JPS62121916A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド及びその製造方法Info
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- JPS62121916A JPS62121916A JP26219985A JP26219985A JPS62121916A JP S62121916 A JPS62121916 A JP S62121916A JP 26219985 A JP26219985 A JP 26219985A JP 26219985 A JP26219985 A JP 26219985A JP S62121916 A JPS62121916 A JP S62121916A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方
法に係り、特に再生出力向上を図り）ｑる磁気抵抗効果
望薄１ｌｌＪ磁気ヘッド及びそのＩ！Ｊ迄方決方法する
。 。
法に係り、特に再生出力向上を図り）ｑる磁気抵抗効果
望薄１ｌｌＪ磁気ヘッド及びそのＩ！Ｊ迄方決方法する
。 。
従来の技術
一般に強磁性Ｓａの磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッド（以下ＭＲヘッドと略称する）は、
電磁誘導型薄膜磁気ヘッドに比して、低速再生の感度が
高い、狭トラツク化が容易でマルチ・トラック磁気ヘッ
ドとして有利などの利点があり、高密度磁気記録媒体の
再生用ヘッドとして用いられている。此のＭＲヘッドと
しては、磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と略称する）
を記録媒体摺動面に露出させた、所謂シールド型。
果型薄膜磁気ヘッド（以下ＭＲヘッドと略称する）は、
電磁誘導型薄膜磁気ヘッドに比して、低速再生の感度が
高い、狭トラツク化が容易でマルチ・トラック磁気ヘッ
ドとして有利などの利点があり、高密度磁気記録媒体の
再生用ヘッドとして用いられている。此のＭＲヘッドと
しては、磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と略称する）
を記録媒体摺動面に露出させた、所謂シールド型。
及びノン・シールド型のものと、それらの信頼性を向上
させた、所謂ヨーク型のものとがある。第１３図及び第
１４図に従来のヨーク型ＭＲヘッドの構造を示す。なお
第１４図ｔよ第１３図における八−Ａ線に沿う断面図で
あり、また各図において同一構成には同一符号を６１し
て説明する。両図中、１はＭｎ−Ｚｎフ【ライト或はＮ
ｉ−Ｚｎフェライト等よりなる磁性基板、２はＡ２．Ａ
ｌ１−Ｃｕ。
させた、所謂ヨーク型のものとがある。第１３図及び第
１４図に従来のヨーク型ＭＲヘッドの構造を示す。なお
第１４図ｔよ第１３図における八−Ａ線に沿う断面図で
あり、また各図において同一構成には同一符号を６１し
て説明する。両図中、１はＭｎ−Ｚｎフ【ライト或はＮ
ｉ−Ｚｎフェライト等よりなる磁性基板、２はＡ２．Ａ
ｌ１−Ｃｕ。
ＭＯ等の金属より成るバイアス線、３及び５はΔ！１２
０３或はＳｉＯ２等の電気的絶縁膜、４はＮ １−Ｆｅ
、 Ｎ ｔ −Ｃｏ等の薄膜状のＭＲ素子、６はヨーク
半休６ａ、６ｂより構成されるパーマロイ、センダスト
（登録商標）等の軟磁性膜よりなるヨークを夫々示して
いる。また７は信号磁界を検出するための磁気ギャップ
（以下、フロント・ギャップとする）で８はＭＲ素子４
に記録媒体からの信号磁界の磁束を供給する為の磁気ギ
ャップ（以下センサー・４＝Ｖツブとする）である。此
の様なヨーク型のＭＲヘッド９は、ＭＲ＃子４がテープ
摺動面９ａに露出していないので、シールド型或いはノ
ン・シールド型に比して耐蝕性に優れ、信頼性がある。
０３或はＳｉＯ２等の電気的絶縁膜、４はＮ １−Ｆｅ
、 Ｎ ｔ −Ｃｏ等の薄膜状のＭＲ素子、６はヨーク
半休６ａ、６ｂより構成されるパーマロイ、センダスト
（登録商標）等の軟磁性膜よりなるヨークを夫々示して
いる。また７は信号磁界を検出するための磁気ギャップ
（以下、フロント・ギャップとする）で８はＭＲ素子４
に記録媒体からの信号磁界の磁束を供給する為の磁気ギ
ャップ（以下センサー・４＝Ｖツブとする）である。此
の様なヨーク型のＭＲヘッド９は、ＭＲ＃子４がテープ
摺動面９ａに露出していないので、シールド型或いはノ
ン・シールド型に比して耐蝕性に優れ、信頼性がある。
発明が解決しようとする問題点
しかるに上記従来のＭＲヘッド９では、前部ヨーク半休
５ａ、センサー・ギャップ８及びＭＲ′Ｍ子４、後部ヨ
ーク半休６ｂ、磁性基板１とに依って構成する磁気回路
の磁気抵抗は、其の殆どがセンサー・ギャップ８のセン
サー・ギャップ長Ｓに依って決められ、此の部分の磁気
抵抗が、フロント・ギャップ７の磁気抵抗に比して大ぎ
い為、フロント・ギャップ７より流入する信号磁束は、
その殆どがフロント・ギャップ７に於いて短絡し、結果
どして信号磁束を検出する為のセンサー・ギＰツブ８に
於Ｃプる信号磁束は小となって、ＭＲヘッド９の再生効
率は低下している。これを避りる為にフロント・ギャッ
プ７の幅ｄ（寿命寸法）を小として、相対的にフロント
・ギャップ７の磁気抵抗を大とする方法があるが、これ
はＭＲヘッド９の寿命を低下させる結果となる。この理
由を第１５図を用いて以下説明する。第１５図は上記Ｍ
Ｒヘッド９の磁気回路の等価回路であって、磁気記録媒
体からＭＲヘッド９に流入する信号磁束φ０はフロント
・ギャップ７の磁気抵抗Ｒ（Ｊを通じて帰還するφＱと
、センサー・ギャップ８の磁気抵抗Ｒｓｏ、及びそれに
信号磁束を伝達するための磁気ヨーク６ａ、６ｂの磁気
抵抗Ｒｙを通じて帰還する磁束φＳに分岐する。
５ａ、センサー・ギャップ８及びＭＲ′Ｍ子４、後部ヨ
ーク半休６ｂ、磁性基板１とに依って構成する磁気回路
の磁気抵抗は、其の殆どがセンサー・ギャップ８のセン
サー・ギャップ長Ｓに依って決められ、此の部分の磁気
抵抗が、フロント・ギャップ７の磁気抵抗に比して大ぎ
い為、フロント・ギャップ７より流入する信号磁束は、
その殆どがフロント・ギャップ７に於いて短絡し、結果
どして信号磁束を検出する為のセンサー・ギＰツブ８に
於Ｃプる信号磁束は小となって、ＭＲヘッド９の再生効
率は低下している。これを避りる為にフロント・ギャッ
プ７の幅ｄ（寿命寸法）を小として、相対的にフロント
・ギャップ７の磁気抵抗を大とする方法があるが、これ
はＭＲヘッド９の寿命を低下させる結果となる。この理
由を第１５図を用いて以下説明する。第１５図は上記Ｍ
Ｒヘッド９の磁気回路の等価回路であって、磁気記録媒
体からＭＲヘッド９に流入する信号磁束φ０はフロント
・ギャップ７の磁気抵抗Ｒ（Ｊを通じて帰還するφＱと
、センサー・ギャップ８の磁気抵抗Ｒｓｏ、及びそれに
信号磁束を伝達するための磁気ヨーク６ａ、６ｂの磁気
抵抗Ｒｙを通じて帰還する磁束φＳに分岐する。
再生効率φＳ／φ０はｄ能な限り大きくする必要がある
。同図よりφＳ／φ０を求めるとφ Ｓ ／ φ ０
＝Ｒ（１／ （Ｒｙ ＋ＲｓＱ・ト ＲＱ）
・・・（１）であるが、磁気ヨーク６ａ、６ｂは軟
磁性膜であり、磁気抵抗は、その高い透磁率の為に一般
的には無視する事が出来、よって（１）式は、φＳ／φ
Ｏ＝ＲＯ／ （Ｒｓｇ＋ＲＯ）−（Ｒ（］ ／Ｒ３（１
） ／ （１＋ （Ｒｏｌｌ ／Ｒ３ＩＩ） ）・・・
■ となる。
。同図よりφＳ／φ０を求めるとφ Ｓ ／ φ ０
＝Ｒ（１／ （Ｒｙ ＋ＲｓＱ・ト ＲＱ）
・・・（１）であるが、磁気ヨーク６ａ、６ｂは軟
磁性膜であり、磁気抵抗は、その高い透磁率の為に一般
的には無視する事が出来、よって（１）式は、φＳ／φ
Ｏ＝ＲＯ／ （Ｒｓｇ＋ＲＯ）−（Ｒ（］ ／Ｒ３（１
） ／ （１＋ （Ｒｏｌｌ ／Ｒ３ＩＩ） ）・・・
■ となる。
以上の結果より、再生効率を高めるには（Ｒａ／ＲＳ（
＋）を大とする必要があるが、上記の如く、Ｒ（＋を大
とする方法はヘッドの寿命寸法ｄを小どするか、フロン
ト・ギャップ７の厚さｑを大とするなどの方法があるが
、いずれもＭＲヘッド９の品質を劣化させる結果となり
、従来の構造では、センサー・ギャップ８の加工限界以
上に再生効率を＾める事が出来ない。このため、実用と
なる電磁気的特性及び感度を得たヨーク型のＭＲヘッド
９では、寿命寸法が小さく、かつ再生特性に劣るものし
か提供することが出来ないという問題点があった。
＋）を大とする必要があるが、上記の如く、Ｒ（＋を大
とする方法はヘッドの寿命寸法ｄを小どするか、フロン
ト・ギャップ７の厚さｑを大とするなどの方法があるが
、いずれもＭＲヘッド９の品質を劣化させる結果となり
、従来の構造では、センサー・ギャップ８の加工限界以
上に再生効率を＾める事が出来ない。このため、実用と
なる電磁気的特性及び感度を得たヨーク型のＭＲヘッド
９では、寿命寸法が小さく、かつ再生特性に劣るものし
か提供することが出来ないという問題点があった。
またセン９−・ギャップ８の形成には微細パターンの高
い精度の加工技術が要求されるが、ヨーク６にお６）る
磁気抵抗を下げるためにはヨーク６の厚さ寸法を大とす
る必要があるため、センサー・ギャップ８の磁気抵抗を
下げるためには厚いヨーク６に対して小なるセンサー・
ギャップ長Ｓのセンサー・ギャップ８を形成加工しなけ
ればならない。このためセンサー・ギャップ８の加工限
界がセンサー・ギャップ長Ｓを決定し、またヨークの厚
さ寸法が大であるためセンサー・ギャップ長Ｓを所望の
挟間法に加工するのは困難である。またＭＲヘッド９の
高感度化を図るためにＭＲＲ子４の幅を小さくした場合
には、センサー・ギャップ８近傍におけるヨーク半体６
ａ、６ｂとＭＲ木吊子４磁気的な結合が不十分となり再
生感度を高くすることができないという問題点があった
。
い精度の加工技術が要求されるが、ヨーク６にお６）る
磁気抵抗を下げるためにはヨーク６の厚さ寸法を大とす
る必要があるため、センサー・ギャップ８の磁気抵抗を
下げるためには厚いヨーク６に対して小なるセンサー・
ギャップ長Ｓのセンサー・ギャップ８を形成加工しなけ
ればならない。このためセンサー・ギャップ８の加工限
界がセンサー・ギャップ長Ｓを決定し、またヨークの厚
さ寸法が大であるためセンサー・ギャップ長Ｓを所望の
挟間法に加工するのは困難である。またＭＲヘッド９の
高感度化を図るためにＭＲＲ子４の幅を小さくした場合
には、センサー・ギャップ８近傍におけるヨーク半体６
ａ、６ｂとＭＲ木吊子４磁気的な結合が不十分となり再
生感度を高くすることができないという問題点があった
。
そこぐ本発明では、ヨークを積層構造とし第１層目の膜
厚寸法の小なるヨークにセンサー・ギャップを高精度に
形成することにより、上記問題点を解決した磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを
目的とする。
厚寸法の小なるヨークにセンサー・ギャップを高精度に
形成することにより、上記問題点を解決した磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを
目的とする。
問題点を解決するための手段及び作用
特許請求の範囲第１項に記載された磁気抵抗効果型７Ｉ
Ｉ膜磁気ヘツドは、軟磁＋／ｌ膜からなるヨークに設け
られた磁気ギャップに対向して磁気抵抗効果素子を配設
してなる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに４３いて、上
記ヨークに所定厚さ寸法部分を残して形成された第１の
ギャップ部と、この所定厚さ寸法部分に第１のギャップ
部のギャップ長より狭い所定ギャップ長で形成された第
２のギャップ部とより磁気ギャップを構成したものであ
る。
Ｉ膜磁気ヘツドは、軟磁＋／ｌ膜からなるヨークに設け
られた磁気ギャップに対向して磁気抵抗効果素子を配設
してなる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに４３いて、上
記ヨークに所定厚さ寸法部分を残して形成された第１の
ギャップ部と、この所定厚さ寸法部分に第１のギャップ
部のギャップ長より狭い所定ギャップ長で形成された第
２のギャップ部とより磁気ギャップを構成したものであ
る。
また特許請求の範囲第２項に記載された磁気抵抗効果型
ａＷＩｌｆａ磁気ヘッドの製造方法は、ヨークを第一の
エツチング手段により加工し、ヨークに所定厚さ寸法部
分を残して第１のギャップ部を形成し、第１のエツチン
グ手段より加工精度の高い第２のエツチング手段により
上記所定厚さ寸法部分に第１のギャップ部のギャップ長
より狭い所定ギャップ長で第２のギャップ部を形成する
ことにより、−Ｖ記磁気ギャップを形成するものである
。
ａＷＩｌｆａ磁気ヘッドの製造方法は、ヨークを第一の
エツチング手段により加工し、ヨークに所定厚さ寸法部
分を残して第１のギャップ部を形成し、第１のエツチン
グ手段より加工精度の高い第２のエツチング手段により
上記所定厚さ寸法部分に第１のギャップ部のギャップ長
より狭い所定ギャップ長で第２のギャップ部を形成する
ことにより、−Ｖ記磁気ギャップを形成するものである
。
また特許請求の範囲第４項に記載の磁気抵抗効果型簿膜
磁気ヘッドは、ヨークが少なくとｂ上下２層より形成さ
ており、かつ上層のヨークに形成された第１のギャップ
部と、Ｆｌｆ２）のヨークに十記第１のギャップ部のギ
ャップ長より狭い所定ギャップ長で形成された第２のギ
ャップ部とにより磁気ギャップを構成したものである。
磁気ヘッドは、ヨークが少なくとｂ上下２層より形成さ
ており、かつ上層のヨークに形成された第１のギャップ
部と、Ｆｌｆ２）のヨークに十記第１のギャップ部のギ
ャップ長より狭い所定ギャップ長で形成された第２のギ
ャップ部とにより磁気ギャップを構成したものである。
更に特許請求の範囲第６項に記載された磁気抵抗効果型
スリ膜磁気ヘッドの製造方法は、ヨークを少なくとも上
下２層より形成し、上層のヨークを第１のエツチング手
段ににり加工し第１のギャップ部を形成し、第１のエツ
チング手段より加工精度の高い第２のエツチング手段に
より上記第１のギャップ部のギャップ長より狭い所定ギ
ャップ長で下層に第２のギャップ部を形成することによ
り上記磁気ギャップを形成したものである。
スリ膜磁気ヘッドの製造方法は、ヨークを少なくとも上
下２層より形成し、上層のヨークを第１のエツチング手
段ににり加工し第１のギャップ部を形成し、第１のエツ
チング手段より加工精度の高い第２のエツチング手段に
より上記第１のギャップ部のギャップ長より狭い所定ギ
ャップ長で下層に第２のギャップ部を形成することによ
り上記磁気ギャップを形成したものである。
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を上記
構成とすることにより、第２のギャップ部は第１のギャ
ップ部が形成されてなるヨークの厚さ寸法の薄くなった
部分に形成されることになり、所定ギャップ長に高精度
に加工され、また第１のギトツプ部は第２のギャップ部
に比べ幅広であるため磁気抵抗効果素子に信号磁界を印
加するのにｎ能するのは高Ｍ度にギャップ長を加工され
た第２のギ１シップ部であるため、磁気ギャップ部にお
１プる磁気抵抗の低減を図り得、これに伴い再生効果及
び再生出力の向上を実現し得る。
構成とすることにより、第２のギャップ部は第１のギャ
ップ部が形成されてなるヨークの厚さ寸法の薄くなった
部分に形成されることになり、所定ギャップ長に高精度
に加工され、また第１のギトツプ部は第２のギャップ部
に比べ幅広であるため磁気抵抗効果素子に信号磁界を印
加するのにｎ能するのは高Ｍ度にギャップ長を加工され
た第２のギ１シップ部であるため、磁気ギャップ部にお
１プる磁気抵抗の低減を図り得、これに伴い再生効果及
び再生出力の向上を実現し得る。
実施例
第２図及び第３図に本発明になる磁気抵抗効果型ｉ［磁
気ヘッド（ＭＲヘッド）の一実施例を示す。なお第２図
にはふたつのＭＲヘッドが並設された状態を示しており
、また第３図は第２図におけるＢ−Ｂ線に沿う断面を示
している。同図に示すＭＲヘッド１０は薄膜形成技術を
用いて形成されており、例えば多トラツクのデジタルオ
ーディオテープレコーダの再生用ヘッドとして使用され
るものである。このＭＲヘッド１０はＭｎ−Ｚｎフェラ
イト或はＮｉ−Ｚｎフェライト等の磁性体基板１１と、
この基板１１上に形成されたバイアス線１２、磁気抵抗
効果素子（ＭＲ素子）１３、ヨーク１４、リードｌｍ１
５ａ、１５ｂ等より構成されている。
気ヘッド（ＭＲヘッド）の一実施例を示す。なお第２図
にはふたつのＭＲヘッドが並設された状態を示しており
、また第３図は第２図におけるＢ−Ｂ線に沿う断面を示
している。同図に示すＭＲヘッド１０は薄膜形成技術を
用いて形成されており、例えば多トラツクのデジタルオ
ーディオテープレコーダの再生用ヘッドとして使用され
るものである。このＭＲヘッド１０はＭｎ−Ｚｎフェラ
イト或はＮｉ−Ｚｎフェライト等の磁性体基板１１と、
この基板１１上に形成されたバイアス線１２、磁気抵抗
効果素子（ＭＲ素子）１３、ヨーク１４、リードｌｍ１
５ａ、１５ｂ等より構成されている。
基板１１には凹状溝１６が刻設されており、この凹状＠
１６にはガラス等の非磁性絶縁体１７が充填されている
。また絶縁体１７０所定位置には、ＡＪ！、Ａｌ１−Ｃ
ｕ、Ｍｏ等の導体よりなりＭＲ素子１３に対してバイア
ス磁界を印加するバイアス線１２が埋設されている。バ
イアス線１２及び絶縁体１７が形成された凹状溝１６は
、テープ摺動面１０ａと略平行に延在するよう形成され
ている。
１６にはガラス等の非磁性絶縁体１７が充填されている
。また絶縁体１７０所定位置には、ＡＪ！、Ａｌ１−Ｃ
ｕ、Ｍｏ等の導体よりなりＭＲ素子１３に対してバイア
ス磁界を印加するバイアス線１２が埋設されている。バ
イアス線１２及び絶縁体１７が形成された凹状溝１６は
、テープ摺動面１０ａと略平行に延在するよう形成され
ている。
このバイアス線１２等が形成された基板１１の上面には
平面研磨が行なわれ、その後に５ｉＯｚ等の絶縁膜１８
（この絶縁膜１８はギャップ材としても機能する）を介
してＮ ｉ −Ｆｅ、 Ｎ ｉ −Ｃ。
平面研磨が行なわれ、その後に５ｉＯｚ等の絶縁膜１８
（この絶縁膜１８はギャップ材としても機能する）を介
してＮ ｉ −Ｆｅ、 Ｎ ｉ −Ｃ。
等のＭＲ素子１３が第１図に示す如く、略Ｖ字状の形状
でパターン形成されている。このＭＲ素子１３は磁性体
基板１１と磁気的な絶縁をとり得るよう凹状溝１６に充
填された絶縁体１７上に形成されている。またＭＲ索子
１３の両端部には基板１１上にパターン形成されたリー
ド１８１５ ａ 。
でパターン形成されている。このＭＲ素子１３は磁性体
基板１１と磁気的な絶縁をとり得るよう凹状溝１６に充
填された絶縁体１７上に形成されている。またＭＲ索子
１３の両端部には基板１１上にパターン形成されたリー
ド１８１５ ａ 。
１５ｂ／ｆｉ電気的に接続されている。更にＭＲ素子１
３及びリードＩ！！１５ａ、１５ｂが形成された基板１
１上には絶縁膜１９を介してＣｏ−Ｔａ。
３及びリードＩ！！１５ａ、１５ｂが形成された基板１
１上には絶縁膜１９を介してＣｏ−Ｔａ。
Ｃｏ−Ｎｂ？？のアモルファススパッタ膜とパーマロイ
スパッタ族が積層された積層構造のヨーク１４が形成さ
れている（これについては後に詳述Ｊる）。このヨーク
１４のＭＲ素子１３と対向する位置には、ＭＲ素子１３
のパターン形状に沿って磁気ギャップ２０（以下この磁
気ギャップをセンサー・ギ１１ツブという）が後述する
形成方法によって形成されている。
スパッタ族が積層された積層構造のヨーク１４が形成さ
れている（これについては後に詳述Ｊる）。このヨーク
１４のＭＲ素子１３と対向する位置には、ＭＲ素子１３
のパターン形状に沿って磁気ギャップ２０（以下この磁
気ギャップをセンサー・ギ１１ツブという）が後述する
形成方法によって形成されている。
このセンサー・ギャップ２０によりヨーク１４はヨーク
半体１４ａ、１４ｂに画成される。またテープ摺動面１
０ａにおいて、前方ヨーク半体１４ａは絶縁膜１８を介
して磁性体基板１１と対向しており磁気ギャップ２１（
以下この磁気ギャップをフロント・ギャップという）を
形成している。更に後方ヨーク半体１４ｂは絶縁膜１８
゜１９に形成されたスルーホール２２を介して磁性体Ｘ
ｓ板１１と磁気的に接続されており、いわゆるバック・
ギ１１ツブにおける磁気抵抗は極めて小さな値とへって
いる。
半体１４ａ、１４ｂに画成される。またテープ摺動面１
０ａにおいて、前方ヨーク半体１４ａは絶縁膜１８を介
して磁性体基板１１と対向しており磁気ギャップ２１（
以下この磁気ギャップをフロント・ギャップという）を
形成している。更に後方ヨーク半体１４ｂは絶縁膜１８
゜１９に形成されたスルーホール２２を介して磁性体Ｘ
ｓ板１１と磁気的に接続されており、いわゆるバック・
ギ１１ツブにおける磁気抵抗は極めて小さな値とへって
いる。
ここで上記ＭＲヘッド１０の製造工程におけるヨーク１
４及びセンサー・ギャップ２０の形成方法について第４
図〜第６図を用いて以下詳述する。
４及びセンサー・ギャップ２０の形成方法について第４
図〜第６図を用いて以下詳述する。
第４図はＭＲ素子１３が形成されてなる基板１１上に絶
縁ＩＩ！Ｊ１９、下層のヨーク１４−１、上層のヨーク
１４−２を形成した状態の、絶縁膜１９より上部の構成
を拡大して示している。なお２３はセンサー・ギャップ
２０を形成するため、既にＭＲ素子１３の略Ｖ字状パタ
ーンに沿い、かつ所定センサー・ギャップ長Ｓに対応し
てパターニングされているフォト・レジストである。上
記したように下層ヨーク１４−１は例えばＣｏ−７ａ。
縁ＩＩ！Ｊ１９、下層のヨーク１４−１、上層のヨーク
１４−２を形成した状態の、絶縁膜１９より上部の構成
を拡大して示している。なお２３はセンサー・ギャップ
２０を形成するため、既にＭＲ素子１３の略Ｖ字状パタ
ーンに沿い、かつ所定センサー・ギャップ長Ｓに対応し
てパターニングされているフォト・レジストである。上
記したように下層ヨーク１４−１は例えばＣｏ−７ａ。
Ｃｏ−Ｎｂ等のアモルファス・スパッタ膜で０．２〜０
．５μ園の薄い厚さ寸法となっている。また上層ヨーク
１４−２は例えばパーマロイ・スパッタ膜で１〜５μの
厚さ寸法となっている。すなわち下層ヨーク１４−１と
上層ヨーク１４−２は異なる材質よりなる軟磁性薄膜よ
りなり、またその厚さ寸法は上層ヨーク１４−２に対し
て下層ヨーク１４−１は薄い厚さ１法で形成されている
。
．５μ園の薄い厚さ寸法となっている。また上層ヨーク
１４−２は例えばパーマロイ・スパッタ膜で１〜５μの
厚さ寸法となっている。すなわち下層ヨーク１４−１と
上層ヨーク１４−２は異なる材質よりなる軟磁性薄膜よ
りなり、またその厚さ寸法は上層ヨーク１４−２に対し
て下層ヨーク１４−１は薄い厚さ１法で形成されている
。
第４図に示す状態において第１の加工手段であるパーマ
ロイのエツチング液（燐酸、硝酸、塩酸の混合液）を用
いていわゆる湿式エツチングを施すと、第５図に示すよ
うに上層ヨーク１４−２はその厚さ寸法が大であるため
Ａ−バーエツチングされ所定センサー・ギャップ長Ｓよ
り大なる幅の第１のギ１！ツブ部２４が形成される。こ
の際、下層ヨーク１４−１はパーマロイのエツチング液
では侵されないため、そのまま所定厚さ寸法を維持して
残る。従って第１のギｔＩツブ部２４の底面には下層ヨ
ーク１４−１が露出した状態となる。続いてこの露出さ
れたＦ層ヨーク１４−１に対し、フォト・レジスト２３
をマスクとして第２の加工手段であるイオン・ミリング
を実施しで第２のギャップ部２５を形成する。下層ヨー
ク１４−１は０．２−０．５μｍと薄いため、第６図に
示１ように下層ヨーク１４−＋はフォト・レジスト２３
に形成されたセンサー・ギャップ長Ｓのパターンに対応
して高精度に加工される。またイオン・ミリングの加工
精度は、湿式エツチングによる加工精度に比べて高いた
め、これによってもセン勺−・ギャップ長Ｓを高精度に
寸法出しすることができる。
ロイのエツチング液（燐酸、硝酸、塩酸の混合液）を用
いていわゆる湿式エツチングを施すと、第５図に示すよ
うに上層ヨーク１４−２はその厚さ寸法が大であるため
Ａ−バーエツチングされ所定センサー・ギャップ長Ｓよ
り大なる幅の第１のギ１！ツブ部２４が形成される。こ
の際、下層ヨーク１４−１はパーマロイのエツチング液
では侵されないため、そのまま所定厚さ寸法を維持して
残る。従って第１のギｔＩツブ部２４の底面には下層ヨ
ーク１４−１が露出した状態となる。続いてこの露出さ
れたＦ層ヨーク１４−１に対し、フォト・レジスト２３
をマスクとして第２の加工手段であるイオン・ミリング
を実施しで第２のギャップ部２５を形成する。下層ヨー
ク１４−１は０．２−０．５μｍと薄いため、第６図に
示１ように下層ヨーク１４−＋はフォト・レジスト２３
に形成されたセンサー・ギャップ長Ｓのパターンに対応
して高精度に加工される。またイオン・ミリングの加工
精度は、湿式エツチングによる加工精度に比べて高いた
め、これによってもセン勺−・ギャップ長Ｓを高精度に
寸法出しすることができる。
これに加えて、フォト・レジスト２３を第２のギャップ
部２５を形成するマスクとして利用する上記場合におい
ては、フォト・レジスト２３と下層ヨーク１４−１との
間が離間している（上層ヨーク１４−２の厚さ寸法分だ
１）離間している）。従つて第６図に示す状態で下層ヨ
ーク１４−１に対して湿式エツチングを実施した場合、
フォト・レジス１〜２３ではなくオーバー・エツチング
された上層ヨーク１４−２がマスクと同様の働きをして
しまい図中矢印りで示ず節回がエツチングされてしまい
湿式エツチングでは所定センサー・ギャップ長Ｓの加工
を行なうことができない。しかるにイオン・ミリングに
おいてはイオンビームを下層ヨーク１４−１に向は照射
してこれを除去する加工法であるためフォト・レジス］
−２３と下層ヨーク１４−１が離間（１〜５μ−程度）
していてもＩ＠ｉ粘度に加工を実施することができる。
部２５を形成するマスクとして利用する上記場合におい
ては、フォト・レジスト２３と下層ヨーク１４−１との
間が離間している（上層ヨーク１４−２の厚さ寸法分だ
１）離間している）。従つて第６図に示す状態で下層ヨ
ーク１４−１に対して湿式エツチングを実施した場合、
フォト・レジス１〜２３ではなくオーバー・エツチング
された上層ヨーク１４−２がマスクと同様の働きをして
しまい図中矢印りで示ず節回がエツチングされてしまい
湿式エツチングでは所定センサー・ギャップ長Ｓの加工
を行なうことができない。しかるにイオン・ミリングに
おいてはイオンビームを下層ヨーク１４−１に向は照射
してこれを除去する加工法であるためフォト・レジス］
−２３と下層ヨーク１４−１が離間（１〜５μ−程度）
していてもＩ＠ｉ粘度に加工を実施することができる。
なお、イオン・ミリングに代えスパッタエツチングを用
いても同様の加工が実施できる。よって第２のギャップ
部２５のギャップ長は？：４感度再生を実現し、ＭＲヘ
ッド１０内に形成される磁気回路のセンサー・ギャップ
部２０における磁気抵抗を小とし得る所定寸法（約２〜
５ ＩＩ ）に高精度に加工される。
いても同様の加工が実施できる。よって第２のギャップ
部２５のギャップ長は？：４感度再生を実現し、ＭＲヘ
ッド１０内に形成される磁気回路のセンサー・ギャップ
部２０における磁気抵抗を小とし得る所定寸法（約２〜
５ ＩＩ ）に高精度に加工される。
なお上記の如く、第２のギャップ部２５のイオン・ミリ
ングによる加工において、フオｉ・・レジスト２３をエ
ツチングマスクとしてそのまま利用したが、好ましくは
改めてレジストパターンを形成した方が、より精度の高
い加工が実施できると思われる。
ングによる加工において、フオｉ・・レジスト２３をエ
ツチングマスクとしてそのまま利用したが、好ましくは
改めてレジストパターンを形成した方が、より精度の高
い加工が実施できると思われる。
上記形成方法により製造され１．−ＭＲヘッド９のヨー
ク１４を第１図に拡大して示す。同図に示すように上記
形成方法によりセンサー・ギャップ２０は上層ヨーク１
４−２に形成された第１のギャップ部２４と、下層ヨー
ク１４−＋に形成された第２のギャップｆ′Ａ２５とよ
り構成され、第１のギャップ部２４のギャップ長Ｓ１に
対して第２のギルフッ部２５のギャップ長Ｓは狭く所定
センサー・ギャップ長Ｓとなっている。センサー・ギャ
ップ２０を上記構成とすることにより、センサー・ギャ
ップ２０における磁気抵抗は下ｖ４３−り１４−１に狭
寸法に、かつ高精度に加工された第２のギャップ部２５
により低減され、かつヨーク１４の磁気抵抗は上層ヨー
ク１４−２及び下層ヨーク１４−１が積層された全厚さ
寸法により決定され、その厚さ寸法は第２のギｔ・ツブ
部２５を高精度に形成してなるにも拘らず人に形成する
ことができるため磁気抵抗は小となる。よってＭＲヘッ
ド９全体としての磁気回路の磁気抵抗は小となり、記録
媒体から進入覆る信号磁界の磁束は大となりＭＲヘッド
９の再生効率及び再生出力を向上させることができる。
ク１４を第１図に拡大して示す。同図に示すように上記
形成方法によりセンサー・ギャップ２０は上層ヨーク１
４−２に形成された第１のギャップ部２４と、下層ヨー
ク１４−＋に形成された第２のギャップｆ′Ａ２５とよ
り構成され、第１のギャップ部２４のギャップ長Ｓ１に
対して第２のギルフッ部２５のギャップ長Ｓは狭く所定
センサー・ギャップ長Ｓとなっている。センサー・ギャ
ップ２０を上記構成とすることにより、センサー・ギャ
ップ２０における磁気抵抗は下ｖ４３−り１４−１に狭
寸法に、かつ高精度に加工された第２のギャップ部２５
により低減され、かつヨーク１４の磁気抵抗は上層ヨー
ク１４−２及び下層ヨーク１４−１が積層された全厚さ
寸法により決定され、その厚さ寸法は第２のギｔ・ツブ
部２５を高精度に形成してなるにも拘らず人に形成する
ことができるため磁気抵抗は小となる。よってＭＲヘッ
ド９全体としての磁気回路の磁気抵抗は小となり、記録
媒体から進入覆る信号磁界の磁束は大となりＭＲヘッド
９の再生効率及び再生出力を向上させることができる。
また再生効率を従来の値と略等しく選定した場合には、
再生効率の向上分と相殺し得る範囲において寿命寸法を
人とすることｌメ゛Ｃきる。
再生効率の向上分と相殺し得る範囲において寿命寸法を
人とすることｌメ゛Ｃきる。
上記形成方法にお１プる特徴は、上層ヨーク１４−２を
比較的１法精度にとられれずに、下層コーク１４−１を
露出させる程度にエツチングして第１のギレップ部２４
を形成し、この露出された厚さ寸法の薄い下層ヨーク１
４−１にセンサー・ギャップ長Ｓの第２のギ）！ツブ部
２５を高精度に形成することにある。すなわち、第２の
ギャップ２５の加工は膜厚寸法が既に小とされたヨーク
１４に対して行なわれる。周知の如く、膜厚寸法の大な
る層にエツチングを行なっても、オーバーエツチング等
に起因して高精度のパターン形成は行なえない。しかる
にヨーク１４を第１のエツチング手段により高精度の加
工を実施し得る厚さ寸法にまで加工を行なっておき、次
いでこの厚さ寸法が小とされたヨーク１４に第１の加工
手段よりも加工精度の高い第２のエツチング手段を用い
て第２のギャップ部２５のパターン形成を行なうことに
より、第２のギャップ部２５の加工精度を楊めて向上さ
Ｕることができる。上記説明より明らかなように、ヨー
ク１４は材質の異なる上層ヨーク１４−２及び下層ヨー
ク１４−＋が積層された構造に限らずとも、第２のギャ
ップ部２５を高精度に加工すること【よ可能である。
比較的１法精度にとられれずに、下層コーク１４−１を
露出させる程度にエツチングして第１のギレップ部２４
を形成し、この露出された厚さ寸法の薄い下層ヨーク１
４−１にセンサー・ギャップ長Ｓの第２のギ）！ツブ部
２５を高精度に形成することにある。すなわち、第２の
ギャップ２５の加工は膜厚寸法が既に小とされたヨーク
１４に対して行なわれる。周知の如く、膜厚寸法の大な
る層にエツチングを行なっても、オーバーエツチング等
に起因して高精度のパターン形成は行なえない。しかる
にヨーク１４を第１のエツチング手段により高精度の加
工を実施し得る厚さ寸法にまで加工を行なっておき、次
いでこの厚さ寸法が小とされたヨーク１４に第１の加工
手段よりも加工精度の高い第２のエツチング手段を用い
て第２のギャップ部２５のパターン形成を行なうことに
より、第２のギャップ部２５の加工精度を楊めて向上さ
Ｕることができる。上記説明より明らかなように、ヨー
ク１４は材質の異なる上層ヨーク１４−２及び下層ヨー
ク１４−＋が積層された構造に限らずとも、第２のギャ
ップ部２５を高精度に加工すること【よ可能である。
ここで上層ヨークと下層ヨークを同一材質に選定し、両
層間にヨークのエツチングを停止させるエツチング停止
層を設けてなるＭＲヘッドに、高精度にセンサー・ギャ
ップを形成する製造方法について第７図〜第９図を用い
て以下説明する。なお第４図〜第６図と同一構成につい
ては同一符号を付す。第７図に示す如くヨーク２６は同
一材質よるなる下層ヨーク２６−１と上層ヨーク２Ｇ−
２とＪこりなり、その両層の間にはヨーク２６の材質の
エツチング液では除去されない材質よりなるエツチング
停止層２７が配設形成されている。よってフォト・レジ
スト２３をマスクとしてエツチング液を用いて上層ヨー
ク２６−２の湿式エツチングを行なうと、第８図に示す
如くヨーク２６の厚さ方向のエツチングはエツチング停
止層２７ににり停止−され、第５図で示した状態と略等
しい第１のＴＩ／ツブ部２８が形成される。続いてフＡ
；−・レジスト２３をマスクとしてイオン・ミリングを
実施してエツチング停止層２７を含んで下層ヨーク２６
−１を加工し第９図に示す第２のギャップ部２９を形成
する。上記製造方法により形成されるセンサー・ギャッ
プ３０は、第２のギャップ部２９において所定ギャップ
長Ｓを高精度に寸法出しされて形成されており、よって
センサー・ギャップ３０における磁気抵抗は小となり、
また下前ヨーク２６−１上には上層ヨーク２６−２が形
成されておりヨーク２６としての磁気抵抗も小となる。
層間にヨークのエツチングを停止させるエツチング停止
層を設けてなるＭＲヘッドに、高精度にセンサー・ギャ
ップを形成する製造方法について第７図〜第９図を用い
て以下説明する。なお第４図〜第６図と同一構成につい
ては同一符号を付す。第７図に示す如くヨーク２６は同
一材質よるなる下層ヨーク２６−１と上層ヨーク２Ｇ−
２とＪこりなり、その両層の間にはヨーク２６の材質の
エツチング液では除去されない材質よりなるエツチング
停止層２７が配設形成されている。よってフォト・レジ
スト２３をマスクとしてエツチング液を用いて上層ヨー
ク２６−２の湿式エツチングを行なうと、第８図に示す
如くヨーク２６の厚さ方向のエツチングはエツチング停
止層２７ににり停止−され、第５図で示した状態と略等
しい第１のＴＩ／ツブ部２８が形成される。続いてフＡ
；−・レジスト２３をマスクとしてイオン・ミリングを
実施してエツチング停止層２７を含んで下層ヨーク２６
−１を加工し第９図に示す第２のギャップ部２９を形成
する。上記製造方法により形成されるセンサー・ギャッ
プ３０は、第２のギャップ部２９において所定ギャップ
長Ｓを高精度に寸法出しされて形成されており、よって
センサー・ギャップ３０における磁気抵抗は小となり、
また下前ヨーク２６−１上には上層ヨーク２６−２が形
成されておりヨーク２６としての磁気抵抗も小となる。
またヨーク２６の材質は上層、下層において同一である
ため、ヨーク２６の材質選定及びエツチング液の選定を
容易に行なうことができる。
ため、ヨーク２６の材質選定及びエツチング液の選定を
容易に行なうことができる。
更にヨークを＆１層構造とはせず、単層としても高精度
にセンサー・ギャップを加工することは可能である。ヨ
ークを単層としてなるＭＲヘッドに高粘度にセンサー・
ギャップを形成する製ｊΔ方法について第１０図〜第１
２図を用いて以下説明する。なお第４図〜第６図と同一
構成については同一符号をイーす。第１０図に示す如く
、ヨーク３１は単層の厚さ寸法の大なる層となっている
。このヨーク３１にフォト・レジスト２３をマスクとし
て例えばエツチング液を用いて湿式エツチングを行なう
。この際エツチング速度を制御づることにより第１１図
に示１ように、ヨーク３１に所定厚さ寸法（図中矢印Ｘ
で示す）を残すようにエツチングする。この厚さ寸法Ｘ
は次に実施するイオン・ミリングにおいて所定加工精度
を実現し；、Ｊる厚さ１法に選定されている。これによ
り」−り３１には所定厚さ寸法部分？残しＴ第１のギャ
ップ部３２が形成される。’ｚｅいて第１のギャップ部
３２の所定厚さ部分には、フォト・レジスト２３をマス
クどしてイオン・ミリングが実施され、フォト・レジス
ト２３にパターニングされた所定ギャップ長Ｓに対応し
た第２のギャップ部３３が高精度に加工形成される。よ
ってヨーク３１を単層とした場合においても上記［３方
法を用いることにより第２のギャップ部３３を高精度に
形成することができ、ＭＲヘッド１０の再生効率及び再
生出力を向上させることができる。
にセンサー・ギャップを加工することは可能である。ヨ
ークを単層としてなるＭＲヘッドに高粘度にセンサー・
ギャップを形成する製ｊΔ方法について第１０図〜第１
２図を用いて以下説明する。なお第４図〜第６図と同一
構成については同一符号をイーす。第１０図に示す如く
、ヨーク３１は単層の厚さ寸法の大なる層となっている
。このヨーク３１にフォト・レジスト２３をマスクとし
て例えばエツチング液を用いて湿式エツチングを行なう
。この際エツチング速度を制御づることにより第１１図
に示１ように、ヨーク３１に所定厚さ寸法（図中矢印Ｘ
で示す）を残すようにエツチングする。この厚さ寸法Ｘ
は次に実施するイオン・ミリングにおいて所定加工精度
を実現し；、Ｊる厚さ１法に選定されている。これによ
り」−り３１には所定厚さ寸法部分？残しＴ第１のギャ
ップ部３２が形成される。’ｚｅいて第１のギャップ部
３２の所定厚さ部分には、フォト・レジスト２３をマス
クどしてイオン・ミリングが実施され、フォト・レジス
ト２３にパターニングされた所定ギャップ長Ｓに対応し
た第２のギャップ部３３が高精度に加工形成される。よ
ってヨーク３１を単層とした場合においても上記［３方
法を用いることにより第２のギャップ部３３を高精度に
形成することができ、ＭＲヘッド１０の再生効率及び再
生出力を向上させることができる。
なお、ここで第２図においてＭＲ素子１３のパターン（
これはセンサー・ギャップ２０のパターンと略等しい）
を非直線状の略Ｖ字形状とした叩出について以下簡単に
説明する。ＭＲ索子１３のパターンを非直線状にするこ
とに従い、ＭＲ素子１３上に形成されるセンサー・ギャ
ップ２０の艮ざ寸法は人となる。一般にヨーク１４の厚
さ寸法は形成手段等に起因して略一定の寸法に規制され
る。従ってセンサー・ギャップ２０を介して対向するヨ
ーク半体１４ａ、１４ｂの対向面積はセンサー・ギャッ
プ２０の長さが大になるに伴い大となる。周知の如く、
センサー・ギャップ２０におけるヨーク半休１４ａ、１
４ｂの対向面積が人であるほどセンサー・ギャップ２０
を貫通する磁束は大となり磁気抵抗は小となる。すなわ
ら、センサー・ギャップ２０が非直線形状をとることに
よりセンサー・ギャップ２０にお番プる磁気抵抗は従来
の直線状のＭＲ素子を有するＭＲヘッドと比べて小とな
り、記録媒体に記録された信号磁界の磁束はＭＲヘッド
１０が形成する磁気回路内に進入し易くなる。よって大
なる数の磁束が眞方ヨーク半体１４ａに進入し、センサ
ー・ギャップ２０においてはこの磁束は第１図中矢印で
示す方向に進入して後方ヨーク半体１４ｂに進入し、こ
の過程で磁束の変化はＭＲ素子１３で磁電変換されリー
ド線１５ａ、１５ｂより再生信号として取り出され゛る
。従ってＭＲヘッド１０の再生効率及び再生出力の向上
を図れる。なお上記のように大なる数の磁束がＭＲヘッ
ド９内に進入するため、再生出力は向上するが、これに
伴い磁束の変化量も大となり、バルクハウゼン・ノイズ
の発生が問題となる。しかるにセンサー・ギャップ２０
は非直線形状の、換言すれば基板１１上に艮く延在する
形状となっているため、単位長さ当りのセンサー・ギャ
ップ２０間を貫通する磁束は小であり相対的な磁束変化
量は小である。従って単位長ざ当たりのＭＲ素子１３に
印加される磁束変化量も小となるため、例えば多トラツ
クのＭＲヘッドでトラック毎にバイアス点が異なるよう
な場合でも、再生出力を均一なものとする事ができ、か
つバルクハウゼン・ノイズの発生を防止することができ
る。なお本実施例においてはＭＲヘッド１０として第２
図に示ｔＭＲ素子１３及びヒンザー・ギャップ２０のパ
ターンが非直線状のパターンをなす構成ものを用いて説
明したが、これに限るものではなくセンサー・ギャップ
のパターン形状に拘らず本発明を実現できることは勿論
である。
これはセンサー・ギャップ２０のパターンと略等しい）
を非直線状の略Ｖ字形状とした叩出について以下簡単に
説明する。ＭＲ索子１３のパターンを非直線状にするこ
とに従い、ＭＲ素子１３上に形成されるセンサー・ギャ
ップ２０の艮ざ寸法は人となる。一般にヨーク１４の厚
さ寸法は形成手段等に起因して略一定の寸法に規制され
る。従ってセンサー・ギャップ２０を介して対向するヨ
ーク半体１４ａ、１４ｂの対向面積はセンサー・ギャッ
プ２０の長さが大になるに伴い大となる。周知の如く、
センサー・ギャップ２０におけるヨーク半休１４ａ、１
４ｂの対向面積が人であるほどセンサー・ギャップ２０
を貫通する磁束は大となり磁気抵抗は小となる。すなわ
ら、センサー・ギャップ２０が非直線形状をとることに
よりセンサー・ギャップ２０にお番プる磁気抵抗は従来
の直線状のＭＲ素子を有するＭＲヘッドと比べて小とな
り、記録媒体に記録された信号磁界の磁束はＭＲヘッド
１０が形成する磁気回路内に進入し易くなる。よって大
なる数の磁束が眞方ヨーク半体１４ａに進入し、センサ
ー・ギャップ２０においてはこの磁束は第１図中矢印で
示す方向に進入して後方ヨーク半体１４ｂに進入し、こ
の過程で磁束の変化はＭＲ素子１３で磁電変換されリー
ド線１５ａ、１５ｂより再生信号として取り出され゛る
。従ってＭＲヘッド１０の再生効率及び再生出力の向上
を図れる。なお上記のように大なる数の磁束がＭＲヘッ
ド９内に進入するため、再生出力は向上するが、これに
伴い磁束の変化量も大となり、バルクハウゼン・ノイズ
の発生が問題となる。しかるにセンサー・ギャップ２０
は非直線形状の、換言すれば基板１１上に艮く延在する
形状となっているため、単位長さ当りのセンサー・ギャ
ップ２０間を貫通する磁束は小であり相対的な磁束変化
量は小である。従って単位長ざ当たりのＭＲ素子１３に
印加される磁束変化量も小となるため、例えば多トラツ
クのＭＲヘッドでトラック毎にバイアス点が異なるよう
な場合でも、再生出力を均一なものとする事ができ、か
つバルクハウゼン・ノイズの発生を防止することができ
る。なお本実施例においてはＭＲヘッド１０として第２
図に示ｔＭＲ素子１３及びヒンザー・ギャップ２０のパ
ターンが非直線状のパターンをなす構成ものを用いて説
明したが、これに限るものではなくセンサー・ギャップ
のパターン形状に拘らず本発明を実現できることは勿論
である。
発明の効果
上述の如く本発明なる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（
ＭＲヘッド）及びその製造方法によれば、磁気ギャップ
は第１のエツチング手段により形成された第１のギャッ
プ部と、第二のエツチング手段により第１のギャップ部
のギャップ長より狭い所定ギャップ長で形成された第２
のギャップ部とにより構成されることになり、第２のギ
ｔシップ部の形成は第１のギャップ部が形成されてなる
厚さ司法の小なる部分に形成されるため、第２のギトッ
プ部の形成における加工精度を高くすることができ、従
って第２のギャップ部のギャップ長は秋寸法に高精度を
もって加工され磁気ギャップにおける磁気抵抗を小とす
ることができ、かつ、磁気ヨークの厚さｊ法は第２のギ
ャップ部のギャップ長を高粘度に加工してなるにも拘ら
ず大なる厚さ寸法とすることができ、磁気ヨークとして
の磁気抵抗を小とすることができ、従ってＭＲヘッドに
形成される磁気回路の磁気抵抗は小となり記録媒体に記
録された信号磁界の磁束は容易にＭＲヘッド内に進入し
得るため、ＭＲヘッドの再生効率を高めることができ、
またこれによって再生感度を高めかつ寿命司法を大とす
ることができるので、信頼性を高め、かつ再生特性を良
好とすることができる等の特長を有する。
ＭＲヘッド）及びその製造方法によれば、磁気ギャップ
は第１のエツチング手段により形成された第１のギャッ
プ部と、第二のエツチング手段により第１のギャップ部
のギャップ長より狭い所定ギャップ長で形成された第２
のギャップ部とにより構成されることになり、第２のギ
ｔシップ部の形成は第１のギャップ部が形成されてなる
厚さ司法の小なる部分に形成されるため、第２のギトッ
プ部の形成における加工精度を高くすることができ、従
って第２のギャップ部のギャップ長は秋寸法に高精度を
もって加工され磁気ギャップにおける磁気抵抗を小とす
ることができ、かつ、磁気ヨークの厚さｊ法は第２のギ
ャップ部のギャップ長を高粘度に加工してなるにも拘ら
ず大なる厚さ寸法とすることができ、磁気ヨークとして
の磁気抵抗を小とすることができ、従ってＭＲヘッドに
形成される磁気回路の磁気抵抗は小となり記録媒体に記
録された信号磁界の磁束は容易にＭＲヘッド内に進入し
得るため、ＭＲヘッドの再生効率を高めることができ、
またこれによって再生感度を高めかつ寿命司法を大とす
ることができるので、信頼性を高め、かつ再生特性を良
好とすることができる等の特長を有する。
第１図は本発明になるＭＲヘッドの一実施例のヨークを
拡大して示す平面図、第２図は本発明になるＭＲヘッド
の一実施例の平面図、第３図は第２図におけるＢ−Ｂ線
に沿う断面図、第４図〜第６図は本発明になるＭＲヘッ
ドの製造方法の一実施例を説明するため材質の異なる上
下二層よりなるヨークにセンサー・ギャップを形成する
方法を形成手順に沿って示す断面図、第７図〜第９図は
同一の材質よりなる上下二層間にエツチング停止層を形
成してなるヨークにセンサー・ギャップを形成する方法
を形成手順に沿って説明するだめの断面図、第１０図〜
第１２図は単層のヨークにセンナ−・ギャップを形成す
る方法を形成手順に沿って説明するための断面図、第１
３図は従来のＭＲヘッドの一例の平面図、第１４図は第
１３１にお％ＪるＡ−へ線に沿う断面図、第１５図は第
２図に示すＭＲヘッドの磁気回路の等価回路である。 １０・・・ＭＲヘッド、１１・・・磁性体基板、１２・
・・バイアス線、１３・・・ＭＲ木子、１４．２６．３
１・・・ヨーク、１４’＋ 、２６−＋ ・・・下ＦＪ
３−り、１４−２ 、２６−２ ・＝上層ヨーク、１４
ａ、１４ｂ・・・ヨーク半休、１５ａ、１５ｂ・・・リ
ード線、２０゜３０・・・センサー・ギャップ、２１・
・・フロント・ギャップ、２３・・・フ第１〜・レジス
ト、２４，２８゜３２・・・第１のギャップ部、２５．
２９．３３・・・第２のギャップ部、２７・・・エツチ
ング停止層。 特許出願人 日本ビクター株式会社 … 五 ４ｂ 第２図 曵 第４図 第５図 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図 第１２図
拡大して示す平面図、第２図は本発明になるＭＲヘッド
の一実施例の平面図、第３図は第２図におけるＢ−Ｂ線
に沿う断面図、第４図〜第６図は本発明になるＭＲヘッ
ドの製造方法の一実施例を説明するため材質の異なる上
下二層よりなるヨークにセンサー・ギャップを形成する
方法を形成手順に沿って示す断面図、第７図〜第９図は
同一の材質よりなる上下二層間にエツチング停止層を形
成してなるヨークにセンサー・ギャップを形成する方法
を形成手順に沿って説明するだめの断面図、第１０図〜
第１２図は単層のヨークにセンナ−・ギャップを形成す
る方法を形成手順に沿って説明するための断面図、第１
３図は従来のＭＲヘッドの一例の平面図、第１４図は第
１３１にお％ＪるＡ−へ線に沿う断面図、第１５図は第
２図に示すＭＲヘッドの磁気回路の等価回路である。 １０・・・ＭＲヘッド、１１・・・磁性体基板、１２・
・・バイアス線、１３・・・ＭＲ木子、１４．２６．３
１・・・ヨーク、１４’＋ 、２６−＋ ・・・下ＦＪ
３−り、１４−２ 、２６−２ ・＝上層ヨーク、１４
ａ、１４ｂ・・・ヨーク半休、１５ａ、１５ｂ・・・リ
ード線、２０゜３０・・・センサー・ギャップ、２１・
・・フロント・ギャップ、２３・・・フ第１〜・レジス
ト、２４，２８゜３２・・・第１のギャップ部、２５．
２９．３３・・・第２のギャップ部、２７・・・エツチ
ング停止層。 特許出願人 日本ビクター株式会社 … 五 ４ｂ 第２図 曵 第４図 第５図 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図 第１２図
Claims (8)
- （１）軟磁性薄膜からなるヨークに設けた磁気ギャップ
に対向して磁気抵抗効果素子を配設してなる磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドにおいて、該磁気ギャップは該ヨー
クに所定厚さ寸法部分を残して形成された第１のギャッ
プ部と、該所定厚さ寸法部分に該第１のギャップ部のギ
ャップ長より狭い所定ギャップ長で形成された第２のギ
ャップ部とよりなることを特徴とする磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッド。 - （２）軟磁性膜からなるヨークに設けた磁気ギャップに
対向して磁気抵抗効果素子を配設してなる磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、該ヨークを第１
のエッチング手段により加工し該ヨークに所定厚さ寸法
部分を残して第１のギャップ部を形成し、該第１のエッ
チング手段より加工精度の高い第２のエッチング手段に
より該所定厚さ寸法部分に該第１のギャップ部のギャッ
プ長より狭い所定ギャップ長で第２のギャップ部を形成
することにより上記磁気ギャップを形成することを特徴
とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - （３）該第１のエッチング手段はエッチング液を用いた
湿式エッチング手段であり、該第２のエッチング手段は
スパッタエッチングまたはイオン・ミリング手段である
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - （４）軟磁性膜からなるヨークに設けた磁気ギャップに
対向して磁気抵抗効果素子を配設してなる磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッドにおいて、該ヨークは少なくとも上下
２層より形成されており、かつ該磁気ギャップは該上層
のヨークに上記第１のギャップ部と、該下層のヨークに
上記第１のギャップ部のギャップ長より狭い所定ギャッ
プ長で形成された第２のギャップ部とよりなることを特
徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - （５）該上層のヨークはコバルト（Ｃｏ）系アモルファ
ス膜であり、該下層のヨークはＮｉ−Ｆｅ合金であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッド。 - （６）軟磁性膜からなるヨークに設けられた磁気ギャッ
プに対向して磁気抵抗効果素子を配設してなる磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、該ヨークを
少なくとも上下２層より形成し、該上層のヨークを第１
のエッチング手段により加工し第１のギャップ部を形成
し、該第１のエッチング手段より加工精度の高い第２の
エッチング手段により該第１のギャップ部のギャップ長
より狭い所定ギャップ長で該下層に第２のギャップ部を
形成することにより上記磁気ギャップを形成することを
特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - （７）該上層と該下層との間に該上層のエッチング防止
層を形成することを特徴とする特許請求の範囲第６項記
載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - （８）該上層はコバルト（Ｃｏ）系アモルファス膜であ
り、該下層はＮｉ−Ｆｅ合金であることを特徴とする特
許請求の範囲第６項記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26219985A JPS62121916A (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26219985A JPS62121916A (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62121916A true JPS62121916A (ja) | 1987-06-03 |
Family
ID=17372457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26219985A Pending JPS62121916A (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62121916A (ja) |
-
1985
- 1985-11-21 JP JP26219985A patent/JPS62121916A/ja active Pending
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