JPH03205610A - 磁気抵抗型ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗型ヘッドおよびその製造方法Info
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- JPH03205610A JPH03205610A JP2231704A JP23170490A JPH03205610A JP H03205610 A JPH03205610 A JP H03205610A JP 2231704 A JP2231704 A JP 2231704A JP 23170490 A JP23170490 A JP 23170490A JP H03205610 A JPH03205610 A JP H03205610A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気記録再生装置に用いられる薄膜磁気へノ
ド、特に磁気抵抗型ヘッドおよびその製造方法に関する
ものである。
ド、特に磁気抵抗型ヘッドおよびその製造方法に関する
ものである。
従来の技術
近年、磁気記録再生装置の高記録密度化、データの高転
送速度化、多チャンネル化に対応して薄膜磁気ヘッドが
注目されている．特に記録媒体が低速で走行する磁気記
録装置においては再生出力が速度に依存しない磁気抵抗
型ヘッドが使用される。
送速度化、多チャンネル化に対応して薄膜磁気ヘッドが
注目されている．特に記録媒体が低速で走行する磁気記
録装置においては再生出力が速度に依存しない磁気抵抗
型ヘッドが使用される。
最も簡単な構或の磁気抵抗型ヘッドとしてはすでに公知
文献 ローバート ピー フント；磁気抵抗型読みだし
変換器、アイ イー イー イー磁気に関する報告書、
７巻、１号 １５０頁、１９７１年［ＲＯＢＥＲＴ Ｐ
ＨＬＩＮＴ：Ａ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ
Ｒｅａｄｏｕｔ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ ＩＥＥＥ Ｔ
ｒａｎｓａｃｔｉｏｎ，Ｍａｇｎｅｔｉｃ−ｓ，ＭＡＧ
−７ Ｎｏ．１ ｐｌ５０）などで知られている。
文献 ローバート ピー フント；磁気抵抗型読みだし
変換器、アイ イー イー イー磁気に関する報告書、
７巻、１号 １５０頁、１９７１年［ＲＯＢＥＲＴ Ｐ
ＨＬＩＮＴ：Ａ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ
Ｒｅａｄｏｕｔ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ ＩＥＥＥ Ｔ
ｒａｎｓａｃｔｉｏｎ，Ｍａｇｎｅｔｉｃ−ｓ，ＭＡＧ
−７ Ｎｏ．１ ｐｌ５０）などで知られている。
この磁気抵抗型ヘッドは、膜厚が数百オングストローム
のＮｉ−Ｆｅ合金薄膜で構威された磁気抵抗素子を記録
媒体に垂直あるいは水平に配置するとともに、この磁気
抵抗素子の両端に一対の電極を配置した構或となってい
る。信号の検出は、記録媒体から発生する信号磁界によ
る磁気抵抗素子の抵抗変化を、前記電流を使って流され
た前記磁気抵抗素子内の定電流により、電圧変化に変換
することによって行われる．しかし、磁気抵抗素子が水
平配置された磁気抵抗型ヘッドでは、その再生分解能が
磁気抵抗素子の幾何学的形状に依存するために記録波長
数μｍ以下で高密度記録された信号を再生できなかった
．また、磁気抵抗素子が垂直配置された磁気抵抗型ヘッ
ドにおいては、記録媒体からの信号磁界の強さが磁気抵
抗素子と記録媒体までの距離Ｄに関して指数関数的に減
衰することおよび、一般に記録波長が短くなるに従い信
号磁界が小さくなるため、記録波長数μｍ以下の短波長
領域において再生感度が特に悪いものとなっていた。さ
らに、上記いずれの磁気抵抗型ヘッドにおいても、記録
媒体と当接することによる磁気抵抗素子の摩耗は避けら
れないものであった。
のＮｉ−Ｆｅ合金薄膜で構威された磁気抵抗素子を記録
媒体に垂直あるいは水平に配置するとともに、この磁気
抵抗素子の両端に一対の電極を配置した構或となってい
る。信号の検出は、記録媒体から発生する信号磁界によ
る磁気抵抗素子の抵抗変化を、前記電流を使って流され
た前記磁気抵抗素子内の定電流により、電圧変化に変換
することによって行われる．しかし、磁気抵抗素子が水
平配置された磁気抵抗型ヘッドでは、その再生分解能が
磁気抵抗素子の幾何学的形状に依存するために記録波長
数μｍ以下で高密度記録された信号を再生できなかった
．また、磁気抵抗素子が垂直配置された磁気抵抗型ヘッ
ドにおいては、記録媒体からの信号磁界の強さが磁気抵
抗素子と記録媒体までの距離Ｄに関して指数関数的に減
衰することおよび、一般に記録波長が短くなるに従い信
号磁界が小さくなるため、記録波長数μｍ以下の短波長
領域において再生感度が特に悪いものとなっていた。さ
らに、上記いずれの磁気抵抗型ヘッドにおいても、記録
媒体と当接することによる磁気抵抗素子の摩耗は避けら
れないものであった。
上記の摩耗の問題および短波長領域における再生能力の
低下を解決する磁気抵抗型ヘッドとしては特開昭５２−
９４１３号公報などですでに知られている。
低下を解決する磁気抵抗型ヘッドとしては特開昭５２−
９４１３号公報などですでに知られている。
この磁気抵抗型ヘッドは磁性基板上に磁気抵抗素子へバ
イアス磁界を印加するための導電材料からなるバイアス
導体、磁気抵抗素子、磁気抵抗素子に駆動電流を流すた
めの一対の電極、および二つの透磁性ヨーク、すなわち
フロントヨークとバックヨークとが順次Ｓ ｉＯ ２な
どの絶縁層を介して形成され、特にフロントヨークとバ
ックヨークは前記の磁気抵抗素子とその端部が互いにオ
ーバーラップするように構威される．また、フロントヨ
ークと磁性基板間には記録媒体から発生する記録磁界を
磁気ヘッド内に導くための磁気ギャップが形成されてい
る。
イアス磁界を印加するための導電材料からなるバイアス
導体、磁気抵抗素子、磁気抵抗素子に駆動電流を流すた
めの一対の電極、および二つの透磁性ヨーク、すなわち
フロントヨークとバックヨークとが順次Ｓ ｉＯ ２な
どの絶縁層を介して形成され、特にフロントヨークとバ
ックヨークは前記の磁気抵抗素子とその端部が互いにオ
ーバーラップするように構威される．また、フロントヨ
ークと磁性基板間には記録媒体から発生する記録磁界を
磁気ヘッド内に導くための磁気ギャップが形成されてい
る。
このとき、主として真空蒸着やスパッタリング等の薄膜
形成技術、またはフォトリソグラフイなどの微細パター
ン技術が用いられる。
形成技術、またはフォトリソグラフイなどの微細パター
ン技術が用いられる。
この磁気抵抗型ヘッドは、磁気抵抗素子が記録媒体に直
接に当接しないため、磁気抵抗素子の摩耗はないこと、
また、磁気ギャップの間隔を１μｍ以下に設定すること
により、記録波長１μｍ以下の信号が再生できる利点を
有していた．発明が解決しようとする課題 従来の磁気抵抗型ヘッドは、一般に磁気抵抗素子の位置
はフロントヨークおよびバックヨークとのオーバーラッ
プ量が丁度等しくなるように設計される． しかし、磁気抵抗型ヘッドの作製時にはフォトリソグラ
フィ工程でのパターン合わせ精度等種々の要因により磁
気抵抗素子の位直は前後にずれるのが普通であった。こ
のため、磁気ヘッドの再生出力は大きくばらつき、特に
多チャンネルの磁気抵抗型ヘッドではチャンネルごとに
その再生出力がおおきく変化し使い難いものとなってい
た。
接に当接しないため、磁気抵抗素子の摩耗はないこと、
また、磁気ギャップの間隔を１μｍ以下に設定すること
により、記録波長１μｍ以下の信号が再生できる利点を
有していた．発明が解決しようとする課題 従来の磁気抵抗型ヘッドは、一般に磁気抵抗素子の位置
はフロントヨークおよびバックヨークとのオーバーラッ
プ量が丁度等しくなるように設計される． しかし、磁気抵抗型ヘッドの作製時にはフォトリソグラ
フィ工程でのパターン合わせ精度等種々の要因により磁
気抵抗素子の位直は前後にずれるのが普通であった。こ
のため、磁気ヘッドの再生出力は大きくばらつき、特に
多チャンネルの磁気抵抗型ヘッドではチャンネルごとに
その再生出力がおおきく変化し使い難いものとなってい
た。
課題を解決するための手段
本発明の目的は、上記従来の磁気抵抗型ヘッドの課題を
解決し、良好な磁気記録再生を行なう磁気抵抗型ヘッド
およびその製造方法を提供することである。
解決し、良好な磁気記録再生を行なう磁気抵抗型ヘッド
およびその製造方法を提供することである。
この目的を達或するために本発明の磁気抵抗型へンドに
おいては、フロントヨークと磁気抵抗素子とのオーバー
ラップ量がバックヨークと磁気抵抗素子とのオーバーラ
ップ量よりも常に大きくしたことを特徴としている。
おいては、フロントヨークと磁気抵抗素子とのオーバー
ラップ量がバックヨークと磁気抵抗素子とのオーバーラ
ップ量よりも常に大きくしたことを特徴としている。
作用
上記構或によって、安定した再生出力を得ることが可能
になる。以下この理由について詳述する。
になる。以下この理由について詳述する。
すなわち、磁気抵抗型ヘッドは前記したオーバーラップ
量によりその再生効率は変化する．特に、フロントヨー
クと磁気抵抗素子とのオーバーラップ量によって再生出
力は大きく影響され、フロントヨークのオーバーラップ
量がバックヨークのオーバーラップ量と比較して小さく
なると再生出力は急激に低下する傾向がある。従って、
フロントヨークのオーバーラップ量を他方のものに比べ
て常に太き《なるようにすることによって、安定した再
生出力を得ることが可能になる。
量によりその再生効率は変化する．特に、フロントヨー
クと磁気抵抗素子とのオーバーラップ量によって再生出
力は大きく影響され、フロントヨークのオーバーラップ
量がバックヨークのオーバーラップ量と比較して小さく
なると再生出力は急激に低下する傾向がある。従って、
フロントヨークのオーバーラップ量を他方のものに比べ
て常に太き《なるようにすることによって、安定した再
生出力を得ることが可能になる。
実施例
以下、本発明の好通な実施例について第１図、及び第２
図を用いて説明する。本実施例の磁気抵抗型ヘッドは以
下に述べるように作製される。まず、Ｎ ｉ−Ｚｎフェ
ライトやＭｎ−Ｚｎフェライト等の磁性基板２１上にＳ
ｉ○２やＡｌ２０８などの第ｌの絶縁層２９がスパッタ
リング等の方法で形戒される。第１の絶縁層２９上に銅
，アルミニウムあるいは金などの導！薄膜が真空蒸着等
で形成された後、フォトリソグラフィ技術を駆使して所
定の形状にされ、バイアス導体２２が形成される。バイ
アス導体２２上にＳｉ０２あるいは／ｌ，０３などの第
２の絶縁層３０が形成される。
図を用いて説明する。本実施例の磁気抵抗型ヘッドは以
下に述べるように作製される。まず、Ｎ ｉ−Ｚｎフェ
ライトやＭｎ−Ｚｎフェライト等の磁性基板２１上にＳ
ｉ○２やＡｌ２０８などの第ｌの絶縁層２９がスパッタ
リング等の方法で形戒される。第１の絶縁層２９上に銅
，アルミニウムあるいは金などの導！薄膜が真空蒸着等
で形成された後、フォトリソグラフィ技術を駆使して所
定の形状にされ、バイアス導体２２が形成される。バイ
アス導体２２上にＳｉ０２あるいは／ｌ，０３などの第
２の絶縁層３０が形成される。
第２の絶縁層３０上にＮｉ−Ｆｅ合金薄膜、あるいはＮ
ｉ−Ｃｏ合金薄膜で構戒された磁気抵抗素子２３が磁界
中真空蒸着あるいは磁界中スパッタリングなどでトラッ
ク幅方向が磁化容易軸となるように形成された後、フォ
トリソグラフィ技術を用いて幅１０ｌ！ｍのストライブ
状にパターンニングされる。次に、磁気抵抗素子２３に
駆動電流を流すための一対の電極２４ａ．２４ｂが磁気
抵抗素子２３０両端に接続するように形成される。磁気
抵抗素子２３上にＳｉｎｇあるいはＡ／！．○，等の第
３の絶縁層３１が形成される。
ｉ−Ｃｏ合金薄膜で構戒された磁気抵抗素子２３が磁界
中真空蒸着あるいは磁界中スパッタリングなどでトラッ
ク幅方向が磁化容易軸となるように形成された後、フォ
トリソグラフィ技術を用いて幅１０ｌ！ｍのストライブ
状にパターンニングされる。次に、磁気抵抗素子２３に
駆動電流を流すための一対の電極２４ａ．２４ｂが磁気
抵抗素子２３０両端に接続するように形成される。磁気
抵抗素子２３上にＳｉｎｇあるいはＡ／！．○，等の第
３の絶縁層３１が形成される。
この後、バックヨーク２６と磁性基板２１を接合するた
めに、接合部３３上の第１，第２および第３の絶縁層が
フォトリソグラフィ技術を用いてエノチング除去される
。磁気ギャップ２７は、第２および第３の絶縁層を工冫
チング除去し、第１絶縁層２７を残して形成される。
めに、接合部３３上の第１，第２および第３の絶縁層が
フォトリソグラフィ技術を用いてエノチング除去される
。磁気ギャップ２７は、第２および第３の絶縁層を工冫
チング除去し、第１絶縁層２７を残して形成される。
この後に、Ｎｉ−Ｆｅ合金ｙＩ１１１，センダスト薄膜
あるいはＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒアモルファス合金薄膜等が真
空蒸着あるいはスパッタリング等で形成され、フィトリ
ソグラフイ技術を用いて磁気抵抗素子２３部分でフロン
トヨーク２５とバソクヨーク２６に分割された透磁性ヨ
ーク３４が形成される。特にフロントヨーク２５とバッ
クヨーク２６は前記の磁気抵抗素子２３とその端部で互
いにオーバーラップするように構威される。
あるいはＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒアモルファス合金薄膜等が真
空蒸着あるいはスパッタリング等で形成され、フィトリ
ソグラフイ技術を用いて磁気抵抗素子２３部分でフロン
トヨーク２５とバソクヨーク２６に分割された透磁性ヨ
ーク３４が形成される。特にフロントヨーク２５とバッ
クヨーク２６は前記の磁気抵抗素子２３とその端部で互
いにオーバーラップするように構威される。
一般に透磁性ヨーク３４をフロントヨーク２５とバック
ヨーク２６に分割した部分の長さが太き《なるに従って
磁気回路の磁気抵抗は増大し再生効率は低下するため、
普通上記分割長さは５μｍから数十μｍの範囲で設定さ
れる．また、後述するように磁気抵抗素子２３の抵抗が
最も変化し、再生に寄与する部分は磁気抵抗素子２３の
上記分割部を橋絡する部分であり、オーバーラップ部を
大きくすると磁気抵抗素子全体の抵抗変化は平均化され
低下し、再生効率も低下する。従うて、般に磁気抵抗素
子２３の幅は上記分割長さの数倍以内に設定される。
ヨーク２６に分割した部分の長さが太き《なるに従って
磁気回路の磁気抵抗は増大し再生効率は低下するため、
普通上記分割長さは５μｍから数十μｍの範囲で設定さ
れる．また、後述するように磁気抵抗素子２３の抵抗が
最も変化し、再生に寄与する部分は磁気抵抗素子２３の
上記分割部を橋絡する部分であり、オーバーラップ部を
大きくすると磁気抵抗素子全体の抵抗変化は平均化され
低下し、再生効率も低下する。従うて、般に磁気抵抗素
子２３の幅は上記分割長さの数倍以内に設定される。
第３図は本発明の好適な実施例を作製する時に用いられ
る磁気抵抗素子用５３及び透磁性ヨーク用５１．５２の
フォトマスクのそれぞれのパターンで、透磁性ヨークの
パターンと磁気抵抗素子のパターンとを重ね合わせて示
したものである．好適な実施例のフォトマスクは磁気抵
抗素子の幅Ｗが１０μｍＳ磁気抵抗素子とフロントヨー
クとのオーバーラップ量○■１は３μｍ、バックヨーク
とのオーバーラノブ量ＯＶ２は１μｍで設計されている
。実際のヘノド作製時には、１μｍ程度のパターン合わ
せ誤差が発生する。従って実際に作製された本発明の実
施例における磁気抵抗型ヘノドでは、フロントヨークの
オーバーラップ量は２〜４μｍ、バソクヨークとのオー
ハーラソブ量は０〜２μｍとなる。このように本実施例
の磁気抵抗型ヘッドは磁気抵抗素子とフロントヨークと
のオーバーラノブ量がバックヨークとのオーバーラップ
量に比較して常に大きく構威されている。
る磁気抵抗素子用５３及び透磁性ヨーク用５１．５２の
フォトマスクのそれぞれのパターンで、透磁性ヨークの
パターンと磁気抵抗素子のパターンとを重ね合わせて示
したものである．好適な実施例のフォトマスクは磁気抵
抗素子の幅Ｗが１０μｍＳ磁気抵抗素子とフロントヨー
クとのオーバーラップ量○■１は３μｍ、バックヨーク
とのオーバーラノブ量ＯＶ２は１μｍで設計されている
。実際のヘノド作製時には、１μｍ程度のパターン合わ
せ誤差が発生する。従って実際に作製された本発明の実
施例における磁気抵抗型ヘノドでは、フロントヨークの
オーバーラップ量は２〜４μｍ、バソクヨークとのオー
ハーラソブ量は０〜２μｍとなる。このように本実施例
の磁気抵抗型ヘッドは磁気抵抗素子とフロントヨークと
のオーバーラノブ量がバックヨークとのオーバーラップ
量に比較して常に大きく構威されている。
第４図は好適な実施例の磁気抵抗型ヘッドにおいて磁気
抵抗素子とフロントヨークおよびバックヨークとのオー
バーラップ量を変化させたときの磁気抵抗素子内の幅方
向の各位置における磁束密度分布を計算した結果を示し
たものである。Ｘ軸は磁気抵抗素子内の位置を示し、０
は磁気抵抗素子中央を表している。Ｙ軸は磁気抵抗素子
内の磁束密度分布比を示している。同図においてＡは磁
気抵抗素子２３がフロントヨーク２５およびバンクヨー
ク２６とそれぞれ２μｍオーバーラップした場合である
。Ｂは磁気抵抗素子２３がフロントヨーク２５と４μｍ
オーバーラップした時、Ｃは磁気抵抗素子２３がハック
ヨーク２６と４μｍオーバーラップした時である。
抵抗素子とフロントヨークおよびバックヨークとのオー
バーラップ量を変化させたときの磁気抵抗素子内の幅方
向の各位置における磁束密度分布を計算した結果を示し
たものである。Ｘ軸は磁気抵抗素子内の位置を示し、０
は磁気抵抗素子中央を表している。Ｙ軸は磁気抵抗素子
内の磁束密度分布比を示している。同図においてＡは磁
気抵抗素子２３がフロントヨーク２５およびバンクヨー
ク２６とそれぞれ２μｍオーバーラップした場合である
。Ｂは磁気抵抗素子２３がフロントヨーク２５と４μｍ
オーバーラップした時、Ｃは磁気抵抗素子２３がハック
ヨーク２６と４μｍオーバーラップした時である。
同図から明らかなようにＣの磁束密度分布は、Ａ，Ｂに
比較して大きく低下する。従って、再生出力のばらつき
を抑えるためには、フロント側のオーバーランブ量はバ
ックヨーク側に比べてつねに大きくしておくことが重要
である。
比較して大きく低下する。従って、再生出力のばらつき
を抑えるためには、フロント側のオーバーランブ量はバ
ックヨーク側に比べてつねに大きくしておくことが重要
である。
実際、フロントヨーク及びバックヨークのオーバーラッ
プ量を同し２μｍで設計したフォトマスクを用いて作製
した従来の磁気抵抗型ヘッドは、フロントヨークのオー
バーラップ量が１〜３μｍ、バックヨークのオーバーラ
ップ量は３〜１μｍとばらつき、再生出力も±２５％の
範囲でばらついた。
プ量を同し２μｍで設計したフォトマスクを用いて作製
した従来の磁気抵抗型ヘッドは、フロントヨークのオー
バーラップ量が１〜３μｍ、バックヨークのオーバーラ
ップ量は３〜１μｍとばらつき、再生出力も±２５％の
範囲でばらついた。
一方、本発明の実施例に従ってフロント側のオーハーラ
ノプ３μｍ、バックヨーク側のオーバーラノプ１μｍで
設計したフォトマスクを用いて作製した磁気抵抗型ヘッ
ドの再生出力は±５％内の範囲に収まった。
ノプ３μｍ、バックヨーク側のオーバーラノプ１μｍで
設計したフォトマスクを用いて作製した磁気抵抗型ヘッ
ドの再生出力は±５％内の範囲に収まった。
第５図は第２の実施例で、トラック幅方向に３個の磁気
抵抗型ヘッド６１，６２．６３を磁性基板上６５に並べ
て構威した３チャンネル磁気抵抗型ヘノド６０である。
抵抗型ヘッド６１，６２．６３を磁性基板上６５に並べ
て構威した３チャンネル磁気抵抗型ヘノド６０である。
すべてのチャンネル部でフロントヨーク例のオーバーラ
ップ量はバックヨーク側のオーハーランプ量よりも常に
大きくなるように構威されている。従って、各チャンネ
ルの再生出力のばらつきは±５％以内に抑えられる効果
を有するものである。
ップ量はバックヨーク側のオーハーランプ量よりも常に
大きくなるように構威されている。従って、各チャンネ
ルの再生出力のばらつきは±５％以内に抑えられる効果
を有するものである。
発明の効果
上記したように本発明の磁気抵抗型ヘソド及びその製造
方法においては磁気抵抗素子とフロントヨークとのオー
バーラップ量がバックヨークとのオーバーラップ量に比
べて常に大きいため安定した再生出力を得られる効果を
有するものである。
方法においては磁気抵抗素子とフロントヨークとのオー
バーラップ量がバックヨークとのオーバーラップ量に比
べて常に大きいため安定した再生出力を得られる効果を
有するものである。
特に、マルチチャンネル磁気抵抗型ヘッドにおいては、
各チャンネルの再生出力は±５％以内に抑えられ、本発
明の効果は絶大なるものである。
各チャンネルの再生出力は±５％以内に抑えられ、本発
明の効果は絶大なるものである。
第１図は本発明の好適な第１の実施例における磁気抵抗
型ヘッドの外観図、第２図はそのＡ−Ａ断面図、第３図
は本発明における第１の実施例の磁気抵抗型ヘッドを作
製する際に用いられた磁気抵抗素子用および透磁性ヨー
ク用フォトマスクの相互の位置関係を示す配置図、第４
図は磁気抵抗素子内の幅方向の各位置における磁束密度
分布を示す図、第５図は本発明の第２の実施例の３チャ
ンネルＩＩＩ戒の磁気抵抗型ヘッドの外観図である。 ２１・・・・・・基板、２２・・・・・・バイアス導体
、２３・・・・・・磁気抵抗素子、２４ａ，２４ｂ・・
・・・・電極、２５・・・・・・フロントヨーク、２６
・・・・・・バックヨーク、２７・・・・・・ギャップ
、２日・旧・・記録媒体、２９．３０３１・・・・・・
絶縁層、３２・・・・・・保護層、３４・・・・・・透
磁性ヨーク。
型ヘッドの外観図、第２図はそのＡ−Ａ断面図、第３図
は本発明における第１の実施例の磁気抵抗型ヘッドを作
製する際に用いられた磁気抵抗素子用および透磁性ヨー
ク用フォトマスクの相互の位置関係を示す配置図、第４
図は磁気抵抗素子内の幅方向の各位置における磁束密度
分布を示す図、第５図は本発明の第２の実施例の３チャ
ンネルＩＩＩ戒の磁気抵抗型ヘッドの外観図である。 ２１・・・・・・基板、２２・・・・・・バイアス導体
、２３・・・・・・磁気抵抗素子、２４ａ，２４ｂ・・
・・・・電極、２５・・・・・・フロントヨーク、２６
・・・・・・バックヨーク、２７・・・・・・ギャップ
、２日・旧・・記録媒体、２９．３０３１・・・・・・
絶縁層、３２・・・・・・保護層、３４・・・・・・透
磁性ヨーク。
Claims (3)
- （１）磁性基板上に形成された磁気抵抗素子と、記録媒
体から発生する信号磁界を磁気ヘッド内に導流させるた
めの磁気ギャップと、前記磁気抵抗素子の相対する端部
で前記磁気抵抗素子とそれぞれオーバーラップし、記録
媒体からの信号磁束を導くための一対の透磁性ヨークと
、前記磁気抵抗素子を駆動するための一対の電流印加手
段と、前記磁気抵抗素子に対してトラック幅方向に垂直
にバイアス磁界を印加する手段とを具備した磁気抵抗型
ヘッドであって、前記オーバーラップ部のうち前記磁気
ギャップに近い方のオーバーラップ量が他方に比べて大
きいことを特徴とする磁気抵抗型ヘッド。 - （２）磁性基板上に形成された磁気抵抗素子と、記録媒
体から発生する信号磁界を磁気ヘッド内に導流させるた
めの磁気ギャップと、前記磁気抵抗素子の相対する端部
で前記磁気抵抗素子とそれぞれオーバーラップするとと
もに、前記オーバーラップ部のうち前記磁気ギャップに
近いオーバーラップ量が他方に比べて大きい一対の透磁
性ヨークと、前記磁気抵抗素子を駆動するための一対の
電流印加手段と、前記磁気抵抗素子に対して磁気抵抗素
子を含む面内にあってトラック幅方向に垂直にバイアス
磁界を印加する手段とを具備した磁気抵抗型ヘッドをト
ラック幅方向に複数個配したことを特徴とするマルチチ
ャンネル型の磁気抵抗型ヘッド。 - （３）磁性基板上に形成された磁気抵抗素子と、記録媒
体から発生する信号磁界を磁気ヘッド内に導流させるた
めの磁気ギャップと、前記磁気抵抗素子の相対する端部
で前記磁気抵抗素子とそれぞれオーバーラップし、記録
媒体からの信号磁束を導くための一対の透磁性ヨークと
、前記磁気抵抗素子を駆動するための一対の電流印加手
段と、前記磁気抵抗素子に対してトラック幅方向に垂直
にバイアス磁界を印加する手段とを有する磁気抵抗型ヘ
ッドの製造方法であって、前記透磁性ヨークを所定の形
状に加工する際に、透磁性ヨークのパターン位置を、前
記二つのオーバーラップ部の長さを同じにする位置より
も、最大パターニング誤差分以上前記磁気ギャップ側の
反対方向にずらせて配置したフォトマスクを用いたこと
を特徴とする磁気抵抗型ヘッドの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-264406 | 1989-10-11 | ||
| JP26440689 | 1989-10-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03205610A true JPH03205610A (ja) | 1991-09-09 |
| JP2822646B2 JP2822646B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=17402719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2231704A Expired - Lifetime JP2822646B2 (ja) | 1989-10-11 | 1990-08-31 | 磁気抵抗型ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (5)
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|---|---|
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| EP (1) | EP0422916B1 (ja) |
| JP (1) | JP2822646B2 (ja) |
| KR (1) | KR940003648B1 (ja) |
| DE (1) | DE69024588T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2970455B2 (ja) * | 1994-03-14 | 1999-11-02 | 株式会社デンソー | 磁気抵抗素子の製造方法およびその磁場処理装置 |
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| US5930084A (en) * | 1996-06-17 | 1999-07-27 | International Business Machines Corporation | Stabilized MR sensor and flux guide joined by contiguous junction |
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| FR2761477B1 (fr) * | 1997-04-01 | 1999-04-23 | Commissariat Energie Atomique | Capteur de champ magnetique a magnetoresistance |
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| US6190764B1 (en) | 1998-11-23 | 2001-02-20 | Read-Rite Corporation | Inductive write head for magnetic data storage media |
| US6223420B1 (en) * | 1998-12-04 | 2001-05-01 | International Business Machines Corporation | Method of making a read head with high resistance soft magnetic flux guide layer for enhancing read sensor efficiency |
| US6996894B2 (en) * | 2002-03-28 | 2006-02-14 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Methods of making magnetic heads with improved contiguous junctions |
| US7505233B2 (en) * | 2004-12-15 | 2009-03-17 | International Business Machines Corporation | Magnetic sensor |
| US7955275B2 (en) * | 2007-08-28 | 2011-06-07 | Ferzli George S | Laparoscopic instrument and method for distance measurements of body parts |
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|---|---|---|---|---|
| JPS529413A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head |
| NL7908611A (nl) * | 1979-11-28 | 1981-07-01 | Philips Nv | Geintegreerde magneetkopconstructie. |
| JPS6047223A (ja) * | 1983-08-25 | 1985-03-14 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| JPS6069806A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-20 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| JPS6069808A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-20 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| JPS61107520A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Sony Corp | 多チヤンネル磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| JPS61177616A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-09 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS61178713A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-11 | Victor Co Of Japan Ltd | 薄膜磁気センサ |
| JPH061533B2 (ja) * | 1985-05-09 | 1994-01-05 | 松下電器産業株式会社 | マルチトラツク磁気抵抗型磁気ヘツド |
| JPS62140219A (ja) * | 1985-12-14 | 1987-06-23 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| US4954920A (en) * | 1986-11-28 | 1990-09-04 | Nec Corporation | Thin film magnetic head |
| US4907113A (en) * | 1987-07-29 | 1990-03-06 | Digital Equipment Corporation | Three-pole magnetic recording head |
| JPH01177616A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-13 | Fanuc Ltd | キー操作手順記憶方式 |
| JPH01255525A (ja) * | 1988-04-05 | 1989-10-12 | Daisho Sangyo Kk | 中空体の構造並びにその接続構造 |
| JPH0822902B2 (ja) * | 1988-11-21 | 1996-03-06 | ダイセル化学工業株式会社 | エポキシ樹脂の製造方法 |
| JP2563597B2 (ja) * | 1989-08-04 | 1996-12-11 | 松下電器産業株式会社 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
| NL8902569A (nl) * | 1989-10-17 | 1991-05-16 | Philips Nv | Dunnefilm magneetkop. |
-
1990
- 1990-08-31 JP JP2231704A patent/JP2822646B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-10 DE DE69024588T patent/DE69024588T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-10 KR KR1019900016037A patent/KR940003648B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-10-10 EP EP90311100A patent/EP0422916B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-06-07 US US08/255,802 patent/US5469317A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910008654A (ko) | 1991-05-31 |
| KR940003648B1 (ko) | 1994-04-25 |
| DE69024588T2 (de) | 1996-08-14 |
| EP0422916B1 (en) | 1996-01-03 |
| DE69024588D1 (de) | 1996-02-15 |
| EP0422916A2 (en) | 1991-04-17 |
| EP0422916A3 (en) | 1992-05-20 |
| JP2822646B2 (ja) | 1998-11-11 |
| US5469317A (en) | 1995-11-21 |
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