JPS6177112A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS6177112A JPS6177112A JP19825584A JP19825584A JPS6177112A JP S6177112 A JPS6177112 A JP S6177112A JP 19825584 A JP19825584 A JP 19825584A JP 19825584 A JP19825584 A JP 19825584A JP S6177112 A JPS6177112 A JP S6177112A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- recording
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- gap
- magnetic head
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/245—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features comprising means for controlling the reluctance of the magnetic circuit in a head with single gap, for co-operation with one track
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、高密度磁気記録に優れた特性を示す薄膜磁気
ヘッドの構造に関するものである。
ヘッドの構造に関するものである。
〈従来技術〉
従来一般的に用いられている電磁誘導型薄膜磁気ヘッド
の１例全第２図に示す。この磁気ヘッドはガラス、セラ
ミック、非磁性金属等から成る基板！上に層設された下
部磁気コア２及び該下部磁気コア２と対をなす上部磁気
コア３を有し、上下部磁気コア２．３の間には絶縁層４
とギャップ非磁性層５か介在している。ま次基板！上に
は起磁力発生用導体コイル６が配設されており、導体コ
イル６と磁気コア２．３間は絶縁層４に工り絶縁されて
ｈる。各磁気コア２，３は一端（バックギャップ部）に
おいては磁気的に接合され、他端（フロントギャップ部
）においては、ギャップ非磁性層５ｔ−介して磁気ギャ
ップｇの距離をもって正対している。
の１例全第２図に示す。この磁気ヘッドはガラス、セラ
ミック、非磁性金属等から成る基板！上に層設された下
部磁気コア２及び該下部磁気コア２と対をなす上部磁気
コア３を有し、上下部磁気コア２．３の間には絶縁層４
とギャップ非磁性層５か介在している。ま次基板！上に
は起磁力発生用導体コイル６が配設されており、導体コ
イル６と磁気コア２．３間は絶縁層４に工り絶縁されて
ｈる。各磁気コア２，３は一端（バックギャップ部）に
おいては磁気的に接合され、他端（フロントギャップ部
）においては、ギャップ非磁性層５ｔ−介して磁気ギャ
ップｇの距離をもって正対している。
導体コイル６に記録電流■８ｔ−流すことにより発生し
た磁束を磁気コア２．３によりフロントギャップ部まで
導き、ギャップより漏出する磁束によシテープ等の記録
媒体全磁化する。従って、下部磁気コア２と上部磁気コ
ア３の端面に沿って走行する記録媒体上に記録される磁
化パターンのトラック幅は、第２図中の上部磁気コア３
の端面での幅Ｗに略々等しくなる。
た磁束を磁気コア２．３によりフロントギャップ部まで
導き、ギャップより漏出する磁束によシテープ等の記録
媒体全磁化する。従って、下部磁気コア２と上部磁気コ
ア３の端面に沿って走行する記録媒体上に記録される磁
化パターンのトラック幅は、第２図中の上部磁気コア３
の端面での幅Ｗに略々等しくなる。
一方、磁気記録の高密度化への要請が高まるに従ってト
ラック幅は面密度向上のため狭小化される傾向にあり、
トラック幅が１０〜２０μｍ 程度の磁気記録装置も実
用化されつつある。このような狭トラツク化に対応する
ためには上部磁気コア３の幅ｗ２トラック幅に対応して
狭く加工する必要があり、これに応じて加工精度も高精
度の条件が要求されることになる。例えばトラック幅１
０〜２０μｍでは約１．０μｍ程度の範囲に誤差？おさ
えることか望ましい。一般的に上部磁気コア３の厚さは
１−１０μｍ程度であり、高密度記録に伴なう記録媒体
の抗磁界の上昇に応じて厚くすることが必要である。ま
たその材質としては、通常、パーマロイ、センダスト、
Ｃｏ−ＺｒやＣｏ−Ｔｉ等のアモルファス合金が選定さ
れる。狭トラツク化に対応するためにはこの工うな磁性
材料の厚膜全精度よく加工する必要がある。現在工く知
られている加工法としては、フォトリングラフィと組み
合わされた（り湿式エツチング、（２）選択メッキ、（
３）イオンミリング法等がある。これらにおいて、（１
）の方法は本質的に等方エフチングであり膜厚以上のサ
イドエツチングが生じ、要求される精度全維持すること
が困難である。（２）の方法はフォトリングラフィで形
成されたレジストの精度を充分高精度に維持できるため
精度上の条件は満足するがコア材料がメッキ可能な磁性
材に限定され、現在パーマロイのみに適用可能である。
ラック幅は面密度向上のため狭小化される傾向にあり、
トラック幅が１０〜２０μｍ 程度の磁気記録装置も実
用化されつつある。このような狭トラツク化に対応する
ためには上部磁気コア３の幅ｗ２トラック幅に対応して
狭く加工する必要があり、これに応じて加工精度も高精
度の条件が要求されることになる。例えばトラック幅１
０〜２０μｍでは約１．０μｍ程度の範囲に誤差？おさ
えることか望ましい。一般的に上部磁気コア３の厚さは
１−１０μｍ程度であり、高密度記録に伴なう記録媒体
の抗磁界の上昇に応じて厚くすることが必要である。ま
たその材質としては、通常、パーマロイ、センダスト、
Ｃｏ−ＺｒやＣｏ−Ｔｉ等のアモルファス合金が選定さ
れる。狭トラツク化に対応するためにはこの工うな磁性
材料の厚膜全精度よく加工する必要がある。現在工く知
られている加工法としては、フォトリングラフィと組み
合わされた（り湿式エツチング、（２）選択メッキ、（
３）イオンミリング法等がある。これらにおいて、（１
）の方法は本質的に等方エフチングであり膜厚以上のサ
イドエツチングが生じ、要求される精度全維持すること
が困難である。（２）の方法はフォトリングラフィで形
成されたレジストの精度を充分高精度に維持できるため
精度上の条件は満足するがコア材料がメッキ可能な磁性
材に限定され、現在パーマロイのみに適用可能である。
（３）の方法はイオンによる異方性エツチングのため、
（Ｉｌの方法に比して精度的には優れているが本質的に
物理エツチングでアルタめ、フォトレジスト等のマスク
材との選択性がない。従ってコア材のエツチング中にマ
スク材もエツチングされ、充分な精度が得られ難い。
（Ｉｌの方法に比して精度的には優れているが本質的に
物理エツチングでアルタめ、フォトレジスト等のマスク
材との選択性がない。従ってコア材のエツチング中にマ
スク材もエツチングされ、充分な精度が得られ難い。
以上の如〈従来の構造の磁気ヘッドにおいてはコア材の
加工精度が悪いため、媒体上に記録されるトラック幅の
精度が得られ難いという欠点を有していた。
加工精度が悪いため、媒体上に記録されるトラック幅の
精度が得られ難いという欠点を有していた。
〈発明の目的〉
不発ＦＪＡハ上述の問題点に鑑み、記録媒体のトラック
幅全磁気ヘッドの上部磁気コア幅に依存するこさなく狭
小化することができかつその精度も高く維持することが
可能な薄膜磁気ヘッドの構造全提供すること全目的とす
る。本発明の他の目的はトラック幅精度の高い磁気ヘッ
ドを容易に作表することのできる構造を提供することに
ある。
幅全磁気ヘッドの上部磁気コア幅に依存するこさなく狭
小化することができかつその精度も高く維持することが
可能な薄膜磁気ヘッドの構造全提供すること全目的とす
る。本発明の他の目的はトラック幅精度の高い磁気ヘッ
ドを容易に作表することのできる構造を提供することに
ある。
〈実施例〉
第１図は本発明の１実施例である薄膜磁気ヘッドの構造
を示す要部斜視図である。
を示す要部斜視図である。
本実施例の薄膜磁気ヘッドは図より明らかな如く磁束の
発生機構は第２図の磁気ヘッドと同一であるが記録媒体
に接する磁気コアの端面部のフロントギャップ部が第２
図の磁気ヘッドとは大きく異なっている。基板１上には
１対の下部磁気コア２と上部磁気コア３が積層され、上
下部磁気コア間には絶縁層４とギャップ非磁性層５が介
在されている。また磁気コア２．３の後端は磁気的に接
合され、中央部分には起磁力発生用導体コイル６が配設
されている。導体コイル６と磁気コア２゜３間は絶縁層
４で絶縁されている。上部磁気コア１−を中央部が平坦
な層で絶縁層４に積層され、後端部はＬ字状に屈曲され
て下部磁気コア２に接している。またフロントギャップ
部となる前端部は両側が中央部の延長で平坦に成形され
真中は絶縁層４か溝加工されてクランク状に凹陥成形さ
れている。この凹陥部はギャップ非磁性層５の層厚に対
応するギャップｇ１ を有して上下部磁気コア２゜３が
配置されることになり、凹陥部両側の前端部は絶縁層４
とギャップ非磁性層５の層厚の合計に対応するｇ２なる
ギヤツブ４有して上下部磁気コア２．３が配置される。
発生機構は第２図の磁気ヘッドと同一であるが記録媒体
に接する磁気コアの端面部のフロントギャップ部が第２
図の磁気ヘッドとは大きく異なっている。基板１上には
１対の下部磁気コア２と上部磁気コア３が積層され、上
下部磁気コア間には絶縁層４とギャップ非磁性層５が介
在されている。また磁気コア２．３の後端は磁気的に接
合され、中央部分には起磁力発生用導体コイル６が配設
されている。導体コイル６と磁気コア２゜３間は絶縁層
４で絶縁されている。上部磁気コア１−を中央部が平坦
な層で絶縁層４に積層され、後端部はＬ字状に屈曲され
て下部磁気コア２に接している。またフロントギャップ
部となる前端部は両側が中央部の延長で平坦に成形され
真中は絶縁層４か溝加工されてクランク状に凹陥成形さ
れている。この凹陥部はギャップ非磁性層５の層厚に対
応するギャップｇ１ を有して上下部磁気コア２゜３が
配置されることになり、凹陥部両側の前端部は絶縁層４
とギャップ非磁性層５の層厚の合計に対応するｇ２なる
ギヤツブ４有して上下部磁気コア２．３が配置される。
凹陥部’ｋＧａｐＩ、その両側の前端部ｆ Ｇ ａ ｐ
ＩＩとして図示する。またＧａｐＩの幅ｎ ＴＷ １
．Ｇ ａ ｐ口の幅は１ｗ２で表わす。ここでｇｌは記
録媒体の記録に最も適する値に選定し、一方ｇ２はｇ２
＞ ｇ、なる条件に設定する。
ＩＩとして図示する。またＧａｐＩの幅ｎ ＴＷ １
．Ｇ ａ ｐ口の幅は１ｗ２で表わす。ここでｇｌは記
録媒体の記録に最も適する値に選定し、一方ｇ２はｇ２
＞ ｇ、なる条件に設定する。
導体コイル６に記録電流Ｉ８を流すことにより発生する
磁束は磁気コア２，３にエリ前端部のＧａｐＩ部及びＧ
ａｐＨ部へ導出される０ここで磁束の流ｉ２説明するた
めに磁気抵抗？用いた等価回路図全第３図に示す。Ｅ＝
ＫＩ８は導体コイル３より発生する起磁力であり、Ｒｃ
、Ｒｇ ＋ 、Ｒｇ ２はそれぞれ磁気コア、ＧａｐＩ
部、Ｇａｐ［［部の磁気抵抗を示す。マたφ、、９１２
ｉ’ｔそれぞｒＬＧａｐＩ部、ＧａｐＨ部を流れる磁束
の量である。ギャップｅ ｇ ２＞ｇ １に設定した関
係でＲｇ２＞Ｒｇ、及びφ１〉φ２となる。
磁束は磁気コア２，３にエリ前端部のＧａｐＩ部及びＧ
ａｐＨ部へ導出される０ここで磁束の流ｉ２説明するた
めに磁気抵抗？用いた等価回路図全第３図に示す。Ｅ＝
ＫＩ８は導体コイル３より発生する起磁力であり、Ｒｃ
、Ｒｇ ＋ 、Ｒｇ ２はそれぞれ磁気コア、ＧａｐＩ
部、Ｇａｐ［［部の磁気抵抗を示す。マたφ、、９１２
ｉ’ｔそれぞｒＬＧａｐＩ部、ＧａｐＨ部を流れる磁束
の量である。ギャップｅ ｇ ２＞ｇ １に設定した関
係でＲｇ２＞Ｒｇ、及びφ１〉φ２となる。
従ってＧａｐＩ部部ではＧａｐＩ部に比して充分に弱い
記録磁界しか発生しない。このため記録媒体に信号全記
録する場合、媒体への記録はＧａｐＩ部のみにて行なわ
れ、Ｇａｐｕ部は記録に寄与しない。即ち、ヘッドのト
ラック幅ＨＧａｐＩ部の幅ＴＷｌに対応して決定され、
ＧａｐＩ部の２Ｔｗ２なる幅は記録の行なわれない領域
となる。
記録磁界しか発生しない。このため記録媒体に信号全記
録する場合、媒体への記録はＧａｐＩ部のみにて行なわ
れ、Ｇａｐｕ部は記録に寄与しない。即ち、ヘッドのト
ラック幅ＨＧａｐＩ部の幅ＴＷｌに対応して決定され、
ＧａｐＩ部の２Ｔｗ２なる幅は記録の行なわれない領域
となる。
以上により、磁気ヘッドのトラック幅は上部磁気コア３
の加工精度に影響されることなく絶縁層４の溝加工精度
により決定されることとなる。絶縁層４としては一般的
にＳｉＯ３＋ＳｔＮ等の化合物が使用され、これらの材
料はりアクティブイオンエツチング法にて容易に高精度
加工が可能であるため、絶縁層４の溝加工によって得ら
れる幅ＴＷｌで高精菱にトラック幅全設定することがで
き、基板１１下部磁気コア２、上部磁気コア３それぞれ
の前端面に対面して走行するテープ等の記録媒体に対し
て幅Ｔｗ１のトラック幅で磁気記録を行なうことかでき
る。
の加工精度に影響されることなく絶縁層４の溝加工精度
により決定されることとなる。絶縁層４としては一般的
にＳｉＯ３＋ＳｔＮ等の化合物が使用され、これらの材
料はりアクティブイオンエツチング法にて容易に高精度
加工が可能であるため、絶縁層４の溝加工によって得ら
れる幅ＴＷｌで高精菱にトラック幅全設定することがで
き、基板１１下部磁気コア２、上部磁気コア３それぞれ
の前端面に対面して走行するテープ等の記録媒体に対し
て幅Ｔｗ１のトラック幅で磁気記録を行なうことかでき
る。
次に本実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明
する。
する。
ガラス、セラミック、ステンレスその他の非磁性材料か
ら成る基板１上にパーマロイ、センダスト又はフェライ
ト等の強磁性体材料を蒸着法、メッキ法、スパッタリン
グ法あるいは印刷法等により堆積して下部磁気コア２と
する。次にこの下部磁気コア２上に厚５さ約１μｍ程度
のＳｉＯ３＋ＳｔＮの如き酸化物、窒化物等から成る絶
縁層４をスパッタリング法プラズマＣＶＤ法等により積
層する。
ら成る基板１上にパーマロイ、センダスト又はフェライ
ト等の強磁性体材料を蒸着法、メッキ法、スパッタリン
グ法あるいは印刷法等により堆積して下部磁気コア２と
する。次にこの下部磁気コア２上に厚５さ約１μｍ程度
のＳｉＯ３＋ＳｔＮの如き酸化物、窒化物等から成る絶
縁層４をスパッタリング法プラズマＣＶＤ法等により積
層する。
次に、Ｃｕ、Ａｔ等の金属材料から成る導体コイル６を
マスク蒸着法、エツチング法、選択メッキ法等により形
成する。この導体コイル６を含む上記絶縁層４上には再
度同一材料から成る絶縁層４？厚さ約２μｍ程度精層し
て導体コイル６を絶縁層４内に埋設する。フロントギャ
ップ部全形成するため、絶縁層４の前端部分全溝加工し
て除去する。
マスク蒸着法、エツチング法、選択メッキ法等により形
成する。この導体コイル６を含む上記絶縁層４上には再
度同一材料から成る絶縁層４？厚さ約２μｍ程度精層し
て導体コイル６を絶縁層４内に埋設する。フロントギャ
ップ部全形成するため、絶縁層４の前端部分全溝加工し
て除去する。
溝幅はトラック幅と同−若しくはサイドフリンジフィー
ルドを考慮してトラック幅エリ若干小さい値に設定し、
リアクティブ・イオン・エツチング等の高精度膜加工法
にて加工成形する。残存する絶縁層４上及び加工成形さ
れた溝上にはギャップ非磁性層５として５ｉ０２．Ｓｉ
Ｎ等絶縁層４と同様な材料より成る厚さ約０．５μｍ程
度の層全スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法等で下地
形状に即し・て層役し、磁気ギャップを形成するための
スペーサとする。次に上部磁気コア３として下部磁気コ
アと同様な強磁性材料全堆積し加工成形する。上部磁気
コア３の後端部は下部磁気コア２と接触させ、中央部及
び前端部はギャップ非磁性層５上に堆積する。上部磁気
コア３の前端部は絶縁層４に形成された溝に沿って凹陥
成形され、該溝内でギャップ非磁性層５の層厚を介して
下部磁気コア２と対向する。また溝外では下部磁気コア
２と絶縁層４及びギャップ非磁性層５を介して離間され
る。
ルドを考慮してトラック幅エリ若干小さい値に設定し、
リアクティブ・イオン・エツチング等の高精度膜加工法
にて加工成形する。残存する絶縁層４上及び加工成形さ
れた溝上にはギャップ非磁性層５として５ｉ０２．Ｓｉ
Ｎ等絶縁層４と同様な材料より成る厚さ約０．５μｍ程
度の層全スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法等で下地
形状に即し・て層役し、磁気ギャップを形成するための
スペーサとする。次に上部磁気コア３として下部磁気コ
アと同様な強磁性材料全堆積し加工成形する。上部磁気
コア３の後端部は下部磁気コア２と接触させ、中央部及
び前端部はギャップ非磁性層５上に堆積する。上部磁気
コア３の前端部は絶縁層４に形成された溝に沿って凹陥
成形され、該溝内でギャップ非磁性層５の層厚を介して
下部磁気コア２と対向する。また溝外では下部磁気コア
２と絶縁層４及びギャップ非磁性層５を介して離間され
る。
上部磁気コア３に要求される加工精度はコア幅がフロン
トギャップ部の絶縁層４の溝幅エリも小さくならないよ
うにすることであり、湿式エツチング等の比較的精度の
良くない加工法金剛いてマスクエツチングしても加工成
形することが可能である。この場合、工、チング用マス
ク幅を溝幅工り充分太き（しておくことで上記加工を行
なうことができる。フロントギャップ部の前端部を均一
平面さし、導体コイル６を電磁回路に接続することによ
り磁気ヘッドが作製される。この磁気ヘッドはｇｌか約
０．５ ｔｔ ｍ、 ｇ ２が約３．５μｍとなり、ギ
ャップｇ２の部分では記録媒体への記録は行なわれない
Ｏ 〈発明の効果〉 本発明によれば、薄膜磁気ヘッドのトラック幅を節単に
高精度加工することができ、製造工程が容易になるとと
もに量産性・コストパフオーマン・スの優れた磁気ヘッ
ド金得ることができる。
トギャップ部の絶縁層４の溝幅エリも小さくならないよ
うにすることであり、湿式エツチング等の比較的精度の
良くない加工法金剛いてマスクエツチングしても加工成
形することが可能である。この場合、工、チング用マス
ク幅を溝幅工り充分太き（しておくことで上記加工を行
なうことができる。フロントギャップ部の前端部を均一
平面さし、導体コイル６を電磁回路に接続することによ
り磁気ヘッドが作製される。この磁気ヘッドはｇｌか約
０．５ ｔｔ ｍ、 ｇ ２が約３．５μｍとなり、ギ
ャップｇ２の部分では記録媒体への記録は行なわれない
Ｏ 〈発明の効果〉 本発明によれば、薄膜磁気ヘッドのトラック幅を節単に
高精度加工することができ、製造工程が容易になるとと
もに量産性・コストパフオーマン・スの優れた磁気ヘッ
ド金得ることができる。
￥ｒＩ図は本発明の１実施例？示す磁気ヘッドの要部構
成斜視図である。 第２図は従来の磁気ヘッドの構造を示す構成斜視図であ
る。 第３図は第１図に示す磁気ヘッドの磁気抵抗全用いた等
価回路図である。 ｌ・・・基板 ２・・・下部磁気′コア ３・・・上部
磁気コア ４・・・絶縁層 ５・・・ギャップ非磁性層
６・・・導体コイル 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 （他２名）第１図
成斜視図である。 第２図は従来の磁気ヘッドの構造を示す構成斜視図であ
る。 第３図は第１図に示す磁気ヘッドの磁気抵抗全用いた等
価回路図である。 ｌ・・・基板 ２・・・下部磁気′コア ３・・・上部
磁気コア ４・・・絶縁層 ５・・・ギャップ非磁性層
６・・・導体コイル 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 （他２名）第１図
Claims (1)
- １、絶縁層を介して１対の磁気コアを層状に対向させる
とともにトラック幅に対応して形成された前記絶縁層の
溝に即して磁気記録の行なわれるフロントキャップ部で
前記磁気コアの一方を凹陥成形して他方の磁気コアと近
接させ、前記溝の内方で前記磁気コア間に記録磁界を発
生させ、溝の外方で発生する磁界を微弱化したことを特
徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19825584A JPS6177112A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19825584A JPS6177112A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6177112A true JPS6177112A (ja) | 1986-04-19 |
Family
ID=16388079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19825584A Pending JPS6177112A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6177112A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS626416A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-13 | Canon Inc | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS6299907A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-09 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS62256208A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-07 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘツドのギヤツプ部の構造 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49121513A (ja) * | 1973-03-22 | 1974-11-20 |
-
1984
- 1984-09-20 JP JP19825584A patent/JPS6177112A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49121513A (ja) * | 1973-03-22 | 1974-11-20 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS626416A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-13 | Canon Inc | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS6299907A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-09 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS62256208A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-07 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘツドのギヤツプ部の構造 |
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