JPH1187871A - 回路基板と薄型電源装置 - Google Patents
回路基板と薄型電源装置Info
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- JPH1187871A JPH1187871A JP24316097A JP24316097A JPH1187871A JP H1187871 A JPH1187871 A JP H1187871A JP 24316097 A JP24316097 A JP 24316097A JP 24316097 A JP24316097 A JP 24316097A JP H1187871 A JPH1187871 A JP H1187871A
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- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/141—One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
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- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のものより占有面積、占有体積を減少さ
せた回路基板およびこれを応用した薄型電源装置を提供
する。 【解決手段】 この回路基板は、２枚の回路基板がその
厚み方向に併設されるとともに機械的、電気的に接続さ
れており、前記２枚の回路基板のそれぞれの内面側には
複数の電子部品が実装され、前記２枚の回路基板の内面
と前記複数の電子部品から構成される凹凸が前記２枚の
回路基板でそれぞれ互い違いになるように前記複数の電
子部品が配設されている。
せた回路基板およびこれを応用した薄型電源装置を提供
する。 【解決手段】 この回路基板は、２枚の回路基板がその
厚み方向に併設されるとともに機械的、電気的に接続さ
れており、前記２枚の回路基板のそれぞれの内面側には
複数の電子部品が実装され、前記２枚の回路基板の内面
と前記複数の電子部品から構成される凹凸が前記２枚の
回路基板でそれぞれ互い違いになるように前記複数の電
子部品が配設されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、従来のものより占
有面積、占有体積を減少させた回路基板およびこれを応
用した薄型電源装置に関する。
有面積、占有体積を減少させた回路基板およびこれを応
用した薄型電源装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子部品を回路基板に実装する場合、従
来電子部品はリジッドな基板の一面に配設されるように
なっていた。このため、どのように電子部品のレイアウ
トを工夫しても電子部品の大きさは変えられないので、
基板の大きさそのものを小さくすることには限界があっ
た。特に電源装置にあっては、図６に示すように巻線イ
ンダクタ５１やトランスなどの他の電子部品と比較して
高さのある電子部品を使用しなければならず、これらを
設置することで電子機器内での基板５０の占有する体積
が増大してしまうという問題点があった。
来電子部品はリジッドな基板の一面に配設されるように
なっていた。このため、どのように電子部品のレイアウ
トを工夫しても電子部品の大きさは変えられないので、
基板の大きさそのものを小さくすることには限界があっ
た。特に電源装置にあっては、図６に示すように巻線イ
ンダクタ５１やトランスなどの他の電子部品と比較して
高さのある電子部品を使用しなければならず、これらを
設置することで電子機器内での基板５０の占有する体積
が増大してしまうという問題点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年は、電子機器の小
型化、薄型化の傾向がより一層強まっており、電子機器
内での基板の占有する体積を減少させる要求が高くなっ
てきている。上記の点に鑑み、本発明は、従来のものよ
り占有面積、占有体積を減少させた回路基板およびこれ
を応用した薄型電源装置を提供することを目的とする。
型化、薄型化の傾向がより一層強まっており、電子機器
内での基板の占有する体積を減少させる要求が高くなっ
てきている。上記の点に鑑み、本発明は、従来のものよ
り占有面積、占有体積を減少させた回路基板およびこれ
を応用した薄型電源装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明に係る回路基板
は、２枚の回路基板がその厚み方向に併設されるととも
に機械的、電気的に接続されており、前記２枚の回路基
板のそれぞれの内面側には複数の電子部品が実装され、
前記２枚の回路基板の内面と前記複数の電子部品から構
成される凹凸が前記２枚の回路基板でそれぞれ互い違い
になるように前記複数の電子部品が配設されていること
を特徴とする。また、本発明に係る回路基板は、回路基
板の１枚がフィルム状のフレキシブル基板であることを
特徴とする。
は、２枚の回路基板がその厚み方向に併設されるととも
に機械的、電気的に接続されており、前記２枚の回路基
板のそれぞれの内面側には複数の電子部品が実装され、
前記２枚の回路基板の内面と前記複数の電子部品から構
成される凹凸が前記２枚の回路基板でそれぞれ互い違い
になるように前記複数の電子部品が配設されていること
を特徴とする。また、本発明に係る回路基板は、回路基
板の１枚がフィルム状のフレキシブル基板であることを
特徴とする。
【０００５】本発明に係る薄型電源装置は、回路基板上
に薄膜状の磁性体を有するトランスもしくはインダクタ
が形成されていることを特徴とする。また、本発明に係
る薄型電源装置は、薄膜状の磁性体が、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎ
ｉのうちの１種または２種以上より選択された元素Ｔを
主体とする体心立方構造、面心立方構造もしくは両者が
混在した平均結晶粒径３０ｎｍ以下の結晶相と、それら
結晶相を取り囲むＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍ
ｏ、ＷとＹ、Ｃｅなどの希土類元素の１種または２種以
上からなる元素Ｍ、Ｏ、もしくは元素Ｍの酸化物を主体
とする非晶質相とからなることを特徴とする。
に薄膜状の磁性体を有するトランスもしくはインダクタ
が形成されていることを特徴とする。また、本発明に係
る薄型電源装置は、薄膜状の磁性体が、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎ
ｉのうちの１種または２種以上より選択された元素Ｔを
主体とする体心立方構造、面心立方構造もしくは両者が
混在した平均結晶粒径３０ｎｍ以下の結晶相と、それら
結晶相を取り囲むＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍ
ｏ、ＷとＹ、Ｃｅなどの希土類元素の１種または２種以
上からなる元素Ｍ、Ｏ、もしくは元素Ｍの酸化物を主体
とする非晶質相とからなることを特徴とする。
【０００６】本発明に係る薄型電源装置は、前記薄膜状
の磁性体の結晶相にＰｄ、Ｍｎ、Ａｌより選ばれる１種
または２種以上の元素Ｔ'を含むことを特徴とする。本
発明に係る薄型電源装置は、前記薄膜状の磁性体の非結
晶相にＮ、Ｂ、Ｃより選ばれる１種または２種以上の元
素Ｑを含むことを特徴とする。本発明に係る薄型電源装
置は、前記薄膜状の磁性体の比抵抗が２００μΩ・ｃｍ
以上であることを特徴とする。本発明に係る薄型電源装
置は、薄膜状の磁性体の１００ＭＨｚにおける透磁率の
実数部（μ'）が１００以上であることを特徴とする。
の磁性体の結晶相にＰｄ、Ｍｎ、Ａｌより選ばれる１種
または２種以上の元素Ｔ'を含むことを特徴とする。本
発明に係る薄型電源装置は、前記薄膜状の磁性体の非結
晶相にＮ、Ｂ、Ｃより選ばれる１種または２種以上の元
素Ｑを含むことを特徴とする。本発明に係る薄型電源装
置は、前記薄膜状の磁性体の比抵抗が２００μΩ・ｃｍ
以上であることを特徴とする。本発明に係る薄型電源装
置は、薄膜状の磁性体の１００ＭＨｚにおける透磁率の
実数部（μ'）が１００以上であることを特徴とする。
【０００７】本発明に係る薄型電源装置は、薄膜状の磁
性体が下記組成式により表されることを特徴とする。 ＴxＴ'yＭzＯwＱt ただし、組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｗ、ｔは原子％で０
≦ｙ≦３０、５≦ｚ≦４０、０≦ｗ≦４０、０≦ｔ≦４
０の関係を満足し、残部はｘと不可避不純物である。な
かでも、ｗが原子％で１０≦ｗ≦４０であることが好ま
しい。本発明に係る薄型電源装置は、前記薄膜状の磁性
体を有するトランスもしくはインダクタが、基板上にス
パイラル状の平面コイルと絶縁膜と薄膜状の磁性体とが
積層されてなることを特徴とする。
性体が下記組成式により表されることを特徴とする。 ＴxＴ'yＭzＯwＱt ただし、組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｗ、ｔは原子％で０
≦ｙ≦３０、５≦ｚ≦４０、０≦ｗ≦４０、０≦ｔ≦４
０の関係を満足し、残部はｘと不可避不純物である。な
かでも、ｗが原子％で１０≦ｗ≦４０であることが好ま
しい。本発明に係る薄型電源装置は、前記薄膜状の磁性
体を有するトランスもしくはインダクタが、基板上にス
パイラル状の平面コイルと絶縁膜と薄膜状の磁性体とが
積層されてなることを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面により本発明について
詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態例のみに
限定されるものではない。図１は、本発明の実施形態の
一例を示す斜視図、図２は断面図であり、図中符号１は
基板、符号２はフレキシブル基板、符号３は接続部、符
号４は電子部品である。本実施の形態においては、基板
１とフレキシブル基板２は、その厚み方向に併設されて
おり、フレキシブル基板２はその一端が曲げられ、接続
部３において基板１に固定されるとともにお互いの回路
が電気的に接続されている。基板１およびフレキシブル
基板２の対向面上にはそれぞれ、複数の電子部品４、４
…が、基板１およびフレキシブル基板２の内面と、電子
部品４、４…から構成される凹凸がそれぞれ互い違いに
なるように取り付けられている。
詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態例のみに
限定されるものではない。図１は、本発明の実施形態の
一例を示す斜視図、図２は断面図であり、図中符号１は
基板、符号２はフレキシブル基板、符号３は接続部、符
号４は電子部品である。本実施の形態においては、基板
１とフレキシブル基板２は、その厚み方向に併設されて
おり、フレキシブル基板２はその一端が曲げられ、接続
部３において基板１に固定されるとともにお互いの回路
が電気的に接続されている。基板１およびフレキシブル
基板２の対向面上にはそれぞれ、複数の電子部品４、４
…が、基板１およびフレキシブル基板２の内面と、電子
部品４、４…から構成される凹凸がそれぞれ互い違いに
なるように取り付けられている。
【０００９】上記のような構成とすることで、本来基板
１上に取り付けられていた電子部品４、４…をフレキシ
ブル基板２に移動させた分だけ基板１の面積を減少させ
ることができる。基板１に実装した電子部品４、４…
と、フレキシブル基板２に実装した電子部品４、４…
は、基板１およびフレキシブル基板２の内面と、電子部
品４、４…から構成される凹凸がそれぞれ互い違いにな
るように取り付けられているので、基板１とフレキシブ
ル基板２が厚み方向に併設されていても、全体の厚さは
それぞれの基板を単独で使用した場合と大きく変わるこ
とはない。
１上に取り付けられていた電子部品４、４…をフレキシ
ブル基板２に移動させた分だけ基板１の面積を減少させ
ることができる。基板１に実装した電子部品４、４…
と、フレキシブル基板２に実装した電子部品４、４…
は、基板１およびフレキシブル基板２の内面と、電子部
品４、４…から構成される凹凸がそれぞれ互い違いにな
るように取り付けられているので、基板１とフレキシブ
ル基板２が厚み方向に併設されていても、全体の厚さは
それぞれの基板を単独で使用した場合と大きく変わるこ
とはない。
【００１０】例えば、フレキシブル基板２に実装する電
子部品を電源装置関連のものでまとめることで、フレキ
シブル基板２上に電源装置を形成することができる。こ
の時、電源装置に使用するトランスまたはインダクタ
を、薄膜状の磁性体からなるものにすることで薄型の電
源装置を得ることができる。
子部品を電源装置関連のものでまとめることで、フレキ
シブル基板２上に電源装置を形成することができる。こ
の時、電源装置に使用するトランスまたはインダクタ
を、薄膜状の磁性体からなるものにすることで薄型の電
源装置を得ることができる。
【００１１】この薄膜状の磁性体は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ
のうちの１種または２種以上より選択された元素Ｔを主
体とする体心立方構造、面心立方構造もしくは両者が混
在した平均結晶粒径３０ｎｍ以下の結晶相と、それら結
晶相を取り囲むＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、
ＷとＹ、Ｃｅなどの希土類元素の１種または２種以上か
らなる元素Ｍ、Ｏ、もしくは元素Ｍの酸化物を主体とす
る非晶質相とからなっている。
のうちの１種または２種以上より選択された元素Ｔを主
体とする体心立方構造、面心立方構造もしくは両者が混
在した平均結晶粒径３０ｎｍ以下の結晶相と、それら結
晶相を取り囲むＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、
ＷとＹ、Ｃｅなどの希土類元素の１種または２種以上か
らなる元素Ｍ、Ｏ、もしくは元素Ｍの酸化物を主体とす
る非晶質相とからなっている。
【００１２】この薄膜状の磁性体において、ＣｏとＦｅ
とＮｉは磁性を担う元素である。特に高飽和磁束密度を
得るためには、ＣｏとＦｅの含有量は多いほど好ましい
が、ＣｏとＦｅの含有量を少なくし過ぎると飽和磁束密
度が小さくなってしまう。また、Ｃｏには一軸磁気異方
性を大きくする作用がある。Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｍｏ、Ｗと、希土類元素（すなわち、周期表の３
ａ族に属するＳｃ、Ｙ、あるいは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、
Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕなどのランタノイド）から選ばれ
る１種または２種以上の元素である元素Ｍは、軟磁気特
性と高抵抗を両立するために必要なものである。これら
は酸素と結合し易く、結合することで酸化物を形成す
る。この酸化物の含有量を調整することによって比抵抗
を高めることができる。一方、本願発明の組成範囲とす
るならば、高い比抵抗を得ることができ、比抵抗を高め
ることで渦電流損失を低減することができ、高周波透磁
率の低下を抑制でき、高周波特性を改善できるため、電
源の駆動周波数を高周波化することで小型化、薄型化が
可能になる。
とＮｉは磁性を担う元素である。特に高飽和磁束密度を
得るためには、ＣｏとＦｅの含有量は多いほど好ましい
が、ＣｏとＦｅの含有量を少なくし過ぎると飽和磁束密
度が小さくなってしまう。また、Ｃｏには一軸磁気異方
性を大きくする作用がある。Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｍｏ、Ｗと、希土類元素（すなわち、周期表の３
ａ族に属するＳｃ、Ｙ、あるいは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、
Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕなどのランタノイド）から選ばれ
る１種または２種以上の元素である元素Ｍは、軟磁気特
性と高抵抗を両立するために必要なものである。これら
は酸素と結合し易く、結合することで酸化物を形成す
る。この酸化物の含有量を調整することによって比抵抗
を高めることができる。一方、本願発明の組成範囲とす
るならば、高い比抵抗を得ることができ、比抵抗を高め
ることで渦電流損失を低減することができ、高周波透磁
率の低下を抑制でき、高周波特性を改善できるため、電
源の駆動周波数を高周波化することで小型化、薄型化が
可能になる。
【００１３】次に、元素Ｔ'（Ｐｄ、Ｍｎ、Ａｌから選
ばれた１種または２種以上の元素）は、Ｃｏの面心立方
構造（ｆｃｃ構造）を安定化する。元素Ｑ（Ｎ、Ｂ、Ｃ
から選ばれた１種または２種以上の元素）は、元素Ｍと
Ｏが結合した化合物のアモルファス形成能を高めるとい
う作用がある。良好な軟磁気特性を確保しつつ高い飽和
磁束密度を維持するためには、前記薄膜状の磁性体の組
成が、原子％で０≦Ｔ'≦３０、５≦Ｍ≦４０、０≦Ｏ
≦４０、０≦Ｑ≦４０の範囲にあり、残部はＴと不可避
不純物であることが好ましい。また、さらに、原子％で
１０≦Ｏ≦４０の範囲にあることがより好ましい。この
ような磁性膜は結晶の面内に一軸磁気異方性を有し、比
抵抗を２００μΩ・ｃｍ以上とすることができる。ま
た、前記薄膜状の磁性体の１００ＭＨｚにおける透磁率
の実数部（μ'）は１００以上となっている。
ばれた１種または２種以上の元素）は、Ｃｏの面心立方
構造（ｆｃｃ構造）を安定化する。元素Ｑ（Ｎ、Ｂ、Ｃ
から選ばれた１種または２種以上の元素）は、元素Ｍと
Ｏが結合した化合物のアモルファス形成能を高めるとい
う作用がある。良好な軟磁気特性を確保しつつ高い飽和
磁束密度を維持するためには、前記薄膜状の磁性体の組
成が、原子％で０≦Ｔ'≦３０、５≦Ｍ≦４０、０≦Ｏ
≦４０、０≦Ｑ≦４０の範囲にあり、残部はＴと不可避
不純物であることが好ましい。また、さらに、原子％で
１０≦Ｏ≦４０の範囲にあることがより好ましい。この
ような磁性膜は結晶の面内に一軸磁気異方性を有し、比
抵抗を２００μΩ・ｃｍ以上とすることができる。ま
た、前記薄膜状の磁性体の１００ＭＨｚにおける透磁率
の実数部（μ'）は１００以上となっている。
【００１４】前記磁性膜を作成するには、スパッタ、蒸
着など既存の薄膜形成技術を適宜使用すればよい。スパ
ッタ装置としてはＲＦ二極スパッタ、ＤＣスパッタ、マ
グネトロンスパッタ、三極スパッタ、イオンビームスパ
ッタ、対向ターゲット式スパッタなどの既存のものを使
用することができる。前記磁性膜中にＯ（酸素）を添加
する方法としては、Ａｒなどの不活性ガス中にＯ2ガス
を混合した（Ａｒ＋Ｏ2）混合ガス雰囲気中でスパッタ
を行なう反応性スパッタ、あるいは、元素Ｍの酸化物
（ＨｆＯ2など）のチップを用いた複合ターゲットをＡ
ｒ雰囲気中、あるいはＡｒ＋Ｏ2混合ガス雰囲気中でス
パッタする方法が有効である。また、Ｃｏのターゲット
上に希土類元素などの元素Ｍあるいは元素Ｔなどの各種
ペレットを配置した複合ターゲットを用いて、Ａｒ＋Ｏ
2混合ガス雰囲気中で製作することもできる。
着など既存の薄膜形成技術を適宜使用すればよい。スパ
ッタ装置としてはＲＦ二極スパッタ、ＤＣスパッタ、マ
グネトロンスパッタ、三極スパッタ、イオンビームスパ
ッタ、対向ターゲット式スパッタなどの既存のものを使
用することができる。前記磁性膜中にＯ（酸素）を添加
する方法としては、Ａｒなどの不活性ガス中にＯ2ガス
を混合した（Ａｒ＋Ｏ2）混合ガス雰囲気中でスパッタ
を行なう反応性スパッタ、あるいは、元素Ｍの酸化物
（ＨｆＯ2など）のチップを用いた複合ターゲットをＡ
ｒ雰囲気中、あるいはＡｒ＋Ｏ2混合ガス雰囲気中でス
パッタする方法が有効である。また、Ｃｏのターゲット
上に希土類元素などの元素Ｍあるいは元素Ｔなどの各種
ペレットを配置した複合ターゲットを用いて、Ａｒ＋Ｏ
2混合ガス雰囲気中で製作することもできる。
【００１５】上述の実施の形態においては、ソリッドな
基板とフレキシブルな基板を１枚ずつ用いたが、本願は
これに限るものではなく、ソリッドな基板２枚を用いて
も、フレキシブルな基板２枚を用いてもよい。図３は、
本発明の実施形態の他の一例を示す断面図であり、図中
符号１１は下部基板、符号１２は上部基板、符号１３は
フレキシブル基板、符号１４は接続部、符号１５は電子
部品である。本実施の形態においては、下部基板１１お
よび上部基板１２は、その厚み方向に併設されており、
フレキシブル基板１３はその両端が曲げられ、接続部１
４、１４において下部基板１１および上部基板１２に固
定されるとともに、下部基板１１および上部基板１２の
回路を電気的に接続する役割を果たす。下部基板１１お
よび上部基板１２の対向面上にはそれぞれ、複数の電子
部品１５、１５…が、下部基板１１および上部基板１２
の内面と、電子部品１５、１５…から構成される凹凸が
それぞれ互い違いになるように取り付けられている。
基板とフレキシブルな基板を１枚ずつ用いたが、本願は
これに限るものではなく、ソリッドな基板２枚を用いて
も、フレキシブルな基板２枚を用いてもよい。図３は、
本発明の実施形態の他の一例を示す断面図であり、図中
符号１１は下部基板、符号１２は上部基板、符号１３は
フレキシブル基板、符号１４は接続部、符号１５は電子
部品である。本実施の形態においては、下部基板１１お
よび上部基板１２は、その厚み方向に併設されており、
フレキシブル基板１３はその両端が曲げられ、接続部１
４、１４において下部基板１１および上部基板１２に固
定されるとともに、下部基板１１および上部基板１２の
回路を電気的に接続する役割を果たす。下部基板１１お
よび上部基板１２の対向面上にはそれぞれ、複数の電子
部品１５、１５…が、下部基板１１および上部基板１２
の内面と、電子部品１５、１５…から構成される凹凸が
それぞれ互い違いになるように取り付けられている。
【００１６】上記のような構成とすることで、本来下部
基板１１上に取り付けられていた電子部品１５、１５…
を上部基板１２に移動させた分だけ下部基板１１の面積
を減少させることができる。下部基板１１に実装した電
子部品１５、１５…と、上部基板１２に実装した電子部
品１５、１５…は、下部基板１１および上部基板１２の
内面と、電子部品１５、１５…から構成される凹凸がそ
れぞれ互い違いになるように取り付けられているので、
下部基板１１と上部基板１２が厚み方向に併設されてい
ても、全体の厚さはそれぞれの基板を単独で使用した場
合と大きく変わることはない。
基板１１上に取り付けられていた電子部品１５、１５…
を上部基板１２に移動させた分だけ下部基板１１の面積
を減少させることができる。下部基板１１に実装した電
子部品１５、１５…と、上部基板１２に実装した電子部
品１５、１５…は、下部基板１１および上部基板１２の
内面と、電子部品１５、１５…から構成される凹凸がそ
れぞれ互い違いになるように取り付けられているので、
下部基板１１と上部基板１２が厚み方向に併設されてい
ても、全体の厚さはそれぞれの基板を単独で使用した場
合と大きく変わることはない。
【００１７】例えば、上部基板１２に実装する電子部品
を電源装置関連のものでまとめることで、上部基板１２
上に電源装置を形成することができる。この時、電源装
置に使用するトランスまたはインダクタを、薄膜状の磁
性体、特に前述した組成式で示された磁性膜とすること
で、さらに薄型の電源装置を得ることができる。
を電源装置関連のものでまとめることで、上部基板１２
上に電源装置を形成することができる。この時、電源装
置に使用するトランスまたはインダクタを、薄膜状の磁
性体、特に前述した組成式で示された磁性膜とすること
で、さらに薄型の電源装置を得ることができる。
【００１８】次に、前記薄膜状の磁性体を有するインダ
クタもしくはトランスについて説明する。図４（ａ）、
（ｂ）は、前記薄膜状の磁性体を用いて作製されたイン
ダクタ（平面型磁気素子）の構造例を示すものであり、
図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ
線断面図である。この例のインダクタにおいては、前記
フレキシブル基板２上に取り出し電極３１を形成する。
この取り出し電極３１は基板用配線を兼ねている。酸化
膜３２と磁性膜３３と絶縁膜３４が順次積層され、絶縁
膜３４上にスパイラルコイル状の平面コイル３５が形成
される。平面コイル３５の中心部は、酸化膜３２と磁性
膜３３と絶縁膜３４に開けられたスルーホールにより取
り出し電極３１と接続されている。さらに平面コイル３
５を覆って絶縁膜３６が形成され、絶縁膜３６上に磁性
膜３７が形成されている。平面コイル３５の端からは取
り出し電極３８がフレキシブル基板２上に延びている。
前記取り出し電極３８も基板用配線を兼ねている。
クタもしくはトランスについて説明する。図４（ａ）、
（ｂ）は、前記薄膜状の磁性体を用いて作製されたイン
ダクタ（平面型磁気素子）の構造例を示すものであり、
図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ
線断面図である。この例のインダクタにおいては、前記
フレキシブル基板２上に取り出し電極３１を形成する。
この取り出し電極３１は基板用配線を兼ねている。酸化
膜３２と磁性膜３３と絶縁膜３４が順次積層され、絶縁
膜３４上にスパイラルコイル状の平面コイル３５が形成
される。平面コイル３５の中心部は、酸化膜３２と磁性
膜３３と絶縁膜３４に開けられたスルーホールにより取
り出し電極３１と接続されている。さらに平面コイル３
５を覆って絶縁膜３６が形成され、絶縁膜３６上に磁性
膜３７が形成されている。平面コイル３５の端からは取
り出し電極３８がフレキシブル基板２上に延びている。
前記取り出し電極３８も基板用配線を兼ねている。
【００１９】平面コイル３５は、銅、銀、金、アルミニ
ウムあるいはこれらの合金などの良導電性金属材料から
なり、インダクタンス、直流重畳特性、サイズなどに応
じて、電気的に直列に、縦にあるいは横に絶縁膜を介し
て適宜配置することができる。また、平面コイル３５を
並列的に複数設けることでトランスを構成できる。さら
に、平面コイル３５は、導電層を基板上に形成後、フォ
トエッチングすることにより各種の形状に作成できる。
導電層の製膜方法としては、プレス圧着、メッキ、金属
溶射、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティン
グ、スクリーン印刷焼成法などの適宜の方法を用いれば
良い。
ウムあるいはこれらの合金などの良導電性金属材料から
なり、インダクタンス、直流重畳特性、サイズなどに応
じて、電気的に直列に、縦にあるいは横に絶縁膜を介し
て適宜配置することができる。また、平面コイル３５を
並列的に複数設けることでトランスを構成できる。さら
に、平面コイル３５は、導電層を基板上に形成後、フォ
トエッチングすることにより各種の形状に作成できる。
導電層の製膜方法としては、プレス圧着、メッキ、金属
溶射、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティン
グ、スクリーン印刷焼成法などの適宜の方法を用いれば
良い。
【００２０】絶縁膜３４、３６は、平面コイル３５への
通電時において、磁性膜３３、３７と導通してショート
することを防止するために設けられている。絶縁膜３
４、３６は、ポリイミドなどの高分子フィルム、ＳｉＯ
2、ガラス、硬質炭素膜などの無機質膜からなるものを
用いることが好ましい。この絶縁膜３４、３６は、ペー
スト印刷またはスピンコート後に焼成する方法、溶融メ
ッキ法、溶射、気相メッキ、真空蒸着、スパッタリン
グ、イオンプレーティングなどの方法により形成され
る。磁性膜３３、３７は、前述の薄膜状の磁性体から構
成されている。前記の如く構成されたインダクタは、小
型かつ薄型で軽量であり、優れた磁気特性を有する磁性
膜３３、３７を有しているので、平面型磁気素子の小型
軽量化に寄与するとともに、優れたインダクタンスを示
す。
通電時において、磁性膜３３、３７と導通してショート
することを防止するために設けられている。絶縁膜３
４、３６は、ポリイミドなどの高分子フィルム、ＳｉＯ
2、ガラス、硬質炭素膜などの無機質膜からなるものを
用いることが好ましい。この絶縁膜３４、３６は、ペー
スト印刷またはスピンコート後に焼成する方法、溶融メ
ッキ法、溶射、気相メッキ、真空蒸着、スパッタリン
グ、イオンプレーティングなどの方法により形成され
る。磁性膜３３、３７は、前述の薄膜状の磁性体から構
成されている。前記の如く構成されたインダクタは、小
型かつ薄型で軽量であり、優れた磁気特性を有する磁性
膜３３、３７を有しているので、平面型磁気素子の小型
軽量化に寄与するとともに、優れたインダクタンスを示
す。
【００２１】図５（ａ）、（ｂ）は、前記組成の軟磁性
合金の磁性膜を用いて構成されたトランスの構造例を示
すものであり、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は図５
（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。トランスではコイルが
２層構造になっており、それぞれ必要なターン数形成さ
れている。トランスは、平面コイルトランスにおいては
取り出し電極が４１、４７、５０、５２と４カ所あり、
それぞれ基板用配線を兼ねている。
合金の磁性膜を用いて構成されたトランスの構造例を示
すものであり、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は図５
（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。トランスではコイルが
２層構造になっており、それぞれ必要なターン数形成さ
れている。トランスは、平面コイルトランスにおいては
取り出し電極が４１、４７、５０、５２と４カ所あり、
それぞれ基板用配線を兼ねている。
【００２２】基板４０は先の例のフレキシブル基板２と
同等の材料からなり、磁性膜４３、５１は先の例の磁性
膜３３、３７と同等の材料からなり、絶縁膜４４、４
５、４８は先の例の絶縁膜３４、３６と同等の材料から
なる。また、１次コイル４６と２次コイル４９は、銅、
銀、金、アルミニウムあるいはこれらの合金などの良導
電性金属材料からなり、インダクタの平面コイル３５と
同様、適宜形成される。酸化膜４２は、基板４０に例え
ばＳｉウェハの基板を用いた場合に、Ｓｉウェハを加熱
して熱酸化することにより形成できる。ただし、この酸
化膜４２は必須のものではなく、省略しても差し支えな
い。この例の構成のトランスにおいても、先に説明した
例のインダクタと同様に優れたインダクタンスを示し、
損失が少なく、小型かつ軽量であり、平面型磁気素子の
小型軽量化に寄与する。
同等の材料からなり、磁性膜４３、５１は先の例の磁性
膜３３、３７と同等の材料からなり、絶縁膜４４、４
５、４８は先の例の絶縁膜３４、３６と同等の材料から
なる。また、１次コイル４６と２次コイル４９は、銅、
銀、金、アルミニウムあるいはこれらの合金などの良導
電性金属材料からなり、インダクタの平面コイル３５と
同様、適宜形成される。酸化膜４２は、基板４０に例え
ばＳｉウェハの基板を用いた場合に、Ｓｉウェハを加熱
して熱酸化することにより形成できる。ただし、この酸
化膜４２は必須のものではなく、省略しても差し支えな
い。この例の構成のトランスにおいても、先に説明した
例のインダクタと同様に優れたインダクタンスを示し、
損失が少なく、小型かつ軽量であり、平面型磁気素子の
小型軽量化に寄与する。
【００２３】本実施の形態においては、基板１とフレキ
シブル基板２は、その厚み方向に併設されており、フレ
キシブル基板２はその一端が曲げられ、接続部３におい
て基板１に固定されるとともにお互いの回路が電気的に
接続され、基板１およびフレキシブル基板２の対向面上
にはそれぞれ、複数の電子部品４、４…が実装されてい
ることで、本来基板１上に取り付けられていた電子部品
４、４…をフレキシブル基板２に移動させた分だけ基板
１の面積を減少させることができる。基板１に実装した
電子部品４、４…と、フレキシブル基板２に実装した電
子部品４、４…は、基板１およびフレキシブル基板２の
内面と、電子部品４、４…から構成される凹凸がそれぞ
れ互い違いになるように取り付けられているので、基板
１とフレキシブル基板２が厚み方向に併設されていて
も、全体の厚さはそれぞれの基板を単独で使用した場合
と大きく変わることはない。
シブル基板２は、その厚み方向に併設されており、フレ
キシブル基板２はその一端が曲げられ、接続部３におい
て基板１に固定されるとともにお互いの回路が電気的に
接続され、基板１およびフレキシブル基板２の対向面上
にはそれぞれ、複数の電子部品４、４…が実装されてい
ることで、本来基板１上に取り付けられていた電子部品
４、４…をフレキシブル基板２に移動させた分だけ基板
１の面積を減少させることができる。基板１に実装した
電子部品４、４…と、フレキシブル基板２に実装した電
子部品４、４…は、基板１およびフレキシブル基板２の
内面と、電子部品４、４…から構成される凹凸がそれぞ
れ互い違いになるように取り付けられているので、基板
１とフレキシブル基板２が厚み方向に併設されていて
も、全体の厚さはそれぞれの基板を単独で使用した場合
と大きく変わることはない。
【００２４】また、フレキシブル基板２に実装する電子
部品を電源装置関連のものでまとめることで、フレキシ
ブル基板２上に電源装置を形成することができる。この
時、電源装置に使用するトランスまたはインダクタを、
薄膜状の磁性体、特に前述した組成式で示された磁性膜
とすることでさらに薄型の電源装置を得ることができ
る。さらに、電源装置をフレキシブル基板２上にまとめ
ることで、もし電源装置に不具合が生じた場合はフレキ
シブル基板２だけを交換することも可能となる。
部品を電源装置関連のものでまとめることで、フレキシ
ブル基板２上に電源装置を形成することができる。この
時、電源装置に使用するトランスまたはインダクタを、
薄膜状の磁性体、特に前述した組成式で示された磁性膜
とすることでさらに薄型の電源装置を得ることができ
る。さらに、電源装置をフレキシブル基板２上にまとめ
ることで、もし電源装置に不具合が生じた場合はフレキ
シブル基板２だけを交換することも可能となる。
【００２５】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。ま
た、本実施の形態で用いた具体的な数値、各工程の具体
的な処理方法や処理条件に関しては適宜変更が可能であ
る。
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。ま
た、本実施の形態で用いた具体的な数値、各工程の具体
的な処理方法や処理条件に関しては適宜変更が可能であ
る。
【００２６】
【発明の効果】上述のごとく、本発明に係る回路基板
は、２枚の回路基板がその厚み方向に併設されるととも
に機械的、電気的に接続されており、この２枚の回路基
板のそれぞれの内面側に複数の電子部品が実装されてい
るものであって、基板を２枚に分割することで、１枚の
回路基板の面積を減少させることができる。前記２枚の
回路基板のそれぞれの内面側に実装した複数の電子部品
は、前記２枚の回路基板の内面と、複数の電子部品から
構成される凹凸がそれぞれ互い違いになるように取り付
けられているので、２枚の回路基板が厚み方向に併設さ
れていても、全体の厚さはそれぞれの基板を単独で使用
した場合と大きく変わることはない。
は、２枚の回路基板がその厚み方向に併設されるととも
に機械的、電気的に接続されており、この２枚の回路基
板のそれぞれの内面側に複数の電子部品が実装されてい
るものであって、基板を２枚に分割することで、１枚の
回路基板の面積を減少させることができる。前記２枚の
回路基板のそれぞれの内面側に実装した複数の電子部品
は、前記２枚の回路基板の内面と、複数の電子部品から
構成される凹凸がそれぞれ互い違いになるように取り付
けられているので、２枚の回路基板が厚み方向に併設さ
れていても、全体の厚さはそれぞれの基板を単独で使用
した場合と大きく変わることはない。
【００２７】また、回路基板のどちらか１枚に実装する
電子部品を電源装置関連のものでまとめることで、回路
基板上に電源装置を形成することができる。この時、電
源装置に使用するトランスまたはインダクタを、薄膜状
の磁性体からなるものにすることで薄型の電源装置を得
ることができる。さらに、電源装置を１枚の回路基板上
にまとめることで、もし電源装置に不具合が生じた場合
はその回路基板だけを交換することも可能となる。
電子部品を電源装置関連のものでまとめることで、回路
基板上に電源装置を形成することができる。この時、電
源装置に使用するトランスまたはインダクタを、薄膜状
の磁性体からなるものにすることで薄型の電源装置を得
ることができる。さらに、電源装置を１枚の回路基板上
にまとめることで、もし電源装置に不具合が生じた場合
はその回路基板だけを交換することも可能となる。
【図１】 本発明の実施形態の一例を示す斜視図であ
る。
る。
【図２】 本発明の実施形態の一例を示す断面図であ
る。
る。
【図３】 本発明の実施形態の他の一例を示す断面図で
ある。
ある。
【図４】 薄膜状の磁性体を用いて作成されたインダク
タ（平面型磁気素子）の構造例を示すものであり、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図であ
る。
タ（平面型磁気素子）の構造例を示すものであり、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図であ
る。
【図５】 薄膜状の磁性体を用いて構成されたトランス
の構造例を示すものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
の構造例を示すものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図６】 従来の電源装置の一例を示す斜視図である。
１…基板、２…フレキシブル基板、３…接続部、４…電
子部品、１１…下部基板、１２…上部基板、１３…フレ
キシブル基板、１４…接続部、１５…電子部品、３１…
基板、３２…酸化膜、３３、３７…磁性膜、３４、３６
…絶縁膜、３５…平面コイル、３８…取り出し電極、４
０…基板、４１、４７、５０、５２…取り出し電極、４
２…酸化膜、４３、５１…磁性膜、４４、４５、４８…
絶縁膜、４６…１次コイル、４９…２次コイル
子部品、１１…下部基板、１２…上部基板、１３…フレ
キシブル基板、１４…接続部、１５…電子部品、３１…
基板、３２…酸化膜、３３、３７…磁性膜、３４、３６
…絶縁膜、３５…平面コイル、３８…取り出し電極、４
０…基板、４１、４７、５０、５２…取り出し電極、４
２…酸化膜、４３、５１…磁性膜、４４、４５、４８…
絶縁膜、４６…１次コイル、４９…２次コイル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 牧野 彰宏 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】 ２枚の回路基板がその厚み方向に併設さ
れるとともに機械的、電気的に接続されており、前記２
枚の回路基板のそれぞれの内面側には複数の電子部品が
実装され、前記２枚の回路基板の内面と前記複数の電子
部品から構成される凹凸が前記２枚の回路基板でそれぞ
れ互い違いになるように前記複数の電子部品が回路基板
に配設されていることを特徴とする回路基板。 - 【請求項２】 前記回路基板の１枚がフィルム状のフレ
キシブル基板であることを特徴とする請求項１記載の回
路基板。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の回路基板上に、
電子部品として薄膜状の磁性体を有するトランスもしく
はインダクタが形成されていることを特徴とする薄型電
源装置。 - 【請求項４】 前記薄膜状の磁性体は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎ
ｉのうちの１種または２種以上より選択された元素Ｔを
主体とする体心立方構造、面心立方構造もしくは両者が
混在した平均結晶粒径３０ｎｍ以下の結晶相と、それら
結晶相を取り囲むＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍ
ｏ、ＷとＹ、Ｃｅなどの希土類元素の１種または２種以
上からなる元素Ｍ、Ｏ、もしくは元素Ｍの酸化物を主体
とする非晶質相とからなることを特徴とする請求項３記
載の薄型電源装置。 - 【請求項５】 前記薄膜状の磁性体の結晶相にＰｄ、Ｍ
ｎ、Ａｌより選ばれる１種または２種以上の元素Ｔ'を
含むことを特徴とする請求項４記載の薄型電源装置。 - 【請求項６】 前記薄膜状の磁性体の非結晶相にＮ、
Ｂ、Ｃより選ばれる１種または２種以上の元素Ｑを含む
ことを特徴とする請求項４または５記載の薄型電源装
置。 - 【請求項７】 前記薄膜状の磁性体の比抵抗は２００μ
Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする請求項３ないし６
のいずれか一項に記載の薄型電源装置。 - 【請求項８】 前記薄膜状の磁性体の１００ＭＨｚにお
ける透磁率の実数部（μ'）は１００以上であることを
特徴とする請求項３ないし７のいずれか一項に記載の薄
型電源装置。 - 【請求項９】 前記薄膜状の磁性体は下記組成式により
表されることを特徴とする請求項３ないし８のいずれか
一項に記載の薄型電源装置。 ＴxＴ'yＭzＯwＱt ただし、組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｗ、ｔは原子％で０
≦ｙ≦３０、５≦ｚ≦４０、０≦ｗ≦４０、０≦ｔ≦４
０の関係を満足し、残部はｘと不可避不純物である。 - 【請求項１０】 前記ｗは原子％で１０≦ｗ≦４０であ
ることを特徴とする請求項９記載の薄型電源装置。 - 【請求項１１】 前記薄膜状の磁性体を有するトランス
もしくはインダクタは、基板上にスパイラル状の平面コ
イルと絶縁膜と薄膜状の磁性体が積層されてなることを
特徴とする請求項３記載の薄型電源装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24316097A JPH1187871A (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | 回路基板と薄型電源装置 |
| TW87113729A TW397997B (en) | 1997-09-08 | 1998-08-20 | Circuit board and the thin power device |
| KR1019980036752A KR19990029592A (ko) | 1997-09-08 | 1998-09-07 | 회로기판과 박형 전원장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24316097A JPH1187871A (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | 回路基板と薄型電源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187871A true JPH1187871A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=17099707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24316097A Withdrawn JPH1187871A (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | 回路基板と薄型電源装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1187871A (ja) |
| KR (1) | KR19990029592A (ja) |
| TW (1) | TW397997B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008501247A (ja) * | 2004-06-30 | 2008-01-17 | インテル・コーポレーション | 電気−光相互接続のための装置 |
| JP2019009214A (ja) * | 2017-06-22 | 2019-01-17 | カシオ計算機株式会社 | 電子機器 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5998110B2 (ja) * | 2013-08-02 | 2016-09-28 | Ckd株式会社 | 電磁コイル、電磁コイルの製造方法、及び電磁アクチュエータ |
| JP6360288B2 (ja) | 2013-09-04 | 2018-07-18 | Ckd株式会社 | 電磁コイルの冷却構造、及び電磁アクチュエータ |
| JP6352791B2 (ja) | 2014-12-11 | 2018-07-04 | Ckd株式会社 | コイル用シート、コイル、及びコイルの製造方法 |
| JP6247629B2 (ja) | 2014-12-11 | 2017-12-13 | Ckd株式会社 | コイル用シートの製造方法、及びコイルの製造方法 |
-
1997
- 1997-09-08 JP JP24316097A patent/JPH1187871A/ja not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-08-20 TW TW87113729A patent/TW397997B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-09-07 KR KR1019980036752A patent/KR19990029592A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008501247A (ja) * | 2004-06-30 | 2008-01-17 | インテル・コーポレーション | 電気−光相互接続のための装置 |
| JP2019009214A (ja) * | 2017-06-22 | 2019-01-17 | カシオ計算機株式会社 | 電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990029592A (ko) | 1999-04-26 |
| TW397997B (en) | 2000-07-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041207 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20051110 |
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| A072 | Dismissal of procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072 Effective date: 20060207 |