JPS62125518A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は薄膜磁気ヘッドに関するものである。

［従来の技術］ 磁気記録再生装置の１つとして静止画像の記録、再生を
行なうステイルビデオレコーダが知られている。

この装置は磁気ディスクを用いており、１枚分の画像に
相当する画像信号を１トラツクの磁気ディスクの１周に
記録することが望ましいが、装置の小型化等により、磁
気ディスクの直径が小さい場合には記録密度の関係から
トラック１周分に１枚分の画情報を記録することが困難
である。

このような小型の磁気ディスクを用いた場合。

トラック２周分内に１枚分（１フレーム）のビデオ信号
を記録しなければならず、磁気ヘッドとしては２トラツ
クに同時に記録を行なえるものが望ましい。

しかし、従来のバルクタイプの磁気ヘッドにより２トラ
ツクの磁気ヘッドを構成しようとしても、トラック間の
クロストークが大きくなり、実際に使用することが困難
である。

そこで、高密度の２トラツクの磁気記録再生を行えるよ
うにするために、小型化が実現できる薄膜磁気ヘッドを
用いることが考えられる。

薄膜磁気ヘッドは従来のバルクタイプの物に比較して、
著しく小さな寸法で構成することができ、クロストーク
を小さくすることができる。

従来のこの種の薄膜磁気ヘッドの構造を第７図に示す。

第７図はコイル導体が４ターンの巻線を形成している例
を示している。同図において右側は磁気記録媒体搏動面
である。

第７図において符号ｌで示すものは磁性基板で、その上
にコイル導体２が渦巻状に形成されており、さらにその
上に上部磁性層３及び電極引出線７が形成されている。

符号６で示すものは磁気ギャップである。

上述した各層はＲ膜堆積法とファトリソグラフィ技術に
よって形成されている。

尚、各層間には絶縁層が設けられるが、図示を省略しで
ある。

このような構造の薄膜磁気ヘッドを用いて記録を行なう
場合にはコイル導体２に記録７１！流を流すことにより
磁気ギャップ６に磁界を発生させ、これに対向して配置
される図示していない磁気記録媒体を磁化し、記録が行
なわれる。

一方、磁気信号の再生時には磁気ギャップ６付近に位置
する磁気記録媒体の磁化部分から発生する磁束が磁性基
板１と、上部磁性層３を通って導体２と鎖交し、この磁
束が磁気記録媒体の移動に伴って変化することにより、
導体２に発生する誘起電圧を検出して再生が行なわれる
。

記録時及び再生時のクロストークは記録又は再生しよう
とするトラックの上部磁性層からもう一方の上部磁性層
へ磁束が飛び移ることによって生じる。

例えば、再生時のクルストークの場合には、磁化部分か
ら発生する磁束は上部磁性層３の先端部５から侵入する
が、その磁束の一部が隣りのトラックの磁性層に飛び移
り、上部磁性層を通って上部磁性層と、下部の磁性基板
とのコンタクト部４まで至り、コイル導体２と鎖交する
ために生じる。

このクロストークを防止するためには両トラックの磁性
層の間隔を大きくすることが望ましいが、２トラツクの
間隔はビデオディスク規格によると、４０ｇｍと決まっ
ており、極めて小さい。

また、これを大きくすることは高密度記録の妨げとなる
。

このため、上部磁性層のうち少なくともその先端部５は
規格値の間隔内に配置しなければならず、この近接した
磁性層の間で飛び移る磁束を抑制することが困難であっ
た。

この結果、薄膜磁気ヘッドを採用した場合にもクロスト
ークは−３０，：ＩＢ程度が限界であり、システムとし
て必要な一４０ｄＢ以下の値までは達成できなかった。

また、別の薄膜磁気ヘッドとして第８図に示すような構
造の物が提案されている。

第８図において第７図と同一部分には同一符号を付しで
ある。

第８図に示す例にあっては非磁性基板１０の上に下部磁
性層１１を形成することにより磁路を形成しである。

そして下部磁性層１１には両トラックの間にスリー、ト
１２を設けている。

このような構造では磁路を両トラック間を磁気的に分離
することにより、クロストークの改善を図っているが、
その効果は数ｄＢ程度と小さく。

目標値を達成するまでには至らない。

［発明が解決しようとする問題点］ 上述したような各種の構造を採用してみても満足な結果
が得られない理由は、次のような点にあると考えられる
。

即ち、第９図に示すように、飛び込んできたクロストー
ク磁束は矢印Ｃで示すように上部磁性層３上に雨が降っ
ているように降りそそぎ、その磁束は磁気ギャップ・６
とコンタクト部４の２方向にわかれ、下部磁性層を伝わ
って再生しているヘッド側へ戻る。

今、ここで上部磁性層３内において、磁束の流れる方向
が反対方向にわかれる位置、即ちコンタクト部４側と磁
気ギャップ６側とに磁束がわかれる位置、に対して垂直
な平面（以下、この平面をヌル平面Ａと呼ぶ）を考える
と、磁気回路における、このヌル平面Ａより磁気ギャッ
プ側の全磁気抵抗、即ち上部磁性層３．磁気ギャップ６
、下部磁性層１１の磁気抵抗の和と、コンタクト部４側
の全磁気抵抗、即ち上部磁性層３．コンタクト部４、下
部磁性層１１の磁気抵抗の和が等しくなる位置にある。

そしてこの位置は従来構造においては上下の磁性層３，
１１の厚さを共に１０ｇｍとし、磁路長を約２５０１Ｌ
ｍとすると、磁気ギャップ６側の先端部から少しだけコ
イル導体２側に寄った位置にある。

このような位置にヌル平面Ａが存在すると、ヌル平面Ａ
よりコンタクト部４側に飛び移った磁束の全てがコイル
導体２と鎖交することになり、クロストークは著しく増
大してしまうという結果になる。

上述したような理由により、第７図及び第８図に示した
従来構造を採用してもクロストーク減少の効果は満足で
きる値とはならなかったわけである。

本発明は上述の如きクロストーク等の外部磁束の影響を
受は難い薄膜磁気ヘッドを提供することを目的としてい
る。

［問題点を解決するための手段］ 本発明においては上述した問題点を解決するために、磁
極部を構成する上部磁性層或いは下部磁性層の少なくと
もいずれか一方をその磁気ギャップ側の磁気抵抗が上下
の磁性層の接続側の磁気抵抗に比し小さい形状とした。

［作　用］ 上述したような構造を採用すると、クロストークによる
磁束は磁気抵抗の小なる磁性層部分を通ることになり、
この部分の磁気抵抗が減少するため外部磁束の影響によ
り導電層に鎖交する磁束の量を減らすことができ、これ
に伴なう特性の劣化を防１ヒすることができる。

［実施例］ 以下１図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。

［第１実施例］ ｍ　Ｉ　Ｇ及び第２図は本発明の第１の実施例を説明す
るもので、各図中第８図と同一部分には同一符号を付し
、その説明は省略する。

本実施例にあっては、下部磁性層１１の磁気ギャップ６
側に寄った位置の厚みを大きくした肉厚部１１ａを形成
しである。

また、これに対応して上部磁性層３側も磁気ギャップ６
側に寄った位置に肉厚部３ａを形成しである。

なお、これら肉厚部３ａ、ｌｌａを形成する領域は第１
図においてコイル導体２の中心部から磁気ギャップ６側
に寄った範囲内に選ばれる。

上述したような構造を採用すると、雨のように降りそそ
ぐ磁束Ｃによって生じる上下の磁性層内に流れる磁束は
第２図に矢印で示すようになる。

即ち、上下の磁性層３．１１の肉厚部３ａ。

１１ａの存在により、この部分の磁気抵抗が小さくなり
、この部分に流れる磁束が増加し、ヌル平面Ａはコンタ
クト部４側に移動する。

この結果、再生時においてはヌル平面Ａよリコンタクト
部４側に飛び移った磁束のみがコイル導体２と鎖交する
ことになりクロストークは減少する。

なお、記録時においては飛び込んできたクロストーク磁
束のうちギャップ部を通るものが多くなるため、ギャッ
プ中の磁界が太きくなるが、磁気記録媒体の磁気非線形
特性のため、クロストークは抑制され問題とならない。

［第２実施例］ 第３図は本発明の第２の実施例を説明するもので、本実
施例にあっては、上部磁性層３の磁気ギャップ６側に寄
った位置のみに肉厚部３ａを形成し、下部磁性層１１側
は平坦なままにしである。

このような構造を採用しても第１の実施例はどではない
がクロストーク減少の効果が期待できると共に、上部磁
性層３側のみを加工するだけでよいため、製造工程の変
更はわずかでよいという利点がある。

［第３実施例］ 第４図は本発明の第３の実施例を説明するもので、本実
施例にあっては第２の実施例とは逆に、下部磁性層１１
側にのみ肉厚部１１ａを形成しである。

このような構造を採用した場合、クロストーク減少の効
果は第２の実施例に示したものと略同等であるが、基板
レベルでの加工だけでよいため製造工程を簡略化できる
。

なお、上述した各実施例においては、下部磁性層の肉厚
部は磁極部のトラック方向全般に渡って形成しているが
、隣接トラックに飛び移る磁束を少なくするという意味
からも上部磁性層３に対向する部分だけでも十分である
。

実際には肉厚部の厚さ及び肉厚部の領域の太きさは、そ
れぞれ大きくする程、広くする程、磁性層内の内部応力
の蓄積が大きくなり、剥離が生じる可能性が大きくなる
ため、信頼性の」二からも肉厚や領域の大きさは限られ
てくる。

［第４実施例〕 第５図及び第６図は本発明の第４の実施例を説明するも
ので、本実施例にあっては上下の磁性層３．１１に肉厚
部は設けていないが、第３の磁性層１３を上部磁性層３
の先端部５から連続した状態で上部磁性層３の」二側を
コンタクト部４の近傍まで覆った状態で上部磁性層３と
一体的に形成しである。

実際にはこの第３の磁性層１３と」二部磁性層３との間
には非磁性層を介在させである。

このような構造を採用すると上部磁性層３に対するヌル
平面Ａは第６図に示すように磁気ギャップ６側に寄った
位置にあるがクロストーク磁束の流れは次のようになる
。

即ち、雨のように降りそそぐ再生クロストークの磁束は
第３の磁性層１３によって受けとめられ、第６図に矢印
で示すようにこの層を伝わって上部磁性層３に流れ込む
。

流れ込んだ点はヌル平面Ａよりも磁気ギャップ６側に近
いため、コンタクト部４を通って下部磁性層１１に伝わ
り、再生を行なっているもう１つの隣接する磁気ヘッド
へ帰るより、／ａ気ギャップ６の部分を通り、下部磁性
層１１へ伝わり、隣接する磁気ヘッドへ帰る方がエネル
ギーは少ない。従って、大部分の磁束はコイル導体２と
鎖交せず磁気ギャップ６の部分を通って下部磁性層１１
へ流れ、再生している隣接する磁気ヘッドに帰る。

この結果、クロストークは大幅に減少する。

未実施例は以上のように構成されているため、第１の実
施例に比較しても更にクロストークを下げることができ
る。即ち、前述した実施例ではヌル平面Ａをコンタクト
部方向に移動させることに主眼をおき、磁気ギャップ部
近傍において磁性層に肉厚部を形成した。その肉厚部の
厚み及び領域の大きさには前述の如く限界があった。

これに対して本実施例に示す第３の磁性層の形状には比
較的自由度があり、こ丸によって大幅なりロストークの
低減が実現できるものである。

なお、上述した各実施例においては、２トラツクの場合
を例示したが、１トラツクの場合３トランク以上のマル
チトラックの場合についても同様に外部磁束の影響によ
る特性の劣化を防止することができるのは勿論である。

［効　果］ 以−にの説明から明らかなように、本発明によれば、上
下の磁性層のうち、少なくともその一方の磁気キャップ
側の磁気抵抗が」二部の磁性層の接続側の磁気抵抗に比
し小なる形状としているため、外部磁束の影響による特
性の劣化の防止ができるようになった。

また製造工程に大幅な変更はなく製造が容易であり、磁
気ヘッドの信頼性、歩留りも従来と同等以上である。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の第１の実施例を説明する薄
膜磁気ヘッドの斜視図及び一部拡大断面図、第３図は本
発明の第２の実施例を説明する要部拡大断面図、第４図
は本発明の第３の実施例を説明する要部拡大断面図、第
５図及び第６図は本発明の第４の実施例を説明する薄膜
磁気ヘッドの斜視図及び要部拡大断面図、第７図〜第９
図は従来構造を説明するもので、第７図及び第８図はそ
れぞれ異なった薄膜磁気ヘッドの斜視図、第９図は第８
図の要部拡大断面図である。 ２・・・コイル導体　　　３・・・上部磁性層４・・・
コンタクト部　　６・・・磁気ギャップ１０・・・非磁
性基板　　１１・・・下部磁性層１２・・・スリット　
　　　１３・・・第３の磁性層等膿籟寅ヘッド（７）判
視圓 第１図 第３図 舌部１広去１を酢ビａ 第４図 第６日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）下部磁性層と、該下部磁性層上に形成された導体層
   と、該導体層を覆って形成された上部磁性層等を薄膜堆
   積法により形成した薄膜磁気ヘッドにおいて、少なくと
   も上下いずれか一方の磁性層をその磁気ギャップ側の磁
   気抵抗が上下の磁性層の接続側の磁気抵抗に比し小さい
   形状としたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ２）少なくとも上下いずれか一方の磁性層の磁気ギャッ
   プ側に寄った位置に肉厚部を形成したことを特徴とする
   特許請求の範囲第１項に記載の薄膜磁気ヘッド。 ３）上部磁性層の磁気ギャップ側の端部の上面から上部
   磁性層の上側を覆ってコンタクト部側に延びる第３の磁
   性層を前記上部磁性層と一体的に形成したことを特徴と
   する特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の薄膜磁気
   ヘッド。