JP2001160204A

JP2001160204A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法

Info

Publication number: JP2001160204A
Application number: JP34137299A
Authority: JP
Inventors: Teruyuki Inaguma; 輝往稲熊
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1999-11-30
Filing date: 1999-11-30
Publication date: 2001-06-12

Abstract

(57)【要約】【課題】ＭＲ素子のデプスを、抵抗値を測定せずに判
断する。【解決手段】下部磁気シールド層３及び上部磁気シー
ルド層１２のうち少なくとも一方を、ＭＲ素子６のデプ
スに応じて、媒体摺動面に露出するトラック幅方向の断
面長さ、及び断面位置などが変化するような形状で形成
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、テープ状記録媒体
に対する摺接型の記録再生装置における回転ドラムに搭
載される磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気ヘッドは、磁気記録再生装置に搭載
されて、磁気記録媒体に対して情報信号の記録及び／又
は再生（以下、記録再生という。）を行うものである。
このような磁気記録再生装置としては、例えばビデオテ
ープレコーダ（ＶＴＲ：VideoTape Recorder）やＤＡＴ
（Digital Audio Tape）レコーダ等のように、高速で回
転するドラムに磁気ヘッドを備え、このドラムに対して
テープ状の磁気記録媒体を摺動させて、いわゆるヘリカ
ルスキャン方式によって記録再生を行うものがある。

【０００３】磁気ヘッドは、一般に、高透磁率である磁
性材料によって形成された磁気コアに対して、コイルが
巻回されることによって構成されている。このような磁
気ヘッドは、磁気コアとコイルとの電磁誘導を利用して
磁気記録媒体に対する記録再生を行うことから、電磁誘
導型（インダクティブ型）磁気ヘッドと称される。

【０００４】従来の磁気ヘッドは、バルク型の磁性材料
を機械加工によって整形した磁気コア半体を、磁気ギャ
ップを介して接合一体化することによって磁気コアを構
成している。

【０００５】しかしながら、近年、磁気記録の分野にお
いては、磁気信号の高記録密度化がより一層進められて
おり、微細な磁気信号を正確に記録再生することが要求
されている。ところが、電磁誘導型磁気ヘッドは、バル
クの磁性材料から機械加工によって磁気コアが整形され
ているために、狭トラック化及び狭ギャップ化を十分に
図ることができず、高記録密度化に対応することができ
ない。

【０００６】そこで、高記録密度化に対応した磁気ヘッ
ドとして、磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と称す
る。）の磁気抵抗効果を利用して、磁気記録媒体に記録
された信号を読み取る磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以
下、ＭＲヘッドという。）が普及している。

【０００７】ＭＲ素子は、抵抗素子の一種であり、磁気
記録媒体に記録された信号磁界等の外部磁界の変化に応
じて、電気抵抗が変化する。ＭＲヘッドは、ＭＲ素子に
電流を流し、このＭＲ素子に流れる電流値が磁気記録媒
体からの信号磁界に応じて変化することを利用して、磁
気記録媒体に記録された信号を読み取る。

【０００８】ところで、近年では、小型で大容量である
磁気記録媒体が望まれており、これに伴い、例えば記録
トラック幅を狭くするなどの手法によって、磁気記録媒
体の高記録密度化がますます進んでいる。

【０００９】ＭＲヘッドは、磁気抵抗効果を示すＭＲ素
子が非磁性基板上に形成されてなり、再生専用として用
いられる磁気ヘッドである。ＭＲヘッドは、磁気コイル
が不要であることから磁気誘導型の磁気ヘッドに比べて
小型化が可能であるとともに、高感度であることから再
生出力が高い。このため、ＭＲヘッドは、高記録密度化
に適した磁気ヘッドとして注目されている。

【００１０】ＭＲヘッドは、磁気シールド部材が形成さ
れたそれぞれの基体における磁気シールド部材形成面間
に、磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と称する。）を
形成する薄膜層が挟み込まれた構造となっている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したＭ
Ｒヘッドを搭載した記録再生装置の例としては、ハード
ディスク装置や磁気テープ装置などが挙げられる。これ
らの装置におけるＭＲヘッドは、摺接面に対して砥石に
よる研削加工を施したり、研削紙に摺動させたりするこ
とによって、磁気抵抗効果型薄膜（以下、ＭＲ薄膜と称
する。）が所定のデプスとなるように加工している。

【００１２】ハードディスク装置におけるＭＲヘッド
は、ジンバルと呼ばれる支柱の先端に位置している。こ
のため、外部からＭＲ素子を観察することが可能であ
り、ＭＲ素子のデプスを視覚的に判断することができ
る。

【００１３】一方、磁気テープ装置におけるＭＲヘッド
においては、不透明な一対の基板によってＭＲ素子が挟
み込まれている。このため、視覚的にＭＲ素子を観察す
ることは不可能である。このようなＭＲヘッドにおいて
ＭＲ素子のデプスを判断するためには、抵抗値を測定し
ている。

【００１４】しかしながら、ＭＲヘッドにおいては、摺
接面上にＭＲ素子を構成する膜構造と、この膜構造を挟
む一対の磁気シールド層とが露出する。このため、機械
的な加工を施して摺接面を研削すると、ＭＲ素子を構成
する材料が延性により引きずられてお互いに接触する。
このとき、磁気シールド層が導電性であるために、抵抗
値が変化してしまい、ＭＲ素子のデプスを正確に判断す
ることは、不可能となる。

【００１５】また、ＭＲヘッドは、加工中に加えられた
熱や歪みによっても、微少なショートが発生するために
抵抗値が変化してしまう。また、ＭＲヘッドは、研削加
工により生じた導電性の付着物によっても抵抗値が変化
してしまう。これらの理由により、抵抗値のみを判断基
準として採用したときには、各ＭＲヘッドにおけるＭＲ
素子のデプスを一定とすることが困難である。

【００１６】ＭＲ素子の再生出力などは、ＭＲ素子の形
状が変化してしまうとばらつきが生じてしまう。この場
合、ＭＲヘッドの品質を一定とすることが困難となる。
このため、ＭＲヘッドにおけるＭＲ薄膜のデプスを一定
として、ＭＲ素子の形状を一定とする必要性がある。

【００１７】本発明はこのような従来の実状に鑑みて提
案されたものであり、磁気シールド部材の形状を視覚的
に判断することにより、磁気抵抗効果素子のデプスを一
定とすると共に、磁気抵抗効果素子のデプスを均一にす
ることが可能である磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供す
ることを目的とする。そして、再生出力が高く、且つ信
頼性が高い磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供することを
目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気抵抗効
果型磁気ヘッドは、テープ状記録媒体に対して摺接して
用いられる磁気抵抗効果型磁気ヘッドである。そして、
テープ状記録媒体の摺接方向に、第１の磁気シールド部
材と、磁気抵抗効果素子と、第２の磁気シールド部材と
をこの順で備えるとともに、これらの各部材がテープ状
記録媒体が摺接する媒体摺接面に露出してなる。そし
て、上記第１及び第２の磁気シールド部材のうち少なく
とも一方は、上記磁気抵抗効果素子のデプスに応じて、
上記媒体摺接面における断面のトラック幅方向の長さ及
び／又は位置が変化する形状で形成されていることを特
徴とする。

【００１９】以上のように構成された本発明に係る磁気
抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気シールド部材の断面の長
さ及び／又は位置が、磁気抵抗効果素子のデプスによっ
て変化する。そのため、ＭＲヘッドの抵抗値を測定せず
に、摺接面から視覚的に磁気抵抗効果素子のデプスを判
断することを可能とする。また、磁気抵抗効果素子のデ
プスを正確に測定することが可能となる。

【００２０】また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造方法は、部材形成工程と、摺接面加工工程と
を有する。

【００２１】部材形成工程では、基板上に、第１の磁気
シールド部材と、磁気抵抗効果素子と、第２の磁気シー
ルド部材とを順次形成する。そして、上記第１及び第２
の磁気シールド部材のうちの少なくとも一方を、上記磁
気抵抗効果素子のデプスに応じて、上記媒体摺接面にお
けるトラック幅方向の断面長さ及び／又は断面位置が変
化する形状で形成する。

【００２２】摺接面加工工程では、上記基板の一側面に
対して研削加工及び／又は研磨加工を施すことにより、
上記第１及び第２の磁気シールド部材、及び磁気抵抗効
果素子を露出させて、テープ状記録媒体が摺接する媒体
摺接面を形成する。そして、上記第１及び第２の磁気シ
ールド部材の断面長さ及び／又は断面位置に応じて加工
量を調整することにより、上記磁気抵抗効果素子のデプ
スを決定する。

【００２３】したがって、磁気シールド部材の断面長さ
及び／又は断面位置が、磁気抵抗効果素子のデプスによ
って変化する。このことにより、ＭＲヘッドの抵抗値を
測定せずに、摺接面から視覚的に磁気抵抗効果素子のデ
プスを判断することが可能であり、且つ磁気抵抗効果素
子のデプスが一定である磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提
供することを可能とする。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。以下では、図
１に示すような、本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気
ヘッド１（以下、ＭＲヘッドと称する。）について説明
することとする。

【００２５】なお、以下の説明で用いる図面は、各部の
特徴をわかりやすく図示するために、特徴となる部分を
拡大して示している場合があり、各部材の寸法の比率が
実際と同じであるとは限らない。また、以下では、磁気
ヘッド１を構成する各薄膜の構成や材料等について例示
するが、本発明は、例示する磁気ヘッド１に限定される
ものではなく、所望とする目的や性能に応じて各薄膜の
構成や材料等を選択すればよい。

【００２６】また、以下の説明では、ＭＲヘッド１が回
転ドラムに搭載されてヘリカルスキャン方式によって再
生動作を行う場合を例に挙げて述べるが、本発明は以下
の例に限定されるものではない。例えば、いわゆる固定
型ヘッドにＭＲヘッド１を採用してもよい。

【００２７】ＭＲヘッド１は、図１及び図２に示すよう
に、第１の基板２上に、下部磁気シールド層３と、平坦
化層４とが形成されている。下部磁気シールド層３と、
平坦化層４とは、略同一面を形成している。なお、平坦
化層４は、図２における図示を省略している。下部磁気
シールド層３と、平坦化層４との上に下部ギャップ層５
が形成されている。

【００２８】下部ギャップ層５上には、磁気抵抗効果薄
膜６（以下、ＭＲ薄膜６という。）が形成されている。
ＭＲ薄膜６の長手方向には、バイアス層７ａ，７ｂと、
電極層８ａ，８ｂとが順次積層されている。また、接続
端子９ａ，９ｂと、外部接続端子１０ａ，１０ｂとが形
成されている。

【００２９】ＭＲ薄膜６と、バイアス層７ａ，７ｂと、
電極層８ａ，８ｂとは、摺動面に露出するように形成さ
れている。接続端子９ａ，９ｂと、外部接続端子１０
ａ，１０ｂとは、摺動面に露出しない位置に形成されて
いる。

【００３０】なお、図１においては、バイアス層７ａ，
７ｂと、電極層８ａ，８ｂとの図示を省略する。また、
図２においては、接続端子９ａ，９ｂと、外部接続端子
１０ａ，１０ｂとの図示を省略する。

【００３１】ＭＲ薄膜６と、バイアス層７ａ，７ｂと、
電極層８ａ，８ｂと、接続端子９ａ，９ｂとの上には、
上部ギャップ層１１と、上部磁気シールド層１２とが順
次形成されている。上部ギャップ層１１と、上部磁気シ
ールド層１２との上には、保護膜１３が形成されてい
る。そして、保護膜１３上に、接着層１４を介して第２
の基板１５が形成されている。

【００３２】第１の基板２と第２の基板１５とは、高硬
度非磁性材料によって形成されている。具体的な材料と
しては、例えばアルミナ−チタン−カーバイド（アルチ
ック）、α−Ｆｅ２Ｏ３（α−ヘマタイト）、ＮｉＺｎ
及びＭｎＺｎなどの多結晶フェライトなどが挙げられ
る。第１の基板２と第２の基板１５とは、平面形状が略
長方形の薄板形状に形成されてなる。

【００３３】また、第１の基板２と第２の基板１５との
端面は、テープ状記録媒体が摺動する媒体摺動面１６と
されている。この媒体摺動面１６は、所定の曲率を有す
る円弧状の曲面とされている。このとき、テープ状記録
媒体は、矢印Ａの方向に摺動する。

【００３４】下部磁気シールド層３と、上部磁気シール
ド層１２とは、磁気記録媒体からの信号磁界のうち、再
生対象外の磁界が、ＭＲ薄膜６に引き込まれないように
機能する。すなわち、再生の対象外の信号磁界は、下部
磁気シールド層３と、上部磁気シールド層１２とにより
導かれ、再生の対象となる信号磁界だけがＭＲ薄膜６に
導かれる。これにより、ＭＲ薄膜６の高周波数特性及び
読取分解能の向上が図られている。

【００３５】下部磁気シールド層３は、摩耗及び腐食が
生じにくい軟磁性材料によって形成されている。この軟
磁性材料の例としては、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ
合金）、ＦｅＴａなどの通常の磁気ヘッドにおいて磁気
シールド部材として使用される材料が挙げられる。

【００３６】なお、上述した軟磁性材料がＭＲヘッド１
における磁気シールド部材として機能するためには、信
号磁界における最長波長の２倍以上の厚みが必要とな
る。このため、下部磁気シールド層３の厚みは、ＭＲヘ
ッド１の構造に応じて決定される。本実施の形態におい
ては、下部磁気シールド層３の厚みを、２．５μｍとし
た。

【００３７】上部磁気シールド層１２は、後述するよう
な、Ｃｏ系アモルファス材料による軟磁性層から形成さ
れている。上部磁気シールド層１２は、Ｃｏ系アモルフ
ァス材料による軟磁性薄膜層と、非磁性薄膜層とを交互
に堆積させた積層構造であり、少なくとも２層以上の磁
性薄膜層を有する積層構造をなしている。

【００３８】ここで使用されるＣｏ系アモルファス材料
は、Ｃｏ_aＺｒ_bＮｂ_cＭ_d（但し、Ｍは、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔ
ａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｐｄ，Ｗ，Ｖのいずれかである。ま
た、ａ，ｂ，ｃ，ｄは、原子パーセントを示しており、
これらがそれぞれ７９≦ａ≦８３，２≦ｂ≦６，１０≦
ｃ≦１４，１≦ｄ≦５であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００
である。）の組成からなる材料であることが望ましい。
この理由は、以下に述べる通りである。

【００３９】例えば、上述したＣｏ系アモルファス材料
において、Ｍ＝Ｔａのときには、６８≦ａ≦９０，０≦
ｂ≦１０，０≦ｃ≦２０，０≦ｄ≦１０，ａ＋ｂ＋ｃ＋
ｄ＝１００であれば、軟磁性特性が優れている。この組
成が、７９≦ａ≦８３，２≦ｂ≦６，１０≦ｃ≦１４，
１≦ｄ≦５，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００のときには、軟磁
性特性に加えて、耐熱性、耐摩耗性、及び透磁率も優れ
たものとなる。

【００４０】このため、この組成のＣｏ系アモルファス
材料を用いることによって、上部磁気シールド層１２の
偏摩耗を減少させることができため、スペーシングロス
を減少させることが可能となる。また、このためにＭＲ
ヘッド１は、高い出力を維持することができると共に、
その寿命を延ばすことが可能となる。

【００４１】また、上述した上部磁気シールド層１２に
使用される軟磁性材料においては、この磁壁の移動は突
発的な磁化の変化をひきおこす。この磁化の変化がＭＲ
薄膜６に感知されるとバルクハウゼンノイズが生じ、再
生動作が不安定になる。このため、上部磁気シールド層
１２は、軟磁性薄膜層と非磁性薄膜層とを所定の厚みで
堆積させることが望ましい。このことにより軟磁性薄膜
層同士を静磁結合させ、エネルギーが低く、且つ軟磁性
薄膜層に磁区が生じない状態となる。

【００４２】なお、本実施の形態においては、軟磁性薄
膜層の厚さを０．２８μｍとし、非磁性薄膜層の厚みを
５ｎｍとして、軟磁性薄膜層が１２層となるように軟磁
性薄膜層と非磁性薄膜層とを交互に堆積させた。また、
Ｃｏ系アモルファス材料の特性を安定化させるために、
下地としてＣｒなどを数ｎｍ程度堆積させることが望ま
しい。

【００４３】下部磁気シールド層３及び上部磁気シール
ド層１２は、少なくともその一方が、媒体摺動面１６か
らのＭＲ素子のデプスに応じて、媒体摺動面１６の断面
におけるトラック幅方向の長さ（以下、断面長さと称す
る。）、及び位置（以下、断面位置と称する。）などが
変化する形状で形成されている。

【００４４】以下では、上述したように、下部磁気シー
ルド層３及び上部磁気シールド層１２の少なくとも一方
が、媒体摺動面１６からのＭＲ素子のデプスに応じて、
媒体摺動面１６におけるトラック幅方向の断面長さや、
断面位置などが変化する形状で形成されている例を、図
３乃至図１４を用いて説明する。

【００４５】ここでは、上述した磁気シールド層１７
を、媒体摺動面１６に対して垂直な側面の方向から見た
形状について述べる。なお、以下では、下部磁気シール
ド層３及び上部磁気シールド層１２をまとめて、磁気シ
ールド層１７と称する。

【００４６】先ず、図３に示すように、上底が下底より
も大きい台形となる形状が挙げられる。このような形状
に形成された磁気シールド層１７に対して研削を施した
ときには、ＭＲ素子のデプスが小さくなるにつれ、媒体
摺動面１６に露出する磁気シールド層１７の断面長さは
徐々に短くなる。

【００４７】言い換えると、研削を施すにつれて磁気シ
ールド層１７の断面長さは短くなる。この断面長さを測
定し、後述する数１によりデプスを算出する。このデプ
スが所定の値となるまで、磁気シールド層１７に対して
研削を施す。

【００４８】このとき、図３で示す磁気シールド層１７
のもつテーパ角θ１は、媒体摺動面１６に露出する磁気
シールド層１７の断面長さの変化が、認識できる値であ
れば任意である。しかしながら、磁気シールド層１７に
対する加工の施しやすさや、光学顕微鏡による磁気シー
ルド層１７の認識のしやすさなどを考慮すると、θ１の
値は、４５°以上且つ６０°以下であることが望まし
い。

【００４９】ここで、図３に示すように、形成されたＭ
Ｒ素子の媒体摺動面１６側における磁気シールド層１７
の断面長さをｌ１とし、ＭＲ素子が所定のデプスとなる
まで研削を施したときにおける磁気シールド層１７の媒
体摺動面１６における断面長さをｌ２とし、加工のとき
の研削などによって摩耗したＭＲ素子の長さをｄ１とし
た場合、ｌ１とｌ２とｄ１との関係は、次の数１で表す
ことが可能となる。

【００５０】ｌ２＝ｌ１−２・ｄ１／ｔａｎθ・・・数１数１により、媒体摺動面１６における磁気シールド層１
７の断面長さから、ＭＲ素子のデプスを測定することが
可能となる。このことにより、ＭＲヘッド１を構成する
各材料がお互いに接触したり、加工中に加えられた熱や
歪みによって微少なショートが発生したり、研削加工に
より生じた導電性物質が付着したりすることによってＭ
Ｒヘッド１全体の抵抗値が変化したときにも、ＭＲ素子
のデプスを正確に測定することが可能となる。

【００５１】次に、図４に示すように、上底が下底より
も小さい台形となる形状が挙げられる。このような形状
に形成された磁気シールド層１７に対して研削を施した
ときには、ＭＲ素子のデプスが小さくなるにつれ、媒体
摺動面１６に露出する磁気シールド層１７の断面長さは
徐々に長くなる。

【００５２】このとき、この磁気シールド層１７のもつ
テーパ角θ２は、磁気シールド層１７が媒体摺動面１６
に露出しているときに、その形状の変化が認識できる値
であれば任意である。しかしながら、加工の施しやす
さ、光学顕微鏡での認識のしやすさなどを考慮すると、
θ１の値は、１３５°以上且つ１５０°以下であること
が望ましい。

【００５３】次に、図５に示すように、所定のデプスに
相当する位置に切れ込みが入っている形状が挙げられ
る。この場合、切れ込みの大きさ及び形などは任意であ
る。しかしながら、磁気シールド層１７の媒体摺動面１
６に露出する断面長さの変化が認識できる必要がある。
ここでは切れ込みの形を三角形とした。また、この三角
形の頂点は、ＭＲ薄膜６のデプスが０となる位置とし
た。

【００５４】このような形状に形成された磁気シールド
層１７に対して研削を施したときには、ＭＲ素子が所定
よりも少し大きいデプスとなったときに、媒体摺動面１
６に露出する磁気シールド層１７の断面長さが短くなり
始める。そして、それ以降は、ＭＲ素子のデプスが小さ
くなるにつれ、媒体摺動面１６に露出する磁気シールド
層１７の断面長さは徐々に短くなる。

【００５５】ここで、形成されたＭＲ素子の媒体摺動面
１６側に露出する磁気シールド層１７の断面長さをｌ３
とし、所定のデプスとなるまで研削したときの磁気シー
ルド層１７の媒体摺動面１６に露出する断面長さをｌ４
とし、加工のときの研削などによって摩耗したＭＲ素子
の長さをｄ２とした場合、ｌ３とｌ４とｄ２とに関係
は、以下に示す数２で表すことが可能となる。

【００５６】ｌ４＝ｌ３−２・ｄ２／ｔａｎθ・・・数２数２により、磁気シールド層１７の媒体摺動面１６にお
ける断面長さから、ＭＲ素子のデプスを測定することが
可能となる。このようにＭＲ素子のデプスを測定するこ
とにより、ＭＲヘッド１を構成する各材料がお互いに接
触したり、加工中に加えられた熱や歪みによって微少な
ショートが発生した場合や、研削加工により生じた導電
性物質が付着したりすることによって、ＭＲヘッド１全
体の抵抗値が変化した場合にも、ＭＲ素子のデプスを正
確に測定することが可能となる。

【００５７】次に、図６に示すように、楕円形であり、
ＭＲ素子が所定のデプスとなる位置が楕円形の長径とな
る形状が挙げられる。

【００５８】このような形状に形成された磁気シールド
層１７に対して研削を施したときには、ＭＲ薄膜６のデ
プスが小さくなるにつれ、媒体摺動面１６に露出する磁
気シールド層１７の断面長さは徐々に長くなる。そし
て、ＭＲ素子のデプスが所定の大きさとなったときに、
媒体摺動面１６に露出する磁気シールド層１７の断面長
さは最長となる。そして、それ以上の研削を施すにつ
れ、媒体摺動面１６に露出する磁気シールド層１７の断
面長さは徐々に短くなる。

【００５９】次に、図７に示すように、所定のデプスに
相当する位置に凸状部が存在する形状が挙げられる。こ
の場合、凸状部の大きさ及び形などは任意である。しか
しながら、磁気シールド層１７の媒体摺動面１６に露出
する断面長さの変化が認識できる必要がある。ここでは
凸状部の形を三角形とした。また、この三角形の頂点
は、ＭＲ素子のデプスが０になる位置とした。

【００６０】このような形状に形成された磁気シールド
層１７に対して研削を施したときには、ＭＲ素子が所定
よりも少し大きいデプスとなったときに、媒体摺動面１
６に露出する磁気シールド層１７の断面長さが長くなり
始める。そして、それ以降は、ＭＲ素子のデプスが小さ
くなるにつれ、媒体摺動面１６に露出する磁気シールド
層１７の断面長さは徐々に長くなる。

【００６１】次に、図８に示すように、磁気シールド層
１７に凸状部が形成されており、且つＭＲ素子が所定の
デプスとなる位置に、この凸状部の頂点がある形状が挙
げられる。この場合、凸状部の大きさ及び形などは任意
である。しかしながら、媒体摺動面１６に露出する磁気
シールド層１７の断面長さの変化が認識できる必要があ
る。ここでは凸状部の形を三角形とした。

【００６２】このような形状に形成された磁気シールド
層１７に対して研削を施したときには、ＭＲ素子が所定
よりも少し大きいデプスとなったときに、媒体摺動面１
６に露出する磁気シールド層１７の断面長さが長くなり
始める。そして、それ以降は、ＭＲ薄膜６のデプスが小
さくなるにつれ、媒体摺動面１６に露出する磁気シール
ド層１７の断面長さは徐々に長くなる。

【００６３】そして、デプスが所定の大きさとなったと
きに、媒体摺動面１６に露出する磁気シールド層１７の
断面長さが最長となる。そして、それ以上の研削を施す
ことにより、媒体摺動面１６に露出する磁気シールド層
１７の断面長さは徐々に短くなる。

【００６４】磁気シールド層１７を上述したような形状
とすることにより、媒体摺動面１６に露出する磁気シー
ルド層１７の断面長さと、ＭＲ薄膜６のデプスとを対応
させることが可能となる。このことから、媒体摺動面１
６に露出する磁気シールド層１７の断面長さを測定する
ことによって、ＭＲ薄膜６のデプスを判断することが可
能となる。

【００６５】また、図３乃至図８においては、下部磁気
シールド層３と上部磁気シールド層１２との形状を、媒
体摺動面１６に対して垂直な側面の方向から見たときに
同じとする場合について説明した。しかしながら、下部
磁気シールド層３と、上部磁気シールド層１２との形状
は異なってもよい。以下では、下部磁気シールド層３
と、上部磁気シールド層１２との形状が異なっている場
合について説明する。

【００６６】上述したような磁気シールド層１７の例と
しては、先ず、図９に示すように、磁気シールド層１７
の一方を上底が下底よりも大きい台形となる形状とし、
磁気シールド層１７の他方を上底が下底よりも小さい台
形となる形状とする場合が挙げられる。

【００６７】このような形状に形成された磁気シールド
層１７に対して研削を施したときには、ＭＲ素子のデプ
スが小さくなるにつれて、磁気シールド層１７の一方
は、媒体摺動面１６に露出する断面長さが徐々に長くな
り、磁気シールド層１７の他方は、媒体摺動面１６に露
出する断面長さが徐々に短くなる。そして、ＭＲ素子が
所定のデプスとなったときには、２つの磁気シールド層
１７は、媒体摺動面１６に露出する断面長さが一致す
る。

【００６８】上述したような形状で磁気シールド層１７
が形成されたときには、２つの磁気シールド層１７の断
面長さに加えて、２つの磁気シールド層１７の相対的な
関係によってもＭＲ素子のデプスが判断される。このこ
とにより、ＭＲ素子のデプスを判断する精度は、磁気シ
ールド層１７の断面長さのみで判断した場合と比較して
２倍となる。

【００６９】言い換えると、上述したような形状で磁気
シールド層１７が形成されることにより、ＭＲ素子のデ
プスを更に正確に判断することが可能となる。このこと
により、ＭＲヘッド１の再生出力を更に安定させること
が可能となる。

【００７０】次に、図１０に示すように、磁気シールド
層１７の一方を上底が下底よりも大きい台形となる形状
とし、磁気シールド層１７の他方を長方形とする場合が
挙げられる。

【００７１】このような形状に形成された磁気シールド
層１７に対して研削を施したときには、ＭＲ素子のデプ
スが小さくなるにつれて、磁気シールド層１７の一方
は、媒体摺動面１６に露出する断面長さが徐々に長くな
り、磁気シールド層１７の他方は、媒体摺動面１６に露
出する断面長さが一定となる。そして、ＭＲ素子が所定
のデプスとなったときには、媒体摺動面１６に露出する
２つの磁気シールド層１７の断面長さが一致する。

【００７２】次に、図１１に示すように、磁気シールド
層１７の一方を長方形とし、磁気シールド層１７の他方
を平行四辺形とする場合が挙げられる。

【００７３】このような形状に形成された磁気シールド
層１７に対して研削を施したときには、ＭＲ素子のデプ
スが小さくなるにつれて、磁気シールド層１７の一方
は、媒体摺動面１６に露出する断面位置がＭＲ薄膜６に
対して相対的に変化し、磁気シールド層１７の他方は、
媒体摺動面１６に露出する断面位置が変化しない。そし
て、ＭＲ薄膜６が所定のデプスとなったときには、媒体
摺動面１６に露出する２つの磁気シールド層１７の断面
位置が一致する。

【００７４】また、図１２に示すように、磁気シールド
層１７の一方を楕円形とし、磁気シールド層１７の他方
を長方形とする場合が挙げられる。

【００７５】このような形状に形成された磁気シールド
層１７に対して研削を施したときには、ＭＲ素子のデプ
スが小さくなるにつれて、磁気シールド層１７の一方
は、媒体摺動面１６に露出する断面長さが徐々に長くな
り、ＭＲ素子が所定のデプスとなるときに、断面長さが
最長となる。その後、磁気シールド層１７の一方は、媒
体摺動面１６に露出する断面長さが徐々に短くなる。

【００７６】また、磁気シールド層１７の他方は、媒体
摺動面１６に露出する断面長さが一定となる。そして、
ＭＲ薄膜６が所定のデプスとなったときには、媒体摺動
面１６に露出する２つの磁気シールド層１７の断面長さ
が一致する。

【００７７】また、図１３に示すように、磁気シールド
層１７の一方を所定のデプスとなる部分に切り込みが入
っている形状とし、磁気シールド層１７の他方を長方形
とする場合が挙げられる。この場合、切れ込みの大きさ
及び形などは任意である。しかしながら、磁気シールド
層１７の媒体摺動面１６に露出する断面長さの変化が認
識できる必要がある。ここでは切れ込みの形を三角形と
した。また、この三角形の頂点は、ＭＲ素子が所定のデ
プスとなる位置とする。

【００７８】このような形状に形成された磁気シールド
層１７に対して研削を施したときには、切れ込みが入っ
ている方の磁気シールド層１７は、媒体摺動面１６に露
出する断面長さが変化する。しかしながら、長方形であ
る磁気シールド層１７は、媒体摺動面１６に露出する断
面長さが変化しない。以下では、切れ込みが入っている
方の磁気シールド層１７について、媒体摺動面１６に露
出する断面長さの変化について説明する。

【００７９】切れ込みが入っている磁気シールド層１７
は、ＭＲ素子が所定よりも少し大きいデプスとなったと
きに、媒体摺動面１６に露出する断面長さが短くなり始
める。そして、それ以降は、ＭＲ素子のデプスが小さく
なるにつれ、媒体摺動面１６に露出する磁気シールド層
１７の断面長さは徐々に短くなる。そして、ＭＲ素子の
デプスが所定の大きさとなったときに、媒体摺動面１６
に露出する磁気シールド層１７の断面長さは最も短くな
る。

【００８０】このとき、両方の磁気シールド層１７の長
さは一致する。これ以上の研削を施したときには、媒体
摺動面１６に露出する磁気シールド層１７の断面長さ
は、研削を施す前の磁気シールド層１７の断面長さと同
じとなる。

【００８１】また、図１４に示すように、両方の磁気シ
ールド層１７を長方形と平行四辺形とを組み合わせた形
状として、この平行四辺形の鋭角が存在する方向を、対
称となるようにする場合が挙げられる。媒体摺動面１６
側を上としたときに、この図形は、所定のデプスに相当
する位置より下が長方形とされており、所定のデプスに
相当する位置より上が平行四辺形とされている。

【００８２】このような形状に形成された磁気シールド
層１７に対して研削を施したときには、磁気シールド層
１７は、媒体摺動面１６に露出する断面位置がＭＲ素子
のデプスに対応して相対的に変化する。

【００８３】具体的に述べると、最初は、それぞれの磁
気シールド層１７は、ＭＲ素子に対して外側に位置して
いる。そして、研削を施すにつれてそれぞれの磁気シー
ルド層１７の位置は、徐々にＭＲ薄膜６に近づいてい
く。そして、ＭＲ素子が所定のデプスとなったときに
は、２つの磁気シールド層１７の断面位置が、ＭＲ素子
を挟んで対称的な位置となる。

【００８４】上述したような形状で磁気シールド層１７
が形成されたときには、磁気シールド層１７の両方の媒
体摺動面１６における断面位置は、ＭＲ素子のデプスに
応じて変化する。これにより、ＭＲ素子のデプスを判断
する精度は、磁気シールド層１７のうちの一方の媒体摺
動面１６における断面位置の変化のみで、ＭＲ素子のデ
プスを判断した場合と比較して２倍となる。

【００８５】言い換えると、上述したような形状で磁気
シールド層１７が形成されることにより、ＭＲ素子のデ
プスを更に正確に判断することが可能となる。このこと
により、ＭＲヘッド１の再生出力は、更に安定する。

【００８６】なお、本実施の形態においては、上部磁気
シールド層１２は、後述するように、リフトオフの手法
によって形成される。このため、上部磁気シールド１２
を上述した形状とするのは困難となる。このため、ＭＲ
ヘッド１を製造する上では、下部磁気シールド層３のみ
を、ＭＲ素子のデプスに応じて媒体摺動面１６に露出す
るトラック幅方向の断面長さ、及び断面位置などが変化
するように形成することが、最も容易である。

【００８７】しかしながら、下部磁気シールド層３及び
上部磁気シールド層１２の両方を、ＭＲ素子のデプスに
応じて媒体摺動面１６におけるトラック幅方向の断面長
さ、及び断面位置などが変化するように形成することが
可能であれば、上述したようにＭＲ素子のデプスをより
正確に決定することが可能となる。

【００８８】平坦化層４は、非磁性非導電性材料によっ
て形成される。平坦化層４は、第１の基板２上に下部磁
気シールド層３を形成したときにできた凹凸を平坦化す
るものであり、第１の基板２と略同一面を形成するよう
にする。平坦化層４は、例えばＡｌ₂Ｏ₃によって形成さ
れることが望ましい。

【００８９】下部ギャップ層５と、上部ギャップ層１１
とは、非磁性非導電性材料によって薄膜状に形成されて
いる。これらの非磁性非導電性層が存在することによっ
て、絶縁性が保たれる。下部ギャップ層５及び上部ギャ
ップ層１１は、絶縁性及び耐摩耗性を考慮すると、例え
ばＡｌ₂Ｏ₃によって形成されることが望ましい。

【００９０】ＭＲ薄膜６は、感磁部であり、磁気記録媒
体に記録されている情報記録を読みとる部分である。

【００９１】ここでは、ＭＲ薄膜６は、第１の非磁性層
と、第１の軟磁性層と、第２の非磁性層と、第２の軟磁
性層と、第３の非磁性層とが基板側から順次積層された
構造とされ、いわゆるＳＡＬバイアス方式の膜として構
成されている。第１の非磁性層と、第２の非磁性層と、
第３の非磁性層としては、例えばＴａ等が使用される。
第１の軟磁性層としては、例えばＮｉ−Ｆｅ等が使用さ
れる。第２の軟磁性層としては、例えばＮｉ−Ｆｅ−Ｎ
ｂ等が使用される。

【００９２】なお、ＭＲ薄膜６は、ＳＡＬバイアス方式
の膜に限定されるものではなく、従来から知られている
ような、いわゆるＡＭＲやＧＭＲ等の各種膜構成により
形成されていればよい。また、ＭＲヘッド１において
は、ＭＲ薄膜６の長手方向が媒体摺動面１６と平行とな
るように配設されており、媒体摺動面１６と平行な方向
にセンス電流が供給される。

【００９３】一対のバイアス層７ａ，７ｂは、ＭＲ薄膜
６に対してバイアス磁界を印加し、ＭＲ薄膜６の磁区を
単磁区化するための機能を有している。一対のバイアス
層７ａ，７ｂは、それぞれＭＲ薄膜６の長手方向の両端
部に位置して、硬磁性材料によって形成されている。ま
た、一対のバイアス層７ａ，７ｂは、それぞれＭＲ薄膜
６の両端部に磁気的に接続されている。なお、以下の説
明では、一対のバイアス層７ａ，７ｂをまとめて、単に
バイアス層７と称することとする。

【００９４】電極層８ａ，８ｂは、ＭＲ薄膜６に対して
センス電流を供給する。電極層８ａ，８ｂは、導電性で
あり且つ低抵抗である金属材料によって薄膜状に形成さ
れている。ここで低抵抗である材料を使用することによ
り、ＭＲヘッド１全体の抵抗値を下げることが可能とな
る。電極層８ａ及び電極層８ｂは、ＭＲ薄膜６の両端に
それぞれ接続している。電極層８ａ，８ｂの材料として
は、例えばＣｒ，Ｔａ等が好適である。

【００９５】なお、以下の説明では、電極層８ａ，８ｂ
をまとめて、単に電極層８と称することとする。

【００９６】接続端子９ａ，９ｂは、電極層８ａに対し
てセンス電流を提供する。接続端子９ａ，９ｂは、電極
層８と同様に、導電性であり且つ低抵抗である金属材料
によって薄膜状に形成されている。接続端子９ａ，９ｂ
の材料としては、例えばＣｒ，Ｔａ等が好適である。

【００９７】外部端子１０ａ，１０ｂは、接続端子９
ａ，９ｂに対してセンス電流を提供する。外部端子１０
ａ，１０ｂは、電極層８と同様に、導電性であり且つ低
抵抗である金属材料によって薄膜状に形成されている。
外部端子１０ａ，１０ｂの材料としては、例えばＣｒ，
Ｔａ等が好適である。

【００９８】なお、電極層８ａと、接続端子９ａと、外
部接続端子１０ａとが、接続しており、電極層８ｂと、
接続端子９ｂと、外部接続端子１０ｂとが、接続してい
る。これにより、ＭＲ薄膜６に対してセンス電流を提供
することが可能となる。

【００９９】保護層１３は、ＭＲ素子部分と外部とを電
気的及び磁気的に遮断するために形成する。保護膜１３
は、非磁性非導電性材料によって形成される。

【０１００】接着層１４は、第２の基板１５を貼り付け
るために接着剤を使用することにより形成される。この
とき使用される接着剤の例としては、エポキシ系の接着
剤などが挙げられる。なお、接着層１４は、図１では、
図示を省略する。

【０１０１】なお、このＭＲヘッド１では、実際には、
第１の基板２と、第２の基板１５とが他の部分に比べて
大きい。例えば、第１の基板２におけるテープ状記録媒
体の走行方向の長さｔ１は、０．８ｍｍ程度とされ、Ｍ
Ｒ素子部分の長さｔ２は、５μｍとされる。したがっ
て、このＭＲヘッド１における媒体摺動面１６を形成す
るのは、ほとんどが第１の基板２と、第２の基板１２と
の端面である。

【０１０２】上述したように、ＭＲヘッド１は、媒体摺
動面１６に露出する磁気シールド層１７の断面長さ、及
び断面位置などによってＭＲ素子のデプスを判断するこ
とが可能となる。

【０１０３】このため、ＭＲ素子のデプスを所定の大き
さとすることが容易になり、ＭＲヘッド１毎にＭＲ素子
のデプスが異なることが少なくなる。このことにより、
ＭＲヘッド１の再生出力を一定とすることが可能とな
り、再生出力が安定したＭＲヘッド１を提供することが
可能となる。

【０１０４】上述したＭＲヘッド１が、後述するような
回転ドラムに搭載されて、テープ状記録媒体に記録され
た情報信号を再生する。

【０１０５】つぎに、上述したＭＲヘッド１の製造方法
について説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、
特徴を分かりやすく図示するために、図１乃至図１４と
同様に、特徴となる部分を拡大して示している場合があ
り、各部材の寸法の比率が実際と同じであるとは限らな
い。

【０１０６】また、以下の説明では、ＭＲヘッド１を構
成する各部材並びにその材料、大きさ及び膜厚等につい
て具体的な例を挙げるが、本発明は以下の例に限定され
るものではない。例えば、以下の説明では、ハードディ
スク装置等で実用化されているものと同様な構造を有す
る、いわゆるシールド型のＳＡＬ（Soft Adjacent Laye
r）バイアス方式のＭＲ薄膜を用いた例を挙げるが、Ｍ
Ｒ薄膜は、この例に限定されるものではない。

【０１０７】本発明に係るＭＲヘッド１を製造する際に
は、先ず、図１５及び図１６に示すような、最終的に第
１の基板２となる例えば直径３インチの円盤状の第１の
基板材３０を用意する。この第１の基板材３０は、リー
ディング側のガード材となるものであり、非磁性材料が
使用される。この第１の基板材３０上に複数のＭＲヘッ
ド１が形成される。この第１の基板材３０に対して、鏡
面研磨加工を施す。

【０１０８】次に、図１７及び図１８に示すように、第
１の基板材３０上に、最終的に下部磁気シールド層３と
なる第１の軟磁性金属薄膜層３１をスパッタリング等に
より成膜する。

【０１０９】次に、第１の軟磁性金属層３１に対してエ
ッチングを施し、所定の形状とする。先ず、フォトレジ
スト膜３２を塗布する。次に、いわゆるフォトリソグラ
フィ技術によりこのフォトレジスト膜３２に対して露
光、現像を施し、図１９及び図２０に示すように、フォ
トレジスト膜３２を所定の形状とする。本実施の形態で
は、ＭＲヘッド１が形成される位置に横８０μｍ、縦１
００μｍのフォトレジスト膜３２を形成した。

【０１１０】次に、イオンエッチングを施し、フォトレ
ジスト膜３２が形成されていない部分に形成されている
第１の軟磁性金属層３１を除去する。このことにより、
第１の軟磁性金属層３１は、所定の形状となる。この
後、フォトレジスト膜３２を除去する。

【０１１１】このとき、第１の軟磁性金属層３１の形状
は、ＭＲ素子のデプスに応じて媒体摺動面１６に露出す
るトラック幅方向の断面長さ、及び断面位置などが変化
するように形成される。このとき、最終的に形成される
下部磁気シールド層３は、図３乃至図１４に示すような
形状となる。そして、媒体摺動面１６に露出する下部磁
気シールド層３のトラック幅方向の断面長さや断面位置
と、ＭＲ素子のデプスとが対応する。

【０１１２】このことにより、製造されたＭＲヘッド１
の抵抗値を測定することなく、媒体摺動面１６に露出す
る下部磁気シールド層３のトラック幅方向の断面長さ、
及び断面位置などによってＭＲ素子のデプスを判断する
ことが可能となる。このため、ＭＲヘッド１の製造時間
を短縮させ、生産性を向上させることが可能となる。ま
た、ＭＲ素子のデプスを正確に測定することが可能であ
るため、ＭＲヘッド１の歩留まりを向上させることが可
能となる。

【０１１３】次に、図２１及び図２２に示すように、第
１の軟磁性金属層３１が形成された第１の基板材３０の
表面を平坦化する。

【０１１４】先ず、第１の基板材３０の全面に第１の非
磁性非導電層３３を形成する。ここで形成する第１の非
磁性非導電層３３によって、第１の軟磁性金属層３１が
完全に埋め込まれる必要がある。このため、第１の非磁
性非導電層３３は、第１の軟磁性金属層３１の厚みより
厚くなるように形成する。本実施の形態では、この厚み
を３μｍとした。また、第１の非磁性非導電層３３を形
成する方法の例としては、スパッタ法及び蒸着法などが
挙げられる。

【０１１５】第１の非磁性非導電層３３を形成するため
の材料の例としては、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂などが挙げら
れる。

【０１１６】次に、第１の軟磁性金属層３１が露出する
まで、第１の非磁性非導電層３３に対して研磨を施す。
この第１の非磁性非導電層３３に対する研磨の方法の例
としては、ダイヤモンド砥石で削った後に化学的研磨を
行う方法や、最初から化学的研磨を行う方法などが挙げ
られる。第１の軟磁性金属層３１は、全面にわたって露
出する必要がある。最終的な第１の軟磁性薄膜層３１の
厚さは、第１の基板材３０の反りなどの影響により異な
るが、例えば２μｍ以上であれば良い。

【０１１７】次に、第１の軟磁性金属層３１に対して熱
処理を施す。この熱処理は、第１の軟磁性金属層３１を
形成した材料に応じて施す。本実施の形態では、第１の
軟磁性金属層３１をセンダストで形成したため、１時間
で５５０℃まで昇温させた後、５５０℃で１時間保持
し、その後で自然冷却をした。

【０１１８】次に、図２３及び図２４に示すように、第
１の軟磁性金属層３１と第１の非磁性非導電層３３とで
形成された面の上に、最終的に下部ギャップ層４となる
第２の非磁性非導電層３４を、スパッタリングなどによ
り形成する。

【０１１９】なお、この第２の非磁性非導電性層３４の
膜厚は、磁気記録媒体に記録された信号の周波数に応じ
て適切な値に設定すればよい。膜厚の算出方法は、数３
に示す通りである。本実施の形態においては、この第２
の非磁性非導電性層３４の膜厚を１００ｎｍに設定して
いる。

【０１２０】（下部ギャップ層５の膜厚）＝Ｇ／２−（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ／２）・・・数３ただし、ＧはＭＲ素子におけるバイアス層７ａ，７ｂ間
の距離である。また、ａはＭＲ薄膜における下部絶縁層
（ここではＴａ）の膜厚である。ｂはＭＲ薄膜における
ＳＡＬバイアス層（ここではＮｉＦｅＮｂ）の膜厚であ
る。ｃはＭＲ薄膜における中間絶縁層（ここではＴａ）
の膜厚である。ｄはＭＲ薄膜における感磁層（ここでは
ＮｉＦｅ）の膜厚である。

【０１２１】次に図２５及び図２６に示すように、第２
の非磁性非導電性層３４上に、最終的にＳＡＬバイアス
方式のＭＲ薄膜６を構成するＭＲ薄膜層３５を、スパッ
タリング等により成膜する。具体的には、ＭＲ薄膜層３
５は、例えば膜厚約５ｎｍのＴａ層、膜厚約３２ｎｍの
ＮｉＦｅＮｂ層、膜厚約５ｎｍのＴａ層、膜厚約３０ｎ
ｍのＮｉＦｅ層、及び膜厚約１ｎｍのＴａ層が、以上の
順でスパッタリング等により順次成膜されることにより
形成される。

【０１２２】以上のＭＲ薄膜層３５においては、ＮｉＦ
ｅ層が磁気抵抗効果を有する軟磁性膜であり、ＭＲヘッ
ドにおける感磁部となる。また、以上のＭＲ薄膜層３５
においては、ＮｉＦｅＮｂ層がＮｉＦｅ層に対してバイ
アス磁界を印加するための、いわゆるＳＡＬ膜となる。

【０１２３】なお、ＭＲ薄膜層３５を構成する各層の材
料及びその膜厚は、以上の例に限定されるものではな
く、ＭＲヘッド１の使用目的等に応じて適切な材料を選
択し、適切な膜厚に設定するようにすればよい。

【０１２４】次に、図２７乃至図２９に示すように、フ
ォトリソグラフィ技術を用いて、最終的にバイアス層７
となる２つの矩形状の永久磁石層３６ａ，３６ｂを、Ｍ
Ｒ薄膜層３５に対して、各ＭＲヘッド素子毎に埋め込
む。

【０１２５】この永久磁石層３６ａ，３６ｂは、最終的
に上述したＭＲヘッド１のバイアス層７となるものであ
り、例えば長辺方向の長さｔ３が約５０μｍ、短辺方向
の長さｔ４が約１０μｍとなり、２つの永久磁石層３６
ａ，３６ｂ間の間隔ｔ５が約５μｍとなるように形成さ
れる。これら２つの永久磁石層３６ａ，３６ｂ間の間隔
ｔ５が、最終的にＭＲ薄膜５のトラック幅となる。すな
わち、ＭＲヘッド１においては、ＭＲ薄膜６のトラック
幅が約５μｍとなる。

【０１２６】なお、ＭＲ薄膜６のトラック幅は、以上の
例に限定されるものではなく、ＭＲヘッド１の使用目的
等に応じて適切な値に設定すればよい。

【０１２７】次に、図３０及び図３１に示すように、永
久磁石層３６ａ，３６ｂ上に、最終的に電極層８となる
第１の導電性金属層３７ａ，３７ｂを成膜する。

【０１２８】このような永久磁石層３６ａ，３６ｂと、
第１の導電性金属層３７ａ，３７ｂとを成膜するときに
は、例えば、先ず、フォトレジストにより、各ヘッド素
子３８毎に２つの長方形の開口部を有するマスクを形成
する。次に、エッチングを施して、開口部に露呈してい
たＭＲ薄膜層３５を除去する。なお、ここでのエッチン
グは、ドライ方式でもウエット方式でも構わないが、加
工のしやすさ等を考慮するとイオンエッチングが望まし
い。

【０１２９】次に、マスクが形成されたＭＲ薄膜層３５
上に、スパッタリング等によって永久磁石層３６ａ，３
６ｂを成膜する。なお、永久磁石層３６ａ，３６ｂの材
料としては、保磁力が１０００［Ｏｅ］以上ある材料が
好ましく、例えば、ＣｏＮｉＰｔやＣｏＣｒＰｔ等が好
適である。

【０１３０】次に、第１の導電性金属層３７ａ，３７ｂ
を、スパッタリング等により成膜する。

【０１３１】なお、永久磁石層３６ａ，３６ｂの膜厚
と、第１の導電性金属層３７ａ，３７ｂの膜厚とは、Ｍ
Ｒヘッド１が用いられる環境において必要とされる抵抗
値やＭＲヘッドのトラック幅等により決定される。本実
施の形態においては、永久磁石層３６ａ，３６ｂの膜厚
をＭＲ薄膜層３５と同程度とし、第１の導電性金属層３
７ａ，３７ｂの膜厚を約６０ｎｍとした。

【０１３２】次に、マスクとなっていたフォトレジスト
を、このフォトレジスト上に成膜された永久磁石層３６
ａ，３６ｂと、第１の導電性金属層３７ａ，３７ｂとと
もに除去する。これにより、図３０及び図３１に示した
ように、所定の形状である永久磁石層３６ａ，３６ｂ
が、ＭＲ薄膜層３５に埋めこまれ、この永久磁石層３６
ａ，３６ｂの上に所定の形状である第１の導電性金属層
３７ａ，３７ｂが形成された状態となる。

【０１３３】次に、図３２及び図３３に示すように、フ
ォトリソグラフィ技術を用いて、最終的にＭＲ素子とな
る部分に相当するＭＲ薄膜層３５ａと、ＭＲ薄膜層３５
ｂと、ＭＲ薄膜層３５ｃと、第１の導電性金属層３７
ａ，３７ｂとを残してＭＲ薄膜層３５を除去し、ＭＲヘ
ッド素子３８の形状を形成する。

【０１３４】このときには、先ずＭＲ薄膜層３５ａと、
ＭＲ薄膜層３５ｂと、ＭＲ薄膜層３５ｃと、第１の導電
性金属層３７ａ，３７ｂとの上に、フォトレジストを形
成する。次に、エッチングを施すことによって露出して
いるＭＲ薄膜層３５を除去する。なお、ここでのエッチ
ングは、ドライ方式でもウエット方式でも構わないが、
加工のしやすさ等を考慮すると、イオンエッチングが好
適である。次に、フォトレジストを除去することによ
り、ＭＲヘッド素子３８の形状が形成される。

【０１３５】本実施の形態においては、ＭＲ薄膜層３５
ａの幅ｔ６を７μｍとした。このｔ６は、最終的にＭＲ
薄膜６のデプス長となる。また、ＭＲ薄膜層３５ｂ，３
５ｃの長さｔ７を１．５ｍｍとし、幅ｔ８を８０μｍと
した。また、ＭＲ薄膜層３５ｂとＭＲ薄膜層３５ｃとの
間隔ｔ９を４０μｍとした。

【０１３６】次に、図３４及び図３５に示すように、Ｍ
Ｒ薄膜層３５ｂ，３５ｃと、第２の導電性金属層３９
ａ，３９ｂとを入れ替える。この第２の導電性金属層３
９ａ，３９ｂは、第１の導電性金属層３７ａ，３７ｂと
それぞれ接続し、最終的に電極層８となる。

【０１３７】具体的には、先ず、ＭＲ薄膜層３５ａと、
第１の導電性金属膜３６ａ，３６ｂとの上に、レジスト
パターンを形成する。次に、エッチングを施して露出し
ているＭＲ薄膜層３５ｂと、ＭＲ薄膜層３５ｃとを除去
する。なお、ここでのエッチングは、ドライ方式でもウ
エット方式でも構わないが、加工のしやすさ等を考慮す
ると、イオンエッチングが好適である。

【０１３８】次に、第２の導電性金属層３９となるＴｉ
／Ｃｕを成膜する。このとき、第２の導電性金属層３９
ａ，３９ｂと、第１の導電性金属層３６ａ，３６ｂと
が、それぞれ略同一面を形成するようにする。この後、
レジストを剥離することにより、図２４に示すように、
第２の導電性金属層３９ａ，３９ｂが形成される。

【０１３９】次に、図３６及び図３７に示すように、最
終的に上部ギャップ層１１となる第３の非磁性非導電性
膜４０を、スパッタリングなどにより成膜する。この第
３の非磁性非導電性膜４０の膜厚は、記録信号の周波数
に応じて適当な値に設定すればよい。膜厚の算出方法
は、数４で表される。ここでは、１２０ｎｍとした。

【０１４０】（上部ギャップ層１２の膜厚）＝Ｇ／２−（ａ＋ｄ／２）・・・数４ただし、ＧはＭＲ素子におけるバイアス層７ａ，７ｂ間
の距離である。また、ａはＭＲ薄膜における下部絶縁層
（ここではＴａ）の膜厚である。ｄはＭＲ薄膜における
感磁層（ここではＮｉＦｅ）の膜厚である。

【０１４１】次に、図３８及び図３９に示すような、最
終的に上部磁気シールド層１２となる第２の軟磁性層４
１を以下に示す手順により形成する。

【０１４２】先ず、図４０乃至図４３に示すように、上
部磁気シールド層１２が形成される位置を開口部とし
て、ウェハー全面にレジスト膜５０を形成する。このと
き、開口部におけるレジスト膜の端面は、図４０及び図
４１に示すような逆テーパー型であるか、又は図４２及
び図４３に示すような２層構造で、上層レジスト膜５１
の方が下層レジスト膜５２よりも突出した形状である必
要性がある。これにより、上部磁気シールド層１０をリ
フトオフの手法で形成することが可能となる。

【０１４３】図４０及び図４１に示すような、開口部に
おける端面が逆テーパー型のレジスト膜（以下、逆テー
パー型レジスト層と称する。）を作製するためには、例
えば、日本ゼオン社製ＺＰＮ−１１００及びクラリアン
ト社製ＡＺ５２１４Ｅなどの逆テーパー用レジストを用
いればよい。

【０１４４】このような逆テーパー用レジストを通常通
りプリベークし、露光した後に１１０℃で加熱し、過大
露光を行うことで、逆テーパー型レジスト膜を形成する
ことが可能となる。この逆テーパー型レジスト膜の形成
方法は、レジスト製造メーカーの推奨する方法でよい。
なお、１１０℃における加熱は反転ベーキングと呼ばれ
ており、過大露光は反転露光と呼ばれている。

【０１４５】また、図４２及び図４３に示すような、２
層構造のレジスト膜を形成するためには、以下の方法に
従えばよい。

【０１４６】先ず、下層レジスト膜５２を、例えば通常
は反射防止膜として使用されるBrewer Science社製のＡ
ＲＣにより形成する。次に、上層レジスト膜５１を、一
般的に用いられる、例えばクラリアント社製のＡＺ６１
０８などにより形成する。露光までは通常の手法で行
い、現像のみを長時間行うことによって下層レジスト膜
５２が多く除去され、上層レジスト膜５１が突出した形
状である２層構造のレジスト層が形成される。

【０１４７】上述したフォトレジストを形成した後、Ｃ
ｒ膜を形成する。その後、図４４に示すように、最終的
に上部磁気シールド１０となる第２の軟磁性膜５３を形
成する。この第２の軟磁性膜５３は、非磁性膜とＣｏ系
アモルファス膜とを順次積層することによって形成され
る。その後、レジスト膜５０を剥離する。

【０１４８】このとき、第２の軟磁性膜５３の形状は、
ＭＲ素子のデプスに応じて媒体摺動面１６に露出するト
ラック幅方向の断面長さ、及び断面位置などが変化する
ように形成されてもよい。この場合、最終的に形成され
る上部磁気シールド層１２は、例えば図３乃至図１４に
示すような形状となる。そして、媒体摺動面１６に露出
する上部磁気シールド層１２のトラック幅方向の断面長
さや断面位置と、ＭＲ素子のデプスとが対応する。

【０１４９】このため、製造されたＭＲヘッド１の抵抗
値を測定することなく、媒体摺動面１６における上部磁
気シールド層１２のトラック幅方向の断面長さや、断面
位置によってＭＲ素子のデプスを判断することが可能と
なる。また、媒体摺動面１６に露出する下部磁気シール
ド層３のトラック幅方向の断面長さや、断面位置の変化
と合わせることにより、ＭＲ素子のデプスを更に正確に
判断することが可能となる。

【０１５０】なお、ここでは、２層構造レジスト層を形
成したときに、第２の軟磁性膜５３を形成する方法を例
に挙げて説明したが、逆テーパ型レジスト層を形成した
ときにも、同様に第２の軟磁性膜５３を形成することが
可能である。

【０１５１】次に、２層構造レジスト層と、２層構造レ
ジスト層上に形成された第２の軟磁性層５３とを除去す
る。このとき、２層構造レジスト層は、上述したように
上層レジスト膜５１が下層レジスト膜５２に対して突出
した構造とされているため、端面から２層構造レジスト
層を除去するための溶剤がしみこみ、２層構造レジスト
層の除去が容易になる。

【０１５２】次に、図４５及び図４６に示すように、最
終的に外部端子１４となる第３の導電性金属層５４ａ，
５４ｂを形成する。

【０１５３】第３の導電性金属層５４ａ，５４ｂは、例
えば硫酸銅メッキ法により形成する。このとき、先ず、
第３の導電性金属層５４ａ，５４ｂが形成される部分に
開口部を有するフォトレジスト膜を形成する。次に、こ
の開口部に対してエッチングを施すことにより、この開
口部に形成されている第３の非磁性非導電性膜３９を除
去する。

【０１５４】次に、フォトレジスト膜を残した状態で、
第３の非磁性非導電性層３９が除去された部分に第３の
導電性金属層５４ａ，５４ｂを形成する。次に、硫酸銅
溶液によりメッキを施す。本実施の形態においては、Ｃ
ｕ層が６μｍ程度の厚さとなるように形成した。なお、
第３の導電性金属層５４ａ，５４ｂの形成方法は、他の
膜構造に影響を与えない方法であれば、硫酸銅メッキ法
以外の方法でも良い。

【０１５５】次に、フォトレジストを、同フォトレジス
ト上に形成された第３の導電性金属層５４ａ，５４ｂと
共に除去することにより、第３の導電性金属層５４ａ，
５４ｂが形成される。なお、本実施の形態においては、
第３の導電性金属層５４ａ，５４ｂの長さｔ１１を５０
μｍとし、幅ｔ１２を８０μｍとした。

【０１５６】次に、最終的にＭＲヘッド１におけるＭＲ
素子部分と、外部とを遮断するための保護層１３となる
第４の非磁性非導電層５５を形成する。第４の非磁性非
導電層５５は、例えばＡｌ₂Ｏ₃をスパッタリングするこ
とにより形成する。

【０１５７】次に、図４７及び図４８に示すように、第
３の導電性金属層５４ａ，５４ｂが表面に露出するまで
第４の非磁性非導電層５５の表面を研磨する。ここでの
研磨は、例えば粒径が約２μｍであるダイアモンド砥粒
によって第３の導電性金属層５４ａ，５４ｂの表面が露
出するまで研磨した後、シリコン砥粒によって化学的研
磨を施し、表面を鏡面状に仕上げる。

【０１５８】次に、図４９及び図５０に示すように、多
数のＭＲヘッド素子３８が形成された第１の基板材３０
を、横方向にＭＲヘッド素子３８が並ぶように短冊状に
切り分け、磁気ヘッドブロック６０を形成する。なお、
本実施の形態においては、磁気ヘッドブロック６０の厚
さｔ１３を２ｍｍとした。

【０１５９】ここで、横方向に並ぶＭＲヘッド素子３８
の数は、生産性を考慮するとできる限り多い方がよい。
図５０においては、簡略化のために、ＭＲヘッド素子３
８が５個並ぶ磁気ヘッドブロック６０を図示している
が、実際には、これ以上のＭＲ素子３８が並ぶようにし
ても構わない。

【０１６０】次に、図５１に示すように、磁気ヘッドブ
ロック６０上に、最終的にＭＲヘッド１の第２の基板１
２となる第２の基板材６１を貼り付ける。この第２の基
板材６１の厚さｔ１４を、例えば約０．７ｍｍとする。
この第２の基板材６１の貼り付けには、例えばエポキシ
系等の接着剤を用いる。なお、図５１及び図５２では、
第１の基板材２０上に形成された各薄膜層を省略してい
る。

【０１６１】このとき、第２の基板材６１の高さｔ１５
を磁気ヘッドブロック６０の高さよりも低くして、磁気
ヘッドブロック６０上の各ＭＲヘッド素子３８に形成さ
れた第３の導電性電極層５４ａ，５４ｂを外部に露出さ
せる。これにより第３の導電性電極層５４ａ，５４ｂ
は、外部と電気的に接続することができるようになる。

【０１６２】次に、最終的にＭＲヘッド１の媒体摺動面
１６となる面に対して円筒研磨加工を施し、この面を円
弧状に形成する。具体的には、ＭＲ薄膜６の前端が媒体
摺動面１６に露呈すると共に、このＭＲ薄膜６のデプス
の大きさが所定の長さとなるまで円筒研磨加工を行う。
これにより、図５２に示すように、最終的にＭＲヘッド
１の媒体摺動面１６となる面が円弧状の曲面とされる。

【０１６３】なお、この円筒研磨加工によって形成され
る媒体摺動面１６となる面の曲面形状は、テープテンシ
ョン等に応じて最適な形状とすればよく、特に限定され
るものではない。

【０１６４】次に、図５３に示すように、磁気ヘッドブ
ロック６０を各ＭＲヘッド素子３８毎に分割する。具体
的には、例えば、磁気記録媒体が摺動する方向の長さが
約０．８ｍｍ、幅が約３００μｍ、高さが約２ｍｍとな
るように、磁気ヘッドブロック６２を角度θでＭＲヘッ
ド素子３８毎に分割する。これにより、先に図１で示し
たＭＲヘッド１が多数得られる。なお、θは、アジマス
角と同じである。

【０１６５】最後に、ＭＲヘッド素子３８が所定のデプ
スとなるまで、砥石加工及び研磨テープを用いて研削を
施す。

【０１６６】このときに、媒体摺動面１６に現れる磁気
シールド層１７の形状が、所定の形状となるまでＭＲヘ
ッド１の媒体摺動面１６に対する研削を施す。ここで具
体的に、図１０に示すように、下部磁気シールド層３が
上底が下底よりも大きい台形とされ、上部磁気シールド
層１２が長方形とされるように磁気シールド層１７を形
成して、媒体摺動面１６に対して研削を施した場合を例
に挙げて説明する。

【０１６７】先ず、ＭＲヘッド１の媒体摺動面１６に対
して研削を施し、図５４に示すように、下部磁気シール
ド層３と、上部磁気シールド層１２とを媒体摺動面１６
に露出させる。このときの下部磁気シールド層３の長さ
は、図３で示したｌ１と等しく、形成されたＭＲ素子の
媒体摺動面１６側における磁気シールド層１７の断面長
さである。

【０１６８】次に、媒体摺動面１６に対して更に研削を
施す。すると、媒体摺動面１６に露出する下部磁気シー
ルド層３の断面長さは徐々に短くなる。

【０１６９】そして、図５５に示すように、媒体摺動面
１６に露出する上部磁気シールド層３と、下部磁気シー
ルド層１２との断面長さが一致する。このとき、ＭＲ素
子のデプスは所定のサイズとなる。

【０１７０】なお、図５４及び図５５は、媒体摺動面１
６における特徴的な部分のみを示しており、下部ギャッ
プ層５、バイアス層７ａ，７ｂ、電極層８ａ，８ｂ、上
部ギャップ層１１、接着層１３，保護層１４の図示を省
略してある。

【０１７１】また、このときに、従来から行われていた
抵抗値を測定することによってＭＲ素子のデプスを決定
する方法を併用することが、更に望ましい。これによ
り、ＭＲ素子のデプスを更に正確にすることが可能とな
る。

【０１７２】このように、ＭＲヘッド１の製造方法によ
れば、ＭＲ素子のデプスを媒体摺動面１６に露出する磁
気シールド層１７の断面長さ、及び断面位置などから判
断して、ＭＲヘッド１を製造することが可能となる。

【０１７３】このため、ＭＲヘッド１のデプスを一定と
することが容易になり、複数のＭＲヘッド１を作製した
ときにも、ＭＲヘッド１毎に再生出力が異なることがな
くなる。このことにより、ＭＲヘッド１の歩留まりを向
上させることが可能となる。また、ＭＲ素子のデプスを
測定するために抵抗値を測定する必要がなくなるため、
ＭＲヘッド１の製造時間を短縮させ、生産性を向上させ
ることが可能となる。

【０１７４】以上のように製造されたＭＲヘッド１を実
際に使用するときには、先ず、ＭＲヘッド１をチップベ
ースに貼り付ける。次に、このチップベースに設けられ
た端子と、ＭＲヘッド１に設けられた接続端子１４とを
電気的に接続する。次に、このチップベースに取り付け
られたＭＲヘッド１を、図５６で示すような回転ドラム
７０に取り付ける。そして、この回転ドラム７０が、図
５７で示すような記録再生装置７１に備え付けられて使
用される。

【０１７５】記録再生装置７１は、回転ドラム７０と、
供給リール７２と、巻き取りリール７３と、ローラ７４
ａ〜７４ｈ（以下、ローラ７４と称する。）と、キャプ
スタン７５とを備える。

【０１７６】回転ドラム７０は、上述したＭＲヘッド１
を再生ヘッドとして備えるとともに、電磁誘導型磁気ヘ
ッドを記録ヘッドを備えている。回転ドラム７０は、矢
印Ｃの方向に回転する。供給リール７２は、図示しない
テープカートリッジから引き出されたテープ状記録媒体
７５を、回転ドラム７０に対して供給する。巻き取りリ
ール７３は、回転ドラム７０に対して供給されたテープ
状記録媒体７６を巻き取る。

【０１７７】ローラ７４は、テープ状記録媒体７６を支
持する。キャプスタン７５は、図示しないモータによっ
て回転し、テープ状記録媒体７６を送る。このとき、テ
ープ状記録媒体７６は、矢印Ｄの方向に送られる。

【０１７８】回転ドラム７０は、図５５に示すように、
上ドラム８０と、下ドラム８１と、モータ８２とを備え
る。上ドラム８０は、矢印Ｅの方向に回転する。下ドラ
ム８１は、固定されている。下ドラム８１は、第１の再
生ヘッド８３と、第２の再生ヘッド８４と、第１の記録
ヘッド８５と、第２の記録ヘッド８６と、リードガイド
部８７とが備えられる。モータ８２は、上ドラム８０を
回転させる。

【０１７９】第１の再生ヘッド８３及び第２の再生ヘッ
ド８４は、テープ状記録媒体７５に記録された情報記録
を再生する。第１の再生ヘッド８３及び第２の再生ヘッ
ド８４には、上述したＭＲヘッド１が使用されている。

【０１８０】第１の記録ヘッド８５及び第２の記録ヘッ
ド８６は、テープ状記録媒体７５に対して情報を記録す
る。第１の記録ヘッド８５及び第２の記録ヘッド８６と
しては、電磁誘導型磁気ヘッドが使用されている。

【０１８１】なお、第１の再生ヘッド８３と、第２の再
生ヘッド８４とは、１８０°の位相差を有する。また、
第１の記録ヘッド８５と、第２の記録ヘッド８６とは、
１８０°の位相差を有する。

【０１８２】リードガイド部８７は、回転ドラム７０の
下ドラム８１の外周面に沿って、例えば、テープ状記録
媒体７５の厚さよりもやや大とされる深さで段差状に形
成されており、テープ状記録媒体７５を支持して案内す
る。これにより、第１の再生ヘッド８３と、第２の再生
ヘッド８４と、第１の記録ヘッド８５と、第２の記録ヘ
ッド８６とが、テープ状記録媒体７６に対してヘリカル
スキャン方式で接触する。

【０１８３】回転ドラム７０において、テープ状記録媒
体７５は、下ドラム８１におけるリードガイド部８７に
沿って、矢印Ｆで示す走行方向通りに斜めに送られる。
これにより、第１の再生ヘッド８３と、第２の再生ヘッ
ド８４と、第１の記録ヘッド８５と、第２の記録ヘッド
８６とは、テープ状記録媒体７６に対してヘリカルスキ
ャン方式で接触して案内される。

【０１８４】以上の説明からも明らかなように、本発明
に係るＭＲヘッド１は、媒体摺動面１６に現れる磁気シ
ールド層１７の形状によってＭＲ素子のデプスを知るこ
とが可能となる。このため、デプスを一定のサイズとす
ることが容易になり、ＭＲヘッド１毎にＭＲ素子のデプ
スが異なることが少なくなってくる。このことにより再
生出力を一定とすることが容易になり、再生出力が安定
したＭＲヘッド１提供することが可能となる。

【０１８５】また、ＭＲヘッド１を製造するときには、
ＭＲ素子のデプスを測定するための時間が短縮される。
このため、ＭＲヘッド１の製造時間を短縮させ、生産性
を向上させることが可能となる。また、ＭＲ素子のデプ
スを正確に測定することが可能であるため、ＭＲヘッド
１の歩留まりを向上させることが可能となる。

【０１８６】

【実施例】つぎに、上述したＭＲヘッドと従来のＭＲヘ
ッドとを製造したときに生じるデプス長のばらつきにつ
いて、実施例及び比較例に基づいて説明する。

【０１８７】実施例上述した方法によって複数のＭＲヘッドを製造し、それ
ぞれ摺動面に対してデプス長が３μｍとなるように研削
を施した。このとき、媒体摺動面に露出する磁気シール
ド層の断面長さ及び断面位置が、所定のものとなるまで
研削を施した。この後、このＭＲヘッドを分解して、実
際のデプス長を測定した。

【０１８８】比較例従来の方法によって複数のＭＲヘッドを製造し、それぞ
れ媒体摺動面に対してデプス長が３μｍとなるように研
削を施した。このとき、ＭＲ素子の抵抗値が所定の値と
なるまで研削を施した。この後、このＭＲヘッドを分解
して、実際のデプス長を測定した。

【０１８９】実施例と比較例とにおいて、各ＭＲヘッド
における実際のデプス長の分布を、図５８に示す。図５
８からもわかるように、実施例においては、製造された
ＭＲヘッド全体の８０％近くにおいて、デプスが所定の
長さの３μｍであることがわかった。また、全体的なＭ
Ｒヘッドのデプスの分布を見たときにも、２．５μｍ以
上４．０μｍ未満の範囲内にあることがわかった。

【０１９０】一方、比較例において、デプスが所定の長
さの３μｍであるＭＲヘッドは、全体の約５０％であっ
た。また、全体的なＭＲヘッドのデプスの分布を見たと
きには、１．０μｍ以上５．０μｍ未満であることがわ
かった。

【０１９１】以上の結果から、実施例において製造され
たＭＲヘッドは、比較例において製造されたＭＲヘッド
と比較して、デプスにばらつきが見られないことが判明
した。また、デプスを所定の大きさとすることが、容易
であることが判明した。

【０１９２】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、デプスを所定の
大きさとすることが容易になり、磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド毎に磁気抵抗効果素子のデプスが異なることが少な
くなってくる。このことにより、磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの安定性を一定とすることが容易となり、磁気抵抗
効果型磁気ヘッド毎に磁気抵抗効果素子のデプスが異な
ることが少なくなる。このことにより、再生出力が安定
したＭＲヘッド１を提供することが可能となる。

【０１９３】また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造方法によれば、デプスを測定するために抵抗
値を測定する必要がなくなるる。このことにより、磁気
抵抗効果型磁気ヘッドの製造時間を短縮させ、生産性を
向上させることが可能となる。また、磁気抵抗効果素子
のデプスを正確に測定することが可能であるため、ＭＲ
ヘッド１の歩留まりを向上させることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＭＲヘッドの平面図である。

【図２】同ＭＲヘッドをテープ摺動面側からみた模式図
である。

【図３】同ＭＲヘッドにおける磁気シールド層の形状の
一例を示す図である。

【図４】同ＭＲヘッドにおける磁気シールド層の形状の
一例を示す図である。

【図５】同ＭＲヘッドにおける磁気シールド層の形状の
一例を示す図である。

【図６】同ＭＲヘッドにおける磁気シールド層の形状の
一例を示す図である。

【図７】同ＭＲヘッドにおける磁気シールド層の形状の
一例を示す図である。

【図８】同ＭＲヘッドにおける磁気シールド層の形状の
一例を示す図である。

【図９】同ＭＲヘッドにおける磁気シールド層の形状の
一例を示す図である。

【図１０】同ＭＲヘッドにおける磁気シールド層の形状
の一例を示す図である。

【図１１】同ＭＲヘッドにおける磁気シールド層の形状
の一例を示す図である。

【図１２】同ＭＲヘッドにおける磁気シールド層の形状
の一例を示す図である。

【図１３】同ＭＲヘッドにおける磁気シールド層の形状
の一例を示す図である。

【図１４】同ＭＲヘッドにおける磁気シールド層の形状
の一例を示す図である。

【図１５】同磁気ヘッドの製造工程を説明する図であ
り、基板材を示す平面図である。

【図１６】同磁気ヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図１５におけるＸ₁−Ｘ₂線断面図である。

【図１７】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、基板材上に非磁性非導電性膜が成膜された状態を示
す平面図である。

【図１８】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図１７におけるＸ₃−Ｘ₄線断面図である。

【図１９】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、軟磁性薄膜層を所定の形状とするためのフォトレジ
スト膜が形成された状態を示す平面図である。

【図２０】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図２０におけるＸ₅−Ｘ₆線断面図である。

【図２１】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、軟磁性薄膜が第１の非磁性非導電層によって平坦化
された状態を示す図である。

【図２２】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図２１におけるＸ₇−Ｘ₈線断面図である。

【図２３】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、第２の非磁性非導電層が形成された状態を示す図で
ある。

【図２４】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図２３におけるＸ₉−Ｘ₁₀線断面図である。

【図２５】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、ＭＲ素子用薄膜が成膜された状態を示す平面図であ
る。

【図２６】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図２５におけるＸ₁₁−Ｘ₁₂線断面図である。

【図２７】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、一対の永久磁石層が形成された状態を示す平面図で
ある。

【図２８】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図２７におけるＢ部を拡大して示す平面図である。

【図２９】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図２８におけるＸ₁₃−Ｘ₁₄線断面図である。

【図３０】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、一対の永久磁石層上に第１の導電性金属層が形成さ
れた状態を示す平面図である。

【図３１】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図３０におけるＸ₁₅−Ｘ₁₆線断面図である。

【図３２】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、ＭＲ素子となる部分及び第２の導電性金属層となる
部分以外のＭＲ素子用薄膜が除去された状態を示す平面
図である。

【図３３】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図３２におけるＸ₁₇−Ｘ₁₈線断面図である。

【図３４】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、第２の導電性金属層が形成された状態を示す平面図
である。

【図３５】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図３４におけるＸ₁₉−Ｘ₂₀線断面図である。

【図３６】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、第３の非磁性非導電性層が形成された状態を示す平
面図である。

【図３７】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図３６におけるＸ₂₁−Ｘ₂₂線断面図である。

【図３８】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、第２の軟磁性金属層が形成された状態を示す平面図
である。

【図３９】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図３８におけるＸ₂₃−Ｘ₂₄線断面図である。

【図４０】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、逆テーパ型レジスト層が形成された状態を示す平面
図である。

【図４１】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図４０におけるＸ₂₅−Ｘ₂₆線断面図である。

【図４２】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、２層型レジスト層が形成された状態を示す平面図で
ある。

【図４３】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図４２におけるＸ₂₇−Ｘ₂₈線断面図である。

【図４４】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、第２の軟磁性金属層が２層型レジスト層のパターン
通りに形成された状態を示す平面図である。

【図４５】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、第３の導電性金属層が形成された状態を示す平面図
である。

【図４６】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図４５におけるＸ₂₉−Ｘ₃₀線断面図である。

【図４７】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、第４の非磁性非導電性層が形成された状態を示す平
面図である。

【図４８】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図４７におけるＸ₃₁−Ｘ₃₂線断面図である。

【図４９】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、多数のＭＲヘッド素子が形成された第１の基板材を
示す平面図である。

【図５０】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、多数のＭＲヘッド素子が横方向に並ぶよう切断され
た磁気ヘッドブロックを示す平面図である。

【図５１】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、第２の基板材を貼り付けた磁気ヘッドブロックを示
す斜視図である。

【図５２】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、媒体摺動面に対して研削加工を施した磁気ヘッドブ
ロックを示す斜視図である。

【図５３】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、磁気ヘッドブロックの分割方法を示す平面図であ
る。

【図５４】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、研削を施す前の状態の媒体摺動面を表す平面図であ
る。

【図５５】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、研削を施した後の状態の媒体摺動面を表す平面図で
ある。

【図５６】同ＭＲヘッドを搭載した回転ドラムを示す斜
視図である。

【図５７】同ＭＲヘッドを搭載した記録再生装置におけ
る記録再生機構を示す概略図である。

【図５８】研削を施した各ＭＲヘッドにおけるＭＲ素子
のデプスのばらつきを示す図である。

【符号の説明】

１ＭＲヘッド、２第１の基板、３下部磁気シール
ド層、６ＭＲ薄膜、１２上部磁気シールド層、１５
第２の基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】テープ状記録媒体に対して摺接して用い
られる磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、テープ状記録媒体の摺接方向に、第１の磁気シールド部
材と、磁気抵抗効果素子と、第２の磁気シールド部材と
をこの順で備えるとともに、これらの各部材がテープ状
記録媒体が摺接する媒体摺接面に露出してなり、上記第１及び第２の磁気シールド部材のうち少なくとも
一方は、上記磁気抵抗効果素子のデプスに応じて、上記
媒体摺接面における断面のトラック幅方向の長さ及び／
又は位置が変化する形状で形成されていることを特徴と
する磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項２】上記第１及び第２の磁気シールド部材の
うち一方は、上記磁気抵抗効果素子のデプスに応じて、
上記媒体摺接面におけるトラック幅方向の断面長さが長
くなる形状で形成されているとともに、上記第１及び第２の磁気シールド部材のうちの他方は、
上記媒体摺接面におけるトラック幅方向の断面長さが短
くなる形状で形成されていることを特徴とする請求項１
記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項３】上記第１及び第２の磁気シールド部材の
うち一方は、上記磁気抵抗効果素子のデプスに応じて、
上記媒体摺接面におけるトラック幅方向の断面位置が所
定の方向で変化する形状で形成されているとともに、上記第１及び第２の磁気シールド部材のうちの他方は、
上記媒体摺接面におけるトラック幅方向の断面位置が、
一方とは逆方向に形成されていいることを特徴とする請
求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項４】回転ドラムに搭載されて、テープ状記録
媒体に記録された磁気信号をヘリカルスキャン方式によ
って読みとることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗
効果型磁気ヘッド。
【請求項５】磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法で
あって、基板上に、第１の磁気シールド部材と、磁気抵抗効果素
子と、第２の磁気シールド部材とを順次形成する部材形
成工程と、上記基板の一側面に対して研削加工及び／又は研磨加工
を施すことにより、上記第１及び第２の磁気シールド部
材、及び磁気抵抗効果素子を露出させて、テープ状記録
媒体が摺接する媒体摺接面を形成する摺接面加工工程と
を有し、上記部材形成工程においては、上記第１及び第２の磁気
シールド部材のうちの少なくとも一方を、上記磁気抵抗
効果素子のデプスに応じて、上記媒体摺接面におけるト
ラック幅方向の断面長さ及び／又は断面位置が変化する
形状で形成し、上記摺接面加工工程においては、上記第１及び第２の磁
気シールド部材の断面長さ及び／又は断面位置に応じて
加工量を調整することにより、上記磁気抵抗効果素子の
デプスを決定することを特徴とする磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの製造方法。
【請求項６】上記摺接面加工工程においては、上記第
１及び第２の磁気シールド部材の断面長さ及び／又は断
面位置に加えて、上記磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定
した結果に応じて加工量を調整することを特徴とした請
求項５記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。