JPH0312808A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0312808A JPH0312808A JP14889189A JP14889189A JPH0312808A JP H0312808 A JPH0312808 A JP H0312808A JP 14889189 A JP14889189 A JP 14889189A JP 14889189 A JP14889189 A JP 14889189A JP H0312808 A JPH0312808 A JP H0312808A
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- JP
- Japan
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- thin film
- conductive thin
- insulating layer
- film coil
- coil
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は薄膜磁気ヘッドに関するもので、特に高密度磁
気記録再生装置に使用されるものである。
気記録再生装置に使用されるものである。
〈従来の技術〉
記録密度の向上に伴うマルチトラック化に対応すべく薄
膜磁気ヘッドが多く用いられている１、上記薄膜磁気ヘ
ッドは薄膜形成技術、フォトリングラフィ技術及びエツ
チング技術を駆使して製造するものであり、第２図に１
トラック分の薄膜磁気ヘッドの上部から見た平面図を示
す。第２図に示されるように、高透磁率強磁性体基板ｌ
と磁性層２で形成された空隙部に、数ターンからなる導
電体薄膜コイル３．７が数段形成されている。
膜磁気ヘッドが多く用いられている１、上記薄膜磁気ヘ
ッドは薄膜形成技術、フォトリングラフィ技術及びエツ
チング技術を駆使して製造するものであり、第２図に１
トラック分の薄膜磁気ヘッドの上部から見た平面図を示
す。第２図に示されるように、高透磁率強磁性体基板ｌ
と磁性層２で形成された空隙部に、数ターンからなる導
電体薄膜コイル３．７が数段形成されている。
第３図の製造工程図を用いて、従来の薄膜磁気ヘッドの
構造例を説明する。第３図は第２図のｘ−ｘ’断面図で
ある。
構造例を説明する。第３図は第２図のｘ−ｘ’断面図で
ある。
第３図（ａ）では高透磁率強磁性体基板１上に、第１導
電体薄膜コイル３との第１絶縁層５及びギャップ層９が
プラズマＣＶＤ法等により形成される。
電体薄膜コイル３との第１絶縁層５及びギャップ層９が
プラズマＣＶＤ法等により形成される。
第３図（ｂ）では第１絶縁層５上に、数ターンからなる
第１導電体薄膜コイル３が蒸着法等により成膜された後
、イオンミリング法等で微細加工エツチングを行いパタ
ーン形成されている。第３図（ｃ）では第１導電体薄膜
コイル３上に、第２導電体薄膜コイル７との第２絶縁層
６がプラズマＣＶＤ法等により形成されている。第３図
（ｄ）では第２絶縁層６上に、数ターンからなる第２導
電体薄膜コイル７が蒸着法等により成膜された後、イオ
ンミリング法等で微細加工エツチングを行いパターン形
成されている ４は第１導電体薄膜コイル３と第２導電
体薄膜コイル７を接続するスルーホールである。
第１導電体薄膜コイル３が蒸着法等により成膜された後
、イオンミリング法等で微細加工エツチングを行いパタ
ーン形成されている。第３図（ｃ）では第１導電体薄膜
コイル３上に、第２導電体薄膜コイル７との第２絶縁層
６がプラズマＣＶＤ法等により形成されている。第３図
（ｄ）では第２絶縁層６上に、数ターンからなる第２導
電体薄膜コイル７が蒸着法等により成膜された後、イオ
ンミリング法等で微細加工エツチングを行いパターン形
成されている ４は第１導電体薄膜コイル３と第２導電
体薄膜コイル７を接続するスルーホールである。
第３図（ｅ）では第２導電体薄膜コイル７上に、磁性層
２との第３絶縁層８がプラズマＣＶＤ法等により形成さ
れている。
２との第３絶縁層８がプラズマＣＶＤ法等により形成さ
れている。
第３図（ｆ）では第３絶縁層８上に、磁性層２がスパッ
タ法等により成膜された後、ＲＩＥ法等で微細加工エツ
チングを行いパターン形成されている。
タ法等により成膜された後、ＲＩＥ法等で微細加工エツ
チングを行いパターン形成されている。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、上記のような薄膜磁気ヘッドの構造では
、第１導電体薄膜コイル３及び第２導電体薄膜コイル７
の形成結果、転写される表面段差のため第２絶縁層６及
び第３絶縁層８が部分的に薄くカリ、微細加工エツチン
グ後、第１導電体薄膜コイル３と第２導電体薄膜コイル
７間及び第２導電体薄膜コイル７と磁性層２間でショー
トが生じ、薄膜磁気ヘッドの特性に影響を力える問題が
ある。
、第１導電体薄膜コイル３及び第２導電体薄膜コイル７
の形成結果、転写される表面段差のため第２絶縁層６及
び第３絶縁層８が部分的に薄くカリ、微細加工エツチン
グ後、第１導電体薄膜コイル３と第２導電体薄膜コイル
７間及び第２導電体薄膜コイル７と磁性層２間でショー
トが生じ、薄膜磁気ヘッドの特性に影響を力える問題が
ある。
本発明は上記点に鑑み、薄膜磁気ヘッドの特性向上・歩
留り向上を実現する構造を提供するものである。
留り向上を実現する構造を提供するものである。
〈課題を解決するだめの手段〉
この目的を達成するだめに、本発明の薄膜磁気ヘッドで
は、第１絶縁層を第１導電体薄膜コイルパターン形状に
エツチングを行った後、第１導電体薄膜を成膜し、微細
加工エツチングにより第１導電体薄膜コイルが第１絶縁
層に埋め込み形成される。
は、第１絶縁層を第１導電体薄膜コイルパターン形状に
エツチングを行った後、第１導電体薄膜を成膜し、微細
加工エツチングにより第１導電体薄膜コイルが第１絶縁
層に埋め込み形成される。
第２導電体薄膜コイルも上記と同様に、第２絶縁層を第
２導電体薄膜コイルパターン形状にエツチングを行った
後、第２導電体薄膜を成膜し、微細加工エツチングして
第２絶縁層に埋め込み形成される。
２導電体薄膜コイルパターン形状にエツチングを行った
後、第２導電体薄膜を成膜し、微細加工エツチングして
第２絶縁層に埋め込み形成される。
く作用〉
この構成によシ、絶縁層のステンプカバレージが劣る部
分を介して生じていた導電体薄膜コイル間及び導電体薄
膜コイル−磁性層間のショートを防止することができる
。従って導電体薄膜コイルをその下地となる絶縁層内へ
埋め込むことによシ、ショート防止、特性向上、歩留り
向上を実現できる。
分を介して生じていた導電体薄膜コイル間及び導電体薄
膜コイル−磁性層間のショートを防止することができる
。従って導電体薄膜コイルをその下地となる絶縁層内へ
埋め込むことによシ、ショート防止、特性向上、歩留り
向上を実現できる。
〈実施例〉
以下、第１図に従って、本発明の一実施例を説明する。
第１図は第２図のｘ−ｘ’断面図である。
第１図（ａ）では高透磁率強磁性体基板１上に、第１導
電体薄膜コイル３との第１絶縁層５及びギャップ層９が
プラズマＣＶＤ法等により形成される。
電体薄膜コイル３との第１絶縁層５及びギャップ層９が
プラズマＣＶＤ法等により形成される。
第１図（ａ）が第３図（ａ）と異なる点は、図示のよう
に、第１導電体薄膜コイル３を埋め込むための溝１０を
フォトリソグラフィ技術及びＲＩＥ法等の微細加工エツ
チング技術だより設けた構造としたことである。
に、第１導電体薄膜コイル３を埋め込むための溝１０を
フォトリソグラフィ技術及びＲＩＥ法等の微細加工エツ
チング技術だより設けた構造としたことである。
第１図（ｂ）では第１絶縁層５上に、数ターンからなる
第１導電体薄膜コイル３が蒸着法等により成膜された後
、イオンミリング法等で微細加工エツチングを行いパタ
ーン形成されている一第１図（ｃ）では第１導電体薄膜
コイル３上に、第２導電体薄膜コイル７との第２絶縁層
６がプラズマＣＶＤ法等により形成されている、。
第１導電体薄膜コイル３が蒸着法等により成膜された後
、イオンミリング法等で微細加工エツチングを行いパタ
ーン形成されている一第１図（ｃ）では第１導電体薄膜
コイル３上に、第２導電体薄膜コイル７との第２絶縁層
６がプラズマＣＶＤ法等により形成されている、。
第１図（ｄ）では第２絶縁層６が第１絶縁層５と同様に
加工された後、第２導電体薄膜コイル７がパターン形成
されている。第１図（ｅ）では第２導電体薄膜コイル７
上に、磁性層２との第３絶縁層８がプラズマＣＶＤ法等
により形成されている。
加工された後、第２導電体薄膜コイル７がパターン形成
されている。第１図（ｅ）では第２導電体薄膜コイル７
上に、磁性層２との第３絶縁層８がプラズマＣＶＤ法等
により形成されている。
第１図（ｆ）では第３絶縁層ｓ上に、磁性層２がスパン
ク法等により成膜された後、ＲＩＥ法等で微細加工エツ
チングを行いパターン形成されている。
ク法等により成膜された後、ＲＩＥ法等で微細加工エツ
チングを行いパターン形成されている。
第１図（ｆ）が第３図（ｆ）と異なる点は、コイル３゜
７部をその下地となる絶縁層５．６へ埋め込むことによ
り、絶縁層５，６．８のステップカバレージ劣化に起因
するコイル３とコイル７間ショート及びコイル７と磁性
層２間ショートを回避できる構造としたことである。
７部をその下地となる絶縁層５．６へ埋め込むことによ
り、絶縁層５，６．８のステップカバレージ劣化に起因
するコイル３とコイル７間ショート及びコイル７と磁性
層２間ショートを回避できる構造としたことである。
〈発明の効果〉
以上のように本発明の薄膜磁気ヘッドは、第１導電体薄
膜コイルを第１絶縁層内へ、第２導電体薄膜コイルを第
２絶縁層内へ形成するものであり、従来の製造方法にお
いて生じていた表面段差によるステップカバレージ劣化
に起因した導電体薄膜コイル間ショート及び導電体薄膜
コイルと磁性層間ショートを回避し、薄膜磁気ヘッドの
特性向上歩留り向上を実現できる。
膜コイルを第１絶縁層内へ、第２導電体薄膜コイルを第
２絶縁層内へ形成するものであり、従来の製造方法にお
いて生じていた表面段差によるステップカバレージ劣化
に起因した導電体薄膜コイル間ショート及び導電体薄膜
コイルと磁性層間ショートを回避し、薄膜磁気ヘッドの
特性向上歩留り向上を実現できる。
第１図（ａ）乃至（ｆ）は本発明の一実施例を示す断面
図、第２図は１トラック分の平面図、第３図（ａ）乃至
（ｆ）は従来例を示す断面図である。 １・・・高透磁率強磁性体基板、 ３・・第１導電体薄
膜コイル、 ５・・・第１絶縁層、 ６・・・第２絶縁
層、 ７・・第２導電体薄膜コイル。
図、第２図は１トラック分の平面図、第３図（ａ）乃至
（ｆ）は従来例を示す断面図である。 １・・・高透磁率強磁性体基板、 ３・・第１導電体薄
膜コイル、 ５・・・第１絶縁層、 ６・・・第２絶縁
層、 ７・・第２導電体薄膜コイル。
Claims (1)
- （１）高透磁率強磁性体基板上の第１及び第２絶縁層上
へ形成される数ターンからなる第１及び第２導電体薄膜
コイルを、各コイルの下地となる絶縁層内へ埋め込むこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14889189A JPH0312808A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14889189A JPH0312808A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0312808A true JPH0312808A (ja) | 1991-01-21 |
Family
ID=15463009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14889189A Pending JPH0312808A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0312808A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11821951B2 (en) | 2021-09-29 | 2023-11-21 | Rosemount Inc. | Field device switch monitoring |
-
1989
- 1989-06-12 JP JP14889189A patent/JPH0312808A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11821951B2 (en) | 2021-09-29 | 2023-11-21 | Rosemount Inc. | Field device switch monitoring |
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