NL7908611A

NL7908611A - Geintegreerde magneetkopconstructie.

Info

Publication number: NL7908611A
Application number: NL7908611A
Authority: NL
Original assignee: Philips Nv
Priority date: 1979-11-28
Filing date: 1979-11-28
Publication date: 1981-07-01
Also published as: US4429337A; GB2064849B; DE3043637C2; US4435900A; JPS5690414A; GB2064849A; FR2471019A1; FR2471019B1; DE3043637A1

Description

. 1 & V

ΡΗΝ 9639 1 N.V. PHILIPS GLOEILAMPENFABRIEKEN te EINDHOVEN GeIntegreerde magnee tkopc ons truc tie

De uitvinding heeft betrekking op een geïntegreerde magneetkopconstructie met een aantal ruimtelijk gescheiden electromagnetische overdrachtselementen en met een vlak voor magnetische flux koppeling van de overdrachts-5 elementen met een magnetisch registratiemedium, waarbij de constructie een gemeenschappelijk substraat van niet-elektrisch geleidend materiaal omvat met een laagsgewijs gevormd patroon van elektrische geleiders, welk patroon een aantal inductieve en/of magneto-resistieve elementen ^ die elk door tenminste twee aansluitgeleiders met aansluit-vlakken ("bonding pads") zijn verbonden, definieert, en met een aantal discrete magnetische lagen waarbij elk genoemd element met een discrete magnetische laag samenwerkt voor het definiëren van één van de overdrachtsele— ^ menten, waarbij de overdrachtselementen zijn gesandwiched tussen het substraat en een afdekplaatje van niet-magnetisch, niet-elektrisch geleidend materiaal.

Een dergelijke geïntegreerde magneetkopconstruc-tie is bekend uit de ter visie gelegde NL octrooiaanvrage 20 nr. 7309180. Daarin wordt meer in het bijzonder een geïntegreerd magneetkoppenstelsel beschreven met een substraat van glas of aluminiumoxyde, en met, ter bescherming van de koppen tegen mechanische slijtage, een afdekplaatje (met hetzelfde oppervlak als het substraat) eveneens van 25 glas of aluminiumoxyde.

Dergelijke magneetkopconstructies zijn geschikt voor de registratie en uitlezing in informatiegeheugen-inrichtingen op een magnetische laag, zowel voor industriële toepassingen, informatieverwerkende inrichtingen met 30 schijven, trommels of magnetische banden, als voor minder gespecialiseerde toepassingen zoals bijvoorbeeld spoelen-recorders en cassetterecorders. Speciaal voor die soort toepassingen waar de koppen in bedrijf in contact zijn met 790 86 11 PHN 9639 2 de registratiedrager is de bekende kopconstructie voorzien van een afdekplaatje dat bestandheid van de constructie tegen mechanische slijtage moet waarborgen. Het afdekplaatje is bevestigd op de oppervlakken van het vulmateriaal waarin 5 de overdrachtselementen zijn ingebed en van platte geleiders die op de aansluitvlakken gesoldeerd zijn. Zowel door deze wijze van bevestiging (door de vullaag van de overdrachtselementen gescheiden) als door de materiaalkeuze (glas of aluminiumoxyde) is de afvoer van de warmte die in het bij-10 zonder tijdens het registreren in de overdrachtselementen ontstaat slecht. Hierdoor wordt de temperatuur van de overdrachtselementen tijdens bedrijf te hoog, wat er enerzijds toe leidt dat de magnetische eigenschappen van de magnetische lagen achteruit gaan, en anderzijds dat de elektrische ge-15 leiders onderbroken of kortgesloten worden, (doorbranden), zodat slechts kleine vermogens verwerkt kunnen worden. De uitvinding beoogt het door een geïntegreerde magneetkopcon-structie te verwerken vermogen te vergroten met behoud van de bestandheid tegen mechanische slijtage.

20 De geïntegreerde magneetkopconstructie van. de in de aanhef genoemde soort heeft daartoe als kenmerk, dat het materiaal van het afdekplaatje uit silicium bestaat en dat het plaatje is aangebracht op een wijze die een goede warmteuitwisseling met de overdrachtselementen 25 waarborgt. Silicium blijkt een voor het doel van de uitvinding unieke combinatie van warmtegeleidingscoëfficient

(1,5 W/cm2 °K tegen bijvoorbeeld AlpO_ s 3x10_1 w/°K

2 o ^ en Si02 : 8x10 W/ E) en slijtvastheid (met name hoger dan die van metalen die een vergelijkbare warmtegeleidings-30 coëfficiënt bezitten, bijvoorbeeld Au : 3 W/cm °K) te bezitten, terwijl de specifieke constructie waarbij het silicium afdekplaatje in goed warmteuitwisselend contact is met de overdrachtselementen waarborgt dat het sibciumafdekplaatje zijn volgens de uitvinding voorziene warmteafvoer functie 35 ook daadwerkelijk kan vervullen. Bij de bekende geïntegreerde koppen steunt het afdekplaatje daarentegen op op de aansluitvlakken gesoldeerde aansluitpennen en is door een betrekkelijk dikke laag isolatiemateriaal 790 86 11 * i PHN 9639 3 van de overdrachtselementen gescheiden.

Volgens een voor keurs vorm van de uitvinding worden de afmetingen van het afdekplaatjes zodanig gekozen dat het de aansluitvlakken vrijlaat, wat het moge-S lijk maakt om er na het aanbrengen van het afdekplaatje nog (soepele) verbindingsgeleiders aan te bevestigen.

Hiervoor is het zogenaamde "wirebond" proces zeer geschikt dat van thermocompressietechnieken, al of niet in combinatie met ultrasoon trillen gebruik maakt.

10 Het gebruik van een afdekplaatje van silicium is ook zeer praktisch in het geval van massa fabricage. Doordat silicium zich gemakkelijk laat etsen zijn er op eenvoudige wijze evenwijdige rijen groeven in aan te brengen die bij bevestiging van een unitair afdekplaatje op een 15 substraat met een groot aantal evenwijdige rijen overdracöts -elementen boven de aansluitvlakken komen te liggen.

Een capillair tussen de overdrachtselementen en de unitaire afdekplaat in te zuigen hechtmiddel kan door de aanwezigheid van de groeven boven de aansluitvlakken 20 deze laatste niet bedekken. Door wegslijpen van het materiaal boven de groeven kan er dan nadat de hechting tot stand is gebracht voor gezorgd worden dat de aansluitvlak-ken vrij komen voor het eraan bevestigen van verbindingsgeleiders .

25 Tot nu toe is het gebruikelijk om voor de sub straten dunne plakken te gebruiken, bijvoorbeeld silicum-plakken met een dikte van 0,5 mm. In het kader van de uitvinding kan zo'n dun substraat zelf op een dikkere steun-plaat van silicium (dikte enkele mm) gelijmd worden.

30 Volgens een verdere voorkeursvorm van de uit vinding wordt het substraat echter zelf door een blok silicium met een dikte die csereenkomt met die van het afdekplaatje gevormd. Het gebruik van een dikke silicium-plak als substraat (of als steunplaat voor een substraat) 35 heeft als voordeel, dat aan een dikke plak een beter gedefinieerde rechte kant aangebracht kan worden (door zagen en/of slijpen) dan aan een dunne plak. Een goed gedefinieerde kant is van groot belang voor het uiteindelijk te 79086 11 PHN 9639 4 vormen voorvlak, dat is het vlak waarmee de overdrachts-elementen in magnetische flux koppeling staan met een magnetisch registratiemedium.

De uitvinding heeft tevens betrekking op een δ werkwijze voor het vervaardigen van een geïntegreerde mag-neetkopconstruetie als hiervoor beschreven. De uitvinding zal bij wijze van voorbeeld aan de hand van de tekening worden toegelicht.

Figuur 1 is een zijaanzicht van een doorsnede 10 van een geïntegreerde magneetkopconstructie tijdens de fabricage.

Figuur 2 en 3 zijn twee soortgelijke aanzichten die het tot stand komen aangeven van magneetkopconstructies volgens de ui-tvinding.

Figuur h is een doorsnede volgens een vlak loodrecht op dat uit figuur 1—3 en heeft betrekking op een elementaire constructie met verscheidene overdrachts— elementen die ondersteund worden door hetzelfde substraat.

Figuur 5 is een perspectivisch aanzicht van 2fl een geïntegreerde magneetkopconstructie volgens de uitvinding tijdens een stadium van de fabricage.

Figuur 6 toont schematisch een overdrachts-element zoals gebruikt in de constructie van figuur 3·

Figuur 7 is een zijaanzicht van een doorsnede door 25 een overdrachtselement van het magnetoweerstandtype,

Op een substraat 1 van slijtvast, niet-elektrisch geleidend materiaal, waarvoor silicium zeer geschikt is, is een constructie van een magnetische kop 2 uit dunne, over elkaar heen gelegen lagen aangebracht. Deze construe-30 tie heeft een paar lagen 8 en 9 van magnetiseerbaar materiaal, waar een Ni^QFeg^ legering zeer gebruikelijk is, die gescheiden worden door een isolatielaag 10, waarbij ter illustratie tussen deze lagen een overdrachtselement in de vorm van een meerlaags spiraalvormige wik- .

35 keling is aangegeven waarvan de uitgangsverbindingen zich naar achter toe uitstrekken, zoals aangegeven bij 3» voor verbinding met geleiders zoals 5 (figuur 2, 3) door middel van een "bond” techniek zoals aangegeven bij k.

790 86 11 * * ΡΗΒΓ 9639 5

De constructie 2 is bij zijn vorming niet bedekt en om de bescherming te verzekeren tegen corroderende invloeden en mechanische slijtage is een "primaire" bescherming 6 aangebracht uit isolatiemateriaal. Deze 5 laag kan bijvoorbeeld gesputterd silicium zijn dat ook de holtes tussen de koppen (zie figuur 4) goed opvult.

Andere mogelijkheden zijn opgesputterd glas en door verdamping neergeslagen aluminiumoxyde. Het primaire bescher-mingsmateriaal 6 laat Jjet achterdeel k van de geleiders 3 10 onbedekt waar deze in dikkere "flappen" eindigen van bijvoorbeeld 10 micron bij een dikte van de kop 2 van 50 micron in het geval dat deze een tien-windingen spiraal bevat. In figuur 1 is aangegeven dat de laag 6 aanvankelijk aangebracht was met een dikte die groter is 15 dan die voorgesteld in de constructie na bevestiging van een afdekplaat 7 (figuur 2).

Het is dus nodig deze dikte terug te brengen tot de vereiste waarde, bijvoorbeeld door afslijpen, waarbij het materiaal van de laag 6 tot aan het niveau 10 20 wordt weggenomen. Het doel van deze opstelling kan men begrijpen door de doorsnede uit figuur h te beschouwen die genomen is volgens een vlak loodrecht op het doorsnede vlak van figuren 1 en 2. In figuur h vult het materiaal van de bescherming 6 praktisch de gehele ruimte tussen 25 'het substraat 1 en de afdekplaat 7· De afdekplaat 7> die volgens de uitvinding uit silicium bestaat, kan met behulp van een dunne lijmlaag (ik 2 micron dik) op de laag 6 bevestigd zijn. Als de laag 6 uit gesputterd silicium bestaat kunnen de tegenover elkaar liggende vlakken 30 van de afdekplaat 7 en de laag 6 echter ook met voordeel door middel van een diffusieverbinding aan elkaar gehecht worden, waartoe op tenminste één van de genoemde vlakken eerst een metallisch laagje (bijvoorbeeld goud) is aangebracht .

35 Figuur 3 laat zien dat afdekplaatje 7 obk direct op kop 2 gelijmd kan zijn, waarbij de lijm tevens de beschermingslaag 6 vormt. De lijm is in dit geval door middel van capillaire werking tussen afdekplaatje 7 790 86 1 1 PHN 9639 6 en kop 2 gezogen. Deze laatste methode is meer in het bijzonder geschikt als de kop 2 dun is, bijvoorbeeld als het overdrachtselement uit één winding, of uit een magneto-weerstandstripje bestaat. De dikte van de kop 2 is in deze 5 gevallen niet meer dan enkele microns en de lijm kan dan gemakkelijk de holtes tussen naburige koppen vullen. De lijmnaad zelf heeft een dikte van niet meer dan enkele tienden van een micron.

In de figuren 2 en 3 is verder aangegeven dat 10 nadat de af dekplaat is aangebracht een deel van de constructie links van de doorsnedelijn die aangegeven is met 11 door middel van een zaagbewerking^eventueel gevolgd door een slijpbewerking, kan worden verwijderd. Op deze wijze kan van een groot aantal koppen tegelijk (vergelijk figuur 15 k) de spleetdiepte, dat is de afstand waarover de mag-netiseerbare lagen 8 en 9 elkaar aan de linkerzijde van de constructie overlappen, op een uniforme waarde ingesteld worden. De afdekplaat maakt zogenaamd "bedekt” zagen mogelijk. Hierdoor kan de zaagsnede dicht bij het uiteindelijk 20 gewenste voorvlak van de koppen aangebracht worden zonder dat voor uitbrokkelingen behoeft te worden gevreesd. En hoe dichter de zaagsnede bij het uiteindelijke voorvlak ligt, hoe korter er na het zagen gepolijst behoeft te worden om het voorvlak af te werken.

25 Aan de hand van figuur 5 wordt vervolgens uit eengezet wat voor een bijzondere rol het afdekplaatje bij de werkwijze volgens de uitvinding speelt.

Op een substraat 12, bij voorkeur een plak silicium van enkele mm (bijvoorbeeld 2 mm) dik worden rijen 30 13» 13' enzovoorts van elektromagnetische overdrachtsele menten aangebracht. Op de overdrachtselementen wordt een afdekplaat 14 van silicium gedrukt. Deze heeft eveneens een dikte van enkele mm en is voorzien van groeven zoals aangegeven met 15 die elk precies boven een rij aansluit-35 vlakken zoals aangegeven met 16 liggen. Er wordt nu een hechtmiddel toegevoerd dat capillair tussen de plaat 14 en de overdrachtselementen wordt gezogen. De groef 15 heeft een zodanige breedte dat gewaarborgd wordt dat het 790 86 1 1 β PHN 9639 7 hech.tmid.de 1 de rij aansluitvlakken 16 niet kan bedekken,,

Om het capillaire inzxigen te vergemakkelijken kan de plaat 14 nog van hulpgroeven 17» 18 enzovoorts zijn voorzien.

Het hechtmiddel vult tevens de holten tussen de afzonder-5 lijke overdrachtselementen. De groeven 15» 17, 18 enzovoorts zijn door middel van een etsstap verkregen. Silicium laat zich goed etsen. Bij gebruik van een conventioneel etsmid-del is de etssnelheid 15 micron per minuut. Bij toepassing van elektro-chemisch etsen kan de etssnelheid zelfs 10 25 micron per minuut bedragen.

Na het kitten van de plaat 14 wordt de constructie langs lijnen 19» 20 enzovoorts, in stroken gezaagd, waarbij elke strook een rij overdrachtselementen bevat.

Omdat de plaat k de buitenste overdrachtselemen-15 ten van de rijen 13, 13' vrijlaat, kunnen deze bij het uitrichten van de zaag dienst dien. In figuur 6 is bij wijze van voorbeeld schematisch een overdrachtselement 22 (in dit geval een schrijfkop) getoond dat zich voor dit uitrichten bijzonder goed leent. Het element 22, dat 20 een enkelvoudige elektrische wikkeling 23, aansluitge- leiders 24 en 25, aansluitvlakken 26 en 27 en een discreet magnetiseerbaar schild 28 omvat, is namelijk aan de voorzijde voorzien van een tweede wikkeling 29 die met twee aansluitvlakken 30 en 31 is verbonden. De wikkeling 29 25 vormt met het ferriet schild 28 een zogenaamde "contra" kop waarmee door middel van inductie gemeten kan worden of, en zo ja, hoe, het overdrachtselement 22 functioneert.

De aansluitvlakken 30 en 31 van de contrakop zijn goed zichtbaar en het is eenvoudig om er een zaagsnede 32 door 30 heen te laten lopen. De afstand 5 van de zaagsnede tot aan het uiteindelijk gewenste kopvoorvlak bedraagt slechts enkele tientallen microns. Bij het op het zagen volgende slijpproces wordt gebruik gemaakt van op het substraat aangebrachte elektrische slijpkenmerken. Op een recorder 35 wordt de weerstand van de slijpkenmerken gevolgd totdat een gewenste weerstand bereikt is. De slijpnauwkeurigheid kan daardoor circa 10 micron zijn.

Nadat de constructie in stroken is gezaagd 790 86 11 ' W- -: ί PHN 9639 8 dienen nog de rijen aansluitvlakken vrijgemaakt te worden om er verbindingsgeleiders aan vast te kunnen maken. Dit vrijmaken gaat zeer eenvoudig door het materiaal boven de groeven zoals aangegeven met 15 geheel of gedeeltelijk 5 door zagen of frezen te verwijderen, waardoor de delen van de plaat 14 links van het weggenomen materiaal 33 los komen.

Na het bevestigen van de verbindingsgeleiders die uit soepele draden kunnen bestaan of uit op een soepele 10 folie aangebrachte geleiderbanen, kunnen de verkregen stroken desgewenst met kunststof worden omhuld en de voorvlakken van een gewenst profiel voorzien.

Een groot aantal geïntegreerde magneetkopconstructies bestasinde uit van af dekplaten voorziene stroken 15 met overdraehtselementen van het in figuur 6 getoonde type zijn op hun bruikbaarheid getoetst. De afvoer van de warmte van de overdraehtselementen bleek door het toepassen van de silicium afdekplaat zo goed, dat de koppen wanneer er een stroom van 1500 mA door de wikkeling gestuurd werd 20 niet doorbrandden, terwijl dit zonder een (in goed warmte-geleidend kontakt met de overdraehtselementen staande) silicium afdekplaat reeds bij een stroom' van 200 mA gebeurt. Temperatuurmetingen lieten ook zien dat zich geen warmte in de overdraehtselementen ophooptes het temperatuur-25 verschil tussen een overdrachtselement en zijn omgeving bedroeg bij een dissipatie van 1,6 Watt ongeveer 3°C> terwijl dit verschil onder dezelfde omstandigheden bij een overdrachtselement zonder silicium afdekplaat al·snel 50°C of meer bedroeg.

33 Opgemerkt kan nog worden dat als materiaal voor het niet-elektrisch geleidende substraat eventueel ferriet gebruikt kan worden. Dit vereenvoudigt de fabricage van de koppen, want een ferriet substraat vervult tevens de rol van de magnetiseerbare laag 8 (figuren 1, 35 2 en 3)» zodat deze niet apart aangebracht behoeft te worden. Zie bijvoorbeeld GB-octrooischrift 1,307,886. Daar ferriet slecht warmte geleidt, (de warmtegeleidingscoëffi-cient is 6x10-^ W/cm °k), is in het geval van toepassing 790 86 11 -¾. ^ PHN- 9639 9 van een ferriet substraat het gebruik van een silicium afdekplaat volgens de uitvinding wel van bijzonder belang om beschadigingen aan de koppen door te hoog oplopen van de temperatuur te voorkomen.

5 Het in figuur 6 getoonde overdrachtselement 22 kan in plaats van een kop van het inductieve type met een wikkeling 23 ook een kop van het magnetoweerstandtype, in welk geval 23 een stripje magnetoweerstandmateriaal aanduidt, voorstellen. Een zijaanzicht van een doorsnede M van een dergelijke magnetoweerstandkop wordt schematisch in figuur 7 getoond. Een substraat 33 draagt een laag mag-netiseerbaar materiaal 3^· die op de plaats 39 magnetisch is gekoppeld met een uit twee delen 35» 36 bestaande discrete, de spoorbreedte definiërende laag van magnetiseerbaar ma— ^ teriaal, de zogenaamde fluxgeleiderv Tussen de delen 35 ®n 36 bevindt zich een spleet die magnetisch gezien overbrugd wordt door een magnetoweerstand 37 waarvan de aansluitgeleiders op de tekening zijn weggelaten. Ook bij deze configuratie kan een contrawikkeling 38, te ver-gelijken met de contrawikkeling 29 in figuur 6 aanwezig zijn. Het deel rechts van de lijn 40 is in de uiteindelijke kop niet meer aanwezig. Het geheel van een (niet-magnetiseerbaar, niet-elektrisch geleidend) substraat 33 met een laag magnetiseerbaar materiaal 3^· kan desgewenst door een nc substraat van ferriet zijn vervangen. In het geval van een geïntegreerde magneetkopconstructie met overdrachtselementen van het magnetoweerstandtype is een goede warmte afvoer door middel van een afdekplaat zoals aangegeven met 14 in figuur 5 van belang omdat door het wrijvend contact 30 van zo'n constructie met een registratiedrager warmte wordt geproduceerd die, als hij niet gelijkmatig wordt afgevoerd, zogenaamde temperatuurruis veroorzaakt. Ook hier is het gebruik van een silicium afdekplaat volgens de uitvinding extra van belang als een ferriet substraat wordt 35 gebruikt.

790 86 11

Claims

1. Geïntegreerde magneetkopconstructie met een aantal ruimtelijk gescheiden elektromagnetische overdrachts-elementen en met een vlak voor magnetische flux koppeling van de overdrachtselementen met een magnetisch registratie- 5 medium, waarbij de constructie een gemeenschappelijk substraat van niet-elektrisch geleidend materiaal omvat met een laagsgewijs gevormd patroon van elektrische geleiders, welk patroon een aantal inductieve en/of mag-netoresistieve elementen, die elk door tenminste twee aan-10 sluitgeleidefs met aansluitvlakken zijn verbonden definieert en met een aantal discrete magnetische lagen, waarbij elk genoemd element met een discrete magnetische laag samenwerkt voor het definiëren van één van de overdrachtselementen, waarbij de overdrachtselementen zijn gesandwiched tussen 15 het substraat en een afdekplaatje van niet-magnetisch, niet-elektrisch geleidend materiaal, met het kenmerk, dat het materiaal van het afdekplaatje uit silicium bestaat en dat het plaatje is aangebracht op een wijze die een goede warmteuitwisseling met de overdrachts-20 elementen waarborgt.

2. Magneetkopconstructie volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het afdekplaatje de aansluitvlakken vrijlaat.

3· Magneetkopconstructie volgens conclusie 1 of 3, 25 waarbij de overdrachtselementen zijn ingebed in een laag beschermingsmateriaal, met het kenmerk, dat het afdekplaatje aan de laag beschermingsmateriaal is gehecht,

4. Magneetkopconstructie volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat het afdekplaatje door middel van 25 een hechtlaag aan de overdrachtselementen is bevestigd.

5· Magneetkopconstructie volgens conclusie 4, met het kenmerk, dat in het oppervlak van het afdekplaatje dat naar de overdrachtselementen is gekeerd een zich dwars op de overdrachtselementen uitstrekkende groef 35 . . , .. r , xs uxtgeetst.

6. Magneetkopconstructie volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat het substraat uit ferriet bestaat. 790 86 11 'Zr ΊΤ PHN 9639 11

7- Magneetkopconstructie volgens conclusie 1, 2 of 6, met het kenmerk, dat het substraat is gesandwiched tussen het afdekplaatje en een steunplaatje uit silicium, waarbij de diktes van het steunplaatje en het hulpplaat-5 je enkele malen groter zijn dan de dikte van het substraat.

8. Magneetkopconstructie volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat het afdekplaatje een dikte heeft van enkele mm, en dat het substraat uit silicium bestaat en althans nagenoeg dezelfde dikte heeft als het afdek- 10 plaatje.

9. Magneetkopconstructie volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat de aansluit vlakken zijn verbonden met soepele verbindingsgeleiders.

10. Werkwijze voor het vervaardigen van een magneet- 10 kopconstructie volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat een substraat wordt verschaft met een aantal in evenwijdige rijen geordende overdrachtselementen en bijbehorende aansluitvlakken, dat een afdekplaat van silicium met een patroon van evenwijdige groeven over de overdrachts-20 elementen wordt aangebracht zodanig dat de groeven boven de aansluitvlakken liggen^ dat het verkregen geheel door middel van tenminste één zaagbewerking in. een aantal strookvormige magneetkopconstructies wordt opgedeeld, dat van de afdekplaatdelen die door de individuele strook-25 vormige magneetkopconstructies worden omvat zoveel materiaal boven de groeven wordt verwijderd, dat de aansluit-vlakken vrijkomen en dat verbindingsgeleiders met de aansluitvlakken worden verbonden.

11. Werkwijze volgens conclusie 9» met het· kenmerk, 30 dat de afdekplaat zodanig wordt aangebracht dat aan tenminste één kant ervan van elke rij overdrachtselementen er tenminste één onbedekt blijft. 35 790 86 11