JP2000173018A

JP2000173018A - 薄膜型磁気ヘッドの製造方法

Info

Publication number: JP2000173018A
Application number: JP10342116A
Authority: JP
Inventors: Motoharu Tanno; 元春丹野
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1998-12-01
Filing date: 1998-12-01
Publication date: 2000-06-23

Abstract

(57)【要約】【課題】薄膜型磁気ヘッドのヘッド素子を構成する各
構成要素を高精度に位置決めする。【解決手段】基板材２０上に位置決めマーカ２１を形
成する。第１の磁性膜２３、ＭＲ薄膜２６、一対の電極
２７、第２の磁性膜２９等を、位置決めマーカ２１を基
準として位置決めして形成する。上層ポール３１を鍍金
法によって形成する際に、先ず、鍍金下地膜３２を位置
決めマーカ２１に相当する位置で除去する。不透明膜で
ある鍍金下地膜３２上に上層ポール３１を形成する際に
おいても、位置決めマーカ２１を基準として位置決めを
行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜形成工程によ
ってヘッド素子を構成する各構成要素を積層形成する薄
膜型磁気ヘッドの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気ヘッドは、ハードディスク装置等の
磁気記録再生装置に搭載され、磁気記録媒体に対して信
号の記録再生を行うものである。磁気ヘッドとしては、
従来より、磁気コアにコイルを巻き付けた、いわゆるバ
ルク型磁気ヘッドが最も多く利用されてきた。しかしな
がら、バルク型磁気ヘッドは、微細な加工を施すことに
限界があり、記録信号の高記録密度化等に対応して、小
型化することが困難であった。

【０００３】そこで、磁気ヘッドとしては、薄膜形成工
程によって基板上にヘッド素子を構成する各構成要素を
積層形成することにより製造した、いわゆる薄膜型磁気
ヘッドが利用されるようになってきている。薄膜型磁気
ヘッドは、薄膜形成工程によって各構成要素が形成され
るために、小型化して記録信号の高記録密度化に対応す
ることが容易である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した薄
膜型磁気ヘッドは、高品質で信頼性の高い製品として製
造されるに際し、各構成要素が高精度に位置決めされて
形成される必要がある。そのため、薄膜型磁気ヘッドを
製造するに際しては、通常、基板上に形成された特定の
位置決めマーカを位置決めの基準として、各構成要素を
形成することが望まれていた。

【０００５】一方、薄膜型磁気ヘッドを製造するに際し
ては、例えば鍍金法によって所定の構成要素を形成する
際に、この構成要素の形成面に鍍金下地膜等の不透明膜
を塗布する必要がある。そのため、上述した位置決めマ
ーカは、薄膜形成工程の中で、その上層に鍍金下地膜等
の不透明な膜が塗布されることによって検出が不可能と
なってしまう。

【０００６】したがって、従来の薄膜型磁気ヘッドの製
造方法においては、図２７に示すように、先ず、基板１
００上の位置決めマーカ１０１を基準として、不透明膜
１０２の形成面１０３上に、凹状の第２の位置決めマー
カ１０３ａを形成していた。その後、この形成面１０３
上に鍍金下地膜等の不透明膜１０２を形成し、第２の位
置決めマーカ１０３ａにより表出した不透明膜１０２の
凹部１０２ａを位置決めの基準として、この不透明膜１
０２上に構成要素を形成していた。

【０００７】しかしながら、従来の薄膜型磁気ヘッドの
製造方法は、不透明膜上に構成要素を形成する度に、そ
の構成要素の形成面上にそれぞれ第２、第３の位置決め
マーカを形成するといった必要がある。そして、各構成
要素は、それぞれの形成面上に形成された別々の位置決
めマーカによって位置決めされていた。

【０００８】したがって、従来の薄膜型磁気ヘッドの製
造方法では、複数の位置決めマーカを形成するに伴っ
て、その形成誤差が累積されてしまい、位置決め精度が
劣化してしまう。そのため、従来の製造方法では、各構
成要素の形成位置にずれが生じてしまう虞があり、薄膜
ヘッドにおける再生トラックと記録トラックとのアライ
メント精度を向上させることが困難であった。そのた
め、従来の薄膜ヘッドは、高密度記録化に対応して正確
に信号を記録再生することが困難であった。

【０００９】そこで、本発明は、ヘッド素子を構成する
各構成要素を不透明膜上に形成する際に、基板上に形成
された位置決めマーカを位置決めの基準とすることで、
この構成要素を高精度に位置決めして形成する薄膜型磁
気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、本発明に係る薄膜型磁気ヘッドの製造方法は、
薄膜形成工程によって基板上にヘッド素子を構成する各
構成要素を積層形成する薄膜型磁気ヘッドの製造方法に
おいて、上記基板上に位置決めの基準となる位置決めマ
ーカを形成するマーカ形成工程と、上記構成要素の形成
面上に不透明膜を形成する不透明膜形成工程と、上記不
透明膜を上記位置決めマーカに相当する位置で除去する
除去工程と、上記位置決めマーカを位置決めの基準とし
て、上記構成要素を形成するヘッド素子形成工程とを経
ることによって、上記構成要素を上記不透明膜上に形成
してなる。

【００１１】したがって、本発明に係る薄膜型磁気ヘッ
ドの製造方法によれば、不透明膜上に構成要素を形成す
る場合においても、この構成要素が高精度に位置決めし
て形成される。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る薄膜型磁気ヘ
ッドの製造方法の実施の形態について、図面を参照しな
がら詳細に説明する。本手法は、例えば、図１及び図２
に示すような薄膜型磁気ヘッド１（以下、薄膜ヘッド１
という。）を製造する際に適用される。そこで、先ず、
本発明を適用して製造する薄膜ヘッド１について説明す
る。

【００１３】薄膜ヘッド１は、薄膜形成工程によって形
成され、例えばアルチック（アルミナ−チタンカーバイ
ト）等の硬質の非磁性材料により略平板状に形成された
基板２上に、磁気抵抗効果を利用して磁気記録媒体に記
録された信号を再生する再生ヘッド部と、この再生ヘッ
ド部上に形成されて、磁気記録媒体に信号を記録するイ
ンダクタンス型の記録ヘッド部とを備える。

【００１４】再生ヘッド部は、基板２上に形成された第
１の非磁性層３と、この第１の非磁性層３上で高さをそ
れぞれ略同一に形成された下部磁気シールド層４及び第
２の非磁性層５と、これら下部磁気シールド層４及び第
２の非磁性層５上に形成された第３の非磁性層６と、こ
の第３の非磁性層６上に形成された磁気抵抗効果素子７
（以下、ＭＲ素子７という。）及び一対の電極８と、こ
れらＭＲ素子７及び一対の電極８が形成された第３の非
磁性層６上に形成された第４の非磁性層９とを備える。

【００１５】記録ヘッド部は、第４の非磁性層９上に形
成された中間磁気シールド層１０と、この中間磁気シー
ルド層１０上に形成された第５の非磁性層１１と、この
第５の非磁性層１１内に形成された薄膜コイル１２と、
薄膜コイル１２を覆うように形成された第６の非磁性層
１３と、第５の非磁性層１１上に形成されるとともに、
薄膜コイル１２の略中心で中間磁気シールド層１０と略
接するように形成された上部磁気シールド層１４とを備
える。

【００１６】薄膜ヘッド１においては、再生ヘッド部を
構成する各構成要素が外方に臨み、略同一面を構成して
いる。そして、薄膜ヘッド１においては、この面に磁気
記録媒体が摺動されて、この磁気記録媒体に対して信号
の記録再生が行われる。また、再生ヘッド部は、ＭＲ素
子７が下部磁気シールド層４と中間磁気シールド層１０
とで挟まれた構造となっており、いわゆる横型ＭＲヘッ
ドとして構成されている。

【００１７】また、薄膜ヘッド１において、記録ヘッド
部は、中間磁気シールド層１０と上部磁気シールド層１
４とによって磁気コアが構成されるとともに、これら中
間磁気シールド層１０と上部磁気シールド層１４との間
に第５の非磁性層１１が配されることによって、磁気記
録媒体の摺動面で磁気ギャップが形成されてなる。

【００１８】また、薄膜ヘッド１において、記録ヘッド
部は、上部磁気シールド層１４の摺動面側の端部によっ
て記録トラック幅を規定される。そのため、上部磁気シ
ールド層１４は、摺動面側に小さく形成された上層ポー
ル１４ａと、この上層ポール１４ａと接して形成された
バックヨーク１４ｂとによって構成されている。これに
より、薄膜ヘッド１においては、記録トラック幅が高精
度に規定されてなる。

【００１９】以上のように構成された薄膜ヘッド１は、
磁気記録媒体に記録された信号を再生する際に、ＭＲ素
子７に対して一定電流のセンス電流が供給される。薄膜
ヘッド１は、このセンス電流が図示しない電源から一対
の電極８を介してＭＲ素子７に供給され、図示しない検
出機構によって、電圧値が検出される。

【００２０】この薄膜ヘッド１においては、ＭＲ素子７
の抵抗値が、磁気記録媒体からの信号磁界に応じて変化
してなる。このため、薄膜ヘッド１においては、ＭＲ素
子７に対して一定電流のセンス電流を供給すると、ＭＲ
素子７の抵抗値の変化に基づいてセンス電流の電圧値が
変化する。したがって、この薄膜ヘッド１においては、
センス電流の電圧値の変化を測定することによって、磁
気記録媒体からの信号磁界を検出することができる。

【００２１】また、この薄膜ヘッド１は、磁気記録媒体
に磁気信号を記録する際に、記録ヘッド部の薄膜コイル
１２に対して、記録する信号に応じた電流が供給され
る。そして、薄膜ヘッド１は、薄膜コイル１２によって
発生する磁界により、中間磁気シールド層１０と上部磁
気シールド層１４とによって構成された磁気コアに磁束
が流れる。これにより、薄膜ヘッド１はでは、中間磁気
シールド層１０、第５の磁性層１１及び上部磁気シール
ド層１４により構成された磁気ギャップに漏れ磁界を発
生する。薄膜ヘッド１は、この漏れ磁界を磁気記録媒体
に対して印加することによって、磁気信号を記録する。

【００２２】次に、上述した薄膜ヘッド１の製造方法を
説明する。なお、以下の説明では、薄膜ヘッド１を構成
する各構成要素並びにその材料、大きさ、膜厚及び成膜
手法等について具体的な例を挙げるが、本発明は以下の
例に限定されるものではない。

【００２３】薄膜ヘッド１を製造する際は、先ず、図３
に示すように、例えばアルチック（アルミナ−チタンカ
ーバイト）等の硬質の非磁性材料により略平板状に形成
された基板材２０を用意し、この基板材２０の主面２０
ａに対して鏡面研磨加工を施す。基板材２０は、最終的
に薄膜ヘッド１の基板２となるものであり、後述するよ
うに、その主面２０ａ上に薄膜ヘッド１の構成要素が多
数形成される。

【００２４】次に、基板材２０の主面２０ａ上に、位置
決めマーカ２１を形成する。位置決めマーカ２１は、薄
膜ヘッド１の各構成要素を形成する際に、位置決めの基
準とする目的で形成される。このマーカ形成工程におい
ては、例えば、先ず、主面２０ａ上に、スパッタ法や蒸
着法等によってＴｉ，ＮｉＦｅ，Ｔａ等を材料とする金
属薄膜を形成する。次に、この金属薄膜上に、フォトリ
ソグラフィー技術によって、マーカパターンをパターニ
ングし、エッチング法によって不要な金属薄膜を除去す
ることによって、位置決めマーカ２１を形成する。

【００２５】位置決めマーカ２１は、金属薄膜によって
形成されることによって、コントラストが向上するため
に、位置決めの基準として検出することが容易とするこ
とができる。なお、位置決めマーカ２１は、例えば、Ａ
ｌ₂Ｏ₃，ＳｉＯ₂等を用いることによって、透光性を有
する透明薄膜として形成してもよい。

【００２６】次に、図４に示すように、基板材２０の主
面２０ａ上の全面に、最終的に第１の非磁性層３となる
第１の非磁性膜２２を成膜する。第１の非磁性膜２２
は、例えばＡｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂等の非磁性絶縁材料によ
ってスパッタリング等の手法により成膜する。また、本
実施の形態においては、第１の非磁性膜２２の表面が平
滑となるように、成膜後に研磨加工を施した。

【００２７】次に、図５に示すように、第１の非磁性膜
２２上に、最終的に下部磁気シールド層４となる第１の
磁性膜２３を成膜する。第１の磁性膜２３は、具体的に
は、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金）、Ｆｅ−Ｓｉ
−Ｒｕ−Ｇａ合金、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ合金等の金属材料を
用いて成膜する。また、第１の磁性膜２３は、磁気記録
媒体の摺動面に対して直角な方向に向けて、所定の幅で
形成する。

【００２８】なお、本実施の形態においては、センダス
トを３〜５μｍ程度の厚みで成膜し、レジストパターン
を形成した後、ドライエッチング法によって不要なセン
ダストを除去することによって、第１の磁性膜２３を成
膜した。

【００２９】次に、図６に示すように、第１の磁性膜２
３が成膜された第１の非磁性膜２２上の全面に、最終的
に第２の非磁性層５となる第２の非磁性膜２４を成膜す
る。第２の非磁性膜２４は、例えばＡｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂
等の非磁性絶縁材料によってスパッタリング等の手法に
より成膜する。

【００３０】次に、図７に示すように、第２の非磁性膜
２４に対して研磨加工を施して、この第２の非磁性膜２
４に埋め込まれた第１の磁性膜２２を露出させる。すな
わち、第１の磁性膜２３と第２の非磁性膜２４とが同一
面を構成するように、第２の磁性膜に対して研磨加工を
施す。

【００３１】このとき、第１の磁性膜２３と第２の非磁
性膜２４との表面粗度が１ｎｍ以下となる程度まで研磨
することが望ましい。これにより、後の工程によって形
成される第３の非磁性膜２５の厚みを高精度に成膜する
ことができる。したがって、薄膜ヘッド１の再生ギャッ
プの幅を狭く形成することができる。

【００３２】次に、図８に示すように、同一面を構成す
る第１の磁性膜２３及び第２の非磁性膜２４上の全面
に、最終的に第３の非磁性層６となる第３の非磁性膜２
５を成膜する。第３の非磁性膜２４は、例えばＡｌ₂Ｏ₃
やＳｉＯ₂等の非磁性絶縁材料によってスパッタリング
等の手法により成膜する。

【００３３】また、第３の非磁性膜２５を成膜後に、こ
の第３の非磁性膜２５の表面粗度が１ｎｍ以下となる程
度まで研磨することが望ましい。これにより、後の工程
において、第３の非磁性膜２５上に形成されるＭＲ薄膜
２６及び一対の電極２７の厚み等を高精度に成膜するこ
とができる。これにより、最終的に完成する薄膜ヘッド
１の再生効率を向上させることができる。

【００３４】次に、図９に示すように、第３の非磁性膜
２５上に、ＭＲ素子７を構成する薄膜（以下、ＭＲ薄膜
２６という。）をスパッタリング等により成膜する。Ｍ
Ｒ薄膜２６は、具体的には、例えば、膜厚約５ｎｍのＴ
ａ層、膜厚約４３ｎｍのＮｉ−Ｆｅ−Ｎｂ層、膜厚約５
ｎｍのＴａ層、膜厚約４０ｎｍのＮｉ−Ｆｅ層及び膜厚
約１ｎｍのＴａ層を、以上の順序でスパッタリングによ
り順次成膜して形成する。なお、ＭＲ薄膜２６を構成す
る各層の材料及びその膜厚は、以上の例に限定されるも
のではなく、薄膜ヘッド１の使用目的等に応じて適切な
材料を選択し、適切な膜厚に設定するようにすればよ
い。

【００３５】また、ＭＲ薄膜２６は、略矩形状に形成さ
れ、その長手方向が薄膜ヘッド１において磁気記録媒体
の摺動面となる一側に沿うように形成される。さらに、
ＭＲ薄膜２６は、その長手方向の長さが、第１の磁性膜
２３の幅よりも短く形成される。

【００３６】次に、ＭＲ薄膜２６の両端部に、最終的に
薄膜ヘッド１の一対の電極８となる一対の電極２７を成
膜する。電極２７は、導電性材料を用いて、例えば蒸着
法、スパッタリング法等の手法により成膜する。一対の
電極２７は、略矩形状に形成され、ＭＲ薄膜２６の長手
方向に対して直角な方向に向けて、ＭＲ薄膜２６の両端
部にそれぞれ成膜される。

【００３７】このとき、一対の電極２７は、位置決めマ
ーカ２１を図示しない検出機構によって検出し、この位
置決めマーカ２１を位置決めの基準として形成する。こ
れにより、一対の電極２７は、薄膜ヘッド１を構成する
他の各構成要素との相対位置を高精度に保って形成され
る。

【００３８】次に、図１０に示すように、ＭＲ薄膜２６
及び一対の電極２７が形成された第３の非磁性膜２５上
の全面に、第４の非磁性膜２８を成膜する。第４の非磁
性膜２８は、例えばＡｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂等の非磁性絶縁
材料によってスパッタリング等の手法により成膜する。

【００３９】次に、図１１に示すように、第４の非磁性
膜２８上に、最終的に薄膜ヘッド１の中間磁気シールド
層１０となる第２の磁性膜２９を成膜する。第２の磁性
膜２９は、良好な軟磁気特性を示す材料によって、鍍金
法、スパッタリング等の手法により成膜する。また、第
２の磁性膜２９は、磁気記録媒体の摺動面に対して直角
な方向に向けて、所定の幅で形成する。この第２の磁性
膜２９の幅は、ＭＲ薄膜２６の長手方向の長さよりも大
とされる。

【００４０】本実施の形態においては、Ｎｉ−Ｆｅ合金
をスパッタリング法により成膜することによって、第２
の磁性膜２９を形成した。

【００４１】次に、図１２に示すように、第２の磁性膜
２８が形成された第４の非磁性膜２８上の全面に、最終
的に第５の非磁性層１１となる第５の非磁性膜３０を成
膜する。第５の非磁性膜１１は、例えばＡｌ₂Ｏ₃やＳｉ
Ｏ₂等の非磁性絶縁材料によってスパッタリング等の手
法により成膜する。

【００４２】次に、図１３に示すように、第４の非磁性
膜２８上に、上層ポール３１を形成する。この上層ポー
ル３１は、最終的に薄膜ヘッド１の上層ポール１４ａと
なるものである。上層ポール３１は、良好な軟磁気特性
を示す材料によって、鍍金法、スパッタリング等の手法
により成膜する。

【００４３】本実施の形態においては、Ｎｉ−Ｆｅ合金
を鍍金法により成膜することによって、上層ポール３１
を形成した。このとき、先ず、図１４に示すように、上
層ポール３１を形成する第５の非磁性膜３０上の全面に
対して鍍金下地膜３２を成膜する。ところが、上層ポー
ル３１の形成工程においては、不透明膜である鍍金下地
層３２が、第５の非磁性膜３０上の全面に成膜されてい
るために、基板材２０上に形成された位置決めマーカ２
１を検出機構によって検出することができない。したが
って、この上層ポール３１の形成工程においては、位置
決めマーカ２１を位置決めの基準として利用することが
できない。

【００４４】そこで、本発明に係る薄膜型磁気ヘッドの
製造方法においては、以下で説明するように、鍍金下地
膜３２の一部を除去することによって、位置決めマーカ
２１を位置決めの基準として利用することを可能とす
る。

【００４５】第１の除去方法は、図１５に示すように、
先ず、フォトリソグラフィー技術により、位置決めマー
カ２１に相当する部位を除いて、鍍金下地膜３２上の全
面にレジスト膜３３を形成する。次に、図１６に示すよ
うに、エッチング法によって、レジスト膜３３に覆われ
ていない部分の鍍金下地膜３２を除去する。このとき、
エッチングビームの入射角度は、０゜〜３０゜であるこ
とが望ましい。次に、レジスト膜３３を、例えばアセト
ン等の溶剤によって剥離させる。

【００４６】以上のように、第１の除去方法によれば、
鍍金下地膜３２を、いわゆるエッチング法によって、位
置決めマーカ２１が形成された位置に相当する位置で除
去することができる。これにより、上層ポール３１の形
成工程においては、鍍金下地膜３２の形成後であって
も、基板材２０上に形成された位置決めマーカ２１を検
出機構が検出することができる。したがって、上層ポー
ル３１の形成工程においては、位置決めマーカ２１を位
置決めの基準として利用し、この上層ポール３１を他の
各構成要素との相対位置を高精度に保って形成すること
ができる。

【００４７】また、鍍金下地膜３２の第２の除去方法
は、図１７に示すように、先ず、鍍金下地膜３２を成膜
する前段階において、位置決めマーカ２１に相当する部
位に、レジスト膜３４を形成する。次に、図１８に示す
ように、レジスト膜３４が形成された第５の非磁性膜３
０上の全面に鍍金下地膜３２を成膜する。次に、図１９
に示すように、例えばアセトン等の溶剤によって、レジ
スト膜３４を剥離させる。このとき、レジスト膜３４と
ともに、レジスト膜３４上に成膜された鍍金下地膜３２
も剥離する。

【００４８】以上のように、第２の除去方法によれば、
鍍金下地膜３２を、いわゆるリフトオフ法によって、位
置決めマーカ２１が形成された位置に相当する位置で除
去することができる。これにより、上層ポール３１の形
成工程においては、鍍金下地膜３２の形成後であって
も、基板材２０上に形成された位置決めマーカ２１を検
出機構が検出することができる。したがって、上層ポー
ル３１の形成工程においては、位置決めマーカ２１を位
置決めの基準として利用し、この上層ポール３１を他の
各構成要素との相対位置を高精度に保って形成すること
ができる。

【００４９】また、第２の除去方法は、作業時間がかか
るエッチング工程を不要とすることから、上述した第１
の除去方法と比較して、短時間で鍍金下地膜３２を除去
することができる。

【００５０】鍍金下地膜３２は、上述した第１の除去方
法又は第２の除去方法によって除去されることを限定さ
れるものではなく、従来から鍍金下地膜の除去に用いら
れている通常の方法を用いて、位置決めマーカ２１が形
成された位置に相当する位置で除去されてもよい。

【００５１】上述したように、第５の非磁性膜３０上に
形成された鍍金下地膜３２の一部を除去した後に、上層
ポール３１を形成する。

【００５２】上層ポール３１の形成工程においては、先
ず、図２０に示すように、鍍金下地膜３２上に、ポール
用レジスト３５を形成する。ポール用レジスト３５は、
上層ポール３１と同形状に切り抜かれた略矩形形状を呈
して形成され、フォトリソグラフィー技術によって形成
される。このとき、ポール用レジスト３５は、例えばレ
ジスト形成装置の検出機構がレーザ光等によって位置決
めマーカ２１を検出し、この位置決めマーカ２１を基準
として位置決めされて、鍍金下地膜３２上に形成され
る。

【００５３】次に、図２１に示すように、ポール用レジ
スト３５が形成された鍍金下地膜３２上の全面に、磁性
鍍金膜３６を鍍金法によって成膜する。磁性鍍金膜３６
としては、例えばＮｉ−Ｆｅ等の良好な軟磁気特性を示
す材料を、鍍金法によって成膜する。このとき、磁性鍍
金膜３６は、その高さをポール用レジスト３５の高さよ
りも小とされて形成される。

【００５４】この磁性鍍金膜３６の形成工程において
は、磁性鍍金膜３６が上層ポール３１が形成される面の
全面に対して成膜される。したがって、磁性鍍金膜３６
は、成膜された全面において、磁性の向きが均一に形成
されてなる。そのため、この手法によれば、例えば基板
材２０上に複数の磁気ヘッド１を同時に作製する場合で
あっても、この磁気ヘッド１の品質のばらつきを防止す
ることができる。

【００５５】次に、図２２に示すように、例えばアセト
ン等の溶剤を用いて、ポール用レジスト３５を剥離させ
る。そして、ポール用レジスト３５が形成されていた部
分に相当する鍍金下地膜３２を、エッチングによって除
去する。これにより、ポール用レジスト３５が形成され
ていた部分の第５の非磁性膜３０が露出することとな
る。

【００５６】次に、図２３に示すように、ポール用レジ
スト３５が形成されていた部分に、フォトリソグラフィ
ー技術を用いてカバーレジスト３７を形成する。カバー
レジスト３７は、磁性鍍金膜３６のうち、ポール用レジ
スト３５によって他の磁性鍍金膜３６から離間した部分
を覆って閉じるように形成される。

【００５７】次に、図２４に示すように、例えばウエッ
トエッチング等のエッチング手法によって、カバーレジ
スト３７に覆われた部分以外の磁性鍍金膜３６を除去す
る。

【００５８】次に、図２５に示すように、例えばアセト
ン等の溶剤によってポール用レジスト３５を除去する。
そして、第５の非磁性膜３０上に残る鍍金下地膜３２を
エッチングによって除去する。これにより、カバーレジ
スト３７によって覆われていた部分が上層ポール３１と
なる。

【００５９】上層ポール３１の形成工程においては、上
述したように、この上層ポール３１を不透明膜である鍍
金下地層３２上に形成する際に、基板材２０上の位置決
めマーカ２１を基準として位置決めして形成する。すな
わち、上層ポール３１は、位置決めマーカ２１を基準と
して位置決めされるために、これら他の各構成要素との
相対位置にずれが生じてしまうことがない。

【００６０】したがって、薄膜ヘッド１は、記録トラッ
ク幅を規定する上層ポール３１の位置を高精度に形成さ
れてなる。これにより、薄膜ヘッド１は、高密度記録化
に対応して正確に信号を記録再生することが可能とな
る。

【００６１】そして、次に、第５の非磁性膜３０上に、
最終的に薄膜ヘッド１の薄膜コイル１２となる、図示し
ない導電性膜を形成する。導電性膜は、例えばＣｕ等の
導電性材料によってスパッタリング等の手法により成膜
する。また、導電性膜は、後述するバックヨーク３８と
第２の磁性膜２９との突合せ部を略中心として、スパイ
ラル状に形成する。

【００６２】次に、上述した導電性膜を覆うように、図
示しない第６の非磁性膜を形成する。第６の非磁性膜
は、最終的に薄膜ヘッド１において第６の非磁性層１３
となるものである。また、第６の非磁性膜は、スパイラ
ル状に形成された導電性膜の略中心で除去する。これに
より、後述するバックヨーク３８と第２の磁性膜２９と
は、第５の非磁性膜３０を介して突き合わされてなる。

【００６３】次に、図２６に示すように、上層ポール３
１上に、最終的に薄膜ヘッド１のバックヨーク１４ｂと
なるバックヨーク３８を形成する。バックヨーク３８
は、良好な軟磁気特性を示す材料によってスパッタリン
グ等の手法により成膜する。また、バックヨーク３８
は、上層ポール３１上に、この上層ポールと接して形成
されるとともに、スパイラル状に形成された導電性膜の
略中心で、第５の非磁性膜３０を介して第２の磁性膜２
９と突き合わされる。

【００６４】これにより、第２の磁性膜２９と、上層ポ
ール３１及びバックヨーク３８とは、薄膜ヘッド１の磁
気コアを構成する。そして、薄膜ヘッド１においては、
この磁気コアのバックギャップとなるバックヨーク３８
と第２の磁性膜２９との突合せ部に、導電性膜によって
薄膜コイル１２がスパイラル状に捲回されたことによっ
て、記録ヘッド部が構成されてなる。

【００６５】薄膜ヘッド１の製造工程においては、上述
したように、基板材２０上にヘッド素子を構成する各構
成要素が積層して形成された後、この基板材２０を薄膜
ヘッド１の形状となるように切断することによって、最
終的に薄膜ヘッド１が完成する。

【００６６】また、上述の説明においては、上層ポール
３１を形成する際に、その形成面上に成膜された不透明
膜である鍍金下地膜３１の一部を除去するとしたが、本
発明がこの例に限定されるものではない。薄膜ヘッド１
の製造工程においては、例えば、一対の電極２７や第２
の磁性膜２９等を鍍金法によって形成する際に、鍍金下
地膜を本発明に係る手法によって除去してもよい。

【００６７】さらに、本発明に係る手法は、鍍金下地膜
に限らず、他の各種の不透明膜上に構成要素を形成する
際にも、適用することができる。これにより、本発明に
係る手法によれば、各種の不透明膜上に構成要素を形成
する際においても、基板材２０上に形成された位置決め
マーカ２１を位置決めの基準として利用することが可能
となる。

【００６８】また、薄膜ヘッド１を製造する際には、例
えば、第１の磁性膜２３、ＭＲ薄膜２６、一対の電極２
７等を形成する工程において、位置決めマーカ２１を基
準として位置決めして形成することが望ましい。これに
より、薄膜ヘッド１は、ヘッド素子を構成する各構成要
素がそれぞれ異なる位置決め基準によって形成されて位
置精度が劣化してしまうことがなく、互いの相対位置を
高精度に保って各構成要素を形成することができる。

【００６９】なお、本発明者らが本発明に係る薄膜型磁
気ヘッドの製造方法によって上述した薄膜ヘッド１を製
造したところ、再生トラックと記録トラックとのアライ
メントのばらつきが、３σで０．０１μｍ以下を達成し
た。

【００７０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る薄膜
型磁気ヘッドの製造方法によれば、不透明膜上にヘッド
素子を構成する各構成要素を形成する際に、基板上に形
成された位置決めマーカに相当する位置で、この不透明
膜を除去することによって、位置決めマーカを位置決め
の基準として利用することができる。そのため、本発明
に係る薄膜型磁気ヘッドの製造方法によれば、不透明膜
上に形成する構成要素を高精度に位置決めすることがで
きる。したがって、本発明に係る薄膜型磁気ヘッドの製
造方法によれば、製造する薄膜型磁気ヘッドの歩留まり
を向上し、ヘッド特性の優れた薄膜型磁気ヘッドを効率
良く製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明により製造される薄膜ヘッドを示す要部
正面図である。

【図２】同薄膜ヘッドを示す要部側断面図である。

【図３】本発明に係る薄膜ヘッドの製造方法を説明する
ための図であり、基板材上に位置決めマーカを形成した
状態を示す要部断面図である。

【図４】同方法を説明するための図であり、基板材上に
第１の非磁性膜を形成した状態を示す要部断面図であ
る。

【図５】同方法を説明するための図であり、第１の非磁
性膜上に第１の磁性膜を形成した状態を示す要部断面図
である。

【図６】同方法を説明するための図であり、第１の非磁
性膜上に第２の非磁性膜を形成した状態を示す要部断面
図である。

【図７】同方法を説明するための図であり、第２の非磁
性膜に研磨加工を施した状態を示す要部断面図である。

【図８】同方法を説明するための図であり、第２の非磁
性膜上に第３の非磁性膜を形成した状態を示す要部断面
図である。

【図９】同方法を説明するための図であり、第３の非磁
性膜上にＭＲ薄膜を形成した状態を示す要部断面図であ
る。

【図１０】同方法を説明するための図であり、ＭＲ薄膜
上に第４の非磁性膜上を形成した状態を示す要部断面図
である。

【図１１】同方法を説明するための図であり、第４の非
磁性膜上に第２の磁性膜を形成した状態を示す要部断面
図である。

【図１２】同方法を説明するための図であり、第４の非
磁性膜上に第５の非磁性膜を形成した状態を示す要部断
面図である。

【図１３】同方法を説明するための図であり、第５の非
磁性膜上に上層ポールを形成した状態を示す要部断面図
である。

【図１４】同方法を説明するための図であり、第５の非
磁性膜上に鍍金下地膜を形成した状態を示す要部拡大断
面図である。

【図１５】同方法を説明するための図であり、鍍金下地
膜上にレジスト膜を形成した状態を示す要部拡大断面図
である。

【図１６】同方法を説明するための図であり、鍍金下地
膜をエッチングした状態を示す要部拡大断面図である。

【図１７】同方法を説明するための図であり、第５の非
磁性膜上にレジスト膜を形成した状態を示す要部拡大断
面図である。

【図１８】同方法を説明するための図であり、第５の非
磁性膜上に鍍金下地膜を形成した状態を示す要部拡大断
面図である。

【図１９】同方法を説明するための図であり、レジスト
膜を除去した状態を示す要部拡大断面図である。

【図２０】同方法を説明するための図であり、鍍金下地
膜上にポール用レジストを形成した状態を示す要部拡大
断面図である。

【図２１】同方法を説明するための図であり、鍍金下地
膜上に磁性鍍金膜を形成した状態を示す要部拡大断面図
である。

【図２２】同方法を説明するための図であり、ポール用
レジストを除去した状態を示す要部拡大断面図である。

【図２３】同方法を説明するための図であり、カバーレ
ジストを形成した状態を示す要部拡大断面図である。

【図２４】同方法を説明するための図であり、磁性鍍金
膜を除去した状態を示す要部拡大断面図である。

【図２５】同方法を説明するための図であり、カバーレ
ジストを除去した状態を示す要部拡大断面図である。

【図２６】同方法を説明するための図であり、上層ポー
ル上にバックヨークを形成した状態を示す要部断面図で
ある。

【図２７】従来の薄膜ヘッドの製造方法を説明するため
の要部断面図である。

【符号の説明】

２０基板材、２１位置決めマーカ、２２第１の非
磁性膜、２３第１の磁性膜、２４第２の非磁性膜、
２５第３の非磁性膜、２６ＭＲ薄膜、２７電極、２
８第４の非磁性膜、２９第２の磁性膜、３０第５
の非磁性膜、３１上層ポール

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】薄膜形成工程によって基板上にヘッド素
子を構成する各構成要素を積層形成する薄膜型磁気ヘッ
ドの製造方法において、上記基板上に位置決めの基準となる位置決めマーカを形
成するマーカ形成工程と、上記構成要素の形成面上に不透明膜を形成する不透明膜
形成工程と、上記不透明膜を上記位置決めマーカに相当する位置で除
去する除去工程と、上記位置決めマーカを位置決めの基準として、上記構成
要素を形成する構成要素形成工程とを経ることによっ
て、上記構成要素を上記不透明膜上に形成することを特
徴とする薄膜型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】上記除去工程においては、エッチング法
によって上記不透明膜を除去することを特徴とする請求
項１記載の薄膜型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】上記除去工程においては、リフトオフ法
によって上記不透明膜を除去することを特徴とする請求
項１記載の薄膜型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】上記構成要素は、記録ヘッドのトラック
幅を規定する上層ポールであることを特徴とする請求項
１記載の薄膜型磁気ヘッドの製造方法。