に小さな結晶粒径を示していることが
判明し、平均結晶粒径を計算したところその値は４ｎｍ
となった。次に、図１０に、図９の模式図に示した軟磁
性合金膜と同一組成の試料の結晶相の部分をエネルギー
分散型Ｘ線分光器（ＥＳＤ）により測定した分析結果を
示し、図１１に同じ試料の非晶質相の部分の分析結果を
示す。これらの結果から、結晶相の部分は主にｂｃｃＦ
ｅが多く含まれていて、非晶質相の部分はＨｆとＯを高
濃度に含んでいることがわかる。なお、図中において、
Ｃｕのピークが出ているのは、ＥＳＤの試料ホルダによ
るものであり、軟磁性合金膜に含まれている元素ではな
い。
の軟磁性合金の成膜後における金属組織写真の模式図で
ある。この図において丸印で囲んだ領域にｂｃｃ構造の
Ｆｅの微結晶相が析出し、他の非晶質組織と異なった組
織になっている。図９に示すように丸印で囲んだ部分の
面積を計算したところ、総面積の約１０％となり、この
例の軟磁性合金においては、Ｆｅの微結晶相の割合が約
１０％になっていることが明らかになった。また、図９
に示した５ｎｍの大きさの目盛りから判断すると、いず
れの結晶粒子も更に小さな結晶粒径を示していることが
判明し、平均結晶粒径を計算したところその値は４ｎｍ
となった。次に、図１０に、図９の模式図に示した軟磁
性合金膜と同一組成の試料の結晶相の部分をエネルギー
分散型Ｘ線分光器（ＥＳＤ）により測定した分析結果を
示し、図１１に同じ試料の非晶質相の部分の分析結果を
示す。これらの結果から、結晶相の部分は主にｂｃｃＦ
ｅが多く含まれていて、非晶質相の部分はＨｆとＯを高
濃度に含んでいることがわかる。なお、図中において、
Ｃｕのピークが出ているのは、ＥＳＤの試料ホルダによ
るものであり、軟磁性合金膜に含まれている元素ではな
い。
【００２９】図８と図９から得られた結果を対照してみ
ると、図８に示す金属組織の試料よりも図９に示す金属
組織の試料の方が非晶質相の割合が大きいことが判明し
た。
ると、図８に示す金属組織の試料よりも図９に示す金属
組織の試料の方が非晶質相の割合が大きいことが判明し
た。
【００３０】次に図１２（ａ）、（ｂ）に、前記組成の
軟磁性合金膜を用いて作成されたインダクタ（平面型磁
気素子）の第１の構造例を示す。この例のインダクタＢ
においては、基板１の両面にスパイラル状の平面コイル
２、２が形成され、各コイル２、２と基板面を覆って絶
縁膜３が設けられ、各絶縁膜３の上に軟磁性合金膜４が
被覆され、基板１の中央部分に形成したスルーホール５
を介してコイル２、２の中心部分が電気的に接続されて
いる。また、基板１の両面のコイル２、２からそれぞれ
端子６が基板１の外方に出されている。この構成のイン
ダクタＢにおいては、平面コイル２、２をそれぞれ絶縁
膜３を介して磁性膜４、４で挟むことにより、端子６、
６間にインダクタが構成されるようになっている。
軟磁性合金膜を用いて作成されたインダクタ（平面型磁
気素子）の第１の構造例を示す。この例のインダクタＢ
においては、基板１の両面にスパイラル状の平面コイル
２、２が形成され、各コイル２、２と基板面を覆って絶
縁膜３が設けられ、各絶縁膜３の上に軟磁性合金膜４が
被覆され、基板１の中央部分に形成したスルーホール５
を介してコイル２、２の中心部分が電気的に接続されて
いる。また、基板１の両面のコイル２、２からそれぞれ
端子６が基板１の外方に出されている。この構成のイン
ダクタＢにおいては、平面コイル２、２をそれぞれ絶縁
膜３を介して磁性膜４、４で挟むことにより、端子６、
６間にインダクタが構成されるようになっている。
【００３１】前記基板１は、セラミック材料からなる基
板、Ｓｉウェハの基板あるいは樹脂基板などからなる。
セラミック材料で基板１を構成する場合は、アルミナ、
ジルコニア、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウム、
ステアタイト、ムライト、コージライト、フォルステラ
イト、スピネルなどの各種のものを適宜選択して用いる
ことができるが、熱膨張率をＳｉの熱膨張率に近づける
ために、熱電導率が大きく、曲げ強度も大きい窒化アル
ミニウムなどを用いることが好ましい。
板、Ｓｉウェハの基板あるいは樹脂基板などからなる。
セラミック材料で基板１を構成する場合は、アルミナ、
ジルコニア、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウム、
ステアタイト、ムライト、コージライト、フォルステラ
イト、スピネルなどの各種のものを適宜選択して用いる
ことができるが、熱膨張率をＳｉの熱膨張率に近づける
ために、熱電導率が大きく、曲げ強度も大きい窒化アル
ミニウムなどを用いることが好ましい。
【００３２】平面コイル２は、銅、銀、金、アルミニウ
ムあるいはこれらの合金などの良導電性金属材料からな
り、インダクタンス、直流重畳特性、サイズ等に応じ
て、電気的に直列に、縦にあるいは横に絶縁膜を介して
適宜配置することができる。また、平面コイル２を並列
的に複数設けることでトランスを構成することができ
る。更に、平面コイル２は、導電層を基板上に形成後、
フォトエッチングすることにより各種の形状に作成でき
る。導電層の製膜方法としては、プレス圧着、メッキ、
金属溶射、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーテ
ィング、スクリーン印刷焼成法等の適宜の方法を用いれ
ば良い。
ムあるいはこれらの合金などの良導電性金属材料からな
り、インダクタンス、直流重畳特性、サイズ等に応じ
て、電気的に直列に、縦にあるいは横に絶縁膜を介して
適宜配置することができる。また、平面コイル２を並列
的に複数設けることでトランスを構成することができ
る。更に、平面コイル２は、導電層を基板上に形成後、
フォトエッチングすることにより各種の形状に作成でき
る。導電層の製膜方法としては、プレス圧着、メッキ、
金属溶射、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーテ
ィング、スクリーン印刷焼成法等の適宜の方法を用いれ
ば良い。
【００３３】絶縁膜３は、平面コイル２への通電時にお
いて、磁性膜４と導通してショートすることを防止する
ために設けられている。絶縁膜３は、ポリイミド等の高
分子フィルム、ＳｉＯ2、ガラス、硬質炭素膜等の無機
質膜からなるものを用いることが好ましい。この絶縁膜
３は、ペースト印刷後に焼成する方法、溶融メッキ法、
溶射、気相メッキ、真空蒸着、スパッタリング、イオン
プレーティングなどの方法により形成される。
いて、磁性膜４と導通してショートすることを防止する
ために設けられている。絶縁膜３は、ポリイミド等の高
分子フィルム、ＳｉＯ2、ガラス、硬質炭素膜等の無機
質膜からなるものを用いることが好ましい。この絶縁膜
３は、ペースト印刷後に焼成する方法、溶融メッキ法、
溶射、気相メッキ、真空蒸着、スパッタリング、イオン
プレーティングなどの方法により形成される。
【００３４】軟磁性合金膜４は、先に説明した組成の軟
磁性合金膜から構成されている。具体的には、組成式が
ＦｅaＭbＯcで示され、Ｍは希土類元素（周期表の３Ａ
族に属するＳｃ，Ｙ，あるいは、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎ
ｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕなどのランタノイド）のうち少な
くとも一種の元素またはそれらの混合物を表し、組成比
ａ，ｂ，ｃは原子％で、５０≦ａ≦７０、５≦ｂ≦３
０、１９．２≦ｃ≦３０、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００なる関係
を満足するものを用いる。また、軟磁性合金膜４を構成
するものとして、組成式がＦｅdＭ’eＯfで示され、
Ｍ’は、Ｚｒ，Ｈｆから選ばれた少なくとも一種の元素
またはそれらの混合物を表し、組成比ｄ，ｅ，ｆは原子
％で、４５≦ｄ≦７０、５≦ｅ≦３０、２３．４≦ｆ≦
４０、ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００なる関係を満足する軟磁性合
金膜を用いても良い。
磁性合金膜から構成されている。具体的には、組成式が
ＦｅaＭbＯcで示され、Ｍは希土類元素（周期表の３Ａ
族に属するＳｃ，Ｙ，あるいは、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎ
ｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕなどのランタノイド）のうち少な
くとも一種の元素またはそれらの混合物を表し、組成比
ａ，ｂ，ｃは原子％で、５０≦ａ≦７０、５≦ｂ≦３
０、１９．２≦ｃ≦３０、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００なる関係
を満足するものを用いる。また、軟磁性合金膜４を構成
するものとして、組成式がＦｅdＭ’eＯfで示され、
Ｍ’は、Ｚｒ，Ｈｆから選ばれた少なくとも一種の元素
またはそれらの混合物を表し、組成比ｄ，ｅ，ｆは原子
％で、４５≦ｄ≦７０、５≦ｅ≦３０、２３．４≦ｆ≦
４０、ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００なる関係を満足する軟磁性合
金膜を用いても良い。
【００３５】前記の如く構成されたインダクタＢに周波
数数百ｋＨｚ、振幅数ｍＡの正弦波交流を加えることで
インダクタンスを測定することができ、数百μＨの測定
値が得られる。また、前記構成のインダクタＢは、小型
かつ薄型で軽量であり、優れた磁気特性を有する磁性膜
４を有しているので、平面型磁気素子の小型軽量化に寄
与するとともに、優れたインダクタンスを示す。
数数百ｋＨｚ、振幅数ｍＡの正弦波交流を加えることで
インダクタンスを測定することができ、数百μＨの測定
値が得られる。また、前記構成のインダクタＢは、小型
かつ薄型で軽量であり、優れた磁気特性を有する磁性膜
４を有しているので、平面型磁気素子の小型軽量化に寄
与するとともに、優れたインダクタンスを示す。
【００３６】次に図１３は、前記組成の軟磁性合金膜を
用いて構成されたインダクタの第２構造例を示す。この
例のインダクタＣにおいては、基板１０の上に酸化膜１
１と軟磁性合金膜１２と絶縁膜１３とが順次積層され、
絶縁膜１３上に平面コイル１４が形成され、平面コイル
１４と絶縁膜１３を覆って絶縁膜１５が形成され、絶縁
膜１５上に軟磁性合金膜１６が形成されている。
用いて構成されたインダクタの第２構造例を示す。この
例のインダクタＣにおいては、基板１０の上に酸化膜１
１と軟磁性合金膜１２と絶縁膜１３とが順次積層され、
絶縁膜１３上に平面コイル１４が形成され、平面コイル
１４と絶縁膜１３を覆って絶縁膜１５が形成され、絶縁
膜１５上に軟磁性合金膜１６が形成されている。
【００３７】前記基板１０は先の例の基板１と同等の材
料からなり、軟磁性合金膜１２は先の例の軟磁性合金膜
４と同等の材料からなり、絶縁膜１３は先の例の絶縁膜
３と同等の材料からなる。中でも軟磁性合金膜１２は、
組成式がＦｅaＭbＯcで示され、Ｍは希土類元素（周期
表の３Ａ族に属するＳｃ，Ｙ，あるいは、Ｌａ，Ｃｅ，
Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｄ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕなどのランタノイド）のう
ち少なくとも一種の元素またはそれらの混合物を表し、
組成比ａ，ｂ，ｃは原子％で、５０≦ａ≦７０、５≦ｂ
≦３０、１９．２≦ｃ≦３０、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００なる
関係を満足する軟磁性合金膜が用いられる。また、軟磁
性合金膜１２を構成する軟磁性合金として、組成式がＦ
ｅdＭ’eＯfで示され、Ｍ’は、Ｚｒ，Ｈｆから選ばれ
た少なくとも一種の元素またはそれらの混合物を表し、
組成比ｄ，ｅ，ｆは原子％で４５≦ｄ≦７０、５≦ｅ≦
３０、２３．４≦ｆ≦４０、ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００なる関
係を満足する軟磁性合金膜を用いても良い。
料からなり、軟磁性合金膜１２は先の例の軟磁性合金膜
４と同等の材料からなり、絶縁膜１３は先の例の絶縁膜
３と同等の材料からなる。中でも軟磁性合金膜１２は、
組成式がＦｅaＭbＯcで示され、Ｍは希土類元素（周期
表の３Ａ族に属するＳｃ，Ｙ，あるいは、Ｌａ，Ｃｅ，
Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｄ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕなどのランタノイド）のう
ち少なくとも一種の元素またはそれらの混合物を表し、
組成比ａ，ｂ，ｃは原子％で、５０≦ａ≦７０、５≦ｂ
≦３０、１９．２≦ｃ≦３０、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００なる
関係を満足する軟磁性合金膜が用いられる。また、軟磁
性合金膜１２を構成する軟磁性合金として、組成式がＦ
ｅdＭ’eＯfで示され、Ｍ’は、Ｚｒ，Ｈｆから選ばれ
た少なくとも一種の元素またはそれらの混合物を表し、
組成比ｄ，ｅ，ｆは原子％で４５≦ｄ≦７０、５≦ｅ≦
３０、２３．４≦ｆ≦４０、ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００なる関
係を満足する軟磁性合金膜を用いても良い。
【００３８】前記酸化膜１１は、基板１０に例えばＳｉ
ウェハの基板を用いた場合に、Ｓｉウェハを加熱して熱
酸化することにより形成できる。ただし、この酸化膜１
１は必須のものではなく、省略しても差し支えない。
ウェハの基板を用いた場合に、Ｓｉウェハを加熱して熱
酸化することにより形成できる。ただし、この酸化膜１
１は必須のものではなく、省略しても差し支えない。
【００３９】この例の構成のインダクタＣにおいても先
に説明した例のインダクタＢと同様に、優れたインダク
タンスを示し、小型かつ軽量であり、平面型磁気素子の
小型軽量化に寄与する。
に説明した例のインダクタＢと同様に、優れたインダク
タンスを示し、小型かつ軽量であり、平面型磁気素子の
小型軽量化に寄与する。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように本発明の軟磁性合金
は、特定の組成と特定の組成比からなるＦｅ系合金であ
り、高い飽和磁束密度と低い保磁力、そして高い比抵抗
を実現した軟磁性合金であるので、薄膜トランス、磁気
ヘッド用のコア、薄膜インダクタ、スイッチング素子な
どの磁気素子の小型軽量化、高性能化に大きく寄与する
ものである。
は、特定の組成と特定の組成比からなるＦｅ系合金であ
り、高い飽和磁束密度と低い保磁力、そして高い比抵抗
を実現した軟磁性合金であるので、薄膜トランス、磁気
ヘッド用のコア、薄膜インダクタ、スイッチング素子な
どの磁気素子の小型軽量化、高性能化に大きく寄与する
ものである。
【００４１】また、３００〜６００℃の所定の温度で前
記組成の軟磁性合金を熱処理するならば、飽和磁束密度
を高い値に向上させるか、高い値に維持しながら、保磁
力と比抵抗の値を調整することができる。よって、熱処
理温度を適宜設定することにより、高い飽和磁束密度を
備え、用途に応じた保磁力と比抵抗値を有する軟磁性合
金を得ることができる。更に、本発明に係る軟磁性合金
の熱処理条件を適宜選択するならば、４００〜２×１０
5 μΩ・ｃｍの高い比抵抗を得ることができるので、本
発明に係る軟磁性合金を用いて磁気素子を構成した場
合、高周波領域における渦電流損失を抑えることがで
き、渦電流損失の少ない磁気素子を提供できる。
記組成の軟磁性合金を熱処理するならば、飽和磁束密度
を高い値に向上させるか、高い値に維持しながら、保磁
力と比抵抗の値を調整することができる。よって、熱処
理温度を適宜設定することにより、高い飽和磁束密度を
備え、用途に応じた保磁力と比抵抗値を有する軟磁性合
金を得ることができる。更に、本発明に係る軟磁性合金
の熱処理条件を適宜選択するならば、４００〜２×１０
5 μΩ・ｃｍの高い比抵抗を得ることができるので、本
発明に係る軟磁性合金を用いて磁気素子を構成した場
合、高周波領域における渦電流損失を抑えることがで
き、渦電流損失の少ない磁気素子を提供できる。
【００４２】更に、基板に平面コイルを形成し、前記平
面コイルを絶縁膜で覆い、前記組成の軟磁性合金膜を平
面コイルと絶縁膜を覆わせて設け、インダクタなどの平
面型磁気素子を構成するならば、低保磁力かつ高飽和磁
束密度で高い比抵抗を有する優れた軟磁性合金膜を磁気
素子に適用できるので、小型軽量かつ高性能の平面型磁
気素子を提供することができる。よって、小型軽量化し
た平面型磁気素子を提供できる。
面コイルを絶縁膜で覆い、前記組成の軟磁性合金膜を平
面コイルと絶縁膜を覆わせて設け、インダクタなどの平
面型磁気素子を構成するならば、低保磁力かつ高飽和磁
束密度で高い比抵抗を有する優れた軟磁性合金膜を磁気
素子に適用できるので、小型軽量かつ高性能の平面型磁
気素子を提供することができる。よって、小型軽量化し
た平面型磁気素子を提供できる。
【図１】Ｆｅ69.8Ｓｍ11.0Ｏ19.2で示される合金膜にお
いて、熱処理温度と、飽和磁束密度（Ｂｓ）及び保磁力
（Ｈｃ）と比抵抗（ρ）の関係を示すグラフである。
いて、熱処理温度と、飽和磁束密度（Ｂｓ）及び保磁力
（Ｈｃ）と比抵抗（ρ）の関係を示すグラフである。
【図２】Ｆｅ69.5Ｈｏ11.5Ｏ20.0で示される合金膜にお
いて、熱処理温度と、飽和磁束密度及び保磁力と比抵抗
の関係を示すグラフである。
いて、熱処理温度と、飽和磁束密度及び保磁力と比抵抗
の関係を示すグラフである。
【図３】本発明の実施例の合金膜において、Ｆｅの含有
量と比抵抗の関係を示すグラフである。
量と比抵抗の関係を示すグラフである。
【図４】本発明に係るＦｅ−Ｈｆ−Ｏ系の合金膜におい
て、Ｈｆの含有量と飽和磁束密度の関係を示すグラフで
ある。
て、Ｈｆの含有量と飽和磁束密度の関係を示すグラフで
ある。
【図５】本発明に係るＦｅ−Ｈｆ−Ｏ系の合金膜におい
て、Ｈｆの含有量と比抵抗の関係を示すグラフである。
て、Ｈｆの含有量と比抵抗の関係を示すグラフである。
【図６】本発明に係るＦｅ−Ｈｆ−Ｏ系の合金膜におい
て、各組成比の飽和磁束密度および／または比抵抗を示
す三角組成図である。
て、各組成比の飽和磁束密度および／または比抵抗を示
す三角組成図である。
【図７】Ｆｅ54.9Ｈｆ11Ｏ34.1なる組成の軟磁性合金と
センダスト膜とＣｏ系アモルファスリボンにおいて、外
部磁界の周波数と透磁率の関係を示すグラフである。
センダスト膜とＣｏ系アモルファスリボンにおいて、外
部磁界の周波数と透磁率の関係を示すグラフである。
【図８】Ｆｅ54.9Ｈｆ11Ｏ34.1なる組成の軟磁性合金の
成膜後における金属組織写真の模式図である。
成膜後における金属組織写真の模式図である。
【図９】Ｆｅ46.2Ｈｆ18.2Ｏ35.6なる組成の軟磁性合金
の成膜後における金属組織写真の模式図である。
の成膜後における金属組織写真の模式図である。
【図１０】Ｆｅ46.2Ｈｆ18.2Ｏ35.6なる組成の軟磁性合
金膜の結晶相におけるエネルギー分散型Ｘ線分光器（Ｅ
ＳＤ）による測定結果を示すグラフである。
金膜の結晶相におけるエネルギー分散型Ｘ線分光器（Ｅ
ＳＤ）による測定結果を示すグラフである。
【図１１】Ｆｅ46.2Ｈｆ18.2Ｏ35.6なる組成の軟磁性合
金膜の非結晶相におけるエネルギー分散型Ｘ線分光器
（ＥＳＤ）による測定結果を示すグラフである。
金膜の非結晶相におけるエネルギー分散型Ｘ線分光器
（ＥＳＤ）による測定結果を示すグラフである。
【図１２】（ａ）は本発明に係る平面型磁気素子の第１
の例を示す平面図、（ｂ）は図１（ａ）のＡーＡ線に沿
う断面図である。
の例を示す平面図、（ｂ）は図１（ａ）のＡーＡ線に沿
う断面図である。
【図１３】本発明に係る平面型磁気素子の第２の例を示
す断面図である。
す断面図である。
１、１０ 基板 ２、１４ 平面コイル ３、１３、１５ 絶縁層 ４、１２、１６ 軟磁性合金膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−47552（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−48707（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−280509（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C22C 38/00 - 38/60 C21D 6/00 H01F 1/14 H01F 17/00
Claims (6)
- 【請求項１】 平均結晶粒径が１０ｎｍ以下のｂｃｃ構
造のＦｅからなる微結晶相と希土類元素とＯを含む非晶
質相とが混在されてなるとともに、全組織に占めるｂｃ
ｃ構造のＦｅの微結晶相の比率が５０％以下であり、か
つ比抵抗が４００〜１０００μΩ・cmであり、更に組成
式がＦｅaＭbＯcで示され、Ｍは希土類元素のうち少な
くとも一種の元素またはそれらの混合物を表し、組成比
ａ，ｂ，ｃは原子％で、 ５０≦ａ≦７０ ５≦ｂ≦３０ １９．２≦ｃ≦３０ ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ なる関係を満足することを特徴とする軟磁性合金。 - 【請求項２】 ３００℃〜６００℃で熱処理が施されて
いることを特徴とする請求項１記載の軟磁性合金。 - 【請求項３】 平均結晶粒径が１０ｎｍ以下のｂｃｃ構
造のＦｅからなる微結晶相とＺｒ，Ｈｆから選ばれる少
なくとも一種以上の元素とＯを含む非晶質相とが混在さ
れてなるとともに、全組織に占めるｂｃｃ構造のＦｅの
微結晶相の比率が５０％以下であり、かつ比抵抗が４０
０〜１０００μΩ・cmであり、更に組成式がＦｅdＭ’e
Ｏfで示され、Ｍ’は、Ｚｒ，Ｈｆから選ばれた少なく
とも一種の元素またはそれらの混合物を表し、組成比
ｄ，ｅ，ｆは原子％で、 ４５≦ｄ≦７０ ５≦ｅ≦３０ ２３．４≦ｆ≦４０ ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００ なる関係を満足することを特徴とする軟磁性合金。 - 【請求項４】 ３００℃〜６００℃で熱処理が施されて
いることを特徴とする請求項３記載の軟磁性合金。 - 【請求項５】 基板上に少なくともスパイラル状の平面
コイルと絶縁膜と軟磁性合金膜とが積層され、 前記軟磁性合金膜は、平均結晶粒径が１０ｎｍ以下のｂ
ｃｃ構造のＦｅからなる微結晶相と希土類元素とＯを含
む非晶質相とが混在されてなるとともに、全組織に占め
るｂｃｃ構造のＦｅの微結晶相の比率が５０％以下であ
り、かつ比抵抗が４００〜１０００μΩ・cmであり、更
に組成式ＦｅaＭbＯcで示され、Ｍは希土類元素のうち
少なくとも一種の元素またはそれらの混合物を表し、組
成比ａ， ｂ，ｃは原子％で、 ５０≦ａ≦７０ ５≦ｂ≦３０ １９．２≦ｃ≦３０ ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ なる関係を満足するものであることを特徴とする平面型
磁気素子。 - 【請求項６】 基板上に少なくともスパイラル状の平面
コイルと絶縁膜と軟磁性合金膜とが積層され、 前記軟磁性合金膜は、平均結晶粒径が１０ｎｍ以下のｂ
ｃｃ構造のＦｅからなる微結晶相とＺｒ，Ｈｆから選ば
れる少なくとも一種以上の元素とＯを含む非晶質相とが
混在されてなるとともに、全組織に占めるｂｃｃ構造の
Ｆｅの微結晶相の比率が５０％以下であり、かつ比抵抗
が４００〜１０００μΩ・cmであり、更に組成式Ｆｅd
Ｍ’eＯfで示され、Ｍ’は、Ｚｒ，Ｈｆから選ばれた少
なくとも一種の元素またはそれらの混合物を表し、組成
比ｄ，ｅ，ｆは原子％で、 ４５≦ｄ≦７０ ５≦ｅ≦３０ ２３．４≦ｆ≦４０ ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００ なる関係を満足するものであることを特徴とする平面型
磁気素子。
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|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5837392A (en) * | 1995-11-30 | 1998-11-17 | Sony Corporation | Soft magnetic thin film and thin film magnetic head using same |
| US5774783A (en) * | 1995-03-17 | 1998-06-30 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium |
| US5755986A (en) * | 1995-09-25 | 1998-05-26 | Alps Electric Co., Ltd. | Soft-magnetic dielectric high-frequency composite material and method for making the same |
| JPH09111419A (ja) * | 1995-10-16 | 1997-04-28 | Alps Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果材料および磁気抵抗効果多層膜 |
| US5833770A (en) * | 1996-02-26 | 1998-11-10 | Alps Electric Co., Ltd. | High frequency soft magnetic alloy and plane magnetic element, antenna and wave absorber comprising the same |
| US5962153A (en) * | 1996-04-12 | 1999-10-05 | Hitachi, Ltd. | Soft magnetic thin film, and magnetic head and magnetic recording apparatus using the film |
| JP3151155B2 (ja) * | 1996-09-10 | 2001-04-03 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
| JPH1083517A (ja) * | 1996-09-10 | 1998-03-31 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US6150046A (en) * | 1997-01-31 | 2000-11-21 | Alps Electric Co., Ltd. | Combination magnetoresistive/inductive thin film magnetic head and its manufacturing method |
| FR2762922B1 (fr) * | 1997-02-19 | 2000-08-18 | Alps Electric Co Ltd | Tete magnetique a combinaison de couches minces magnetoresistive/inductive et son procede de fabrication |
| JP3198265B2 (ja) * | 1997-04-10 | 2001-08-13 | アルプス電気株式会社 | 磁気抵抗効果素子 |
| JP3772458B2 (ja) * | 1997-04-30 | 2006-05-10 | ソニー株式会社 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
| JP3182399B2 (ja) * | 1997-09-17 | 2001-07-03 | 株式会社東芝 | 軟磁性合金膜とその製造方法、磁気ヘッド、および磁気ディスク |
| JPH11329837A (ja) * | 1998-03-10 | 1999-11-30 | Alps Electric Co Ltd | 磁性膜の成膜方法 |
| JPH11340036A (ja) | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Alps Electric Co Ltd | 軟磁性膜とこの軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド、平面型磁気素子、及びフィルタ |
| US6210544B1 (en) | 1999-03-08 | 2001-04-03 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic film forming method |
| US6989971B2 (en) | 2002-04-05 | 2006-01-24 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Giant magnetoresistance (GMR) read head with reactive-ion-etch defined read width and fabrication process |
| US6946096B2 (en) * | 2002-05-03 | 2005-09-20 | Honeywell International, Inc. | Use of powder metal sintering/diffusion bonding to enable applying silicon carbide or rhenium alloys to face seal rotors |
| US6797401B2 (en) * | 2002-06-20 | 2004-09-28 | Lockheed-Martin Corporation | Electromagnetic wave absorbing materials |
| US7056595B2 (en) * | 2003-01-30 | 2006-06-06 | Metglas, Inc. | Magnetic implement using magnetic metal ribbon coated with insulator |
| JPWO2005013294A1 (ja) * | 2003-07-30 | 2007-09-27 | 住友電気工業株式会社 | 軟磁性材料、圧粉磁心、トランスコア、モータコアおよび圧粉磁心の製造方法 |
| US20090110962A1 (en) * | 2007-10-31 | 2009-04-30 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | System, method and apparatus for eliminating adhesion layers between substrates and soft underlayers in perpendicular media |
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Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3965463A (en) * | 1972-08-29 | 1976-06-22 | International Business Machines Corporation | Apparatus using amorphous magnetic compositions |
| US4257830A (en) * | 1977-12-30 | 1981-03-24 | Noboru Tsuya | Method of manufacturing a thin ribbon of magnetic material |
| US4649983A (en) * | 1983-10-26 | 1987-03-17 | Allied Corporation | Chill roll casting of metal strip |
| US4807693A (en) * | 1983-10-26 | 1989-02-28 | Allied-Signal Inc. | Chill roll casting of metal strip |
| JPH0674460B2 (ja) * | 1985-06-26 | 1994-09-21 | 日新製鋼株式会社 | 電磁鋼板の製造法 |
| JP2721205B2 (ja) * | 1987-11-18 | 1998-03-04 | 株式会社東芝 | 非晶質酸化物磁性体及び磁心及び磁気記録媒体 |
| US5236791A (en) * | 1988-08-31 | 1993-08-17 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic storage |
| US5028280A (en) * | 1988-12-15 | 1991-07-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Soft magnetic alloy films having a modulated nitrogen content |
| EP0380136B1 (en) * | 1989-01-26 | 1995-01-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Soft magnetic thin film, method for preparing same and magnetic head |
| JPH02199027A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-07 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁性合金 |
| US5252148A (en) * | 1989-05-27 | 1993-10-12 | Tdk Corporation | Soft magnetic alloy, method for making, magnetic core, magnetic shield and compressed powder core using the same |
| US5352268A (en) * | 1989-12-12 | 1994-10-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Fe-Ni alloy fine powder of flat shape |
| US5262915A (en) * | 1990-08-23 | 1993-11-16 | Tdk Corporation | Magnetic head comprising a soft magnetic thin film of FeNiZrN having enhanced (100) orientation |
-
1993
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-
1994
- 1994-02-25 US US08/201,831 patent/US5573863A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111373065A (zh) * | 2017-09-25 | 2020-07-03 | 国立研究开发法人产业技术综合研究所 | 磁性材料及其制造方法 |
| CN111373065B (zh) * | 2017-09-25 | 2021-11-23 | 国立研究开发法人产业技术综合研究所 | 磁性材料及其制造方法 |
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| Publication number | Publication date |
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| US5573863A (en) | 1996-11-12 |
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