JP2001358030A - 軟磁性膜の製造方法と、この軟磁性膜を用いた平面型磁気素子、フィルタ、及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 従来では、Ｆｅ−Ｍ−Ｏ膜等の酸素を含有する軟磁性膜
を反応性スパッタ法等により形成したが、この方法では
再現性が悪く、組成比や膜厚等にばらつきがあった。 【解決手段】 元素Ｔ（ＴはＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏ）の酸化
物の粉末ａ、及び元素Ｍ（ＭはＨｆやＺｒ等）の酸化物
の粉末ｂを混ぜ合わせ、焼結してターゲット２を形成す
ることで、前記ターゲット２をスパッタすることにより
形成できる軟磁性膜１１を組成比や膜厚にばらつきがな
く再現性良く形成でき、歩留まりの向上を図ることがで
きる。また組成比や膜厚のばらつきを少なくできること
で、磁気的または電気的なばらつきをなくすことが可能
である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば平面型磁気
素子（トランス、インダクタ）の磁心に用いられる軟磁
性膜に係わり、特に前記軟磁性膜を高い再現性で形成で
き、膜厚及び組成比のばらつきを少なくすることが可能
な軟磁性膜の製造方法と、この軟磁性膜を用いた平面型
磁気素子、フィルタ、及び薄膜磁気ヘッドの製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】平面型磁気素子（トランス、インダク
タ）、フィルタ、及び薄膜磁気ヘッドなどの磁性層とし
て使用される軟磁性膜には、高周波領域において、高い
透磁率、飽和磁束密度、及び比抵抗を示し、しかも小さ
い保磁力を有するものが要求されている。

【０００３】このような高周波特性に優れた軟磁性材料
として、Ｆｅ−Ｍ−Ｏ合金を例示することができる。な
お元素Ｍは、希土類元素や、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｗなどの元素である。

【０００４】上記した軟磁性材料は酸素を含有するもの
であるが、軟磁性膜中に酸素を含有させる方法として
は、例えば反応性スパッタ法を挙げることができる。

【０００５】前記反応性スパッタ法では、例えばターゲ
ットにＦｅ−Ｈｆ合金を用い、Ａｒなどの不活性ガス中
にＯ₂ガスを混合した（Ａｒ＋Ｏ₂）混合ガス雰囲気中で
スパッタを行なう。

【０００６】これにより、Ｈｆと活性なＯとが結合し、
Ｏ₂ガスの流量を調節することによって、磁性膜中に含
まれるＯの組成比を増減させることができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら反応性ス
パッタ法では、以下のような問題点があった。

【０００８】すなわちＯ₂ガスの流量を適性に制御する
ことが非常に難しく、成膜の再現性（安定性）が悪化
し、歩留まりの低下が問題となっていた。

【０００９】特に上記の反応性スパッタ法を用いると、
軟磁性膜全体が均一な組成で形成されず、局部的に酸素
量等の多い領域や少ない領域が存在し、磁気的あるいは
電気的な特性にばらつきが発生しやすくなる。

【００１０】また反応性スパッタ法以外に、例えばマグ
ネトロンスパッタ法を用い、Ｆｅのターゲットに、Ｈｆ
Ｏ₂から成る複数のチップを用いた複合型ターゲット
を、Ａｒ雰囲気中でスパッタする方法がある。

【００１１】しかしながら上記の方法によっても、組成
比や膜厚のばらつきが大きく再現性の適切な改善には至
らないことがわかった。これはターゲットにはスパッタ
されやすい領域とされにくい領域とが存在し、前記複数
のチップの配置等によりスパッタ量が変化することによ
ると考えられる。また組成比や膜厚のばらつきにより磁
気的あるいは電気的な特性のばらつきも発生する。

【００１２】また上記の複合型ターゲットを用いると、
上記したばらつきの発生に加え、軟磁性膜を構成する各
元素の組成比を所定の組成範囲内に容易に自由に変動さ
せにくいといった問題もある。

【００１３】例えば、軟磁性膜中に占める酸素の組成比
を多くしたい場合は、ＨｆＯ₂のチップ枚数を増やせば
よいが、ＨｆＯ₂のチップ枚数を増やすと、Ｏの組成比
は大きくなるものの、同時にＨｆの組成比も大きくな
り、Ｆｅの組成比は急激に低下してしまう。このためＦ
ｅの組成比に大きく左右される飽和磁束密度Ｂｓは小さ
くなってしまうという問題が発生する。

【００１４】またＨｆの組成比に対して酸素の組成比を
２倍以上にしたい場合、上記の方法ではそれを実現でき
ない。なぜならチップ材としてＨｆＯ₂を用いているた
め、元々Ｏの組成比はＨｆの組成比の２倍しかないから
である。

【００１５】また各構成元素の組成比を所定の組成範囲
内に適切に調整すべく、上記したＨｆＯ₂チップに加
え、さらにＦ₃Ｏ₄チップをターゲットに配置し、Ｆｅ
量、Ｏ量の低減を抑制する手法もあるが、この方法であ
っても依然として成膜の再現性は低く、良好な磁気的あ
るいは電気的な特性を有する軟磁性膜の形成には至らな
い。

【００１６】以上のように従来の反応性スパッタ法及び
マグネトロンスパッタ法では、軟磁性膜を再現性良く形
成することは難しく、また各構成元素の組成比を自由に
且つ適切に調節することができなかった。

【００１７】本発明は上記従来の課題を解決するための
ものであり、磁性膜の組成比を適性に調節することがで
き、しかも成膜の再現性（安定性）に優れた磁性薄膜の
成膜方法と、この軟磁性膜を用いた平面型磁気素子、フ
ィルタ、及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること
を目的としている。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明における軟磁性膜
の製造方法は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのうち１種または２種
以上の元素Ｔの酸化物からなる粉末ａと、Ｔｉ，Ｚｒ，
Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｒ，
Ｐ，Ｃ，Ｂ，Ｇａ，Ｇｅと希土類元素から選ばれる１種
または２種以上の元素Ｍの酸化物からなる粉末ｂとを焼
結してターゲットを形成し、前記ターゲットと対向する
位置に基板を配置し、前記ターゲットをスパッタして前
記基板上に、元素Ｔと元素Ｍと酸素とを含有する軟磁性
膜を成膜することを特徴とするものである。

【００１９】上記の軟磁性膜の製造方法では、あらかじ
め元素Ｔの酸化物の粉末ａと、元素Ｍの酸化物の粉末ｂ
とを混ぜ合わせ、焼結してターゲットを形成しており、
この方法によれば、均一な組成を有する前記ターゲット
を形成することができる。

【００２０】したがって前記ターゲットによって形成さ
れた軟磁性膜もまた均一な組成を有し、再現性を従来に
比べて高めることができ、歩留まりを向上させることが
可能である。

【００２１】また本発明では軟磁性膜の組成比や膜厚の
ばらつきを小さくできるので、これによって磁気的また
は電気的なばらつきを抑制することが可能である。

【００２２】また上記の製造方法を用いて形成された具
体的な軟磁性膜の組成比等については後で詳述するが、
本発明によれば、粉末ａを元素Ｔの酸化物で形成し、粉
末ｂを元素Ｍの酸化物で形成しているから、焼成された
ターゲット内に占める、元素Ｍに対する酸素の組成比の
割合を、前記元素Ｍの酸化物を分子式で示した場合にお
ける前記元素Ｍの原子数に対する元素Ｏの原子数の割合
よりも大きくでき、軟磁性膜中に占める酸素の含有量
を、従来に比べて自由にしかも適切な組成範囲内で形成
することができる。

【００２３】また本発明における軟磁性膜の製造方法
は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのうち１種または２種以上の元素
Ｔの酸化物からなる粉末ａと、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，
Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｐ，Ｃ，
Ｂ，Ｇａ，Ｇｅと希土類元素から選ばれる１種または２
種以上の元素Ｍの酸化物からなる粉末ｂと、Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉのうち１種または２種以上の元素Ｓの粉末ｃと
を焼結してターゲットを形成し、前記ターゲットと対向
する位置に基板を配置し、前記ターゲットをスパッタし
て前記基板上に、元素Ｔと元素Ｓと元素Ｍと酸素とを含
有する軟磁性膜を成膜することを特徴とするものであ
る。

【００２４】上記した製造方法によれば、粉末ａ，ｂの
他に、元素Ｓの粉末ｃを加えて焼結しターゲットを形成
している。なお前記元素Ｔと元素Ｓは同じ元素であって
も異なる元素であってもよい。

【００２５】上記した方法であると、軟磁性膜中に占め
る各構成元素の組成比を適切且つ自由に調整することが
可能である。例えば軟磁性膜中に占める元素Ｔの割合が
小さくなり過ぎる場合に、粉末ｃを新たにターゲット内
に混入し前記ターゲットの元素Ｔの組成比を上げれば、
成膜される軟磁性膜においても前記元素Ｔの組成比を上
げることが可能である。

【００２６】本発明では、前記軟磁性膜の組成比の調節
は、各粉末の割合を調節して行うことができる。したが
って容易にしかも適切に前記軟磁性膜の組成比の調整を
行うことが可能である。

【００２７】また本発明では、前記軟磁性膜の成膜は、
Ａｒ雰囲気中で行うことが好ましい。従来、使用されて
いた反応性スパッタ法の場合には、Ａｒガス以外にＯ₂
ガスを成膜装置内に導入し、前記Ｏ₂ガスの流量比を調
整することによって軟磁性膜中に占める酸素の組成比の
調整を行っていたが、本発明によれば不活性ガスである
Ａｒガスだけを成膜装置内に導入すればよいので、導入
ガスの制御が容易である。

【００２８】本発明では、上記した製造方法によって以
下の組成比等を有する軟磁性膜を成膜することが可能で
ある。

【００２９】本発明では前記元素Ｔ及び元素ＳにＦｅを
選択し、前記軟磁性膜は、組成式がＦｅ_aＭ_bＯ_cで示さ
れ、組成比はａｔ％で、４４．５≦ａ≦５７．５、８≦
ｂ≦１９、３０．５≦ｃ≦４１、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００を
満足し、透磁率μｒ′と比抵抗ρ（μΩ・ｃｍ）との乗
で表されるμｒ′・ρ値（×１０³）が、６００以上で
あることが好ましい。

【００３０】本発明の製造方法によれば、Ｆｅと元素Ｍ
とＯとの組成比を適正に調整することができ、透磁率μ
ｒ′と比抵抗ρとの乗で表されるμｒ′・ρ値（×１０
³）を従来よりも向上させ、これにより優れた高周波特
性を有する軟磁性膜を製造することができる。

【００３１】また本発明では、前記組成比はａｔ％で、
４５．５≦ａ≦５５、９≦ｂ≦１７．５、３２．５≦ｃ
≦４０、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足し、透磁率μｒ′と
比抵抗ρ（μΩ・ｃｍ）との乗で表されるμｒ′・ρ値
（×１０³）が、８００以上であることがより好まし
い。

【００３２】また本発明では、前記組成比はａｔ％で、
４５．５≦ａ≦５４、９．５≦ｂ≦１６．５、３５≦ｃ
≦４０、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足し、透磁率μｒ′と
比抵抗ρ（μΩ・ｃｍ）との乗で表されるμｒ′・ρ値
（×１０³）が、１０００以上であることがさらに好ま
しい。

【００３３】また本発明では、（前記軟磁性膜中に占め
る酸素の組成比）／（前記軟磁性膜中に占める元素Ｍの
組成比）が、元素Ｍの酸化物を分子式で表した場合にお
ける（Ｏ原子の数）／（Ｍ原子の数）よりも大きいこと
が好ましい。

【００３４】また本発明では、前記軟磁性膜は、元素Ｍ
の酸化物を多量に含むアモルファス相に、Ｆｅを主体と
することが好ましい。

【００３５】なお前記アモルファス相には、元素Ｍの酸
化物の他に、Ｆｅの酸化物が含まれることが好ましい。

【００３６】さらに本発明では、元素Ｔ及び／または元
素ＳにＣｏを選択し、さらに元素Ｔ及び／または元素Ｓ
にＦｅ，Ｎｉのうち少なくとも一方を選択してターゲッ
トを粉末ａ，ｂの焼結体、または粉末ａ,ｂ,ｃの焼結体
で形成し、あるいはさらに前記ターゲットをＰｔ，Ｒ
ｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ａｕ，Ａ
ｇ，Ｃｕから選ばれる１種または２種以上の元素Ｘの粉
末ｄ、及び／または前記元素Ｘの酸化物からなる粉末ｅ
を加えて焼結形成し、前記軟磁性膜は、組成式が、（Ｑ
_1-dＣｏ_d）_xＭ_yＯ_zＸ_wで示され、元素Ｑは、Ｆｅ，Ｎｉ
のうちどちらか一方あるいは両方を含む元素であり、組
成比を示すｄは、０＜ｄ≦０．５、ｘ，ｙ，ｚ，ｗはａ
ｔ％で、ｘ≦５９、２８≦ｚ、０≦ｗ≦２０、残部がｙ
であることが好ましい。

【００３７】あるいは本発明では、元素Ｔ及び／または
元素ＳにＣｏを選択し、あるいはさらに前記元素Ｔ及び
／または元素ＳにＦｅ，Ｎｉのうち少なくとも一方を選
択してターゲットを粉末ａ，ｂの焼結体、または粉末
ａ,ｂ,ｃの焼結体で形成し、あるいはさらに前記ターゲ
ットをＰｔ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｓｎ，Ｔ
ｉ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕから選ばれる１種または２種以上
の元素Ｘの粉末ｄ、及び／または前記元素Ｘの酸化物か
らなる粉末ｅを加えて焼結形成し、前記軟磁性膜は、組
成式が、（Ｃｏ_eＱ_1-e）_xＭ_yＯ_zＸ_wで示され、元素Ｑ
は、Ｆｅ，Ｎｉのうちどちらか一方あるいは両方を含む
元素であり、組成比を示すｅは、０．５＜ｅ≦１．０、
ｘ，ｙ，ｚ，ｗはａｔ％で、ｘ≦５９、２８≦ｚ、０≦
ｗ≦２０、残部がｙであることが好ましい。

【００３８】また本発明では、前記組成比を示すｘ，
ｙ，ｚ，ｗはａｔ％で、ｘ≦５６、３１．５≦ｚ、０≦
ｗ≦１９、残部がｙである関係を満足し、透磁率μｒ′
と比抵抗ρ（μΩ・ｃｍ）との乗で表されるμｒ′・ρ
値（×１０³）が、６００以上であることが好ましい。

【００３９】また本発明では、前記組成比を示すｘ，
ｙ，ｚ，ｗはａｔ％で、ｘ≦５３．５、３３．５≦ｚ、
０≦ｗ≦１９、残部がｙである関係を満足し、透磁率μ
ｒ′と比抵抗ρ（μΩ・ｃｍ）との乗で表されるμｒ′
・ρ値（×１０³）が、８００以上であることがより好
ましい。

【００４０】さらに本発明では、前記組成比を示すｘ，
ｙ，ｚ，ｗはａｔ％で、ｘ≦５２、３５≦ｚ、０≦ｗ≦
１９、残部がｙである関係を満足し、透磁率μｒ′と比
抵抗ρ（μΩ・ｃｍ）との乗で表されるμｒ′・ρ値
（×１０³）が、１０００以上であることがさらに好ま
しい。

【００４１】また本発明では前記元素Ｑは、Ｆｅである
ことが好ましい。また本発明では、（前記軟磁性膜中に
占める酸素の組成比）／（前記軟磁性膜中に占める元素
Ｍの組成比）が、元素Ｍの酸化物を分子式で表した場合
における（Ｏ原子の数）／（Ｍ原子の数）よりも大きい
ことが好ましい。

【００４２】さらに本発明では、前記軟磁性膜は、元素
Ｍの酸化物を多量に含むアモルファス相に、元素Ｑ及び
／またはＣｏを主体とする微結晶相が混在した膜構造を
有することが好ましい。

【００４３】上記の膜構造の場合、前記アモルファス相
には、元素Ｍの酸化物の他に、元素Ｑの酸化物、及び／
またはＣｏの酸化物を含むことが好ましい。

【００４４】また本発明では、前記軟磁性膜の膜構造
は、元素Ｍの酸化物を多量に含むアモルファス相に、元
素Ｔを主体とする微結晶相が混在し、（軟磁性膜中に占
める酸素の組成比）／（軟磁性膜中に占める元素Ｍの組
成比）が、元素Ｍの酸化物を分子式で表した場合におけ
る（Ｏ原子の数）／（Ｍ原子の数）よりも大きく、前記
アモルファス相には、元素Ｍの酸化物の他に元素Ｔの酸
化物が含まれることが好ましい。

【００４５】上記した本発明における製造方法によれ
ば、（軟磁性膜中に占める酸素の組成比）／（軟磁性膜
中に占める元素Ｍの組成比）を、元素Ｍの酸化物を分子
式で表した場合における（Ｏ原子の数）／（Ｍ原子の
数）よりも大きくすることができ、これによって軟磁性
膜中に占める酸素の含有量を増やすことができると同時
に、元素Ｔを相当量含有させることができ、よって高い
透磁率μｒ′と比抵抗ρを有する高周波特性に優れた軟
磁性膜を製造することができる。

【００４６】また本発明では前記軟磁性膜の透磁率μ
ｒ′と比抵抗ρ（μΩ・ｃｍ）との乗で表されるμｒ′
・ρ値（×１０³）は、６００以上であることが好まし
く、より好ましくは、８００以上であり、さらに好まし
くは、１０００以上である。

【００４７】また本発明では、前記微結晶相は、さらに
元素Ｍの酸化物を含んでいることが好ましい。これによ
って微結晶相の比抵抗を向上させることができ、膜全体
の比抵抗を高めることができる。

【００４８】また本発明では、前記微結晶相の結晶構造
は、ｂｃｃ構造、ｈｃｐ構造、ｆｃｃ構造のうち１種あ
るいは２種以上の混成構造からなることが好ましく、前
記結晶相の結晶構造は、主にｂｃｃ構造から成ることが
より好ましい。

【００４９】また本発明では、前記微結晶相の平均結晶
粒径は、３０ｎｍ以下であることが好ましい。

【００５０】さらに本発明では、前記元素Ｍは、Ｚｒ，
Ｈｆのうち一方あるいは両方を含む元素であることが好
ましい。

【００５１】また本発明では、前記粉末ａ，ｂの少なく
とも一方を窒化物で形成し、前記軟磁性膜を構成する一
元素として、Ｏの代わりにＮを、あるいはＯと共にＮを
含有してもよい。元素Ｎを含有させた場合も、Ｏを含有
させた場合と同様に、軟磁性膜の透磁率μｒ′と比抵抗
ρを高めることができ、高周波特性に優れた軟磁性膜を
製造することが可能である。

【００５２】本発明における平面型磁気素子の製造方法
は、上記した軟磁性膜によって磁心を形成することを特
徴とするものである。

【００５３】また本発明におけるフィルタの製造方法
は、上記した軟磁性膜によって磁心を形成することを特
徴とするものである。

【００５４】さらに本発明は、少なくとも下部コア層
と、記録媒体との対向部で前記下部コア層と磁気ギャッ
プを介して対向する上部コア層と、両コア層に記録磁界
を与えるコイル層とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記下部コア層と上部コア層のうち少なくとも一方を、
上記した軟磁性膜により形成することを特徴とするもの
である。

【００５５】本発明では上記した軟磁性膜の製造方法を
使用することにより、平面型磁気素子、フィルタ、及び
薄膜磁気ヘッドを再現性良く形成することができ、歩留
まりを向上させることが可能である。

【００５６】また本発明によれば、高周波特性に優れた
各磁気デバイスを製造することが可能である。

【００５７】

【発明の実施の形態】図１はマグネトロンスパッタ装置
の内部構造を示す構成図である。

【００５８】図１に示すように、マグネトロンスパッタ
装置１のチャンバー１２内には、ターゲット２を取り付
けるための電極部４と、前記ターゲット２と対向する位
置に、基板保持部８とが設けられている。なお前記基板
保持部８上には、基板９が置かれている。

【００５９】図１に示すように電極部４内には、磁石５
が設けられており、この磁石５から発生する磁界によっ
て、前記ターゲット２の表面には、エロージョン領域が
形成される。

【００６０】図１に示すように、前記チャンバー１２に
は、ガス導入口６と、ガス排気口７とが設けられてお
り、前記ガス導入口６からＡｒ（アルゴン）ガスが導入
される。

【００６１】前記電極部４に、高周波電源（ＲＦ電源）
１０から高周波が印加されることによって、電場と磁場
の相互作用により、マグネトロン放電が発生し、前記タ
ーゲット２がスパッタされ、前記ターゲット２と対向す
る位置に配置された基板９上に、軟磁性膜１１が形成さ
れる。

【００６２】本発明により成膜される前記軟磁性膜１１
は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのうち１種または２種以上の元素
Ｔと、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，
Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｐ，Ｃ，Ｂ，Ｇａ，Ｇｅと希土類元
素から選ばれる１種または２種以上の元素ＭとＯとを含
有するものである。なお希土類元素とは、Ｓｃ、Ｙとラ
ンタノイド（Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅ
ｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌ
ｕ）からなる１７元素を指している。

【００６３】本発明における軟磁性膜の製造方法では、
軟磁性膜を構成する各元素の組成比や膜厚等のばらつき
を抑え、再現性を高めるためにターゲット２を以下の手
法によって形成している。また上記のように本発明にお
ける軟磁性膜１１には構成元素として酸素を含有するも
のであるが、本発明の製造方法によれば、必要量の酸素
を自由にしかも容易に前記軟磁性膜１１中に含有させる
ことができる。

【００６４】本発明では、前記元素Ｔの酸化物からなる
粉末ａと、前記元素Ｍの酸化物からなる粉末ｂとを用意
し、これら粉末ａ，ｂを混ぜ合わせた後、焼結してター
ゲット２を形成している。

【００６５】従来では、複合型ターゲットを用い、例え
ばＦｅから成るターゲットに、ＨｆＯ₂から成るチップ
を配置し、前記ターゲットをスパッタすることでＦｅ−
Ｈｆ−Ｏの組成から成る軟磁性膜を製造していたが、タ
ーゲットには上記したエロージョン領域の形成位置によ
ってスパッタされやすい領域と、スパッタされにくい領
域が発生するため、複合型ターゲットを用いた手法であ
ると、チップの配置等によって、予定していた組成比の
軟磁性膜を成膜しにくく再現性が悪化しやすい。

【００６６】一方本発明によれば、粉末ａ，ｂを用い、
予め予定していた組成比を有する軟磁性材料でターゲッ
ト２を焼結形成するために、前記ターゲット２は、全て
の領域においてほぼ均一な組成を有する。したがって前
記ターゲット２をスパッタして形成された軟磁性膜１１
は、前記ターゲット２とほぼ同様の組成比を有し、所定
の組成範囲内で再現性良く前記軟磁性膜１１を形成する
ことが可能になる。

【００６７】しかも本発明によれば粉末ａは元素Ｔの酸
化物であり、粉末ｂは元素Ｍの酸化物であるために、粉
末ａ，ｂを混合する際の割合を適正に調節すれば、前記
ターゲット２中に占める酸素量を自由にしかも容易に大
きくすることができる。したがって前記ターゲット２を
スパッタして形成された軟磁性膜１１の酸素量を、高周
波特性に必要な組成範囲内で形成しやすくなる。

【００６８】特に本発明のターゲット２を用いれば、
（前記軟磁性膜１１中に占める酸素の組成比）／（前記
軟磁性膜１１中に占める元素Ｍの組成比）を、元素Ｍの
酸化物を分子式で表した場合における（Ｏ原子の数）／
（Ｍ原子の数）よりも大きくすることが可能である。

【００６９】また本発明では、元素Ｔの酸化物から成る
粉末ａと、元素Ｍの酸化物から成る粉末ｂと、さらにＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉのうち１種または２種以上の元素Ｓの粉
末ｃとを用意し、これら粉末ａ，ｂ，ｃを混ぜ合わせた
後、焼結してターゲット２を形成してもよい。

【００７０】元素Ｓの粉末ｃを新たに加える理由は、強
磁性を示すＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの含有量を適切にしかも容
易に所定範囲内に収めるためである。これによって軟磁
性膜１１を構成する元素Ｔ，Ｓ、元素Ｍ、及び酸素の各
構成元素を適切な組成範囲内に収めることができる。

【００７１】なお本発明ではＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉから選択
される元素Ｔの種類と、元素Ｓの種類とが同じでも異な
っていてもよい。

【００７２】なお本発明では、ターゲット２内に占める
元素Ｔ，Ｓ、元素Ｍ及びＯの組成比を所定の組成範囲内
で形成するには、前記粉末ａ，ｂ、あるいは粉末ａ，
ｂ，ｃを混ぜ合わせ焼結する前に各粉末の割合（質量
比）を適正に調整すればよい。よって本発明では容易に
しかも適切に軟磁性膜１１の各構成元素の組成比を調整
することが可能である。

【００７３】また本発明の軟磁性膜１１の製造方法によ
れば、マグネトロンスパッタ装置１内に導入ガスとして
不活性なＡｒガスのみを導入している。このため反応性
スパッタ法のように、Ａｒガス以外に導入されるＯ₂ガ
スの流量を調整するといった困難な調整工程を必要とせ
ず、容易にしかも適切に所定の組成比を有する軟磁性膜
１１を形成することが可能である。

【００７４】なお本発明における軟磁性膜１１の成膜に
は、スパッタ法の他に蒸着法、ＭＢＥ（モレキュラー−
ビーム−エピタキシー）法またはＩＣＢ（イオン−クラ
スター−ビーム）法などが使用できる。

【００７５】またスパッタ装置としては図１に示すよう
なマグネトロンスパッタ装置１の他に、イオンビームス
パッタ装置、または対向ターゲット式スパッタ装置など
既存のものを使用できる。

【００７６】なお本発明では、ターゲット２を酸化物で
形成するため、ＤＣ（直流電流）スパッタ装置を使用す
ることはできない。

【００７７】本発明では上記した製造方法によって以下
に説明するような高周波特性に優れた軟磁性膜１１を製
造することができる。下記の軟磁性膜１１ではインダク
タンスの向上に必要な透磁率μｒ′と、渦電流損失を抑
制するために必要な比抵抗ρの双方を高めることが可能
である。

【００７８】（１）Ｆｅ−Ｍ−Ｏ膜 Ｆｅは強磁性を示す元素であり、したがってＦｅは磁性
を担う元素である。特に高飽和磁束密度を得るには、Ｆ
ｅの含有量は多いことが好ましいが、前記含有量が多す
ぎるとＯの含有量の低下により比抵抗を低下させる。Ｆ
ｅの含有量は下記に示すように５０ａｔ％前後に設定す
る。

【００７９】元素Ｍは酸素と結合しやすく結合すること
で酸化物を形成し、膜中ではアモルファス相として存在
する。酸素と結合する元素Ｍは、軟磁気特性と高抵抗を
両立するために必要なものである。

【００８０】Ｆｅ−Ｍ−Ｏ膜を形成するには、粉末ａを
構成する元素Ｔ、及び粉末ｃを構成する元素ＳにＦｅを
選択し、粉末ａ，ｂあるいは粉末ａ，ｂ，ｃによってタ
ーゲット２を焼結形成すればよい。例えば粉末ａはＦｅ
₃Ｏ₄であり、粉末ｂはＨｆＯ ₂であり、粉末ｃはＦｅで
ある。そして各粉末の割合を適切に調整してターゲット
２を形成することにより、下記の組成比を有するＦｅ−
Ｍ−Ｏ膜を得ることが可能である。

【００８１】Ｆｅ−Ｍ−Ｏ膜は、組成式がＦｅ_aＭ_bＯ_c
で示され、組成比はａｔ％で、４４．５≦ａ≦５７．
５、８≦ｂ≦１９、３０．５≦ｃ≦４１、ａ＋ｂ＋ｃ＝
１００を満足するものである。

【００８２】上記した組成範囲内で、各元素の組成比を
適正に選択することで、本発明では、前記透磁率μｒ′
と比抵抗ρ（μΩ・ｃｍ）との乗で表されるμｒ′・ρ
値（×１０³μΩ・ｃｍ）を６００以上にすることがで
きる。

【００８３】軟磁性膜の高周波特性を向上させるには、
インダクタンスの向上に必要な透磁率μｒ′と、渦電流
損失を抑制するために必要な比抵抗ρの双方を高める必
要性がある。

【００８４】そして上記した組成範囲内であると、前記
μｒ′・ρ値を６００以上にすることができ、高周波特
性に優れたＦｅ−Ｍ−Ｏ膜を製造できる。

【００８５】また本発明では、前記組成比はａｔ％で、
４５．５≦ａ≦５５、９≦ｂ≦１７．５、３２．５≦ｃ
≦４０、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足し、透磁率μｒ′と
比抵抗ρ（μΩ・ｃｍ）との乗で表されるμｒ′・ρ値
（×１０³μΩ・ｃｍ）が、８００以上であることがよ
り好ましい。

【００８６】これにより、Ｆｅ−Ｍ−Ｏ膜の透磁率μ
ｒ′と比抵抗ρをより高めることができ、高周波特性に
優れた磁気デバイスを製造することができる。

【００８７】さらに本発明では、前記組成比はａｔ％
で、４５．５≦ａ≦５４、９．５≦ｂ≦１６．５、３５
≦ｃ≦４０、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足し、透磁率μ
ｒ′と比抵抗ρ（μΩ・ｃｍ）との乗で表されるμｒ′
・ρ値（×１０³μΩ・ｃｍ）が、１０００以上である
ことがより好ましい。また前記酸素の組成比ｃは、３５
（ａｔ％）よりも大きいことがより好ましく、さらに３
６〜４０（ａｔ％）であることが、より確実に前記μ
ｒ′・ρ値を１０００以上にできて好ましい。

【００８８】これにより、さらにＦｅ−Ｍ−Ｏ膜の透磁
率μｒ′と比抵抗ρを高めることができ、高周波特性に
優れた磁気デバイスを製造することができる。

【００８９】なお既に詳述した通り、本発明の製造方法
によれば、（Ｆｅ−Ｍ−Ｏ膜中に占める酸素の組成比）
／（Ｆｅ−Ｍ−Ｏ膜中に占める元素Ｍの組成比）を、元
素Ｍの酸化物を分子式で表した場合における（Ｏ原子の
数）／（Ｍ原子の数）よりも大きくすることができる。

【００９０】このように、（Ｆｅ−Ｍ−Ｏ膜中に占める
酸素の組成比）／（Ｆｅ−Ｍ−Ｏ膜中に占める元素Ｍの
組成比）を、元素Ｍの酸化物を分子式で表した場合にお
ける（Ｏ原子の数）／（Ｍ原子の数）よりも大きくする
と、Ｆｅ−Ｍ−Ｏ膜中に含まれる酸素量を多くすること
ができ、一方、Ｆｅの含有量も相当量確保することがで
きる。

【００９１】また本発明では、このように膜中に多量の
酸素を含有することで、前記Ｆｅ−Ｍ−Ｏ膜は、図５に
示すように、元素Ｍの酸化物を多量に含むアモルファス
相に、Ｆｅを主体とする微結晶相が混在した膜構造を有
するものとなっている。

【００９２】元素Ｍは酸素と結合し、膜中ではアモルフ
ァス相として存在し、一方、Ｆｅは、微結晶相として前
記アモルファス相中に混在する。

【００９３】前記アモルファス相は、元素Ｍの酸化物で
形成されることで高い比抵抗ρを示し、膜全体に関して
も高い比抵抗を示す。一方、微結晶相は、飽和磁束密度
Ｍｓや透磁率μｒ′の向上に寄与し、膜全体としての飽
和磁束密度Ｍｓ及び透磁率μｒ′の向上に役立ってい
る。

【００９４】また本発明では、軟磁性膜中に含まれる酸
素は、元素Ｍとのみ結合して膜中に入り込んでいるわけ
ではなく、前記元素Ｍと結合しない酸素はＦｅと結合し
てＦｅ−Ｏの酸化物を形成し、アモルファス相に元素Ｍ
の酸化物とともに含まれるものと考えられる。

【００９５】このように本発明の製造方法によれば、Ｆ
ｅ−Ｍ−Ｏ膜に、アモルファス相中に元素Ｍと酸素とが
結合したＭ−Ｏや、さらにＦｅと酸素が結合したＦｅ−
Ｏを含むことができ、膜中に占める酸素量を増やすこと
ができ、しかもＦｅも相当量含有させることが可能にな
る。

【００９６】また本発明では、前記微結晶相の結晶構造
は、ｂｃｃ構造（体心立方構造）、ｈｃｐ構造（稠密六
方構造）、ｆｃｃ構造（面心立方構造）のうち１種ある
いは２種以上の混成構造からなることが好ましく、より
好ましくは、前記微結晶相の結晶構造は、主にｂｃｃ構
造から成ることである。Ｆｅからなる微結晶相は、主と
してｂｃｃ構造からなることが確認されている。

【００９７】また本発明では、前記微結晶相の平均結晶
粒径は、３０ｎｍ以下であることが好ましい。また本発
明では、前記元素Ｍは、Ｚｒ，Ｈｆのうち一方あるいは
両方を含む元素であることが好ましい。

【００９８】また本発明では、前記軟磁性膜を構成する
一元素として、Ｏの代わりにＮが、あるいはＯと共にＮ
が用いられていてもよい。

【００９９】この場合、例えば粉末ａ及び／または粉末
ｂを窒化物で形成してターゲット２を焼結形成すればよ
い。

【０１００】Ｏの代わりに、あるいはＯと共にＮを膜中
に含有させても、前記軟磁性膜の透磁率μｒ′と比抵抗
ρとの乗で表されるμｒ′・ρ値（×１０³μΩ・ｃ
ｍ）を向上させることができ、高周波特性に優れた磁気
デバイスを製造することができる。

【０１０１】（２）Ｑ−Ｃｏ−Ｍ−Ｏ（元素Ｑは、Ｆ
ｅ，Ｎｉのうちどちらか一方あるいは両方を含む元素）
あるいはＣｏ−Ｑ−Ｍ−Ｏ この軟磁性膜は、Ｃｏを含有しており、ＣｏはＦｅ，Ｎ
ｉと同様に、強磁性を示す元素である。したがってＣ
ｏ，Ｆｅ，Ｎｉは磁性を担う元素である。特に高飽和磁
束密度を得るには、Ｃｏと元素Ｑの含有量は多いことが
好ましいが、Ｃｏと元素Ｑの含有量が多くなりすぎる
と、Ｏの含有量の低下により比抵抗を低下させる。Ｃｏ
と元素Ｑとを合わせた含有量は５０％前後であることが
好ましい。

【０１０２】またＣｏは、一軸磁気異方性を大きくする
作用がある。Ｃｏを添加した軟磁性膜の一軸異方性は、
Ｆｅ−Ｍ−Ｏ膜の一軸異方性よりも数倍大きくなり、し
たがって本発明における軟磁性膜の透磁率の周波数特性
は、非常に良好なものとなる。

【０１０３】一方、元素Ｍは上記したように、酸素と結
合しやすく、結合することで酸化物を形成し、膜中では
アモルファス相として存在する。酸素と結合する元素Ｍ
は、軟磁気特性と高抵抗を両立するために必要なもので
ある。

【０１０４】上記のＱ−Ｃｏ−Ｍ−Ｏ膜、Ｃｏ−Ｑ−Ｍ
−Ｏ膜を形成するには、粉末ａを構成する元素Ｔ及び／
または粉末ｃを構成する元素ＳにＣｏを選択すればよ
い。さらにそれに加えて前記元素Ｔ及び／または元素Ｓ
にＦｅ，Ｎｉのうち少なくとも一方を選択する。例えば
粉末ａはＦｅ₃Ｏ₄であり、粉末ｂはＨｆＯ₂であり、粉
末ｃはＣｏである。

【０１０５】また本発明では、Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐ
ｄ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕから選
ばれる１種または２種以上の元素Ｘの粉末ｄ、及び／ま
たは前記元素Ｘの酸化物からなる粉末ｅを、前記粉末
ａ，ｂあるいは粉末ａ，ｂ，ｃと一緒に混ぜてターゲッ
ト２を焼結形成してもよい。前記元素Ｘは、軟磁性膜の
耐食性、及び周波数特性を向上させるものであるが、含
有量が２０ａｔ％を越えると、軟磁気特性、特に飽和磁
化が低下しすぎて好ましくない。

【０１０６】以上のように本発明では、粉末ａ，ｂある
いは粉末ａ，ｂ，ｃを混ぜ合わせてターゲット２を焼結
形成する他に、さらにこれら粉末に、上記の粉末ｄ及び
／または粉末ｅを加えて混ぜ合わせ前記ターゲット２を
焼結形成してもよい。そして各粉末の割合を適切に調整
してターゲット２を形成することにより、下記の組成比
を有するＱ−Ｃｏ−Ｍ−Ｏ膜、Ｑ−Ｃｏ−Ｍ−Ｏ−Ｘ
膜、あるいはＣｏ−Ｑ−Ｍ−Ｏ膜、Ｃｏ−Ｑ−Ｍ−Ｏ−
Ｘ膜を得ることができる。

【０１０７】前記軟磁性膜は、組成式が、（Ｑ_1-dＣ
ｏ_d）_xＭ_yＯ_zＸ_wで示され、組成比を示すｄは、０＜ｄ
≦０．５、ｘ，ｙ，ｚ，ｗはａｔ％で、ｘ≦５９、２８
≦ｚ、０≦ｗ≦２０、残部がｙであることが好ましい。

【０１０８】上記の組成比の範囲内であれば、透磁率μ
ｒ′と比抵抗ρが向上し、前記透磁率μｒ′と比抵抗ρ
との乗で表されるμｒ′・ρ値を、４００（×１０³μ
Ω・ｃｍ）以上にすることが可能である。

【０１０９】また前記軟磁性膜は、組成式が、（Ｃｏ_e
Ｑ_1-e）_xＭ_yＯ_zＸ_wで示され、元素Ｑは、Ｆｅ，Ｎｉの
うちどちらか一方あるいは両方を含む元素であり、組成
比を示すｅは、０．５＜ｅ≦１．０、ｘ，ｙ，ｚ，ｗは
ａｔ％で、ｘ≦５９、２８≦ｚ、０≦ｗ≦２０、残部が
ｙであることが好ましい。

【０１１０】上記の組成比の範囲内であれば、透磁率μ
ｒ′と比抵抗ρが向上し、前記透磁率μｒ′と比抵抗ρ
との乗で表されるμｒ′・ρ値を、４００（×１０³μ
Ω・ｃｍ）以上にすることが可能である。

【０１１１】また上記軟磁性膜の膜構造としては、元素
Ｍの酸化物を多量に含むアモルファス相に、Ｆｅ及び／
またはＣｏを主体とする微結晶相が混在していることが
好ましい。

【０１１２】前記アモルファス相は、主に元素Ｍの酸化
物で形成されるので、高い比抵抗ρを示し、膜全体に関
しても高い比抵抗を示す。

【０１１３】また本発明における製造方法によれば、
（Ｑ−Ｃｏ−Ｍ−Ｏ膜中に占める酸素の組成比またはＣ
ｏ−Ｑ−Ｍ−Ｏ膜中に占める酸素の組成比）／（Ｑ−Ｃ
ｏ−Ｍ−Ｏ膜中に占める元素Ｍの組成比またはＣｏ−Ｑ
−Ｍ−Ｏ膜中に占める元素Ｍの組成比）を、元素Ｍの酸
化物を分子式で表した場合における（Ｏ原子の数）／
（Ｍ原子の数）よりも大きくすることが可能である。

【０１１４】またこれにより前記アモルファス相には、
元素Ｍの酸化物の他に、Ｑ及び／またはＣｏの酸化物が
入り込み、よって軟磁性膜中に占める酸素量を増やすこ
とができ、比抵抗ρを向上させることが可能であると同
時に、Ｃｏ及びＱを相当量含有させることができ、飽和
磁束密度Ｍｓ及び透磁率μｒ′を高め、高周波特性に優
れた軟磁性膜を製造することができる。

【０１１５】また本発明では、前記組成比を示すｘ，
ｙ，ｚ，ｗはａｔ％で、ｘ≦５６、３１．５≦ｚ、０≦
ｗ≦１９、残部がｙである関係を満足し、透磁率μｒ′
と比抵抗ρ（μΩ・ｃｍ）との乗で表されるμｒ′・ρ
値（×１０³）が、６００以上であることが好ましい。

【０１１６】さらに本発明では、前記組成比を示すｘ，
ｙ，ｚ，ｗはａｔ％で、ｘ≦５３．５、３３．５≦ｚ、
０≦ｗ≦１９、残部がｙである関係を満足し、透磁率μ
ｒ′と比抵抗ρ（μΩ・ｃｍ）との乗で表されるμｒ′
・ρ値（×１０³）が、８００以上であることがより好
ましい。

【０１１７】また本発明では、前記組成比を示すｘ，
ｙ，ｚ，ｗはａｔ％で、ｘ≦５２、３５≦ｚ、０≦ｗ≦
１９、残部がｙである関係を満足し、透磁率μｒ′と比
抵抗ρ（μΩ・ｃｍ）との乗で表されるμｒ′・ρ値
（×１０³）が、１０００以上であることがさらに好ま
しい。

【０１１８】また本発明では、前記元素Ｑは、Ｆｅであ
ることが好ましい。なおＱ−Ｃｏ−Ｍ−Ｏ膜またはＣｏ
−Ｑ−Ｍ−Ｏ膜においても、Ｆｅ−Ｍ−Ｏ膜と同様に、
前記微結晶相の結晶構造は、ｂｃｃ構造、ｈｃｐ構造、
ｆｃｃ構造のうち１種あるいは２種以上の混成構造から
なることが好ましく、より好ましくは前記微結晶相の結
晶構造は、主にｂｃｃ構造から成ることである。また前
記微結晶相の平均結晶粒径は、３０ｎｍ以下であること
が好ましい。

【０１１９】（３）また本発明では、上記した粉末ａ，
ｂあるいは粉末ａ，ｂ，ｃを焼結形成したターゲット２
を用いて軟磁性膜を製造すれば、上記した（１）（２）
以外にも高周波特性に優れた軟磁性膜を形成することが
可能である。

【０１２０】本発明における製造方法によって形成され
た軟磁性膜の膜構造は、元素Ｍの酸化物を多量に含むア
モルファス相に、元素Ｔを主体とする微結晶相が混在
し、（軟磁性膜中に占める酸素の組成比）／（軟磁性膜
中に占める元素Ｍの組成比）が、元素Ｍの酸化物を分子
式で表した場合における（Ｏ原子の数）／（Ｍ原子の
数）よりも大きく、前記アモルファス相には、元素Ｍの
酸化物の他に元素Ｔの酸化物が含まれることが好まし
い。これによって透磁率μｒ′及び比抵抗ρの双方を高
めることができ、上記の膜構成を有する軟磁性膜を使用
することにより、高周波特性に優れた磁気デバイスの製
造が可能である。

【０１２１】上記のように、（軟磁性膜中に占める酸素
の組成比）／（軟磁性膜中に占める元素Ｍの組成比）
を、元素Ｍの酸化物を分子式で表した場合における（Ｏ
原子の数）／（Ｍ原子の数）よりも大きくすれば、軟磁
性膜中に占める酸素量を増加させることができ、一方、
元素Ｔを相当量含有させることができる。

【０１２２】さらに、前記アモルファス相には、元素Ｍ
の酸化物の他に元素Ｔの酸化物が含まれていると、酸素
がアモルファス相に入り込み易くなり、膜中に占める酸
素量を増加させることができる。

【０１２３】また本発明では、前記軟磁性膜の透磁率μ
ｒ′と比抵抗ρ（μΩ・ｃｍ）との乗で表されるμｒ′
・ρ値（×１０³μΩ・ｃｍ）を、６００以上にするこ
とがで好ましく、より好ましくは、８００以上であり、
さらに好ましくは、１０００以上である。これにより高
周波特性に優れた磁気デバイスを製造することが可能で
ある。

【０１２４】また本発明では、前記微結晶相の結晶構造
は、ｂｃｃ構造、ｈｃｐ構造、ｆｃｃ構造のうち１種あ
るいは２種以上の混成構造からなることが好ましく、よ
り好ましくは、前記微結晶相の結晶構造は、主にｂｃｃ
構造から成ることである。また前記微結晶相の平均結晶
粒径は、３０ｎｍ以下であることが好ましい。

【０１２５】さらに前記元素Ｍは、Ｚｒ，Ｈｆのうち一
方あるいは両方を含む元素であることが好ましい。

【０１２６】また本発明では、前記粉末ａ，ｂの少なく
とも一方を窒化物で形成し、前記軟磁性膜を構成する一
元素として、Ｏの代わりにＮが、あるいはＯと共にＮが
含有されても、軟磁性膜の透磁率μｒ′及び比抵抗ρを
向上させることができる。

【０１２７】以上のように本発明の軟磁性膜の製造方法
によれば、高周波特性に優れた上記（１）〜（３）の特
徴を有する軟磁性膜を再現性良く形成でき、さらに所定
の組成範囲内に容易にしかも適切に形成することが可能
である。

【０１２８】ただし本発明における製造方法によって上
記（１）〜（３）以外の軟磁性膜を形成することは可能
である。すなわち上記した製造方法によって形成される
軟磁性膜１１の各構成元素の組成比等は、ターゲット２
の形成に必要な粉末ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅを如何なる材料
とするのか、さらには各粉末を如何なる割合で混ぜ合わ
せるのかに左右されるため、本発明では、各粉末を混ぜ
合わせる際の割合等を調整することにより、磁気デバイ
スとして必要な磁気特性を有するように軟磁性膜１１の
組成を自由にしかも容易に変えることができる。

【０１２９】前記ターゲット２に使用される材質を調整
することによって、例えばフェライトのような結晶体の
軟磁性膜や、全体がアモルファス構造の軟磁性膜を形成
でき、また反強磁性膜など種々の磁性膜を成膜できるも
のと考えられる。

【０１３０】次に図１に示すスパッタ装置に得られた軟
磁性膜１１は、図２、３に示すインダクタの磁心や、図
３に示す薄膜磁気ヘッドのコア層の形成に使用される。

【０１３１】図２は本発明におけるインダクタの構造を
示す平面図であり、図３は図２の３−３線断面図であ
る。

【０１３２】図３に示すように、基板３０上に取り出し
電極３１を形成する。この取り出し電極３１は、端子と
しての役割を有している。前記基板３０上及び取り出し
電極３１上に、絶縁膜３２と磁性膜３３と絶縁膜３４を
順次積層し、絶縁膜３４上にスパイラルコイル状の平面
コイル３５を形成する。平面コイル３５の中心部は、絶
縁膜３２と磁性膜３３と絶縁膜３４に開けられたスルー
ホールを介して取り出し電極３１と接続されている。さ
らに平面コイル３５を覆う絶縁膜３６を形成し、絶縁膜
３６上に磁性膜３７を形成する。平面コイル３５の端か
らは取り出し電極３８が基板３０上に延びている。前記
取り出し電極３８も、取り出し電極３１と同様に端子と
しての機能を有している。

【０１３３】平面コイル３５は、銅、銀、金、アルミニ
ウムあるいはこれらの合金などの良導電性金属材料から
なり、インダクタンス、直流重量特性、サイズなどに応
じて、電気的に直列に、または並列に、さらに縦にある
いは横に絶縁膜を介して適宜配置することができる。

【０１３４】また平面コイル３５を並列的に複数設け、
各平面コイル３５を絶縁膜３６を介して対向させること
で、トランスを構成できる。さらに、平面コイル３５
は、導電層を基板上に形成後、フォトエッチングするこ
とにより各種の形状に作成できる。導電層の成膜方法と
しては、ブレス圧着、メッキ、金属溶射、真空蒸着、ス
パッタリング、イオンブレーティング、スクリーン印刷
焼成法などの適宜の方法を用いればよい。

【０１３５】絶縁膜３２，３４，３６は、ポリイミドな
どの高分子フィルム、ＳｉＯ₂、ガラス、硬質炭素膜な
どの無機質膜からなるものを用いることが好ましい。こ
の絶縁膜３２，３４，３６は、ペースト印刷またはスピ
ンコート後に焼成する方法、溶融メッキ法、溶射、気相
メッキ、真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティ
ングなどの方法により形成される。

【０１３６】本発明では前記磁性膜３３，３７を図１に
示すスパッタ装置１内でスパッタ形成する。本発明によ
れば前記磁性膜３３，３７を組成比や膜厚にばらつきが
なく再現性良く形成でき、歩留まりの向上を図ることが
できる。また組成比や膜厚のばらつきを少なくすること
で、磁気的または電気的なばらつきをなくすことが可能
である。そして本発明では、高周波特性に優れたインダ
クタの製造が可能である。

【０１３７】図４は、本発明の実施形態としての薄膜磁
気ヘッドの縦断面図である。図４に示す薄膜磁気ヘッド
は、浮上式ヘッドを構成するスライダのトレーリング側
端面に形成されたものであり、読み出しヘッド（再生ヘ
ッド）上に書込み用のインダクティブヘッドが積層され
た、いわゆるＭＲ／インダクティブ複合型薄膜磁気ヘッ
ドである。なお図４に示す薄膜磁気ヘッドは、インダク
ティブヘッドである。

【０１３８】図４に示す符号４０は、磁性材料製の下部
コア層である。前記下部コア層４０の上に、Ａｌ₂Ｏ₃な
どの非磁性の絶縁材料で形成されたギャップ層４１を形
成し、さらに前記ギャップ層４１の上に、レジスト材料
やその他の有機材料で形成された絶縁層４２を形成す
る。

【０１３９】前記絶縁層４２上に、Ｃｕなどの電気抵抗
の低い導電性材料により、コイル層４３を螺旋状に形成
する。なお前記コイル層４３は、後述する上部コア層４
５の基端部４５ｂの周囲を周回するように形成されてい
るが、図４では前記コイル層４３の一部のみが現れてい
る。そして前記コイル層４３の上に、有機樹脂材料など
の絶縁層４４を形成する。

【０１４０】前記絶縁層４４の上に、磁性材料製の上部
コア層４５を形成する。上部コア層４５の先端部４５ａ
は、記録媒体との対向部において、下部コア層４０上に
前記ギャップ層４１を介して接合され、ギャップ長Ｇｌ
の磁気ギャップが形成されている。また上部コア層４５
の基端部４５ｂは、ギャップ層４１及び絶縁層４２に形
成された穴を介して、下部コア層４０に磁気的に接合さ
れている。

【０１４１】書込み用のインダクティブヘッドでは、コ
イル層４３に記録電流が与えられると、下部コア層４０
及び上部コア層４５に記録磁界が誘導され、下部コア層
４０と上部コア層４５の先端部４５ａとの磁気ギャップ
部分からの洩れ磁界により、ハードディスクなどの記録
媒体に磁気信号が記録される。

【０１４２】本発明では、上記した下部コア層４０及び
上部コア層４５を、図１に示すスパッタ装置１内でスパ
ッタ形成することができる。本発明によれば前記コア層
４０，４５を組成比や膜厚にばらつきがなく再現性良く
形成でき、歩留まりの向上を図ることができる。また組
成比や膜厚のばらつきを少なくすることで、磁気的また
は電気的なばらつきをなくすことが可能である。そして
本発明では、高周波特性に優れた薄膜磁気ヘッドの製造
が可能である。

【０１４３】なお本発明における軟磁性膜の製造方法
は、他の磁気デバイスの製造の際にも使用可能である。
例えば、一次側と二次側のコイルを設けたトランスの軟
磁性膜にも適用できる。

【０１４４】さらに近年では、移動通信機器が発達し、
例えば携帯電話機用のＬＣフィルタの構成要素の中で占
有面積の大きい空心インダクタに、前記軟磁性膜を用い
たインダクタを適用できる。

【０１４５】

【実施例】本発明では従来例として、Ｆｅで形成された
ターゲットに、Ｆｅ₃Ｏ₄で形成された１６枚のチップ
と、ＺｒＯ₂で形成された３２枚のチップを配置し、前
記ターゲットをスパッタすることによって得られた軟磁
性膜１１の膜厚及び比抵抗ρを図６に示すＮｏ．１〜Ｎ
ｏ．１６の測定点について測定した。なお膜厚の測定は
触針式の膜厚測定方法で行い、比抵抗ρは４端子抵抗計
で測定した。

【０１４６】測定の結果、膜厚及び比抵抗は、その平均
値に対し２０％以上のばらつきがあることがわかった。
このようにターゲットにチップを配置した複合型ターゲ
ットを用いた場合には、軟磁性膜の場所によって、膜厚
や諸特性のばらつきが大きくなることがわかった。

【０１４７】次に実施例として、Ｆｅ₃Ｏ₄から成る粉末
ａ（全粉末中に３．６ｍｏｌ％占める）、ＺｒＯ₂から
成る粉末ｂ（全粉末中に２２．７ｍｏｌ％占める）、Ｆ
ｅから成る粉末ｃ（全粉末中に７３．７ｍｏｌ％占め
る）を混ぜ合わせた後、焼結してターゲット２を形成
し、前記ターゲット２をスパッタすることによって得ら
れた軟磁性膜１１の膜厚及び比抵抗ρを図６に示すＮ
ｏ．１〜Ｎｏ．１６の測定点について測定した。なお膜
厚の測定は触針式の膜厚測定方法で行い、比抵抗ρは４
端子抵抗計で測定した。その測定結果を表１に示す。

【０１４８】

【表１】

【０１４９】表１に示すように膜厚の平均値は２．９μ
ｍで、しかも各測定点における膜厚のばらつきは１０％
以内であり、よって上記の焼結ターゲットを用いれば膜
厚のばらつきを改善できる。このように焼結ターゲット
は、膜厚制御性に優れていることがわかる。

【０１５０】また比抵抗値の平均値は１０４２μΩ・ｃ
ｍであり、しかも各測定点における比抵抗値のばらつき
は５％以内であり、よって上記の焼結ターゲットを用い
れば比抵抗のばらつきを改善できる。さらに高周波特性
に優れた軟磁性膜を成膜できることがわかる。

【０１５１】なお上記の焼結ターゲットを用いて成膜し
た軟磁性膜の透磁率μｒ′は８８３であった。

【０１５２】このように本発明の製造方法によれば、反
応性スパッタ法やあるいは複合型ターゲットを用いたス
パッタ法に比べて、前記軟磁性膜を組成比や膜厚にばら
つきがなく再現性良く形成でき、また磁気的あるいは電
気的なばらつきを少なくできることがわかる。

【０１５３】次に本発明では、Ｆｅ、元素Ｍ、及びＯか
ら成る軟磁性膜を、焼結ターゲットを用いて成膜し、各
元素の組成比と、透磁率μｒ′と比抵抗ρの乗で表され
るμｒ′・ρ値との関係を測定した。その実験結果を図
７に示す。

【０１５４】図７における三元図は、各辺が、Ｆｅの組
成比（ａｔ％）、元素Ｍの組成比（ａｔ％）、及びＯの
組成比（ａｔ％）となっており、三元図内に示す数値
は、Ｆｅ−Ｍ−Ｏ膜の透磁率μｒ′と比抵抗ρとの乗で
表されるμｒ′・ρ値（×１０ ³μΩ・ｃｍ）の領域で
ある。

【０１５５】ここで本発明では、前記μｒ′・ρ値が６
００以上、８００以上、及び１０００以上となるときの
各元素の組成比を三元図上から求めた。

【０１５６】図７に示すように、Ｆｅの組成比を、４
４．５〜５７．５（ａｔ％）、元素Ｍの組成比を、８〜
１９（ａｔ％）、Ｏの組成比を、３０．５〜４１（ａｔ
％）とした場合、前記μｒ′・ρ値が６００以上になる
ことがわかる。

【０１５７】またＦｅの組成比を、４５．５〜５５（ａ
ｔ％）、元素Ｍを、９〜１７．５（ａｔ％）、Ｏの組成
比を、３２．５〜４０（ａｔ％）とした場合、前記μ
ｒ′・ρ値が８００以上になることがわかる。

【０１５８】またＦｅの組成比を、４５．５〜５４（ａ
ｔ％）、元素Ｍを、９．５〜１６．５（ａｔ％）、Ｏの
組成比を３５〜４０（ａｔ％）とした場合、前記μｒ′
・ρ値が１０００以上になることがわかる。

【０１５９】なお前記Ｏの組成比は、３５ａｔ％よりも
大きく４０ａｔ％以下であることがより好ましく、３６
〜４０（ａｔ％）の範囲内であることが、さらに好まし
い。前記Ｏの組成比が上記範囲内であると確実にμｒ′
・ρ値を１０００以上にできることが、図７から理解で
きる。

【０１６０】なお軟磁性膜中に占める酸素は、比抵抗を
向上させるために必要な元素であり、本発明では、上記
したように、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ膜中に占める酸素量は、最
低でも３０．５（ａｔ％）以上となっている。

【０１６１】前記酸素は、元素Ｍと結合することで軟磁
性膜内に入り込み、前記軟磁性膜中において前記元素Ｍ
の酸化物は、主にアモルファス相を形成する。

【０１６２】すなわち前記元素Ｍの酸化物の含有量を適
正に調整することにより、比抵抗を高めることができ
る。

【０１６３】一方、軟磁性膜中に占めるＦｅは、飽和磁
束密度Ｍｓの向上に関与し、前記Ｆｅ量を増やせば、飽
和磁束密度を向上させることができる。

【０１６４】また透磁率μｒ′に関しては様々な要因が
関与して、前記透磁率μｒ′の大きさが決定される。前
記透磁率μｒ′を高めるには、飽和磁束密度Ｍｓが高い
ことが好ましいが、高周波帯域における前記透磁率μ
ｒ′の安定性を図るには、比抵抗ρも高いことが必要で
ある。比抵抗ρが低いと高周波帯域において渦電流損失
が大きくなり、一般的に前記透磁率μｒ′は周波数の増
加とともに低下しやすいからである。

【０１６５】なお透磁率μｒ′と比抵抗ρはトレードオ
フの関係にあることが一般的に知られており、したがっ
て比抵抗ρが高すぎても透磁率μｒ′の極端な低下を招
き、逆に透磁率μｒ′が高すぎても比抵抗ρの極端な低
下を招き好ましくない。

【０１６６】したがって透磁率μｒ′と比抵抗ρの双方
を適正な値に設定するには、軟磁性膜中に占める酸素量
を適正に調整し、またＦｅ量に関しては図７に示すよう
に５０（ａｔ％）前後に設定することがよいことが理解
できる。

【０１６７】図７の三元図に示す境界Ａは、（軟磁性膜
中に占める酸素の組成比）／（前記軟磁性膜中に占める
元素Ｍの組成比）と、元素Ｍの酸化物を分子式で表した
場合における（Ｏ原子の数）／（Ｍ原子の数）とが一致
する部分であり、図面上、前記境界Ａよりも下側の領域
（すなわちＯの組成比が増える方向、元素Ｍの組成比が
低下する方向）に向かうと、（前記軟磁性膜中に占める
酸素の組成比）／（前記軟磁性膜中に占める元素Ｍの組
成比）が、元素Ｍの酸化物を分子式で表した場合におけ
る（Ｏ原子の数）／（Ｍ原子の数）よりも多くなる。

【０１６８】前記境界Ａよりも図示下側の領域における
各元素の組成比を適正に選択することで、μｒ′・ρ値
（×１０³μΩ・ｃｍ）を６００以上、好ましくは８０
０以上、より好ましくは１０００以上に容易に設定する
ことができ、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ膜の高周波特性を従来に比
べて向上させることが可能になる。

【０１６９】次に本発明では、Ｃｏ、元素Ｑ（実験では
Ｆｅを使用）、元素Ｍ、及びＯから成る軟磁性膜を、焼
結ターゲットを用いて成膜し、各元素の組成比と、透磁
率μｒ′と比抵抗ρの乗で表されるμｒ′・ρ値との関
係を測定した。その実験結果を図８に示す。

【０１７０】図８は、ＣｏとＦｅとを足した組成比（ａ
ｔ％）、元素Ｍの組成比（ａｔ％）、及びＯの組成比
（ａｔ％）の三元図であり、三元図内に示す数値は、Ｆ
ｅ−Ｃｏ−Ｍ−Ｏ膜の透磁率μｒ′と比抵抗ρとの乗で
表されるμｒ′・ρ値（×１０ ³μΩ・ｃｍ）である。

【０１７１】ここで本発明では、前記μｒ′・ρ値が６
００以上、８００以上、及び１０００以上になるＣｏと
Ｆｅ、元素Ｍ及びＯの組成比を三元図上から求めた。な
おＦｅとＣｏの割合は９：１である。

【０１７２】図８に示すように、ＦｅとＣｏの組成比ｘ
を、５６（ａｔ％）以下、酸素の組成比ｚを３１．５
（ａｔ％）以上、０≦ｗ≦１９、残部を元素Ｍの組成比
ｙとした場合、前記μｒ′・ρ値が６００以上になるこ
とがわかる。

【０１７３】またＦｅとＣｏの組成比ｘを、５３．５
（ａｔ％）以下、酸素の組成比ｚを３３．５（ａｔ％）
以上、０≦ｗ≦１９、残部を元素Ｍの組成比ｙとした場
合、前記μｒ′・ρ値が８００以上になることがわか
る。

【０１７４】またＦｅとＣｏの組成比ｘを、５２（ａｔ
％）以下、酸素の組成比ｚを３５（ａｔ％）以上、０≦
ｗ≦１９、残部を元素Ｍの組成比ｙとした場合、前記μ
ｒ′・ρ値が１０００以上になることがわかる。

【０１７５】上記Ｑ−Ｃｏ−Ｍ−Ｏ膜あるいはＣｏ−Ｑ
−Ｍ−Ｏ膜においても、Ｆｅ−Ｍ−Ｏ膜と同様に、高い
透磁率μｒ′と比抵抗ρを得るに、軟磁性膜中に占める
酸素量を多くし、一方、ＣｏとＦｅの含有量を相当量確
保する必要性がある。また元素Ｑの割合を、元素ＱとＣ
ｏの組成比を足し合わせた含有量に対し半分以上にする
ことで、透磁率μｒ′と飽和磁束密度Ｍｓを向上させる
ことができる。

【０１７６】図８に示す三元図に表示された境界Ｂは、
（軟磁性膜中に占める酸素の組成比）／（前記軟磁性膜
中に占める元素Ｍの組成比）と、元素Ｍの酸化物を分子
式で表した場合における（Ｏ原子の数）／（Ｍ原子の
数）とが一致する部分であり、図面上、前記境界Ｂより
も下側の領域（すなわちＯの組成比が増える方向、元素
Ｍの組成比が低下する方向）に向かうと、（前記軟磁性
膜中に占める酸素の組成比）／（前記軟磁性膜中に占め
る元素Ｍの組成比）が、元素Ｍの酸化物を分子式で表し
た場合における（Ｏ原子の数）／（Ｍ原子の数）よりも
多くなる。

【０１７７】前記境界Ｂよりも図示下側の領域での各元
素の組成比を適正に選択することで、軟磁性膜中におけ
る酸素量を増やすことができ、同時にＣｏと元素Ｑの含
有量を相当量確保することができ、透磁率μｒ′と比抵
抗ρとの乗で表されるμｒ′・ρ値（×１０³μΩ・ｃ
ｍ）を６００以上、好ましくは８００以上、より好まし
くは１０００以上に容易に規制することができ、高い透
磁率μｒ′と比抵抗ρを有する高周波特性に優れた軟磁
性膜を製造することができるのである。

【０１７８】

【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、元素Ｔ
（ＴはＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏ）の酸化物の粉末ａ、及び元素
Ｍ（ＭはＨｆやＺｒ等）の酸化物の粉末ｂを混ぜ合わ
せ、焼結してターゲットを形成することで、前記ターゲ
ットをスパッタすることにより形成できる軟磁性膜を組
成比や膜厚にばらつきがなく再現性良く形成でき、歩留
まりの向上を図ることができる。また組成比や膜厚のば
らつきを少なくできることで、磁気的または電気的なば
らつきをなくすことが可能である。

【０１７９】また本発明では、各粉末を混ぜ合わせる際
の割合を適正に調整するだけで、予定していた組成比を
有する軟磁性膜を容易にしかも適切に形成することがで
きる。

【０１８０】また本発明では、粉末ａ，ｂが共に酸化物
であることから、得られる軟磁性膜の酸素の含有量を大
きくすることができ、また他の構成元素の組成比を所定
の組成範囲内に設定しやすい。よって本発明では、透磁
率μｒ′、比抵抗ρ等の諸磁気特性に優れた軟磁性膜を
形成でき、このような軟磁性膜を、平面型磁気素子、フ
ィルタ、あるいは薄膜磁気ヘッド等に使用すれば、高周
波特性に優れた磁気デバイスを製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における軟磁性膜の製造に使用するスパ
ッタ装置の内部構造を示す構成図、

【図２】本発明の実施形態の構造を示す平面型磁気素子
（インダクタ）の拡大平面図、

【図３】図２に示す３−３線の断面図、

【図４】本発明の実施形態の構造を示す薄膜磁気ヘッド
の縦断面図、

【図５】本発明における軟磁性膜の膜構造を示す模式
図、

【図６】膜厚及び比抵抗の測定点を示す軟磁性膜の平面
図、

【図７】Ｆｅ−Ｍ−Ｏ膜におけるＦｅと、元素ＭとＯと
の組成比と、透磁率μｒ′と比抵抗ρとの乗で表される
μｒ′・ρ値（×１０³μΩ・ｃｍ）との関係を示す三
元図、

【図８】Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ−Ｏ膜におけるＣｏ及びＦｅ
と、元素ＭとＯとの組成比と、透磁率μｒ′と比抵抗ρ
との乗で表されるμｒ′・ρ値（×１０³μΩ・ｃｍ）
との関係を示す三元図、

【符号の説明】

１ マグネトロンスパッタ装置 ２ ターゲット ４ 電極部 ５ 磁石 ６ ガス導入口 ７ ガス排気口 ８ 基板保持部 ９ 基板 １０ 高周波電源 １１ 磁性膜 １２ チャンバ ３０ 基板 ３１、３８ 取り出し電極 ３２、３４、３６ 絶縁膜 ３３、３７ 磁性膜 ３５ 平面コイル ４０ 下部コア層 ４１ ギャップ層 ４２、４４ 絶縁層 ４３ コイル層 ４５ 上部コア層

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 5/31 Ｇ１１Ｂ 5/31 Ｍ Ｈ０１Ｆ 10/14 Ｈ０１Ｆ 10/14 10/16 10/16 Ｆターム(参考） 4K018 AD09 BA01 BA02 BA03 BA04 BA11 BA14 DA11 KA29 4K029 BA50 BB08 BB10 BC06 BD03 BD04 CA05 DC09 5D033 BA02 DA03 DA22 DA31 5E049 AA01 AA04 AA09 BA12 BA14 GC02

Claims (32)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのうち１種または２種
   以上の元素Ｔの酸化物からなる粉末ａと、Ｔｉ，Ｚｒ，
   Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｒ，
   Ｐ，Ｃ，Ｂ，Ｇａ，Ｇｅと希土類元素から選ばれる１種
   または２種以上の元素Ｍの酸化物からなる粉末ｂとを焼
   結してターゲットを形成し、 前記ターゲットと対向する位置に基板を配置し、 前記ターゲットをスパッタして前記基板上に、元素Ｔと
   元素Ｍと酸素とを含有する軟磁性膜を成膜することを特
   徴とする軟磁性膜の製造方法。
2. 【請求項２】 Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのうち１種または２種
   以上の元素Ｔの酸化物からなる粉末ａと、Ｔｉ，Ｚｒ，
   Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｒ，
   Ｐ，Ｃ，Ｂ，Ｇａ，Ｇｅと希土類元素から選ばれる１種
   または２種以上の元素Ｍの酸化物からなる粉末ｂと、Ｆ
   ｅ，Ｃｏ，Ｎｉのうち１種または２種以上の元素Ｓの粉
   末ｃとを焼結してターゲットを形成し、 前記ターゲットと対向する位置に基板を配置し、 前記ターゲットをスパッタして前記基板上に、元素Ｔと
   元素Ｓと元素Ｍと酸素とを含有する軟磁性膜を成膜する
   ことを特徴とする軟磁性膜の製造方法。
3. 【請求項３】 前記軟磁性膜の組成比の調節は、各粉末
   の割合を調節して行う請求項１または２に記載の軟磁性
   膜の製造方法。
4. 【請求項４】 前記軟磁性膜の成膜は、Ａｒ雰囲気中で
   行う請求項１ないし３のいずれかに記載の軟磁性膜の製
   造方法。
5. 【請求項５】 前記元素Ｔ及び元素ＳにＦｅを選択し、
   前記軟磁性膜は、組成式がＦｅ_aＭ_bＯ_cで示され、組成
   比はａｔ％で、４４．５≦ａ≦５７．５、８≦ｂ≦１
   ９、３０．５≦ｃ≦４１、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足
   し、透磁率μｒ′と比抵抗ρ（μΩ・ｃｍ）との乗で表
   されるμｒ′・ρ値（×１０³）が、６００以上である
   請求項１ないし４のいずれかに記載の軟磁性膜の製造方
   法。
6. 【請求項６】 前記組成比はａｔ％で、４５．５≦ａ≦
   ５５、９≦ｂ≦１７．５、３２．５≦ｃ≦４０、ａ＋ｂ
   ＋ｃ＝１００を満足し、透磁率μｒ′と比抵抗ρ（μΩ
   ・ｃｍ）との乗で表されるμｒ′・ρ値（×１０³）
   が、８００以上である請求項５記載の軟磁性膜の製造方
   法。
7. 【請求項７】 前記組成比はａｔ％で、４５．５≦ａ≦
   ５４、９．５≦ｂ≦１６．５、３５≦ｃ≦４０、ａ＋ｂ
   ＋ｃ＝１００を満足し、透磁率μｒ′と比抵抗ρ（μΩ
   ・ｃｍ）との乗で表されるμｒ′・ρ値（×１０³）
   が、１０００以上である請求項５記載の軟磁性膜の製造
   方法。
8. 【請求項８】 （前記軟磁性膜中に占める酸素の組成
   比）／（前記軟磁性膜中に占める元素Ｍの組成比）が、
   元素Ｍの酸化物を分子式で表した場合における（Ｏ原子
   の数）／（Ｍ原子の数）よりも大きい請求項５ないし７
   のいずれかに記載の軟磁性膜の製造方法。
9. 【請求項９】 前記軟磁性膜は、元素Ｍの酸化物を多量
   に含むアモルファス相に、Ｆｅを主体とする微結晶相が
   混在した膜構造を有する請求項５ないし８のいずれかに
   記載の軟磁性膜の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記アモルファス相には、元素Ｍの酸
    化物の他に、Ｆｅの酸化物が含まれる請求項９記載の軟
    磁性膜の製造方法。
11. 【請求項１１】 元素Ｔ及び／または元素ＳにＣｏを選
    択し、さらに前記元素Ｔ及び／または元素ＳにＦｅ，Ｎ
    ｉのうち少なくとも一方を選択してターゲットを粉末
    ａ，ｂの焼結体、または粉末ａ,ｂ,ｃの焼結体で形成
    し、あるいはさらに前記ターゲットをＰｔ，Ｒｕ，Ｒ
    ｈ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ
    から選ばれる１種または２種以上の元素Ｘの粉末ｄ、及
    び／または前記元素Ｘの酸化物からなる粉末ｅを加えて
    焼結形成し、 前記軟磁性膜は、組成式が、（Ｑ_1-dＣｏ_d）_xＭ_yＯ_zＸ_w
    で示され、元素Ｑは、Ｆｅ，Ｎｉのうちどちらか一方あ
    るいは両方を含む元素であり、組成比を示すｄは、０＜
    ｄ≦０．５、ｘ，ｙ，ｚ，ｗはａｔ％で、ｘ≦５９、２
    ８≦ｚ、０≦ｗ≦２０、残部がｙである請求項１ないし
    ４のいずれかに記載の軟磁性膜の製造方法。
12. 【請求項１２】 元素Ｔ及び／または元素ＳにＣｏを選
    択し、あるいはさらに前記元素Ｔ及び／または元素Ｓに
    Ｆｅ，Ｎｉのうち少なくとも一方を選択してターゲット
    を粉末ａ，ｂの焼結体、または粉末ａ,ｂ,ｃの焼結体で
    形成し、あるいはさらに前記ターゲットをＰｔ，Ｒｕ，
    Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃ
    ｕから選ばれる１種または２種以上の元素Ｘの粉末ｄ、
    及び／または前記元素Ｘの酸化物からなる粉末ｅを加え
    て焼結形成し、 前記軟磁性膜は、組成式が、（Ｃｏ_eＱ_1-e）_xＭ_yＯ_zＸ_w
    で示され、元素Ｑは、Ｆｅ，Ｎｉのうちどちらか一方あ
    るいは両方を含む元素であり、組成比を示すｅは、０．
    ５＜ｅ≦１．０、ｘ，ｙ，ｚ，ｗはａｔ％で、ｘ≦５
    ９、２８≦ｚ、０≦ｗ≦２０、残部がｙである請求項１
    ないし４のいずれかに記載の軟磁性膜の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記組成比を示すｘ，ｙ，ｚ，ｗはａ
    ｔ％で、ｘ≦５６、３１．５≦ｚ、０≦ｗ≦１９、残部
    がｙである関係を満足し、透磁率μｒ′と比抵抗ρ（μ
    Ω・ｃｍ）との乗で表されるμｒ′・ρ値（×１０³）
    が、６００以上である請求項１１または１２に記載の軟
    磁性膜の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記組成比を示すｘ，ｙ，ｚ，ｗはａ
    ｔ％で、ｘ≦５３．５、３３．５≦ｚ、０≦ｗ≦１９、
    残部がｙである関係を満足し、透磁率μｒ′と比抵抗ρ
    （μΩ・ｃｍ）との乗で表されるμｒ′・ρ値（×１０
    ³）が、８００以上である請求項１１または１２に記載
    の軟磁性膜の製造方法。
15. 【請求項１５】 前記組成比を示すｘ，ｙ，ｚ，ｗはａ
    ｔ％で、ｘ≦５２、３５≦ｚ、０≦ｗ≦１９、残部がｙ
    である関係を満足し、透磁率μｒ′と比抵抗ρ（μΩ・
    ｃｍ）との乗で表されるμｒ′・ρ値（×１０³）が、
    １０００以上である請求項１１または１２に記載の軟磁
    性膜の製造方法。
16. 【請求項１６】 前記元素Ｑは、Ｆｅである請求項１１
    ないし１５のいずれかに記載の軟磁性膜の製造方法。
17. 【請求項１７】 （前記軟磁性膜中に占める酸素の組成
    比）／（前記軟磁性膜中に占める元素Ｍの組成比）が、
    元素Ｍの酸化物を分子式で表した場合における（Ｏ原子
    の数）／（Ｍ原子の数）よりも大きい請求項１１ないし
    １６のいずれかに記載の軟磁性膜の製造方法。
18. 【請求項１８】 前記軟磁性膜は、元素Ｍの酸化物を多
    量に含むアモルファス相に、元素Ｑ及び／またはＣｏを
    主体とする微結晶相が混在した膜構造を有する請求項１
    １ないし１７のいずれかに記載の軟磁性膜の製造方法。
19. 【請求項１９】 前記アモルファス相には、元素Ｍの酸
    化物の他に、元素Ｑの酸化物、及び／またはＣｏの酸化
    物を含む請求項１８記載の軟磁性膜の製造方法。
20. 【請求項２０】 前記軟磁性膜の膜構造は、元素Ｍの酸
    化物を多量に含むアモルファス相に、元素Ｔを主体とす
    る微結晶相が混在し、 （軟磁性膜中に占める酸素の組成比）／（軟磁性膜中に
    占める元素Ｍの組成比）が、元素Ｍの酸化物を分子式で
    表した場合における（Ｏ原子の数）／（Ｍ原子の数）よ
    りも大きく、 前記アモルファス相には、元素Ｍの酸化物の他に元素Ｔ
    の酸化物が含まれる請求項１ないし４のいずれかに記載
    の軟磁性膜の製造方法。
21. 【請求項２１】 前記軟磁性膜の透磁率μｒ′と比抵抗
    ρ（μΩ・ｃｍ）との乗で表されるμｒ′・ρ値（×１
    ０³）は、６００以上である請求項２０記載の軟磁性膜
    の製造方法。
22. 【請求項２２】 前記軟磁性膜の透磁率μｒ′と比抵抗
    ρ（μΩ・ｃｍ）との乗で表されるμｒ′・ρ値（×１
    ０³）は、８００以上である請求項２０記載の軟磁性膜
    の製造方法。
23. 【請求項２３】 前記軟磁性膜の透磁率μｒ′と比抵抗
    ρ（μΩ・ｃｍ）との乗で表されるμｒ′・ρ値（×１
    ０³）は、１０００以上である請求項２０記載の軟磁性
    膜の製造方法。
24. 【請求項２４】 前記微結晶相は、さらに元素Ｍの酸化
    物を含んでいる請求項９、１０、１８、１９あるいは２
    ０ないし２３のいずれかに記載の軟磁性膜の製造方法。
25. 【請求項２５】 前記微結晶相の結晶構造は、ｂｃｃ構
    造、ｈｃｐ構造、ｆｃｃ構造のうち１種あるいは２種以
    上の混成構造からなる請求項９、１０、１８、１９ある
    いは２０ないし２４に記載の軟磁性膜の製造方法。
26. 【請求項２６】 前記微結晶相の結晶構造は、主にｂｃ
    ｃ構造から成る請求項２５記載の軟磁性膜の製造方法。
27. 【請求項２７】 前記微結晶相の平均結晶粒径は、３０
    ｎｍ以下である請求項９、１０、１８、１９あるいは２
    ０ないし２６のいずれかに記載の軟磁性膜の製造方法。
28. 【請求項２８】 前記元素Ｍは、Ｚｒ，Ｈｆのうち一方
    あるいは両方を含む元素である請求項１ないし２７のい
    ずれかに記載の軟磁性膜の製造方法。
29. 【請求項２９】 前記粉末ａ，ｂの少なくとも一方を窒
    化物で形成し、前記軟磁性膜を構成する一元素として、
    Ｏの代わりにＮを、あるいはＯと共にＮを含有する請求
    項１ないし２８のいずれかに記載の軟磁性膜の製造方
    法。
30. 【請求項３０】 請求項１ないし２９のいずれかに記載
    された軟磁性膜によって磁心を形成することを特徴とす
    る平面型磁気素子の製造方法。
31. 【請求項３１】 請求項１ないし２９のいずれかに記載
    された軟磁性膜によって磁心を形成することを特徴とす
    るフィルタの製造方法。
32. 【請求項３２】 少なくとも下部コア層と、記録媒体と
    の対向部で前記下部コア層と磁気ギャップを介して対向
    する上部コア層と、両コア層に記録磁界を与えるコイル
    層とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部コア層
    と上部コア層のうち少なくとも一方を、請求項１ないし
    ２９のいずれかに記載された軟磁性膜により形成するこ
    とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。