JPS61289516A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS61289516A JPS61289516A JP12950585A JP12950585A JPS61289516A JP S61289516 A JPS61289516 A JP S61289516A JP 12950585 A JP12950585 A JP 12950585A JP 12950585 A JP12950585 A JP 12950585A JP S61289516 A JPS61289516 A JP S61289516A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic layer
- frame
- lower magnetic
- magnetic material
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/23—Gap features
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、磁気ディスク装置などに用いられる薄膜磁
気ヘッドの製造方法に関するものである。
気ヘッドの製造方法に関するものである。
従来の製法による薄膜磁気ヘッドの構造を第2図に示す
。第2図(a)は平面図、第2図(b)は第2図(fl
)のffb−nb線断面図である。■において、基板f
i+の上に下部磁性体層(2)、ギャップ用非磁性層又
はギャップ層(3)、絶縁層(4)、導体層(5)、絶
縁層(6)及び上部磁性体層(7)が順次積層形成され
ている。
。第2図(a)は平面図、第2図(b)は第2図(fl
)のffb−nb線断面図である。■において、基板f
i+の上に下部磁性体層(2)、ギャップ用非磁性層又
はギャップ層(3)、絶縁層(4)、導体層(5)、絶
縁層(6)及び上部磁性体層(7)が順次積層形成され
ている。
ここで下部磁性体層(2)と上部磁性体層(7)は一端
で接続され、他端は磁極を形成している。また導体層(
5)は絶縁層t41. t61で周囲を覆われている。
で接続され、他端は磁極を形成している。また導体層(
5)は絶縁層t41. t61で周囲を覆われている。
このような構造の薄1lIIII&気ヘッドでは、磁性
体層の被着・成形は、一般的に第3図に示すフレームメ
ッキ法で形成されている。すなわち、(a)基板(1)
上にパーマロイ(NiFe)などのメッキ下地膜(8)
が被着され、その上にレジスト(9)がパターニングさ
れた後、(b〕パーマロイ等からなる下部磁性体層(2
)がフレームメッキされる。次に(c)所望部分の下部
磁性体層をレジスト(9)で覆った後、(d)不要磁性
体層領域をエツチングし、レジストを除去する。
体層の被着・成形は、一般的に第3図に示すフレームメ
ッキ法で形成されている。すなわち、(a)基板(1)
上にパーマロイ(NiFe)などのメッキ下地膜(8)
が被着され、その上にレジスト(9)がパターニングさ
れた後、(b〕パーマロイ等からなる下部磁性体層(2
)がフレームメッキされる。次に(c)所望部分の下部
磁性体層をレジスト(9)で覆った後、(d)不要磁性
体層領域をエツチングし、レジストを除去する。
次にω露出したメッキ下地膜をエツチングして。
所定形状の下部磁性体層が得られる。上部磁性体層も同
様に上記フレームメッキ法で形成されるが。
様に上記フレームメッキ法で形成されるが。
第4図に示すよりに上、下部磁性体層の巾を同一にする
と製造プロセス中の精度等に起因するところの位置ズレ
のため上部磁性体層の一部が下部磁性体層の側部Vこた
れる現象が発生する(第5図参照)。第4図は、これを
防止するための0例えば特開昭55−87323号公報
に示されたもので。
と製造プロセス中の精度等に起因するところの位置ズレ
のため上部磁性体層の一部が下部磁性体層の側部Vこた
れる現象が発生する(第5図参照)。第4図は、これを
防止するための0例えば特開昭55−87323号公報
に示されたもので。
下部磁性体層の磁極巾(TW2)fc上部磁性体層の磁
極巾(TW7)よりも大きくしている。ここで。
極巾(TW7)よりも大きくしている。ここで。
下部磁性体層の磁極巾は上部磁性体層に対し、製造プロ
セス上の精度等を考慮して0歩留り上問題が生じないよ
りに、充分大きくしなければならない。
セス上の精度等を考慮して0歩留り上問題が生じないよ
りに、充分大きくしなければならない。
このような従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、磁気
記録媒体に記録される信号トラック巾は上部磁性体層の
磁極巾で規定されるが、上部磁性体層のたれを防止しよ
うとすると下部磁性体層の磁極巾を広くしなければなら
ず、隣接トラックからの信号を受は易くなり、クロスト
ーク特性が低下するといり問題点があった。
記録媒体に記録される信号トラック巾は上部磁性体層の
磁極巾で規定されるが、上部磁性体層のたれを防止しよ
うとすると下部磁性体層の磁極巾を広くしなければなら
ず、隣接トラックからの信号を受は易くなり、クロスト
ーク特性が低下するといり問題点があった。
この発明は、上部磁性体層の一部が下部磁性体層の側部
にたれる現象を防ぐことができ、かつ下部磁性体層の磁
[rlJ寸法を小さくでき、クロストーク特性の良い薄
膜磁気ヘッドを得ることのできる薄膜磁気ヘッドの製造
方法を提供することを目的とする。
にたれる現象を防ぐことができ、かつ下部磁性体層の磁
[rlJ寸法を小さくでき、クロストーク特性の良い薄
膜磁気ヘッドを得ることのできる薄膜磁気ヘッドの製造
方法を提供することを目的とする。
この発明に係る#@磁気ヘッドの製造方法は。
基板にメッキ下地層を設ける工程、このメッキ下地層に
下部磁性体層の形状を規制するように非磁性無機絶縁層
からなるフレームを形成する工程。
下部磁性体層の形状を規制するように非磁性無機絶縁層
からなるフレームを形成する工程。
フレーム形成後下部磁性体層をフレームメッキする工程
1周囲にフレームを有する下部磁性体層を絶縁層で覆り
工程、上記絶縁膜で機われ0周囲にフレームを有する下
部磁性体層に上部磁性体層を形成する工程を施すように
したものである。
1周囲にフレームを有する下部磁性体層を絶縁層で覆り
工程、上記絶縁膜で機われ0周囲にフレームを有する下
部磁性体層に上部磁性体層を形成する工程を施すように
したものである。
この発明においては、非磁性無機絶縁層からなるフレー
ムを形成した後、下部磁性体層をフレームメッキし、そ
の後周囲にフレームを有する下部磁性体層を絶縁層で覆
い、その上に上部磁性体層を形成するよりにしたので、
下部磁性体層を上部磁性体層に比べて充分大きくしなく
とも、上部磁性体層のたれを防止することができ、その
結果。
ムを形成した後、下部磁性体層をフレームメッキし、そ
の後周囲にフレームを有する下部磁性体層を絶縁層で覆
い、その上に上部磁性体層を形成するよりにしたので、
下部磁性体層を上部磁性体層に比べて充分大きくしなく
とも、上部磁性体層のたれを防止することができ、その
結果。
下部磁性体層のトラック巾寸法を小さくできるので、ク
ロストーク特性が改善する。
ロストーク特性が改善する。
以下、この発明の一実施例を工程順に示す第1図を用い
て説明する。まず第1図ωに示すように基板+1)上に
パーマロイ(NiFe)等のメッキ下地層(8)が被着
され、このメッキ下地層(8)上にA!hos。
て説明する。まず第1図ωに示すように基板+1)上に
パーマロイ(NiFe)等のメッキ下地層(8)が被着
され、このメッキ下地層(8)上にA!hos。
5i02などの非磁性無機絶縁層alがスパッタなどの
方法で被着される。次にφ)に示すように非磁性無機絶
縁層aQにレジスト(9)がパターニングされ。
方法で被着される。次にφ)に示すように非磁性無機絶
縁層aQにレジスト(9)がパターニングされ。
(c)に示すように非磁性無機絶縁層α1がフレームメ
ッキ用のフレームとして所定パターンにエツチングされ
た後、(d)に示すよりにレジストが除去される。次に
(e)に示すようにパーマロイ等の下部磁性体層(2)
がメッキ下地膜(8)上にフレームメッキされ。
ッキ用のフレームとして所定パターンにエツチングされ
た後、(d)に示すよりにレジストが除去される。次に
(e)に示すようにパーマロイ等の下部磁性体層(2)
がメッキ下地膜(8)上にフレームメッキされ。
0)に示すように所望部分の磁性体層をレジスト(9)
で覆った後、ωに示すように不要磁性体層領域がエツチ
ングされ、レジストが除去され、露出メッキ下地膜(8
)が除去される。その後ωに示すようにAA!205等
Oキャップ層(3)がスパッタなどの方法で被着され1
次に(i)に示すようにギャップ層(3)上にメッキ下
地層(8)と同様のメッキ下地層aυが被着され、レジ
スト(9)がバターニングされた後G)に示すように下
部磁性層(2)と同様の上部磁性体層(7)がフレーム
メッキされる。続いて■に示したよりに所望部分の上部
磁性体層())をレジスト(9)で覆った後、(1)に
示すように不要磁性領域をエツチングし。
で覆った後、ωに示すように不要磁性体層領域がエツチ
ングされ、レジストが除去され、露出メッキ下地膜(8
)が除去される。その後ωに示すようにAA!205等
Oキャップ層(3)がスパッタなどの方法で被着され1
次に(i)に示すようにギャップ層(3)上にメッキ下
地層(8)と同様のメッキ下地層aυが被着され、レジ
スト(9)がバターニングされた後G)に示すように下
部磁性層(2)と同様の上部磁性体層(7)がフレーム
メッキされる。続いて■に示したよりに所望部分の上部
磁性体層())をレジスト(9)で覆った後、(1)に
示すように不要磁性領域をエツチングし。
レジスト(9)を除去してから、(へ)に示したように
露出したメッキ下地膜(8)がエツチングされこの発明
の一実施例による薄膜磁気ヘッドを得る。このよりにフ
レームメッキ用のフレームとしての非磁性絶縁層を無機
質で形成したので、そのまま残しても長期の寿命に関し
支障が生じることは無い。
露出したメッキ下地膜(8)がエツチングされこの発明
の一実施例による薄膜磁気ヘッドを得る。このよりにフ
レームメッキ用のフレームとしての非磁性絶縁層を無機
質で形成したので、そのまま残しても長期の寿命に関し
支障が生じることは無い。
ここで下部磁性体層(2)側部に形成された非磁性無機
絶縁層のフレームは製造プロセス中の精度ニ対し充分大
きく設定されているので、下部磁性体層(2)の磁極巾
を上部磁性体層(7)に比べて大きくしなくても、上部
磁性体層(7)の一部が下部磁性体層(2)の側部にた
れる現象は防止される。又、上・下部磁性体層の磁極巾
を同一にし九場合でも、上部磁性体が下(ト)部磁性層
からずれる巾(ΔTW2)は製造プロセス中の精度その
ものによるため1歩留りを考慮して充分下部磁性体層を
大きくした従来(ΔTW1)に比べると小さくすること
が可能になり、クロストーク特性が改善される。
絶縁層のフレームは製造プロセス中の精度ニ対し充分大
きく設定されているので、下部磁性体層(2)の磁極巾
を上部磁性体層(7)に比べて大きくしなくても、上部
磁性体層(7)の一部が下部磁性体層(2)の側部にた
れる現象は防止される。又、上・下部磁性体層の磁極巾
を同一にし九場合でも、上部磁性体が下(ト)部磁性層
からずれる巾(ΔTW2)は製造プロセス中の精度その
ものによるため1歩留りを考慮して充分下部磁性体層を
大きくした従来(ΔTW1)に比べると小さくすること
が可能になり、クロストーク特性が改善される。
なお、上記実施例では上部磁性体層(7)については、
従来の方法を適用したが、上部磁性体層(7)について
も下部磁性体層(2)と同様の方法で形成してもよい。
従来の方法を適用したが、上部磁性体層(7)について
も下部磁性体層(2)と同様の方法で形成してもよい。
また、上・下部磁性体層の磁極巾については同一寸法に
したが、互いに異った磁極巾にしても同様の効果が得ら
れる。
したが、互いに異った磁極巾にしても同様の効果が得ら
れる。
この発明は以上説明したとおり基板にメッキ下地層を設
ける工程、このメッキ下地層に下部磁性体層の形状を規
制するように非磁性無機絶縁層からなるフレームを形成
する工程、フレーム形成後下部磁性体層をフレームメッ
キする工程1周囲にフレームを有する下部磁性体層を絶
縁層で覆う工程、上記絶縁膜で覆われ9周囲にフレーム
を有する下部磁性体層に上部磁性体層を形成する工程を
施すようにしたので、下部磁性体層を上部磁性体層に比
べて充分大きくしなくとも上部磁性体層のたnを防止す
ることができ、その結果クロストーク特性が良くなると
いう効果がある。
ける工程、このメッキ下地層に下部磁性体層の形状を規
制するように非磁性無機絶縁層からなるフレームを形成
する工程、フレーム形成後下部磁性体層をフレームメッ
キする工程1周囲にフレームを有する下部磁性体層を絶
縁層で覆う工程、上記絶縁膜で覆われ9周囲にフレーム
を有する下部磁性体層に上部磁性体層を形成する工程を
施すようにしたので、下部磁性体層を上部磁性体層に比
べて充分大きくしなくとも上部磁性体層のたnを防止す
ることができ、その結果クロストーク特性が良くなると
いう効果がある。
第1図はこの発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方
法を工程順に示す断面図、第2図は一般的な薄膜磁気ヘ
ッドを示す図でG)は平面図、(b)は(a)のnb−
nb線断面図、第3因は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方
法を工程順に示す断面図、第4図は従来の#!法による
薄膜磁気ヘッドを媒体対向面〔第2図B〕より見た概略
断面図、第5図は従来の製法において見られる上部磁性
層の一部が下部磁性層の側部にたnる現象を説明する概
略断面図である。 図において、(1)は基板、(2)は下部磁性体層、(
3)はギャップ層、 +41. +61は絶縁層、(5
)は導体層、(7)は上部磁性体層、(8)はメッキ下
地層である。 なお1図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
法を工程順に示す断面図、第2図は一般的な薄膜磁気ヘ
ッドを示す図でG)は平面図、(b)は(a)のnb−
nb線断面図、第3因は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方
法を工程順に示す断面図、第4図は従来の#!法による
薄膜磁気ヘッドを媒体対向面〔第2図B〕より見た概略
断面図、第5図は従来の製法において見られる上部磁性
層の一部が下部磁性層の側部にたnる現象を説明する概
略断面図である。 図において、(1)は基板、(2)は下部磁性体層、(
3)はギャップ層、 +41. +61は絶縁層、(5
)は導体層、(7)は上部磁性体層、(8)はメッキ下
地層である。 なお1図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 基板に下部磁性体層、ギャップ用非磁性層、絶縁層、こ
の絶縁層に周囲を覆われる導体層、及び一端が下部磁性
体層と接続し他端が下部磁性体層と共に磁極を形成する
上部磁性体層を積層するものにおいて、基板にメッキ下
地層を設ける工程、このメッキ下地層に下部磁性体層の
形状を規制するように非磁性無機絶縁層からなるフレー
ムを形成する工程、フレーム形成後下部磁性体層をフレ
ームメッキする工程、周囲にフレームを有する下部磁性
体層を絶縁層で覆う工程、上記絶縁膜で覆われ、周囲に
フレームを有する下部磁性体層に上部磁性体層を形成す
る工程を施す薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12950585A JPS61289516A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12950585A JPS61289516A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61289516A true JPS61289516A (ja) | 1986-12-19 |
Family
ID=15011144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12950585A Pending JPS61289516A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61289516A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7436627B2 (en) | 2004-10-07 | 2008-10-14 | Headway Technologies, Inc. | Magnetic head for perpendicular magnetic recording and method of manufacturing same |
-
1985
- 1985-06-14 JP JP12950585A patent/JPS61289516A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7436627B2 (en) | 2004-10-07 | 2008-10-14 | Headway Technologies, Inc. | Magnetic head for perpendicular magnetic recording and method of manufacturing same |
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