JP2000114045A - 薄膜インダクタ及び薄膜インダクタの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型で実装密度を高くすることが可能であ
り、特性も良好な薄膜インダクタを提供する。 【解決手段】 基体２の外面に２つの電極３、４が取り
付けられ、基体２の内部に自己インダクタンスとして作
用する導体５が設けられ、基体２の一面２２と導体５と
の間及び／または導体５と基体２の他面２３との間に位
置して導体５と離間かつ対向する１つまたは２つの磁性
膜６、７が設けられ、基体２の内部に導体５の両端５
ａ、５ｂと２つの電極３、４をそれぞれ接続する接続導
体８、９が設けられてなることを特徴とする薄膜インダ
クタ１を採用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜インダクタ及
びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化、軽量化の要請
に対応するために、回路素子の小型化、回路基板に対す
る各種回路素子の実装密度の高密度化が進められてい
る。例えば、チップ型と呼ばれる抵抗またはコンデンサ
は、外部電極と抵抗素子またはコンデンサ素子とが直接
接続されてなるものであり、外部電極が回路基板上に直
接半田付けされて実装されるので、回路素子１個当たり
の実装面積を小さくして実装密度を高めることが可能で
ある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】一方、磁気素子につい
ても、薄膜インダクタの開発が精力的に進められてお
り、磁気素子自体の小型化、軽量化が進んでいる。しか
し、従来の薄膜インダクタは、回路基板にリード線を介
して実装されており、実装密度を高くすることが困難で
あるという課題があった。

【０００４】また、薄膜インダクタの小型化の要請に伴
い、薄膜インダクタに用いる軟磁性膜として数１００Ｍ
Ｈｚ以上の周波数における透磁率が高い軟磁性膜が求め
られている。透磁率を高めるには軟磁性膜の渦電流損失
の抑制が有効であり、具体的には軟磁性膜の薄膜化、高
比抵抗化といった手段が有効である。しかし、軟磁性膜
の軟磁気特性を保ちつつ比抵抗を高くすることは困難で
あり、また、軟磁性膜を薄くすると磁歪の影響が大きく
なって良好な軟磁気特性を得ることが困難となり、特性
が良好な薄膜インダクタを得ることができないという課
題があった。

【０００５】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、小型で実装密度を高くすることが
可能であり、特性も良好な薄膜インダクタを提供し、小
型で特性が良好な薄膜インダクタの製造方法を提供する
ことを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明の薄膜イ
ンダクタは、基体の外面に２つの電極が取り付けられ、
該基体の内部に自己インダクタンスとして作用する導体
が設けられ、前記基体の一面と前記導体との間及び／ま
たは前記導体と前記基体の他面との間に位置して前記導
体と離間かつ対向する１つまたは２つの磁性膜が設けら
れ、前記基体の内部に前記導体の両端と前記の２つの電
極をそれぞれ接続する接続導体が設けられてなることを
特徴とする。また、本発明の薄膜インダクタは、先に記
載の薄膜インダクタであって、前記基体は、基板と複数
の絶縁膜とが少なくとも積層されてなり、前記軟磁性膜
の１つが、前記基板上に形成され、前記絶縁膜の少なく
とも１つが、前記軟磁性膜と前記導体との間に配置され
て前記軟磁性膜と前記導体が離間されたことを特徴とす
る。

【０００７】また、本発明の薄膜インダクタは、先に記
載の薄膜インダクタであって、前記基体は、基板と複数
の絶縁膜と接着層とが少なくとも積層されてなり、前記
軟磁性膜の１つが、前記基板上に形成され、前記絶縁膜
の少なくとも１つが、前記軟磁性膜と前記導体との間に
配置されて前記軟磁性膜と前記導体が離間され、前記接
着層が、前記軟磁性膜と前記導体との間に配置されるよ
うに構成されたことを特徴とする。更に、本発明の薄膜
インダクタは、先に記載の薄膜インダクタであって、前
記基体は、２つの基板に複数の絶縁膜と接着層とが挟ま
れてなり、前記軟磁性膜の１つが前記一方の基板上に形
成され、前記絶縁膜の少なくとも１つが、前記軟磁性膜
と前記導体との間に配置されて前記軟磁性膜が前記導体
と離間して設けられ、前記接着層が、前記軟磁性膜と前
記導体との間に配置されるように構成されたことを特徴
とする。

【０００８】本発明の薄膜インダクタは、先に記載の薄
膜インダクタであって、前記２つの電極が前記基体の一
面に取り付けられたことを特徴とする。この場合、電極
は、基体の一面に露出する接続導体の先端に接続されて
いることが好ましい。また、本発明の薄膜インダクタ
は、先に記載の薄膜インダクタであって、前記２つの電
極が前記基体の少なくとも１以上の側壁面に取り付けら
れたことを特徴とする。この場合、電極は、基体の側壁
面に露出する接続導体の先端に接続されていることが好
ましい。更に、本発明の薄膜インダクタは、先に記載の
薄膜インダクタであって、前記２つの電極が前記基体の
一面から側壁面に向けて延在するように取り付けられた
ことを特徴とする。この場合、電極は、基体の一面に露
出する接続導体の先端に接続されていることが好まし
い。

【０００９】本発明の薄膜インダクタは、先に記載の薄
膜インダクタであって、前記２つの電極にバンプ状の半
田メッキが形成されたことを特徴とする。また、本発明
の薄膜インダクタは、先に記載の薄膜インダクタであっ
て、前記導体が、前記基体の一面と平行に渦巻き状に巻
回されてなることを特徴とする。更に、本発明の薄膜イ
ンダクタは、先に記載の薄膜インダクタであって、前記
導体が、前記基体の一面と平行につづら折れ状に形成さ
れてなることを特徴とする。

【００１０】前記軟磁性膜は、微細結晶質相と非晶質相
とが混在した組織を有する合金であり、前記微細結晶質
相は、平均結晶粒径が３０ｎｍ以下のｂｃｃ構造、ｈｃ
ｐ構造、ｆｃｃ構造のうちの１種または２種以上の混成
構造から構成されてＦｅ若しくはＣｏを主体としてな
り、前記非晶質相は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｇａ、Ｇｅ及
び希土類元素のうちの少なくとも１種または２種以上か
らなる元素Ｍ及び酸素を主体としてなることを特徴とす
る。

【００１１】また、前記軟磁性膜は、下記の組成式で表
されるものであることを特徴とする。（Ｆｅ_1-aＣｏ_a）
_100-y-z-wＭ_yＬ_zＯ_w但しＭは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｇ
ａ、Ｇｅ及び希土類元素のうちの少なくとも１種または
２種以上の元素を表し、Ｌは、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうち
の少なくとも１種または２種以上の元素を表し、Ｏは酸
素を表し、組成比を示すａ、ｙ、ｚ、ｗは、０≦ａ≦
０．５、５原子％≦ｙ≦３０原子％、０原子％≦ｚ≦２
０原子％、５原子％≦ｙ＋ｚ≦４０原子％、１０原子％
≦ｗ≦４０原子％である。

【００１２】また、前記組成比を示すａ、ｙ、ｚ、ｗ
は、０≦ａ≦０．３、７原子％≦ｙ≦１５原子％、０原
子％≦ｚ≦５原子％、２０原子％≦ｗ≦３５原子％であ
るとより好ましい。また、前記元素Ｍは、Ｚｒ、Ｈｆの
うちの１種または２種であることがより好ましい。更
に、組成比を示すａが０であり、ｚが０原子％であると
より好ましい。

【００１３】また、前記軟磁性膜は、下記の組成式で表
されるものであっても良い。 （Ｃｏ_1-cＴ_c）_100-x-v-uＥ_xＧ_vＯ_u 但しＴは、Ｆｅ、Ｎｉのうちのいずれか一方または両方
を含む元素であり、Ｅは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｇａ、
Ｇｅ及び希土類元素のうちの少なくとも１種または２種
以上の元素を表し、Ｇは、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉ
ｒ、Ｏｓ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうちの少なくとも１種ま
たは２種以上の元素を表し、Ｏは酸素を表し、組成比を
示すｃ、ｘ、ｖ、ｕは、０≦ｃ≦０．７、３原子％≦ｘ
≦３０原子％、７原子％≦ｕ≦４０原子％、０原子％≦
ｖ≦２０原子％、２０原子％≦ｘ＋ｕ＋ｖ≦６０原子％
である。

【００１４】また、前記組成比を示すｃ、ｘ、ｖ、ｕ
は、０≦ｃ≦０．３、７原子％≦ｘ≦１５原子％、２０
原子％≦ｕ≦３５原子％、０原子％≦ｖ≦１９原子％、
５０原子％≦ｖ≦７０原子％であるとより好ましい。ま
た、前記元素Ｔは、Ｆｅであることがより好ましい。元
素ＴがＦｅである場合、０．２≦ｃ≦０．７であるとよ
り好ましい。更に、前記軟磁性膜を構成する元素とし
て、Ｏの代わりにＮが、あるいはＯと共にＮが含有され
るとより好ましい。前記軟磁性膜の比抵抗は、１０００
〜３０００μΩ・ｃｍであることが好ましい。

【００１５】また、本発明の薄膜インダクタは、先に記
載の薄膜インダクタであって、前記軟磁性膜と前記基板
との間に下地層が形成され、前記下地層は、Ｓｉ、Ｓｉ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ₃Ｎ₄のうちの少なくとも１種また
は２種以上からなることを特徴とする。また、前記下地
層は、前記磁性膜がＦｅを主体としてなる場合には、Ａ
ｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ₃Ｎ₄のうちの１種または２種からなること
が好ましい。更に、前記下地層は、前記磁性膜がＣｏを
主体としてなる場合には、Ｓｉ、ＳｉＯ₂のうちの１種
または２種からなることが好ましい。

【００１６】本発明の薄膜インダクタは、前記軟磁性膜
あるいは前記絶縁膜が形成される前記基板の少なくとも
上面が、絶縁材料からなることを特徴とする。また、本
発明の薄膜インダクタは、前記基板が絶縁材料からなる
ことを特徴とする。前記絶縁材料は、ポリイミド系樹脂
またはノボラック系樹脂あるいはオレフィン樹脂である
ことが好ましい。

【００１７】本発明の薄膜インダクタの製造方法は、基
体の外面に２つの電極が取り付けられ、該基体の内部
に、自己インダクタンスとして作用する導体と、該導体
と離間する２つの軟磁性膜と、前記導体の両端と前記の
２つの電極をそれぞれ接続する接続導体とが設けられて
なる薄膜インダクタを製造する際に、基板上に、軟磁性
膜と下部絶縁膜と自己インダクタンスとして作用する導
体と中間絶縁膜と軟磁性膜と上部絶縁膜とを積層すると
共に、前記中間絶縁膜と前記上部絶縁膜に孔を形成する
ことにより前記導体の両端を露出させ、該孔に前記導体
の両端と接続する接続導体を形成し、該接続導体に電極
を取り付けることを特徴とする。また、本発明の薄膜イ
ンダクタの製造方法は、基体の外面に２つの電極が取り
付けられ、該基体の内部に、自己インダクタンスとして
作用する導体と、該導体と離間する１つの軟磁性膜と、
前記導体の両端と前記の２つの電極をそれぞれ接続する
接続導体とが設けられてなる薄膜インダクタを製造する
際に、基板上に、軟磁性膜と下部絶縁膜と自己インダク
タンスとして作用する導体と上部絶縁膜とを積層し、前
記上部絶縁膜に２つの孔を形成することにより前記導体
の両端を露出させ、前記導体の両端と接続する接続導体
を前記孔に形成し、該接続導体に電極を取り付けること
を特徴とする。

【００１８】本発明の薄膜インダクタの製造方法は、基
体の外面に２つの電極が取り付けられ、該基体の内部に
自己インダクタンスとして作用する導体と、該導体と離
間する１つまたは２つの軟磁性膜と、前記導体の両端と
前記の２つの電極をそれぞれ接続する接続導体とが設け
られてなる薄膜インダクタを製造する際に、基板上に少
なくとも軟磁性膜と下部絶縁膜と自己インダクタンスと
して作用する導体と上部絶縁膜とを積層して導体部品を
形成し、仮基板上に少なくとも絶縁膜を積層して絶縁膜
部品を形成し、前記導体部品の前記上部絶縁膜及び／ま
たは前記絶縁膜部品の前記絶縁膜に接着層を積層し、該
接着層を介して前記上部絶縁膜と前記絶縁膜が向き合う
ように前記導体部品と前記絶縁膜部品とを接合し、前記
仮基板を除去することを特徴とする。また、本発明の薄
膜インダクタの製造方法は、先に記載の薄膜インダクタ
の製造方法であって、前記仮基板上に軟磁性膜を積層
し、更に前記絶縁膜を積層して前記絶縁膜部品を形成す
ることを特徴とする。

【００１９】本発明の薄膜インダクタの製造方法は、先
に記載の薄膜インダクタの製造方法であって、前記導体
部品に前記上部絶縁膜を貫通して前記導体の両端を露出
させる２つの第２連通孔を設け、前記絶縁膜部品に前記
絶縁膜を貫通して前記仮基板を露出させる２つの第１連
通孔を設け、前記２つの第１連通孔と前記２つの第２連
通孔とをそれぞれ連通させるように前記導体部品と前記
絶縁膜部品を接合し、前記仮基板を除去し、前記第１連
通孔と前記第２連通孔が連通して形成された２つの孔に
前記導体の両端にそれぞれ接続する接続導体を形成し、
該接続導体に電極をそれぞれ取り付けることを特徴とす
る。

【００２０】本発明の薄膜インダクタの製造方法は、基
体の外面に２つの電極が取り付けられ、該基体の内部に
自己インダクタンスとして作用する導体と、１つまたは
２つの軟磁性膜と、前記導体の両端と前記の２つの電極
をそれぞれ接続する接続導体とが設けられてなる薄膜イ
ンダクタを製造する際に、仮基板上に少なくとも軟磁性
膜と下部絶縁膜と自己インダクタンスとして作用する導
体と上部絶縁膜を積層して下層部品を形成し、他の基板
上に少なくとも絶縁膜を積層して上層部品を形成し、前
記下層部品の前記上部絶縁膜及び／または前記上層部品
の前記絶縁膜に接着層を積層し、該接着層を介して前記
上部絶縁膜と前記絶縁膜が向き合うように前記下層部品
と前記上層部品とを接合することを特徴とする。また、
本発明の薄膜インダクタの製造方法は、先に記載の薄膜
インダクタの製造方法であって、前記他の基板上に軟磁
性膜を積層し、更に前記絶縁膜を積層して前記上層部品
を形成することを特徴とする。

【００２１】また、本発明の薄膜インダクタの製造方法
は、先に記載の薄膜インダクタの製造方法であって、前
記導体を、前記基板の上面と平行に渦巻き状に形成する
ことを特徴とする。更に、本発明の薄膜インダクタの製
造方法は、先に記載の薄膜インダクタの製造方法であっ
て、前記導体を、前記基板の上面と平行につづら折れ状
に形成することを特徴とする。

【００２２】先に記載の薄膜インダクタの製造方法にお
いて、前記軟磁性膜は、微細結晶質相と非晶質相とが混
在した組織を有する合金であり、前記微細結晶質相は、
平均結晶粒径が３０ｎｍ以下のｂｃｃ構造、ｈｃｐ構
造、ｆｃｃ構造のうちの１種または２種以上の混成構造
から構成されてＦｅ若しくはＣｏを主体としてなり、前
記非晶質相は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、
Ｗ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｇａ、Ｇｅ及び希
土類元素のうちの少なくとも１種または２種以上からな
る元素Ｍ及び酸素を主体としてなることを特徴とする。

【００２３】先に記載の薄膜インダクタの製造方法にお
いて、前記軟磁性膜は、下記の組成式で表されるもので
あることを特徴とする。 （Ｆｅ_1-aＣｏ_a）_100-y-z-wＭ_yＬ_zＯ_w 但しＭは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｇａ、Ｇｅ及び希土類元
素のうちの少なくとも１種または２種以上の元素を表
し、Ｌは、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｓ
ｎ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうちの少なくとも１種ま
たは２種以上の元素を表し、Ｏは酸素を表し、組成比を
示すａ、ｙ、ｚ、ｗは、０≦ａ≦０．５、５原子％≦ｙ
≦３０原子％、０原子％≦ｚ≦２０原子％、５原子％≦
ｙ＋ｚ≦４０原子％、１０原子％≦ｗ≦４０原子％であ
る。

【００２４】

【発明の実施の形態】本発明の第１の実施形態である薄
膜インダクタを図面を参照して説明する。図１〜図３に
示す本発明の薄膜インダクタ１は、基体２と、基体２の
一面２１に備えられた２つの電極３、４と、基体２の内
部に埋め込まれて自己インダクタンスとして作用する導
体５と、軟磁性膜６、７と、接続導体８、９とを主体と
して構成されている。

【００２５】基体２は、基板２ａと、基板２ａに積層さ
れた絶縁膜２ｂ〜２ｅからなる。基板２ａは、少なくと
も絶縁膜２ｂ、軟磁性膜７等が形成される上面が絶縁材
料からなるものであればよく、例えば、金属板上に絶縁
材料からなる膜を積層したものであってもよい。また、
基板２ａの全体が絶縁材料からなるものであってもよ
い。上記の絶縁材料としては、例えば、ポリイミド系樹
脂、ノボラック系樹脂、オレフィン樹脂、Ｓｉ、アルミ
ナ、ジルコニア、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウ
ム、ステアタイト、ムライト、コージライト、フォルス
テライト等を例示できる。また絶縁膜２ｂ〜２ｅは、ポ
リイミド系樹脂、ノボラック系樹脂、オレフィン樹脂、
ＳｉＯ₂、ガラス、硬質炭素膜等からなることが好まし
い。電極３、４には、バンプ状にされた半田メッキ１
１、１２が形成されている。半田メッキ１１、１２は、
通常の半導体素子の実装に用いられる半田材料が用いら
れる。導体５は、絶縁膜２ｃに埋め込まれて、その一端
５ａから他端５ｂに向けて渦巻き状に巻回されている。
また導体５は、基体２の一面２１と平行になるように巻
回されている。導体５の材質は、良好な導電性のある金
属材料、例えばＣｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕあるいはこれら
の合金等を例示できる。接続導体８は、電極３と導体５
の一端５ａを接続するものであって、絶縁膜２ｃ、２
ｄ、２ｅを貫通するスルーホールとされている。また、
接続導体９は、電極４と導体５の他端５ｂとを接続する
ものであって、絶縁膜２ｃ、２ｄ、２ｅを貫通するスル
ーホールとされている。

【００２６】この薄膜インダクタ１においては、電極
３、４が、基体２の一面２１から露出する接続導体８、
９の先端に取り付けられるので、電極３、４と接続導体
８、９の接続部分における接触面積を大きくすることが
可能になって、電極３、４と接続導体８、９の間の接触
抵抗が低減される。

【００２７】軟磁性膜６、７は、微細結晶質相と非晶質
相とが混在した組織を有するものであってＦｅまたはＣ
ｏを主体とする合金であり、高い比抵抗と高い透磁率を
有するものである。軟磁性膜６は、基体２の一面２１と
導体５の間に位置して、絶縁膜２ｄ、２ｅの間に挟まれ
ており、導体５と対向するように設けられている。ま
た、軟磁性膜６は、絶縁膜２ｄにより導体５から離間さ
れている。更に、軟磁性膜６には、接続導体８が貫通す
るための穴部６ａが形成されている。軟磁性膜７は、導
体５と基体２の他面２２との間に位置して、基板２ａと
絶縁膜２ｂとの間に挟まれており、導体５と対向するよ
うに設けられている。また、軟磁性膜７は、絶縁膜２ｂ
を介して導体５から離間されている。このようにして、
軟磁性膜６、７は、導体５を挟み、かつ導体５を覆うよ
うに形成されている。薄膜インダクタ１の作動時におい
ては、導体５に交流電流が流れて導体５から発生する磁
束の方向が逐次変化する。軟磁性膜６、７は透磁率が高
いので、この磁束の方向の変化に十分に追従することが
可能であり、導体５のインダクタンスを高く保つことが
可能となる。また、この軟磁性膜６、７により、導体５
から発生する磁束の薄膜インダクタ１外部への漏出が防
がれる。また、軟磁性膜６、７は、絶縁膜２ｂ、２ｄに
より導体５から離間されて互いに絶縁されているので、
導体５に通電しても導体５と軟磁性膜６、７とが短絡す
ることがない。また、図３に示す薄膜インダクタ１に
は、２つの軟磁性膜６、７が形成されているが、いずれ
か一方の軟磁性膜を省略しても良く、省略する場合に
は、軟磁性膜６を省略するのが好ましい。

【００２８】また、基体２には、接着層１０が設けられ
ている。接着層１０は絶縁膜２ｃ、２ｄの間に設けられ
て、絶縁膜２ｃ、２ｄ同士を接着している。接着層１０
の材質は、エポキシ樹脂、ノボラック樹脂、ポリイミド
等が好ましい。軟磁性膜７と基板２ａとの間には、下地
層２３が形成されている。下地層２３は、Ｓｉ、ＳｉＯ
₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ₃Ｎ₄のうちの少なくとも１種または
２種以上からなるものであり、軟磁性膜７がＦｅを主体
とする合金の場合には、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ₃Ｎ₄のうちの１
種または２種からなることが好ましく、軟磁性膜７がＣ
ｏを主体とする合金の場合には、Ｓｉ、ＳｉＯ₂のうち
の１種または２種からなることが好ましい。また、下地
層２３は省略されても良い。

【００２９】軟磁性膜６、７は、前述したように、微細
結晶質相と非晶質相とが混在した組織を有するＦｅ若し
くはＣｏを主体とする合金である。微細結晶質相は、平
均結晶粒径が３０ｎｍ以下のｂｃｃ構造、ｈｃｐ構造、
ｆｃｃ構造のうちの１種または２種以上の混成構造から
なるものである。また、非晶質相は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐ、Ｃ、
Ｂ、Ｇａ、Ｇｅ及び希土類元素のうちの少なくとも１種
または２種以上からなる元素Ｍ及び酸素を主体としてな
るものである。

【００３０】合金組織中における微細結晶質相の割合が
増加し、微細結晶質相の平均結晶粒径が３０ｎｍを越え
ると、軟磁性膜の比抵抗が小さくなってしまうので好ま
しくない。酸素を多量に含む非晶質相が合金組織の大半
を占めると、軟磁性膜の比抵抗が大きくなる傾向にあ
る。

【００３１】また軟磁性膜６、７は、下記の組成式で表
されるものであることが好ましい。 （Ｆｅ_1-aＣｏ_a）_100-y-z-wＭ_yＬ_zＯ_w 但しＭは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｇａ、Ｇｅ及び希土類元
素のうちの少なくとも１種または２種以上の元素を表
し、Ｌは、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｓ
ｎ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうちの少なくとも１種ま
たは２種以上の元素を表し、Ｏは酸素を表し、組成比を
示すａ、ｙ、ｚ、ｗは、０≦ａ≦０．５、５原子％≦ｙ
≦３０原子％、０原子％≦ｚ≦２０原子％、５原子％≦
ｙ＋ｚ≦４０原子％、１０原子％≦ｗ≦４０原子％であ
る。ここで希土類元素とは、周期表の３Ａ族に属するＳ
ｃ、ＹあるいはＬａ、ＣｅＰｒ，Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅ
ｕ、Ｇｄ、Ｔｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ
などのランタノイドを指す。

【００３２】Ｆｅは、軟磁性膜の主成分であり、磁性を
担う元素であり、主として微細結晶質相に含まれる。高
い飽和磁束密度を得るためには、Ｆｅの含有量は多いほ
ど好ましいが、Ｆｅの含有量が過剰であると軟磁性膜の
組織に占める微細結晶相の割合が大きくなって軟磁性膜
の比抵抗が低下する。一方、Ｆｅの含有量が少なすぎる
と微細結晶相の占める割合が少なくなって軟磁性膜の比
抵抗が高くなるが、飽和磁束密度が小さくなるので好ま
しくない。Ｃｏは、Ｆｅと同様に磁性を担う元素であ
り、主として微細結晶質相に含まれてＦｅの一部と置換
する。軟磁性膜が良好の軟磁気特性を得るためには、Ｆ
ｅとの組成比を示すａが０．５以下であるのが好まし
く、０．３以下であるとより好ましい。

【００３３】元素Ｍは、軟磁性膜の軟磁気特性を向上さ
せ、かつ比抵抗を高くするために必要な元素である。元
素Ｍは、酸素と結合しやすいものであって酸化物を形成
し、主に非晶質相中に分布して軟磁性膜の比抵抗を向上
させる。このような効果を得るために元素Ｍは、少なく
とも５原子％以上含まれるのが好ましく、７原子％以上
含まれるのがより好ましい。但し、元素Ｍの含有量が過
剰であると、軟磁性膜の軟磁気特性が低下し、更にＦｅ
の含有量が相対的に減少して飽和磁束密度が低下するの
で、元素Ｍの含有量を３０原子％以下とするのが好まし
く、１５原子％以下とするとより好ましい。また、元素
Ｍが、Ｚｒ、Ｈｆの一方または両方とすると、軟磁性膜
の磁歪を抑制して軟磁性膜の薄膜化が容易になる。

【００３４】元素Ｌは、軟磁性膜の耐食性、周波数特性
及び磁歪を調整する元素である。但し、元素Ｌの添加量
が過剰であると、軟磁気特性が低下し、飽和磁束密度が
低下する。従って、元素Ｌの含有量は、２０原子％以下
とするのが好ましく、５原子％以下とするとより好まし
い。また、元素Ｍと同時に添加する場合には、元素Ｍと
元素Ｌとの合計量が５原子％以上４０原子％以下とする
のが好ましい。

【００３５】酸素は、主として非晶質相中に存在して元
素Ｍと結合して元素Ｍの酸化物を形成し、軟磁性膜の軟
磁気特性を向上させ、飽和磁束密度を高めて、周波数特
性を向上させる。この様な効果を得るためには、酸素の
含有量が１０原子％以上４０原子％以下であることが好
ましく、２０原子％以上３５原子％以下であるとより好
ましい。

【００３６】また、軟磁性膜は、下記の組成式で表され
るものであっても良い。 （Ｃｏ_1-cＴ_c）_100-x-v-uＥ_xＧ_vＯ_u 但しＴは、Ｆｅ、Ｎｉのうちのいずれか一方または両方
を含む元素であり、Ｅは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｇａ、
Ｇｅ及び希土類元素のうちの少なくとも１種または２種
以上の元素を表し、Ｇは、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉ
ｒ、Ｏｓ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうちの少なくとも１種ま
たは２種以上の元素を表し、Ｏは酸素を表し、組成比を
示すｃ、ｘ、ｖ、ｕは、０≦ｃ≦０．７、３原子％≦ｘ
≦３０原子％、７原子％≦ｕ≦４０原子％、０原子％≦
ｖ≦２０原子％、２０原子％≦ｘ＋ｕ＋ｖ≦６０原子％
である。ここで希土類元素とは、前述と同様に、周期表
の３Ａ族に属するＳｃ、ＹあるいはＬａ、ＣｅＰｒ，Ｎ
ｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕなどのランタノイドを指す。

【００３７】Ｃｏと元素Ｔは、軟磁性膜の主成分であ
り、主として微細結晶質相に含まれるものであり、軟磁
性膜の磁性を担う元素である。軟磁性膜が高い飽和磁束
密度を得るにはＣｏと元素Ｔの含有量が高い程良いが、
Ｃｏと元素Ｔの含有量が過剰であると軟磁性膜の比抵抗
が小さくなる。また、Ｃｏと元素Ｔの含有量が少ないと
飽和磁束密度が低下する。更に、Ｃｏは軟磁性膜に一軸
磁気異方性を高める効果がある。また、元素ＴはＦｅで
あるとより好ましい。Ｃｏと元素Ｔとの組成比を示すｃ
は、０．７以下であることが好ましく、元素ＴがＦｅで
ある場合には、０．２以上０．７以下とするのが好まし
い。

【００３８】元素Ｅは、軟磁性膜の軟磁気特性を向上さ
せ、かつ比抵抗を高くするために必要な元素である。元
素Ｅは、酸素と結合しやすいものであって酸化物を形成
し、主に非晶質相中に分布して軟磁性膜の比抵抗を向上
させる。例えば、元素ＭがＨｆである場合、ＨｆＯ₂を
生成する。このような効果を得るために元素Ｅは、少な
くとも３原子％以上含まれると好ましく、７原子％以上
含まれるとより好ましい。但し、元素Ｅの含有量が過剰
であると、軟磁性膜の軟磁気特性が低下し、更にＣｏ及
び元素Ｔの含有量が相対的に減少して飽和磁束密度が低
下するので、３０原子％以下とするのが好ましく、１５
原子％以下とするとより好ましい。また、元素Ｍが、Ｚ
ｒ、Ｈｆの一方または両方とすると、軟磁性膜の磁歪を
抑制して軟磁性膜を薄膜化する効果が得られる。

【００３９】酸素は、主として非晶質相中に存在して元
素Ｅと結合して元素Ｅの酸化物を形成し、軟磁性膜の軟
磁気特性を向上させ、飽和磁束密度を高めて、周波数特
性を向上させる。従って酸素の含有量は、７原子％以上
４０原子％以下とするのが好ましく、２０原子％以上３
５原子％以下とするのがより好ましい。更に、軟磁性膜
を構成する元素として、Ｏの代わりにＮが、あるいはＯ
と共にＮが含有されても良い。

【００４０】元素Ｇは、軟磁性膜の耐食性、周波数特性
及び磁歪を調整する元素である。但し、元素Ｇの添加量
が過剰であると、軟磁気特性が低下し、飽和磁束密度が
低下する。従って、元素Ｇの含有量は、２０原子％以下
とするのが好ましく、１９原子％以下とするとより好ま
しい。また、元素Ｅと同時に添加する場合には、元素Ｅ
と元素Ｌと酸素との合計量が２０原子％以上６０原子％
以下とするのが好ましい。軟磁性膜の組成を上述の通り
とした場合、その比抵抗は、１０００〜３０００μΩ・
ｃｍの範囲となる。

【００４１】次に、上述の薄膜インダクタ１の製造方法
を、図１０〜図２３を参照して説明する。この製造方法
は、図１０に示すように、仮基板２ｆ上に少なくとも絶
縁膜２ｄ等を積層して複数の絶縁膜部品１１１を製造
し、基板２ａ上に軟磁性膜、下部絶縁膜、導体、上部絶
縁膜等を積層して複数の導体部品１１０を製造し、これ
ら基板２ａと仮基板２ｆを積層することにより絶縁膜部
品１１１と導体部品１１０を接合し、仮基板２ｆを除去
して絶縁膜２ｄを露出させ、更に絶縁膜２ｅを積層して
絶縁膜２ｅ上に電極３、４を取り付け、最後に薄膜イン
ダクタ１を切り出す工程を含むものである。

【００４２】まず、導体部品１１０の製造方法を図１１
〜図１４を参照して説明する。図１１において、基板２
ａの上面をＣＭＰ等の手段により十分に平坦化し、更に
十分に洗浄する。次に、基板２ａ上に軟磁性膜７を形成
する。軟磁性膜７は、予め軟磁性層を基板２ａの全面に
スパッタリング、蒸着等の手段により形成し、フォトレ
ジストを塗布し、更にマスクを載置して露光し、フォト
レジストが残存した部分以外の軟磁性層を除去し、最後
に残存したフォトレジストを除去する工程を含むいわゆ
るリソグラフィ技術により、所定の形状に形成する。ま
た、軟磁性膜７の形成は、軟磁性膜７に十分な酸素を含
有させるために、酸素を含む雰囲気中で行うことが好ま
しく、例えばアルゴン−酸素混合ガス中で行うことが好
ましい。このようにして平坦な基板２ａに軟磁性膜７を
形成するので、軟磁性膜７の平坦性が高くなる。

【００４３】次に図１２において、基板２ａと軟磁性膜
７を覆う絶縁膜２ｂ（下部絶縁膜）を形成する。絶縁膜
２ｂは、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法、絶縁樹
脂の塗膜等の手段により形成する。更に、ＣＭＰ等の手
段により絶縁膜２ｂの表面を研磨して、絶縁膜２ｂの表
面を平坦化することが好ましい。次に図１３において、
絶縁膜２ｂ（下部絶縁膜）上に導体５を形成する。導体
５は、一端５ａから他端５ｂに向けて渦巻き状に形成さ
れる。導体５は、軟磁性膜７と同様に、フォトリソグラ
フィ技術によって所定の線幅、所定の巻回回数を有する
ように形成する。また、導体５は、導体５の他端５ｂ以
外の部分が軟磁性膜７が形成されている部分からはみ出
さないように形成する。

【００４４】次に、図１４において、導体５を埋めて絶
縁膜２ｂ（下部絶縁膜）を覆う絶縁膜２ｃ（上部絶縁
膜）を形成する。更に、絶縁膜２ｃに２つの第２連通孔
１９ａ、２０ａを形成する。第２連通孔１９ａは、導体
５の一端５ａを露出させるように設けられ、第２連通孔
２０ａは、導体５の他端５ｂを露出させるように設けら
れる。第２連通孔１９ａ、２０ａもフォトリソグラフィ
技術により設けられる。このようにして、導体部品１１
０を製造する。

【００４５】次に、絶縁膜部品１１１の製造方法を図１
５〜図１７を参照して説明する。図１５において、仮基
板２ｆの表面をＣＭＰ等の手段により十分に平坦化し、
更に十分に洗浄する。次に、仮基板２ｆ上に軟磁性膜６
を形成する。軟磁性膜６は、フォトリソグラフィ技術に
より、軟磁性膜６のほぼ中央に穴部６ａを有して該穴部
６ａから仮基板２ｆが露出するように略環状に形成され
る。このようにして平坦な仮基板２ｆに軟磁性膜６を形
成するので、軟磁性膜６の平坦性が高くなる。また、軟
磁性膜６は、軟磁性膜７と同様に、十分な酸素を含有さ
せるために、酸素を含む雰囲気中で成膜することが好ま
しい。尚、仮基板２ｆの材質は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍ
ｏ、Ｃｕ、Ｓｉ等の金属を例示できる。

【００４６】次に図１６において、仮基板２ｆと軟磁性
膜６とを覆う絶縁膜２ｄをスパッタリング法、ＣＶＤ
法、蒸着法、絶縁樹脂塗膜等の手段により形成する。こ
のとき絶縁膜２ｄは、軟磁性膜６の穴部６ａを完全に埋
めるように形成する。更に絶縁膜２ｄに、２つの第１連
通孔１９ｂ、２０ｂを設ける。これらの第１連通孔もフ
ォトリソグラフィ技術により設けられる。第１連通孔１
９ｂは、軟磁性膜６の穴部６ａを貫通して仮基板２ｆを
露出させるように設けられる。また第１連通孔２０ｂ
は、絶縁膜２ｄの軟磁性膜６が形成されていない部分に
位置して仮基板２ｆを露出させるように設けられる。こ
のようにして絶縁膜部品１１１を製造する。更に図１７
において、絶縁膜２ｄの全面に接着層１０を積層する。
また、接着層１０は、導体部品１１０の絶縁膜２ｃ（上
部絶縁膜）に積層しても良いし、これら絶縁膜２ｃ、２
ｄの両方に積層しても良い。

【００４７】次に、導体部品１１０と絶縁膜部品１１１
を接合し、仮基板２ｆを除去し、最後に電極３、４を取
り付けて薄膜インダクタ１を完成する方法を図１８〜図
２３を参照して説明する。まず、図１８に示すように、
導体部品１１０と絶縁膜部品１１１を、接着層１０を介
して絶縁膜２ｃ（上部絶縁膜）と絶縁膜２ｄとが互いに
向き合うように接合する。このとき、絶縁膜部品１１１
の第１連通孔１９ｂ、２０ｂの位置と導体部品１１０の
第２連通孔１９ａ、２０ａの位置とが一致させるように
して絶縁膜部品１１１と導体部品１１０を接合する。こ
のようにして、第２連通孔１９ａと第１連通孔１９ｂと
が連通して孔１９を形成し、第２連通孔２０ａと第１連
通孔２０ｂとが連通して孔２０を形成する。孔１９は、
絶縁膜２ｃ、２ｄを貫通して仮基板２ｆから導体５の一
端５ａに至るものであり、孔２０は、絶縁膜２ｃ、２ｄ
を貫通して仮基板２ｆから導体５の他端５ｂに至るもの
である。次に図１９に示すように、仮基板２ｆをエッチ
ング等の手段により除去して、軟磁性膜６及び絶縁膜２
ｄを露出させる。また、同時に孔１９、２０を露出させ
る。更に、導体部品１１０と絶縁膜部品１１１の接合の
際に、接着層１０の一部が孔１９、２０を塞ぐ場合があ
り、このときは有機溶剤等により接着層の一部を除去し
て孔１９、２０を露出させる。

【００４８】次に図２０に示すように、軟磁性膜６及び
絶縁膜２ｄを覆う絶縁膜２ｅをスパッタリング、蒸着、
絶縁樹脂塗膜等により形成する。絶縁膜２ｅを形成する
際には、孔１９、２０を絶縁膜２ｅで塞がないように、
絶縁膜２ｅを形成した後に絶縁膜２ｅをエッチングして
孔１９、２０を開口する。次に図２１に示すように、孔
１９、２０に、導電性の金属をスパッタリング、蒸着ま
たはメッキ等の手段により埋めて、接続導体８、９を形
成する。接続導体８は、軟磁性膜６の穴部６ａを貫通し
て導体５の一端５ａと接続し、接続導体９は、導体５の
他端５ｂと接続する。次に図２２に示すように、絶縁膜
２ｅ上に電極３、４を取り付ける。電極３は接続導体８
と接続し、電極４は接続導体９と接続する。このように
して薄膜インダクタ１を得る。最後に図２３において、
得られた薄膜インダクタ１を切り出す。尚、必要に応じ
て基板２ａと軟磁性膜７との間に前述の下地層を形成し
ても良い。また、電極３、４にバンプ状の半田メッキを
設けても良い。更に、絶縁膜部品１１１の軟磁性膜６を
省略しても良い。

【００４９】上述の薄膜インダクタ１は、基体２の内部
に導体５と軟磁性膜６、７が設けられているので、薄膜
インダクタ１の形状を小型化することができる。また、
軟磁性膜６、７が導体５に対向するように設けられてい
るので、導体５のインダクタンスを高くすることができ
ると共に、導体５から発生する磁束が薄膜インダクタ１
の外部に漏れることがない。更に、基体２の一面２１に
電極３、４が取り付けられているので、薄膜インダクタ
１を回路基板等に実装する際に、電極３、４を回路基板
の端子等に直接接触させて実装することが可能となり、
薄膜インダクタ１の実装を容易に行うことができると共
に、回路基板に対する実装面積を小さくすることができ
る。更にまた、電極３、４は、接続導体８、９を介して
導体５に接合されているので、導体５と電極３、４の間
の電気抵抗が小さくなって薄膜インダクタ１の電力損失
を小さくすることができる。特に、この薄膜インダクタ
１においては、電極３、４が、基体２の一面２１から露
出する接続導体８、９の先端に取り付けられているの
で、電極３、４と接続導体８、９の接続部分における接
触面積を大きくすることが可能になって、電極３、４と
接続導体８、９の間の接触抵抗を低減できる。

【００５０】上述の薄膜インダクタ１は、電極３、４に
バンプ状の半田メッキ１１、１２が設けられているの
で、薄膜インダクタ１を回路基板等の所定に位置に配置
して加熱することにより半田が溶解されて、薄膜インダ
クタ１を回路基板に容易に実装することができる。ま
た、上述の薄膜インダクタ１は、導体５が渦巻き状に形
成されているので、薄膜インダクタ１の総高を小さくす
ると共に導体５の占める面積を小さくして、薄膜インダ
クタ１を小型化することができる。

【００５１】上述の薄膜インダクタ１は、基体２が基板
２ａと絶縁膜２ｂ〜２ｅからなるので、薄膜インダクタ
１の総高を小さくすることができる。また、上述の薄膜
インダクタ１は、軟磁性膜７が基板２ａ上に形成されて
いるので、軟磁性膜７の平坦性を高くすることが可能と
なり、軟磁性膜７の比抵抗が高くなって透磁率が大きく
なり、薄膜インダクタ１のインダクタンスを高くするこ
とができる。更に、軟磁性膜７と基板２ａとの間には、
Ｓｉ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ₃Ｎ ₄のうちの少なくと
も１種または２種以上からなる下地層２３が設けられて
いるので、樹脂からなる基板２ａ上の軟磁性膜７の特性
劣化を抑えることができる。

【００５２】上述の薄膜インダクタ１においては、軟磁
性膜６、７が微細結晶質相と非晶質相とが混在した組織
を有するＦｅ若しくはＣｏを主体とする合金からなり、
軟磁性膜６、７の飽和磁束密度を高くし、かつ比抵抗を
高くすることができるので、渦電流の発生を抑えて高周
波数帯域における透磁率の低下を防止して導体５のイン
ダクタンスを高めることが可能となり、薄膜インダクタ
１のインダクタンスを向上することができる。

【００５３】上述の薄膜インダクタの製造方法は、基板
２ａに軟磁性膜７、下部絶縁膜２ｂ、導体５、上部絶縁
膜２ｃを積層してなる導体部品１１０と、仮基板２ｆに
軟磁性膜６、絶縁膜２ｄを積層してなる絶縁膜部品１１
１とを予め製造し、これら導体部品１１０と絶縁膜部品
１１１を接合するので、軟磁性膜、絶縁膜、導体の平坦
性が高くなり、１つの基板上に多数積層することによる
各絶縁膜の平坦性の低下という問題が生じないので、薄
膜インダクタ１の不良発生を低減することができる。ま
た、導体部品１１０の形成時には、導体５上には上部絶
縁膜２ｃを形成するのみなので、絶縁膜の積層による導
体５への応力の印加が小さくなって製造中に導体５が切
断されることがなく、薄膜インダクタ１の不良発生を低
減することができる。更に、導体部品１１０と絶縁膜部
品１１１を接合した後に絶縁膜部品１１１の仮基板２ｆ
を除去するので、薄膜インダクタ１の総高を小さくする
ことができる。

【００５４】上述の薄膜インダクタの製造方法において
は、基板２ａ及び仮基板２ｆ上に軟磁性膜７及び軟磁性
膜６を形成しているので、軟磁性膜６、７の平坦性を高
くすることが可能となり、薄膜インダクタ１の特性を向
上させることができる。また、軟磁性膜６、７は基板２
ａ、仮基板２ｆ上に直接形成されるので、軟磁性膜の成
膜の工程において基板２ａ、仮基板２ｆが加熱されても
基板２ａ及び仮基板２ｆから揮発成分が生じることな
く、軟磁性膜６、７が揮発成分によって変質することが
ないので、軟磁性膜６、７の透磁率及び比抵抗が変動す
ることがなく、インダクタンスが高い薄膜インダクタを
製造することができる。

【００５５】更に、上述の薄膜インダクタの製造方法に
おいては、導体部品１１０に導体５の一端５ａと他端５
ｂを露出させる第２連通孔１９ａ、２０ａを設け、絶縁
膜部品１１１に第１連通孔１９ｂ、２０ｂを設け、これ
ら第１連通孔と第２連通孔の位置を合わせて導体部品１
１０と絶縁膜部品１１１を接合して孔１９、２０とし、
これら孔１９、２０に導体５の一端５ａと他端５ｂに接
続する接続導体８、９を形成し、更に電極３、４を取り
付けるので、導体５と電極３、４との間の電気抵抗を小
さくして電力損失が小さい薄膜インダクタ１を製造する
ことができる。

【００５６】また、上述の薄膜インダクタ１の製造方法
においては、複数の導体部品１１０と複数の絶縁膜部品
１１１とを接合し、電極３、４を取り付けて複数の薄膜
インダクタ１を得た後に薄膜インダクタ１を切り出すの
で、切り出し後の工程が不要になって薄膜インダクタ１
の製造工程を簡略にできる。

【００５７】次に、本発明の第２の実施形態である薄膜
インダクタを図５６を参照して説明する。尚、これらの
図において、図１〜図３に示す構成要素と同一の構成要
素には同一符号を付してその説明を省略する。

【００５８】図５６に示す薄膜インダクタ３０１には、
基体２の一面２１から側壁面３４３、３４４を経て他面
２２に向けて延在する断面が略コ字状の電極１０３、１
０４が設けられている。電極１０３は、基体２の上面２
１から露出する接続導体８に接続され、電極１０４は、
上面２１から露出する接続導体９に接続されている。

【００５９】この薄膜インダクタ３０１は、断面が略コ
字状の電極１０３、１０４を取り付けること以外は、前
述の薄膜インダクタ１と同様の製造方法により得られ
る。即ち、図１１〜図２１の各工程を経た後に、図２１
に示す積層物を切り出し、電極１０３、１０４を取り付
けることにより製造される。

【００６０】上述の薄膜インダクタ３０１は、前述した
薄膜インダクタ１の効果と同様な効果に加えて、以下の
効果が得られる。即ち、上述の薄膜インダクタ３０１に
は、基体２の一面２１から側壁面３４３、３４４を経て
他面２２に向けて延在する断面が略コ字状の電極１０
３、１０４が設けられているので、薄膜インダクタ３０
１を回路基板等に実装する際に、電極１０３、１０４を
回路基板の端子等に直接接触させて実装することが可能
となり、薄膜インダクタ３０１の回路基板に対する実装
面積を小さくすることができる。従って、上述の薄膜イ
ンダクタ３０１は、従来のチップ型回路素子の実装技術
をそのまま用いて回路基板等に実装することができる。
また、電極１０３、１０４は、接続導体８、９を介して
導体５に接続されているので、接触面積を大きくするこ
とが可能となり、導体５と電極１０３、１０４の間の電
気抵抗を小さくして薄膜インダクタ３０１の電力損失を
小さくすることができる。

【００６１】次に、本発明の第３の実施形態である薄膜
インダクタを図４〜図６を参照して説明する。尚、これ
らの図において、図１〜図３に示す構成要素と同一の構
成要素には同一符号を付してその説明を省略する。

【００６２】図４〜図６に示す薄膜インダクタ３１に
は、つづら折れ状に形成された導体５１が設けられてい
る。導体５１の一端５１ａは、接続導体８を介して電極
３２に接続されている。また、導体５１の他端５１ｂ
は、接続導体９を介して電極４に接続されている。軟磁
性膜６１は、基体２の一面２１と導体５１との間に位置
して、絶縁膜２ｄ、２ｅとの間に挟まれており、導体５
１と対向するように設けられている。また、軟磁性膜６
１は、絶縁膜２ｄを介して導体５１と離間されている。
更に、軟磁性膜６１には、接続導体８が貫通するための
穴部６１ａが形成されている。

【００６３】この薄膜インダクタ５１は、つづら折れ状
の導体５１を形成すること以外は、前述の薄膜インダク
タ１と同様の製造方法により得られる。

【００６４】上述の薄膜インダクタ５１は、前述した薄
膜インダクタ１と同様の効果が得られる。

【００６５】次に、本発明の第４の実施形態である薄膜
インダクタを図７〜図９を参照して説明する。図７〜図
９に示す薄膜インダクタ４１は、基体４２と、基体４２
の対向する２つの側壁面４３、４４にそれぞれ取り付け
られた２つの電極４５、４６と、基体４１の内部に埋め
込まれて自己インダクタンスとして作用する導体４７
と、軟磁性膜４８、４９と、接続導体１６１、１６２と
を主体として構成されている。

【００６６】基体４２は、２つの基板４２ａ、４２ｂ
と、基板４２ａ、４２ｂに挟まれて積層された絶縁膜４
２ｃ〜２ｆからなる。基板４２ａ、４２ｂは、前述の基
板２ａと同様の構成とされる。絶縁膜４２ｃ〜４２ｆ
は、前述の絶縁膜２ｂ〜２ｅと同等の材料からなる。導
体４７は、絶縁膜４２ｃと絶縁膜４２ｄとの間に位置し
て、その一端４７ａから他端４７ｂに向けて渦巻き状に
巻回されている。導体４７は、前述の導体５と同等の材
料からなる。また、導体４７は、つづら折れ状に形成さ
れたものであっても良い。

【００６７】接続導体１６１は、導体４７の一端４７ａ
と電極４５を接続するものであって、基部導体１６１ａ
と連結導体１６１ｂとからなる。基部導体１６１ａは、
基板４２ａと絶縁膜４２ｆとの間に挟まれており、その
一端１６１ｃは連結導体１６１ｂと接合し、他端１６１
ｄは側壁面４３から露出して電極４５と接合している。
連結導体１６１ｂは、基部導体１６１ａの一端１６１ｃ
から導体４７の一端４７ａに向けて絶縁膜４２ｄ、４２
ｅ、４２ｆを貫通するスルーホールとされる。このよう
にして、導体４７と電極４５は、接続導体１６１により
電気的に接続されている。接続導体１６２は、導体４７
の他端４７ｂと電極４６を接続するものであって、導体
４７と共に絶縁膜４２ｃと絶縁膜４２ｄに挟まれてい
る。接続導体１６２の一端１６２ａは導体４７の他端４
７ｂに接続され、接続導体１６２の他端１６２ｂは側壁
面４４から露出して電極４６と接合している。

【００６８】電極４５、４６は、基体４２の側壁面４
３、４４に取り付けられ、その一部が基体４２の一面６
３と他面６４に向けて折曲して延在しており、断面が略
コ字状とされている。

【００６９】軟磁性膜４８、４９は、上述した軟磁性膜
６、７と同等の材料からなるものであって、微細結晶質
相と非晶質相とが混在した組織を有するものであってＦ
ｅまたはＣｏを主体とする合金からなる。軟磁性膜４８
は、基体４２の一面６３と導体４７との間、具体的には
絶縁膜４２ｅ、４２ｆの間に挟まれており、導体４７と
対向するように設けられている。また、軟磁性膜４８
は、絶縁膜４２ｅを介して導体５から離間され、絶縁膜
４２ｆを介して基部導体１６１ａから離間されている。
更に、軟磁性膜４８には、連結導体１６１ｂが貫通する
ための孔４８ａが形成されている。軟磁性膜４９は、導
体４７と基体４２の他面６４との間、具体的には基板４
２ｂと絶縁膜４２ｃとの間に挟まれており、導体４７と
対向するように設けられている。また、軟磁性膜４９
は、絶縁膜４２ｃを介して導体４７から離間されてい
る。

【００７０】このようにして、軟磁性膜４８、４９は、
導体４７を挟み、かつ導体４７を覆うように形成されて
いる。薄膜インダクタ４１の作動時においては、前述と
同様に導体４７に交流電流が流れて導体４７から発生す
る磁束の方向が逐次変化する。軟磁性膜４８、４９は透
磁率が高く、この磁束の方向の変化に十分に追従するこ
とが可能であり、導体４７のインダクタンスを高く保つ
ことが可能となる。また、この軟磁性膜４８、４９によ
り、導体４７から発生する磁束の薄膜インダクタ４１外
部への漏出が防がれる。また、軟磁性膜４８、４９は、
絶縁膜４２ｃ、４２ｅにより導体４７から離間されて絶
縁されているので、導体４７に通電しても導体４７と軟
磁性膜４８、４９とが短絡することがない。また、図９
に示す薄膜インダクタ４１には、２つの軟磁性膜４８、
４９が形成されているが、いずれか一方の軟磁性膜を省
略しても良く、省略する場合には、軟磁性膜４８を省略
するのが好ましい。

【００７１】絶縁膜４２ｄ、４２ｅの間には、絶縁膜４
２ｄ、４２ｅ同士を接着する接着層１０が設けられてい
る。また、軟磁性膜４９と基板４２ｂとの間に下地層を
形成しても良い。下地層は、前述した下地層２３と同等
の材料からなるものであって、軟磁性膜４８、４９がＦ
ｅを主体とする合金である場合にはＡｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ₃Ｎ₄
のうちの１種または２種からなることが好ましく、軟磁
性膜４８、４９がＣｏを主体とする合金である場合には
Ｓｉ、ＳｉＯ₂のうちの１種または２種からなることが
好ましい。

【００７２】次に、上述の薄膜インダクタ４１の製造方
法を、図２４〜図３８を参照して説明する。この薄膜イ
ンダクタ４１の製造方法は、図２４に示すように、基板
４２ｂ上に軟磁性膜、下部絶縁膜、導体、上部絶縁膜を
積層して複数の下層部品２１０を製造し、他の基板４２
ａ上に少なくとも絶縁膜を積層して上層部品２１１を製
造し、これら基板４２ａ、４２ｂを積層することにより
上層部品２１１と下層部品２１０を接合して薄膜インダ
クタ素子４１ａを形成し、薄膜インダクタ素子４１ａを
切り出し、最後に電極４５、４６を取り付けて薄膜イン
ダクタ４１を得るというものである。

【００７３】まず、下層部品２１０の製造方法を図２５
〜図２９を参照して説明する。図２５において、基板４
２ｂの上面をＣＭＰ法等の手段により十分に平坦化し、
更に十分に洗浄する。次に、基板４２ｂ上に軟磁性膜４
９を形成する。軟磁性膜４９は、前述した軟磁性膜７と
同様に、フォトリソグラフィ技術により所定の形状に形
成する。軟磁性膜４９の形成は、前述の軟磁性膜７と同
様に、軟磁性膜４９に十分な酸素を含有させるために、
酸素を含む雰囲気中で行うことが好ましく、例えばアル
ゴン−酸素混合ガス中で行うことが好ましい。

【００７４】次に図２６において、基板４２ｂと軟磁性
膜４９を覆う絶縁膜４２ｃ（下部絶縁膜）を形成する。
絶縁膜４２ｃは、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着
法、絶縁樹脂塗膜等の手段により形成する。更に、絶縁
膜４２ｃの上面を平坦化しておくことが好ましい。次に
図２７において、絶縁膜４２ｃ（下部絶縁膜）上に導体
４７を形成する。導体４７は、その一端４７ａから他端
４７ｂに向けて渦巻き状に形成する。導体４７は、軟磁
性膜４９と同様に、フォトリソグラフィ技術によって所
定の線幅、所定の巻回回数を有するように形成する。ま
た、導体４７は、導体４７の他端４７ｂ以外の部分が軟
磁性膜４９が成膜されている部分からはみ出さないよう
に形成する。更に、絶縁膜４２ｃ（下部絶縁膜）上に接
続導体１６２を形成する。接続導体１６２は、フォトリ
ソグラフィ技術により略竿状となるように形成され、ま
たその一端が導体４７の他端４７ｂと接続するように形
成する。

【００７５】次に、図２８において、導体４７及び接続
導体１６２を埋めて絶縁膜２ｃ（下部絶縁膜）を覆う絶
縁膜４２ｄ（上部絶縁膜）をスパッタリング法、ＣＶＤ
法、蒸着法、絶縁樹脂塗膜等の手段により形成する。更
に絶縁膜４２ｄに孔７０を設ける。孔７０は、導体４７
の一端４７ａを露出させるように設ける。次に図２９に
おいて、孔７０に導電性の金属を埋めて補助導体１６１
ｅを形成する。補助導体１６１ｅは絶縁膜４２ｄから露
出するように形成する。この様にして、下層部品２１０
を製造する。

【００７６】次に、上層部品２１１の製造方法を図３０
〜図３８を参照して説明する。図３０において、基板４
２ａの表面を十分に平坦化し、更に十分に洗浄する。次
に、基板４２ａ上に基部導体１６１ａを形成する。基部
導体１６１ａは、フォトリソグラフィ技術により略竿状
に形成する。次に図３１において、基板４２ａと基部導
体１６１ａとを覆う絶縁膜４２ｆをスパッタリング法、
ＣＶＤ、蒸着、絶縁樹脂塗膜等の手段により形成する。
絶縁膜４２ｆの上面は十分に平坦化しておくことが好ま
しい。

【００７７】次に図３２において、絶縁膜４２ｆ上に軟
磁性膜４８を形成する。軟磁性膜４８は、その中央に穴
部４８ａを有して絶縁膜４２ｆの一部が露出するように
形成する。穴部４８ａは、前述のフォトリソグラフィ技
術によって形成される。軟磁性膜４８は、軟磁性膜４９
と同様に、十分な酸素を含有させるために、酸素を含む
雰囲気中で成膜することが好ましい。次に図３３におい
て、絶縁膜４２ｆと軟磁性膜４８とを覆う絶縁膜４２ｅ
をスパッタリング、ＣＶＤ、蒸着、絶縁樹脂塗膜等の手
段により形成する。このとき絶縁膜４２ｅは、軟磁性膜
４８の穴部４８ａを完全に埋めるように形成される。更
に、絶縁膜４２ｅ、４２ｆを貫通する孔７１を形成す
る。孔７１は軟磁性膜４８の穴部４８ａを貫通して基部
導体１６１ａの一端１６１ｃを露出させるように形成す
る。

【００７８】次に図３４において、孔７１を金属で埋め
て連結導体１６１ｂを形成する。連結導体１６１ｂは、
その先端が絶縁膜４２ｅより若干突出するように形成す
る。また、連結導体１６１ｂは、基部導体１６１ａの一
端１６１ｃと接続するように形成する。このようにして
上層部品２１１を製造する。更に図３５において、絶縁
膜４２ｅに接着層１０を積層する。このとき、連結導体
１６１ｂの突出部の先端を接着層に埋めないために、接
着層１０の厚さを連結導体１６１ｂの突出部の高さと同
等にしておくことが好ましい。接着層１０は、前述の下
層部品２１０の絶縁膜４２ｄに積層してもよいし、絶縁
膜４２ｄ、４２ｅのいずれかに積層しても良い。

【００７９】次に、上層部品２１０と下層部品２１１を
接合して薄膜インダクタ素子４１ａを形成し、薄膜イン
ダクタ素子４１ａを切り出して電極４５、４６を取り付
けて薄膜インダクタ４１を完成する方法を説明する。ま
ず、図３６に示すように、下層部品２１０と上層部品２
１１を、接着層１０を介して絶縁膜４２ｄと絶縁膜４２
ｅとが向かい合うように接合する。このとき、下層部品
２１０の補助導体１６１ｅと上層部品２１１の連結導体
１６１ｂとが接するように下層部品２１０と上層部品２
１１を接合する。このようにして、基部導体１６１ａ、
連結導体１６１ｂ及び補助導体１６１ｅにより接続導体
１６１が形成される。このようにして薄膜インダクタ素
子４１ａが形成される。次に、図３７に示すように、薄
膜インダクタ素子４１ａを切り出す。このとき、基部導
体１６１ａと接続導体１６２が薄膜インダクタ素子４１
ａの側壁面４３、４４からそれぞれ露出するように薄膜
インダクタ素子４１ａを切り出す。最後に図３８に示す
ように、接続導体１６２及び基部導体１６１ａに電極４
６、４５をそれぞれ取り付ける。このようにして、薄膜
インダクタ４１を製造する。

【００８０】上述の薄膜インダクタ４１は、前述した薄
膜インダクタ１の効果に加えて、以下の効果が得られ
る。即ち上述の薄膜インダクタ４１は、基体２の側壁面
４３、４４に電極４５、４６が取り付けられているの
で、薄膜インダクタ４１を回路基板等に実装する際に、
電極４５、４６を回路基板の端子等に直接接触させて実
装することが可能となり、薄膜インダクタ４１の回路基
板に対する実装面積を小さくすることができる。従っ
て、上述の薄膜インダクタ４１は、従来のチップ型回路
素子の実装技術をそのまま用いて回路基板等に実装する
ことができる。また、電極４５、４６は、接続導体１６
１、１６２を介して導体４７に接続されているので、導
体４７と電極４５、４６の間の電気抵抗を小さくして薄
膜インダクタ４１の電力損失を小さくすることができ
る。

【００８１】上述の薄膜インダクタの製造方法は、下層
部品２１０と上層部品２１１をあらかじめ製造し、これ
ら下層部品２１０と上層部品２１１を接合して薄膜イン
ダクタ４１を製造するので、多数の絶縁膜を一度に形成
する必要がなく、各絶縁膜の平坦性が向上して軟磁性膜
の特性劣化が防止されると共に薄膜インダクタの製造工
程における不良率を低減することができる。

【００８２】次に、本発明の第５の実施形態である薄膜
インダクタを、図３９、図４０を参照して説明する。図
３９、図４０に示す薄膜インダクタ２０１は、基体２０
２と、基体２０２の一面１２１に備えられた電極２０
３、２０４と、基体２０２の内部に埋め込まれて自己イ
ンダクタンスとして作用する導体２０５と、軟磁性膜２
０６、２０７と、接続導体２０８、２０９とを主体とし
て構成されている。

【００８３】基体２０２は、基板２０２ａと、基板２０
２ａに積層された絶縁膜２０２ｂ〜２０２ｄからなる。
基板２０２ａは、前述の基板２ａと同様の構成からな
る。絶縁膜２０２ｂ〜２０２ｄは、前述の絶縁膜２ｂ〜
２ｅと同等の材料からなる。電極２０３、２０４には、
バンプ状にされた半田メッキ２１１、２１２が形成され
ている。半田メッキ２１１、２１２は、通常の半導体素
子の実装に用いられる半田材料が用いられる。導体２０
５は、絶縁膜２０２ｃに埋め込まれて、その一端２０５
ａから他端２０５ｂに向けて渦巻き状に巻回されてい
る。導体２０５は、前述の導体５と同等の材料からな
る。また、導体２０５は、つづら折れ状に形成されたも
のであっても良い。接続導体２０８は、電極２０３と導
体２０５の一端２０５ａとを接続するものであって、絶
縁膜２０２ｃ、２０２ｄを貫通するスルーホールとされ
ている。また、接続導体２０９は、電極２０４と導体２
０５の他端２０５ｂとを接続するものであって、絶縁膜
２０２ｃ、２０２ｄを貫通するスルーホールとされてい
る。

【００８４】この薄膜インダクタ２０１においては、電
極２０３、２０４が、基体２０２の一面２２１から露出
する接続導体２０８、２０９の先端に取り付けられるの
で、電極２０３、２０４と接続導体２０８、２０９の接
続部分における接触面積を大きくすることが可能になっ
て、電極２０３、２０４と接続導体２０８、２０９の間
の接触抵抗が低減される。

【００８５】軟磁性膜２０６、２０７は、上述した軟磁
性膜６、７と同等の材料からなるものであって、微細結
晶質相と非晶質相とが混在した組織を有するものであっ
てＦｅまたはＣｏを主体とする合金からなる。軟磁性膜
２０６は、基体２０２の一面２２１と導体２０５との間
に位置して、絶縁膜２０２ｃ、２０２の間に挟まれてお
り、導体２０５と対向するように設けられている。ま
た、軟磁性膜２０６は、絶縁膜２０２ｃにより導体２０
５５から離間されている。更に、軟磁性膜２０６には、
接続導体２０８が貫通するための孔２０６ａが形成され
ている。軟磁性膜２０７は、導体２０５と基体２０２の
他面２２２との間に位置して、基板２０２ａと絶縁膜２
０２ｂとの間に挟まれており、導体２０５と対向するよ
うに設けられている。また、軟磁性膜２０７は、絶縁膜
２０２ｂを介して導体２０５から離間されている。この
ようにして、軟磁性膜２０６、２０７は、導体２０５を
挟み、かつ導体２０５を覆うように形成されている。薄
膜インダクタ２０１の作動時においては、前述と同様
に、導体２０５に交流電流が流れて導体２０５から発生
する磁束の方向が逐次変化する。軟磁性膜２０６、２０
７は透磁率が高いので、この磁束の方向の変化に十分に
追従することが可能であり、導体２０５のインダクタン
スを高く保つことが可能となる。また、この軟磁性膜２
０６、２０７により、導体２０５から発生する磁束の薄
膜インダクタ２０１外部への漏出が防がれる。また、軟
磁性膜２０６、２０７は、絶縁膜２０２ｂ、２０２ｃに
より導体２０５から離間されて互いに絶縁しているの
で、導体２０５に通電しても導体２０５と軟磁性膜２０
６、２０７とが短絡することがない。また、図４０に示
す薄膜インダクタ１には、２つの軟磁性膜２０６、２０
７が形成されているが、いずれか一方の軟磁性膜を省略
しても良く、省略する場合には、軟磁性膜２０６を省略
するのが好ましい。

【００８６】また、軟磁性膜２０７と基板２０２ａとの
間には、下地層２２３が形成されている。下地層２２３
は、前述の下地層２２と同様の材料からなるものであっ
て、軟磁性膜２０６、２０７がＦｅを主体とする合金で
ある場合にはＡｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ ₃Ｎ₄のうちの１種または２
種からなることが好ましく、軟磁性膜２０６、２０７が
Ｃｏを主体とする合金である場合にはＳｉ、ＳｉＯ₂の
うちの１種または２種からなることが好ましい。また、
下地層２２３は省略されても良い。

【００８７】次に、上述の薄膜インダクタ２０１の製造
方法を、図４２〜図５０を参照して説明する。この製造
方法は、基板２０２ａ上に、軟磁性膜２０７、絶縁膜２
０２ｂ（下部絶縁膜）、複数の導体２０５…、絶縁膜２
０２ｃ（中間絶縁膜）、軟磁性膜２０６、絶縁膜２０２
ｄ（上部絶縁膜）を順に積層すると共に、絶縁膜２０２
ｃと絶縁膜２０２ｄに孔を形成することにより導体２０
５の両端２０５ａ、２０５ｂを露出させ、この孔に導体
２０５の両端に接続する接続導体２０８、２０９を形成
し、接続導体２０８、２０９に電極２０３、２０４を取
り付け、最後に薄膜インダクタ２０１を切り出す工程を
含むものである。

【００８８】まず、図４２において、基板２０２ａの上
面をＣＭＰ等の手段により十分に平坦化し、更に十分に
洗浄する。次に、基板２０２ａ上に下地層２２３及び軟
磁性膜２０７を形成する。下地層２２３及び軟磁性膜２
０７は、予め下地層、軟磁性層を基板２０２ａの全面に
スパッタリング、蒸着等の手段により形成し、フォトレ
ジストを塗布し、更にマスクを載置して露光し、フォト
レジストが残存した部分以外の軟磁性層を除去し、最後
に残存したフォトレジストを除去する工程を含むいわゆ
るリソグラフィ技術により、所定の形状に形成する。ま
た、軟磁性膜２０７の形成は、軟磁性膜２０７に十分な
酸素を含有させるために、酸素を含む雰囲気中で行うこ
とが好ましく、例えばアルゴン−酸素混合ガス中で行う
ことが好ましい。このようにして平坦な基板２０２ａに
軟磁性膜２０７を形成するので、軟磁性膜２０７の平坦
性が高くなる。

【００８９】次に図４３において、基板２０２ａと軟磁
性膜２０７を覆う絶縁膜２０２ｂ（下部絶縁膜）を形成
する。絶縁膜２０２ｂは、スパッタリング法、ＣＶＤ
法、蒸着法、絶縁樹脂の塗膜等の手段により形成する。
更に、ＣＭＰ等の手段により絶縁膜２０２ｂの表面を研
磨して、絶縁膜２０２ｂの表面を平坦化することが好ま
しい。次に図４４において、絶縁膜２０２ｂ（下部絶縁
膜）上に導体２０５を形成する。導体２０５は、一端２
０５ａから他端２０５ｂに向けて渦巻き状に形成され
る。導体２０５は、軟磁性膜２０７と同様に、フォトリ
ソグラフィ技術によって所定の線幅、所定の巻回回数を
有するように形成する。また、導体２０５は、導体２０
５の他端２０５ｂ以外の部分が軟磁性膜２０７が形成さ
れている部分からはみ出さないように形成する。

【００９０】次に、図４５において、導体２０５を埋め
て絶縁膜２０２ｂ（下部絶縁膜）を覆う絶縁膜２０２ｃ
（上部絶縁膜）を形成する。更に、絶縁膜２０２ｃに２
つの第１孔２１９ａ、２２０ａを形成する。第１孔２１
９ａは、導体２０５の一端２０５ａを露出させるように
設けられ、第１孔２０ａは、導体２０５の他端２０５ｂ
を露出させるように設けられる。第１孔２１９ａ、２２
０ａもフォトリソグラフィ技術により設けられる。

【００９１】次に、図４６において、絶縁膜２０２ｃ上
に軟磁性膜２０６を形成する。軟磁性膜の形成は、前述
の軟磁性膜２０７の場合と同様に、フォトリソグラフィ
技術により、所定の形状に形成する。軟磁性膜２０６
は、軟磁性膜２０６のほぼ中央に穴部２０６ａを有し
て、該穴部２０６ａから絶縁膜２０２ｃの第１孔２１９
ａが露出するように略環状に形成される。また、軟磁性
膜２０６は、軟磁性膜２０７と同様に、十分な酸素を含
有させるために、酸素を含む雰囲気中で成膜することが
好ましい。

【００９２】次に、図４７において、絶縁膜２０２ｃと
軟磁性膜２０６とを覆う絶縁膜２０２ｄをスパッタリン
グ法、ＣＶＤ法、蒸着法、絶縁樹脂塗膜等の手段により
形成する。このとき絶縁膜２０２ｄは、軟磁性膜２０６
の穴部２０６ａを完全に埋めるように形成する。更に絶
縁膜２０２ｄに、２つの第２孔２１９ｂ、２２０ｂを設
ける。これらの第２孔もフォトリソグラフィ技術により
設けられる。第２孔２１９ｂは、軟磁性膜６の穴部６ａ
を貫通して第１孔２１９ａと連通するように設けられ
る。また第２孔２２０ｂは、第１孔２２０ａと連通する
ように設けられる。このようにして第１孔２１９ａ、２
２０ａ及び第２孔２１９ｂ、２２０ｂにより、孔２１
９、２２０が形成される。孔２１９は、絶縁膜２０２ｄ
（上部絶縁膜）及び絶縁膜２０２ｃ（中間絶縁膜）を貫
通して導体２０５の一端２０５ａを露出させるものであ
り、孔２２０は、絶縁膜２０２ｄ（上部絶縁膜）及び絶
縁膜２０２ｃ（中間絶縁膜）を貫通して導体２０５の他
端２０５ｂを露出させるものである。

【００９３】次に図４８に示すように、孔２１９、２２
０に、導電性の金属をスパッタリング、蒸着またはメッ
キ等の手段により埋めて、接続導体２０８、２０９を形
成する。接続導体２０８は、軟磁性膜２０６の穴部２０
６ａを貫通して導体２０５の一端２０５ａと接続し、接
続導体２０９は、導体２０５の他端２０５ｂと接続す
る。次に図４９に示すように、絶縁膜２ｄ（上部絶縁
膜）上に電極２０３、２０４を取り付ける。電極２０３
は接続導体２０８と接続し、電極２０４は接続導体２０
９と接続する。このようにして薄膜インダクタ２０１を
得る。最後に図５０において、得られた薄膜インダクタ
２０１を切り出す。尚、電極２０３、２０４にバンプ状
の半田メッキを設けても良い。また、軟磁性膜２０６の
形成を省略しても良い。

【００９４】上述の薄膜インダクタ２０１は、前述した
薄膜インダクタ１の効果と同様な効果に加えて、次のよ
うな効果が得られる。上述の薄膜インダクタ１は、基体
２０２が基板２０２ａと３層の絶縁膜２０２ｂ〜２０２
ｄを積層してなるので、基体２が基板２ａと４層の絶縁
膜２ｂ〜２ｅを積層してなる薄膜インダクタ１と比較し
て、その総高をより小さくすることができる。また、上
述の薄膜インダクタ２０１は接着層がないので、総高を
更に小さくできる。

【００９５】また、上述の薄膜インダクタの製造方法
は、基板２０２ａに軟磁性膜２０７、下部絶縁膜２０２
ｂ、導体２０５、中間絶縁膜２０２ｃ、軟磁性膜２０６
及び上部絶縁膜２０２ｄを順に積層し、接続導体２０
８、２０９を形成して電極２０３、２０４を取り付ける
ので、前述の薄膜インダクタ１のごとく２つの部品を張
り合わせる工程が不要となるため、薄膜インダクタの製
造工程をより簡略化することができる。

【００９６】次に、本発明の第６の実施形態である薄膜
インダクタを図４１を参照して説明する。尚、これらの
図において、図３９、図４０に示す構成要素と同一の構
成要素には同一符号を付してその説明を省略する。

【００９７】図４１に示す薄膜インダクタ２３１には、
基体２０２の一面２２１から側壁面２４３、２４４を経
て他面２２２に向けて延在する断面が略コ字状の電極２
３２、２３３が設けられている。電極２３２は、基体２
０２の上面２２１から露出する接続導体２０８に接続さ
れ、電極２３３は、上面２２１から露出する接続導体２
０９に接続されている。

【００９８】この薄膜インダクタ２３１は、断面が略コ
字状の電極２３２、２３３を取り付けること以外は、前
述の薄膜インダクタ２０１と同様の製造方法により得ら
れる。即ち、図４２〜図４８の各工程を経た後に、図４
８に示す積層物を切り出し、電極２３２、２３３を取り
付けることにより製造される。

【００９９】上述の薄膜インダクタ２３１は、前述した
薄膜インダクタ２０１の効果と同様な効果に加えて、以
下の効果が得られる。即ち、上述の薄膜インダクタ２３
１には、基体２０２の一面２２１から側壁面２４３、２
４４を経て他面２２２に向けて延在する断面が略コ字状
の電極２３２、２３３が設けられているので、薄膜イン
ダクタ２３１を回路基板等に実装する際に、電極２３
２、２３３を回路基板の端子等に直接接触させて実装す
ることが可能となり、薄膜インダクタ２３１の回路基板
に対する実装面積を小さくすることができる。従って、
上述の薄膜インダクタ２３１は、従来のチップ型回路素
子の実装技術をそのまま用いて回路基板等に実装するこ
とができる。また、電極２３２、２３３は、接続導体２
０８、２０９を介して導体２０５に接続されているの
で、接触面積を大きくすることが可能となり、導体２０
５と電極２３２、２３３の間の電気抵抗を小さくして薄
膜インダクタ２３１の電力損失を小さくすることができ
る。

【０１００】

【実施例】（実験例１）ガラス基板上に種々の組成の軟
磁性膜を成膜し、これらの軟磁性膜の飽和磁束密度、比
抵抗、保磁力及び透磁率を測定した。軟磁性膜の成膜
は、次のようにして行った。まず、ＲＦマグネトロンス
パッタ装置を用いて、Ｆｅターゲット上に本発明におけ
る元素Ｍの各種ペレットを配置した複合ターゲットを用
い、Ａｒ＋Ｏ₂（Ｏ₂濃度０.１〜１.０％）の雰囲気中で
スパッタを行ない、膜厚が約２μmになるようにスパッ
タ時間を調整した。主なスパッタ条件を以下に示す。 予備排気：１×１０^-6Ｔｏｒｒ以下 高周波電力：４００Ｗ Ａｒガス圧：６〜８×１０^-3Ｔｏｒｒ 基板：結晶化ガラス基板（間接水冷） 電極間距離：７２mm 成膜後、軟磁性膜の軟磁気特性を改善するため、真空加
熱炉中で、無磁場あるいは磁場中で３００〜６００℃の
温度範囲で６０〜３６０分間保持し徐冷するアニール処
理を行なった。得られた軟磁性膜の組成は、不活性ガス
融解赤外線吸収法により求めた。また、軟磁性膜の飽和
磁束密度（Ｂｓ）と保磁力（Ｈｃ）をＶＳＭにより測定
した。比抵抗（ρ）を４端子法により測定した。また、
１０ＭＨｚにおける透磁率（μeff）を測定した。結果
を表１に示す。

【０１０１】

【表１】

【０１０２】表１から、Ｆｅの含有量が少ないと比抵抗
が増加することがわかる。また、Ｆｅの含有量が多くと
も、例えばＨｆが５原子％未満のもの又は酸素が１０原
子％未満のものは、比抵抗が小さくなることがわかる。
なお、表１に示したＦｅ_46.2Ｈｆ_18.2Ｏ_35.6の試料の比
抵抗の値は、熱処理前においては１９４０００μΩ・ｃ
ｍであり、組成、熱処理温度を最適化することにより
２.０×１０⁵μΩ・ｃｍ程度の比抵抗が得られることが
期待できる。

【０１０３】（実験例２）外部磁界の周波数を変化させ
て軟磁性膜の透磁率（μeff）を測定した。試験に供し
た軟磁性膜は、Ｆｅ_54.9Ｈｆ₁₁Ｏ_34.1、センダスト膜、
Ｃｏ系アモルファスリボンを使用し、回転磁場中で４０
０℃で６時間の熱処理を施した。なお、Ｆｅ_54.9Ｈｆ₁₁
Ｏ_34.1なる組成の軟磁性膜は、実験例１で得られたもの
を用いた。測定結果を図５１に示す。尚、図５１中、Ｆ
ｅ_54.9Ｈｆ₁₁Ｏ_34.1は実線、センダスト膜は点線、Ｃｏ
系アモルファスリボンは一点鎖線で示した。図５１か
ら、センダスト膜やＣｏ系アモルファスリボンは高周波
帯域になるにつれて透磁率が低下してしまっている。し
かしながら、Ｆｅ_54.9Ｈｆ₁₁Ｏ_34.1なる組成の軟磁性合
金は、高周波帯域であっても高い透磁率を維持している
ことが明白であり、高周波用磁性材料として非常に優れ
ていることがわかる。

【０１０４】（実験例３）実験例１で得られたＦｅ_54.9
Ｈｆ₁₁Ｏ_34.1 、Ｆｅ_46.2Ｈｆ_18.2Ｏ_35.6なる組成の軟
磁性膜について、これらの軟磁性膜の金属組織を、透過
型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて観察し、金属組織の微小領
域の組成比をエネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＳ）
にて測定した。結果を図５２〜図５５に示す。

【０１０５】図５２には、Ｆｅ_54.9Ｈｆ₁₁Ｏ_34.1なる組
成の軟磁性膜の成膜後における金属組織写真の模式図を
示す。この図において斜線を施した領域は、ｂｃｃ構造
のＦｅの微結晶質相が析出し、他の非晶質組織と異なっ
た組織になっている。図５２に示す斜線部分の面積を計
算したところ、総面積の約５０％となり、この例の軟磁
性膜においては、Ｆｅの微結晶質相の割合が約５０％、
非晶質相の割合が約５０％になっていることが明らかに
なった。また、図５２に示した５ｎｍの大きさの目盛り
から判断すると、いずれの結晶粒子も充分に小さな結晶
粒径を示していることが判明し、平均結晶粒径を計算し
たところその値は７ｎｍとなった。

【０１０６】図５３は、Ｆｅ_46.2Ｈｆ_18.2Ｏ_35.6なる組
成の軟磁性膜の成膜後における金属組織写真の模式図を
示す。この図において斜線を施した領域は、ｂｃｃ構造
のＦｅの微結晶質相が析出し、他の非晶質組織と異なっ
た組織になっている。図５３に示す斜線部分の面積を計
算したところ、総面積の約１０％となり、この例の軟磁
性膜においては、Ｆｅの微結晶相の割合が約１０％にな
っていることが明らかになった。また、図５３に示した
５ｎｍの大きさの目盛りから判断すると、いずれの結晶
粒子も更に小さな結晶粒径を示していることが判明し、
平均結晶粒径を計算したところその値は４ｎｍとなっ
た。

【０１０７】次に、図５４には、図５３の模式図に示し
た軟磁性膜の結晶質相のＥＤＳによる分析結果を示し、
図５５に同じ軟磁性膜の非晶質相の分析結果を示す。こ
れらの結果から、結晶質相の部分は主にｂｃｃ構造のＦ
ｅが多く含まれ、非晶質相の部分はＨｆとＯとが高濃度
に含まれていることがわかる。なお、図中において、Ｃ
ｕのピークが出ているのは、ＥＤＳの試料ホルダによる
ものである。

【０１０８】図５２と図５３から得られた結果と、先に
示した表１に示す特性値を対照してみると、図５２に示
す金属組織の試料よりも図５３に示す金属組織の試料の
方が非晶質相の割合が大きいが、この非晶質相の割合が
大きいことにより表１に示すように比抵抗の値が大幅に
増加し、保磁力は殆ど変化していない。よって、Ｆｅ微
結晶相の割合を減少させて非晶質相の割合を増やすこと
により保磁力を変化させることなく比抵抗を大幅に増加
できることが判明した。

【０１０９】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
薄膜インダクタは、基体の内部に導体と軟磁性膜が設け
られているので、薄膜インダクタの形状を小型化するこ
とができる。また、軟磁性膜が導体に対向するように形
成されているので、導体のインダクタンスを高くするこ
とができると共に、導体から発生する磁束が薄膜インダ
クタの外部に漏れることがない。更にまた、２つの電極
は、接続導体を介して導体に接続されているので、導体
と電極の間の電気抵抗が小さくなって電力損失を小さく
することができる。特に、本発明の薄膜インダクタにお
いて、電極が基板の一面に取り付けられた場合、電極
は、基体の一面から露出する接続導体の先端に接続され
るので、電極と接続導体の接続部分における接触面積を
大きくすることが可能になって、電極と接続導体の間の
接触抵抗を低減でき、薄膜インダクタの電力損失をより
低減できる。

【０１１０】本発明の薄膜インダクタは、基体が、少な
くとも基板と絶縁膜とからなるので、薄膜インダクタの
総高を小さくすることができる。また、基体に接着層が
含まれる場合であっても、接着層の厚さは基体に対して
極めて薄いので、前述と同様に薄膜インダクタの総高を
小さくすることができる。また、本発明の薄膜インダク
タにおいては、軟磁性膜が基板上に形成されているの
で、軟磁性膜の平坦性を高くすることが可能となり、軟
磁性膜の比抵抗が高くなって透磁率が大きくなり、薄膜
インダクタのインダクタンスを高くすることができる。
また絶縁膜が導体と軟磁性膜の間に位置しているので、
導体と軟磁性膜をそれぞれ絶縁することができる。また
接着層が導体と軟磁性膜の間に位置しているので、導体
と軟磁性膜の間の絶縁を更に高めることができる。

【０１１１】また、本発明の薄膜インダクタは、基体の
一面に２つの電極が取り付けられているので、薄膜イン
ダクタを回路基板等に実装する際に、電極を回路基板の
端子等に直接接触させて実装することが可能となり、薄
膜インダクタの実装を容易に行うことができると共に、
回路基板に対する実装面積を小さくすることができる。
また、本発明の薄膜インダクタは、基体の側壁面に電極
が備えられているので、薄膜インダクタを回路基板等に
実装する際に、電極を回路基板の端子等に直接接触させ
て実装することが可能となり、薄膜インダクタの回路基
板に対する実装面積を小さくすることができる。また、
従来のチップ型回路素子の実装技術をそのまま用いるこ
とができる。更に、本発明の薄膜インダクタは、基体の
一面から側壁面に向けて延在する電極が備えられてお
り、この電極は、基体の一面から露出する接続導体に取
り付けられているので、電極と接続導体の接続部分にお
ける接触面積を大きくすることが可能になって、電極と
接続導体の間の接触抵抗を低減でき、薄膜インダクタの
電力損失をより低減できると共に、電極を回路基板の端
子等に直接接触させて実装することが可能となり、薄膜
インダクタの回路基板に対する実装面積を小さくするこ
とができる。

【０１１２】本発明の薄膜インダクタは、バンプ状の半
田メッキが設けられているので、薄膜インダクタを回路
基板等の所定に位置に配置して加熱することにより半田
が溶解されて、薄膜インダクタを回路基板に容易に実装
することができる。また、本発明の薄膜インダクタは、
導体がスパイラル状若しくはつづら折れ状に形成されて
いるので、薄膜インダクタの総高を小さくすると共に導
体が形成される部分の面積を小さくして、薄膜インダク
タを小型化することができる。

【０１１３】本発明の薄膜インダクタにおいては、軟磁
性膜が微細結晶質相と非晶質相とが混在した組織を有す
るＦｅ若しくはＣｏを主体とする合金からなり、軟磁性
膜の飽和磁束密度を高くし、かつ比抵抗を高くすること
ができるので、渦電流の発生抑えて高周波数帯域におけ
る透磁率の低下を防止して、導体のインダクタンスを高
めることが可能となり、薄膜インダクタのインダクタン
スを向上することができる。

【０１１４】また、軟磁性膜と基板との間には、Ｓｉ、
ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ₃Ｎ₄のうちの少なくとも１種
または２種以上からなる下地層２３が設けられているの
で、樹脂からなる基板上に形成した軟磁性膜の特性劣化
を防止することができる。

【０１１５】本発明の薄膜インダクタの製造方法は、基
板に軟磁性膜、下部絶縁膜、導体、中間絶縁膜、軟磁性
膜及び上部絶縁膜を順に積層し、接続導体を形成して電
極を取り付けるので、薄膜インダクタの製造工程をより
簡略化することができる。また、本発明の薄膜インダク
タの製造方法は、基板に少なくとも軟磁性膜、下部絶縁
膜、導体、上部絶縁膜を積層してなる導体部品と、仮基
板に少なくとも軟磁性膜、絶縁膜を積層してなる絶縁膜
部品とを予め製造し、これら導体部品と絶縁膜部品を接
合するので、軟磁性膜、各絶縁膜及び導体の平坦性が高
くなり、１つの基板上に多数の絶縁膜を積層することに
よる各層の平坦性の低下という問題が生じないので、軟
磁性膜の特性劣化が防止されると共に、薄膜インダクタ
の不良発生を低減することができる。また、導体部品の
形成時には、導体上には上部絶縁膜を形成するだけなの
で、絶縁膜の積層によるコイルへの応力の印加を小さく
することが可能となって製造中に導体が切断されること
がなく、薄膜インダクタの製造工程における不良発生を
低減することができる。更に、導体部品と絶縁膜部品を
接合した後に絶縁膜部品の仮基板を除去するので、薄膜
インダクタの総高を小さくすることができる。

【０１１６】また、仮基板及び基板にそれぞれ軟磁性膜
を形成しているので、２つの軟磁性膜の平坦性を高くす
ることが可能となり、軟磁性膜の軟磁気特性が向上して
特性が良好な薄膜インダクタを製造できる。また、２つ
の軟磁性膜は仮基板、基板にそれぞれ形成されるので、
その後の工程において軟磁性膜、仮基板及び基板が加熱
されても仮基板及び基板から揮発成分が生じることな
く、軟磁性膜が変質することがないので、軟磁性膜の透
磁率及び比抵抗が変動することがなく、インダクタンス
が高い薄膜インダクタを製造することができる。

【０１１７】更に、本発明の薄膜インダクタの製造方法
においては、導体部品に導体の一端と他端を露出させる
２つの第２連通孔を設け、絶縁膜部品に２つの第１連通
孔を設け、これら第１連通孔と第２連通孔の位置を合わ
せて導体部品と絶縁膜部品を接合して２つの孔とし、こ
れら２つの孔に接続導体を形成し、更に２つの電極を取
り付けるので、導体と電極との間の電気抵抗を小さくし
て電力損失が小さい薄膜インダクタを製造することがで
きる。

【０１１８】本発明の薄膜インダクタの製造方法は、上
層部品と下層部品を形成し、これらを接合して電極を取
り付けることにより薄膜インダクタが得られるので、製
造工程が簡略化されて薄膜インダクタの生産効率を高め
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施形態である薄膜インダク
タの平面図である。

【図２】 本発明の第１の実施形態である薄膜インダク
タの平面図である。

【図３】 本発明の第１の実施形態である薄膜インダク
タを示す図であって、図１におけるＸ−Ｘ’線の断面図
である。

【図４】 本発明の第３の実施形態である薄膜インダク
タの平面図である。

【図５】 本発明の第３の実施形態である薄膜インダク
タの平面図である。

【図６】 本発明の第３の実施形態である薄膜インダク
タを示す図であって、図１におけるＹ−Ｙ’線の断面図
である。

【図７】 本発明の第４の実施形態である薄膜インダク
タの平面図である。

【図８】 本発明の第４の実施形態である薄膜インダク
タの平面図である。

【図９】 本発明の第４の実施形態である薄膜インダク
タを示す図であって、図１におけるＺ−Ｚ’線の断面図
である。

【図１０】 本発明の薄膜インダクタの製造方法を示す
図である。

【図１１】 本発明の薄膜インダクタの導体部品の製造
方法を示す図である。

【図１２】 本発明の薄膜インダクタの導体部品の製造
方法を示す図である。

【図１３】 本発明の薄膜インダクタの導体部品の製造
方法を示す図である。

【図１４】 本発明の薄膜インダクタの導体部品の製造
方法を示す図である。

【図１５】 本発明の薄膜インダクタの絶縁膜部品の製
造方法を示す図である。

【図１６】 本発明の薄膜インダクタの絶縁膜部品の製
造方法を示す図である。

【図１７】 本発明の薄膜インダクタの絶縁膜部品の製
造方法を示す図である。

【図１８】 本発明の薄膜インダクタの製造方法を示す
図である。

【図１９】 本発明の薄膜インダクタの製造方法を示す
図である。

【図２０】 本発明の薄膜インダクタの製造方法を示す
図である。

【図２１】 本発明の薄膜インダクタの製造方法を示す
図である。

【図２２】 本発明の薄膜インダクタの製造方法を示す
図である。

【図２３】 本発明の薄膜インダクタの製造方法を示す
図である。

【図２４】 本発明の薄膜インダクタの製造方法を示す
図である。

【図２５】 本発明の薄膜インダクタの下層部品の製造
方法を示す図である。

【図２６】 本発明の薄膜インダクタの下層部品の製造
方法を示す図である。

【図２７】 本発明の薄膜インダクタの下層部品の製造
方法を示す図である。

【図２８】 本発明の薄膜インダクタの下層部品の製造
方法を示す図である。

【図２９】 本発明の薄膜インダクタの下層部品の製造
方法を示す図である。

【図３０】 本発明の薄膜インダクタの上層部品の製造
方法を示す図である。

【図３１】 本発明の薄膜インダクタの上層部品の製造
方法を示す図である。

【図３２】 本発明の薄膜インダクタの上層部品の製造
方法を示す図である。

【図３３】 本発明の薄膜インダクタの上層部品の製造
方法を示す図である。

【図３４】 本発明の薄膜インダクタの上層部品の製造
方法を示す図である。

【図３５】 本発明の薄膜インダクタの上層部品の製造
方法を示す図である。

【図３６】 本発明の薄膜インダクタの製造方法を示す
図である。

【図３７】 本発明の薄膜インダクタの製造方法を示す
図である。

【図３８】 本発明の薄膜インダクタの製造方法を示す
図である。

【図３９】 本発明の第５の実施形態である薄膜インダ
クタの平面図である。

【図４０】 本発明の第５の実施形態である薄膜インダ
クタを示す図であって、図３９におけるＸ−Ｘ’線の断
面図である。

【図４１】 本発明の第６の実施形態である薄膜インダ
クタの断面図である。

【図４２】 本発明の薄膜インダクタの製造方法を示す
図である。

【図４３】 本発明の薄膜インダクタの製造方法を示す
図である。

【図４４】 本発明の薄膜インダクタの製造方法を示す
図である。

【図４５】 本発明の薄膜インダクタの製造方法を示す
図である。

【図４６】 本発明の薄膜インダクタの製造方法を示す
図である。

【図４７】 本発明の薄膜インダクタの製造方法を示す
図である。

【図４８】 本発明の薄膜インダクタの製造方法を示す
図である。

【図４９】 本発明の薄膜インダクタの製造方法を示す
図である。

【図５０】 本発明の薄膜インダクタの製造方法を示す
図である。

【図５１】 本発明に係るＦｅ_54.9Ｈｆ₁₁Ｏ_34.1なる組
成の軟磁性膜とセンダスト膜とＣｏ系アモルファスリボ
ンの外部磁界の周波数と透磁率の関係を示すグラフであ
る。

【図５２】 本発明に係るＦｅ_54.9Ｈｆ₁₁Ｏ_34.1なる組
成の軟磁性膜の金属組織の模式図である。

【図５３】 本発明に係るＦｅ_46.2Ｈｆ_18.2Ｏ_35.6なる
組成の軟磁性膜の金属組織の模式図である。

【図５４】 本発明に係るＦｅ_46.2Ｈｆ_18.2Ｏ_35.6なる
組成の軟磁性膜の結晶質相におけるエネルギー分散型Ｘ
線分析装置（ＥＤＳ）による分析結果を示す図である。

【図５５】 本発明に係るＦｅ_46.2Ｈｆ_18.2Ｏ_35.6なる
組成の軟磁性膜の非晶質相におけるエネルギー分散型Ｘ
線分析装置（ＥＤＳ）による分析結果を示す図である。

【図５６】 本発明の第２の実施形態である薄膜インダ
クタを示す断面図である。

【符号の説明】

１ 薄膜インダクタ ２ 基体 ３、４ 電極 ５ 導体 ６、７ 軟磁性膜 ８、９ 接続導体 １０ 接着層 １１、１２ バンプメッキ ２１ 基体の一面 ２２ 基体の他面 ２３ 下地層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 畑内 隆史 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 Ｆターム(参考） 5E049 AA01 AA04 AA09 AC05 BA30 5E070 AA01 AB02 BA11 CB04 CC10

Claims (27)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基体の外面に２つの電極が取り付けら
   れ、該基体の内部に自己インダクタンスとして作用する
   導体が設けられ、前記基体の一面と前記導体との間及び
   ／または前記導体と前記基体の他面との間に位置して前
   記導体と離間かつ対向する１つまたは２つの軟磁性膜が
   設けられ、 前記基体の内部に前記導体の両端と前記の２つの電極を
   それぞれ接続する接続導体が設けられてなることを特徴
   とする薄膜インダクタ。
2. 【請求項２】 前記基体は、基板と複数の絶縁膜とが少
   なくとも積層されてなり、 前記軟磁性膜の１つが、前記基板上に形成され、前記絶
   縁膜の少なくとも１つが、前記軟磁性膜と前記導体との
   間に配置されて前記軟磁性膜と前記導体が離間されたこ
   とを特徴とする請求項１記載の薄膜インダクタ。
3. 【請求項３】 前記基体は、基板と複数の絶縁膜と接着
   層とが少なくとも積層されてなり、 前記軟磁性膜の１つが、前記基板上に形成され、前記絶
   縁膜の少なくとも１つが、前記軟磁性膜と前記導体との
   間に配置されて前記軟磁性膜と前記導体が離間され、前
   記接着層が、前記軟磁性膜と前記導体との間に配置され
   るように構成されたことを特徴とする請求項１記載の薄
   膜インダクタ。
4. 【請求項４】 前記基体は、２つの基板に複数の絶縁膜
   と接着層とが挟まれてなり、 前記軟磁性膜の１つが、前記一方の基板上に形成され、
   前記絶縁膜の少なくとも１つが、前記軟磁性膜と前記導
   体との間に配置されて前記軟磁性膜が前記導体と離間し
   て設けられ、前記接着層が、前記軟磁性膜と前記導体と
   の間に配置されるように構成されたことを特徴とする請
   求項１記載の薄膜インダクタ。
5. 【請求項５】 前記２つの電極が前記基体の一面に取り
   付けられたことを特徴とする請求項１記載の薄膜インダ
   クタ。
6. 【請求項６】 前記２つの電極が前記基体の少なくとも
   １以上の側壁面に取り付けられたことを特徴とする請求
   項１記載の薄膜インダクタ。
7. 【請求項７】 前記２つの電極が前記基体の一面から側
   壁面に向けて延在するように取り付けられたことを特徴
   とする請求項１記載の薄膜インダクタ。
8. 【請求項８】 前記２つの電極にバンプ状の半田メッキ
   が形成されたことを特徴とする請求項１または請求項５
   記載の薄膜インダクタ。
9. 【請求項９】 前記導体は、前記基体の一面と平行に渦
   巻き状に巻回されてなることを特徴とする請求項１ない
   し請求項４記載の薄膜インダクタ。
10. 【請求項１０】 前記導体は、前記基体の一面と平行に
    つづら折れ状に形成されてなることを特徴とする請求項
    １ないし請求項４記載の薄膜インダクタ。
11. 【請求項１１】 前記軟磁性膜は、微細結晶質相と非晶
    質相とが混在した組織を有する合金であり、 前記微細結晶質相は、平均結晶粒径が３０ｎｍ以下のｂ
    ｃｃ構造、ｈｃｐ構造、ｆｃｃ構造のうちの１種または
    ２種以上の混成構造から構成されてＦｅ若しくはＣｏを
    主体としてなり、 前記非晶質相は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、
    Ｗ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｇａ、Ｇｅ及び希
    土類元素のうちの少なくとも１種または２種以上からな
    る元素Ｍ及び酸素を主体としてなることを特徴とする請
    求項１ないし請求項４記載の薄膜インダクタ。
12. 【請求項１２】 前記軟磁性膜は、下記の組成式で表さ
    れるものであることを特徴とする請求項１、２、３、
    ４、１１のいずれかに記載の薄膜インダクタ。 （Ｆｅ_1-aＣｏ_a）_100-y-z-wＭ_yＬ_zＯ_w 但しＭは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａ
    ｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｇａ、Ｇｅ及び希土類元
    素のうちの少なくとも１種または２種以上の元素を表
    し、Ｌは、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｓ
    ｎ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうちの少なくとも１種ま
    たは２種以上の元素を表し、Ｏは酸素を表し、組成比を
    示すａ、ｙ、ｚ、ｗは、０≦ａ≦０．５、５原子％≦ｙ
    ≦３０原子％、０原子％≦ｚ≦２０原子％、５原子％≦
    ｙ＋ｚ≦４０原子％、１０原子％≦ｗ≦４０原子％であ
    る。
13. 【請求項１３】 前記軟磁性膜と前記基板との間に下地
    層が形成され、前記下地層は、Ｓｉ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ
    ₃、Ｓｉ₃Ｎ₄のうちの少なくとも１種または２種以上か
    らなることを特徴とする請求項２ないし請求項４記載の
    薄膜インダクタ。
14. 【請求項１４】 少なくとも前記軟磁性膜あるいは前記
    絶縁膜が積層される前記基板の上面が、絶縁材料からな
    ることを特徴とする請求項２ないし請求項４記載の薄膜
    インダクタ。
15. 【請求項１５】 前記基板が絶縁材料からなることを特
    徴とする請求項２ないし請求項４記載の薄膜インダク
    タ。
16. 【請求項１６】 前記絶縁材料は、ポリイミド系樹脂ま
    たはノボラック系樹脂あるいはオレフィン樹脂からなる
    ことを特徴とする請求項１４ないし請求項１５記載の薄
    膜インダクタ。
17. 【請求項１７】 基体の外面に２つの電極が取り付けら
    れ、該基体の内部に、自己インダクタンスとして作用す
    る導体と、該導体と離間する２つの軟磁性膜と、前記導
    体の両端と前記の２つの電極をそれぞれ接続する接続導
    体とが設けられてなる薄膜インダクタを製造する際に、 基板上に、軟磁性膜と下部絶縁膜と自己インダクタンス
    として作用する導体と中間絶縁膜と軟磁性膜と上部絶縁
    膜とを積層すると共に、前記中間絶縁膜と前記上部絶縁
    膜に孔を形成することにより前記導体の両端を露出さ
    せ、 該孔に前記導体の両端と接続する接続導体を形成し、該
    接続導体に電極を取り付けることを特徴とする薄膜イン
    ダクタの製造方法。
18. 【請求項１８】 基体の外面に２つの電極が取り付けら
    れ、該基体の内部に、自己インダクタンスとして作用す
    る導体と、該導体と離間する１つの軟磁性膜と、前記導
    体の両端と前記の２つの電極をそれぞれ接続する接続導
    体とが設けられてなる薄膜インダクタを製造する際に、 基板上に、軟磁性膜と下部絶縁膜と自己インダクタンス
    として作用する導体と上部絶縁膜とを積層し、 前記上部絶縁膜に２つの孔を形成することにより前記導
    体の両端を露出させ、 前記導体の両端と接続する接続導体を前記孔に形成し、
    該接続導体に電極を取り付けることを特徴とする薄膜イ
    ンダクタの製造方法。
19. 【請求項１９】 基体の外面に２つの電極が取り付けら
    れ、該基体の内部に、自己インダクタンスとして作用す
    る導体と、該導体と離間する１つまたは２つの軟磁性膜
    と、前記導体の両端と前記の２つの電極をそれぞれ接続
    する接続導体とが設けられてなる薄膜インダクタを製造
    する際に、 基板上に少なくとも軟磁性膜と下部絶縁膜と自己インダ
    クタンスとして作用する導体と上部絶縁膜とを積層して
    導体部品を形成し、 仮基板上に少なくとも絶縁膜を積層して絶縁膜部品を形
    成し、 前記導体部品の前記上部絶縁膜及び／または前記絶縁膜
    部品の前記絶縁膜に接着層を積層し、該接着層を介して
    前記上部絶縁膜と前記絶縁膜が向き合うように前記導体
    部品と前記絶縁膜部品とを接合し、 前記仮基板を除去することを特徴とする薄膜インダクタ
    の製造方法。
20. 【請求項２０】 前記仮基板上に軟磁性膜を積層し、更
    に前記絶縁膜を積層して前記絶縁膜部品を形成すること
    を特徴とする請求項１９記載の薄膜インダクタの製造方
    法。
21. 【請求項２１】 前記導体部品に前記上部絶縁膜を貫通
    して前記導体の両端を露出させる２つの第１連通孔を設
    け、前記絶縁膜部品に前記絶縁膜を貫通して前記仮基板
    を露出させる２つの第２連通孔を設け、 前記２つの第１連通孔と前記２つの第２連通孔とをそれ
    ぞれ連通させるように前記導体部品と前記絶縁膜部品を
    接合し、 前記仮基板を除去し、前記第１連通孔と前記第２連通孔
    が連通して形成された２つの孔に前記導体の両端にそれ
    ぞれ接続する接続導体を形成し、該接続導体に電極をそ
    れぞれ取り付けることを特徴とする請求項１９または請
    求項２０記載の薄膜インダクタの製造方法。
22. 【請求項２２】 基体の外面に２つの電極が取り付けら
    れ、該基体の内部に、自己インダクタンスとして作用す
    る導体と、１つまたは２つの軟磁性膜と、前記導体の両
    端と前記の２つの電極をそれぞれ接続する接続導体とが
    設けられてなる薄膜インダクタを製造する際に、 仮基板上に少なくとも軟磁性膜と下部絶縁膜と自己イン
    ダクタンスとして作用する導体と上部絶縁膜を積層して
    下層部品を形成し、 他の基板上に少なくとも絶縁膜を積層して上層部品を形
    成し、 前記下層部品の前記上部絶縁膜及び／または前記上層部
    品の前記絶縁膜に接着層を積層し、該接着層を介して前
    記上部絶縁膜と前記絶縁膜が向き合うように前記下層部
    品と前記上層部品とを接合することを特徴とする薄膜イ
    ンダクタの製造方法。
23. 【請求項２３】 前記他の基板上に軟磁性膜を積層し、
    更に前記絶縁膜を積層して前記上層部品を形成すること
    を特徴とする請求項２２記載の薄膜インダクタの製造方
    法。
24. 【請求項２４】 前記導体は、前記基板の上面と平行に
    渦巻き状に形成することを特徴とする請求項１７、１
    ８、１９、２２のいずれかに記載の薄膜インダクタの製
    造方法。
25. 【請求項２５】 前記導体は、前記基板の上面と平行に
    つづら折れ状に形成することを特徴とする請求項１７、
    １８、１９、２２のいずれかに記載の薄膜インダクタの
    製造方法。
26. 【請求項２６】 前記軟磁性膜は、微細結晶質相と非晶
    質相とが混在した組織を有する合金であり、前記微細結
    晶質相は、平均結晶粒径が３０ｎｍ以下のｂｃｃ構造、
    ｈｃｐ構造、ｆｃｃ構造のうちの１種または２種以上の
    混成構造から構成されてＦｅ若しくはＣｏを主体として
    なり、前記非晶質相は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、
    Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｇａ、Ｇｅ
    及び希土類元素のうちの少なくとも１種または２種以上
    からなる元素Ｍ及び酸素を主体としてなることを特徴と
    する請求項１７、１８、１９、２０、２２のいずれかに
    記載の薄膜インダクタの製造方法。
27. 【請求項２７】 前記軟磁性膜は、下記の組成式で表さ
    れるものであることを特徴とする請求項１７、１８、１
    ９、２０、２２、２６のいずれかに記載の薄膜インダク
    タの製造方法。 （Ｆｅ_1-aＣｏ_a）_100-y-z-wＭ_yＬ_zＯ_w 但しＭは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａ
    ｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｇａ、Ｇｅ及び希土類元
    素のうちの少なくとも１種または２種以上の元素を表
    し、Ｌは、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｓ
    ｎ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうちの少なくとも１種ま
    たは２種以上の元素を表し、Ｏは酸素を表し、組成比を
    示すａ、ｙ、ｚ、ｗは、０≦ａ≦０．５、５原子％≦ｙ
    ≦３０原子％、０原子％≦ｚ≦２０原子％、５原子％≦
    ｙ＋ｚ≦４０原子％、１０原子％≦ｗ≦４０原子％であ
    る。