JPH1116727A - 高電気抵抗磁性薄膜 - Google Patents
高電気抵抗磁性薄膜Info
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- JPH1116727A JPH1116727A JP18592197A JP18592197A JPH1116727A JP H1116727 A JPH1116727 A JP H1116727A JP 18592197 A JP18592197 A JP 18592197A JP 18592197 A JP18592197 A JP 18592197A JP H1116727 A JPH1116727 A JP H1116727A
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- thin film
- magnetic
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- nickel ferrite
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
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- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のコア材料と同等の飽和磁束密度を有
し、かつ高い電気抵抗を合わせ持つ磁性薄膜の提供。 【解決手段】 強磁性を有する鉄と磁性を有するニッケ
ルフェライトからなり、強磁性相中に磁性相または磁性
相中に強磁性相の分散あるいは強磁性相と磁性相が多層
に積層された構成からなる磁性薄膜をスパッタ法にて作
製し、磁性薄膜中のニッケルフェライトの体積比を調整
することで、従来のコア材料と同等の飽和磁束密度を有
し、かつ高い電気抵抗を合わせ持つ磁性薄膜を容易に提
供できる。
し、かつ高い電気抵抗を合わせ持つ磁性薄膜の提供。 【解決手段】 強磁性を有する鉄と磁性を有するニッケ
ルフェライトからなり、強磁性相中に磁性相または磁性
相中に強磁性相の分散あるいは強磁性相と磁性相が多層
に積層された構成からなる磁性薄膜をスパッタ法にて作
製し、磁性薄膜中のニッケルフェライトの体積比を調整
することで、従来のコア材料と同等の飽和磁束密度を有
し、かつ高い電気抵抗を合わせ持つ磁性薄膜を容易に提
供できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高周波磁気素子に好
適な高電気抵抗磁性薄膜に係り、強磁性材料である鉄相
中に磁性を有するニッケルフェライト相を分散、または
ニッケルフェライト相中に鉄相を分散させるか、あるい
は両相を多層に積層して薄膜化し、高電気抵抗でかつ高
飽和磁束密度を有する磁性薄膜に関する。
適な高電気抵抗磁性薄膜に係り、強磁性材料である鉄相
中に磁性を有するニッケルフェライト相を分散、または
ニッケルフェライト相中に鉄相を分散させるか、あるい
は両相を多層に積層して薄膜化し、高電気抵抗でかつ高
飽和磁束密度を有する磁性薄膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】これまでにＦｅ‐Ｎｉ系合金薄膜やＣｏ
基アモルファス合金薄膜などが、数十ＭＨｚで駆動する
薄膜インダクタ、薄膜トランス、薄膜磁気ヘッドなどの
磁気素子の磁気コアに用いられているが、さらに飽和磁
束密度の高い磁気コアを得るために高飽和磁束密度を有
するＦｅ基合金をベースとした改良が行われている。
基アモルファス合金薄膜などが、数十ＭＨｚで駆動する
薄膜インダクタ、薄膜トランス、薄膜磁気ヘッドなどの
磁気素子の磁気コアに用いられているが、さらに飽和磁
束密度の高い磁気コアを得るために高飽和磁束密度を有
するＦｅ基合金をベースとした改良が行われている。
【０００３】例えば、特開平３‐１１２１０４号におい
ては、Ｆｅ基合金を微細結晶化することにより、あるい
は特開平３‐１２０３３９号においては、Ｆｅ基合金を
窒素雰囲気中でスパッタすることにより、合金薄膜を得
る発明が開示されているが、いずれの材料も高周波域に
おける渦電流損失を低減するのに十分な電気抵抗を有し
ていない問題がる。
ては、Ｆｅ基合金を微細結晶化することにより、あるい
は特開平３‐１２０３３９号においては、Ｆｅ基合金を
窒素雰囲気中でスパッタすることにより、合金薄膜を得
る発明が開示されているが、いずれの材料も高周波域に
おける渦電流損失を低減するのに十分な電気抵抗を有し
ていない問題がる。
【０００４】今後、実用化が期待されている１００ＭＨ
ｚを越える高周波で駆動する磁気素子においては、渦電
流損失を低減するために高い電気抵抗を持つ磁性薄膜を
磁気コア材として用いる必要がある。
ｚを越える高周波で駆動する磁気素子においては、渦電
流損失を低減するために高い電気抵抗を持つ磁性薄膜を
磁気コア材として用いる必要がある。
【０００５】１００ＭＨｚを越える高周波における渦電
流損失の観点から改良を加えた材料として強磁性層に窒
化物、酸化物、フッ化物を分散させた薄膜材料が提案さ
れている。例えば、日本応用磁気学会（ｖｏｌ．１８，
Ｎｏ．２，１９９４）の３０３〜３０８頁にはＣｏ基合
金に窒化物を分散させたＣｏ−Ａｌ‐Ｎ系薄膜が報告さ
れている。
流損失の観点から改良を加えた材料として強磁性層に窒
化物、酸化物、フッ化物を分散させた薄膜材料が提案さ
れている。例えば、日本応用磁気学会（ｖｏｌ．１８，
Ｎｏ．２，１９９４）の３０３〜３０８頁にはＣｏ基合
金に窒化物を分散させたＣｏ−Ａｌ‐Ｎ系薄膜が報告さ
れている。
【０００６】また、特開平７‐８６０３６号には酸化物
あるいはフッ化物とｂｃｃ‐Ｆｅが複合分散膜をなすこ
とにより、電気抵抗、飽和磁束密度が共に高い薄膜が得
られることが開示されている。
あるいはフッ化物とｂｃｃ‐Ｆｅが複合分散膜をなすこ
とにより、電気抵抗、飽和磁束密度が共に高い薄膜が得
られることが開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の２つの
技術では、電気抵抗の高い窒化物、酸化物、フッ化物を
使用し、強磁性相中に分散させるために薄膜中の電気抵
抗は高くなるものの、当該磁性材料の飽和磁束密度を著
しく減少させてしまう欠点を有する。
技術では、電気抵抗の高い窒化物、酸化物、フッ化物を
使用し、強磁性相中に分散させるために薄膜中の電気抵
抗は高くなるものの、当該磁性材料の飽和磁束密度を著
しく減少させてしまう欠点を有する。
【０００８】この発明は、従来の技術では磁性材料にお
ける高電気抵抗と高飽和磁束密度の両立が困難であるこ
とを鑑み、従来のコア材料と同等の飽和磁束密度を有
し、かつ高い電気抵抗を合わせ持つ高電気抵抗磁性薄膜
の提供を目的としている。
ける高電気抵抗と高飽和磁束密度の両立が困難であるこ
とを鑑み、従来のコア材料と同等の飽和磁束密度を有
し、かつ高い電気抵抗を合わせ持つ高電気抵抗磁性薄膜
の提供を目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】発明者らは、電気抵抗を
高くするために電気抵抗の高い酸化物、窒化物、炭化物
等の絶縁物と強磁性金属からなる磁性材料において、飽
和磁束密度が低くなる問題の解消について種々検討した
結果、上記の絶縁物は非磁性であるため磁性材料の飽和
磁束密度を著しく減少させるが、上記の非磁性絶縁物の
替わりにニッケルフェライトを用いると、ニッケルフェ
ライトは磁性を有するために飽和磁束密度の著しい現象
が抑制され、さらには高電気抵抗を有するため、高飽和
磁束密度および高電気抵抗を合わせ持つ磁性薄膜が得ら
れることを知見し、特に、ニッケルフェライトは鉄中に
分散しやすく、比較的容易に上記薄膜が作成可能である
ことを知見し、この発明を完成した。
高くするために電気抵抗の高い酸化物、窒化物、炭化物
等の絶縁物と強磁性金属からなる磁性材料において、飽
和磁束密度が低くなる問題の解消について種々検討した
結果、上記の絶縁物は非磁性であるため磁性材料の飽和
磁束密度を著しく減少させるが、上記の非磁性絶縁物の
替わりにニッケルフェライトを用いると、ニッケルフェ
ライトは磁性を有するために飽和磁束密度の著しい現象
が抑制され、さらには高電気抵抗を有するため、高飽和
磁束密度および高電気抵抗を合わせ持つ磁性薄膜が得ら
れることを知見し、特に、ニッケルフェライトは鉄中に
分散しやすく、比較的容易に上記薄膜が作成可能である
ことを知見し、この発明を完成した。
【００１０】すなわち、この発明は、鉄とニッケルフェ
ライトからなり、強磁性相中に磁性相が分散、または磁
性相中に強磁性相が分散しているか、あるいは強磁性相
と磁性相が多層に積層された構成からなり、磁性相であ
るニッケルフェライトの体積比が、分散型であると１０
〜８０％、多層型であると９〜８０％であることを特徴
とする高電気抵抗磁性薄膜である。
ライトからなり、強磁性相中に磁性相が分散、または磁
性相中に強磁性相が分散しているか、あるいは強磁性相
と磁性相が多層に積層された構成からなり、磁性相であ
るニッケルフェライトの体積比が、分散型であると１０
〜８０％、多層型であると９〜８０％であることを特徴
とする高電気抵抗磁性薄膜である。
【００１１】
【発明の実施の形態】この発明による磁性薄膜は、鉄と
ニッケルフェライトからなることを特徴とする。ニッケ
ルフェライトは磁性を有し、電気抵抗が高いため磁性薄
膜の電気抵抗を高くする効果を有し、非磁性絶縁物に比
べて飽和磁束密度の減少の割合が小さいという利点を有
する。特に、ニッケルフェライトを用いたこの発明によ
る磁性薄膜では、強磁性相、磁性相が各々存在している
ことが重要であり、いわゆる分散型膜でも多層膜でもよ
い。
ニッケルフェライトからなることを特徴とする。ニッケ
ルフェライトは磁性を有し、電気抵抗が高いため磁性薄
膜の電気抵抗を高くする効果を有し、非磁性絶縁物に比
べて飽和磁束密度の減少の割合が小さいという利点を有
する。特に、ニッケルフェライトを用いたこの発明によ
る磁性薄膜では、強磁性相、磁性相が各々存在している
ことが重要であり、いわゆる分散型膜でも多層膜でもよ
い。
【００１２】この発明の高電気抵抗磁性薄膜は、公知の
ＲＦスパッタ法によりスパッタリングにて成膜するが、
例えば、実施例に示すごとく、鉄チップとニッケルフェ
ライト粉末を所要配置した複合ターゲットを用いてスパ
ッタリングし、強磁性相中に磁性相が分散した構成の磁
性薄膜を成膜するか、または、鉄チップとニッケルフェ
ライト粉末の２種のターゲットを用いて交互にスパッタ
リングし、強磁性相と磁性相が多層に積層された構成か
らなる高電気抵抗磁性薄膜を成膜することができる。
ＲＦスパッタ法によりスパッタリングにて成膜するが、
例えば、実施例に示すごとく、鉄チップとニッケルフェ
ライト粉末を所要配置した複合ターゲットを用いてスパ
ッタリングし、強磁性相中に磁性相が分散した構成の磁
性薄膜を成膜するか、または、鉄チップとニッケルフェ
ライト粉末の２種のターゲットを用いて交互にスパッタ
リングし、強磁性相と磁性相が多層に積層された構成か
らなる高電気抵抗磁性薄膜を成膜することができる。
【００１３】上述のスパッタ法において、鉄とニッケル
フェライトの成膜レートは異なるため、上記の複合ター
ゲットにおけるニッケルフェライト粉末上の鉄チップが
占める割合が単純に体積比とはならず、予めニッケルフ
ェライト粉末ターゲットと鉄ターゲットの成膜レートを
測定し、そのレート比とニッケルフェライト粉末ターゲ
ット上の鉄チップの面積比とから体積比を見積もること
により、鉄とニッケルフェライト量を任意の体積比率に
設定することができる。又、鉄とニッケルフェライトを
多層に成膜する場合も、成膜レートあるいは成膜厚みよ
り鉄とニッケルフェライト量を任意の体積比率に設定す
ることができる。
フェライトの成膜レートは異なるため、上記の複合ター
ゲットにおけるニッケルフェライト粉末上の鉄チップが
占める割合が単純に体積比とはならず、予めニッケルフ
ェライト粉末ターゲットと鉄ターゲットの成膜レートを
測定し、そのレート比とニッケルフェライト粉末ターゲ
ット上の鉄チップの面積比とから体積比を見積もること
により、鉄とニッケルフェライト量を任意の体積比率に
設定することができる。又、鉄とニッケルフェライトを
多層に成膜する場合も、成膜レートあるいは成膜厚みよ
り鉄とニッケルフェライト量を任意の体積比率に設定す
ることができる。
【００１４】この発明において、鉄相中にニッケルフェ
ライト相を配すると電気抵抗率は高くなるが、飽和磁束
密度は減少する。分散型膜、多層膜とともにニッケルフ
ェライトの体積比が８０％を越えると、マグネタイトの
飽和磁束密度（６０００ｇａｕｓｓ）より低くなり好ま
しくなく、またニッケルフェライトの体積比が分散型膜
の場合では１０％未満、多層膜の場合では９％未満では
パーマロイの電気抵抗率（２５μΩｃｍ）より低くなる
ため、ニッケルフェライトの体積比は分散型膜で１０％
〜８０％、多層膜で９％〜８０％とする。さらに好まし
くは、マグネタイトの飽和磁束密度、パーマロイの電気
抵抗率の２倍以上の値を持つ範囲、つまり分散型膜で４
０％〜６０％の範囲、多層膜で１５〜４０％である。
ライト相を配すると電気抵抗率は高くなるが、飽和磁束
密度は減少する。分散型膜、多層膜とともにニッケルフ
ェライトの体積比が８０％を越えると、マグネタイトの
飽和磁束密度（６０００ｇａｕｓｓ）より低くなり好ま
しくなく、またニッケルフェライトの体積比が分散型膜
の場合では１０％未満、多層膜の場合では９％未満では
パーマロイの電気抵抗率（２５μΩｃｍ）より低くなる
ため、ニッケルフェライトの体積比は分散型膜で１０％
〜８０％、多層膜で９％〜８０％とする。さらに好まし
くは、マグネタイトの飽和磁束密度、パーマロイの電気
抵抗率の２倍以上の値を持つ範囲、つまり分散型膜で４
０％〜６０％の範囲、多層膜で１５〜４０％である。
【００１５】
実施例１ 鉄−ニッケルフェライト薄膜をニッケルフェライト粉末
と鉄チップを用いてＲＦスパッタ装置にて作製した。こ
の際、使用したターゲットは、図１に示すごとく、銅製
の皿１にニッケルフェライト粉末２を敷き詰め、その上
に１０ｍｍ角の鉄チップ３を載せて複合ターゲット化し
たものである。なお、スパッタ条件は、１．５×１０-6
Ｔｏｒｒ以下まで真空引きした後にチャンバー内にスパ
ッタガスとしてＡｒを１０ｍＴｏｒｒ導入し、投入電力
４００Ｗでスパッタした。
と鉄チップを用いてＲＦスパッタ装置にて作製した。こ
の際、使用したターゲットは、図１に示すごとく、銅製
の皿１にニッケルフェライト粉末２を敷き詰め、その上
に１０ｍｍ角の鉄チップ３を載せて複合ターゲット化し
たものである。なお、スパッタ条件は、１．５×１０-6
Ｔｏｒｒ以下まで真空引きした後にチャンバー内にスパ
ッタガスとしてＡｒを１０ｍＴｏｒｒ導入し、投入電力
４００Ｗでスパッタした。
【００１６】予めニッケルフェライト粉末ターゲットと
鉄ターゲットの成膜レートを測定し、そのレート比とニ
ッケルフェライト粉末ターゲット上の鉄チップの面積比
とから体積比を見積り、鉄とニッケルフェライトの堆積
比を鉄チップの枚数を変化させることで調整し、表１に
示すごとく、ニッケルフェライトの体積％を種々変化さ
せて２０ｍｍ角のガラス基板上にそれぞれ膜厚約２μｍ
の磁性膜を成膜した。
鉄ターゲットの成膜レートを測定し、そのレート比とニ
ッケルフェライト粉末ターゲット上の鉄チップの面積比
とから体積比を見積り、鉄とニッケルフェライトの堆積
比を鉄チップの枚数を変化させることで調整し、表１に
示すごとく、ニッケルフェライトの体積％を種々変化さ
せて２０ｍｍ角のガラス基板上にそれぞれ膜厚約２μｍ
の磁性膜を成膜した。
【００１７】上記の方法で得られた磁性膜のＸ線回折パ
ターンの一例を図２に示す。図２ではニッケルフェライ
トと鉄のピークが現れており、実際にニッケルフェライ
トと鉄からなる磁性膜が得られていることが確認でき
る。
ターンの一例を図２に示す。図２ではニッケルフェライ
トと鉄のピークが現れており、実際にニッケルフェライ
トと鉄からなる磁性膜が得られていることが確認でき
る。
【００１８】以上の方法で得られた試料は、２０×５ｍ
ｍの短冊状に切断し、飽和磁束密度を振動試料型振動計
で見積もるのと同時に、電気抵抗率を４端子直流法を用
い測定した。その測定結果を表１に示す。ニッケルフェ
ライトの体積比が１０％以上、８０％以下のとき、すな
わち、試料Ｎｏ．３〜１３がこの発明による磁性薄膜で
あり、いずれもマグネタイトの飽和磁束密度（６０００
ｇａｕｓｓ）より高く、パーマロイの電気抵抗率（２５
μΩｃｍ）より高くなり、高い電気抵抗率と飽和磁束密
度を有していることが分かる。
ｍの短冊状に切断し、飽和磁束密度を振動試料型振動計
で見積もるのと同時に、電気抵抗率を４端子直流法を用
い測定した。その測定結果を表１に示す。ニッケルフェ
ライトの体積比が１０％以上、８０％以下のとき、すな
わち、試料Ｎｏ．３〜１３がこの発明による磁性薄膜で
あり、いずれもマグネタイトの飽和磁束密度（６０００
ｇａｕｓｓ）より高く、パーマロイの電気抵抗率（２５
μΩｃｍ）より高くなり、高い電気抵抗率と飽和磁束密
度を有していることが分かる。
【００１９】実施例２ 鉄−ニッケルフェライト薄膜をニッケルフェライト粉末
と鉄の２つのターゲットを用いてＲＦスパッタ装置にて
作製した。ニッケルフェライト粉末ターゲットと純鉄
（９９．９％）ターゲットを交互にスパッタしてガラス
基板上に膜厚約３０００Åの鉄とニッケルフェライトの
多層膜を作製した。スパッタ条件並びに使用したガラス
基板は実施例１と同様であった。
と鉄の２つのターゲットを用いてＲＦスパッタ装置にて
作製した。ニッケルフェライト粉末ターゲットと純鉄
（９９．９％）ターゲットを交互にスパッタしてガラス
基板上に膜厚約３０００Åの鉄とニッケルフェライトの
多層膜を作製した。スパッタ条件並びに使用したガラス
基板は実施例１と同様であった。
【００２０】ニッケルフェライトの体積％を種々変化さ
せて２０ｍｍ角のガラス基板上に成膜した試料は、実施
例１と同様方法で各ニッケルフェライト濃度の飽和磁束
密度および電気抵抗率を測定し、その結果を表２に示
す。ここでの体積比は鉄とニッケルフェライトの総膜厚
比から見積もったものである。すなわち、試料Ｎｏ．２
１〜３３がニッケルフェライトの体積比が９％〜８０％
のこの発明による磁性薄膜であり、いずれも高い電気抵
抗率と飽和磁束密度を有していることが分かる。
せて２０ｍｍ角のガラス基板上に成膜した試料は、実施
例１と同様方法で各ニッケルフェライト濃度の飽和磁束
密度および電気抵抗率を測定し、その結果を表２に示
す。ここでの体積比は鉄とニッケルフェライトの総膜厚
比から見積もったものである。すなわち、試料Ｎｏ．２
１〜３３がニッケルフェライトの体積比が９％〜８０％
のこの発明による磁性薄膜であり、いずれも高い電気抵
抗率と飽和磁束密度を有していることが分かる。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【表２】
【００２３】
【発明の効果】この発明は、強磁性相中に磁性相または
磁性相が分散あるいは強磁性相と磁性相が多層に積層さ
れた構成からなる磁性薄膜を作製し、磁性薄膜中のニッ
ケルフェライトの体積比を考慮に入れることにより、従
来の強磁性材料と同等の飽和磁束密度を有し、かつ高い
電気抵抗を合わせ持つ磁性薄膜を容易に提供できる。
磁性相が分散あるいは強磁性相と磁性相が多層に積層さ
れた構成からなる磁性薄膜を作製し、磁性薄膜中のニッ
ケルフェライトの体積比を考慮に入れることにより、従
来の強磁性材料と同等の飽和磁束密度を有し、かつ高い
電気抵抗を合わせ持つ磁性薄膜を容易に提供できる。
【図１】この発明に使用した複合ターゲットの構成を示
す模式図である。
す模式図である。
【図２】実施例１における磁性薄膜のＸ線回折パターン
例を示すグラフである。
例を示すグラフである。
１ 皿 ２ ニッケルフェライト粉末 ３ 鉄チップ
Claims (3)
- 【請求項１】 鉄相中にニッケルフェライト相が分散し
ており、ニッケルフェライトの体積比が１０％〜８０％
である高電気抵抗磁性薄膜。 - 【請求項２】 ニッケルフェライト相中に鉄相が分散し
ており、ニッケルフェライトの体積比が１０％〜８０％
である高電気抵抗磁性薄膜。 - 【請求項３】 鉄相とニッケルフェライト相が多層に積
層されており、ニッケルフェライトの体積比が９〜８０
％である高電気抵抗磁性薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18592197A JPH1116727A (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 高電気抵抗磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18592197A JPH1116727A (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 高電気抵抗磁性薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1116727A true JPH1116727A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=16179215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18592197A Pending JPH1116727A (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 高電気抵抗磁性薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1116727A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6818821B2 (en) | 2002-02-15 | 2004-11-16 | Hitachi, Ltd. | Electromagnetic wave absorption material and an associated device |
| JP2006238604A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Hitachi Ltd | 永久磁石式回転機 |
-
1997
- 1997-06-25 JP JP18592197A patent/JPH1116727A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6818821B2 (en) | 2002-02-15 | 2004-11-16 | Hitachi, Ltd. | Electromagnetic wave absorption material and an associated device |
| US7239261B2 (en) | 2002-02-15 | 2007-07-03 | Hitachi Ltd. | Electromagnetic wave absorption material and an associated device |
| JP2006238604A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Hitachi Ltd | 永久磁石式回転機 |
| JP4591112B2 (ja) * | 2005-02-25 | 2010-12-01 | 株式会社日立製作所 | 永久磁石式回転機 |
| US8358040B2 (en) | 2005-02-25 | 2013-01-22 | Hitachi, Ltd. | Permanent magnet type electric rotating machine |
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