JPH11340036A - 軟磁性膜とこの軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド、平面型磁気素子、及びフィルタ - Google Patents
軟磁性膜とこの軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド、平面型磁気素子、及びフィルタInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｆｅ―Ｍ（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ等）―Ｏ系合金
は、高周波特性に優れた軟磁性膜であるといわれるが、
磁歪定数が大きいため、この軟磁性膜を薄膜磁気ヘッド
の磁性層やインダクタの磁心などに使用した場合、軟磁
気特性の劣化や膜はがれなどの問題が起こる。 【解決手段】 Ｆｅ―Ｍ（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ等）―Ｏ系
合金にＴｉを添加することにより、軟磁性膜の磁歪定数
を低減できる。前記Ｔｉの添加量を０．１ａｔ％〜２ａ
ｔ％程度とし、さらに構成元素であるＦｅ、Ｈｆ、Ｏの
組成比を適正に調節することにより、磁歪定数を低減で
きると同時に、優れた軟磁気特性を得ることができる。
は、高周波特性に優れた軟磁性膜であるといわれるが、
磁歪定数が大きいため、この軟磁性膜を薄膜磁気ヘッド
の磁性層やインダクタの磁心などに使用した場合、軟磁
気特性の劣化や膜はがれなどの問題が起こる。 【解決手段】 Ｆｅ―Ｍ（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ等）―Ｏ系
合金にＴｉを添加することにより、軟磁性膜の磁歪定数
を低減できる。前記Ｔｉの添加量を０．１ａｔ％〜２ａ
ｔ％程度とし、さらに構成元素であるＦｅ、Ｈｆ、Ｏの
組成比を適正に調節することにより、磁歪定数を低減で
きると同時に、優れた軟磁気特性を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば薄膜磁気ヘ
ッドの磁性層や、インダクタなどの磁心として使用され
る軟磁性膜に係り、特に前記軟磁性膜の軟磁気特性を維
持しながら、磁歪定数を低減できる軟磁性膜とこの軟磁
性膜を用いた薄膜磁気ヘッド、平面型磁気素子（トラン
ス、インダクタ）、及びフィルタに関する。
ッドの磁性層や、インダクタなどの磁心として使用され
る軟磁性膜に係り、特に前記軟磁性膜の軟磁気特性を維
持しながら、磁歪定数を低減できる軟磁性膜とこの軟磁
性膜を用いた薄膜磁気ヘッド、平面型磁気素子（トラン
ス、インダクタ）、及びフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドの磁性層、平面型磁気素
子（インダクタ、トランスなど）、あるいはフィルタな
どの磁心として使用される軟磁性膜には、特に高周波領
域において、比抵抗や透磁率などの軟磁気特性に優れた
材料が求められている。Ｆｅ―Ｍ（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ
等）―Ｏ系合金膜は、高周波特性に優れた軟磁性膜であ
るといわれている。この軟磁性膜は、高い比抵抗を有し
ているため、渦電流損失を低減でき、また高周波数帯域
において高い透磁率を有している。
子（インダクタ、トランスなど）、あるいはフィルタな
どの磁心として使用される軟磁性膜には、特に高周波領
域において、比抵抗や透磁率などの軟磁気特性に優れた
材料が求められている。Ｆｅ―Ｍ（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ
等）―Ｏ系合金膜は、高周波特性に優れた軟磁性膜であ
るといわれている。この軟磁性膜は、高い比抵抗を有し
ているため、渦電流損失を低減でき、また高周波数帯域
において高い透磁率を有している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のＦｅ―
Ｍ（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ等）―Ｏ系合金は磁歪定数が高
く、具体的には４×１０-6〜６×１０-6程度の磁歪を有
している。前記Ｆｅ―Ｍ（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ等）―Ｏ系
合金は、Ｆｅを主に含有するｂｃｃ構造の微結晶相と、
この微結晶相の回りを、Ｈｆ等の元素Ｍの酸化物などの
アモルファス相が取り囲んでいる膜構造を有していると
考えられ、従って主に磁化を発生しているのは、Ｆｅを
多量に含む微結晶相であると推測される。この軟磁性膜
の磁歪が大きくなるのは、微結晶相を構成するＦｅの磁
歪が大きいからであり、また前記微結晶相はＦｅのみで
形成されているのではなく、Ｈｆ，Ｏなどの不純物も侵
入するため、これら不純物も軟磁性膜の磁歪に影響を与
えていると考えられる。
Ｍ（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ等）―Ｏ系合金は磁歪定数が高
く、具体的には４×１０-6〜６×１０-6程度の磁歪を有
している。前記Ｆｅ―Ｍ（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ等）―Ｏ系
合金は、Ｆｅを主に含有するｂｃｃ構造の微結晶相と、
この微結晶相の回りを、Ｈｆ等の元素Ｍの酸化物などの
アモルファス相が取り囲んでいる膜構造を有していると
考えられ、従って主に磁化を発生しているのは、Ｆｅを
多量に含む微結晶相であると推測される。この軟磁性膜
の磁歪が大きくなるのは、微結晶相を構成するＦｅの磁
歪が大きいからであり、また前記微結晶相はＦｅのみで
形成されているのではなく、Ｈｆ，Ｏなどの不純物も侵
入するため、これら不純物も軟磁性膜の磁歪に影響を与
えていると考えられる。
【０００４】磁歪定数の大きいＦｅ―Ｍ（Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｔａ等）―Ｏ系合金が、薄膜磁気ヘッドの磁性層、ある
いはインダクタの磁心などに使用されると、前記軟磁性
膜の透磁率などの軟磁気特性が劣化しやすく、また成膜
された軟磁性膜の内部応力と磁歪との関係から、前記軟
磁性膜に軟磁性特性の劣化や、膜はがれなどが発生しや
すいという問題がある。本発明は上記従来の問題点を解
決するためのものであり、比抵抗や透磁率などの軟磁気
特性を維持したまま、磁歪定数を低減できる軟磁性膜と
この軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド、平面型磁気素
子、及びフィルタに関する。
Ｔａ等）―Ｏ系合金が、薄膜磁気ヘッドの磁性層、ある
いはインダクタの磁心などに使用されると、前記軟磁性
膜の透磁率などの軟磁気特性が劣化しやすく、また成膜
された軟磁性膜の内部応力と磁歪との関係から、前記軟
磁性膜に軟磁性特性の劣化や、膜はがれなどが発生しや
すいという問題がある。本発明は上記従来の問題点を解
決するためのものであり、比抵抗や透磁率などの軟磁気
特性を維持したまま、磁歪定数を低減できる軟磁性膜と
この軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド、平面型磁気素
子、及びフィルタに関する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、主成分のＦｅ
と、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏと希土類元
素（Ｓｍを除く）から選ばれる１種または２種以上の元
素Ｍと、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｓｍ，Ｓｉから選ばれる１種また
は２種以上の元素Ｌと、Ｏ，Ｃ，Ｎから選ばれる１種ま
たは２種以上の元素Ｒとを主に含有し、膜構造として
は、元素Ｍの酸化物を多量に含むアモルファス相に、Ｆ
ｅを多量に含む微結晶相が混在しており、さらに前記微
結晶相中に、元素Ｌを含んでいることを特徴とするもの
である。
と、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏと希土類元
素（Ｓｍを除く）から選ばれる１種または２種以上の元
素Ｍと、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｓｍ，Ｓｉから選ばれる１種また
は２種以上の元素Ｌと、Ｏ，Ｃ，Ｎから選ばれる１種ま
たは２種以上の元素Ｒとを主に含有し、膜構造として
は、元素Ｍの酸化物を多量に含むアモルファス相に、Ｆ
ｅを多量に含む微結晶相が混在しており、さらに前記微
結晶相中に、元素Ｌを含んでいることを特徴とするもの
である。
【０００６】本発明では、前記微結晶相は、ｂｃｃ構
造、ｈｃｐ構造、ｆｃｃ構造のうち１種あるいは２種以
上の混成構造から成ることが好ましく、より好ましく
は、前記微結晶相の結晶構造は、主にｂｃｃ構造から成
ることである。また本発明では、前記微結晶相の平均結
晶粒径は、３０ｎｍ以下であることが好ましく、より好
ましくは、１０ｎｍ以下である。
造、ｈｃｐ構造、ｆｃｃ構造のうち１種あるいは２種以
上の混成構造から成ることが好ましく、より好ましく
は、前記微結晶相の結晶構造は、主にｂｃｃ構造から成
ることである。また本発明では、前記微結晶相の平均結
晶粒径は、３０ｎｍ以下であることが好ましく、より好
ましくは、１０ｎｍ以下である。
【０００７】本発明では、前記軟磁性膜が、下記の組成
で形成されている。 （Ｆｅ1-aＣｏa）XＭYＬZＲW ただし元素Ｍは、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｍ
ｏと希土類元素（Ｓｍを除く）から選ばれる１種または
２種以上から成り、元素Ｌは、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｓｍ，Ｓｉ
から選ばれる１種または２種以上から成り、元素Ｒは、
Ｏ，Ｃ，Ｎから選ばれる１種または２種以上から成り、
組成比を示すａは、０≦ａ≦０．１、Ｘ，Ｙ，Ｚ，Ｗは
ａｔ％で、４５≦Ｘ≦７０、５≦Ｙ≦３０、０．１≦Ｚ
≦１０、１０≦Ｗ≦４０である。なお本発明では、前記
元素Ｌは、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｓｍから選ばれる１種または２
種以上から成り、組成比Ｚは、０．１≦Ｚ≦２であるこ
とがより好ましい。また本発明では、前記組成比Ｗは、
３０≦Ｗ≦４０であることがより好ましい。
で形成されている。 （Ｆｅ1-aＣｏa）XＭYＬZＲW ただし元素Ｍは、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｍ
ｏと希土類元素（Ｓｍを除く）から選ばれる１種または
２種以上から成り、元素Ｌは、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｓｍ，Ｓｉ
から選ばれる１種または２種以上から成り、元素Ｒは、
Ｏ，Ｃ，Ｎから選ばれる１種または２種以上から成り、
組成比を示すａは、０≦ａ≦０．１、Ｘ，Ｙ，Ｚ，Ｗは
ａｔ％で、４５≦Ｘ≦７０、５≦Ｙ≦３０、０．１≦Ｚ
≦１０、１０≦Ｗ≦４０である。なお本発明では、前記
元素Ｌは、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｓｍから選ばれる１種または２
種以上から成り、組成比Ｚは、０．１≦Ｚ≦２であるこ
とがより好ましい。また本発明では、前記組成比Ｗは、
３０≦Ｗ≦４０であることがより好ましい。
【０００８】上記の本発明における前記軟磁性膜の磁歪
定数は、絶対値で４×１０-6以下であり、また比抵抗
は、４００〜１２００μΩ・ｃｍであり、さらに透磁率
は、３００以上である。
定数は、絶対値で４×１０-6以下であり、また比抵抗
は、４００〜１２００μΩ・ｃｍであり、さらに透磁率
は、３００以上である。
【０００９】また本発明は、書込み用のヘッド及び／ま
たは読み出し用のヘッドで形成される薄膜磁気ヘッドに
おいて、前記書込み用のヘッド及び読み出し用のヘッド
を構成する少なくとも１層以上の磁性層は、前述した軟
磁性膜により形成されていることを特徴とするものであ
る。さらに本発明は、前述した軟磁性膜により平面型磁
気素子、及びフィルタの磁心が形成されていることを特
徴とするものである。
たは読み出し用のヘッドで形成される薄膜磁気ヘッドに
おいて、前記書込み用のヘッド及び読み出し用のヘッド
を構成する少なくとも１層以上の磁性層は、前述した軟
磁性膜により形成されていることを特徴とするものであ
る。さらに本発明は、前述した軟磁性膜により平面型磁
気素子、及びフィルタの磁心が形成されていることを特
徴とするものである。
【００１０】ところでＦｅ―Ｍ（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ等）
―Ｏ系合金は、特開平６―３１６７４８号公報にも記載
されているように、高周波特性に優れた軟磁性膜である
といわれている。この軟磁性膜は、主にＦｅを含むｂｃ
ｃ構造の微結晶相と、この微結晶相の回りを主にＨｆの
酸化物を含むアモルファス相が取り囲む膜構造を有して
いる。前記軟磁性膜は、Ｈｆの酸化物を含有すること
で、比抵抗は高い値を示し、渦電流損失を低減できると
している。
―Ｏ系合金は、特開平６―３１６７４８号公報にも記載
されているように、高周波特性に優れた軟磁性膜である
といわれている。この軟磁性膜は、主にＦｅを含むｂｃ
ｃ構造の微結晶相と、この微結晶相の回りを主にＨｆの
酸化物を含むアモルファス相が取り囲む膜構造を有して
いる。前記軟磁性膜は、Ｈｆの酸化物を含有すること
で、比抵抗は高い値を示し、渦電流損失を低減できると
している。
【００１１】しかし前記Ｆｅ―Ｍ（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ
等）―Ｏ系合金の磁歪定数は高く、具体的には、４×１
０-6〜６×１０-6程度の磁歪を有している。このため、
前記軟磁性膜を実際に、薄膜磁気ヘッドの磁性層や、イ
ンダクタの磁心などに使用するには、前記軟磁性膜の磁
歪定数を低減させる必要性がある。
等）―Ｏ系合金の磁歪定数は高く、具体的には、４×１
０-6〜６×１０-6程度の磁歪を有している。このため、
前記軟磁性膜を実際に、薄膜磁気ヘッドの磁性層や、イ
ンダクタの磁心などに使用するには、前記軟磁性膜の磁
歪定数を低減させる必要性がある。
【００１２】この軟磁性膜を、薄膜磁気ヘッドの磁性層
やインダクタの磁心などとして成膜すると、磁歪が大き
いために、透磁率などの軟磁気特性の劣化が著しく、ま
た成膜した際に前記軟磁性膜中に発生する内部応力と前
記磁歪との関係から、前記軟磁性膜の軟磁気特性の劣化
や膜はがれを起こしやすいなどの問題がある。前記軟磁
性膜の磁歪が大きくなる原因の一つとして、微結晶相を
形成するＦｅの磁歪が大きく、またこの微結晶相中にＦ
ｅ以外のＨｆなどの不純物が入り混じっていることも影
響していると推測される。
やインダクタの磁心などとして成膜すると、磁歪が大き
いために、透磁率などの軟磁気特性の劣化が著しく、ま
た成膜した際に前記軟磁性膜中に発生する内部応力と前
記磁歪との関係から、前記軟磁性膜の軟磁気特性の劣化
や膜はがれを起こしやすいなどの問題がある。前記軟磁
性膜の磁歪が大きくなる原因の一つとして、微結晶相を
形成するＦｅの磁歪が大きく、またこの微結晶相中にＦ
ｅ以外のＨｆなどの不純物が入り混じっていることも影
響していると推測される。
【００１３】そこで本発明では、微結晶相を形成してい
るＦｅと固溶することで、前記Ｆｅの磁歪を小さくで
き、よって軟磁性膜全体の磁歪を低減できる元素を前記
軟磁性膜に添加している。本発明では、Ｆｅ―Ｍ（Ｈｆ
など）―Ｒ（Ｏなど）合金膜に、さらにＴｉ，Ｓｎ，Ｓ
ｍ，Ｓｉのうち１種または２種以上から成る元素Ｌを加
え、良好な軟磁気特性を維持しながら軟磁性膜の磁歪定
数を低減させている。
るＦｅと固溶することで、前記Ｆｅの磁歪を小さくで
き、よって軟磁性膜全体の磁歪を低減できる元素を前記
軟磁性膜に添加している。本発明では、Ｆｅ―Ｍ（Ｈｆ
など）―Ｒ（Ｏなど）合金膜に、さらにＴｉ，Ｓｎ，Ｓ
ｍ，Ｓｉのうち１種または２種以上から成る元素Ｌを加
え、良好な軟磁気特性を維持しながら軟磁性膜の磁歪定
数を低減させている。
【００１４】以下本発明における軟磁性膜の特徴につい
て説明する。本発明における軟磁性膜は、主成分のＦｅ
と、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏと希土類元
素（Ｓｍを除く）から選ばれる１種または２種以上の元
素Ｍと、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｓｍ，Ｓｉから選ばれる１種また
は２種以上の元素Ｌと、Ｏ，Ｃ，Ｎから選ばれる１種ま
たは２種以上の元素Ｒとを主に含有するものである。な
お本発明における軟磁性膜の具体的な組成式は、（Ｆｅ
1-aＣｏa）XＭYＬZＲWで表される。
て説明する。本発明における軟磁性膜は、主成分のＦｅ
と、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏと希土類元
素（Ｓｍを除く）から選ばれる１種または２種以上の元
素Ｍと、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｓｍ，Ｓｉから選ばれる１種また
は２種以上の元素Ｌと、Ｏ，Ｃ，Ｎから選ばれる１種ま
たは２種以上の元素Ｒとを主に含有するものである。な
お本発明における軟磁性膜の具体的な組成式は、（Ｆｅ
1-aＣｏa）XＭYＬZＲWで表される。
【００１５】前記軟磁性膜において、Ｆｅは強磁性であ
り、従って磁性を担う元素である。高飽和磁束密度を得
るためには、Ｆｅは多い方が好ましいが、７０ａｔ％以
上であると比抵抗が極端に小さくなって好ましくない。
一方、Ｆｅが本発明の範囲未満であると飽和磁束密度が
小さくなってしまい好ましくない。
り、従って磁性を担う元素である。高飽和磁束密度を得
るためには、Ｆｅは多い方が好ましいが、７０ａｔ％以
上であると比抵抗が極端に小さくなって好ましくない。
一方、Ｆｅが本発明の範囲未満であると飽和磁束密度が
小さくなってしまい好ましくない。
【００１６】Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏと
希土類元素（Ｓｍを除く）から選ばれる１種または２種
以上の元素Ｍは、軟磁性特性と高比抵抗を両立するため
に必要なものである。これらは酸素と結合し易く、結合
することで酸化物を形成する。例えば、元素ＭとしてＨ
ｆが使用される場合、ＨｆはＯとＨｆＯ2となって酸化
物を形成する。また元素Ｍの酸化物の含有量を調節する
ことにより、比抵抗を高めることができる。
希土類元素（Ｓｍを除く）から選ばれる１種または２種
以上の元素Ｍは、軟磁性特性と高比抵抗を両立するため
に必要なものである。これらは酸素と結合し易く、結合
することで酸化物を形成する。例えば、元素ＭとしてＨ
ｆが使用される場合、ＨｆはＯとＨｆＯ2となって酸化
物を形成する。また元素Ｍの酸化物の含有量を調節する
ことにより、比抵抗を高めることができる。
【００１７】図４は、Ｆｅに様々な元素（Ｘ）を添加
し、前記元素Ｘの濃度（％）と、Ｆｅ―Ｘ合金膜の磁歪
定数との関係を示すグラフである。図４に示すように、
ＦｅにＴｉやＳｎを加えると、Ｆｅ―Ｔｉ合金膜、及び
Ｆｅ―Ｓｎ合金膜の磁歪定数は低下することがわかる。
特にＴｉやＳｎの元素は、添加する濃度が小さくても、
磁歪定数の低下が見られ、添加元素としては非常に好ま
しい元素であるといえる。一方、ＦｅにＳｉを添加する
と、Ｆｅ―Ｓｉ合金膜の磁歪定数は低下するが、図４に
示すようにＳｉの添加量を約７ａｔ％以上にしないと、
顕著な磁歪定数の低下は見られないことがわかる。
し、前記元素Ｘの濃度（％）と、Ｆｅ―Ｘ合金膜の磁歪
定数との関係を示すグラフである。図４に示すように、
ＦｅにＴｉやＳｎを加えると、Ｆｅ―Ｔｉ合金膜、及び
Ｆｅ―Ｓｎ合金膜の磁歪定数は低下することがわかる。
特にＴｉやＳｎの元素は、添加する濃度が小さくても、
磁歪定数の低下が見られ、添加元素としては非常に好ま
しい元素であるといえる。一方、ＦｅにＳｉを添加する
と、Ｆｅ―Ｓｉ合金膜の磁歪定数は低下するが、図４に
示すようにＳｉの添加量を約７ａｔ％以上にしないと、
顕著な磁歪定数の低下は見られないことがわかる。
【００１８】Ｆｅ―Ｍ―Ｒ合金膜にＳｉを添加した場
合、このＳｉの添加量を約７ａｔ％以上にすれば前記軟
磁性膜の磁歪定数を低減できると考えられるが、このＳ
ｉの添加量分だけ、他の元素の添加量は小さくなる。Ｓ
ｉを添加したことにより、Ｆｅの添加量が著しく低下す
ると、透磁率などが低減してしまい軟磁気特性が低下す
る可能性がある。このため本発明では、Ｆｅ―Ｍ―Ｒ合
金膜にＴｉ，Ｓｎ，Ｓｍ，Ｓｉを添加することを特徴と
しているが、特に好ましくは、添加量が少なくても磁歪
定数を低減できるＴｉ，Ｓｎ，ＳｍをＦｅ―Ｍ―Ｒ合金
膜に添加することである。
合、このＳｉの添加量を約７ａｔ％以上にすれば前記軟
磁性膜の磁歪定数を低減できると考えられるが、このＳ
ｉの添加量分だけ、他の元素の添加量は小さくなる。Ｓ
ｉを添加したことにより、Ｆｅの添加量が著しく低下す
ると、透磁率などが低減してしまい軟磁気特性が低下す
る可能性がある。このため本発明では、Ｆｅ―Ｍ―Ｒ合
金膜にＴｉ，Ｓｎ，Ｓｍ，Ｓｉを添加することを特徴と
しているが、特に好ましくは、添加量が少なくても磁歪
定数を低減できるＴｉ，Ｓｎ，ＳｍをＦｅ―Ｍ―Ｒ合金
膜に添加することである。
【００１９】本発明では磁歪定数を低減でき、なおかつ
良好な軟磁気特性を確保しつつ高い飽和磁束密度を維持
するために、組成比を示すａは、０≦ａ≦０．１、Ｘ，
Ｙ，Ｚ，Ｗはａｔ％で、４５≦Ｘ≦７０、５≦Ｙ≦３
０、０．１≦Ｚ≦１０、１０≦Ｗ≦４０であることが好
ましい。特に前記元素Ｌは、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｓｍから選ば
れる１種または２種以上から成り、組成比Ｚは、０．１
≦Ｚ≦２であることが好ましい。またＯなどの元素Ｒは
添加量が多いほど比抵抗を高めることができて好まし
く、前記元素Ｒの組成比Ｗは、３０≦Ｗ≦４０であるこ
とがより好ましい。
良好な軟磁気特性を確保しつつ高い飽和磁束密度を維持
するために、組成比を示すａは、０≦ａ≦０．１、Ｘ，
Ｙ，Ｚ，Ｗはａｔ％で、４５≦Ｘ≦７０、５≦Ｙ≦３
０、０．１≦Ｚ≦１０、１０≦Ｗ≦４０であることが好
ましい。特に前記元素Ｌは、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｓｍから選ば
れる１種または２種以上から成り、組成比Ｚは、０．１
≦Ｚ≦２であることが好ましい。またＯなどの元素Ｒは
添加量が多いほど比抵抗を高めることができて好まし
く、前記元素Ｒの組成比Ｗは、３０≦Ｗ≦４０であるこ
とがより好ましい。
【００２０】なお本発明におけるＦｅ―Ｍ―Ｌ―Ｏ合金
膜の膜構造としては、元素Ｍの酸化物を多量に含むアモ
ルファス相に、Ｆｅを多量に含む微結晶相が混在してお
り、さらに前記微結晶相中に、元素Ｌを含んでいるもの
である。なおこの元素Ｌは、微結晶相のみならず、アモ
ルファス相にも侵入していくものと考えられる。
膜の膜構造としては、元素Ｍの酸化物を多量に含むアモ
ルファス相に、Ｆｅを多量に含む微結晶相が混在してお
り、さらに前記微結晶相中に、元素Ｌを含んでいるもの
である。なおこの元素Ｌは、微結晶相のみならず、アモ
ルファス相にも侵入していくものと考えられる。
【００２１】なお前記微結晶相の結晶構造としては、ｂ
ｃｃ構造（体心立方構造）、ｈｃｐ構造（稠密六方構
造）、ｆｃｃ構造（面心立方構造）のうちいずれであっ
てもよいが、より好ましくは結晶構造の大半がｂｃｃ構
造で形成されていることである。また前記微結晶相の平
均結晶粒径は小さいほど好ましく、具体的には３０ｎｍ
以下、より好ましくは、１０ｎｍ以下である。
ｃｃ構造（体心立方構造）、ｈｃｐ構造（稠密六方構
造）、ｆｃｃ構造（面心立方構造）のうちいずれであっ
てもよいが、より好ましくは結晶構造の大半がｂｃｃ構
造で形成されていることである。また前記微結晶相の平
均結晶粒径は小さいほど好ましく、具体的には３０ｎｍ
以下、より好ましくは、１０ｎｍ以下である。
【００２２】以上のように本発明ではＦｅ―Ｍ―Ｒ合金
膜に、Ｔｉ，Ｓｎ，ＳｍあるいはＳｉの１種または２種
以上から成る元素Ｌを添加することで、前記軟磁性膜の
磁歪定数を低減でき、またＦｅ，元素Ｍ，元素Ｌ，及び
元素Ｒの濃度を適正に調整すれば、良好な軟磁気特性も
同時に得ることができる。
膜に、Ｔｉ，Ｓｎ，ＳｍあるいはＳｉの１種または２種
以上から成る元素Ｌを添加することで、前記軟磁性膜の
磁歪定数を低減でき、またＦｅ，元素Ｍ，元素Ｌ，及び
元素Ｒの濃度を適正に調整すれば、良好な軟磁気特性も
同時に得ることができる。
【００２３】このＦｅ―Ｍ―Ｌ―Ｒ合金膜を薄膜磁気ヘ
ッドの磁性層、平面型磁気素子（トランス、インダク
タ）、フィルタなどの磁心として使用すれば、良好な軟
磁気特性を得ることができ、また磁歪が小さいことによ
り、膜はがれなども起こらない。
ッドの磁性層、平面型磁気素子（トランス、インダク
タ）、フィルタなどの磁心として使用すれば、良好な軟
磁気特性を得ることができ、また磁歪が小さいことによ
り、膜はがれなども起こらない。
【００２４】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施形態として
の薄膜磁気ヘッドの縦断面図である。図１に示す薄膜磁
気ヘッドは、浮上式ヘッドを構成するスライダのトレー
リング側端面に形成されたものであり、読み出しヘッド
（再生ヘッド）ｈ１上に書込み用のインダクティブヘッ
ドｈ２が積層された、いわゆるＭＲ／インダクティブ複
合型薄膜磁気ヘッドである。
の薄膜磁気ヘッドの縦断面図である。図１に示す薄膜磁
気ヘッドは、浮上式ヘッドを構成するスライダのトレー
リング側端面に形成されたものであり、読み出しヘッド
（再生ヘッド）ｈ１上に書込み用のインダクティブヘッ
ドｈ２が積層された、いわゆるＭＲ／インダクティブ複
合型薄膜磁気ヘッドである。
【００２５】図１に示す符号１は磁性材料製の下部シー
ルド層であり、前記下部シールド層１の上に下部ギャッ
プ層２が設けられている。前記下部ギャップ層２は例え
ばＡｌ2Ｏ3などの非磁性の絶縁材料で形成されている。
さらに前記下部ギャップ層２の上には、磁気抵抗効果素
子層６が形成されている。前記磁気抵抗効果素子層６
は、スピンバルブ膜に代表されるＧＭＲ素子やＡＭＲ素
子などである。これらＭＲ素子に、外部磁界が与えられ
ると電気抵抗が変化し、ハードディスクなどの記録媒体
に記録されていている信号を読み取ることが可能とな
る。
ルド層であり、前記下部シールド層１の上に下部ギャッ
プ層２が設けられている。前記下部ギャップ層２は例え
ばＡｌ2Ｏ3などの非磁性の絶縁材料で形成されている。
さらに前記下部ギャップ層２の上には、磁気抵抗効果素
子層６が形成されている。前記磁気抵抗効果素子層６
は、スピンバルブ膜に代表されるＧＭＲ素子やＡＭＲ素
子などである。これらＭＲ素子に、外部磁界が与えられ
ると電気抵抗が変化し、ハードディスクなどの記録媒体
に記録されていている信号を読み取ることが可能とな
る。
【００２６】図１に示す符号４は、ハードバイアス層で
あり、符号５は導電層である。前記ハードバイアス層４
は、例えばＣｏ―Ｐｔ（コバルト―白金）合金やＣｏ―
Ｃｒ―Ｐｔ（コバルト―クロム―白金）合金などで形成
されており、導電層５は、Ｃｕ（銅）やＷ（タングステ
ン）などで形成されている。前記導電層５の上には、上
部ギャップ層７が形成されている。この上部ギャップ層
７は、例えばＡｌ2Ｏ3などの非磁性の絶縁材料で形成さ
れている。前記上部ギャップ層７の上には、磁性材料製
の上部シールド層８が形成されている。図１に示す薄膜
磁気ヘッドでは、前記上部シールド層８が、インダクテ
ィブヘッド（書込みヘッド）ｈ２の下部コア層としての
機能をも果たしている。
あり、符号５は導電層である。前記ハードバイアス層４
は、例えばＣｏ―Ｐｔ（コバルト―白金）合金やＣｏ―
Ｃｒ―Ｐｔ（コバルト―クロム―白金）合金などで形成
されており、導電層５は、Ｃｕ（銅）やＷ（タングステ
ン）などで形成されている。前記導電層５の上には、上
部ギャップ層７が形成されている。この上部ギャップ層
７は、例えばＡｌ2Ｏ3などの非磁性の絶縁材料で形成さ
れている。前記上部ギャップ層７の上には、磁性材料製
の上部シールド層８が形成されている。図１に示す薄膜
磁気ヘッドでは、前記上部シールド層８が、インダクテ
ィブヘッド（書込みヘッド）ｈ２の下部コア層としての
機能をも果たしている。
【００２７】前記上部シールド層（下部コア層）８の上
には、Ａｌ2Ｏ3などの非磁性の絶縁材料で形成されたギ
ャップ層１０が形成され、さらに前記ギャップ層１０の
上には、レジスト材料やその他の有機材料で形成された
絶縁層１１が形成されている。前記絶縁層１１上には、
Ｃｕなどの電気抵抗の低い導電性材料により、コイル層
１２が螺旋状に形成されている。なお前記コイル層１２
は、後述する上部コア層１５の基端部１５ｂの周囲を周
回するように形成されているが、図１では前記コイル層
１２の一部のみが現れている。そして前記コイル層１２
の上には、有機樹脂材料などの絶縁層１４が形成されて
いる。
には、Ａｌ2Ｏ3などの非磁性の絶縁材料で形成されたギ
ャップ層１０が形成され、さらに前記ギャップ層１０の
上には、レジスト材料やその他の有機材料で形成された
絶縁層１１が形成されている。前記絶縁層１１上には、
Ｃｕなどの電気抵抗の低い導電性材料により、コイル層
１２が螺旋状に形成されている。なお前記コイル層１２
は、後述する上部コア層１５の基端部１５ｂの周囲を周
回するように形成されているが、図１では前記コイル層
１２の一部のみが現れている。そして前記コイル層１２
の上には、有機樹脂材料などの絶縁層１４が形成されて
いる。
【００２８】前記絶縁層１４の上には、磁性材料製の上
部コア層１５が形成されている。上部コア層１５の先端
部１５ａは、記録媒体との対向部において、下部コア層
８上に前記ギャップ層１０を介して接合され、ギャップ
長Ｇｌの磁気ギャップが形成されている。また上部コア
層１５の基端部１５ｂは、ギャップ層１０及び絶縁層１
１に形成された穴を介して、下部コア層８に磁気的に接
合されている。
部コア層１５が形成されている。上部コア層１５の先端
部１５ａは、記録媒体との対向部において、下部コア層
８上に前記ギャップ層１０を介して接合され、ギャップ
長Ｇｌの磁気ギャップが形成されている。また上部コア
層１５の基端部１５ｂは、ギャップ層１０及び絶縁層１
１に形成された穴を介して、下部コア層８に磁気的に接
合されている。
【００２９】書込み用のインダクティブヘッドｈ２で
は、コイル層１２に記録電流が与えられると、下部コア
層８及び上部コア層１５に記録磁界が誘導され、下部コ
ア層８と上部コア層１５の先端部１５ａとの磁気ギャッ
プ部分からの洩れ磁界により、ハードディスクなどの記
録媒体に磁気信号が記録される。
は、コイル層１２に記録電流が与えられると、下部コア
層８及び上部コア層１５に記録磁界が誘導され、下部コ
ア層８と上部コア層１５の先端部１５ａとの磁気ギャッ
プ部分からの洩れ磁界により、ハードディスクなどの記
録媒体に磁気信号が記録される。
【００３０】図２、図３は、本発明におけるインダクタ
の構造を示すものであり、図２は平面図、図３は図２の
３―３線断面図である。図３に示すように、基板３０上
に取り出し電極３１が形成されている。この取り出し電
極３１は、端子としての役割を有している。前記基板３
０上及び取り出し電極３１上に、絶縁膜３２と磁性膜３
３と絶縁膜３４が順次積層され、絶縁膜３４上にスパイ
ラルコイル状の平面コイル３５が形成される。平面コイ
ル３５の中心部は、絶縁膜３２と磁性膜３３と絶縁膜３
４に開けられたスルーホールを介して取り出し電極３１
と接続されている。さらに平面コイル３５を覆う絶縁膜
３６が形成され、絶縁膜３６上に磁性膜３７が形成され
ている。平面コイル３５の端からは取り出し電極３８が
基板３０上に延びている。前記取り出し電極３８も、取
り出し電極３１と同様に端子としての機能を有してい
る。
の構造を示すものであり、図２は平面図、図３は図２の
３―３線断面図である。図３に示すように、基板３０上
に取り出し電極３１が形成されている。この取り出し電
極３１は、端子としての役割を有している。前記基板３
０上及び取り出し電極３１上に、絶縁膜３２と磁性膜３
３と絶縁膜３４が順次積層され、絶縁膜３４上にスパイ
ラルコイル状の平面コイル３５が形成される。平面コイ
ル３５の中心部は、絶縁膜３２と磁性膜３３と絶縁膜３
４に開けられたスルーホールを介して取り出し電極３１
と接続されている。さらに平面コイル３５を覆う絶縁膜
３６が形成され、絶縁膜３６上に磁性膜３７が形成され
ている。平面コイル３５の端からは取り出し電極３８が
基板３０上に延びている。前記取り出し電極３８も、取
り出し電極３１と同様に端子としての機能を有してい
る。
【００３１】平面コイル３５は、銅、銀、金、アルミニ
ウムあるいはこれらの合金などの良導電性金属材料から
なり、インダクタンス、直流重量特性、サイズなどに応
じて、電気的に直列に、または並列に、さらに縦にある
いは横に絶縁膜を介して適宜配置することができる。
ウムあるいはこれらの合金などの良導電性金属材料から
なり、インダクタンス、直流重量特性、サイズなどに応
じて、電気的に直列に、または並列に、さらに縦にある
いは横に絶縁膜を介して適宜配置することができる。
【００３２】また平面コイル３５を並列的に複数設け、
各平面コイル３５を絶縁膜３６を介して対向させること
で、トランスを構成できる。さらに、平面コイル３５
は、導電層を基板上に形成後、フォトエッチングするこ
とにより各種の形状に作成できる。導電層の成膜方法と
しては、ブレス圧着、メッキ、金属溶射、真空蒸着、ス
パッタリング、イオンブレーティング、スクリーン印刷
焼成法などの適宜の方法を用いればよい。
各平面コイル３５を絶縁膜３６を介して対向させること
で、トランスを構成できる。さらに、平面コイル３５
は、導電層を基板上に形成後、フォトエッチングするこ
とにより各種の形状に作成できる。導電層の成膜方法と
しては、ブレス圧着、メッキ、金属溶射、真空蒸着、ス
パッタリング、イオンブレーティング、スクリーン印刷
焼成法などの適宜の方法を用いればよい。
【００３３】絶縁膜３２，３４，３６は、ポリイミドな
どの高分子フィルム、ＳｉＯ2、ガラス、硬質炭素膜な
どの無機質膜からなるものを用いることが好ましい．こ
の絶縁膜３２，３４，３６は、ペースト印刷またはスピ
ンコート後に焼成する方法、溶融メッキ法、溶射、気相
メッキ、真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティ
ングなどの方法により形成される。
どの高分子フィルム、ＳｉＯ2、ガラス、硬質炭素膜な
どの無機質膜からなるものを用いることが好ましい．こ
の絶縁膜３２，３４，３６は、ペースト印刷またはスピ
ンコート後に焼成する方法、溶融メッキ法、溶射、気相
メッキ、真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティ
ングなどの方法により形成される。
【００３４】本発明では、図１に示す薄膜磁気ヘッドの
下部シールド層１、上部シールド層（下部コア層）８、
または上部コア層１５、あるいは図２，３に示すインダ
クタの磁性膜３３，３７は、（Ｆｅ1-aＣｏa）XＭYＬZ
ＲWから成る軟磁性膜により形成されている。ただし元
素Ｍは、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏと希土
類元素（Ｓｍを除く）から選ばれる１種または２種以上
から成り、元素Ｌは、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｓｍ，Ｓｉから選ば
れる１種または２種以上から成り、元素Ｒは、Ｏ，Ｃ，
Ｎから選ばれる１種または２種以上から成り、組成比を
示すａは、０≦ａ≦０．１、Ｘ，Ｙ，Ｚ，Ｗはａｔ％
で、４５≦Ｘ≦７０、５≦Ｙ≦３０、０．１≦Ｚ≦１
０、１０≦Ｗ≦４０である。
下部シールド層１、上部シールド層（下部コア層）８、
または上部コア層１５、あるいは図２，３に示すインダ
クタの磁性膜３３，３７は、（Ｆｅ1-aＣｏa）XＭYＬZ
ＲWから成る軟磁性膜により形成されている。ただし元
素Ｍは、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏと希土
類元素（Ｓｍを除く）から選ばれる１種または２種以上
から成り、元素Ｌは、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｓｍ，Ｓｉから選ば
れる１種または２種以上から成り、元素Ｒは、Ｏ，Ｃ，
Ｎから選ばれる１種または２種以上から成り、組成比を
示すａは、０≦ａ≦０．１、Ｘ，Ｙ，Ｚ，Ｗはａｔ％
で、４５≦Ｘ≦７０、５≦Ｙ≦３０、０．１≦Ｚ≦１
０、１０≦Ｗ≦４０である。
【００３５】薄膜磁気ヘッドのシールド層１，８として
は、特に高い透磁率、低い磁歪定数を必要とし、またコ
ア層８，１５としては、特に高い飽和磁束密度、高い比
抵抗を必要としている。またインダクタの磁性層３３，
３７としては、特に高い透磁率、低い磁歪定数を必要と
している。
は、特に高い透磁率、低い磁歪定数を必要とし、またコ
ア層８，１５としては、特に高い飽和磁束密度、高い比
抵抗を必要としている。またインダクタの磁性層３３，
３７としては、特に高い透磁率、低い磁歪定数を必要と
している。
【００３６】本発明では、Ｆｅ―Ｍ（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ
等）―Ｏ系合金に、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｓｍ，またはＳｉのう
ち１種または２種以上から成る元素Ｌを添加し、さらに
各元素の濃度を適正に調節することにより、前記軟磁性
膜の磁歪定数を低減できると同時に、良好な軟磁気特性
を得ることが可能である。これらの元素ＬはＦｅに固溶
し、前記Ｆｅの磁歪を小さくする機能を有している。
等）―Ｏ系合金に、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｓｍ，またはＳｉのう
ち１種または２種以上から成る元素Ｌを添加し、さらに
各元素の濃度を適正に調節することにより、前記軟磁性
膜の磁歪定数を低減できると同時に、良好な軟磁気特性
を得ることが可能である。これらの元素ＬはＦｅに固溶
し、前記Ｆｅの磁歪を小さくする機能を有している。
【００３７】特に本発明では、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｓｍ，また
はＳｉのうち、Ｔｉ，Ｓｎ，またはＳｍを元素Ｌとし
て、軟磁性膜の中に添加し、前記元素Ｌの組成比Ｚを、
０．１≦Ｚ≦２とすることがより好ましい。
はＳｉのうち、Ｔｉ，Ｓｎ，またはＳｍを元素Ｌとし
て、軟磁性膜の中に添加し、前記元素Ｌの組成比Ｚを、
０．１≦Ｚ≦２とすることがより好ましい。
【００３８】元素Ｌを添加することにより、軟磁性膜の
磁歪定数を低減できるが、あまり前記元素Ｌの添加量が
多くなってしまうと、Ｆｅやその他の元素の濃度が減少
してしまい、透磁率の低下などの問題が起こる。このた
め、元素Ｌの添加量はなるべく少ない方がよい。
磁歪定数を低減できるが、あまり前記元素Ｌの添加量が
多くなってしまうと、Ｆｅやその他の元素の濃度が減少
してしまい、透磁率の低下などの問題が起こる。このた
め、元素Ｌの添加量はなるべく少ない方がよい。
【００３９】また本発明における軟磁性膜の膜構造は、
元素Ｍと元素Ｒの化合物（酸化物など）や元素Ｒを主体
としたアモルファス相にｂｃｃ構造（体心立方構造）の
Ｆｅを主体とした微結晶相が混在し、さらに元素Ｌが前
記Ｆｅに固溶したものとなっている。
元素Ｍと元素Ｒの化合物（酸化物など）や元素Ｒを主体
としたアモルファス相にｂｃｃ構造（体心立方構造）の
Ｆｅを主体とした微結晶相が混在し、さらに元素Ｌが前
記Ｆｅに固溶したものとなっている。
【００４０】元素Ｍと元素Ｒの化合物を多量に含むアモ
ルファス相の比抵抗は高くなっており、軟磁性膜全体と
しての比抵抗は高い値を有している。またＦｅの添加量
を適正に調節すれば、飽和磁束密度、透磁率を高めるこ
とが可能となっている。さらに本発明では、Ｔｉなどの
元素Ｌを微量添加することで、軟磁性膜の良好な軟磁気
特性を維持しながら、前記軟磁性膜の磁歪定数を低減で
きるものとなっている。
ルファス相の比抵抗は高くなっており、軟磁性膜全体と
しての比抵抗は高い値を有している。またＦｅの添加量
を適正に調節すれば、飽和磁束密度、透磁率を高めるこ
とが可能となっている。さらに本発明では、Ｔｉなどの
元素Ｌを微量添加することで、軟磁性膜の良好な軟磁気
特性を維持しながら、前記軟磁性膜の磁歪定数を低減で
きるものとなっている。
【００４１】本発明では、前記軟磁性膜の磁歪定数は、
絶対値で４×１０-6以下であることが好ましい。また前
記軟磁性膜の比抵抗は、４００〜１２００μΩ・ｃｍ、
透磁率は３００以上であることが好ましい。
絶対値で４×１０-6以下であることが好ましい。また前
記軟磁性膜の比抵抗は、４００〜１２００μΩ・ｃｍ、
透磁率は３００以上であることが好ましい。
【００４２】本発明における軟磁性膜を形成するには、
スパッタ法、蒸着法などを使用すればよい。スパッタ装
置としてはＲＦ二極スパッタ、ＤＣスパッタ、マグネト
ロンスパッタ、三極スパッタ、イオンビームスパッタ、
対向ターゲット式スパッタなどの既存のものを使用すれ
ばよい。
スパッタ法、蒸着法などを使用すればよい。スパッタ装
置としてはＲＦ二極スパッタ、ＤＣスパッタ、マグネト
ロンスパッタ、三極スパッタ、イオンビームスパッタ、
対向ターゲット式スパッタなどの既存のものを使用すれ
ばよい。
【００４３】前記軟磁性膜中に、Ｏ2（酸素）を添加す
る方法としては、Ａｒなどの不活性ガス中にＯ2ガスを
混合した（Ａｒ＋Ｏ2）混合ガス雰囲気中でスパッタを
行う反応性スパッタ、あるいは、元素Ｍの酸化物（Ｈｆ
Ｏ2など）のチップを用いた複合ターゲットをＡｒ雰囲
気中、あるいはＡｒ＋Ｏ2混合ガス雰囲気中でスパッタ
する方法が有効である。またＦｅのターゲット上に希土
類元素などの元素Ｍなどの各種ペレットを配置した複合
ターゲットを用いて、Ａｒ＋Ｏ2混合ガス雰囲気中で製
作することもできる。
る方法としては、Ａｒなどの不活性ガス中にＯ2ガスを
混合した（Ａｒ＋Ｏ2）混合ガス雰囲気中でスパッタを
行う反応性スパッタ、あるいは、元素Ｍの酸化物（Ｈｆ
Ｏ2など）のチップを用いた複合ターゲットをＡｒ雰囲
気中、あるいはＡｒ＋Ｏ2混合ガス雰囲気中でスパッタ
する方法が有効である。またＦｅのターゲット上に希土
類元素などの元素Ｍなどの各種ペレットを配置した複合
ターゲットを用いて、Ａｒ＋Ｏ2混合ガス雰囲気中で製
作することもできる。
【００４４】以上のように本発明では、Ｆｅ―Ｍ―Ｒ合
金膜にＴｉ，Ｓｎ，Ｓｍ，またはＳｉを元素Ｌとして、
前記軟磁性膜の中に添加し、各構成元素の組成比を適正
に調節することによって、良好な高周波特性に優れた軟
磁気特性を維持しながら、磁歪定数を低減させることが
可能である。
金膜にＴｉ，Ｓｎ，Ｓｍ，またはＳｉを元素Ｌとして、
前記軟磁性膜の中に添加し、各構成元素の組成比を適正
に調節することによって、良好な高周波特性に優れた軟
磁気特性を維持しながら、磁歪定数を低減させることが
可能である。
【００４５】この軟磁性膜を図１に示す薄膜磁気ヘッド
のシールド層１，８として使用すれば、透磁率が高く磁
歪が低いために、シールド機能を向上でき、例えば磁気
抵抗効果素子層６に余分な外部磁界が入ることによるノ
イズの発生を抑制できる。また前記軟磁性膜を薄膜磁気
ヘッドのコア層８，１５として使用すれば、高記録密度
化に伴い周波数を高めても、前記コア層８，１５の比抵
抗が高いために、渦電流が発生しにくく、前記渦電流に
よる熱損失をより低減できる。また前記軟磁性膜をシー
ルド層及びコア層として使用することにより、磁歪が小
さいために、前記シールド層及びコア層に軟磁気特性の
劣化や膜はがれが生じにくい。
のシールド層１，８として使用すれば、透磁率が高く磁
歪が低いために、シールド機能を向上でき、例えば磁気
抵抗効果素子層６に余分な外部磁界が入ることによるノ
イズの発生を抑制できる。また前記軟磁性膜を薄膜磁気
ヘッドのコア層８，１５として使用すれば、高記録密度
化に伴い周波数を高めても、前記コア層８，１５の比抵
抗が高いために、渦電流が発生しにくく、前記渦電流に
よる熱損失をより低減できる。また前記軟磁性膜をシー
ルド層及びコア層として使用することにより、磁歪が小
さいために、前記シールド層及びコア層に軟磁気特性の
劣化や膜はがれが生じにくい。
【００４６】また図２，３に示すインダクタは、小型か
つ薄型で軽量であり、優れた軟磁気特性を有する前記軟
磁性膜を、磁性膜３３，３７として使用すれば、平面型
磁気素子の小型軽量化に寄与するとともに、インダクタ
ンスを向上できる。なお図２，３では、インダクタにつ
いて説明したが、一次側と二次側のコイルを設けてトラ
ンスとして用いることも可能である。さらに近年では、
移動通信機器が発達し、例えば携帯電話機用のＬＣフィ
ルタの構成要素の中で占有面積の大きい空心インダクタ
の小型化が期待されている。
つ薄型で軽量であり、優れた軟磁気特性を有する前記軟
磁性膜を、磁性膜３３，３７として使用すれば、平面型
磁気素子の小型軽量化に寄与するとともに、インダクタ
ンスを向上できる。なお図２，３では、インダクタにつ
いて説明したが、一次側と二次側のコイルを設けてトラ
ンスとして用いることも可能である。さらに近年では、
移動通信機器が発達し、例えば携帯電話機用のＬＣフィ
ルタの構成要素の中で占有面積の大きい空心インダクタ
の小型化が期待されている。
【００４７】本発明における軟磁性膜を用いることによ
り、単位面積当たりのインダクタンスを大きくすること
が可能であり、前記空心インダクタの小型化を実現でき
る。また前記軟磁性膜は磁歪が小さいことにより、イン
ダクタ、トランス、及びフィルタの磁心として前記軟磁
性膜を使用した場合に、軟磁気特性の劣化や基板との間
で膜はがれなどが生じない。
り、単位面積当たりのインダクタンスを大きくすること
が可能であり、前記空心インダクタの小型化を実現でき
る。また前記軟磁性膜は磁歪が小さいことにより、イン
ダクタ、トランス、及びフィルタの磁心として前記軟磁
性膜を使用した場合に、軟磁気特性の劣化や基板との間
で膜はがれなどが生じない。
【００４８】
【実施例】本発明ではマグネトロンスパッタ装置内に、
円形状のＦｅから成るターゲットを用い、このターゲッ
ト上に、ＨｆＯ2、Ｆｅ3Ｏ4及びＴｉのチップを載せ、
前記各チップの枚数を変化させて、組成比の異なるＦｅ
―Ｈｆ―Ｔｉ―Ｏ合金膜を基板上に成膜し、前記各軟磁
性膜の軟磁気特性を測定した。また比較例として、Ｆｅ
のターゲット上に、ＨｆＯ2、Ｆｅ3Ｏ4のチップを載せ
てＦｅ―Ｍ（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ等）―Ｏ系合金を基板上
に成膜し、前記軟磁性膜の軟磁気特性を測定した。な
お、実験ではＡｒガスを装置内に流してスパッタを行っ
ている。また成膜後、２ｋＯｅの静磁場中で、４００℃
の２時間のアニール処理（ＵＦＡ）を行っている。
円形状のＦｅから成るターゲットを用い、このターゲッ
ト上に、ＨｆＯ2、Ｆｅ3Ｏ4及びＴｉのチップを載せ、
前記各チップの枚数を変化させて、組成比の異なるＦｅ
―Ｈｆ―Ｔｉ―Ｏ合金膜を基板上に成膜し、前記各軟磁
性膜の軟磁気特性を測定した。また比較例として、Ｆｅ
のターゲット上に、ＨｆＯ2、Ｆｅ3Ｏ4のチップを載せ
てＦｅ―Ｍ（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ等）―Ｏ系合金を基板上
に成膜し、前記軟磁性膜の軟磁気特性を測定した。な
お、実験ではＡｒガスを装置内に流してスパッタを行っ
ている。また成膜後、２ｋＯｅの静磁場中で、４００℃
の２時間のアニール処理（ＵＦＡ）を行っている。
【００４９】
【表１】 表１に示すρ ａｓｄｐは、アニール処理前における比
抵抗値であり、ρ ＵＦＡは、アニール処理後における
比抵抗値である。また透磁率μ′、飽和磁化Ｉｓ、保持
力Ｈｃ、異方性磁界Ｈｋ、及び磁歪定数λの測定はすべ
てアニール後に行っている。
抵抗値であり、ρ ＵＦＡは、アニール処理後における
比抵抗値である。また透磁率μ′、飽和磁化Ｉｓ、保持
力Ｈｃ、異方性磁界Ｈｋ、及び磁歪定数λの測定はすべ
てアニール後に行っている。
【００５０】表１に示すＮｏ．１から６までが実施例、
Ｎｏ．７が比較例である。表１に示すようにＦｅ2Ｏ3の
チップ枚数は１４枚に固定している。表１に示すように
ＨｆＯ2のチップ枚数を増やすと、Ｈｆ及びＯの組成比
は増加することがわかる。このＨｆとＯの組成比の増加
により、比抵抗ρは向上していることがわかる。一方、
Ｆｅの組成比は、ＨｆＯ2とＴｉのチップ枚数が多くな
れば、小さくなっており、Ｆｅの組成比が小さいと、飽
和磁化Ｉｓの値が小さくなることがわかる。
Ｎｏ．７が比較例である。表１に示すようにＦｅ2Ｏ3の
チップ枚数は１４枚に固定している。表１に示すように
ＨｆＯ2のチップ枚数を増やすと、Ｈｆ及びＯの組成比
は増加することがわかる。このＨｆとＯの組成比の増加
により、比抵抗ρは向上していることがわかる。一方、
Ｆｅの組成比は、ＨｆＯ2とＴｉのチップ枚数が多くな
れば、小さくなっており、Ｆｅの組成比が小さいと、飽
和磁化Ｉｓの値が小さくなることがわかる。
【００５１】またＴｉを添加することで、磁歪定数λは
小さくなっており、表１に示すように磁歪は３×１０-6
以下となっている。これに対し、Ｔｉを添加しないＮ
ｏ．７を見ると、磁歪定数λは４．５×１０-6と高い値
を示すことがわかる。すなわちＴｉを添加すれば、磁歪
定数λを低減できることがわかる。
小さくなっており、表１に示すように磁歪は３×１０-6
以下となっている。これに対し、Ｔｉを添加しないＮ
ｏ．７を見ると、磁歪定数λは４．５×１０-6と高い値
を示すことがわかる。すなわちＴｉを添加すれば、磁歪
定数λを低減できることがわかる。
【００５２】Ｎｏ．１から６までの実施例において、Ｎ
ｏ．４と６は、比抵抗ρは高いものの透磁率μ′、及び
飽和磁化Ｉｓが小さくて好ましくない。特にＮｏ．６の
場合は、透磁率μ′が９０と非常に小さく、薄膜磁気ヘ
ッドあるいは平面型磁気素子などの磁性膜には不適であ
る。Ｎｏ．４，６の場合は、Ｈｆ，Ｏの組成比のみなら
ずＴｉの組成比も他の軟磁性膜に比べて大きくなくな
り、Ｆｅの組成比が小さくなっていることがわかる。
ｏ．４と６は、比抵抗ρは高いものの透磁率μ′、及び
飽和磁化Ｉｓが小さくて好ましくない。特にＮｏ．６の
場合は、透磁率μ′が９０と非常に小さく、薄膜磁気ヘ
ッドあるいは平面型磁気素子などの磁性膜には不適であ
る。Ｎｏ．４，６の場合は、Ｈｆ，Ｏの組成比のみなら
ずＴｉの組成比も他の軟磁性膜に比べて大きくなくな
り、Ｆｅの組成比が小さくなっていることがわかる。
【００５３】表１に示すようにＴｉの組成比を大きくす
れば、磁歪は低下するが、Ｔｉの組成比をそれほど大き
くしなくても、比較例（Ｎｏ．７）に比べて充分に磁歪
定数λを小さくできることがわかる。
れば、磁歪は低下するが、Ｔｉの組成比をそれほど大き
くしなくても、比較例（Ｎｏ．７）に比べて充分に磁歪
定数λを小さくできることがわかる。
【００５４】図５は、表１に示す各軟磁性膜の組成比
と、磁歪との関係を示す三元図である。図５に示すよう
に、Ｔｉの組成比が１ａｔ％以下であっても、比較例
（表１に示すＮｏ．７）の磁歪（４．５×１０-6）を半
減させることが可能である。すなわち表１及び図５から
わかるように、磁歪を低下させ、同時に高い透磁率μ′
及び飽和磁化Ｉｓを確保するには、Ｔｉの添加量を微量
にしておくことが好ましい。
と、磁歪との関係を示す三元図である。図５に示すよう
に、Ｔｉの組成比が１ａｔ％以下であっても、比較例
（表１に示すＮｏ．７）の磁歪（４．５×１０-6）を半
減させることが可能である。すなわち表１及び図５から
わかるように、磁歪を低下させ、同時に高い透磁率μ′
及び飽和磁化Ｉｓを確保するには、Ｔｉの添加量を微量
にしておくことが好ましい。
【００５５】次に本発明では、Ｔｉの代わりにＳｎをチ
ップとしてＦｅのターゲット上に載せ、異なる組成比の
Ｆｅ―Ｈｆ―Ｓｎ―Ｏ合金膜を複数成膜し、各軟磁性膜
の軟磁気特性を測定した。なお実験方法は、上述したＦ
ｅ―Ｈｆ―Ｔｉ―Ｏ合金膜を成膜した場合と同じであ
る。
ップとしてＦｅのターゲット上に載せ、異なる組成比の
Ｆｅ―Ｈｆ―Ｓｎ―Ｏ合金膜を複数成膜し、各軟磁性膜
の軟磁気特性を測定した。なお実験方法は、上述したＦ
ｅ―Ｈｆ―Ｔｉ―Ｏ合金膜を成膜した場合と同じであ
る。
【００５６】
【表２】 表２に示すように、Ｓｎを添加した場合の軟磁性膜の磁
歪定数λは、Ｔｉを添加した場合に比べてそれほど大き
くは低下しないが、表１の比較例（Ｎｏ．７）に比べて
磁歪を低減できることがわかる。
歪定数λは、Ｔｉを添加した場合に比べてそれほど大き
くは低下しないが、表１の比較例（Ｎｏ．７）に比べて
磁歪を低減できることがわかる。
【００５７】表１，２から共通して言えることは、Ｔ
ｉ，Ｓｎを添加すれば、Ｆｅ―Ｍ（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ
等）―Ｏ系合金の磁歪定数λを低減できるということで
ある。ただしその添加量は微量であることが好ましく、
あまり多くしすぎると、他の元素の濃度が低下し、その
元素に強く影響を受ける軟磁気特性が低下して好ましく
ない。ただし磁歪低減という観点からすれば、前述した
図４からもわかるように、添加元素としてＳｉを選択し
た場合、前記Ｓｉの添加量を大きくする必要があり、本
発明では、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｓｍ，Ｓｉから成る１種または
２種以上の元素Ｌの組成比Ｚを０．１≦Ｚ≦１０とし、
前記元素Ｌが、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｓｍから選ばれる１種また
は２種以上から成る場合には、、組成比Ｚは、０．１≦
Ｚ≦２であるとした。
ｉ，Ｓｎを添加すれば、Ｆｅ―Ｍ（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ
等）―Ｏ系合金の磁歪定数λを低減できるということで
ある。ただしその添加量は微量であることが好ましく、
あまり多くしすぎると、他の元素の濃度が低下し、その
元素に強く影響を受ける軟磁気特性が低下して好ましく
ない。ただし磁歪低減という観点からすれば、前述した
図４からもわかるように、添加元素としてＳｉを選択し
た場合、前記Ｓｉの添加量を大きくする必要があり、本
発明では、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｓｍ，Ｓｉから成る１種または
２種以上の元素Ｌの組成比Ｚを０．１≦Ｚ≦１０とし、
前記元素Ｌが、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｓｍから選ばれる１種また
は２種以上から成る場合には、、組成比Ｚは、０．１≦
Ｚ≦２であるとした。
【００５８】また本発明では、表１及び表２に基づい
て、軟磁性膜の好ましい磁歪定数λを、絶対値で４×１
０-6以下とし、また比抵抗ρを、４００〜１２００μΩ
・ｃｍとし、透磁率μ′を３００以上とした。この範囲
に当てはまるのは、表１では、Ｎｏ．１，２，３，４，
５、表２では、Ｎｏ．１，３，５である。
て、軟磁性膜の好ましい磁歪定数λを、絶対値で４×１
０-6以下とし、また比抵抗ρを、４００〜１２００μΩ
・ｃｍとし、透磁率μ′を３００以上とした。この範囲
に当てはまるのは、表１では、Ｎｏ．１，２，３，４，
５、表２では、Ｎｏ．１，３，５である。
【００５９】
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、Ｆｅ―Ｍ
（Ｈｆなど）―Ｒ（Ｏなど）合金膜に、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｓ
ｍまたはＳｉから選ばれる１種あるいは２種以上の元素
Ｌを添加することで、軟磁性膜の磁歪定数を低減させる
ことができる。前記元素Ｌの組成比Ｚは、0．１〜１０
（ａｔ％）であることが好ましく、より好ましくは、元
素ＬをＴｉ，Ｓｎ，Ｓｍから選ばれる１種あるいは２種
以上から成るとし、組成比Ｚは０．１〜２（ａｔ％）で
ある。
（Ｈｆなど）―Ｒ（Ｏなど）合金膜に、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｓ
ｍまたはＳｉから選ばれる１種あるいは２種以上の元素
Ｌを添加することで、軟磁性膜の磁歪定数を低減させる
ことができる。前記元素Ｌの組成比Ｚは、0．１〜１０
（ａｔ％）であることが好ましく、より好ましくは、元
素ＬをＴｉ，Ｓｎ，Ｓｍから選ばれる１種あるいは２種
以上から成るとし、組成比Ｚは０．１〜２（ａｔ％）で
ある。
【００６０】また本発明では、前記軟磁性膜に前記元素
Ｌを添加し、構成元素であるＦｅ、元素Ｍ、元素Ｌ、及
び元素Ｒの組成比を適正に調整すれば、磁歪定数を低減
でき、しかも良好な軟磁気特性を得ることができる。
Ｌを添加し、構成元素であるＦｅ、元素Ｍ、元素Ｌ、及
び元素Ｒの組成比を適正に調整すれば、磁歪定数を低減
でき、しかも良好な軟磁気特性を得ることができる。
【００６１】本発明における軟磁性膜を薄膜磁気ヘッド
の磁性層や、平面型磁気素子、あるいはフィルタの磁心
などに使用することにより、優れた軟磁気特性を得るこ
とができ、しかも磁歪が低いため膜はがれなどを起こし
にくい。
の磁性層や、平面型磁気素子、あるいはフィルタの磁心
などに使用することにより、優れた軟磁気特性を得るこ
とができ、しかも磁歪が低いため膜はがれなどを起こし
にくい。
【図１】本発明における薄膜磁気ヘッドの縦断面図、
【図２】本発明における平面型磁気素子（インダクタ）
の平面図、
の平面図、
【図３】図２に示す切断線３―３の断面図、
【図４】Ｆｅに添加する元素Ｘの濃度と、Ｆｅ―Ｘ合金
膜の磁歪定数との関係を示すグラフ、
膜の磁歪定数との関係を示すグラフ、
【図５】Ｆｅ、Ｈｆ＋Ｏ、Ｔｉの組成比と、Ｆｅ―Ｈｆ
―Ｔｉ―Ｏ合金膜の磁歪定数との関係を示す三元図、
―Ｔｉ―Ｏ合金膜の磁歪定数との関係を示す三元図、
１ 下部シールド層 ６ 磁気抵抗効果素子層 ８ 上部シールド層（下部コア層） １２ コイル層 １５ 上部コア層 ３０ 基板 ３１，３８ 取り出し電極 ３３，３７ 磁性膜 ３２、３４，３６ 絶縁膜 ３５ 平面コイル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 牧野 彰宏 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内
Claims (14)
- 【請求項１】 主成分のＦｅと、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏと希土類元素（Ｓｍを除く）から選
ばれる１種または２種以上の元素Ｍと、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｓ
ｍ，Ｓｉから選ばれる１種または２種以上の元素Ｌと、
Ｏ，Ｃ，Ｎから選ばれる１種または２種以上の元素Ｒと
を主に含有し、膜構造としては、元素Ｍの酸化物を多量
に含むアモルファス相に、Ｆｅを多量に含む微結晶相が
混在しており、さらに前記微結晶相中に、元素Ｌを含ん
でいることを特徴とする軟磁性膜。 - 【請求項２】 前記微結晶相は、ｂｃｃ構造、ｈｃｐ構
造、ｆｃｃ構造のうち１種あるいは２種以上の混成構造
から成る請求項１記載の軟磁性膜。 - 【請求項３】 前記微結晶相の結晶構造は、主にｂｃｃ
構造から成る請求項２記載の軟磁性膜。 - 【請求項４】 前記微結晶相の平均結晶粒径は、３０ｎ
ｍ以下である請求項１ないし請求項３のいずれかに記載
の軟磁性膜。 - 【請求項５】 前記微結晶相の平均結晶粒径は、１０ｎ
ｍ以下である請求項４記載の軟磁性膜。 - 【請求項６】 前記軟磁性膜が、下記の組成で形成され
ている請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の軟磁
性膜。 （Ｆｅ1-aＣｏa）XＭYＬZＲW ただし元素Ｍは、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｍ
ｏと希土類元素（Ｓｍを除く）から選ばれる１種または
２種以上から成り、元素Ｌは、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｓｍ，Ｓｉ
から選ばれる１種または２種以上から成り、元素Ｒは、
Ｏ，Ｃ，Ｎから選ばれる１種または２種以上から成り、
組成比を示すａは、０≦ａ≦０．１、Ｘ，Ｙ，Ｚ，Ｗは
ａｔ％で、４５≦Ｘ≦７０、５≦Ｙ≦３０、０．１≦Ｚ
≦１０、１０≦Ｗ≦４０である。 - 【請求項７】 前記元素Ｌは、Ｔｉ，Ｓｎ，Ｓｍから選
ばれる１種または２種以上から成り、組成比Ｚは、０．
１≦Ｚ≦２である請求項６記載の軟磁性膜。 - 【請求項８】 前記組成比Ｗは、３０≦Ｗ≦４０である
請求項６または請求項７に記載の軟磁性膜。 - 【請求項９】 前記軟磁性膜の磁歪定数は、絶対値で４
×１０-6以下である請求項１ないし請求項８のいずれか
に記載の軟磁性膜。 - 【請求項１０】 前記軟磁性膜の比抵抗は、４００〜１
２００μΩ・ｃｍである請求項１ないし請求項９のいず
れかに記載の軟磁性膜。 - 【請求項１１】 前記軟磁性膜の透磁率は、３００以上
である請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の軟
磁性膜。 - 【請求項１２】 書込み用のヘッド及び／または読み出
し用のヘッドで形成される薄膜磁気ヘッドにおいて、前
記書込み用のヘッド及び読み出し用のヘッドを構成する
少なくとも１層以上の磁性層は、請求項１ないし請求項
１１のいずれかに記載された軟磁性膜により形成されて
いることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１３】 請求項１ないし請求項１１のいずれか
に記載された軟磁性膜により磁心が形成されていること
を特徴とする平面型磁気素子。 - 【請求項１４】 請求項１ないし請求項１１のいずれか
に記載された軟磁性膜により磁心が形成されていること
を特徴とするフィルタ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10144198A JPH11340036A (ja) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | 軟磁性膜とこの軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド、平面型磁気素子、及びフィルタ |
| US09/313,924 US6171716B1 (en) | 1998-05-26 | 1999-05-18 | Soft magnetic film, and thin film magnetic head, planer magnetic element, and filter using the soft magnetic film |
| KR1019990018869A KR100331733B1 (ko) | 1998-05-26 | 1999-05-25 | 연자성 막과 이 연자성 막을 이용한 박막자기헤드, 평면형 자기소자 및 필터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10144198A JPH11340036A (ja) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | 軟磁性膜とこの軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド、平面型磁気素子、及びフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340036A true JPH11340036A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15356505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10144198A Withdrawn JPH11340036A (ja) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | 軟磁性膜とこの軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド、平面型磁気素子、及びフィルタ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6171716B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11340036A (ja) |
| KR (1) | KR100331733B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6441715B1 (en) * | 1999-02-17 | 2002-08-27 | Texas Instruments Incorporated | Method of fabricating a miniaturized integrated circuit inductor and transformer fabrication |
| US6396660B1 (en) * | 1999-08-23 | 2002-05-28 | Read-Rite Corporation | Magnetic write element having a thermally dissipative structure |
| US6815096B2 (en) * | 2001-05-16 | 2004-11-09 | Tdk Corporation | Soft magnetic thin film and thin film magnetic head using the same |
| KR100430671B1 (ko) * | 2001-09-08 | 2004-05-10 | 한국전기연구원 | 자기소자용 ＦｅＴａＮ계 연자성 박막의 제조방법 |
| US7260890B2 (en) * | 2002-06-26 | 2007-08-28 | Georgia Tech Research Corporation | Methods for fabricating three-dimensional all organic interconnect structures |
| US6987307B2 (en) * | 2002-06-26 | 2006-01-17 | Georgia Tech Research Corporation | Stand-alone organic-based passive devices |
| US6900708B2 (en) * | 2002-06-26 | 2005-05-31 | Georgia Tech Research Corporation | Integrated passive devices fabricated utilizing multi-layer, organic laminates |
| US7489914B2 (en) * | 2003-03-28 | 2009-02-10 | Georgia Tech Research Corporation | Multi-band RF transceiver with passive reuse in organic substrates |
| US8345433B2 (en) * | 2004-07-08 | 2013-01-01 | Avx Corporation | Heterogeneous organic laminate stack ups for high frequency applications |
| FR2873849A1 (fr) * | 2004-07-27 | 2006-02-03 | St Microelectronics Sa | Procede d'obtention d'un film mince magnetique doux, a forte aimantation et isolant, film et circuit integre correspondants |
| US7439840B2 (en) | 2006-06-27 | 2008-10-21 | Jacket Micro Devices, Inc. | Methods and apparatuses for high-performing multi-layer inductors |
| US7808434B2 (en) * | 2006-08-09 | 2010-10-05 | Avx Corporation | Systems and methods for integrated antennae structures in multilayer organic-based printed circuit devices |
| US7989895B2 (en) | 2006-11-15 | 2011-08-02 | Avx Corporation | Integration using package stacking with multi-layer organic substrates |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02199027A (ja) | 1989-01-30 | 1990-08-07 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁性合金 |
| JP2950912B2 (ja) | 1990-05-22 | 1999-09-20 | ティーディーケイ株式会社 | 軟磁性薄膜 |
| JP3291099B2 (ja) | 1993-03-05 | 2002-06-10 | アルプス電気株式会社 | 軟磁性合金および平面型磁気素子 |
| JPH07268610A (ja) | 1994-03-28 | 1995-10-17 | Alps Electric Co Ltd | 軟磁性合金薄膜 |
| JPH1055916A (ja) | 1996-08-08 | 1998-02-24 | Kiyoto Yamazawa | 薄型磁気素子およびトランス |
-
1998
- 1998-05-26 JP JP10144198A patent/JPH11340036A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-05-18 US US09/313,924 patent/US6171716B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-25 KR KR1019990018869A patent/KR100331733B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990088537A (ko) | 1999-12-27 |
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