JP2000114047A - 薄膜トランス及び薄膜トランスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型で実装密度を高くすることが可能であ
り、特性も良好な薄膜トランスを提供する。 【解決手段】 基体２の外面に４つの電極４、５、６、
７が取り付けられ、基体２の内部に２つの渦巻き状のコ
イル８、９が互いに離間かつ対向するように設けられ、
基体２の内部の２つのコイル８、９の各々の外側に２つ
の軟磁性膜１０、１１が２つのコイル８、９とそれぞれ
離間かつ対向するように設けられ、基体２の内部にの２
つのコイル８、９の各両端８ａ、８ｂ、９ａ、９ｂと４
つの電極４、５、６、７とをそれぞれ接続する導体１
２、１３、１４、１５が設けられてなることを特徴とす
る薄膜トランス１を採用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランス及び
その製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化、軽量化の要請
に対応するために、回路素子の小型化、回路基板に対す
る各種回路素子の実装密度の高密度化が進められてい
る。例えば、チップ型と呼ばれる抵抗またはコンデンサ
は、外部電極と抵抗素子またはコンデンサ素子とが直接
接続されてなるものであり、外部電極が回路基板上に直
接半田付けされて実装されるので、回路素子１個当たり
の実装面積を小さくして実装密度を高めることが可能で
ある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】一方、磁気素子の分野
においては、薄膜トランスの開発が精力的に進められて
おり、抵抗等と同様に磁気素子自体の小型化、軽量化が
進められている。そこで、従来の例として、特開平６−
１３２４９号公報に記載されている薄膜トランスを図９
０を参照して説明する。

【０００４】図９０に示す薄膜トランスは、基板１０上
に絶縁層１２ａ、１２ｂ、下部磁性層１４、絶縁層１２
ｃ、下部導体１５ａ、絶縁層１２ｄ、中心部磁性層１
６、絶縁層１２ｅ、上部導体１７ａ、絶縁層１２ｆを順
次積層し、更に絶縁層１２ｆに上部磁性層１８を積層し
て得られるものである。

【０００５】しかし、上述の薄膜トランスは、多数の絶
縁層を積層する過程で、次第に絶縁層の平坦性が損なわ
れるので、上部磁性層１８の平坦性も平坦性が損なわれ
て上部磁性層１８の軟磁気特性が低下し、薄膜トランス
の特性が低下するという課題があった。

【０００６】また、薄膜トランスの小型化の要請に伴
い、薄膜トランスに用いる軟磁性膜として数１００ＭＨ
ｚ以上の周波数における透磁率が高い軟磁性膜が求めら
れている。透磁率を高めるには軟磁性膜の渦電流損失の
抑制が有効であり、具体的には軟磁性膜の薄膜化、高比
抵抗化といった手段が有効である。しかし、軟磁性膜の
軟磁気特性を保ちつつ比抵抗を高くすることは困難であ
り、また、軟磁性膜を薄くすると磁歪の影響が大きくな
って良好な軟磁気特性を得ることが困難となり、特性が
良好な薄膜トランスを得ることができないという課題が
あった。

【０００７】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、小型で実装密度を高くすることが
可能であり、特性が良好な薄膜トランスを提供し、小型
で特性が良好な薄膜トランスの製造方法を提供すること
を目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明の薄膜ト
ランスは、基体の外面に４つの電極が取り付けられ、該
基体の内部に２つの渦巻き状のコイルが互いに離間かつ
対向するように設けられ、前記基体の内部の前記２つの
コイルの各々の外側に２つの軟磁性膜が前記２つのコイ
ルとそれぞれ離間かつ対向するように設けられ、前記基
体の内部に前記の２つのコイルの各両端と前記の４つの
電極とをそれぞれ接続する導体が設けられてなることを
特徴とする。また、本発明の薄膜トランスは、先に記載
の薄膜トランスであって、前記基体は、基板に複数の絶
縁層と接着層が積層されてなり、前記複数の絶縁層が、
前記２つのコイルと前記２つの軟磁性膜の間及び前記２
つのコイル同士の間にそれぞれ配置されて、前記２つの
コイル及び前記２つの軟磁性膜をそれぞれ離間し、かつ
前記接着層が前記２つの軟磁性膜の間に配置されるよう
に構成されたことを特徴とする。

【０００９】本発明の薄膜トランスは、先に記載の薄膜
トランスであって、前記２つの軟磁性膜のいずれか一方
が前記基板上に形成されたことを特徴とする。また、本
発明の薄膜トランスは、先に記載の薄膜トランスであっ
て、前記基体は、２つの基板に複数の絶縁層と接着層と
が挟まれてなり、前記２つの軟磁性膜が前記絶縁層を介
して前記２つの基板上に各々形成されるとともに、前記
複数の絶縁層が、前記２つのコイルと前記２つの軟磁性
膜の間及び前記２つのコイル同士の間にそれぞれ配置さ
れて、前記２つのコイル及び前記２つの軟磁性膜をそれ
ぞれ離間し、かつ前記接着層が前記２つの軟磁性膜の間
に配置されるように構成されたことを特徴とする。

【００１０】本発明の薄膜トランスは、先に記載の薄膜
トランスであって、前記４つの電極が前記基体の一面に
取り付けられたことを特徴とする。また、本発明の薄膜
トランスは、先に記載の薄膜トランスであって、前記４
つの電極が前記基体の少なくとも１以上の側壁面に取り
付けられたことを特徴とする。更に、本発明の薄膜トラ
ンスは、先に記載の薄膜トランスであって、前記４つの
電極が前記基体の一面から側壁面に向けて延在するよう
に取り付けられたことを特徴とする。この場合、電極
は、基体の一面に露出する接続導体の先端に接続されて
いることが好ましい。更にまた、本発明の薄膜トランス
は、先に記載の薄膜トランスであって、前記４つの電極
にバンプメッキが形成されたことを特徴とする。

【００１１】前記２つの軟磁性膜は、微細結晶質相と非
晶質相とが混在した組織を有する合金であり、前記微細
結晶質相は、平均結晶粒径が３０ｎｍ以下のｂｃｃ構
造、ｈｃｐ構造、ｆｃｃ構造のうちの１種または２種以
上の混成構造から構成されてＦｅ若しくはＣｏを主体と
してなり、前記非晶質相は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｇａ、
Ｇｅ及び希土類元素のうちの少なくとも１種または２種
以上からなる元素Ｍ及び酸素を主体としてなることを特
徴とする。

【００１２】また、前記２つの軟磁性膜は、下記の組成
式で表されるものであることを特徴とする。 （Ｆｅ_1-aＣｏ_a）_100-y-z-wＭ_yＬ_zＯ_w 但しＭは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｇａ、Ｇｅ及び希土類元
素のうちの少なくとも１種または２種以上の元素を表
し、Ｌは、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｓ
ｎ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうちの少なくとも１種ま
たは２種以上の元素を表し、Ｏは酸素を表し、組成比を
示すａ、ｙ、ｚ、ｗは、０≦ａ≦０．５、５原子％≦ｙ
≦３０原子％、０原子％≦ｚ≦２０原子％、５原子％≦
ｙ＋ｚ≦４０原子％、１０原子％≦ｗ≦４０原子％であ
る。

【００１３】また、前記組成比を示すａ、ｙ、ｚ、ｗ
は、０≦ａ≦０．３、７原子％≦ｙ≦１５原子％、０原
子％≦ｚ≦５原子％、２０原子％≦ｗ≦３５原子％であ
るとより好ましい。また、前記元素Ｍは、Ｚｒ、Ｈｆの
うちの１種または２種であることがより好ましい。更
に、組成比を示すａが０であり、ｚが０原子％であると
より好ましい。

【００１４】また、前記軟磁性膜は、下記の組成式で表
されるものであっても良い。 （Ｃｏ_1-cＴ_c）_100-x-v-uＥ_xＧ_vＯ_u 但しＴは、Ｆｅ、Ｎｉのうちのいずれか一方または両方
を含む元素であり、Ｅは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｇａ、
Ｇｅ及び希土類元素のうちの少なくとも１種または２種
以上の元素を表し、Ｇは、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉ
ｒ、Ｏｓ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうちの少なくとも１種ま
たは２種以上の元素を表し、Ｏは酸素を表し、組成比を
示すｃ、ｘ、ｖ、ｕは、０≦ｃ≦０．７、３原子％≦ｘ
≦３０原子％、７原子％≦ｕ≦４０原子％、０原子％≦
ｖ≦２０原子％、２０原子％≦ｘ＋ｕ＋ｖ≦６０原子％
である。

【００１５】また、前記組成比を示すｃ、ｘ、ｖ、ｕ
は、０≦ｃ≦０．３、７原子％≦ｘ≦１５原子％、２０
原子％≦ｕ≦３５原子％、０原子％≦ｖ≦１９原子％、
５０原子％≦ｖ≦７０原子％であるとより好ましい。ま
た、前記元素Ｔは、Ｆｅであることがより好ましい。元
素ＴがＦｅである場合、０．２≦ｃ≦０．７であるとよ
り好ましい。更に、前記軟磁性膜を構成する元素とし
て、Ｏの代わりにＮが、あるいはＯと共にＮが含有され
るとより好ましい。前記軟磁性膜の比抵抗は、１０００
〜３０００μΩ・ｃｍであることが好ましい。

【００１６】前記下地層は、Ｓｉ、ＳｉＯ₂、Ａｌ
₂Ｏ₃、Ｓｉ₃Ｎ₄のうちの少なくとも１種または２種以上
からなることが好ましい。また、前記下地層は、前記軟
磁性膜がＦｅを主体としてなる場合には、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｓ
ｉ₃Ｎ₄のうちの１種または２種からなることが好まし
い。更に、前記下地層は、前記軟磁性膜がＣｏを主体と
してなる場合には、Ｓｉ、ＳｉＯ₂のうちの１種または
２種からなることが好ましい。

【００１７】本発明の薄膜トランスは、前記軟磁性膜あ
るいは前記絶縁膜が形成される前記基板の少なくとも上
面が、絶縁材料からなることを特徴とする。また、本発
明の薄膜トランスは、前記基板が絶縁材料からなること
を特徴とする。前記絶縁材料は、ポリイミド系樹脂また
はノボラック系樹脂あるいはガラスであることが好まし
い。

【００１８】本発明の薄膜トランスの製造方法は、基体
の外面に４つの電極が取り付けられ、該基体の内部に２
つの渦巻き状のコイルと２つの軟磁性膜とが設けられ、
かつ前記の２つのコイルの各両端と前記４つの電極とを
それぞれ接続する導体が設けられてなる薄膜トランスを
製造する際に、仮基板に少なくとも軟磁性膜と下部絶縁
層と渦巻き状の上部コイルと上部絶縁層を積層して上層
部品を形成し、基板に少なくとも軟磁性膜と下部絶縁層
と渦巻き状の下部コイルと上部絶縁層を積層して下層部
品を形成し、前記上層部品の上部絶縁層及び／または前
記下層部品の上部絶縁層に接着層を積層し、該接着層を
介して前記の各上部絶縁層が向き合うようにして前記上
層部品と前記下層部品とを接合し、前記仮基板を除去す
ることを特徴とする。また、本発明の薄膜トランスの製
造方法は、先に記載の薄膜トランスの製造方法であっ
て、前記下層部品に前記上部絶縁層を貫通して前記下部
コイルの両端を露出させる２つの第２連通孔を設け、前
記上層部品に前記上部絶縁層及び前記下部絶縁層を貫通
して前記仮基板を露出させる２つの第１連通孔を設け、
前記２つの第１連通孔と前記２つの第２連通孔とをそれ
ぞれ連通させるように前記上層部品と前記下層部品を接
合し、前記仮基板を除去し、前記第１連通孔と前記第２
連通孔が連通して形成された２つの孔に前記下部コイル
の両端とそれぞれ接続する２つの下部導体を形成し、該
２つの下部導体に２つの前記電極をそれぞれ取り付ける
ことを特徴とする。

【００１９】本発明の薄膜トランスの製造方法は、先に
記載の薄膜トランスの製造方法であって、前記下部コイ
ルの一端に接続導体を取り付け、前記下層部品に前記上
部絶縁層を貫通して前記下部コイルの他端及び前記接続
導体の一端を露出させる２つの第２連通孔を設け、前記
上層部品に前記上部絶縁層及び前記下部絶縁層を貫通し
て前記仮基板を露出させる２つの第１連通孔を設け、前
記２つの第１連通孔と前記２つの第２連通孔とをそれぞ
れ連通させるように前記上層部品と前記下層部品を接合
し、前記仮基板を除去し、前記第１連通孔と前記第２連
通孔が連通して形成された２つの孔に前記下部コイルの
他端及び前記接続導体の一端とそれぞれ接続する２つの
下部導体を形成し、該２つの下部導体に２つの前記電極
をそれぞれ取り付けることを特徴とする。また、本発明
の薄膜トランスの製造方法は、先に記載の薄膜トランス
の製造方法であって、前記上層部品の前記下部絶縁層に
前記仮基板を露出させる２つの孔を設け、該２つの孔に
それぞれ上部導体を形成し、前記２つの上部導体に前記
上部コイルの両端がそれぞれ接続するように前記上部コ
イルを形成し、前記仮基板を除去し、前記２つの上部導
体に２つの前記電極を取り付けることを特徴とする。

【００２０】本発明の薄膜トランスの製造方法は、基体
の外面に４つの電極が取り付けられ、該基体の内部に２
つの渦巻き状のコイルと２つの軟磁性膜とが設けられ、
前記の２つのコイルの各両端と前記４つの電極とをそれ
ぞれ接続する導体が設けられてなる薄膜トランスを製造
する際に、基板に少なくとも軟磁性膜と下部絶縁層と渦
巻き状のコイルと上部絶縁層を積層してなる構成部品を
２つ形成し、前記２つの構成部品のいずれか一方または
両方の前記上部絶縁層に接着層を積層し、該接着層を介
して前記の各上部絶縁層が向き合うようにして前記２つ
の構成部品を接合することを特徴とする。また、本発明
の薄膜トランスの製造方法は、先に記載の薄膜トランス
の製造方法であって、前記構成部品に、前記コイルの両
端から前記構成部品の側壁面に露出する２つの導体を形
成し、前記２つの構成部品を接合させた後に、前記の各
導体に接続する電極を取り付けることを特徴とする。

【００２１】先に記載の薄膜トランスの製造方法におい
て、前記２つの軟磁性膜は、微細結晶質相と非晶質相と
が混在した組織を有する合金であり、前記微細結晶質相
は、平均結晶粒径が３０ｎｍ以下のｂｃｃ構造、ｈｃｐ
構造、ｆｃｃ構造のうちの１種または２種以上の混成構
造から構成されてＦｅ若しくはＣｏを主体としてなり、
前記非晶質相は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、
Ｗ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｇａ、Ｇｅ及び希
土類元素のうちの少なくとも１種または２種以上からな
る元素Ｍ及び酸素を主体としてなることを特徴とする。

【００２２】先に記載の薄膜トランスの製造方法におい
て、前記２つの軟磁性膜は、下記の組成式で表されるも
のであることを特徴とする。 （Ｆｅ_1-aＣｏ_a）_100-y-z-wＭ_yＬ_zＯ_w 但しＭは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｇａ、Ｇｅ及び希土類元
素のうちの少なくとも１種または２種以上の元素を表
し、Ｌは、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｓ
ｎ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうちの少なくとも１種ま
たは２種以上の元素を表し、Ｏは酸素を表し、組成比を
示すａ、ｙ、ｚ、ｗは、０≦ａ≦０．５、５原子％≦ｙ
≦３０原子％、０原子％≦ｚ≦２０原子％、５原子％≦
ｙ＋ｚ≦４０原子％、１０原子％≦ｗ≦４０原子％であ
る。

【００２３】

【発明の実施の形態】本発明の第１の実施形態である薄
膜トランスを、図１〜図４を参照して説明する。図１に
示す薄膜トランス１には、基体２と、基体２の上面３
（一面）に取り付けられた４つの電極４、５、６、７と
が備えられている。電極４〜７は、略四角形の基体の上
面３の対角線上に沿って取り付けられている。

【００２４】図４に示すように、基体２は、基板２ａ
と、基板２ａ上に積層された複数の絶縁層２ｂ〜２ｅか
らなるものである。基板２ａは、少なくとも絶縁層２
ｂ、軟磁性膜１１等が形成される上面が絶縁材料からな
るものであればよく、例えば、金属板上に絶縁材料から
なる膜を積層したものであってもよい。また、基板２ａ
の全体が絶縁材料からなるものであってもよい。上記の
絶縁材料としては、ポリイミド系樹脂、ノボラック系樹
脂、Ｓｉ、アルミナ、ジルコニア、炭化珪素、窒化珪
素、窒化アルミニウム、ステアタイト、ムライト、コー
ジライト、フォルステライト、ガラス等を例示できる。
また、絶縁層２ｂ〜２ｅは、ポリイミド系樹脂、ノボラ
ック系樹脂、ＳｉＯ₂、ガラス、硬質炭素膜等からなる
ことが好ましい。基板２ａ及び絶縁層２ｂ〜２ｅは、優
れた絶縁性と優れた加工性を有するものであれば、先に
例示した材質のものに限定されるもではない。また、電
極４、５、６、７の表面には、バンプ状にされた半田メ
ッキ１６…が形成されている。半田メッキ１６…は、通
常の半導体素子の実装に用いられる半田材料が用いられ
る。

【００２５】図２、図３及び図４に示すように、基体２
の内部には、２つの渦巻き状のコイル８、９が互いに離
間して対向するように設けられている。コイル８は、絶
縁層２ｄと絶縁層２ｅの間に設けられており、絶縁層２
ｅに沿ってその一端８ａから他端８ｂに向けて渦巻き状
に巻回されてなるものである。コイル９は、絶縁層２ｂ
と絶縁層２ｃの間に設けられており、絶縁層２ｂに沿っ
てその一端９ａから他端９ｂに向けて渦巻き状に巻回さ
れてなるものである。また、コイル８、９は、基体２の
上面３と平行になるように巻回されている。このように
してコイル８、９は、互いに対向して設けられると共に
絶縁層２ｃ、２ｄにより離間されて互いに絶縁されてい
る。コイル８、９の材質は、良好な導電性を有する金属
材料であるＣｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕあるいはこれら金属
からなる合金等を例示できる。

【００２６】また、基体２の内部の２つのコイル８、９
の対向する側の反対側（外側）には、２つの軟磁性膜１
０、１１が設けられている。この軟磁性膜１０、１１
は、微細結晶質相と非晶質相とが混在した組織を有する
ものであってＦｅまたはＣｏを主体とする合金からなる
ものであり、高い比抵抗と高い透磁率を有するものであ
る。軟磁性膜１０は、絶縁層２ｅに埋め込まれて基体２
の上面３（一面）から露出しており、絶縁層２ｅにより
コイル８と離間されて絶縁されている。また、軟磁性膜
１０は、コイル８と対向するように設けられている。軟
磁性膜１１は、基板２ａ上に形成されると共に絶縁層２
ｂに覆われており、絶縁層２ｂによりコイル９と離間さ
れて絶縁されている、また、軟磁性膜１１は、コイル９
と対向するように設けられている。このようにして、軟
磁性膜１０、１１は、コイル８、９を挟んでコイル８、
９を覆うように形成されている。薄膜トランス１の作動
時においては、コイル８、９に交流電流が流れてコイル
８、９から発生する磁束の方向が逐次変化する。軟磁性
膜１０、１１は透磁率が高いので、この磁束の方向の変
化に十分に追従することが可能であり、コイル８、９の
インダクタンスを高く保つことが可能となる。また、こ
の軟磁性膜１０、１１により、コイル８、９から発生す
る磁束の薄膜トランス外部への漏出が防がれる。また、
軟磁性膜１０、１１は、絶縁層２ｂ、２ｅによりコイル
８、９から絶縁されているので、コイル８、９に通電し
てもコイル８、９と軟磁性膜１０、１１が短絡すること
がない。

【００２７】また、図２、図３及び図４に示すように、
基体２の内部には、コイル８の一端８ａ及び他端８ｂと
電極５、７をそれぞれ接続する導体１３、１５が設けら
れ、コイル９の一端９ａ及び他端９ｂと電極６、４をそ
れぞれ接続する導体１４、１２が設けられている。導体
１３、１５は、絶縁層２ｅに設けられた孔１７、１８に
埋められた金属からなるスルーホールとされ、導体１
２、１４は絶縁層２ｃ、２ｄ、２ｅを貫通する孔１９、
２０に埋められた金属からなるスルーホールとされてい
る。

【００２８】また図４に示すように、基体２には、絶縁
層２ｃ、２ｄの間に位置して絶縁層２ｃ、２ｄ同士を接
合するための接着層２１が設けられている。接着層２１
は、絶縁層２ｃ、２ｄの間に位置することにより、２つ
の軟磁性膜１０、１１の間に位置することになる。接着
層２１の材質は、エポキシ樹脂、ノボラック樹脂、ポリ
イミド樹脂等を例示できる。

【００２９】また、軟磁性膜１１と基板２ａとの間には
下地層２２が形成されている。下地層２２は、Ｓｉ、Ｓ
ｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ₃Ｎ₄のうちの少なくとも１種ま
たは２種以上からなるものであって、軟磁性膜１１がＦ
ｅを主体とする合金の場合には、下地層２２がＡｌ
₂Ｏ₃、Ｓｉ₃Ｎ₄のうちの１種または２種からなることが
好ましく、軟磁性膜１１がＣｏを主体とする合金の場合
には、下地層２２がＳｉ、ＳｉＯ₂のうちの１種または
２種からなることが好ましい。また、下地層２２は省略
されても良い。

【００３０】軟磁性膜１０、１１は、前述したように微
細結晶質相と非晶質相とが混在した組織を有するＦｅ若
しくはＣｏを主体とする合金からなるものであり、高い
比抵抗と高い透磁率を有するものである。微細結晶質相
は、平均結晶粒径が３０ｎｍ以下のｂｃｃ構造、ｈｃｐ
構造、ｆｃｃ構造のうちの１種または２種以上の混成構
造からなり、非晶質相は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｇａ、
Ｇｅ及び希土類元素のうちの少なくとも１種または２種
以上からなる元素Ｍ及び酸素を主体としてなる。

【００３１】合金組織中における微細結晶質相の割合が
増加し、かつ微細結晶質相の平均結晶粒径が３０ｎｍを
越えると、軟磁性膜の比抵抗が小さくなってしまうので
好ましくない。酸素を多量に含む非晶質相が合金組織の
大半を占めると、軟磁性膜の比抵抗が大きくなる傾向に
ある。

【００３２】また軟磁性膜１０、１１は、下記の組成式
で表されるものであることが好ましい。 （Ｆｅ_1-aＣｏ_a）_100-y-z-wＭ_yＬ_zＯ_w 但しＭは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｇａ、Ｇｅ及び希土類元
素のうちの少なくとも１種または２種以上の元素を表
し、Ｌは、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｓ
ｎ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうちの少なくとも１種ま
たは２種以上の元素を表し、Ｏは酸素を表し、組成比を
示すａ、ｙ、ｚ、ｗは、０≦ａ≦０．５、５原子％≦ｙ
≦３０原子％、０原子％≦ｚ≦２０原子％、５原子％≦
ｙ＋ｚ≦４０原子％、１０原子％≦ｗ≦４０原子％であ
る。ここで希土類元素とは、周期表の３Ａ族に属するＳ
ｃ、ＹあるいはＬａ、ＣｅＰｒ，Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅ
ｕ、Ｇｄ、Ｔｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ
などのランタノイドを指す。

【００３３】Ｆｅは軟磁性膜の主成分であって磁性を担
う元素であり、主として微細結晶質相に含まれる。軟磁
性膜に高い飽和磁束密度を与えるためには、Ｆｅの含有
量が多いほど好ましいが、Ｆｅの含有量が過剰であると
軟磁性膜の組織に占める微細結晶相の割合が大きくなっ
て軟磁性膜の比抵抗が低下する。一方、Ｆｅの含有量が
少なすぎると微細結晶相の占める割合が少なくなって軟
磁性膜の比抵抗が高くなるが、飽和磁束密度が小さくな
るので好ましくない。ＣｏはＦｅと同様に磁性を担う元
素であり、主として微細結晶質相に含まれてＦｅの一部
と置換する。軟磁性膜が良好の軟磁気特性を得るために
は、Ｆｅとの組成比を示すａが０．５以下であるのが好
ましく、０．３以下であるとより好ましい。

【００３４】元素Ｍは、軟磁性膜の軟磁気特性を向上さ
せ、かつ比抵抗を高くするために必要な元素である。元
素Ｍは酸素と結合しやすい元素であって酸化物を形成
し、主に非晶質相中に分布して軟磁性膜の比抵抗を向上
させる。このような効果を得るために元素Ｍは、少なく
とも５原子％以上含まれるのが好ましく、７原子％以上
含まれるのがより好ましい。但し、元素Ｍの含有量が過
剰であると、軟磁性膜の軟磁気特性が低下し、更にＦｅ
の含有量が相対的に減少して飽和磁束密度が低下するの
で、元素Ｍの含有量を３０原子％以下とするのが好まし
く、１５原子％以下とするとより好ましい。また、元素
Ｍが、Ｚｒ、Ｈｆの一方または両方とすると、軟磁性膜
の磁歪を抑制して軟磁性膜の薄膜化が容易になる。

【００３５】元素Ｌは、軟磁性膜の耐食性、周波数特性
及び磁歪を調整する元素である。但し、元素Ｌの添加量
が過剰であると、軟磁気特性が低下し、飽和磁束密度が
低下する。従って、元素Ｌの含有量は、２０原子％以下
とするのが好ましく、５原子％以下とするとより好まし
い。また、元素Ｍと同時に添加する場合には、元素Ｍと
元素Ｌとの合計量が５原子％以上４０原子％以下とする
のが好ましい。

【００３６】酸素は、主として非晶質相中に存在して元
素Ｍと結合して元素Ｍの酸化物を形成し、軟磁性膜の軟
磁気特性を向上させ、飽和磁束密度を高めて、周波数特
性を向上させる。この様な効果を得るためには、酸素の
含有量が１０原子％以上４０原子％以下であることが好
ましく、２０原子％以上３５原子％以下であるとより好
ましい。

【００３７】また、軟磁性膜は、下記の組成式で表され
るものであっても良い。 （Ｃｏ_1-cＴ_c）_100-x-v-uＥ_xＧ_vＯ_u 但しＴは、Ｆｅ、Ｎｉのうちのいずれか一方または両方
を含む元素であり、Ｅは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｇａ、
Ｇｅ及び希土類元素のうちの少なくとも１種または２種
以上の元素を表し、Ｇは、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉ
ｒ、Ｏｓ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうちの少なくとも１種ま
たは２種以上の元素を表し、Ｏは酸素を表し、組成比を
示すｃ、ｘ、ｖ、ｕは、０≦ｃ≦０．７、３原子％≦ｘ
≦３０原子％、７原子％≦ｕ≦４０原子％、０原子％≦
ｖ≦２０原子％、２０原子％≦ｘ＋ｕ＋ｖ≦６０原子％
である。ここで希土類元素とは、前述と同様に、周期表
の３Ａ族に属するＳｃ、ＹあるいはＬａ、ＣｅＰｒ，Ｎ
ｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕなどのランタノイドを指す。

【００３８】Ｃｏと元素Ｔは、軟磁性膜の主成分であっ
て主として微細結晶質相に含まれるものであり、軟磁性
膜の磁性を担う元素である。軟磁性膜に高い飽和磁束密
度を与えるためにはＣｏと元素Ｔの含有量が高い程良い
が、Ｃｏと元素Ｔの含有量が過剰であると軟磁性膜の比
抵抗が小さくなる。また、Ｃｏと元素Ｔの含有量が少な
いと飽和磁束密度が低下する。更に、Ｃｏには軟磁性膜
に一軸磁気異方性を高める効果がある。また、元素Ｔは
Ｆｅであるとより好ましい。Ｃｏと元素Ｔとの組成比を
示すｃは、０．７以下であることが好ましく、元素Ｔが
Ｆｅである場合には、０．２以上０．７以下とするのが
好ましい。

【００３９】元素Ｅは、軟磁性膜の軟磁気特性を向上さ
せ、かつ比抵抗を高くするために必要な元素である。元
素Ｅは、酸素と結合しやすい元素であって酸化物を容易
に形成し、主に非晶質相中に分布して軟磁性膜の比抵抗
を向上させる。例えば、元素ＭがＨｆである場合にはＨ
ｆＯ₂を生成する。このような効果を得るために元素Ｅ
は、少なくとも３原子％以上含まれると好ましく、７原
子％以上含まれるとより好ましい。但し、元素Ｅの含有
量が過剰であると、軟磁性膜の軟磁気特性が低下し、更
にＣｏ及び元素Ｔの含有量が相対的に減少して飽和磁束
密度が低下するので、３０原子％以下とするのが好まし
く、１５原子％以下とするとより好ましい。また、元素
Ｍが、Ｚｒ、Ｈｆの一方または両方とすると、軟磁性膜
の磁歪を抑制して軟磁性膜を薄膜化する効果が得られ
る。

【００４０】酸素は、主として非晶質相中に存在して元
素Ｅと結合して元素Ｅの酸化物を形成し、軟磁性膜の軟
磁気特性を向上させ、特に飽和磁束密度を高めて、周波
数特性を向上させる。従って酸素の含有量は、７原子％
以上４０原子％以下とするのが好ましく、２０原子％以
上３５原子％以下とするのがより好ましい。更に、軟磁
性膜を構成する元素として、Ｏの代わりにＮが、あるい
はＯと共にＮが含有されても良い。

【００４１】元素Ｇは、軟磁性膜の耐食性、周波数特性
及び磁歪を調整する元素である。但し、元素Ｇの添加量
が過剰であると、軟磁気特性が低下し、飽和磁束密度が
低下する。従って、元素Ｇの含有量は、２０原子％以下
とするのが好ましく、１９原子％以下とするとより好ま
しい。また、元素Ｅと同時に添加する場合には、元素Ｅ
と元素Ｌと酸素との合計量が２０原子％以上６０原子％
以下とするのが好ましい。軟磁性膜の組成を上述の通り
とした場合、その比抵抗は、１０００〜３０００μΩ・
ｃｍの範囲となる。

【００４２】次に、本発明の薄膜トランスの製造方法を
図面を参照して説明する。この製造方法は、図５に示す
ように、仮基板３１上に少なくとも軟磁性膜１０、下部
絶縁層２ｄ、上部コイル８、上部絶縁層２ｅを積層して
複数の上層部品３２を製造し、基板２ａ上に軟磁性膜１
１、下部絶縁層２ｂ、下部コイル９、上部絶縁層２ｃを
積層して複数の下層部品４１を製造し、これら基板２ａ
と仮基板３１を積層することにより上層部品３２と下層
部品４１を接合し、仮基板３１を除去して上部絶縁層２
ｅを露出させ、上部絶縁層２ｅ上に電極４〜７を取り付
け、最後に薄膜インダクタ１を切り出す工程を含むもの
である。

【００４３】まず、上述の上層部品３２を製造する方法
を図６〜図１０Ｅを参照して説明する。図６において、
仮基板３１の上面をＣＭＰ等の手段により十分に平坦化
し、更に十分に洗浄した後に、仮基板３１上に軟磁性膜
１０を形成する。軟磁性膜１０は、中央に穴部１０ａを
有して穴部１０ａから仮基板３１が露出するように略環
状に形成する。軟磁性膜１０は、予め軟磁性層を仮基板
３１の全面にスパッタリング、蒸着等の手段により形成
し、この軟磁性層上にフォトレジストを塗布し、更にフ
ォトレジスト上にマスクを載置してフォトレジストを露
光し、フォトレジストが残存した部分以外の軟磁性層を
エッチング等により除去し、最後に残存するフォトレジ
ストを除去する工程からなるいわゆるフォトリソグラフ
ィ技術により略環状に形成する。このようにして平坦な
仮基板３１に軟磁性膜１０を形成するので、軟磁性膜１
０の平坦性が高くなる。また、軟磁性膜１０の形成は、
軟磁性膜１０に十分な酸素を含有させるために、酸素を
含む雰囲気中で行うことが好ましく、例えばアルゴン−
酸素混合ガス中で行うことが好ましい。尚、仮基板３１
の材質は、Ａｌ、Ｆｅ等の金属を例示できる。また、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｕ
等の材料も例示できる。また、これらの材料からなる仮
基板３１は、塩酸、硝酸、過塩素酸、硫酸、リン酸等を
使用してエッチングすることにより、容易に除去できる
ものである。

【００４４】次に図７において、仮基板３１と軟磁性膜
１０を覆う絶縁層２ｄ（下部絶縁層）を形成する。絶縁
層２ｄは、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法等の手
段により形成する。更に、ＣＭＰ等の手段により絶縁層
２ｄの表面を研磨して、絶縁層２ｄの表面を平坦化する
ことが好ましい。更に、絶縁層２ｄに孔１７、１８を設
ける。これらの孔もフォトリソグラフィ技術により設け
られる。孔１７は、軟磁性膜１０の穴部１０ａを貫通し
て仮基板３１を露出させるように設ける。また孔１８
は、絶縁層２ｄの軟磁性膜１０が形成されていない部分
に位置して仮基板３１を露出させるように設ける。次に
図８において、導電性の金属をスパッタリング、蒸着ま
たはメッキ等の手段により孔１７、１８に埋めて導体１
３、１５（上部導体）を形成する。

【００４５】次に図９において、絶縁層２ｄ（下部絶縁
層）上に渦巻き状のコイル８（上部コイル）を形成す
る。コイル８は、一端８ａから他端８ｂに向けて渦巻き
状に巻回し、かつコイル８の一端８ａ及び他端８ｂが導
体１３、１５（上部導体）にそれぞれ接続するように形
成する。コイル８は、軟磁性膜１０と同様にフォトリソ
グラフィ技術によって所定の線幅、所定の巻回回数を具
備するように形成する。またコイル８は、軟磁性膜１０
が形成されている領域からはみ出さないように形成する
ことが好ましい。次に図１０において、コイル８（上部
コイル）を埋めて絶縁層２ｄ（下部絶縁層）を覆う絶縁
層２ｅ（上部絶縁層）を形成する。更に絶縁層２ｅに、
２つの第１連通孔１９ａ、２０ａを設ける。これらの第
１連通孔もフォトリソグラフィ技術により設ける。第１
連通孔２０ａは、軟磁性膜１０の穴部１０ａを貫通して
仮基板３１が露出するように設ける。このとき第１連通
孔２０ａは、上部導体１３及びコイル８の一端８ａを露
出させないように導体１３及びコイル８と離間して設け
る。また第１連通孔１９ａは、絶縁層２ｄのコイル８及
び軟磁性膜１０が形成されていない部分に位置して仮基
板３１を露出させるように設ける。また、第１連通孔１
９ａは、コイル８の他端８ｂから離れた位置に設ける。
このようにして、上層部品３２が得られる。

【００４６】次に、下層部品４１を製造する方法を図１
１〜図１５を参照して説明する。図１１において、基板
２ａの表面をＣＭＰ等の手段により十分に平坦化し、更
に十分に洗浄した後に、基板２ａ上に軟磁性膜１１を形
成する。軟磁性膜１１は、前述した軟磁性膜１０と同様
にフォトリソグラフィ技術により所定の形状に形成す
る。このように、平坦な基板２ａ上に軟磁性膜１１を形
成するので、軟磁性膜１１の平坦性が高くなる。軟磁性
膜１１の形成は、軟磁性膜１０と同様に酸素を含む雰囲
気中で行うことが好ましく、例えばアルゴン−酸素混合
ガス中で行うことが好ましい。

【００４７】次に図１２において、基板２ａと軟磁性膜
１１を覆う絶縁層２ｂ（下部絶縁層）を形成する。絶縁
層２ｂは、スパッタリング法等の手段により形成する。
更に、ＣＭＰ等の手段により絶縁層２ｂの表面を研磨し
て、絶縁層２ｂの表面を平坦化することが好ましい。次
に図１３において、絶縁層２ｂ（下部絶縁層）上に渦巻
き状のコイル９（下部コイル）を形成する。コイル９
は、一端９ａから他端９ｂに向けて渦巻き状に巻回する
ように形成する。またコイル９は、軟磁性膜１１と同様
に、フォトリソグラフィ技術によって所定の線幅、所定
の巻回回数を具備するように形成する。またコイル９
は、軟磁性膜１１が形成されている領域からはみ出さな
いように形成することが好ましい。

【００４８】次に、図１４において、コイル９（下部コ
イル）を埋めて絶縁層２ｂ（下部絶縁層）を覆う絶縁層
２ｃ（上部絶縁層）を形成する。更に、絶縁層２ｃに２
つの第２連通孔１９ｂ、２０ｂを形成する。第２連通孔
２０ｂは、コイル９（下部コイル）の一端９ａを露出さ
せるように設け、第２連通孔１９ｂは、コイル９（下部
コイル）の他端９ｂを露出させるように設ける。第２連
通孔１９ｂ、２０ｂもフォトリソグラフィ技術により設
ける。このようにして下層部品４１を得る。更に図１５
において、絶縁層２ｃに接着層２１を積層する。尚、接
着層２１は上層部品３２の絶縁層２ｅ（上部絶縁層）に
積層しても良いし、上層部品３２と下層部品４１の双方
の上部絶縁層にそれぞれ積層しても良い。

【００４９】次に、上層部品３２と下層部品４１を接合
し、仮基板３１を除去し、更に電極を取り付けて薄膜ト
ランスを完成する方法を図１６〜図２０を参照して説明
する。まず、図１６に示すように、上層部品３２と下層
部品４１を接合する。このとき、接着層２１を介して上
層部品３２の絶縁層２ｄ（上部絶縁層）と下層部品４１
の絶縁層２ｃ（上部絶縁層）とが互いに向き合わせると
共に、上層部品３２の第１連通孔１９ａ、２０ａの位置
と下層部品４１の第２連通孔１９ｂ、２０ｂの位置とが
一致させるようにして上層部品３２と下層部品４１を接
合する。このようにして、第１連通孔１９ａと第２連通
孔１９ｂとが連通して孔１９を形成し、第１連通孔２０
ａと第２連通孔２０ｂとが連通して孔２０を形成する。
孔１９は、絶縁層２ｃ〜２ｅを貫通して仮基板３１から
コイル９の他端９ｂに至るものであり、孔２０は、絶縁
層２ｃ〜２ｅを貫通して仮基板３１からコイル９の一端
９ａに至るものである。

【００５０】次に図１７に示すように、仮基板３１をエ
ッチング等の手段により除去して軟磁性膜１０及び絶縁
層２ｅを露出させる。また同時に下部導体１３、１５及
び孔１９、２０を露出させる。尚、上部部品３２と下部
部品４１を接合する際、接着層２１の一部が孔１９、２
０を塞ぐ場合があり、このときは有機溶剤等により接着
層２１の一部を除去する。次に図１８に示すように、導
電性の金属をスパッタリング、蒸着またはメッキ等の手
段により孔１９、２０に埋めて、導体１２、１４（下部
導体）を形成する。導体１２、１４は、コイル９の他端
９ｂ及び一端９ａ（コイルの両端）にそれぞれ接続する
ように形成する。次に図１９に示すように、導体１２、
１３、１４、１５に電極４、５、６、７をそれぞれ取り
付けて薄膜トランス１を得る。最後に、図２０におい
て、薄膜トランス１を切り出す。

【００５１】上述の薄膜トランス１は、基体２の内部に
コイル８、９と軟磁性膜１０、１１が設けられているの
で、薄膜トランス１の形状を小型化することができる。
また、軟磁性膜１０、１１がコイル８、９を挟み、かつ
コイル８、９と対向するように設けられているので、コ
イル８、９のインダクタンスを高くして薄膜トランス１
の特性を向上できると共に、コイル８、９から発生する
磁束が薄膜トランス１の外部に漏れることがない。更
に、基体２の上面３（一面）に電極４、５、６、７が取
り付けられているので、薄膜トランス１を回路基板等に
実装する際に、電極４、５、６、７を回路基板の端子等
に直接接触させて実装することが可能となり、薄膜トラ
ンス１の実装を容易に行えると共に、薄膜トランス１の
回路基板に対する実装面積を小さくすることができる。
更にまた、電極４、５、６、７は、導体１２、１３、１
４、１５を介してコイル８、９に接続されており、コイ
ル８、９と電極４、５、６、７の電気抵抗が小さくなる
ので、薄膜トランス１の電力損失を小さくすることがで
きる。また、上述の薄膜トランス１は、コイル８、９が
渦巻き状に形成されているので、薄膜トランス１の総高
を低くすると共にコイル８、９の占める面積を小さくし
て、薄膜トランス１を小型化することができる。特に、
この薄膜トランス１においては、電極４、５、６、７
が、基体２の上面３（一面）から露出する導体１２、１
３、１４、１５の先端に取り付けられているので、電極
４、５、６、７、と接続導体１２、１３、１４、１５の
接続部分における接触面積を大きくすることが可能にな
って、電極４、５、６、７と導体１２、１３、１４、１
５の間の接触抵抗を低減できる。

【００５２】また、上述の薄膜トランス１は、電極４、
５、６、７にバンプ状の半田メッキ１６…が設けられて
いるので、薄膜トランス１を回路基板等の所定に位置に
配置して加熱することにより半田が溶解して薄膜トラン
ス１を回路基板に容易に実装することができる。

【００５３】上述の薄膜トランス１は、基体２が基板２
ａと絶縁層２ｂ〜２ｅ及び接着層２１からなるので、薄
膜トランス１の総高を小さくすることができる。また、
上述の薄膜トランス１においては、絶縁層２ｂ〜２ｅが
コイル８、９及び軟磁性膜１０、１１の間に配置されて
いるので、コイル８、９及び軟磁性膜１０、１１をそれ
ぞれ絶縁することができる。また、接着層２１がコイル
８、９との間、即ち２つの軟磁性膜１０、１１の間に配
置されているので、コイル８、９同士の絶縁を更に高め
ることができる。また、上述の薄膜トランス１において
は、軟磁性膜１０が基板２ａ上に形成されているので、
軟磁性膜１０の平坦性を高くすることが可能となり、軟
磁性膜１０の比抵抗が高くなって透磁率が大きくなり、
薄膜トランス１の特性を向上できる。

【００５４】上述の薄膜トランス１においては、軟磁性
膜１０、１１が微細結晶質相と非晶質相とが混在した組
織を有するＦｅ若しくはＣｏを主体とする合金からな
り、軟磁性膜１０、１１の飽和磁束密度を高くし、かつ
比抵抗を高くすることができるので、渦電流の発生を抑
えて高周波数帯域における透磁率の低下を防止してコイ
ル８、９のインダクタンスを高めることが可能となり、
薄膜トランス１の特性を向上することができる。

【００５５】また、軟磁性膜１０と基板２ａとの間に、
Ｓｉ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ₃Ｎ ₄のうちの少なくと
も１種または２種以上からなる下地層２２が設けられて
いるので、基板２ａの表面粗さや熱膨張の影響が軟磁性
膜１０及ぶのを防ぐことができる。更に、基板２ａは、
ポリイミド系樹脂またはノボラック系樹脂またはガラス
等からなるので、エッチングの際においてエッチング液
による浸食を防ぐことができる。

【００５６】上述の薄膜トランスの製造方法は、基板２
ａに磁性膜１１、絶縁層２ｂ、２ｃ、コイル９を積層し
てなる上層部品３２と、仮基板３１に磁性膜１０、絶縁
層２ｄ、２ｅ、コイル８を積層してなる下層部品４１と
を予め製造し、これら上層部品３２と下層部品４１を接
合するので、軟磁性膜、絶縁層、コイルの平坦性が高く
なり、１つの基板上に多数の絶縁層を積層することによ
る各絶縁層の平坦性の低下という問題が生じないので、
薄膜トランス１の不良発生を低減することができる。ま
た、上層部品３２及び下層部品４１の形成時には、コイ
ル８、９上には上部絶縁層２ｃ、２ｄを形成するのみな
ので、絶縁層の積層によるコイル８、９への応力の印加
が小さくなって製造中にコイル８、９が切断されること
がなく、薄膜トランス１の不良発生を低減することがで
きる。更に、上層部品３２と下層部品４１を接合した後
に上層部品３２の仮基板３１を除去するので、薄膜トラ
ンス１の総高を小さくできる。また、仮基板３１及び基
板２ａに軟磁性膜１０及び軟磁性膜１１を形成している
ので、軟磁性膜１０、１１の平坦性を高くすることが可
能となり、軟磁性膜１０、１１の軟磁気特性が向上して
特性が良好な薄膜トランス１を製造することができる。
また、軟磁性膜１０、１１は仮基板３１、基板２ａ上に
形成されるので、その後の工程において軟磁性膜１０、
１１及び仮基板３１、基板２ａが加熱されても仮基板３
１及び基板２ａから揮発成分が生じることなく、軟磁性
膜１０、１１が変質することがないので、軟磁性膜１
０、１１の透磁率及び比抵抗の変動を抑えて、品質が安
定した薄膜トランス１を製造することができる。

【００５７】更に、上述の薄膜トランスの製造方法にお
いては、下層部品４１にコイル９の一端９ａと他端９ｂ
を露出させる第２連通孔２０ｂ、１９ｂを設け、上層部
品３２に第１連通孔２０ａ、１９ａを設け、これら第１
連通孔と第２連通孔の位置を合わせて上層部品３２と下
層部品４１を接合して孔１９、２０とし、これら孔１
９、２０にコイル９の一端９ａと他端９ｂに接続する導
体１４、１２（下部導体）を形成し、更に電極６、４を
取り付けるので、コイル９と電極４、６との間の電気抵
抗を小さくして電力損失が小さい薄膜トランス１を製造
することができる。また、上述の薄膜トランスの製造方
法は、上層部品３２の製造の際において、導体１３、１
５（上部導体）の形成後にコイル８を形成してコイル８
の一端８ａと他端８ｂを導体１３、１５にそれぞれ接続
し、更に上層部品３２と下層部品４１を接合し仮基板３
１を除去した後に、導体１３、１５（上部導体）に電極
５、７を取り付けるので、コイル８と電極５、７との間
の電気抵抗を小さくして電力損失が小さい薄膜トランス
１を製造することができる。

【００５８】また、上述の薄膜トランス１の製造方法に
おいては、複数の上層部品３２と複数の下層部品４１と
を接合し、電極４、５、６、７を取り付けて複数の薄膜
トランス１を得た後に薄膜トランス１を切り出すので、
切り出し後の工程が不要になって薄膜トランス１の製造
工程を簡略にできる。

【００５９】次に、本発明の第２の実施形態である薄膜
トランスを図面を参照して説明する。図２１〜図２３は
第２の実施形態である薄膜トランス６１の斜視図であ
り、図２４は図２１のＸ−Ｘ’線の断面図であり、図２
５は図２１のＹ−Ｙ’線の断面図である。尚、これらの
図において、前述した図１〜図４に示す構成要素と同一
の構成要素には同一符号を付してその詳細な説明を省略
する。図２１に示す薄膜トランス６１には、基体６２
と、基体６２の上面６３（一面）に取り付けられた４つ
の電極６４、６５、６６、６７とが備えられている。電
極６４〜６７は、略四角形の基体６２の上面３の四隅に
それぞれ取り付けられている。また、電極６４は、端子
部６４ａと、端子部６４ａから基体６２の中央に向けて
延在する竿部６４ｂとからなる。尚、電極６４〜６７に
はバンプ状の半田メッキを形成しても良い。

【００６０】図２４及び図２５に示すように、基体６２
は、基板６２ａと、基板６２ａ上に積層された絶縁層６
２ｂ〜６２ｇからなるものである。基板６２ａは、前述
した基板２ａと同様な構成からなり、絶縁層６２ｂ〜６
２ｇは、前述した絶縁層２ｂ〜２ｅの材質と同様とされ
る。

【００６１】図２２〜図２５に示すように、基体６２の
内部には、２つの渦巻き状のコイル８、９が互いに離間
して対向するように設けられている。コイル８は、絶縁
層６２ｅと絶縁層６２ｆの間に設けられ、絶縁層６２ｆ
に沿ってその一端８ａから他端８ｂに向けて渦巻き状に
巻回されてなる。コイル９は、絶縁層６２ｃと絶縁層６
２ｄの間に設けられ、絶縁層６２ｃに沿ってその一端９
ａから他端９ｂに向けて渦巻き状に巻回されてなる。こ
のようにしてコイル８、９は、互いに対向して設けられ
ると共に絶縁層６２ｄ、６２ｅにより離間されて互いに
絶縁されている。

【００６２】また、基体６２の内部の２つのコイル８、
９の対向する側の反対側（外側）には、２つの軟磁性膜
９０、９１が設けられている。軟磁性膜９０は、絶縁層
６２ｆと絶縁層６２ｇの間に設けられており、絶縁層６
２ｆによりコイル８と離間されて絶縁されていると共
に、コイル８と対向するように設けられている。軟磁性
膜９１は、絶縁層６２ｂ上に形成されると共に絶縁層６
２ｃに覆われており、絶縁層６２ｃによりコイル９と離
間されて絶縁されていると共に、コイル９と対向するよ
うに設けられている。軟磁性膜９０、９１の材質は、前
述した軟磁性膜１０、１１と同様である。

【００６３】また、基体６２の内部には、コイル８の一
端８ａ及び他端８ｂと電極６４、６５を接続する導体６
８、６９が設けられると共に、コイル９の一端９ａ及び
他端９ｂと電極６６、６７を接続する導体７０、７１が
設けられている。なお、導体６８は、電極６４の竿部６
４ｂに接続され、竿部６４ｂは電極部６４ａに接続され
ている。導体６８、６９は、絶縁層６２ｆ、６２ｇに設
けられた孔７２、７３に金属を埋めてなるスルーホール
とされている。導体７１は絶縁層６２ｄ、６２ｅ、６２
ｆ、６２ｇを貫通する孔７４に金属を埋めてなるスルー
ホールとされている。導体７０は、コイル９の一端９ａ
から基板６２ａに向けて延在する縦行導体７０ａと、電
極６６から基板６２ａに向けて延在する取出導体７０ｂ
と、基板６２ａ上に延在して縦行導体７０ａと取出導体
７０ｂを連結する連結導体７０ｃとからなる。縦行導体
７０ａは、絶縁層６２ｂ、６２ｃに設けられた孔に金属
を埋めてなるスルーホールとされている。縦行導体７０
ａは、磁性膜９１の穴部９１ａを貫通して磁性膜９１と
接触しないように形成されている。取出導体７０ｂは、
絶縁層６２ｂ〜６２ｇに設けられた孔に金属を埋めてな
るスルーホールとされている。

【００６４】また基体６２には、絶縁層６２ｄ、６２ｅ
の間に位置してこれら絶縁層６２ｄ、６２ｅを接合する
ための接着層２１が設けられている。接着層２１は、絶
縁層６２ｄ、６２ｅの間に位置することによって、２つ
の軟磁性膜９０、９１の間に位置することになる。

【００６５】次に、上述の薄膜トランス６１の製造方法
を図面を参照して説明する。この製造方法は、図２６に
示すように、仮基板３１上に少なくとも軟磁性膜９０、
下部絶縁層６２ｆ、上部コイル８、上部絶縁層６２ｅを
積層して複数の上層部品８０を製造し、基板６２ａ上に
軟磁性膜９１、下部絶縁層６２ｃ、下部コイル９、上部
絶縁層６２ｄを積層して複数の下層部品１００を製造
し、これら基板２ａと仮基板３１を積層することにより
上層部品８０と下層部品１００を接合し、仮基板３１を
除去して上部絶縁層６２ｆを露出させ、更に絶縁層６２
ｇを積層して絶縁層６２ｇ上に電極６４〜６７を取り付
け、最後に薄膜トランス６１を切り出す工程を含むもの
である。この製造方法は、前述した薄膜トランス１の場
合とほぼ同様であるが、下層部品１００の下部導体を形
成する点において前述の薄膜トランス１の場合と異な
る。従って、前述の薄膜トランス１の製造方法と同様な
点については、簡略して説明する。

【００６６】まず、上層部品８０を製造する方法を図２
７〜図３６を参照して説明する。図２７〜図３１は、図
２４に対応するものであり、図３２〜図３６は、図２５
に対応するものである。図２７及び図３２において、仮
基板３１上に軟磁性膜９０を形成する。軟磁性膜９０
は、その中央に穴部９０ａを有してこの穴部９０ａから
仮基板３１が露出するように略環状に形成される。この
ようにして平坦な仮基板３１上に軟磁性膜９０を形成す
るので、軟磁性膜９０の平坦性が高くなる。

【００６７】次に図２８及び図３３において、仮基板３
１と軟磁性膜９０を覆う絶縁層６２ｆ（下部絶縁層）を
形成する。また、絶縁層６２ｆの表面を研磨して、絶縁
層６２ｆの表面を平坦化することが好ましい。更に絶縁
層６２ｆに、孔７２、７３を設ける。孔７２は、図２８
及び図３３に示すように、軟磁性膜９０の穴部９０ａを
貫通して仮基板３１が露出するように設ける。また孔７
３は、図３３に示すように、絶縁層６２ｆの軟磁性膜９
０が形成されていない部分に位置して仮基板３１が露出
するように設ける。次に図２９及び図３４において、導
電性の金属を孔７２、７３に埋めて、導体６８、６９
（上部導体）を形成する。

【００６８】次に図３０及び図３５において、絶縁層６
２ｆ（下部絶縁層）上に渦巻き状のコイル８（上部コイ
ル）を形成する。このとき、コイル８の一端８ａ及び他
端８ｂが導体６８、６９（上部導体）に接続するように
形成する。次に図３１及び図３６において、コイル８
（上部コイル）を埋めて絶縁層６２ｆ（下部絶縁層）を
覆う絶縁層６２ｅ（上部絶縁層）を形成する。更に絶縁
層６２ｅ及び絶縁層６２ｆを貫通する２つの第１連通孔
８１ａ、８２ａを設ける。これらの第１連通孔８１ａ、
８２ａは、絶縁層６２ｅのコイル８及び軟磁性膜９０が
形成されていない部分に位置して仮基板３１を露出させ
るように設ける。このようにして、上層部品８０が得ら
れる。

【００６９】次に、下層部品１００を製造する方法を図
３７〜図５２を参照して説明する。図３７〜図４４は、
図２４に対応するものであり、図４５〜図５２は、図２
５に対応するものである。図３７及び図４５において、
基板６２ａ上に略竿状の連結導体７０ｃを形成する。次
に図３８及び図４６において、基板６２ａ及び連結導体
７０ｃを覆う絶縁層６２ｂを形成する。絶縁層６２ｂの
表面は、ＣＭＰ等の手段により平坦化することが好まし
い。

【００７０】次に図３９及び図４７において、絶縁層６
２ｂ上に軟磁性膜９１を形成する。軟磁性膜９１は、そ
の中央に穴部９１ａを有してその穴部９１ａから絶縁層
６２ｂが露出するように略環状に形成する。軟磁性膜９
１は、平坦な絶縁層６２ｂ上に形成されるので、軟磁性
膜９１の平坦性が高くなる。

【００７１】次に図４０及び図４８において、絶縁層６
２ｂと軟磁性膜９１を覆う絶縁層６２ｃ（下部絶縁層）
を形成する。また、絶縁層６２ｃの表面を研磨して絶縁
層６２ｃの表面を平坦化することが好ましい。更に、絶
縁層６２ｃ及び絶縁層６２ｂを貫通して連結導体７０ｃ
の一端１７０ａを露出させる孔１０１を設ける。孔１０
１は、軟磁性膜９１の穴部９１ａを貫通して軟磁性膜９
１と接触しないように形成する。次に図４１及び図４９
において、孔１０１に金属を埋めて縦行導体７０ａを形
成する。また縦行導体７０ａは、連結導体７０ｃの一端
１７０ａと接続するように形成する。この連結導体７０
ｃ及び縦行導体７０ａにより、接続導体が形成される。
次に図４２及び図５０において、絶縁層６２ｃ（下部絶
縁層）上に渦巻き状のコイル９（下部コイル）を形成す
る。コイル９は、一端９ａから他端９ｂに向けて渦巻き
状に巻回するように形成すると共に、コイル９の一端９
ａが縦行導体７０ａと接続するように形成する。

【００７２】次に、図４３及び図５１において、コイル
９（下部コイル）を埋めて絶縁層６２ｃ（下部絶縁層）
を覆う絶縁層６２ｄ（上部絶縁層）を形成する。更に、
絶縁層６２ｄに第２連通孔８１ｂ、８２ｂを設ける。第
２連通孔８１ｂは、図４３に示すように、絶縁層６２ｂ
〜６２ｄを貫通して連結導体７０ｃの他端１７０ｂを露
出させるように設け、第２連通孔８２ｂは、図５１に示
すように、コイル９（下部コイル）の他端９ｂを露出さ
せるように設ける。このようにして下層部品１００を製
造する。更に図４４及び図５２において、絶縁層６２ｄ
に接着層２１を積層する。尚、接着層２１は上層部品８
０の絶縁層６２ｅ（上部絶縁層）に積層しても良いし、
上層部品８０と下層部品１００の双方の上部絶縁層６２
ｄ、６２ｅに積層しても良い。

【００７３】次に、上層部品８０と下層部品１００を接
合し、仮基板３１を除去し、電極を取り付けて薄膜トラ
ンスを完成する方法を図５３〜図６４を参照して説明す
る。図５３〜図５８は、図２４に対応するものであり、
図５９〜図６４は、図２５に対応するものである。ま
ず、図５３及び図５９に示すように、上層部品８０と下
層部品１００を接合する。このとき、接着層２１を介し
て上層部品８０の絶縁層６２ｅ（上部絶縁層）と下層部
品１００の絶縁層６２ｄ（上部絶縁層）とを互いに向き
合わせると共に、上層部品８０の第１連通孔８１ａ、８
２ａの位置と下層部品１００の第２連通孔８１ｂ、８２
ｂの位置とを一致させるようにして上層部品８０と下層
部品１００を接合する。このようにして、第１連通孔８
１ａと第２連通孔８１ｂとが連通して孔８１を形成し、
第１連通孔８２ａと第２連通孔８２ｂとが連通して孔８
２を形成する。孔８１は、絶縁層６２ｂ〜６２ｆを貫通
して仮基板３１から連結導体７０ｃの他端１７０ｂに至
るものであり、孔８２は、絶縁層６２ｄ〜６２ｆを貫通
して仮基板３１からコイル９の他端９ｂに至るものであ
る。

【００７４】次に図５４及び図６０に示すように、仮基
板３１をエッチング等の手段により除去して軟磁性膜９
０及び絶縁層６２ｆを露出させる。また同時に導体６
８、６９（上部導体）及び孔８１、８２を露出させる。
次に図５５及び図６１に示すように、軟磁性膜９０及び
絶縁層６２ｆを覆う絶縁層６２ｇを形成する。絶縁層６
２ｇを形成する際には、孔８１、８２を絶縁層６２ｇで
塞がないように、絶縁層６２ｇを形成した後に絶縁層６
２ｇをエッチングして孔８１、８２を開口する。更に、
導体６８、６９（上部導体）を絶縁層６２ｇで覆わない
ように、絶縁層６２ｇを形成した後に絶縁層６２ｇをエ
ッチングして孔６８ａ、６９ａを開口する。

【００７５】次に図５６及び図６２に示すように、導電
性の金属を孔８１、８２に埋めて、導体７１、取出導体
７０ｂ（下部導体）をそれぞれ形成する。導体７１は、
コイル９の他端９ｂと接続するように形成し、取出導体
７０ｂは、連結導体７０ｃの他端１７０ｂと接続するよ
うに形成する。更に、孔６８ａ、６９ａに金属を埋めて
導体６８、６９を継ぎ足して導体６８、６９（上部導
体）を絶縁層６２ｇ上に露出させる。次に図５７及び図
６３に示すように、導体６８、６９、７１及び取出導体
７０ｂに電極６４、６５、６７、６６をそれぞれ取り付
けて薄膜トランス６１を得る。最後に、図５８及び図６
４に示すように、薄膜トランス６１を切り出す。

【００７６】上述の薄膜トランス６１及び上述の薄膜ト
ランスの製造方法は、前述した薄膜トランス１の場合と
ほぼ同様の効果が得られる。

【００７７】また、上述の薄膜トランス６１において
は、軟磁性膜９０が絶縁層６２ｂを介して基板６２ａ上
に形成されているので、軟磁性膜９０の平坦性を高くす
ることが可能となり、軟磁性膜９０の 比抵抗及び透磁
率が高くなって薄膜トランス６１の特性を向上できる。

【００７８】また、上述の薄膜トランス６１において
は、基体６２（絶縁層６２ｆ）の中央から露出する導体
６８と基体６２の一隅にある電極部６４ａが竿部６４ｂ
により接続され、コイル９の一端９ａが導体７０を介し
て基体６２の一隅にある電極６７に接続されて、電極６
３〜６７が基体６２の四隅に位置することになるので、
薄膜トランス６１を回路基板上に安定して実装すること
ができる。

【００７９】また、上述の薄膜トランスの製造方法にお
いては、仮基板３１に軟磁性膜９０を形成し、基板６２
ａに絶縁層６２ｂを介して軟磁性膜９１を形成している
ので、軟磁性膜９０、９１の平坦性を高くすることが可
能となり、軟磁性膜９０、９１の比抵抗及び透磁率が高
くなってて特性が向上した薄膜トランス６１を製造する
ことができる。

【００８０】次に、本発明の第３の実施形態である薄膜
トランスを図６５〜６９を参照して説明する。尚、これ
らの図において、図１〜図４及び図２１〜図２５に示す
構成要素と同一の構成要素には同一符号を付してその説
明を省略する。

【００８１】図６５〜６９に示す薄膜インダクタ３０１
には、基体６２の四隅に位置して一面６３から側壁面３
０２、３０３を経て他面３２２に向けて延在する断面が
略コ字状の電極３６４、３６５、３６６、３６７が設け
られている。電極３６４は、基体６２の上面６３から露
出する導体６８に接続され、電極３６５は、上面２１か
ら露出する導体６９に接続され、電極３６６、３６７
は、上面６３から露出する導体７０、７１にそれぞれ接
続されている。また、電極３６４は、端子部３６４ａ
と、端子部３６４ａから基体６２の中央に向けて延在す
る竿部３６４ｂとからなり、導体６８は、電極３６４の
竿部３６４ｂに接続されている。

【００８２】この薄膜トランス３０１は、断面が略コ字
状の電極３６４、３６５、３６６、３６７を取り付ける
こと以外は、前述の薄膜トランス６１と同様の製造方法
により得られる。即ち、図２７〜図５７の各工程を経た
後に、図５７に示す積層物を切り出し、電極３６４、３
６５、３６６、３６７を取り付けることにより製造され
る。

【００８３】上述の薄膜トランス３０１は、前述した薄
膜インダクタ６１の効果と同様な効果に加えて、以下の
効果が得られる。即ち、上述の薄膜トランス３０１に
は、基体６２の一面６３から側壁面３０２、３０３を経
て他面３２２に向けて延在する断面が略コ字状の電極３
６４、３６５、３６６、３６７が設けられているので、
薄膜トランス３０１を回路基板等に実装する際に、電極
３６４、３６５、３６６、３６７を回路基板の端子等に
直接接触させて実装することが可能となり、薄膜トラン
ス３０１の回路基板に対する実装面積を小さくすること
ができる。従って、上述の薄膜トランス３０１は、従来
のチップ型回路素子の実装技術をそのまま用いて回路基
板等に実装することができる。また、電極３６４、３６
５、３６６、３６７は、導体６８、６９、７０、７１を
介してコイル８、９に接続されているので、コイル８、
９と電極３６４、３６５、３６６、３６７の間の電気抵
抗を小さくして薄膜トランス３０１の電力損失を小さく
することができる。

【００８４】次に、本発明の第４の実施形態である薄膜
トランスを図面を参照して説明する。図７０〜図７２は
第４の実施形態である薄膜トランス１４１を示す斜視図
であり、図７３は図７０のＸ−Ｘ’線の断面図である。
尚、これらの図において、前述した図１〜図４及び図２
１〜図２５に示す構成要素と同一の構成要素には同一符
号を付してその詳細な説明を省略する。図７０に示す薄
膜トランス１４１には、基体１４２と、基体１４２の四
隅に位置して一面１６２から側壁面１６０、１６１を経
て他面１６２に向けて延在する断面が略コ字状の４つの
電極１４３、１４４、１４５、１４６とが備えられてい
る。電極１４３、１４４は側壁面１６０の長手方向に沿
って並んで取り付けられ、かつそれぞれ上面１６２、下
面１６３に沿って折り曲げられて断面が略コ字状とされ
ている。電極１４５、１４６は側壁面１６１の長手方向
に沿って並んで取り付けられ、かつそれぞれ上面１６
２、下面１６３に沿って折り曲げられて断面が略コ字状
とされている。

【００８５】図７３に示すように、基体１４２は、２つ
の基板１４２ａ、１４２ｈと、これら基板１４２ａ、１
４２ｆに挟まれて積層された絶縁層１４２ｂ〜１４２ｇ
からなるものである。基板１４２ａ、１４２ｈ及び絶縁
層１４２ｂ〜１４２ｇの材質は、前述した基板２ａ及び
絶縁層２ｂ〜２ｅと同様である。

【００８６】図７１〜図７３に示すように、基体１４２
の内部には、２つの渦巻き状のコイル１４８、１４９が
互いに離間して対向するように設けられている。コイル
１４８は、絶縁層１４２ｅと絶縁層１４２ｆの間に設け
られ、絶縁層１４２ｆに沿ってその一端１４８ａから他
端１４８ｂに向けて渦巻き状に巻回されてなる。コイル
１４９は、絶縁層１４２ｃと絶縁層１４２ｄの間に設け
られ、絶縁層１４２ｃに沿ってその一端１４９ａから他
端１４９ｂに向けて渦巻き状に巻回されている。また、
コイル１４８、１４９は、基体１４２の上面１６２と平
行になるように巻回されている。なる。このようにして
コイル１４８、１４９は、互いに対向して設けられると
共に絶縁層１４２ｄ、１４２ｅにより離間されて互いに
絶縁されている。コイル１４８、１４９の材質は、前述
したコイル８、９と同様である。

【００８７】また、基体１４２の内部の２つのコイル１
４８、１４９の対向する側の反対側（外側）には、２つ
の軟磁性膜１５０、１５１が設けられている。軟磁性膜
１５０は、絶縁層１４２ｆと絶縁層１４２ｇの間に設け
られており、絶縁層１４２ｆによりコイル１４８と離間
されて絶縁されていると共に、コイル１４８と対向する
ように形成されている。軟磁性膜１５１は、絶縁層１４
２ｂ上に形成されると共に絶縁層１４２ｃに覆われてお
り、絶縁層１４２ｃによりコイル１４９と離間されて絶
縁されていると共に、コイル１４９と対向するように形
成されている。軟磁性膜１５０、１５１の材質は、前述
の軟磁性膜１０、１１と同様である。

【００８８】また、基体１４２の内部には、コイル１４
８の一端１４８ａ及び他端１４８ｂと電極１４５、１４
３とを接続する導体１５２、１５８が設けられ、コイル
１４９の一端１４９ａ及び他端１４９ｂと電極１４６、
１４４とをそれぞれ接続する導体１５３、１５９が設け
られている。導体１５２は、基体１４２のほぼ中央に位
置するコイル１４８の一端１４８ａから、基板１４２ｈ
に向けて延在する縦行導体１５５と、縦行導体１５５か
ら基体１４２の側壁面１６１に向けて延在する連結導体
１５４とからなる。連結導体１５４は側壁面１６１から
露出するように形成されている。導体１５８は、コイル
１４８の他端１４８ｂから基体１４２の側壁面１６０に
向けて延在し、かつ側壁面１６０に露出するように形成
されている。また、導体１５３は、基体１４２のほぼ中
央に位置するコイル１４９の一端１４９ａから基板１４
２ａに向けて延在する縦行導体１５７と、縦行導体１５
７から基体１４２の側壁面１６１に向けて延在する連結
導体１５６からなる。連結導体１５６は側壁面１６１か
ら露出するように形成されている。更に、導体１５９
は、コイル１４９の他端１４９ｂから基体１４２の側壁
面１６０に向けて延在し、かつ側壁面１６１に露出する
ように形成されている。

【００８９】また基体１４２には、絶縁層１４２ｄ、１
４２ｅの間に位置してこれら絶縁層１４２ｄ、１４２ｅ
を接合するための接着層２１が設けられている。接着層
２１は、絶縁層１４２ｄ、１４２ｅの間に位置すること
によって、２つの軟磁性膜１５０、１５１の間に位置す
ることになる。

【００９０】次に、上述の薄膜トランス１４１の製造方
法を図面を参照して説明する。この製造方法は、図７４
に示すように、基板１４２ａ（１４２ｈ）上に少なくと
も軟磁性膜１５１（１５０）、下部絶縁層１４２ｃ（１
４２ｆ）、コイル１４９（１４８）、上部絶縁層１４２
ｄ（１４２ｅ）を積層して構成部品２００を製造し、こ
れら基板１４２ａ、１４２ｈを積層することにより２つ
の構成部品２００、２００を接合して薄膜トランス素子
１４１ａとし、この薄膜トランス素子１４１ａを切り出
して薄膜トランス素子１４１ａの側壁面に電極１４３〜
１４６を取り付けて薄膜トランス１４１を得るものであ
る。

【００９１】まず、構成部品２００を製造する方法を図
７５〜図８１を参照して説明する。図７５において、基
板１４２ａ（１４２ｈ）上に略竿状の連結導体１５６
（１５４）を形成する。次に図７６において、基板１４
２ａ（１４２ｈ）と連結導体１５６（１５４）とを覆う
絶縁層１４２ｂ（１４２ｇ）を形成する。絶縁層１４２
ｂ（１４２ｇ）の表面は、ＣＭＰ等の手段により平坦化
することが好ましい。

【００９２】次に図７７において、絶縁層１４２ｂ（１
４２ｇ）上に軟磁性膜１５１（１５０）を形成する。軟
磁性膜１５１は、その中央に穴部１５１ａ（１５０ａ）
を有してその穴部１５１ａ（１５０ａ）から絶縁層１４
２ｂ（１４２ｇ）が露出するように略環状に形成する。
軟磁性膜１５１（１５０）は、平坦な絶縁層１４２ｂ
（１４２ｇ）上に形成されるので、軟磁性膜１５１（１
５０）の平坦性が高くなる。

【００９３】次に図７８において、絶縁層１４２ｂ（１
４２ｇ）と軟磁性膜１５１（１５０）を覆う絶縁層１４
２ｃ（１４２ｆ）（下部絶縁層）を形成する。また、絶
縁層１４２ｃ（１４２ｆ）の表面を研磨してこれらの表
面を平坦化することが好ましい。更に、絶縁層１４２ｃ
（１４２ｆ）及び絶縁層１４２ｂ（１４２ｇ）を貫通し
て連結導体１５６（１５４）の一端２７０ａ（２８０
ａ）を露出させる孔２０１（２１１）を設ける。孔２０
１（２１１）は、軟磁性膜１５１（１５０）の穴部１５
１ａ（１５０ａ）を貫通して軟磁性膜１５１（１５０）
と接触しないように形成する。次に図７９において、金
属を孔２０１（２１１）に埋めて縦行導体１５７（１５
５）を形成する。縦行導体１５７（１５５）は、連結導
体１５６（１５４）の一端２７０ａ（２８０ａ）と接続
するように形成する。次に図８０おいて、絶縁層１４２
ｃ（１４２ｆ）（下部絶縁層）上に渦巻き状のコイル１
４９（１４８）を形成する。コイル１４９（１４８）
は、一端１４９ａ（１４８ａ）から他端１４９ｂ（１４
８ｂ）に向けて渦巻き状に巻回するように形成する。コ
イル１４９（１４８）は、一端１４９ａ（１４８ａ）が
縦行導体１５７（１５５）に接続するように形成する。
また、コイルの他端１４９ｂ（１４８ｂ）に接続する略
竿状の導体１５９（１５８）を形成する。

【００９４】次に、図８１において、コイル１４９（１
４８）及び導体１５９（１５８）を埋めて絶縁層１４２
ｃ（１４２ｆ）（下部絶縁層）を覆う絶縁層１４２ｄ
（１４２ｅ）（上部絶縁層）を形成する。このようにし
て構成部品２００を製造する。

【００９５】次に、２つの構成部品２００、２００を接
合し、更に電極を取り付けて薄膜トランスを完成する方
法を図８２〜図８４を参照して説明する。まず、接着層
２１を、構成部品２００、２００の一方若しくは両方の
絶縁層１４２ｄ（１４２ｅ）に予め積層しておく。次
に、図８２に示すように、２つの構成部品２００、２０
０を接合する。このとき、各構成部品２００、２００の
絶縁層１４２ｄ、１４２ｅ（上部絶縁層）が接着層２１
を介して互いに向き合うように接合する。このようにし
て薄膜トランス素子１４１ａを形成する。

【００９６】次に、図８３に示すように、薄膜トランス
素子１４１ａを切り出す。このとき、薄膜トランス素子
１４１ａ（基体１４２）の側壁面１６０から導体１５
８、１５９が露出し、側壁面１６１から連結導体１５
４、１５６が露出するように薄膜トランス素子１４１ａ
を切り出す。最後に図８４に示すように、薄膜トランス
素子１４１ａ（基体１４２）の側壁面１６１から露出す
る連結導体１５４、１５６に電極１４５、１４６をそれ
ぞれ取り付け、側壁面１６０に露出する導体１５８、１
５９に電極１４３、１４４をそれぞれ取り付けて薄膜ト
ランス１４１を得る。

【００９７】上述の薄膜トランス１４１は、前述した薄
膜トランス１、６１の効果と同様な効果に加えて、以下
の効果が得られる。即ち上述の薄膜トランス１４１は、
基体１４２の側壁面１６０、１６１に電極１４３〜１４
６が取り付けられているので、薄膜トランス１４１を回
路基板等に実装する際に、電極１４３〜１４６を回路基
板の端子等に直接接触させて実装することが可能とな
り、薄膜トランス４１の回路基板に対する実装面積を小
さくすることができる。従って、上述の薄膜トランス１
４１は、従来のチップ型回路素子の実装技術をそのまま
用いて回路基板等に実装することができる。また、電極
１４３〜１４６は、導体１５２、１５３、１５８、１５
９を介してコイル１４８、１４９に接続されるので、コ
イル１４８、１４９と電極１４３〜１４６の間の電気抵
抗が小さくなって電力損失を小さくすることができる。

【００９８】上述の薄膜トランスの製造方法は、２つの
構成部品２００を形成し、これらを接合することにより
薄膜トランス１４１が得られるので、前述した薄膜トラ
ンス１、６１のように２つの異なる部品（上層部品、下
層部品）を製造する必要がなく、製造工程を簡略化して
薄膜トランス１４１の生産効率を高めることができる。

【００９９】

【実施例】（実験例１）ガラス基板板上に種々の組成の
軟磁性膜を成膜し、これらの軟磁性膜の飽和磁束密度、
比抵抗、保磁力及び透磁率を測定した。軟磁性膜の成膜
は、次のようにして行った。まず、ＲＦマグネトロンス
パッタ装置を用いて、Ｆｅターゲット上に本発明におけ
る元素Ｍの各種ペレットを配置した複合ターゲットを用
い、Ａｒ＋Ｏ₂（Ｏ₂濃度０.１〜１.０％）の雰囲気中で
スパッタを行ない、膜厚が約２μmになるようにスパッ
タ時間を調整した。主なスパッタ条件を以下に示す。 予備排気：１×１０^-6Ｔｏｒｒ以下 高周波電力：４００Ｗ Ａｒガス圧：６〜８×１０^-3Ｔｏｒｒ 基板：結晶化ガラス基板（間接水冷） 電極間距離：７２mm 成膜後、軟磁性膜の軟磁気特性を改善するため、真空加
熱炉中で、無磁場あるいは磁場中で３００〜６００℃の
温度範囲で６０〜３６０分間保持し徐冷するアニール処
理を行なった。得られた軟磁性膜の組成は、不活性ガス
融解赤外線吸収法により求めた。また、軟磁性膜の飽和
磁束密度（Ｂｓ）と保磁力（Ｈｃ）をＶＳＭにより測定
した。比抵抗（ρ）を４端子法により測定した。また、
１０ＭＨｚにおける透磁率（μeff）を測定した。結果
を表１に示す。

【０１００】

【表１】

【０１０１】表１から、Ｆｅの含有量が少ないと比抵抗
が増加することがわかる。また、Ｆｅの含有量が多くと
も、例えばＨｆが５原子％未満のもの又は酸素が１０原
子％未満のものは、比抵抗が小さくなることがわかる。
なお、表１に示したＦｅ_46.2Ｈｆ_18.2Ｏ_35.6の試料の比
抵抗の値は、熱処理前においては１９４０００μΩ・ｃ
ｍであり、組成、熱処理温度を最適化することにより
２.０×１０⁵μΩ・ｃｍ程度の比抵抗が得られることが
期待できる。

【０１０２】（実験例２）外部磁界の周波数を変化させ
て軟磁性膜の透磁率（μeff）を測定した。試験に供し
た軟磁性膜は、Ｆｅ_54.9Ｈｆ₁₁Ｏ_34.1、センダスト膜、
Ｃｏ系アモルファスリボンを使用し、回転磁場中で４０
０℃で６時間の熱処理を施した。なお、Ｆｅ_54.9Ｈｆ₁₁
Ｏ_34.1なる組成の軟磁性膜は、実験例１で得られたもの
を用いた。測定結果を図８０に示す。尚、図８０中、Ｆ
ｅ_54.9Ｈｆ₁₁Ｏ_34.1は実線、センダスト膜は点線、Ｃｏ
系アモルファスリボンは一点鎖線で示した。図８５か
ら、センダスト膜やＣｏ系アモルファスリボンは高周波
帯域になるにつれて透磁率が低下してしまっている。し
かしながら、Ｆｅ_54.9Ｈｆ₁₁Ｏ_34.1なる組成の軟磁性合
金は、高周波帯域であっても高い透磁率を維持している
ことが明白であり、高周波用磁性材料として非常に優れ
ていることがわかる。

【０１０３】（実験例３）実験例１で得られたＦｅ_54.9
Ｈｆ₁₁Ｏ_34.1 、Ｆｅ_46.2Ｈｆ_18.2Ｏ_35.6なる組成の軟
磁性膜について、これらの軟磁性膜の金属組織を、透過
型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて観察し、金属組織の微小領
域の組成比をエネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＳ）
にて測定した。結果を図８６〜図８９に示す。

【０１０４】図８６には、Ｆｅ_54.9Ｈｆ₁₁Ｏ_34.1なる組
成の軟磁性膜の成膜後における金属組織写真の模式図を
示す。この図において斜線を施した領域は、ｂｃｃ構造
のＦｅの微結晶質相が析出し、他の非晶質組織と異なっ
た組織になっている。図８６に示すように斜線部分の面
積を計算したところ、総面積の約５０％となり、この例
の軟磁性膜においては、Ｆｅの微結晶質相の割合が約５
０％、非晶質相の割合が約５０％になっていることが明
らかになった。また、図８６に示した５ｎｍの大きさの
目盛りから判断すると、いずれの結晶粒子も充分に小さ
な結晶粒径を示していることが判明し、平均結晶粒径を
計算したところその値は７ｎｍとなった。

【０１０５】図８７は、Ｆｅ_46.2Ｈｆ_18.2Ｏ_35.6なる組
成の軟磁性膜の成膜後における金属組織写真の模式図を
示す。この図において斜線を施した領域は、ｂｃｃ構造
のＦｅの微結晶質相が析出し、他の非晶質組織と異なっ
た組織になっている。図８７に示すように斜線部分の面
積を計算したところ、総面積の約１０％となり、この例
の軟磁性膜においては、Ｆｅの微結晶相の割合が約１０
％になっていることが明らかになった。また、図８７に
示した５ｎｍの大きさの目盛りから判断すると、いずれ
の結晶粒子も更に小さな結晶粒径を示していることが判
明し、平均結晶粒径を計算したところその値は４ｎｍと
なった。

【０１０６】次に、図８８には、図８７の模式図に示し
た軟磁性膜の結晶質相のＥＤＳによる分析結果を示し、
図８９に同じ軟磁性膜の非晶質相の分析結果を示す。こ
れらの結果から、結晶質相の部分は主にｂｃｃ構造のＦ
ｅが多く含まれ、非晶質相の部分はＨｆとＯとが高濃度
に含まれていることがわかる。なお、図中において、Ｃ
ｕのピークが出ているのは、ＥＤＳの試料ホルダによる
ものである。

【０１０７】図８６と図８７から得られた結果と、先に
示した表１に示す特性値を対照してみると、図８６に示
す金属組織の試料よりも図８７に示す金属組織の試料の
方が非晶質相の割合が大きいが、この非晶質相の割合が
大きいことにより表１に示すように比抵抗の値が大幅に
増加し、保磁力は殆ど変化していない。よって、Ｆｅ微
結晶相の割合を減少させて非晶質相の割合を増やすこと
により保磁力を変化させることなく比抵抗を大幅に増加
できることが判明した。

【０１０８】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
薄膜トランスは、基体の内部に２つのコイルと２つの軟
磁性膜が設けられているので、薄膜トランスの形状を小
型化することができる。また、２つの軟磁性膜が、２つ
のコイルを挟んで２つのコイルと対向するように設けら
れているので、各コイルのインダクタンスを高くして薄
膜トランスの特性を向上できると共に、各コイルから発
生する磁束が薄膜トランスの外部に漏れることがない。
また、本発明の薄膜トランスは、コイルが渦巻き状に形
成されているので、薄膜トランスの総高を低くすると共
にコイルの占める面積を小さくして、薄膜トランスを小
型化することができる。更にまた、４つの電極は、導体
を介して２つのコイルの両端にそれぞれ接続されてお
り、コイルと電極の接触抵抗が小さくなるので、薄膜ト
ランスの電力損失を小さくすることができる。

【０１０９】本発明の薄膜トランスにおいては、基体が
基板と複数の絶縁層及び接着層からなるので、薄膜トラ
ンスの総高を小さくできる。また、本発明の薄膜トラン
スにおいては、複数の絶縁層が２つのコイル及び２つの
軟磁性膜の間に配置されているので、２つのコイル及び
２つの軟磁性膜をそれぞれ絶縁することができる。ま
た、接着層が２つの軟磁性膜の間に配置されているの
で、２つのコイル同士の絶縁を更に高めることができ
る。また、本発明の上述の薄膜トランスにおいては、軟
磁性膜が基板上に形成されているので、軟磁性膜の平坦
性を高くすることが可能となり、軟磁性膜の比抵抗が高
くなって透磁率が大きくなり、薄膜トランスの特性を向
上できる。

【０１１０】また、本発明の薄膜トランスにおいては、
基体が２つの基板とこれらの基板に挟まれた複数の絶縁
層及び接着層からなり、２つの軟磁性膜が絶縁層を介し
てこれらの基板上に形成されているので、軟磁性膜の平
坦性を高くすることが可能となり、軟磁性膜の比抵抗が
高くなって透磁率が大きくなり、薄膜トランスの特性を
向上できる。

【０１１１】更に、基体の一面に４つの電極が取り付け
られているので、薄膜トランスを回路基板等に実装する
際に、４つの電極を回路基板の端子等に直接接触させて
実装することが可能となり、薄膜トランスの実装が容易
になると共に、薄膜トランスの回路基板に対する実装面
積を小さくすることができる。

【０１１２】本発明の薄膜トランスは、基体の側壁面に
４つの電極が取り付けられているので、薄膜トランスを
回路基板等に実装する際に、電極を回路基板の端子等に
直接接触させて実装することが可能となり、薄膜トラン
スの実装が容易になると共に、薄膜トランスの回路基板
に対する実装面積を小さくすることができる。従って、
本発明の薄膜トランスは、従来のチップ型回路素子の実
装技術をそのまま用いて回路基板等に実装することがで
きる。更に、本発明の薄膜トランスは、基体の一面から
側壁面に向けて延在する電極が備えられており、この電
極は、基体の一面から露出する導体に取り付けられてい
るので、電極と導体の接続部分における接触面積を大き
くすることが可能になって、電極と導体の間の接触抵抗
を低減でき、薄膜トランスの電力損失をより低減できる
と共に、電極を回路基板の端子等に直接接触させて実装
することが可能となり、薄膜トランスの回路基板に対す
る実装面積を小さくすることができる。

【０１１３】また、本発明の薄膜トランスは、電極にバ
ンプ状の半田メッキが形成されているので、薄膜トラン
スを回路基板等の所定に位置に配置して加熱することに
より半田が溶解して薄膜トランスを回路基板に容易に実
装することができる。

【０１１４】本発明の薄膜トランスにおいては、２つの
軟磁性膜が微細結晶質相と非晶質相とが混在した組織を
有するＦｅ若しくはＣｏを主体とする合金からなり、軟
磁性膜の飽和磁束密度を高くし、かつ比抵抗を高くする
ことができるので、渦電流の発生を抑えて高周波数帯域
における透磁率の低下を防止してコイルのインダクタン
スを高めることが可能となり、薄膜トランスの特性を向
上することができる。

【０１１５】また、軟磁性膜と基板との間に、Ｓｉ、Ｓ
ｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ₃Ｎ₄のうちの少なくとも１種ま
たは２種以上からなる下地層が設けられているので、基
板２ａの表面粗さや熱膨張の影響が軟磁性膜１０及ぶの
を防ぐことができる。更に、基板は、ポリイミド系樹脂
またはノボラック系樹脂等からなるので、エッチングの
際においてエッチング液による浸食を防ぐことができ
る。

【０１１６】本発明の薄膜トランスの製造方法は、基板
に少なくとも軟磁性膜、下部絶縁層、上部コイル、上部
絶縁層を積層してなる上層部品と、仮基板に少なくとも
磁性膜、下部絶縁層、下部コイル、上部絶縁層を積層し
てなる下層部品とを予め製造し、これら上層部品と下層
部品を接合するので、軟磁性膜、下部絶縁層、コイル、
上部絶縁層の平坦性が高くなり、１つの基板上に多数の
絶縁層を積層することによる各層の平坦性の低下という
問題が生じないので、薄膜トランスの不良発生を低減す
ることができる。また、上層部品及び下層部品の形成時
には、コイル上には上部絶縁層を形成するだけなので、
絶縁層の積層によるコイルへの応力の印加を小さくする
ことが可能となって製造中にコイルが切断されることが
なく、薄膜トランスの製造工程における不良発生を低減
することができる。更に、上層部品と下層部品を接合
し、上層部品の仮基板を除去するので、総高が小さい薄
膜トランスを製造できる。また、仮基板及び基板にそれ
ぞれ軟磁性膜を形成しているので、２つの軟磁性膜の平
坦性を高くすることが可能となり、軟磁性膜の軟磁気特
性が向上して特性が良好な薄膜トランスを製造できる。
また、２つの軟磁性膜は仮基板、基板にそれぞれ形成さ
れるので、その後の工程において軟磁性膜、仮基板及び
基板が加熱されても仮基板及び基板から揮発成分が生じ
ることなく、軟磁性膜が変質することがないので、軟磁
性膜の軟磁気特性及び比抵抗の変動を抑えて、品質が安
定した薄膜トランスを製造することができる。

【０１１７】本発明の薄膜トランスの製造方法において
は、下層部品に下部コイルの一端と他端を露出させる２
つの第２連通孔を設け、上層部品に２つの第１連通孔を
設け、これら第１連通孔と第２連通孔の位置を合わせて
上層部品と下層部品を接合することにより、第２連通孔
と第１連通孔が連通して２つの孔が形成され、これらの
孔に下部導体が形成されるので、上層部品と下層部品を
接合した後に孔を形成する場合と比較して孔の形状にゆ
がみ等が発生することなく、上部導体の形状がゆがむこ
となく下部導体の導電性を高くできるので、電力損失が
小さい薄膜トランスを製造できる。

【０１１８】また、本発明の薄膜トランスの製造方法に
おいては、下部コイルの一端に接続導体を取り付け、下
層部品に下部コイルの他端及び接続導体の一端を露出さ
せる２つの第２連通孔を設け、上層部品に２つの第１連
通孔を設け、これら第１連通孔と第２連通孔との位置を
合わせて上層部品と下層部品を接合し、第２連通孔と第
１連通孔が連通して２つの孔が形成され、これらの孔に
下部導体が形成されるので、接続導体の形成位置を変え
ることによって下部コイルの他端に繋がる電極の位置を
自由に変更することが可能となり、薄膜トランスの設計
の自由度を高くすることができる。更に、本発明の薄膜
トランスの製造方法においては、上層部品の下部絶縁層
に２つの上部導体を形成し、この上部導体にコイルの一
端と他端が接続するように上部コイルを形成し、更に上
層部品と下層部品を接合し仮基板を除去した後に、上部
導体に電極を取り付けるので、コイルと電極との接触抵
抗を小さくして電力損失が小さい薄膜トランスを製造す
ることができる。

【０１１９】本発明の薄膜トランスの製造方法は、２つ
の構成部品を形成し、これらを接合することにより薄膜
トランスが得られるので、製造工程を簡略化して薄膜ト
ランスの生産効率を高めることができる。また、本発明
の薄膜トランスの製造方法においては、電極とコイルと
を接続する接続導体を形成するので、コイルと電極の接
触抵抗が小さくなって電力損失が小さい薄膜トランスを
製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施形態である薄膜トランス
の斜視図である。

【図２】 本発明の第１の実施形態である薄膜トランス
の斜視透視図である。

【図３】 本発明の第１の実施形態である薄膜トランス
の斜視透視図である。

【図４】 本発明の第１の実施形態である薄膜トランス
を示す図であって、図１に示す薄膜トランスのＸ−Ｘ’
線の断面図である。

【図５】 本発明の第１の実施形態である薄膜トランス
の製造方法を説明する工程図である。

【図６】 本発明の第１の実施形態である薄膜トランス
の上層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図７】 本発明の第１の実施形態である薄膜トランス
の上層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図８】 本発明の第１の実施形態である薄膜トランス
の上層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図９】 本発明の第１の実施形態である薄膜トランス
の上層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図１０】 本発明の第１の実施形態である薄膜トラン
スの上層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図１１】 本発明の第１の実施形態である薄膜トラン
スの下層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図１２】 本発明の第１の実施形態である薄膜トラン
スの下層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図１３】 本発明の第１の実施形態である薄膜トラン
スの下層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図１４】 本発明の第１の実施形態である薄膜トラン
スの下層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図１５】 本発明の第１の実施形態である薄膜トラン
スの下層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図１６】 本発明の第１の実施形態である薄膜トラン
スの製造方法を説明する断面図である。

【図１７】 本発明の第１の実施形態である薄膜トラン
スの製造方法を説明する断面図である。

【図１８】 本発明の第１の実施形態である薄膜トラン
スの製造方法を説明する断面図である。

【図１９】 本発明の第１の実施形態である薄膜トラン
スの製造方法を説明する断面図である。

【図２０】 本発明の第１の実施形態である薄膜トラン
スの製造方法を説明する断面図である。

【図２１】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの斜視図である。

【図２２】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの斜視透視図である。

【図２３】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの斜視透視図である。

【図２４】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スを示す図であって、図２１に示す薄膜トランスのＸ−
Ｘ’線の断面図である。

【図２５】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スを示す図であって、図２１に示す薄膜トランスのＹ−
Ｙ’線の断面図である。

【図２６】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの製造方法を説明する工程図である。

【図２７】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの上層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図２８】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの上層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図２９】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの上層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図３０】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの上層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図３１】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの上層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図３２】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの上層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図３３】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの上層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図３４】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの上層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図３５】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの上層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図３６】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの上層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図３７】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの下層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図３８】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの下層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図３９】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの下層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図４０】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの下層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図４１】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの下層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図４２】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの下層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図４３】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの下層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図４４】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの下層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図４５】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの下層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図４６】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの下層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図４７】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの下層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図４８】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの下層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図４９】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの下層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図５０】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの下層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図５１】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの下層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図５２】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの下層部品の製造方法を説明する断面図である。

【図５３】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの製造方法を説明する断面図である。

【図５４】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの製造方法を説明する断面図である。

【図５５】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの製造方法を説明する断面図である。

【図５６】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの製造方法を説明する断面図である。

【図５７】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの製造方法を説明する断面図である。

【図５８】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの製造方法を説明する断面図である。

【図５９】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの製造方法を説明する断面図である。

【図６０】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの製造方法を説明する断面図である。

【図６１】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの製造方法を説明する断面図である。

【図６２】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの製造方法を説明する断面図である。

【図６３】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの製造方法を説明する断面図である。

【図６４】 本発明の第２の実施形態である薄膜トラン
スの製造方法を説明する断面図である。

【図６５】 本発明の第３の実施形態である薄膜トラン
スの斜視図である。

【図６６】 本発明の第３の実施形態である薄膜トラン
スの斜視透視図である。

【図６７】 本発明の第３の実施形態である薄膜トラン
スの斜視透視図である。

【図６８】 本発明の第３の実施形態である薄膜トラン
スを示す図であって、図６５に示す薄膜トランスのＸ−
Ｘ’線の断面図である。

【図６９】 本発明の第３の実施形態である薄膜トラン
スを示す図であって、図６５に示す薄膜トランスのＹ−
Ｙ’線の断面図である。

【図７０】 本発明の第４の実施形態である薄膜トラン
スの斜視図である。

【図７１】 本発明の第４の実施形態である薄膜トラン
スの斜視透視図である。

【図７２】 本発明の第４の実施形態である薄膜トラン
スの斜視透視図である。

【図７３】 本発明の第４の実施形態である薄膜トラン
スを示す図であって、図７０に示す薄膜トランスのＸ−
Ｘ’線の断面図である。

【図７４】 本発明の第４の実施形態である薄膜トラン
スの製造方法を説明する工程図である。

【図７５】 本発明の第４の実施形態である薄膜トラン
スの構成部品の製造方法を説明する断面図である。

【図７６】 本発明の第４の実施形態である薄膜トラン
スの構成部品の製造方法を説明する断面図である。

【図７７】 本発明の第４の実施形態である薄膜トラン
スの構成部品の製造方法を説明する断面図である。

【図７８】 本発明の第４の実施形態である薄膜トラン
スの構成部品の製造方法を説明する断面図である。

【図７９】 本発明の第４の実施形態である薄膜トラン
スの構成部品の製造方法を説明する断面図である。

【図８０】 本発明の第４の実施形態である薄膜トラン
スの構成部品の製造方法を説明する断面図である。

【図８１】 本発明の第４の実施形態である薄膜トラン
スの構成部品の製造方法を説明する断面図である。

【図８２】 本発明の第４の実施形態である薄膜トラン
スの製造方法を説明する断面図である。

【図８３】 本発明の第４の実施形態である薄膜トラン
スの製造方法を説明する断面図である。

【図８４】 本発明の第４の実施形態である薄膜トラン
スの製造方法を説明する断面図である。

【図８５】 本発明に係るＦｅ_54.9Ｈｆ₁₁Ｏ_34.1なる組
成の軟磁性膜とセンダスト膜とＣｏ系アモルファスリボ
ンの外部磁界の周波数と透磁率の関係を示すグラフであ
る。

【図８６】 本発明に係るＦｅ_54.9Ｈｆ₁₁Ｏ_34.1なる組
成の軟磁性膜の金属組織の模式図である。

【図８７】 本発明に係るＦｅ_46.2Ｈｆ_18.2Ｏ_35.6なる
組成の軟磁性膜の金属組織の模式図である。

【図８８】 本発明に係るＦｅ_46.2Ｈｆ_18.2Ｏ_35.6なる
組成の軟磁性膜の結晶質相におけるエネルギー分散型Ｘ
線分析装置（ＥＤＳ）による分析結果を示す図である。

【図８９】 本発明に係るＦｅ_46.2Ｈｆ_18.2Ｏ_35.6なる
組成の軟磁性膜の非晶質相におけるエネルギー分散型Ｘ
線分析装置（ＥＤＳ）による分析結果を示す図である。

【図９０】 従来の薄膜トランスを示す断面図である。

【符号の説明】

１ 薄膜トランス ２ 基体 ２ａ 基板 ２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ 絶縁層 ３ 上面 ４、５、６、７ 電極 ８、９ コイル １０、１１ 軟磁性膜 １２、１３、１４、１５ 導体 ２１ 接着層 ２２ 下地層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 41/10 Ｈ０１Ｆ 41/10 Ｃ (72)発明者 梅津 英治 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 森田 澄人 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 畑内 隆史 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 Ｆターム(参考） 5E043 AA07 AB09 EA03 EA05 EA06 EB01 5E044 AA06 AA09 CA03 CA04 CA05 CA07 CA08 CA09 CB10 5E049 AA01 AA09 AC00 BA14 5E062 DD01 FG01 FG07 FG12 5E070 AA11 AB01 BA20 BB02 CB12 CB17 CB18 CC10 EA01 EA10

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基体の外面に４つの電極が取り付けら
   れ、該基体の内部に２つの渦巻き状のコイルが互いに離
   間かつ対向するように設けられ、前記基体の内部の前記
   ２つのコイルの各々の外側に２つの軟磁性膜が前記２つ
   のコイルとそれぞれ離間かつ対向するように設けられ、 前記基体の内部に前記の２つのコイルの各両端と前記の
   ４つの電極とをそれぞれ接続する導体が設けられてなる
   ことを特徴とする薄膜トランス。
2. 【請求項２】 前記基体は、基板に複数の絶縁層と接着
   層が積層されてなり、 前記複数の絶縁層が、前記２つのコイルと前記２つの軟
   磁性膜の間及び前記２つのコイル同士の間にそれぞれ配
   置されて、前記２つのコイル及び前記２つの軟磁性膜を
   それぞれ離間し、 かつ前記接着層が前記２つの軟磁性膜の間に配置される
   ように構成されたことを特徴とする請求項１記載の薄膜
   トランス。
3. 【請求項３】 前記２つの軟磁性膜のいずれか一方が前
   記基板上に形成されたことを特徴とする請求項２記載の
   薄膜トランス。
4. 【請求項４】 前記基体は、２つの基板に複数の絶縁層
   と接着層とが挟まれてなり、 前記２つの軟磁性膜が前記絶縁層を介して前記２つの基
   板上に各々形成されるとともに、 前記複数の絶縁層が、前記２つのコイルと前記２つの軟
   磁性膜の間及び前記２つのコイル同士の間にそれぞれ配
   置されて、前記２つのコイル及び前記２つの軟磁性膜を
   それぞれ離間し、 かつ前記接着層が前記２つの軟磁性膜の間に配置される
   ように構成されたことを特徴とする請求項１記載の薄膜
   トランス。
5. 【請求項５】 前記４つの電極が前記基体の一面に取り
   付けられたことを特徴とする請求項１記載の薄膜トラン
   ス。
6. 【請求項６】 前記４つの電極が前記基体の少なくとも
   １以上の側壁面に取り付けられたことを特徴とする請求
   項１記載の薄膜トランス。
7. 【請求項７】 前記４つの電極が前記基体の一面から側
   壁面に向けて延在するように取り付けられたことを特徴
   とする請求項１記載の薄膜トランス。
8. 【請求項８】 前記４つの電極にバンプ状の半田メッキ
   が形成されたことを特徴とする請求項１または請求項５
   記載の薄膜トランス。
9. 【請求項９】 前記２つの軟磁性膜は、微細結晶質相と
   非晶質相とが混在した組織を有する合金であり、 前記微細結晶質相は、平均結晶粒径が３０ｎｍ以下のｂ
   ｃｃ構造、ｈｃｐ構造、ｆｃｃ構造のうちの１種または
   ２種以上の混成構造から構成されてＦｅ若しくはＣｏを
   主体としてなり、 前記非晶質相は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、
   Ｗ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｇａ、Ｇｅ及び希
   土類元素のうちの少なくとも１種または２種以上からな
   る元素Ｍ及び酸素を主体としてなることを特徴とする請
   求項１〜４のいずれかに記載の薄膜トランス。
10. 【請求項１０】 前記２つの軟磁性膜は、下記の組成式
    で表されるものであることを特徴とする請求項１、２、
    ３、４、９のいずれかに記載の薄膜トランス。 （Ｆｅ_1-aＣｏ_a）_100-y-z-wＭ_yＬ_zＯ_w 但しＭは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａ
    ｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｇａ、Ｇｅ及び希土類元
    素のうちの少なくとも１種または２種以上の元素を表
    し、Ｌは、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｓ
    ｎ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうちの少なくとも１種ま
    たは２種以上の元素を表し、Ｏは酸素を表し、組成比を
    示すａ、ｙ、ｚ、ｗは、０≦ａ≦０．５、５原子％≦ｙ
    ≦３０原子％、０原子％≦ｚ≦２０原子％、５原子％≦
    ｙ＋ｚ≦４０原子％、１０原子％≦ｗ≦４０原子％であ
    る。
11. 【請求項１１】 前記軟磁性膜と前記基板との間に下地
    層が形成され、該下地層は、Ｓｉ、ＳｉＯ₂、Ａｌ
    ₂Ｏ₃、Ｓｉ₃Ｎ₄のうちの少なくとも１種または２種以上
    からなることを特徴とする請求項３記載の薄膜トラン
    ス。
12. 【請求項１２】 少なくとも前記軟磁性膜あるいは前記
    絶縁層が積層される前記基板の上面が、絶縁材料からな
    ることを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の薄
    膜トランス。
13. 【請求項１３】 前記基板が絶縁材料からなることを特
    徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の薄膜トラン
    ス。
14. 【請求項１４】 前記絶縁材料は、ポリイミド系樹脂ま
    たはノボラック系樹脂あるいはガラスからなることを特
    徴とする請求項１２ないし請求項１３記載の薄膜トラン
    ス。
15. 【請求項１５】 基体の外面に４つの電極が取り付けら
    れ、該基体の内部に２つの渦巻き状のコイルと２つの軟
    磁性膜とが設けられ、かつ前記の２つのコイルの各両端
    と前記４つの電極とをそれぞれ接続する導体が設けられ
    てなる薄膜トランスを製造する際に、 仮基板に少なくとも軟磁性膜と下部絶縁層と渦巻き状の
    上部コイルと上部絶縁層を積層して上層部品を形成し、 基板に少なくとも軟磁性膜と下部絶縁層と渦巻き状の下
    部コイルと上部絶縁層を積層して下層部品を形成し、 前記上層部品の上部絶縁層及び／または前記下層部品の
    上部絶縁層に接着層を積層し、該接着層を介して前記の
    各上部絶縁層が向き合うようにして前記上層部品と前記
    下層部品とを接合し、 前記仮基板を除去することを特徴とする薄膜トランスの
    製造方法。
16. 【請求項１６】 前記下層部品に前記上部絶縁層を貫通
    して前記下部コイルの両端を露出させる２つの第２連通
    孔を設け、前記上層部品に前記上部絶縁層及び前記下部
    絶縁層を貫通して前記仮基板を露出させる２つの第１連
    通孔を設け、 前記２つの第１連通孔と前記２つの第２連通孔とをそれ
    ぞれ連通させるように前記上層部品と前記下層部品を接
    合し、 前記仮基板を除去し、前記第１連通孔と前記第２連通孔
    が連通して形成された２つの孔に前記下部コイルの両端
    とそれぞれ接続する２つの下部導体を形成し、該２つの
    下部導体に２つの前記電極をそれぞれ取り付けることを
    特徴とする請求項１５記載の薄膜トランスの製造方法。
17. 【請求項１７】 前記下部コイルの一端に接続導体を取
    り付け、前記下層部品に前記上部絶縁層を貫通して前記
    下部コイルの他端及び前記接続導体の一端を露出させる
    ２つの第２連通孔を設け、前記上層部品に前記上部絶縁
    層及び前記下部絶縁層を貫通して前記仮基板を露出させ
    る２つの第１連通孔を設け、 前記２つの第１連通孔と前記２つの第２連通孔とをそれ
    ぞれ連通させるように前記上層部品と前記下層部品を接
    合し、 前記仮基板を除去し、前記第１連通孔と前記第２連通孔
    が連通して形成された２つの孔に前記下部コイルの他端
    及び前記接続導体の一端とそれぞれ接続する２つの下部
    導体を形成し、該２つの下部導体に２つの前記電極をそ
    れぞれ取り付けることを特徴とする請求項１５記載の薄
    膜トランスの製造方法。
18. 【請求項１８】 前記上層部品の前記下部絶縁層に前記
    仮基板を露出させる２つの孔を設け、該２つの孔にそれ
    ぞれ上部導体を形成し、前記２つの上部導体に前記上部
    コイルの両端がそれぞれ接続するように前記上部コイル
    を形成し、 前記仮基板を除去し、前記２つの上部導体に２つの前記
    電極を取り付けることを特徴とする請求項１５記載の薄
    膜トランスの製造方法。
19. 【請求項１９】 基体の外面に４つの電極が取り付けら
    れ、該基体の内部に２つの渦巻き状のコイルと２つの軟
    磁性膜とが設けられ、前記の２つのコイルの各両端と前
    記４つの電極とをそれぞれ接続する導体が設けられてな
    る薄膜トランスを製造する際に、 基板に少なくとも軟磁性膜と下部絶縁層と渦巻き状のコ
    イルと上部絶縁層を積層してなる構成部品を２つ形成
    し、 前記２つの構成部品のいずれか一方または両方の前記上
    部絶縁層に接着層を積層し、該接着層を介して前記の各
    上部絶縁層が向き合うようにして前記２つの構成部品を
    接合することを特徴とする薄膜トランスの製造方法。
20. 【請求項２０】 前記構成部品に、前記コイルの両端か
    ら前記構成部品の側壁面に露出する２つの導体を形成
    し、 前記２つの構成部品を接合させた後に、前記の各導体に
    接続する電極を取り付けることを特徴とする請求項１９
    記載の薄膜トランスの製造方法。
21. 【請求項２１】 前記２つの軟磁性膜は、微細結晶質相
    と非晶質相とが混在した組織を有する合金であり、前記
    微細結晶質相は、平均結晶粒径が３０ｎｍ以下のｂｃｃ
    構造、ｈｃｐ構造、ｆｃｃ構造のうちの１種または２種
    以上の混成構造から構成されてＦｅ若しくはＣｏを主体
    としてなり、前記非晶質相は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、
    Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｇ
    ａ、Ｇｅ及び希土類元素のうちの少なくとも１種または
    ２種以上からなる元素Ｍ及び酸素を主体としてなること
    を特徴とする請求項１５または請求項１９記載の薄膜ト
    ランスの製造方法。
22. 【請求項２２】 前記２つの軟磁性膜は、下記の組成式
    で表されるものであることを特徴とする請求項１５、１
    ９、２１のいずれかに記載の薄膜トランスの製造方法。 （Ｆｅ_1-aＣｏ_a）_100-y-z-wＭ_yＬ_zＯ_w 但しＭは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａ
    ｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｇａ、Ｇｅ及び希土類元
    素のうちの少なくとも１種または２種以上の元素を表
    し、Ｌは、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｓ
    ｎ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうちの少なくとも１種ま
    たは２種以上の元素を表し、Ｏは酸素を表し、組成比を
    示すａ、ｙ、ｚ、ｗは、０≦ａ≦０．５、５原子％≦ｙ
    ≦３０原子％、０原子％≦ｚ≦２０原子％、５原子％≦
    ｙ＋ｚ≦４０原子％、１０原子％≦ｗ≦４０原子％であ
    る。