JPS62256208A - 薄膜磁気ヘツドのギヤツプ部の構造 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドのギヤツプ部の構造Info
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- JPS62256208A JPS62256208A JP9850686A JP9850686A JPS62256208A JP S62256208 A JPS62256208 A JP S62256208A JP 9850686 A JP9850686 A JP 9850686A JP 9850686 A JP9850686 A JP 9850686A JP S62256208 A JPS62256208 A JP S62256208A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、薄膜磁気ヘッドにおけるギャップ部の構造に
関する。
関する。
（従来の技術）
従来の薄膜磁気ヘッドは、第４図に一例を示すように、
基板Ｉ Ｊ二にコアとなる磁性膜２を形成し、磁性膜２
上の中間部に絶縁膜３を介して巻線となる導体膜４を形
成し、導体膜４上に絶縁膜５を介してフォトエツチング
により磁性膜６を形成してなり、ギャップ７は磁性膜２
．６間に絶縁膜３を介在させることにより形成された構
造となっている。
基板Ｉ Ｊ二にコアとなる磁性膜２を形成し、磁性膜２
上の中間部に絶縁膜３を介して巻線となる導体膜４を形
成し、導体膜４上に絶縁膜５を介してフォトエツチング
により磁性膜６を形成してなり、ギャップ７は磁性膜２
．６間に絶縁膜３を介在させることにより形成された構
造となっている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、上記従来の構造によれば、磁性膜６を形成する
際、該磁性膜６が一例として１０ｇｍにも達する厚さを
有する関係上、磁性膜６の両級部６ａを精度の良い垂直
面に形成することができず、規定のトラックＩｌ＠Ｗの
基準を６０ ｇｍとすれば、誤差は±ｌ Ｏｇｒａにも
達するという問題点がある。
際、該磁性膜６が一例として１０ｇｍにも達する厚さを
有する関係上、磁性膜６の両級部６ａを精度の良い垂直
面に形成することができず、規定のトラックＩｌ＠Ｗの
基準を６０ ｇｍとすれば、誤差は±ｌ Ｏｇｒａにも
達するという問題点がある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、上記の問題点に鑑み、基板上に形成された磁
性膜上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜の一部を除去し、該
絶縁膜除去部の少なくとも底面、両側面にギャップ形成
膜を被着し、前記絶縁膜除去部に前記ギャップ形成膜を
介して前記磁性膜と対をなす磁性膜を埋込むように形成
したことを特徴とするものであり、前記絶縁膜に溝状の
除去部を加二［することは、反応性イオンエツチング、
あるいは反応性イオンビームエツチングにより、高精度
に行なえるので、ギャップ幅も高精度に加工できる。
性膜上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜の一部を除去し、該
絶縁膜除去部の少なくとも底面、両側面にギャップ形成
膜を被着し、前記絶縁膜除去部に前記ギャップ形成膜を
介して前記磁性膜と対をなす磁性膜を埋込むように形成
したことを特徴とするものであり、前記絶縁膜に溝状の
除去部を加二［することは、反応性イオンエツチング、
あるいは反応性イオンビームエツチングにより、高精度
に行なえるので、ギャップ幅も高精度に加工できる。
（実施例）
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す
斜視図、第２図はそのＥ−Ｅ断面図である。第１図およ
び第２図において、１はＮｉ −Ｚｎフェライトまたは
Ｍ ｎ −Ｚ ｎフェライト等によりなる基板、２は該
基板ｌ上に形成されたセンダスト、パーマロイ、Ｆｅ−
Ｃｏ系磁性材等の高透磁率磁性材でなる磁性膜、８は該
磁性ｖ２上に形成されたＳ ｉ０２ 、ＴｉＯ２等でな
る絶縁膜、３は該絶縁膜８に形成された膜除去部８ａの
底面（磁性膜２の上面）、両側面および上面に形成され
た５ｉ０２等よりなるギャップ形成膜であり、４は絶縁
膜８を介して形成されたＣｕ、Ａｎ、Ａｇ、Ａｕ等でな
る巻線膜、６は８線膜４上と、前記絶縁膜８の前記除去
部分８ａに埋込むように形成された前記センダスト等の
高透磁率磁性材によりなる磁性膜、５は巻線膜４と磁性
膜６との間にギャップ形成膜３と同時にまたは別に設け
られた絶縁膜である。
斜視図、第２図はそのＥ−Ｅ断面図である。第１図およ
び第２図において、１はＮｉ −Ｚｎフェライトまたは
Ｍ ｎ −Ｚ ｎフェライト等によりなる基板、２は該
基板ｌ上に形成されたセンダスト、パーマロイ、Ｆｅ−
Ｃｏ系磁性材等の高透磁率磁性材でなる磁性膜、８は該
磁性ｖ２上に形成されたＳ ｉ０２ 、ＴｉＯ２等でな
る絶縁膜、３は該絶縁膜８に形成された膜除去部８ａの
底面（磁性膜２の上面）、両側面および上面に形成され
た５ｉ０２等よりなるギャップ形成膜であり、４は絶縁
膜８を介して形成されたＣｕ、Ａｎ、Ａｇ、Ａｕ等でな
る巻線膜、６は８線膜４上と、前記絶縁膜８の前記除去
部分８ａに埋込むように形成された前記センダスト等の
高透磁率磁性材によりなる磁性膜、５は巻線膜４と磁性
膜６との間にギャップ形成膜３と同時にまたは別に設け
られた絶縁膜である。
このような構造は、第３図のような工程によって製作す
ることができる。まず（Ａ）に示すように、Ｎ ｉ
Ｚ ｎ ７ ｘライトまたはＭ ｎ Ｚ ｎ ７ ｘ
ライトでなる基板ｌ上にセンダスト等の磁性膜２をスパ
ッタリング等により形成し、続いて（Ｂ）に示すように
、該磁性膜２上に、絶縁膜８としての５ｉ０２あるいは
Ｔ ｉ Ｏ２等のように、反応性イオンエツチング（Ｒ
ＩＥ）、または反応性イオンビームエツチング（ＲＩＢ
Ｅ）の可能な物質でなる絶縁膜を、例えば５〜１０ ｇ
ｍの厚さにスパッタリング等により形成する。続いて前
記巻線膜４および絶縁膜５の形成を行なった後、（Ｃ）
に示すように、フォトレジスト９の形成と、ＲＩＥまた
はＲＩＢＥによるエツチングを行ない、８ａに示すよう
なギャップ形成のための幅Ｗを有する絶縁膜除去部８ａ
を形成する。このギャップ幅Ｗの設定は、１（ＩＥある
いはＲＩＢＥによる場合、±２＃ｉ、Ｉｌ程度の精度で
行なえる。続いてフォトレジスト９の除去後、（Ｄ）に
示すように２０００〜３０００人程度のＩＩＩ厚に例え
ば５ｉ０２でなるギャップ形成膜３をスパッタリング等
により行ない、続いて（Ｅ）に示すように前記センダス
ト等でなる磁性膜６をスパタリング等により形成し、続
いて（Ｆ）に示すように、フォトエツチングにより除去
部８ａのみについて磁性膜６を残し、残留しているフォ
トレジスト９を除去する。
ることができる。まず（Ａ）に示すように、Ｎ ｉ
Ｚ ｎ ７ ｘライトまたはＭ ｎ Ｚ ｎ ７ ｘ
ライトでなる基板ｌ上にセンダスト等の磁性膜２をスパ
ッタリング等により形成し、続いて（Ｂ）に示すように
、該磁性膜２上に、絶縁膜８としての５ｉ０２あるいは
Ｔ ｉ Ｏ２等のように、反応性イオンエツチング（Ｒ
ＩＥ）、または反応性イオンビームエツチング（ＲＩＢ
Ｅ）の可能な物質でなる絶縁膜を、例えば５〜１０ ｇ
ｍの厚さにスパッタリング等により形成する。続いて前
記巻線膜４および絶縁膜５の形成を行なった後、（Ｃ）
に示すように、フォトレジスト９の形成と、ＲＩＥまた
はＲＩＢＥによるエツチングを行ない、８ａに示すよう
なギャップ形成のための幅Ｗを有する絶縁膜除去部８ａ
を形成する。このギャップ幅Ｗの設定は、１（ＩＥある
いはＲＩＢＥによる場合、±２＃ｉ、Ｉｌ程度の精度で
行なえる。続いてフォトレジスト９の除去後、（Ｄ）に
示すように２０００〜３０００人程度のＩＩＩ厚に例え
ば５ｉ０２でなるギャップ形成膜３をスパッタリング等
により行ない、続いて（Ｅ）に示すように前記センダス
ト等でなる磁性膜６をスパタリング等により形成し、続
いて（Ｆ）に示すように、フォトエツチングにより除去
部８ａのみについて磁性膜６を残し、残留しているフォ
トレジスト９を除去する。
（発明の効果）
以上述べたように、本発明の薄膜磁気ヘッドは、精度良
く除去部分が形成できる絶縁膜を用い、その除去部分に
ギャップ形成膜を形成し、該ギャップ形成膜を介して前
記除去部分に磁性膜を埋込むように形成したので、ギャ
ップ幅を高精度に加工でき、これに関連してトラック間
隔も高精度に形成できる。また、トラック幅および間隔
が高精度に設定できるので１歩留りおよび信頼性が向上
する。
く除去部分が形成できる絶縁膜を用い、その除去部分に
ギャップ形成膜を形成し、該ギャップ形成膜を介して前
記除去部分に磁性膜を埋込むように形成したので、ギャ
ップ幅を高精度に加工でき、これに関連してトラック間
隔も高精度に形成できる。また、トラック幅および間隔
が高精度に設定できるので１歩留りおよび信頼性が向上
する。
第１図は本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す斜視
図、第２図は第１図のＥ−Ｅ断面図、第３図（Ａ）〜（
Ｆ）は該実施例の製造工程の−・例を示す断面図、第４
図は従来の薄膜磁気ヘッドの一例を示す斜視図、第５図
は第４図のヘッドのＦ−Ｆ拡大断面図である。
図、第２図は第１図のＥ−Ｅ断面図、第３図（Ａ）〜（
Ｆ）は該実施例の製造工程の−・例を示す断面図、第４
図は従来の薄膜磁気ヘッドの一例を示す斜視図、第５図
は第４図のヘッドのＦ−Ｆ拡大断面図である。
Claims (1)
- 基板上に形成された磁性膜上に絶縁膜を形成し、該絶縁
膜の一部を除去し、該絶縁膜除去部の少なくとも底面、
両側面にギャップ形成膜を被着し、前記絶縁膜除去部に
前記ギャップ形成膜を介して前記磁性膜と対をなす磁性
膜を埋込むように形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドのギャップ部の構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9850686A JPS62256208A (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 薄膜磁気ヘツドのギヤツプ部の構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9850686A JPS62256208A (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 薄膜磁気ヘツドのギヤツプ部の構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62256208A true JPS62256208A (ja) | 1987-11-07 |
Family
ID=14221529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9850686A Pending JPS62256208A (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 薄膜磁気ヘツドのギヤツプ部の構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62256208A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH025213A (ja) * | 1988-06-23 | 1990-01-10 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JP2002540548A (ja) * | 1999-03-30 | 2002-11-26 | ビーコ・インストゥルーメンツ・インコーポレーション | 反応性イオンビームエッチング方法及び当該方法を使用して製造された薄膜ヘッド |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5744218A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-12 | Nec Corp | Magnetic head of narrow track |
| JPS6177112A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-19 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツド |
-
1986
- 1986-04-28 JP JP9850686A patent/JPS62256208A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5744218A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-12 | Nec Corp | Magnetic head of narrow track |
| JPS6177112A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-19 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツド |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH025213A (ja) * | 1988-06-23 | 1990-01-10 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JP2501873B2 (ja) * | 1988-06-23 | 1996-05-29 | シャープ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JP2002540548A (ja) * | 1999-03-30 | 2002-11-26 | ビーコ・インストゥルーメンツ・インコーポレーション | 反応性イオンビームエッチング方法及び当該方法を使用して製造された薄膜ヘッド |
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