JP2000123331A

JP2000123331A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法

Info

Publication number: JP2000123331A
Application number: JP10299902A
Authority: JP
Inventors: Teruyuki Inaguma; 輝往稲熊
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1998-10-21
Filing date: 1998-10-21
Publication date: 2000-04-28
Also published as: CN1251459A; KR20000029213A

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気シールド部材の耐摩耗性と耐熱性とを向
上させる。【解決手段】磁気抵抗効果素子４（ＭＲ素子４）の磁
気シールド部材となる軟磁性薄膜６をＣｏ系アモルファ
ス材料によって形成する。また、この軟磁性薄膜６を形
成する際には、開口部で逆テーパー型となるレジスト膜
４８を用いて、リフトオフ法により形成する。この際
に、第１のレジスト膜４８ｂと、第１のレジスト膜４８
ｂよりも開口部で突出した第２のレジスト膜４８ｃを用
いて、リフトオフ法により形成してもよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果を利
用して磁気記録媒体に記録された信号を読み取る磁気抵
抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、磁気抵抗効果素子（以下、Ｍ
Ｒ素子と称する。）の磁気抵抗効果を利用して、磁気記
録媒体に記録された信号を読み取る磁気抵抗効果型磁気
ヘッド（以下、ＭＲヘッドという。）が普及している。

【０００３】ＭＲ素子は、抵抗素子の一種であり、磁気
記録媒体に記録された信号磁界等の外部磁界の変化に応
じて、電気抵抗が変化する。ＭＲヘッドは、ＭＲ素子に
電流を流し、このＭＲ素子に流れる電流値が磁気記録媒
体からの信号磁界に応じて変化することを利用して、磁
気記録媒体に記録された信号を読み取る。

【０００４】ＭＲヘッドは、一般的な磁気誘導型の磁気
ヘッド、すなわち磁気コアに巻線を施したタイプの磁気
ヘッドと異なり、再生出力が磁気記録媒体との相対速度
に依存しない。したがって、ＭＲヘッドは、低相対速度
であるシステムにおいても十分な出力を得ることが可能
であり、今後の更なる高密度記録化を実現するために、
必須のデバイスになると考えられている。

【０００５】このようなＭＲヘッドとしては、一対の磁
気シールド部材間にＭＲ素子が設けられた、いわゆるシ
ールド型ＭＲヘッドの実用化が進んでいる。このシール
ド型ＭＲヘッドは、一対の非磁性部材間にＭＲ素子が設
けられたノンシールド型ＭＲヘッドと比較して、周波数
特性が良好であり、高い分解能が得られるという特徴を
有している。また、シールド型ＭＲヘッドは、記録媒体
からの磁束をＭＲ素子へ導き、このＭＲ素子を非露出型
とした、いわゆるヨーク型ＭＲヘッドと比較して、製造
が容易であり、しかも、高い再生出力が得られるという
特徴を有している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述したシールド型Ｍ
Ｒヘッドとしては、図３６に示すような、いわゆる基板
シールド型ＭＲヘッド１００が知られている。この基板
シールド型ＭＲヘッド１００は、一対の磁気シールド部
材を軟磁性フェライト基板１０１，１０２により構成
し、これら一対の軟磁性フェライト基板１０１，１０２
によってギャップ膜１０３を介してＭＲ素子１０４を挟
持した構造となっている。

【０００７】この基板シールド型ＭＲヘッド１００は、
例えばテープストリーマー装置のように、摺動する磁気
記録媒体との相対速度が比較的低速な状態で再生を行う
磁気ヘッドとして主に用いられている。

【０００８】しかしながら、この基板シールド型ＭＲヘ
ッド１００は、再生ヘッドの磁気ギャップに相当する一
対の軟磁性フェライト基板１０１，１０２同士の間隔
が、接着剤等による貼り合わせの精度に依存しているた
めに、十分なギャップ精度を得られないといった問題が
あった。

【０００９】そこで、本発明の出願人らは、特願平１０
−７５７６８号「磁気抵抗効果型磁気ヘッド」によっ
て、図３７に示すような、いわゆる薄膜シールド型ＭＲ
ヘッド１１０を提案した。この薄膜シールド型ＭＲヘッ
ド１１０は、第１の基板１１１上に、下層磁気シールド
部材１１２と、ＭＲ素子１１３と、上層の磁気シールド
部材１１４とが薄膜形成工程によって形成されている。
そして、薄膜シールド型ＭＲヘッドは、この第１の基板
１１１と第２の基板１１５とを貼り合わせることによっ
て構成される。

【００１０】この薄膜シールド型ＭＲヘッド１１０は、
例えばハードディスク装置のように、磁気記録媒体から
浮上して、非接触の状態で再生を行う磁気ヘッドとして
好適である。

【００１１】この薄膜シールド型ＭＲヘッド１１０は、
薄膜形成工程により形成されるために、ＭＲ素子１１３
を形成した後に上層磁気シールド部材１１４を形成する
必要がある。このとき、上層磁気シールド部材１１４
は、ＭＲ素子１１３の耐熱温度を考慮して、３５０℃以
下の熱処理温度で良好な軟磁気特性を示す材料で形成さ
れる必要がある。

【００１２】したがって、この薄膜シールド型ＭＲヘッ
ド１１０においては、従来の磁気シールド部材用に用い
られていた例えばセンダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金）
等の結晶質材料や、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ合金等の微結晶材料
等は、良好な軟磁気特性を得るために５５０℃程度の熱
処理を必要とするために上層磁気シールド部材１１４に
用いるには不向きである。

【００１３】そこで、上層磁気シールド部材１１４は、
パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）等を鍍金法により形成し
ていた。

【００１４】しかしながら、薄膜シールド型ＭＲヘッド
１１０において、上層磁気シールド部材１１４は、パー
マロイによって形成された場合に、軟磁気特性は良好な
ものとなるが、硬度が低く、延性が高いものとなってし
まう。

【００１５】そのため、薄膜シールド型ＭＲヘッド１１
０は、上述したように、磁気記録媒体と非接触の状態で
再生を行う場合には問題がないが、例えば回転ドラムに
搭載されてテープ状の磁気記録媒体に対してヘリカルス
キャン方式で再生を行う場合等のように、磁気記録媒体
が高速で摺動する場合には上層磁気シールド部材１１４
に偏摩耗が生じてしまう虞があった。その結果、従来の
薄膜シールド型ＭＲヘッド１１０は、磁気ヘッドを構成
するＭＲ素子１１３にスペーシングロスが生じたり、上
層磁気シールド部材１１４の摩耗粉が媒体摺動面に付着
して、電気的な短絡が生じてしまうといった虞があっ
た。

【００１６】また、薄膜シールド型ＭＲヘッド１１０
は、鍍金法による上層磁気シールド部材１１４の形成に
複雑な工程が必要となるために、生産効率を向上させる
ことが困難であるといった問題があった。

【００１７】さらに、薄膜シールド型ＭＲヘッド１１０
は、上層磁気シールド部材１１４が鍍金法により形成さ
れていたために、この上層磁気シールド部材１１４が単
層膜として形成されていた。単層膜である軟磁性膜は、
環流磁区構造をなして多数の磁壁を発生することによっ
て、磁壁エネルギーを低減しようとする性質を有してい
る。そのため、上層磁気シールド部材１１４は、磁気記
録媒体からの信号磁界を受けて、内部に形成された磁壁
が突発的に移動する虞がある。このとき、従来の薄膜シ
ールド型ＭＲヘッド１１０においては、磁壁の移動によ
る磁界の変化がＭＲ素子１１３に印加されてしまい、ノ
イズ信号として再生してしまうといった虞があった。

【００１８】そこで、本発明は、新たな膜構成によって
薄膜シールド型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを形成する
ことにより、低コスト且つ製造が容易であり、高い信頼
性を有する磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法
を提供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、一
対の磁気シールド部材間に磁気抵抗効果素子が設けられ
た磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、上記一対の磁気
シールド部材のうちの少なくとも一方は、Ｃｏ系アモル
ファス材料により形成されてなる。

【００２０】以上のように構成された、本発明に係る磁
気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気シールド部材が優れた
耐摩耗特性を示すとともに、優れた耐熱特性を示す。し
たがって、係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気シー
ルド部材の偏摩耗を減少させてスペーシングロスを低減
し、高い出力を維持することが可能となる。

【００２１】また、上述した目的を達成するために、本
発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法は、磁
気抵抗効果型磁気ヘッドを製造するに際し、薄膜形成面
上に上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドを構成する薄膜を形
成する薄膜形成工程と、上記薄膜上に第１のレジスト膜
を形成する第１のレジスト膜形成工程と、上記第１のレ
ジスト膜の一部で開口する第２のレジスト膜を形成する
第２のレジスト膜形成工程と、上記第２のレジスト膜を
現像することにより、この第２のレジスト膜の開口部の
位置で上記第１のレジスト膜が除去されて、この第２の
レジスト膜が上記第１のレジスト膜よりも突出して形成
される現像工程と、上記磁気抵抗効果素子の磁気シール
ド部材となるＣｏ系アモルファス材料をスパッタするス
パッタ工程と、上記第１のレジスト膜、第２のレジスト
膜及び第２のレジスト膜上に形成されたＣｏ系アモルフ
ァス材料を除去するレジスト除去工程とを経ることによ
って、上記磁気シールド部材を形成してなる。

【００２２】したがって、係る磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの製造方法によれば、スパッタ法によって磁気シール
ド部材を形成することができるとともに、パターニング
されたレジスト膜上からＣｏ系アモルファス材料を形成
し、その後レジスト膜を除去する、いわゆるリフトオフ
法によって磁気シールド部材を形成することができる。
これにより、係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法
によれば、従来の鍍金法を用いた製造方法と比較してよ
り少ない工程数で磁気シールド部材を形成することがで
きる。

【００２３】さらに、上述した目的を達成するために、
本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法は、
磁気抵抗効果型磁気ヘッドを製造するに際し、薄膜形成
免状に上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドを構成する薄膜を
形成する薄膜形成工程と、上記薄膜の一部で開口する逆
テーパー型のレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程
と、上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気シールド部材
となるＣｏ系アモルファス材料をスパッタするスパッタ
工程と、上記レジスト膜及びレジスト膜上に形成された
Ｃｏ系アモルファス材料を除去するレジスト除去工程と
を経ることによって、上記磁気シールド部材を形成して
なる。

【００２４】したがって、係る磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの製造方法によれば、上述した製造方法の利点に加え
て、上述した製造方法よりもさらに少ない工程数で磁気
シールド部材を形成することができる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。以下では、図
１に示すような、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド１（以下、ＭＲヘッド１という。）について説明する
こととする。

【００２６】ＭＲヘッド１は、軟磁性フェライト基板２
と、この軟磁性フェライト基板２上に第１の非磁性非導
電性膜３（以下、第１のギャップ膜３という。）を介し
て形成された磁気抵抗効果素子４（以下、ＭＲ素子４と
いう。）と、このＭＲ素子４上に第２の非磁性非導電性
膜５（以下、第２のギャップ膜５という。）を介して形
成された軟磁性薄膜６と、軟磁性薄膜６上に保護膜７を
介して接合された硬質材料基板８とを備えて構成され
る。

【００２７】軟磁性フェライト基板２と硬質材料基板８
とは、平面形状が略長方形の薄板形状に形成されてなる
とともに、その上部端面が磁気記録媒体の摺動するテー
プ摺動面９とされている。そして、このテープ摺動面９
は、所定の曲率を有する円弧状の曲面とされている。

【００２８】ＭＲ素子４は、このＭＲ素子４に流れる電
流の方向と、磁気記録媒体からの磁界によって磁化され
た方向とのずれ角が変化に応じて、電気的な抵抗値が変
化する。言い換えると、ＭＲ素子４は、磁気抵抗効果に
よって磁気記録媒体からの信号を検出するものである。
すなわち、ＭＲヘッド１は、このＭＲ素子４の抵抗値変
化を検出することによって、磁気記録媒体に記録された
信号を読み取るように構成されている。

【００２９】ＭＲ素子４の長辺方向の両端部には、図２
に示すように、このＭＲ素子４の磁区を単磁区化するた
めの一対の永久磁石膜１０，１１が設けられている。ま
た、この永久磁石膜１０，１１に隣接した位置には、Ｍ
Ｒ素子４及びＭＲ素子４に電気的に接続される部分の抵
抗値を低くするための一対の低抵抗化膜１２，１３が設
けられている。なお、図２は、ＭＲヘッド１をテープ摺
動面９側からみた様子を模式的に示す図である。

【００３０】さらに、ＭＲヘッド１には、図１に示すよ
うに、ＭＲ素子４に電流を供給するための一対の導体部
１４，１５が、一方の端部をそれぞれ一対の永久磁石膜
１０，１１に接続された形で設けられている。また、こ
の一対の導体部１４，１５の他方の端部上には、外部回
路と接続される外部接続用端子１６，１７が設けられて
いる。

【００３１】このＭＲヘッド１においては、軟磁性フェ
ライト基板２と軟磁性薄膜６とが一対の磁気シールド部
材を構成しており、これら一対の磁気シールド部材間の
ギャップ内にＭＲ素子４が配設された構造とされてい
る。これにより、軟磁性フェライト基板２と軟磁性薄膜
６とは、磁気記録媒体からの信号磁界のうち、再生対象
外の磁界がＭＲ素子４に引き込まれないように機能す
る。すなわち、ＭＲヘッド１においては、ＭＲ素子４に
対して再生対象外の磁界が軟磁性フェライト基板２と軟
磁性薄膜６とに導かれ、再生対象の磁界だけがＭＲ素子
４に導かれる。

【００３２】したがって、ＭＲヘッド１は、このような
構造とされることにより、周波数特性及び読取分解能の
向上が図られている。また、ＭＲヘッド１においては、
軟磁性フェライト基板２と軟磁性薄膜６とのＭＲ素子４
に対する間隔が、いわゆるギャップ長とされてなる。

【００３３】また、このＭＲヘッド１において、軟磁性
薄膜６は、Ｃｏ系アモルファス材料により形成されてい
る。これにより、軟磁性薄膜６は、優れた耐摩耗特性を
示すとともに、優れた耐熱特性を示す。すなわち、軟磁
性薄膜６は、Ｃｏ系アモルファス材料により形成されて
いることによって、磁気記録媒体がテープ摺動面９を摺
動した際に生じる偏摩耗を低減することができる。

【００３４】したがって、ＭＲヘッド１は、スペーシン
グロスが低減され、高い再生出力を維持することが可能
となる。また、これにより、ＭＲヘッド１は、ヘッド寿
命を長くすることができるとともに、信頼性の高い磁気
ヘッドとすることができる。

【００３５】軟磁性薄膜６は、具体的には、例えば、Ｃ
ｏ_aＺｒ_bＮｂ_cＭ_d（ただし、ＭはＭｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔ
ｉ，Ｈｆ，Ｐｄ，Ｗ，Ｖのうちの少なくとも一種であ
り、ａ，ｂ，ｃ，ｄは原子パーセントを示し、これらが
それぞれ７９≦ａ≦８３，２≦ｂ≦６，１０≦ｃ≦１
４，１≦ｄ≦５である。）の組成からなる材料によって
形成されることが望ましい。これにより、軟磁性薄膜６
は、上述したような優れた耐摩耗特性と耐熱特性とを示
す。

【００３６】なお、本実施の形態で示すＭＲヘッド１
は、本発明を適用した一つの例に過ぎず、一対の磁気シ
ールド部材のうちの少なくとも一方がＣｏ系アモルファ
ス材料により形成されていればよい。ＭＲヘッド１は、
例えば軟磁性薄膜６を、磁気記録媒体の摺動方向に対し
てＭＲ素子４の両側に配設して構成し、一対の軟磁性薄
膜６を一対の磁気シールド部材としてもよい。また、Ｍ
Ｒヘッド１は、一方の磁気シールド部材を軟磁性薄膜６
とし、他方の磁気シールド部材をセンダスト（Ｆｅ−Ａ
ｌ−Ｓｉ合金）等の通常の磁気ヘッドにおいて磁気シー
ルド部材に使用される材料を用いて形成してもよい。

【００３７】また、このＭＲヘッド１において、軟磁性
薄膜６は、図３に示すように、磁性薄膜層６ａと非磁性
薄膜層６ｂとが交互に形成されて、少なくとも２層以上
の磁性薄膜層６ａを有する積層構造とされることが望ま
しい。これにより、ＭＲヘッド１において、各磁性薄膜
層６ａ同士は、端部で相互に静磁的な結合をなす。

【００３８】したがって、ＭＲヘッド１においては、各
磁性薄膜層６ａに磁壁が生じることを防止することがで
きる。これにより、ＭＲヘッド１は、磁気記録媒体から
の信号磁界を受けて、各磁性薄膜層６ａの磁壁が突発的
に移動することがなく、また、この磁壁の移動がＭＲ素
子４に印加されてノイズ信号として再生してしまうこと
がない。

【００３９】さらに、ＭＲヘッド１は、軟磁性薄膜６が
磁性薄膜層６ａと非磁性薄膜層６ｂとによって積層構造
とされた場合に、上述の説明と同様な理由から、この磁
性薄膜層６ａがＣｏ_aＺｒ_bＮｂ_cＭ_d（ただし、ＭはＭ
ｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｐｄ，Ｗ，Ｖのうちの少
なくとも一種であり、ａ，ｂ，ｃ，ｄは原子パーセント
を示し、これらがそれぞれ７９≦ａ≦８３，２≦ｂ≦
６，１０≦ｃ≦１４，１≦ｄ≦５である。）の組成から
なる材料によって形成されることが望ましい。

【００４０】また、ＭＲヘッド１において、磁性薄膜層
６ａは、各層の厚みが０．１〜１μｍであることが望ま
しい。各磁性薄膜層６ａは、厚みが０．１μｍ未満であ
る場合に、十分な軟磁気特性を得ることが困難となる。
また、各磁性薄膜層６ａは、厚みが１μｍを超える場合
に、これら各磁性薄膜層６ａが単層膜としての性質を有
するようになり、良好な静磁結合状態を保つことができ
ない。

【００４１】さらに、ＭＲヘッド１において、非磁性薄
膜層６ｂは、各層の厚みが１〜２０ｎｍであることが望
ましい。非磁性薄膜層６ｂは、その厚みが１ｎｍ未満で
ある場合に、磁性薄膜層６ａ同士の絶縁を確実に行うこ
とが困難となってしまう。そのため、各磁性薄膜層６ａ
の内部に磁壁が生じてしまう虞がある。また、非磁性薄
膜層６ｂは、その厚みが２０ｎｍを超えた場合に、磁性
薄膜層６ａ同士の静磁的な結合を保持させることが困難
となってしまう。そのため、ＭＲヘッド１においては、
単層の磁性薄膜層が複数存在する状態となり、各磁性薄
膜層６ａに磁壁が生じてしまう虞がある。

【００４２】なお、図１、図２及び図３においては、特
徴をわかりやすく図示するために、ＭＲ素子４を大きく
図示しているが、実際には、ＭＲ素子４は、軟磁性フェ
ライト基板２や硬質材料基板８と比べると非常に微細で
ある。具体的には、軟磁性フェライト基板２の磁気記録
媒体が走行する方向の長さｔ１は、例えば０．８ｍｍ程
度とされ、ＭＲ素子４の磁気記録媒体が走行する方向の
長さｔ２は、例えば５μｍ程度とされる。したがって、
このＭＲヘッド１において、テープ摺動面９となるの
は、ほとんど軟磁性フェライト基板２と硬質材料基板８
の上部端面だけである。

【００４３】また、ＭＲヘッド１においては、ＭＲ素子
４が、円弧形状を呈したテープ摺動面９の最も突出した
箇所（頂点部分）よりも磁気記録媒体が排出してゆく側
（以下、トレーディング側という。）に位置し、この位
置から外部に臨むように露呈していることが望ましい。
これにより、ＭＲヘッド１は、ＭＲ素子４に対する磁気
記録媒体の接触圧を小さくすることができ、ＭＲ素子４
の摩耗量を低減することができる。

【００４４】また、ＭＲヘッド１においては、軟磁性薄
膜６が、ＭＲ素子４よりもトレーディング側に配設され
ることが望ましい。これにより、ＭＲヘッド１は、軟磁
性薄膜６に対する磁気記録媒体の接触圧をＭＲ素子４よ
りも小さくすることができる。そのため、ＭＲヘッド１
においては、軟磁性薄膜６の摩耗量をさらに低減するこ
とができ、この軟磁性薄膜６が偏摩耗したり、軟磁性薄
膜６に異物が付着するといったことを防止することがで
きる。

【００４５】以上のように構成されるＭＲヘッド１は、
例えば、図４に示すように、回転ドラム２０に取り付け
られて使用される。この場合に、ＭＲヘッド１は、回転
ドラム２０の回転に伴って回転しながら、走行する磁気
記録媒体３０上を摺動し、この磁気記録媒体３０に記録
された信号をヘリカルスキャン方式により再生する。

【００４６】このＭＲヘッド１は、後述する一対のシー
ルド部材間のギャップ長が、薄膜形成工程によって形成
される第１のギャップ膜３及び第２のギャップ膜５の膜
厚により規定される。したがって、このＭＲヘッド１
は、狭ギャップ化を図ることが容易であり、電磁誘導を
利用して記録再生を行うインダクティブ型磁気ヘッドと
比較して、高密度記録に適している。

【００４７】また、このＭＲヘッド１は、軟磁性フェラ
イト基板２が設けられた側が、磁気記録媒体３０のＭＲ
ヘッド１に対する相対的な移動方向（図１中矢印Ａ方
向）に対して磁気記録媒体３０が侵入してくる側（以
下、リーディング側という。）となり、軟磁性薄膜６と
硬質材料基板８とが設けられた側が、トレーディング側
となるように、回転ドラム２０に取り付けられることが
望ましい。これにより、ＭＲヘッド１は、ＭＲ素子４や
軟磁性薄膜６に対する磁気記録媒体３０の接触圧を低減
することができ、これらＭＲ素子４や軟磁性薄膜６の摩
耗を防止することができる。

【００４８】次に、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造方法について説明する。以下の説明において
は、上述したＭＲヘッド１を製造する方法を説明するこ
ととする。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴を分
かりやすく図示するために、図１乃至図３と同様に、特
徴となる部分を拡大して示している場合があり、各部材
の寸法の比率が実際と同じであるとは限らない。

【００４９】また、以下の説明では、ＭＲヘッド１を構
成する各部材並びにその材料、大きさ及び膜厚等につい
て具体的な例を挙げるが、本発明は以下の例に限定され
るものではない。例えば、以下の説明では、ハードディ
スク装置等で実用化されているものと同様な構造を有す
る、いわゆるシールド型のＳＡＬ（Soft Adjacent Laye
r）バイアス方式のＭＲ素子４を用いた例を挙げるが、
バイアス方法は、この例に限定されるものではない。

【００５０】本発明に係るＭＲヘッド１を製造する際に
は、先ず、軟磁性フェライト基板２をなる例えば直径３
インチの円盤状の基板材４０を用意し、この基板材４０
の表面に対して鏡面研磨加工を施す。この基板材４０上
には、後述するように、最終的にＭＲヘッド１となるヘ
ッド素子が多数形成される。

【００５１】この基板材４０は、最終的に軟磁性フェラ
イト基板２となり、リーディング側のガード材とＭＲ素
子４の下層磁気シールド部材とを兼ねるものであり、そ
の材料には高硬度の軟磁性フェライト材料を用いる。具
体的には、例えば、Ｎｉ−ＺｎフェライトやＭｎ−Ｚｎ
フェライトが好適である。

【００５２】次に、図５及び図６に示すように、基板材
４０上に、最終的に第１のギャップ膜３となる非磁性非
導電性膜４１をスパッタリング等により性膜する。ここ
で、非磁性非導電性膜４１の材料としては、絶縁特性や
耐摩耗性等の観点から、Ａｌ₂Ｏ₃が好適である。なお、
この非磁性非導電性膜４１の膜厚は、磁気記録媒体に記
録された信号の周波数に応じて適切な値に設定すればよ
い。本実施の形態においては、この非磁性非導電性膜４
１の膜厚を１００ｎｍに設定している。

【００５３】次に図７及び図８に示すように、非磁性非
導電性膜４１上に、ＳＡＬバイアス方式のＭＲ素子４を
構成する薄膜４２（以下、ＭＲ素子用薄膜４２とい
う。）をスパッタリング等により成膜する。具体的に
は、ＭＲ素子用薄膜４２は、例えば、膜厚約５ｎｍのＴ
ａ層、膜厚約３２ｎｍのＮｉＦｅＮｂ層、膜厚約５ｎｍ
のＴａ層、膜厚約３０ｎｍのＮｉＦｅ層及び膜厚約１ｎ
ｍのＴａ層が以上の順でスパッタリング等により順次成
膜されることにより成膜される。

【００５４】以上のＭＲ素子用薄膜４２においては、Ｎ
ｉＦｅ層が磁気抵抗効果を有する軟磁性膜であり、ＭＲ
素子４の感磁部となる。また、以上のＭＲ素子用薄膜４
２においては、ＮｉＦｅＮｂ層がＮｉＦｅ層に対してバ
イアス磁界を印加するための、いわゆるＳＡＬ膜とな
る。

【００５５】なお、ＭＲ素子用薄膜４２を構成する各層
の材料及びその膜厚は、以上の例に限定されるものでは
なく、ＭＲヘッド１の使用目的等に応じて適切な材料を
選択し、適切な膜厚に設定するようにすればよい。

【００５６】次に、図９及び図１０に示すように、ＭＲ
素子４の動作の安定化を図るために、フォトリソグラフ
ィ技術を用いて、各ＭＲ素子４毎に２つの矩形状の永久
磁石膜４３ａ，４３ｂをＭＲ素子用薄膜４２に埋め込
む。この永久磁石膜４３ａ，４３ｂは、上述したＭＲヘ
ッド１の永久磁石膜１０，１１となるものであり、例え
ば長辺方向の長さｔ３が約５０μｍ、短辺方向の長さｔ
４が約１０μｍとなり、２つお永久磁石膜４３ａ，４３
ｂ間の間隔ｔ５が約５μｍとなるように形成される。こ
れら２つの永久磁石膜４３ａ，４３ｂ間の間隔ｔ５が、
最終的にＭＲ素子４のトラック幅となる。すなわち、Ｍ
Ｒヘッド１においては、ＭＲ素子４のトラック幅が約５
μｍとなる。

【００５７】なお、ＭＲ素子４のトラック幅は、以上の
例に限定されるものではなく、ＭＲヘッド１の使用目的
等に応じて適切な値に設定すればよい。

【００５８】次に図１１及び図１２に示すように、ＭＲ
素子４及びＭＲ素子４に電気的に接続される部分の抵抗
値を減少させるために、永久磁石膜４３ａ，４３ｂ上
に、抵抗値の低い低抵抗化膜４４ａ，４４ｂを成膜す
る。この低抵抗化膜４４ａ，４４ｂは、最終的にＭＲヘ
ッド１の低抵抗化膜１２，１３となるものである。

【００５９】このような永久磁石膜４３ａ，４３ｂと低
抵抗化膜４４ａ，４４ｂをＭＲ素子用薄膜４２に埋め込
む際には、例えば、先ず、フォトレジストにより、各Ｍ
Ｒ素子４毎に２つの長方形の開口部を有するマスクを形
成する。次に、エッチングを施して、開口部に露呈して
いたＭＲ素子用薄膜４２を除去する。なお、ここでのエ
ッチングは、ドライ方式でもウエット方式でも構わない
が、加工のしやすさ等を考慮すると、イオンエッチング
が好適である。

【００６０】次に、マスクが形成されたＭＲ素子用薄膜
４２上に、スパッタリング等によって永久磁石膜４３
ａ，４３ｂを成膜する。なお、永久磁石膜４３ａ，４３
ｂの材料としては、保磁力が１０００［Ｏｅ］以上ある
材料が好ましく、例えば、ＣｏＮｉＰｔやＣｏＣｒＰｔ
等が好適である。

【００６１】次に、低抵抗化膜４４ａ，４４ｂをスパッ
タリング等により成膜する。なお、低抵抗化膜４４ａ，
４４ｂの材料としては、例えばＣｒ，Ｔａ等が好適であ
る。

【００６２】また、永久磁石膜４４ａ，４４ｂの膜厚及
び低抵抗化膜４４ａ，４４ｂの膜厚は、ＭＲヘッド１が
用いられる環境において必要とされる抵抗値やＭＲ素子
４のトラック幅等により決定される。本実施の形態にお
いては、永久磁石膜４３ａ，４３ｂの膜厚をＭＲ素子用
薄膜４２と同程度とし、低抵抗膜４４ａ，４４ｂの膜厚
を約６０ｎｍとした。

【００６３】次に、マスクとなっていたフォトレジスト
を、このフォトレジスト上に成膜された永久磁石膜４３
ａ，４３ｂ及び低抵抗化膜４４ａ，４４ｂとともに除去
する。これにより、図１２に示したように、所定のパタ
ーンの永久磁石膜４３ａ，４３ｂ及び低抵抗化膜４４
ａ，４４ｂが、ＭＲ素子用薄膜４２に埋められた状態と
される。なお、図１０乃至図２４及び図２８乃至図３１
は、一つのＭＲ素子４に対応する部分、すなわち図９中
Ｂ部に相当する部分を拡大して示している。

【００６４】ところで、一般に、ＭＲヘッドにおいて、
低抵抗化膜の上端面は、ＭＲ素子の上端面よりも突出し
た状態となっている。そのため、ＭＲ素子及びこれと電
気的に接続される部分の抵抗値をより低下させるため
に、低抵抗化膜の厚みを厚くすると、低抵抗化膜の上端
面とＭＲ素子の上端面との間の段差がさらに大きくなっ
てしまう。

【００６５】図３８で示す従来のＭＲヘッド１５０のよ
うに、下層磁気シールド部材１５１と同様に、上層磁気
シールド部材１５２にも軟磁性フェライトを用いた場
合、上層磁気シールド部材１５２がＭＲ素子１５５と低
抵抗化膜１５８，１５９間の段差を吸収することがない
ために、低抵抗化膜１５８，１５９と上層磁気シールド
部材１５２との間の距離は、ＭＲ素子１５５と上層磁気
シールド部材１５２との間のギャップ長さよりも短くな
る。

【００６６】したがって、図３８で示した従来のＭＲヘ
ッド１５０においては、ギャップ長さを短くし、また
は、低抵抗化膜１５８，１５９の厚みを厚くすると、低
抵抗化膜１５８，１５９が上層磁気シールド部材１５２
に接触してしまい、電気的に短絡してしまう。また、接
触しない状態であっても、低抵抗化膜１５８，１５９と
上層磁気シールド部材１５２との間の距離があまり短い
と、静電破壊が生じ、電気的に短絡してしまう可能性が
大きい。

【００６７】本発明に係るＭＲヘッド１は、上層磁気シ
ールド部材が軟磁性薄膜６であり、上層磁気シールド部
材がＭＲ素子４と低抵抗化膜１２，１３（４４ａ，４４
ｂ）間の段差を吸収するので、ＭＲ素子４と軟磁性薄膜
６との間のギャップは、ＭＲ素子４上に成膜される第２
のギャップ膜５の厚みで完全に規定される。したがっ
て、このＭＲヘッド１においては、低抵抗化膜１２，１
３（４４ａ，４４ｂ）の膜厚をある程度任意に決定する
ことが可能となり、ＭＲ素子４の抵抗値を減少すること
が可能となる。ＭＲ素子４は、抵抗値が低いほど抵抗に
よって生じる熱ノイズが減少し、Ｓ／Ｎ比が向上する。

【００６８】次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、
図１３及び図１４に示すように、最終的にＭＲ素子４と
なる部分４２ａ及びこのＭＲ素子４にセンス電流を供給
するための導体部１４，１５となる部分４２ｂ，４２ｃ
とに開口部を有するマスクを形成する。

【００６９】次に、エッチングを施して、開口部に露呈
していたＭＲ素子用薄膜４２を除去する。なお、ここで
のエッチングは、ドライ方式でもウエット方式でも構わ
ないが、加工のしやすさ等を考慮すると、イオンエッチ
ングが好適である。

【００７０】次に、マスクとなっていたフォトレジスト
を除去することにより、図１３及び図１４に示すよう
に、ＭＲ素子用薄膜４２のうち、最終的にＭＲ素子４と
なる部分３２ａ及び導体部１４，１５となる部分４２
ｂ，４２ｃとが残された状態となる。

【００７１】なお、最終的にＭＲ素子４となる部分４２
ａの幅、すなわちＭＲ素子４の幅ｔ６や導体部１４，１
５となる部分４２ｂ，４２ｃの長さｔ７及び幅ｔ８、さ
らに一対の導体部１４，１５となる部分４２ｂ，４２ｃ
間の間隔ｔ９は、ＭＲヘッド１が用いられる環境に応じ
て最適な値に設定するようにすればよい。本実施の形態
においては、ＭＲ素子４の幅ｔ６を約４μｍとした。Ｍ
Ｒ素子４の幅ｔ６は、テープ摺動面９の端部から他端ま
での長さ、すなわちデプス長ｄに相当する。したがっ
て、本実施の形態に係るＭＲヘッド１においては、ＭＲ
素子４のデプス長ｄは、約４μｍとなる。

【００７２】また、本実施の形態においては、導体部１
４，１５となる部分４２ｂ，４２ｃのそれぞれの長さｔ
７を約２ｍｍとし、それぞれの幅ｔ８を約８０μｍと
し、それぞれの間隔ｔ９を約４０μｍとした。

【００７３】次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、
図１５及び図１６に示すように、導体部１４，１５とな
る部分４２ｂ，４２ｃを、ＭＲ素子用薄膜４２よりも電
気抵抗の小さい導電膜に置き換えて、最終的に導体部１
４，１５となる導体部４５ａ，４５ｂを形成する。

【００７４】具体的には、先ず、フォトレジストによ
り、導体部１４，１５となる部分４２ｂ，４２ｃに開口
部を有するマスクを形成する。次に、エッチングを施し
て、開口部に露呈している部分、すなわち導体部１４，
１５となる部分４２ｂ，４２ｃに残されていたＭＲ素子
用薄膜４２を除去する。次に、フォトレジストのマスク
をそのまま残した状態でその上に導電膜を成膜する。こ
こで、導電膜は、例えば、膜厚１０ｎｍのＴｉ膜、膜厚
９０ｎｍのＣｕ膜、膜厚１０ｎｍのＴｉ膜が以上の順で
スパッタリング等により順次成膜されることにより形成
される。その後、マスクとなっていたフォトレジスト
を、このフォトレジスト上に成膜された導電膜とともに
除去する。これにより、図１５及び図１６に示すよう
に、導電膜からなる導体部４５ａ，４５ｂが形成され
る。

【００７５】次に、図１７及び図１８に示すように、最
終的にＭＲヘッド１の第２のギャップ膜５となる非磁性
非導電性膜４６をスパッタリング等により成膜する。こ
こで、非磁性非導電性膜４６の材料には、絶縁特性や耐
摩耗性等の観点からＡｌ₂Ｏ₃が好適である。また、この
非磁性非導電性膜４６の膜厚は、磁気記録媒体に記録さ
れた信号の周波数等に応じて適切な値に設定すればよ
く、本実施の形態においては、１２０ｎｍとした。

【００７６】次に、最終的にＭＲヘッド１の上層磁気シ
ールド部材である軟磁性薄膜６となる軟磁性薄膜４７を
成膜する。

【００７７】ここで、本発明の利点を明確にするため
に、以下では従来から一般的に用いられてきた鍍金法に
よる軟磁性薄膜６の形成工程について説明することとす
る。

【００７８】従来の軟磁性薄膜４７の形成工程では、非
磁性非導電性膜４６が成膜された表面に対して、先ず、
鍍金下地膜１７０を全面にスパッタリング等によって成
膜する。鍍金下地膜１７０は、例えばＮｉＦｅ等の材料
を膜厚が１０ｎｍ程度となるように、全面に成膜され
る。

【００７９】従来の軟磁性薄膜４７の形成工程では、次
に、図３９に示すように、フォトレジストによって、軟
磁性薄膜４７を形成する部分に開口部を有する第１のレ
ジスト膜１７１を形成する。この第１のレジスト膜１７
１の形状は、その幅ｔ１６を１０μｍ程度とされたフレ
ーム形状とされる。マスク１７１は、フレーム形状とさ
れることによって、軟磁性薄膜４７を形成する部分のみ
に開口部を有する形状とされた場合と比較して、基板材
４０の全面に対して、膜厚や磁気特性の分布に偏りが生
じることなく、均一な軟磁性薄膜４７を形成することが
できる。

【００８０】従来の軟磁性薄膜４７の形成工程では、次
に、第１のレジスト膜１７１によって覆われた部分を除
く、基板材４０のほぼ全面に、鍍金法によって、ＮｉＦ
ｅの鍍金１７２を形成する。そして、鍍金１７２を形成
した後、図４０に示すように、第１のレジスト膜１７１
を除去する。

【００８１】従来の軟磁性薄膜４７の形成工程では、次
に、図４１に示すように、軟磁性薄膜４７を形成する部
分に対して第２のレジスト膜１７３を形成する。この第
２のレジスト膜１７３の外形形状は、第１のレジスト膜
１７１の外周部と同形状とする。これにより、第２のレ
ジスト膜１７３は、軟磁性薄膜４７を形成する部位の鍍
金１７２のみを覆い、保護することができる。

【００８２】従来の軟磁性薄膜４７の形成工程では、次
に、第２のレジスト膜１７３で覆われた部分以外に形成
されている鍍金１７２をウエットエッチングにより除去
する。この除去工程においては、ウエットエッチングに
よって鍍金１７２を除去することによって、例えばイオ
ンエッチング等の除去手法と比較して、短時間で鍍金１
７２を除去することができるとともに、選択エッチング
であるために、鍍金１７２の下層に形成された各膜層を
傷つけてしまうといったことがない。この除去工程で使
用するエッチング液は、一般的にパーマロイエッチング
に使用されるものであれば、特に限定されるものではな
い。

【００８３】従来の軟磁性薄膜４７の形成工程では、次
に、第２のレジスト膜１７３を除去することによって、
この第２のレジスト膜１７３に保護されて残った鍍金１
７２が軟磁性薄膜４７となる。

【００８４】従来の軟磁性薄膜４７の形成工程において
は、上述した鍍金１７２の除去工程において、エッチン
グ液によって鍍金１７２を除去するために、基板材４０
の材料が限定されるといった問題があった。すなわち、
基板材４０として、ＮｉＺｎ多結晶基板のように、ＨＩ
Ｐ法等によって製造されて、基板材表面に凹凸を有して
いるような基板材を用いた場合に、この凹凸の深さが深
い場合に、エッチング液が浸透してしまい、鍍金１７２
の下層に形成された各膜層や、マスクパターン等を破壊
してしまうことがあった。そのため、従来の軟磁性薄膜
４７の形成工程を用いた場合には、このＮｉＺｎ多結晶
基板を基板材としたＭＲヘッドを製造することが困難で
あった。

【００８５】次に、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造方法による軟磁性薄膜４７の形成工程につい
て説明する。

【００８６】本発明に係る軟磁性薄膜４７の形成工程に
おいては、非磁性非導電性膜４６が成膜された表面に対
して、軟磁性薄膜４７を形成する部分に開口部を有する
レジスト膜４８を形成する。

【００８７】このレジスト膜形成工程においては、レジ
スト膜４８を、上述した従来の方法のようにフレーム形
状とする必要はなく、非磁性非導電性膜４６上で、軟磁
性薄膜４７を形成する部分を除いた全面に形成すればよ
い。

【００８８】このとき、レジスト膜４８は、図２０に示
すように、開口部における端面４８ａが、逆テーパー型
の形状をしていることが望ましい。これにより、後述す
るように、このレジスト膜４８上に形成された膜をいわ
ゆるリフトオフ法によって除去して、軟磁性薄膜４７を
形成する際に、この軟磁性薄膜４７の端面形状を精度良
く形成することができる。

【００８９】レジスト膜４８は、上述したように端面４
８ａを逆テーパー型とする場合に、逆テーパー用のレジ
スト材料によって形成する。具体的には、例えば、ＺＰ
Ｎ−１１００（日本ゼオン社製）や、ＡＺ５２１４Ｅ
（クライアント社製）等を用いて、通常のレジスト膜と
同様にプリベークし、露光を行った後、１１０℃の温度
で加熱して反転ベーキングを行い、過大露光（反転露
光）を行うことで形成することができる。このときの逆
テーパーの形成手法としては、各逆テーパー用レジスト
材料によって推奨されている手法を行えばよい。

【００９０】また、このレジスト膜形成工程において
は、レジスト膜４８を、上述したように逆テーパー型の
形状とする方法に限らず、図２１及び図２２に示すよう
に、２層の積層構造としても望ましい。

【００９１】この場合には、非磁性非導電性膜４６上に
形成された第１のレジスト膜４８ｂが、軟磁性薄膜４７
を形成する部分で開口し、この第１のレジスト膜４８ｂ
上に形成された第２のレジスト膜４８ｃが、開口部の位
置で、第１のレジスト膜４８ｂよりも突出するように形
成する。これにより、後述するように、この第２のレジ
スト膜４８ｃ上に形成された膜をいわゆるリフトオフ法
によって除去して、軟磁性薄膜４７を形成する際に、こ
の軟磁性薄膜４７の端面形状を精度良く形成することが
できる。

【００９２】レジスト膜４８は、上述したように２層の
積層構造とする場合に、第１のレジスト膜４８ｂとして
は通常の反射防止膜用の材料によって形成し、第２のレ
ジスト膜４８ｃとしては通常のレジスト材料によって形
成する。具体的には、例えば、第１のレジスト膜４８ｂ
としてはＡＲＣ（Brewer Science社製）を用いて、非磁
性非導電性膜４６上の全面に形成する。次に、第２のレ
ジスト膜４８ｃとしてはＡＺ６１０８（クライアント社
製）を用いて、軟磁性薄膜４７を形成する部分で開口さ
せて形成する。そして、通常のレジスト膜と同様にプリ
ベークし、露光を行った後、現像を通常よりも長時間に
亘って行う。これにより、第１のレジスト膜４８ｂは、
第２のレジスト膜４８ｃの開口部の位置で除去される。
そして、第２のレジスト膜４８ｃは、図２２に示すよう
に、開口部の位置で、第１のレジスト膜４８ｂよりも突
出して形成される。

【００９３】次に、上層磁気シールド部材としての軟磁
性薄膜４７をスパッタリングによって形成する。

【００９４】このスパッタ工程においては、先ず、上述
したようにレジスト膜４８が形成された全面に対して、
軟磁性薄膜４７としてのＣｏ系アモルファス材料をスパ
ッタする。

【００９５】そして、レジスト膜４８と、このレジスト
膜４８上に形成された軟磁性薄膜４７とを除去すること
によって、図２３及び図２４に示すように、このレジス
ト膜４８の開口部に形成された軟磁性薄膜４７がＭＲヘ
ッド１においての軟磁性薄膜６となる。この除去工程の
ように、レジスト膜と同時に、このレジスト膜上に形成
された膜層を除去する手法は、リフトオフ法と称され
る。

【００９６】スパッタ工程においては、Ｃｏ系アモルフ
ァス材料として、具体的には、例えば、Ｃｏ_aＺｒ_bＮｂ
_cＭ_d（ただし、ＭはＭｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｐ
ｄ，Ｗ，Ｖのうちの少なくとも一種であり、ａ，ｂ，
ｃ，ｄは原子パーセントを示し、これらがそれぞれ７９
≦ａ≦８３，２≦ｂ≦６，１０≦ｃ≦１４，１≦ｄ≦５
である。）の組成からなる材料によって形成されること
が望ましい。これにより、形成される軟磁性薄膜４７
は、優れた耐摩耗特性と耐熱特性とを示すようになる。

【００９７】Ｃｏ系アモルファス材料においては、Ｃｏ
とＴａ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ等とを組み合わせることによ
って、良好な軟磁気特性を得ることができる。また、Ｃ
ｏ系アモルファス材料は、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｈ
ｆ，Ｐｄ，Ｗ，Ｖのうちの少なくとも一種を添加される
ことによって、耐摩耗性が向上する。

【００９８】Ｃｏ系アモルファス材料は、図２５に示す
ように、上述したような添加物の量を増やすほど、耐摩
耗性が向上する。一方で、Ｃｏ系アモルファス材料は、
添加物の量を増やすほど、軟磁気特性が劣化してしま
う。なお、図２５は、Ｃｏ系アモルファス材料として上
述したようなＣｏＺｒＮｂＭの組成から成る材料を選ん
でＭＲヘッド１を作製した場合の、添加物Ｍの量と１０
ＭＨｚにおける透磁率及び磁気記録媒体を１０００時間
摺動させた後の軟磁性薄膜４７（軟磁性薄膜６）の摩耗
量との関係を示す図である。

【００９９】軟磁性薄膜４７は、耐摩耗特性が良好でな
い場合に、ＭＲヘッド１の軟磁性薄膜６とされた際に、
磁気記録媒体が摺動することによってＭＲ素子４よりも
早く摩耗してしまう虞がある。軟磁性薄膜４７は、この
場合に、ＭＲ素子４の上層磁気シールド部材としての機
能を果たすことが困難となり、ＭＲ素子４の分解能を極
端に低下させてしまう。これにより、ＭＲヘッド１は、
高周波特性が劣化してしまう。

【０１００】また、軟磁性薄膜４７は、延性が大きい場
合に、摩耗粉がＭＲヘッド１のテープ摺動面９上に付着
してしまう虞がある。これにより、ＭＲヘッド１は、電
気的な短絡が生じてしまったり、ＭＲ素子４と磁気記録
媒体とのスペーシング量が増加して、再生出力が減少す
るといった虞がある。

【０１０１】従来から軟磁性薄膜４７の材料として用い
られてきたパーマロイ（ＮｉＦｅ合金）は、耐摩耗特性
が良好でなく、また、延性が大きかったために、上述し
たような問題が頻繁に生じていた。

【０１０２】本発明に係るように、Ｃｏ系アモルファス
材料によって軟磁性薄膜４７を形成した場合と、パーマ
ロイによって軟磁性薄膜４７を形成した場合とで、ＭＲ
ヘッド１を作製し、テープ摺動面９に磁気記録媒体を摺
動させたときの、軟磁性フェライト基板２と、それぞれ
の軟磁性薄膜４７との段差量を測定した結果を、図２６
に示す。この結果から、本発明に係るように、Ｃｏ系ア
モルファス材料によって軟磁性薄膜４７を形成した場合
には、従来の方法で形成した場合と比較して、耐摩耗特
性に優れていることが明らかである。

【０１０３】また、この除去工程においては、レジスト
膜４８の端面４８ａが逆テーパー型の形状を呈して形成
されたことによって、レジスト膜４８上に形成された軟
磁性薄膜４７と、レジスト膜４８の開口部に形成された
軟磁性薄膜４７とが分断され、この分断部からレジスト
膜４８を除去する用材が入り込むことによって、明瞭な
パターニングが可能となる。すなわち、この除去工程に
おいては、レジスト膜４８の端面４８ａが逆テーパー型
の形状を呈して形成されたことによって、軟磁性薄膜４
７の端面形状を精度良く形成することができる。

【０１０４】また、軟磁性薄膜４７は、Ｃｏ系アモルフ
ァス材料によって形成されることにより、上述したスパ
ッタ工程の直後においても、十分な軟磁気特性を示す。
軟磁性薄膜４７は、さらに、後述するように、３００℃
程度の熱処理を施すことによって、容易軸及び困難軸の
異方性の制御ができる。

【０１０５】したがって、軟磁性薄膜４７は、ＭＲ素子
４が良好な磁気抵抗効果を示す熱処理温度の限界である
３５０℃を下回る温度で、高い軟磁気特性を付与するこ
とができる。すなわち、軟磁性薄膜４７は、ＭＲ素子４
を形成した後に、このＭＲ素子４の上層側に形成された
場合であっても、ＭＲヘッド１の上層磁気シールド部材
として必要とされる軟磁気特性に対して十分に対応する
ことができる。

【０１０６】これに対して、従来の方法のように、セン
ダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金）やＦｅＴａ等の微結晶
材料によって軟磁性薄膜４７を形成した場合には、十分
な軟磁気特性を得るために、５５０℃程度の熱処理を施
すことが必要となる。したがって、従来の方法によって
軟磁性薄膜４７を形成した場合には、ＭＲ素子４を形成
した後に、この軟磁性薄膜４７に対して十分な軟磁気特
性を付与することが困難となってしまう。

【０１０７】また、軟磁性薄膜４７は、Ｃｏ系アモルフ
ァス材料によって形成されることにより、スパッタリン
グによって形成することができるために、上述したよう
に鍍金法を用いた従来の軟磁性薄膜４７の形成工程と比
較して、格段に少ない工程数で形成することができる。
また、軟磁性薄膜４７は、スパッタリングによって形成
されることによって、上述したように凹凸を有するＮｉ
Ｚｎ基板上に対しても形成されることができる。また、
この軟磁性薄膜４７の形成工程においては、従来の形成
工程で必要とされる鍍金液等の管理を不要とすることが
できる。さらに、この軟磁性薄膜４７の形成工程におい
ては、従来の鍍金法による形成工程と比較して、工程管
理が容易であるとともに、一度に多数の基板を処理する
ことが可能である。

【０１０８】また、軟磁性膜４７は、図２７に示すよう
に、磁性薄膜層４７ａと非磁性薄膜層４７ｂとを交互に
形成して、少なくとも２層以上の磁性薄膜層４７ａが積
層された構造とすることが望ましい。これにより、軟磁
性薄膜４７においては、各磁性薄膜層４７ａ同士が端部
で相互に静磁的な結合をなす。このとき、各磁性薄膜層
４７ａは、磁気的なエネルギーの低い状態となり、各磁
性薄膜層４７ａ内に磁区を形成しない状態となる。各磁
性薄膜層４７ａは、この状態において、磁壁を持たない
ためにこの磁壁の移動によって生じる突発的な磁化状態
の変化を生じることがない。したがって、この場合に、
ＭＲヘッド１は、磁壁の移動がＭＲ素子４に印加されて
ノイズ信号として再生してしまうことがない。そのた
め、軟磁性薄膜４７が積層構造で形成されることによっ
て、信頼性の高いＭＲヘッドを製造することができる。

【０１０９】さらに、軟磁性薄膜４７は、積層構造で形
成されることによって、磁気記録媒体の信号磁界に応じ
た磁化応答が高周波帯域まで良好なものとなるために、
高密度に信号が記録された磁気記録媒体に対しても十分
に対応することができる。

【０１１０】ところで、軟磁性薄膜４７は、上述したよ
うに積層構造とされて磁性薄膜層４７ａが互いに静磁結
合をなすために、磁性薄膜層４７ａと非磁性薄膜層４７
ｂとの厚みが重要となる。

【０１１１】そのため、軟磁性薄膜４７は、積層構造と
される場合に、各磁性薄膜層４７ａの厚みが０．１〜１
μｍであることが望ましい。各磁性薄膜層４７ａは、厚
みが０．１μｍ未満である場合に、十分な軟磁気特性を
得ることが困難となる。また、各磁性薄膜層４７ａは、
厚みが１μｍを超える場合に、これら各磁性薄膜層６ａ
が単層膜としての性質を有するようになり、良好な静磁
結合状態を保つことができない。

【０１１２】また、軟磁性薄膜４７は、積層構造とされ
る場合に、各非磁性薄膜層４７ｂの厚みが１〜２０ｎｍ
であることが望ましい。各非磁性薄膜層４７ｂは、厚み
が１ｎｍ未満である場合に、磁性薄膜４７ａ同士を十分
に絶縁して静磁結合状態に保持することができない。ま
た、各非磁性薄膜層４７ｂは、厚みが２０ｎｍを超える
場合に、磁性薄膜４７ａ同士を静磁結合させることが困
難となってしまう。

【０１１３】本実施の形態においては、軟磁性薄膜４７
を磁性薄膜層４７ａと非磁性薄膜層４７ｂとによって積
層構造に形成した。そして、磁性薄膜層４７ａの厚みが
０．２８μｍとなり、非磁性薄膜層４７ｂの厚みが５ｎ
ｍとなるようにして１０層の磁性薄膜層４７ａを有する
ように交互に積層し、１０層の磁性薄膜層４７ａを有し
て全厚が３μｍ程度となるように軟磁性薄膜４７を形成
した。また、非磁性薄膜層４７ｂは、ＳｉＯ₂により形
成したが、材料を限定されるものではなく、各磁性薄膜
層４７ａ同士を電気的・磁気的に絶縁することができる
材料によって形成すればよい。

【０１１４】なお、軟磁性薄膜４７を形成する前段階に
おいて、この軟磁性薄膜４７の下地膜としてＣｒ等を数
ｎｍ程度形成しておいてもよい。これにより、この軟磁
性薄膜４７の軟磁気特性を安定させることができる。

【０１１５】また、この軟磁性薄膜４７を成膜する領域
は、例えば、略長方形状とし、ＭＲ素子４の長辺方向に
対して平行な辺の長さｔ１０を約２５０μｍとし、ＭＲ
素子４の長辺方向に対して垂直な辺の長さｔ１１を約１
００μｍとする。

【０１１６】次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、
図２８及び図２９に示すように、最終的にＭＲヘッド１
の外部接続用端子１６，１７となる導電体４９ａ，４９
ｂを導体部４５ａ，４５ｂの端部上に形成する。

【０１１７】具体的には、例えば、先ず、フォトレジス
トにより、最終的に外部接続用端子１６，１７となる部
分に開口部を有するマスクを形成する。次に、エッチン
グを施すことにより、開口部に露呈している部分、すな
わち外部接続用端子１６，１７となる部分の非磁性非導
電性膜４６を除去して、これら導体部４５ａ，４５ｂの
端部を露出させる。次に、フォトレジストのマスクをそ
のまま残した状態で、導電膜を成膜する。ここで、導電
膜は、例えば、硫酸銅溶液を用いた電解鍍金により、Ｃ
ｕを６μｍ程度の膜厚となるように形成する。この導電
膜の形成方法は、他の膜に影響を与えないものであれ
ば、電解鍍金以外の方法であってもよい。その後、マス
クとなっていたフォトレジストを、このフォトレジスト
上に成膜された導電膜とともに除去する。これにより、
図２８及び図２９に示すように、導体部４５ａ，４５ｂ
の端部上に導電体４９ａ，４９ｂが形成される。

【０１１８】なお、この導電体４９ａ，４９ｂの長さｔ
１２は、例えば５０μｍ程度として形成する。また、こ
の導電体４９ａ，４９ｂの幅ｔ１３は、導体部４５ａ，
４５ｂの幅ｔ８と同じであり、例えば８０μｍ程度とさ
れる。

【０１１９】次に、図３０及び図３１に示すように、Ｍ
Ｒヘッド１全体を外部と遮断するために、全面に対して
保護膜５０を形成する。

【０１２０】具体的には、例えば、スパッタリングによ
ってＡｌ₂Ｏ₃を４μｍ程度の膜厚となるように形成す
る。なお、この保護膜５０の材料は、非磁性非導電性の
材料であればＡｌ₂Ｏ₃以外も使用可能であるが、耐環境
性や耐摩耗性を考慮すると、Ａｌ₂Ｏ₃が好適である。ま
た、この保護膜５０は、スパッタリング以外の方法によ
って形成してもよく、例えば、蒸着法等によって形成し
てもよい。

【０１２１】次に、導電体４９ａ，４９ｂが表面に露出
するまで、全面に形成した保護膜５０を研磨する。この
研磨工程においては、例えば、粒径が約２μｍのダイヤ
モンド砥粒によって、導電体４９ａ，４９ｂの表面が露
出するまで粗研磨する。そして、シリコン砥粒によって
バフ研磨を施して、表面を鏡面状態に仕上げる。これに
より、図３２及び図３３に示すように、最終的にＭＲヘ
ッド１となる多数のヘッド素子５１が形成された基板４
０が得られる。

【０１２２】次に、ＭＲ素子４の長手方向に数ｋガウス
程度の磁場を印加しながら、基板４０に対して２００℃
〜３５０℃程度の熱処理を施す。これにより、軟磁性薄
膜４７は、良好な良好な軟磁気特性を示すようになる。

【０１２３】この熱処理工程においては、軟磁性薄膜４
７が良好な軟磁気特性を示すような温度で熱処理を行う
とともに、この熱処理の温度によってＭＲ素子４の磁気
抵抗効果が失われないようにすることが重要となる。Ｍ
Ｒ素子４は、２００℃を超える温度では磁気抵抗効果が
失われてしまう。このとき、軟磁性薄膜４７は、Ｃｏ系
アモルファス材料によって形成されているために、２０
０℃以上で熱処理を施すことによって良好な軟磁気特性
を得ることができる。

【０１２４】本実施の形態においては、３００℃程度の
熱処理を１時間程度施すことによって、軟磁性薄膜４７
に対して良好な軟磁気特性を付与した。

【０１２５】次に、図３３に示すように、多数のヘッド
素子５１が形成された基板４０を、横方向にヘッド素子
５１が並ぶ短冊状に切り分け、磁気ヘッドブロック６０
を形成する。ここで、横方向に並ぶヘッド素子５１の数
は、生産性を考慮するとできる限り多い方がよい。図３
３においては、簡略化のために、ヘッド素子５１が５個
並ぶ磁気ヘッドブロック６０を図示しているが、実際に
は、これ以上のヘッド素子５１が並ぶようにしても構わ
ない。また、本実施の形態においては、磁気ヘッドブロ
ック６０の幅ｔ１２は２ｍｍとしている。

【０１２６】次に、図３４及び図３５に示すように、磁
気ヘッドブロック６０上に、最終的にＭＲヘッド１の硬
質材料基板８となる、例えば暑さｔ１５が約０．７ｍｍ
の第２の基板７０を貼り付ける。この第２の基板７０の
貼り付けには、例えば樹脂系等の接着剤が用いる。この
とき、第２の基板７０の高さｔ１４を磁気ヘッドブロッ
ク６０の高さよりも低くして、磁気ヘッドブロック６０
に形成された導電体４９ａ，４９ｂを外部に露出させ
る。これにより、導電体４９ａ，４９ｂは、外部と電気
的に接続することができるようになる。

【０１２７】この第２の基板７０には、硬質の非磁性材
料が用いられる。具体的には、アルチック（アルミナ−
チタンカーバイド）基板等が用いられる。

【０１２８】次に、最終的にＭＲヘッド１のテープ摺動
面９となる面に対して円筒研磨加工を施し、この面を円
弧状に形成する。具体的には、ＭＲ素子４の前端がテー
プ摺動面９に露呈すると共に、このＭＲ素子４のデプス
長ｄが所定の長さとなるまで円筒研磨加工を行う。これ
により、図３５に示すように、最終的にＭＲヘッド１の
テープ摺動面９となる面が円弧状の曲面とされる。な
お、この円筒研磨加工によって形成されるテープ摺動面
９となる面の曲面形状は、テープテンション等に応じて
最適な形状とすればよく、特に限定されるものではな
い。

【０１２９】ただし、このテープ摺動面９となる面の曲
面形状は、ＭＲ素子４が曲面形状の頂点よりもトレーデ
ィング側へ少しずれるような形状とされていることが望
ましい。すなわち、先に図４にて示したように、ＭＲヘ
ッド１を回転ドラム２０に搭載したときに、回転ドラム
２０の回転時に最も外側に突出する頂点部位よりも、Ｍ
Ｒ素子４がトレーディング側に位置するように、円筒研
磨加工を施すことが望ましい。ＭＲヘッド１において
は、磁気記録媒体３０を摺動させたときに最も摩耗が激
しいのは、テープ摺動面９の頂点部位である。したがっ
て、ＭＲ素子４は、ＭＲヘッド１の頂点部位よりもトレ
ーディング側に配設されることで、トレーディング側に
あるＭＲ素子４及び軟磁性薄膜６の偏摩耗を防止するこ
とができる。

【０１３０】最後に、第２の基板７０が接合された磁気
ヘッドブロック６０を各ヘッド素子５１毎に分割する。
具体的には、例えば、磁気記録媒体が摺動する方向の長
さが約０．８ｍｍ、幅が約３００μｍ、高さが焼く２ｍ
ｍとなるように、ヘッド素子５１毎に切断する。これに
より、先に図１で示したＭＲヘッド１が多数得られる。

【０１３１】以上のように製造されたＭＲヘッド１は、
ヘッドベースに搭載され、外部接続用端子１６，１７が
ヘッドベースに搭載された状態で回転ドラム２０に取り
付けられて、再生用の磁気ヘッドとして用いられる。

【０１３２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る磁気
抵抗効果型磁気ヘッドは、一対の磁気シールド部材のう
ちの少なくとも一方がＣｏ系アモルファス材料により形
成されることによって、この磁気シールド部材が優れた
耐摩耗特性を示すとともに、優れた耐熱特性を示す。し
たがって、係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気シー
ルド部材の偏摩耗を減少させてスペーシングロスを低減
し、高い出力を維持することが可能となる。また、これ
により、係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、ヘッド寿命
が長く、信頼性の高い磁気ヘッドとすることができる。

【０１３３】また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造方法は、第１のレジスト膜と第２のレジスト
膜とを用いて、いわゆるリフトオフ法によって磁気シー
ルド部材を形成することができる。これにより、係る磁
気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法によれば、従来の鍍
金法を用いた製造方法と比較してより少ない工程数で磁
気シールド部材を形成することができる。したがって、
係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法によれば、高
品質な磁気抵抗効果型磁気ヘッドを、容易に且つ大量に
製造することができ、生産効率を向上させることができ
る。

【０１３４】さらに、本発明にっかる磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの製造方法は、開口部で逆テーパー型のレジス
ト膜を用いて、いわゆるリフトオフ法によって磁気シー
ルド部材を形成することができる。これにより、係る磁
気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法によれば、上述した
製造方法の効果に加えて、上述した製造方法よりもさら
に少ない工程数で磁気シールド部材を形成することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＭＲヘッドの平面図である。

【図２】同ＭＲヘッドをテープ摺動面側からみた模式図
である。

【図３】同ＭＲヘッドのテープ摺動面における要部拡大
断面図である。

【図４】同ＭＲヘッドが回転ドラムに取り付けられた状
態を示す斜視図である。

【図５】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であり、
基板材上に非磁性非導電性膜が成膜された状態を示す平
面図である。

【図６】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であり、
図５におけるＸ１−Ｘ２線断面図である。

【図７】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であり、
ＭＲ素子用薄膜が成膜された状態を示す平面図である。

【図８】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であり、
図７におけるＸ３−Ｘ４線断面図である。

【図９】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であり、
一対の永久磁石膜が形成された状態を示す平面図であ
る。

【図１０】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図９におけるＢ部を拡大して示す平面図である。

【図１１】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、一対の永久磁石膜上に一対の低抵抗化膜が形成され
た状態を示す平面図である。

【図１２】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図１１におけるＸ５−Ｘ６線断面図である。

【図１３】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、ＭＲ素子となる部分及び導体部となる部分以外のＭ
Ｒ素子用薄膜が除去された状態を示す平面図である。

【図１４】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図１３におけるＸ７−Ｘ８線断面図である。

【図１５】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、導体部が形成された状態を示す平面図である。

【図１６】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図１５におけるＸ９−Ｘ１０線断面図である。

【図１７】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、第２のギャップ膜となる非磁性非導電性膜が形成さ
れた状態を示す平面図である。

【図１８】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図１７におけるＸ１１−Ｘ１２線断面図である。

【図１９】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、開口部で逆テーパー型となるレジスト膜が形成され
た状態を示す平面図である。

【図２０】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図１９におけるＸ１３−Ｘ１４線断面図である。

【図２１】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、レジスト膜を積層構造とした場合の状態を示す平面
図である。

【図２２】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図２１におけるＸ１５−Ｘ１６線断面図である。

【図２３】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、軟磁性薄膜が形成された状態を示す平面図である。

【図２４】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図２３におけるＸ１７−Ｘ１８線断面図である。

【図２５】同ＭＲヘッドの軟磁性膜に加えた添加物の原
子パーセント量と、透磁率及び１０００時間後の摩耗量
との関係を示す図である。

【図２６】同ＭＲヘッドの軟磁性膜をＣｏ系アモルファ
ス材料と従来のパーマロイとによって作製した場合の摺
動時間と摩耗量との関係を示す図である。

【図２７】同ＭＲヘッドの軟磁性膜を積層構造とした場
合を示す要部拡大図である。

【図２８】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、導体部の端部に導電体が形成された状態を示す平面
図である。

【図２９】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図２８におけるＸ１９−Ｘ２０線断面図である。

【図３０】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、ヘッド素子を覆うように保護膜が形成された状態を
示す平面図である。

【図３１】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図３０におけるＸ２１−Ｘ２２線断面図である。

【図３２】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、多数のヘッド素子が形成された基板材を示す平面図
である。

【図３３】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、多数のヘッド素子が横方向に並ぶよう切断された磁
気ヘッドブロックを示す平面図である。

【図３４】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、磁気ヘッドブロックに第２の基板を接合した状態を
示す平面図である。

【図３５】同ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図３４におけるＸ２３−Ｘ２４線断面図である。

【図３６】従来のＭＲヘッドの平面図である。

【図３７】従来の他のＭＲヘッドの平面図である。

【図３８】従来のＭＲヘッドを媒体摺動面からみた状態
を示す模式図である。

【図３９】従来のＭＲヘッドの製造工程を示す図であ
り、フレーム形状の第１のレジスト膜を形成した状態を
示す平面図である。

【図４０】従来のＭＲヘッドの製造工程を示す図であ
り、全面に鍍金を形成した状態を示す平面図である。

【図４１】従来のＭＲヘッドの製造工程を示す図であ
り、第２のレジスト膜を形成した状態を示す平面図であ
る。

【符号の説明】

１ＭＲヘッド、２軟磁性フェライト基板、３第１
のギャップ膜、４ＭＲ素子、５第２のギャップ膜、
６軟磁性薄膜、７保護膜、８硬質材料基板、９
テープ摺動面

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の磁気シールド部材間に磁気抵抗効
果素子が設けられた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおい
て、上記一対の磁気シールド部材のうちの少なくとも一方
は、Ｃｏ系アモルファス材料により形成されたことを特
徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項２】走行する磁気記録媒体に摺接し、この磁
気記録媒体に記録された信号を読み取る再生用磁気ヘッ
ドとして用いられ、Ｃｏ系アモルファス材料により形成された上記磁気シー
ルド部材は、上記磁気抵抗効果素子よりもトレーディン
グ側に配設されたことを特徴とする請求項１記載の磁気
抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項３】上記磁気記録媒体に摺接する面は円弧形
状を呈し、上記磁気抵抗効果素子は、上記磁気記録媒体に摺接する
面の最も突出した箇所よりもトレーディング側に配設さ
れて、外部に露呈したことを特徴とする請求項２記載の
磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項４】回転ドラムに搭載されて、この回転ドラ
ムに伴って回転し、上記磁気記録媒体上を斜めに摺動し
て、この磁気記録媒体に記録された信号を読み取ること
を特徴とする請求項２記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。
【請求項５】上記Ｃｏ系アモルファス材料は、Ｃｏ_a
Ｚｒ_bＮｂ_cＭ_d（ただし、ＭはＭｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔ
ｉ，Ｈｆ，Ｐｄ，Ｗ，Ｖのうちの少なくとも一種であ
り、ａ，ｂ，ｃ，ｄは原子パーセントを示し、これらが
それぞれ７９≦ａ≦８３，２≦ｂ≦６，１０≦ｃ≦１
４，１≦ｄ≦５である。）の組成からなる材料であるこ
とを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。
【請求項６】上記一対の磁気シールド部材のうちの少
なくとも一方は、上記Ｃｏ系アモルファス材料によって
形成された磁性薄膜層と、非磁性薄膜層とが交互に形成
され、少なくとも２層以上の磁性薄膜層を有する積層構
造をなしていることを特徴とする請求項１記載の磁気抵
抗効果型磁気ヘッド。
【請求項７】上記磁性薄膜層は、各層の厚みが０．１
〜１μｍであることを特徴とする請求項６記載の磁気抵
抗効果型磁気ヘッド。
【請求項８】上記非磁性薄膜層は、各層の厚みが１〜
２０ｎｍであることを特徴とする請求項６記載の磁気抵
抗効果型磁気ヘッド。
【請求項９】磁気抵抗効果型磁気ヘッドを製造するに
際し、薄膜形成面上に上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドを構成す
る薄膜を形成する薄膜形成工程と、上記薄膜上に第１のレジスト膜を形成する第１のレジス
ト膜形成工程と、上記第１のレジスト膜の一部で開口する第２のレジスト
膜を形成する第２のレジスト膜形成工程と、上記第２のレジスト膜を現像することにより、この第２
のレジスト膜の開口部の位置で上記第１のレジスト膜が
除去されて、この第２のレジスト膜が上記第１のレジス
ト膜よりも突出して形成される現像工程と、上記磁気抵抗効果素子の磁気シールド部材となるＣｏ系
アモルファス材料をスパッタするスパッタ工程と、上記第１のレジスト膜、第２のレジスト膜及び第２のレ
ジスト膜上に形成されたＣｏ系アモルファス材料を除去
するレジスト除去工程とを経ることによって、上記磁気
シールド部材を形成することを特徴とする磁気抵抗効果
型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】磁気抵抗効果型磁気ヘッドを製造する
に際し、薄膜形成免状に上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドを構成す
る薄膜を形成する薄膜形成工程と、上記薄膜の一部で開口する逆テーパー型のレジスト膜を
形成するレジスト膜形成工程と、上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気シールド部材とな
るＣｏ系アモルファス材料をスパッタするスパッタ工程
と、上記レジスト膜及びレジスト膜上に形成されたＣｏ系ア
モルファス材料を除去するレジスト除去工程とを経るこ
とによって、上記磁気シールド部材を形成することを特
徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。