JPS6323771Y2 - - Google Patents
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- JPS6323771Y2 JPS6323771Y2 JP8472979U JP8472979U JPS6323771Y2 JP S6323771 Y2 JPS6323771 Y2 JP S6323771Y2 JP 8472979 U JP8472979 U JP 8472979U JP 8472979 U JP8472979 U JP 8472979U JP S6323771 Y2 JPS6323771 Y2 JP S6323771Y2
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- magnetic
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- metal magnetic
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Description
本考案は、例えばテープレコーダ、ビデオテー
プレコーダ等の磁気記録再生装置に用いられる磁
気ヘツドに関する。 近時、この種磁気記録再生装置において、磁気
記録密度の向上をはかるために抗磁力の高い、い
わゆる金属磁性材による磁気媒体が用いられ、こ
れに対応して飽和磁束密度の高いセンダスト、ス
ーパーセンダスト、アルバーム、パーマロイ等の
いわゆる金属磁性材料による磁気ヘツドが用いら
れるに至つている。 ところが、このような金属（この明細書でいう
金属とは合金を含む）磁性材料は、比較的高い電
気伝導度を有するので、この種金属磁性材料によ
う磁気ヘツドにおいては、渦電流の発生による表
皮効果に基づく高周波特性の低下をきたす。そこ
で、この種磁気ヘツドにおいては、その金属磁性
材による磁気コアとして積層コアを用いる。例え
ば、第１図に示すように対のコア半体１及び２を
互いに対向合体させ、その前方端間に作動磁気空
隙ｇを形成するものであるが、各コア半体１及び
２として、いわゆるスキンデプスより小なる厚さ
の金属磁性薄膜３をSiO2等の絶縁膜４を介して
積層して構成する。 近年、ビデオテープレコーダにおいて、従来に
比し、より高周波域における録音再生が必要とな
り、使用周波数が従来の１〜5MHzから10〜40M
Hzの帯域に及ぶに至り、積層する磁性薄膜３の厚
さも表皮厚さを考慮すると数μm以下まで薄くす
る必要が生じてくる。反面、絶縁膜４は、金属磁
性薄膜３の絶縁を保ち、且つ製造過程上の取扱い
時の破損を避けることを考慮すると、その厚さの
下限は自ずと制限される。ところが、トラツク幅
方向の高密度化の要求によつて、そのトラツク幅
が30μm程度のものも既に一般化され、将来にお
いては10μm以下のトラツク幅も要求されると考
えられる状況において、絶縁層４のトラツク幅に
対して占める割合、すなわち絶縁層４の存在によ
る磁気的無効部分のトラツク幅に対して占める割
合は無視できない状態になつている。今、トラツ
ク幅が狭い、例えば5.5μmの磁気ヘツドについて
考えると、その金属磁性薄膜３の厚さを1μmとし
て４枚積層し、絶縁膜４として0.5μm厚のSiO2膜
４を介在させるものとすると、このSiO2絶縁膜
４が存在することによる無効部分の占める割合が
高くなり、トラツク幅として寄与する部分は４／5.5 となつて約3dBの感度低下をきたすことになる。 本考案においては、このような欠点を回避した
磁気ヘツドを提供するものである。 即ち、本考案においては、飽和磁束密度の高い
金属磁性薄膜の積層体によつて磁気ヘツドコアを
構成するも、金属磁性薄膜間に高透磁率を有し、
電気的比抵抗が高いNi−Znフエライトよりなる
高比抵抗酸化物磁性薄膜を介在させ、上述した渦
電流による高周波特性の低下を回避すると共に、
絶縁材を介存させる場合の磁気的無効部分の存在
を回避するものである。 第２図及び第３図を参照して本考案の一例を説
明する。５は本考案による磁気ヘツドを全体とし
て示す。 本考案においても、対のコア半体６及び７を、
その前方端面間に非磁性スペーサ８を介して対向
合体し、この前方端面間において作動磁気空隙ｇ
を形成する。特に本考案においては、各コア半体
６及び７として、夫々飽和磁束密度が高い複数の
金属磁性薄膜、例えばセンダスト、スーパーセン
ダスト、アルパーム、パーマロイ等の磁性薄膜９
を、高比抵抗で高透磁率の酸化物磁性薄膜、特に
Ni−Znフエライト薄膜１０を介存させる。 このような磁気ヘツド５を得るには、図示しな
いが例えば非磁性の基板上に金属磁性材、例えば
センダスト（Fe−Al−Si系合金の例えばAlが５
〜5.5重量％、Siが9.5〜10重量％を有するFe−Al
−Si系合金）を蒸着、スパツタリング、イオンプ
レイテイング等の手段によつて被着して金属磁性
薄膜９を形成し、これの上にNi−Znフエライト
を蒸着、スパツタリング、イオンプレイテイング
等の気相メツキ技術により被着して高比抵抗酸化
物磁性薄膜１０を形成し、これら薄膜９及び１０
を交互に積層して、積層ブロツク体を得る。そし
て、このブロツク体を分断して夫々コア半体６及
び７を構成するブロツク片を製出する。そして、
対となる例えば、一方のブロツク片に第３図に示
す巻線溝１１を切り込み、両対のブロツク片の対
向端面を研磨仕上げして非磁性ギヤツプスペーサ
８を挾み込むか少くとも一方のブロツク片（コア
半体）での互の対向端面にスペーサ８を被着し、
両者を接合合体して、その前方対向端面間におい
てギヤツプスペーサ８の厚みによつて規定される
空隙長を有する磁気空隙ｇを形成する。そして、
両コア半体６及び７が接合合体されたコアの前方
面を研磨して磁気媒体との対接面１２を形成し、
巻線溝１１内を通じて巻線１３を施す。 尚、ここに金属磁性薄膜９の厚さはスキンデプ
スδの２倍の厚さに選定する。スキンデプスδは
プレコーダ等の磁気記録再生装置に用いられる磁
気ヘツドに関する。 近時、この種磁気記録再生装置において、磁気
記録密度の向上をはかるために抗磁力の高い、い
わゆる金属磁性材による磁気媒体が用いられ、こ
れに対応して飽和磁束密度の高いセンダスト、ス
ーパーセンダスト、アルバーム、パーマロイ等の
いわゆる金属磁性材料による磁気ヘツドが用いら
れるに至つている。 ところが、このような金属（この明細書でいう
金属とは合金を含む）磁性材料は、比較的高い電
気伝導度を有するので、この種金属磁性材料によ
う磁気ヘツドにおいては、渦電流の発生による表
皮効果に基づく高周波特性の低下をきたす。そこ
で、この種磁気ヘツドにおいては、その金属磁性
材による磁気コアとして積層コアを用いる。例え
ば、第１図に示すように対のコア半体１及び２を
互いに対向合体させ、その前方端間に作動磁気空
隙ｇを形成するものであるが、各コア半体１及び
２として、いわゆるスキンデプスより小なる厚さ
の金属磁性薄膜３をSiO2等の絶縁膜４を介して
積層して構成する。 近年、ビデオテープレコーダにおいて、従来に
比し、より高周波域における録音再生が必要とな
り、使用周波数が従来の１〜5MHzから10〜40M
Hzの帯域に及ぶに至り、積層する磁性薄膜３の厚
さも表皮厚さを考慮すると数μm以下まで薄くす
る必要が生じてくる。反面、絶縁膜４は、金属磁
性薄膜３の絶縁を保ち、且つ製造過程上の取扱い
時の破損を避けることを考慮すると、その厚さの
下限は自ずと制限される。ところが、トラツク幅
方向の高密度化の要求によつて、そのトラツク幅
が30μm程度のものも既に一般化され、将来にお
いては10μm以下のトラツク幅も要求されると考
えられる状況において、絶縁層４のトラツク幅に
対して占める割合、すなわち絶縁層４の存在によ
る磁気的無効部分のトラツク幅に対して占める割
合は無視できない状態になつている。今、トラツ
ク幅が狭い、例えば5.5μmの磁気ヘツドについて
考えると、その金属磁性薄膜３の厚さを1μmとし
て４枚積層し、絶縁膜４として0.5μm厚のSiO2膜
４を介在させるものとすると、このSiO2絶縁膜
４が存在することによる無効部分の占める割合が
高くなり、トラツク幅として寄与する部分は４／5.5 となつて約3dBの感度低下をきたすことになる。 本考案においては、このような欠点を回避した
磁気ヘツドを提供するものである。 即ち、本考案においては、飽和磁束密度の高い
金属磁性薄膜の積層体によつて磁気ヘツドコアを
構成するも、金属磁性薄膜間に高透磁率を有し、
電気的比抵抗が高いNi−Znフエライトよりなる
高比抵抗酸化物磁性薄膜を介在させ、上述した渦
電流による高周波特性の低下を回避すると共に、
絶縁材を介存させる場合の磁気的無効部分の存在
を回避するものである。 第２図及び第３図を参照して本考案の一例を説
明する。５は本考案による磁気ヘツドを全体とし
て示す。 本考案においても、対のコア半体６及び７を、
その前方端面間に非磁性スペーサ８を介して対向
合体し、この前方端面間において作動磁気空隙ｇ
を形成する。特に本考案においては、各コア半体
６及び７として、夫々飽和磁束密度が高い複数の
金属磁性薄膜、例えばセンダスト、スーパーセン
ダスト、アルパーム、パーマロイ等の磁性薄膜９
を、高比抵抗で高透磁率の酸化物磁性薄膜、特に
Ni−Znフエライト薄膜１０を介存させる。 このような磁気ヘツド５を得るには、図示しな
いが例えば非磁性の基板上に金属磁性材、例えば
センダスト（Fe−Al−Si系合金の例えばAlが５
〜5.5重量％、Siが9.5〜10重量％を有するFe−Al
−Si系合金）を蒸着、スパツタリング、イオンプ
レイテイング等の手段によつて被着して金属磁性
薄膜９を形成し、これの上にNi−Znフエライト
を蒸着、スパツタリング、イオンプレイテイング
等の気相メツキ技術により被着して高比抵抗酸化
物磁性薄膜１０を形成し、これら薄膜９及び１０
を交互に積層して、積層ブロツク体を得る。そし
て、このブロツク体を分断して夫々コア半体６及
び７を構成するブロツク片を製出する。そして、
対となる例えば、一方のブロツク片に第３図に示
す巻線溝１１を切り込み、両対のブロツク片の対
向端面を研磨仕上げして非磁性ギヤツプスペーサ
８を挾み込むか少くとも一方のブロツク片（コア
半体）での互の対向端面にスペーサ８を被着し、
両者を接合合体して、その前方対向端面間におい
てギヤツプスペーサ８の厚みによつて規定される
空隙長を有する磁気空隙ｇを形成する。そして、
両コア半体６及び７が接合合体されたコアの前方
面を研磨して磁気媒体との対接面１２を形成し、
巻線溝１１内を通じて巻線１３を施す。 尚、ここに金属磁性薄膜９の厚さはスキンデプ
スδの２倍の厚さに選定する。スキンデプスδは
【式】で与えられる。ここにρは電
気比抵抗（Ωcm）、ωは角速度（rad／sec）、μo
は真空中透磁率、μiは金属磁性薄膜９の実効透磁
率である。 尚、酸化物磁性薄膜１０の厚さは1μm程度に選
び得る。 ちなみに、センダストの飽和磁束密度BSは
11000Os（エルステツド）であり、比抵抗ρは85
×10-6Ωcmであるのに比しNi−Znフエライトの
飽和磁束密度BSは4400Oe、比抵抗ρは104Ωcm程
度のオーダーである。 上述の本案構成によれば、電気抵抗の小さい金
属磁性材料間に高抵抗の酸化物磁性材が介存され
ているので、渦電流による表皮効果に基づく高周
波特性の低下を回避でき、しかも磁気的に絶縁材
の介存される場合のような絶縁材の存在による無
効部分の存在を回避できるので、狭トラツクの磁
気ヘツドにおける出力低下を効果的に回避でき
る。そして、特に本考案においては、その金属磁
性薄膜間に介在させる高抵抗の酸化物磁性薄膜
を、金属磁性薄膜にNi−Znフエライトを気相メ
ツキによつて被着した薄膜によつて形成するもの
であるからこの高抵抗薄膜を機械加工によつて形
成したものに比し、歪がなく、且つ充分薄く形成
することができるので、残留歪によるＳ／Ｎの低
下、磁気特性の低下を回避でき、これの薄膜化と
相俟つて優れた特性のヘツドを得ることができる
ものである。
は真空中透磁率、μiは金属磁性薄膜９の実効透磁
率である。 尚、酸化物磁性薄膜１０の厚さは1μm程度に選
び得る。 ちなみに、センダストの飽和磁束密度BSは
11000Os（エルステツド）であり、比抵抗ρは85
×10-6Ωcmであるのに比しNi−Znフエライトの
飽和磁束密度BSは4400Oe、比抵抗ρは104Ωcm程
度のオーダーである。 上述の本案構成によれば、電気抵抗の小さい金
属磁性材料間に高抵抗の酸化物磁性材が介存され
ているので、渦電流による表皮効果に基づく高周
波特性の低下を回避でき、しかも磁気的に絶縁材
の介存される場合のような絶縁材の存在による無
効部分の存在を回避できるので、狭トラツクの磁
気ヘツドにおける出力低下を効果的に回避でき
る。そして、特に本考案においては、その金属磁
性薄膜間に介在させる高抵抗の酸化物磁性薄膜
を、金属磁性薄膜にNi−Znフエライトを気相メ
ツキによつて被着した薄膜によつて形成するもの
であるからこの高抵抗薄膜を機械加工によつて形
成したものに比し、歪がなく、且つ充分薄く形成
することができるので、残留歪によるＳ／Ｎの低
下、磁気特性の低下を回避でき、これの薄膜化と
相俟つて優れた特性のヘツドを得ることができる
ものである。
第１図は従来の積層コア形磁気ヘツドの一例の
拡大正面図、第２図及び第３図は夫々本考案によ
る磁気ヘツドの一例の拡大正面図及びその上面図
である。 ６及び７は積層コア半体、９は金属磁性薄膜、
１０は高比抵抗酸化物磁性薄膜、１３は巻線であ
る。
拡大正面図、第２図及び第３図は夫々本考案によ
る磁気ヘツドの一例の拡大正面図及びその上面図
である。 ６及び７は積層コア半体、９は金属磁性薄膜、
１０は高比抵抗酸化物磁性薄膜、１３は巻線であ
る。
Claims (1)
- 夫々複数の金属磁性薄膜が該金属磁性薄膜に気
相メツキによつて被着形成したNi−Znフエライ
トの高比抵抗酸化物磁性薄膜を介して積層されて
なる対のコア半体が対向合体されて該対向端面間
に磁気空隙が形成されてなる磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8472979U JPS6323771Y2 (ja) | 1979-06-20 | 1979-06-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8472979U JPS6323771Y2 (ja) | 1979-06-20 | 1979-06-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS566020U JPS566020U (ja) | 1981-01-20 |
| JPS6323771Y2 true JPS6323771Y2 (ja) | 1988-06-30 |
Family
ID=29317920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8472979U Expired JPS6323771Y2 (ja) | 1979-06-20 | 1979-06-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6323771Y2 (ja) |
-
1979
- 1979-06-20 JP JP8472979U patent/JPS6323771Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS566020U (ja) | 1981-01-20 |
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