JP2002208110A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁極部分より発生される、記録媒体の面に垂
直な方向の磁界を大きくでき、且つ記録密度を向上させ
ることができるようにする。 【解決手段】 薄膜磁気ヘッドは、第１の磁性層８およ
び第２の磁性層１４と、第１の磁性層８と第２の磁性層
１４との間に設けられたギャップ層９と、媒体対向面Ａ
ＢＳから離れた位置において第１の磁性層８と第２の磁
性層１４とを磁気的に連結する連結部１２と、一部が第
１の磁性層８および第２の磁性層１４の間に設けられた
薄膜コイル１０とを備えている。第２の磁性層１４は磁
極部分層１４Ａとヨーク部分層１４Ｂとを有している。
薄膜磁気ヘッドは、更に、磁極部分層１４Ａのギャップ
層９とは反対側の面に接する非磁性層１５を備えてい
る。非磁性層１５は、ヘッドの製造工程において磁極部
分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の面がダメージを
受けることを防止し、その面の平坦性を維持させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装
置、磁気テープ装置等の磁気記録再生装置に使用される
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録再生装置における記録方式に
は、信号磁化の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）
とする長手記録方式と、信号磁化の向きを記録媒体の面
に対して垂直な方向とする垂直記録方式とがある。垂直
記録方式は、長手記録方式に比べて、記録媒体の熱揺ら
ぎの影響を受けにくく、高い線記録密度を実現すること
が可能であると言われている。
【０００３】長手記録方式用の薄膜磁気ヘッドは、一般
的に、記録媒体に対向する媒体対向面（エアベアリング
面）と、互いに磁気的に連結され、媒体対向面側におい
てギャップ部を介して互いに対向する磁極部分を含む第
１および第２の磁性層と、少なくとも一部が第１および
第２の磁性層の間に、第１および第２の磁性層に対して
絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた構造
になっている。
【０００４】一方、垂直記録方式用の薄膜磁気ヘッドに
は、長手記録方式用の薄膜磁気ヘッドと同様の構造のリ
ングヘッドと、一つの主磁極によって記録媒体に対して
垂直方向の磁界を印加する単磁極ヘッドとがある。単磁
極ヘッドを用いる場合には、記録媒体としては一般的
に、基板上に軟磁性層と磁気記録層とを積層した２層媒
体が用いられる。
【０００５】ところで、薄膜磁気ヘッドでは、トラック
密度を上げるためにトラック幅の縮小が望まれている。
そして、記録媒体に印加される磁界の強度を低下させる
ことなくトラック幅を縮小するために、磁極部分を含む
磁性層を、磁極部分と、この磁極部分に対して磁気的に
接続されたヨーク部分とに分け、磁極部分の飽和磁束密
度をヨーク部分の飽和磁束密度よりも大きくした薄膜磁
気ヘッドも種々提案されている。
【０００６】上述のように、磁極部分を含む磁性層を、
磁極部分とヨーク部分とに分けた構造の薄膜磁気ヘッド
の例は、特開２０００−５７５２２号公報、特開２００
０−６７４１３号公報、特開平１１−１０２５０６号公
報等に示されている。
【０００７】上記の各公報に示された薄膜磁気ヘッドで
は、いずれも、第１の磁性層と第２の磁性層のうち、記
録媒体の進行方向の前側（薄膜磁気ヘッドを含むスライ
ダにおける空気流出端側）に配置された第２の磁性層
が、磁極部分とヨーク部分とに分けられている。
【０００８】また、上記の各公報に示された薄膜磁気ヘ
ッドでは、いずれも、ヨーク部分は、第１の磁性層と第
２の磁性層との磁気的な接続部分から磁極部分まで、コ
イルを迂回するように配置されている。
【０００９】特開２０００−５７５２２号公報に示され
た薄膜磁気ヘッドでは、第２の磁性層は、主磁性膜と補
助磁性膜とを有している。このヘッドでは、主磁性膜の
媒体対向面側の一部によって磁極部分が構成され、主磁
性膜の他の部分と補助磁性膜とによってヨーク部分が構
成されている。
【００１０】特開２０００−６７４１３号公報に示され
た薄膜磁気ヘッドでは、第２の磁性層は、磁極部分を含
む磁極部分層と、ヨーク部分を含むヨーク部分層とを有
している。磁極部分層は、その後端面（媒体対向面とは
反対側の面）、側面（媒体対向面およびギャップ部の面
に垂直な面）および上面（ギャップ部とは反対側の面）
でヨーク部分層と磁気的に接続されている。
【００１１】特開平１１−１０２５０６号公報に示され
た薄膜磁気ヘッドでは、第２の磁性層は、磁極部分を含
む磁極部分層と、ヨーク部分を含むヨーク部分層とを有
している。磁極部分層は、その側面および上面でヨーク
部分層と磁気的に接続されている。
【００１２】一方、垂直記録方式用の薄膜磁気ヘッドに
関しては、「日経エレクトロニクス２０００年９月２５
日号（ｎｏ．７７９），ｐ．２０６」における図２に、
単磁極ヘッドの構造の一例が示されている。このヘッド
では、主磁極を含む磁性層は単層になっている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】例えば６０ギガビット
／（インチ）2以上のような大きな面記録密度を有する
磁気記録再生装置を実現しようとする場合には、垂直記
録方式を採用することが有望視されている。しかしなが
ら、垂直記録方式に適した薄膜磁気ヘッドであって、６
０ギガビット／（インチ）2以上のような大きな面記録
密度を有する磁気記録再生装置を実現するための性能を
有するヘッドは実現できていない。それは、従来の薄膜
磁気ヘッドが以下で説明するような問題点を有している
ためである。
【００１４】まず、前記の各公報に示された薄膜磁気ヘ
ッドは、いずれも、構造上、長手記録方式用のヘッドで
あり、垂直記録方式には適していない。具体的に説明す
ると、各公報に示された薄膜磁気ヘッドでは、いずれ
も、ギャップ部の厚みが小さいと共にスロートハイトが
短く、ヨーク部分はコイルを迂回するように配置された
構造であるため、磁極部分より発生される、記録媒体の
面に垂直な方向の磁界が小さいという問題点がある。ま
た、前記の各公報に示された薄膜磁気ヘッドでは、いず
れも、第２の磁性層の磁極部分をパターニングするため
のエッチングや磁極部分の形成後の工程の影響で、磁極
部分のギャップ部とは反対側のエッジが湾曲しやすい。
そのため、前記の各公報に示された薄膜磁気ヘッドで
は、記録媒体におけるビットパターン形状に歪みが生
じ、そのため線記録密度を高めることが難しいという問
題点がある。また、前記の各公報に示された薄膜磁気ヘ
ッドでは、いずれも、ヨーク部分はコイルを迂回するよ
うに配置された構造であるため、磁路長が長くなり、そ
のため高周波特性が悪化するという問題点がある。
【００１５】また、特開平１１−１０２５０６号公報に
示された薄膜磁気ヘッドでは、磁極部分層は、その側面
および上面でのみヨーク部分層と磁気的に接続されてい
る。そのため、このヘッドでは、磁極部分層とヨーク部
分層との磁気的な接続部分の面積が小さく、そのため、
この接続部分において磁束が飽和して、媒体対向面にお
いて磁極部分より発生される磁界が小さくなるという問
題点がある。
【００１６】一方、「日経エレクトロニクス２０００年
９月２５日号（ｎｏ．７７９），ｐ．２０６」における
図２に示された薄膜磁気ヘッドでは、主磁極を含む磁性
層は単層になっている。このヘッドでは、媒体対向面に
おける磁性層の厚みを小さくするために、磁性層全体が
薄くなっている。そのため、このヘッドでは、磁性層の
途中で磁束が飽和しやすく、媒体対向面において主磁極
より発生される磁界が小さくなるという問題点がある。
【００１７】ところで、媒体対向面において主磁極の空
気流出側の端部が平坦ではないと、記録媒体におけるビ
ットパターン形状が歪むため、線記録密度が低下する。
従って、線記録密度を向上させるためには、媒体対向面
において主磁極の空気流出側の端部が平坦であることが
望ましい。
【００１８】しかしながら、「日経エレクトロニクス２
０００年９月２５日号（ｎｏ．７７９），ｐ．２０６」
における図２に示された薄膜磁気ヘッドでは、媒体対向
面において主磁極の空気流出側の端部を平坦にするに
は、磁性層全体を平坦化しなければならない。そのた
め、このヘッドでは、磁路は四角く、長くなっている。
このような構造は、磁界強度および高周波特性の観点か
ら非効率的である。
【００１９】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、磁極部分より発生される、記録媒体
の面に垂直な方向の磁界を大きくでき、且つ記録密度を
向上させることができるようにした薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、記録媒体に対向する媒体対向面と、媒体対向面側に
おいて記録媒体の進行方向の前後に所定の間隔を開けて
互いに対向するように配置された磁極部分を含むと共
に、媒体対向面から離れた位置において互いに磁気的に
連結された第１および第２の磁性層と、非磁性材料より
なり、第１の磁性層と第２の磁性層との間に設けられた
ギャップ層と、少なくとも一部が第１および第２の磁性
層の間に、第１および第２の磁性層に対して絶縁された
状態で設けられた薄膜コイルとを備え、第２の磁性層
は、磁極部分を含み、媒体対向面における幅がトラック
幅を規定する磁極部分層と、磁極部分と第１の磁性層と
を磁気的に接続するヨーク部分層とを有し、ヨーク部分
層は、磁極部分層の媒体対向面とは反対側の端面、ギャ
ップ層側の面、幅方向の両側面のうちの少なくとも一部
において、磁極部分層に対して磁気的に接続され、更
に、磁極部分層のギャップ層とは反対側の面の全面に接
する非磁性層を備えたものである。
【００２１】本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第２の磁性
層が磁極部分層とヨーク部分層とを有するようにしたの
で、記録媒体に印加される磁界の強度を低下させること
なくトラック幅を縮小することが可能になる。また、本
発明の薄膜磁気ヘッドでは、磁極部分層のギャップ層と
は反対側の面の全面に接する非磁性層を備えているの
で、磁極部分層のギャップ層とは反対側の面が、薄膜磁
気ヘッドの製造工程においてダメージを受けることを防
止でき、その面を平坦に保つことができる。
【００２２】本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、ヨーク
部分層の一部は、非磁性層を介して磁極部分層のギャッ
プ層とは反対側の面に隣接し、非磁性層を介して磁極部
分層に磁気的に接続されていてもよい。
【００２３】また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、
ヨーク部分層のうち非磁性層を介して磁極部分層のギャ
ップ層とは反対側の面に隣接する部分の少なくとも媒体
対向面側の一部における非磁性層とは反対側の面は、媒
体対向面に近づくに従って徐々に非磁性層に近づいてい
てもよい。
【００２４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、
ヨーク部分層のうち非磁性層を介して磁極部分層のギャ
ップ層とは反対側の面に隣接する部分は、非磁性層に接
する直接接続層と、この直接接続層の非磁性層とは反対
側の面の少なくとも一部に接する間接接続層とを含んで
いてもよい。この場合、直接接続層の少なくとも媒体対
向面側の一部における非磁性層とは反対側の面は、媒体
対向面に近づくに従って徐々に非磁性層に近づいていて
もよい。
【００２５】また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、
更に、非磁性層の磁極部分層とは反対側の面に隣接する
第３の磁性層を備えていてもよい。この場合、第３の磁
性層の媒体対向面側の端部は媒体対向面から離れた位置
に配置されていてもよい。また、第３の磁性層の飽和磁
束密度は磁極部分層の飽和磁束密度よりも小さくてもよ
い。
【００２６】また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、
磁極部分層の飽和磁束密度は、ヨーク部分層の飽和磁束
密度以上であってもよい。
【００２７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、更に、
再生素子としての磁気抵抗効果素子を備えていてもよ
い。
【００２８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、
第１の磁性層は記録媒体の進行方向の後側に配置され、
第２の磁性層は記録媒体の進行方向の前側に配置されて
いてもよい。
【００２９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、垂直磁
気記録方式に用いられるものであってもよい。
【００３０】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、記
録媒体に対向する媒体対向面と、媒体対向面側において
記録媒体の進行方向の前後に所定の間隔を開けて互いに
対向するように配置された磁極部分を含むと共に、媒体
対向面から離れた位置において互いに磁気的に連結され
た第１および第２の磁性層と、非磁性材料よりなり、第
１の磁性層と第２の磁性層との間に設けられたギャップ
層と、少なくとも一部が第１および第２の磁性層の間
に、第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
設けられた薄膜コイルとを備え、第２の磁性層は、磁極
部分を含み、媒体対向面における幅がトラック幅を規定
する磁極部分層と、磁極部分と第１の磁性層とを磁気的
に接続するヨーク部分層とを有する薄膜磁気ヘッドを製
造する方法であって、第１の磁性層を形成する工程と、
ギャップ層を形成する工程と、薄膜コイルを形成する工
程と、ヨーク部分層が、磁極部分層の媒体対向面とは反
対側の端面、ギャップ層側の面、幅方向の両側面のうち
の少なくとも一部において、磁極部分層に対して磁気的
に接続されるように、磁極部分層とヨーク部分層とを有
する第２の磁性層を形成すると共に、磁極部分層のギャ
ップ層とは反対側の面の全面に接する非磁性層を形成す
る工程とを備えたものである。
【００３１】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、
第２の磁性層が磁極部分層とヨーク部分層とを有するよ
うにしたので、記録媒体に印加される磁界の強度を低下
させることなくトラック幅を縮小することが可能にな
る。また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、磁
極部分層のギャップ層とは反対側の面の全面に接する非
磁性層を形成するようにしたので、磁極部分層のギャッ
プ層とは反対側の面が、薄膜磁気ヘッドの製造工程にお
いてダメージを受けることを防止でき、その面を平坦に
保つことができる。
【００３２】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、第２の磁性層および非磁性層を形成する工程は、ギ
ャップ層の上に、磁極部分層を構成する材料よりなる被
エッチング層を形成する工程と、被エッチング層の上に
非磁性層を形成する工程と、非磁性層の上に、磁極部分
層の形状に対応したマスクを形成する工程と、マスクを
用いて、非磁性層および被エッチング層をドライエッチ
ングによって選択的にエッチングして、磁極部分層の外
形を決定する工程とを含んでいてもよい。
【００３３】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、第２の磁性層および非磁性層を形成する工程
は、更に、被エッチング層を形成する工程の後で、研磨
により、被エッチング層の上面を平坦化する工程を含ん
でいてもよい。
【００３４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、第２の磁性層および非磁性層を形成する工程
は、更に、被エッチング層を形成する工程の前に、研磨
により、被エッチング層の下地を平坦化する工程を含ん
でいてもよい。
【００３５】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、マスクは、磁性材料によって形成されてもよ
い。この場合、磁極部分層の外形を決定する工程は、マ
スクの少なくとも一部が残るようにエッチングを行って
もよい。また、磁極部分層の外形を決定する工程は、マ
スクのうちのエッチング後に残った部分によって、非磁
性層の磁極部分層とは反対側の面に隣接する第３の磁性
層を形成してもよい。また、磁極部分層の外形を決定す
る工程は、マスクのうちのエッチング後に残った部分に
よって、非磁性層を介して磁極部分層のギャップ層とは
反対側の面に隣接し、非磁性層を介して磁極部分層に磁
気的に接続されるヨーク部分層の一部を形成してもよ
い。
【００３６】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、マスクが磁性材料によって形成され、磁極部
分層の外形を決定する工程においてマスクの少なくとも
一部が残るようにエッチングが行われる場合には、マス
クは、媒体対向面側の一部の幅が他の部分の幅よりも小
さい空隙部を有するフレームを用いた電気めっき法によ
って形成されてもよい。また、磁極部分層の外形を決定
する工程は、マスクのうちの媒体対向面側の一部が完全
に除去され、他の部分が残るように、エッチングを行っ
てもよい。この場合には、媒体対向面側の一部の厚みが
他の部分の厚みよりも小さいマスクを用いてもよい。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。［第１の実施の形
態］図１は本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の構成を示す断面図である。なお、図１は媒体対向面お
よび基板の面に垂直な断面を示している。また、図１に
おいて記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表し
ている。図２は図１に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示
す斜視図である。図３は図２における磁極部分の近傍を
拡大して示す斜視図である。図４は図１に示した薄膜磁
気ヘッドの媒体対向面の一部を示す正面図である。図５
は図４における磁極部分層および非磁性層を拡大して示
す正面図である。
【００３８】図１に示したように、本実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドは、アルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）
等のセラミック材料よりなる基板１と、この基板１の上
に形成されたアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の絶縁材料よりな
る絶縁層２と、この絶縁層２の上に形成された磁性材料
よりなる下部シールド層３と、この下部シールド層３の
上に、絶縁層４を介して形成された再生素子としてのＭ
Ｒ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子５の上に絶
縁層４を介して形成された磁性材料よりなる上部シール
ド層６とを備えている。下部シールド層３および上部シ
ールド層６の厚みは、それぞれ例えば１〜２μｍであ
る。
【００３９】ＭＲ素子５の一端部は、媒体対向面（エア
ベアリング面）ＡＢＳに配置されている。ＭＲ素子５に
は、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大
磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗
効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子
を用いることができる。
【００４０】薄膜磁気ヘッドは、更に、上部シールド層
６の上に形成された非磁性層７と、この非磁性層７の上
に形成された磁性材料よりなる第１の磁性層８と、この
第１の磁性層８の上において薄膜コイル１０を形成すべ
き位置に形成された絶縁層９Ａと、この絶縁層９Ａの上
に形成された薄膜コイル１０と、少なくとも薄膜コイル
１０の巻線間に充填された絶縁層９Ｂとを備えている。
絶縁層９Ａには、媒体対向面ＡＢＳから離れた位置にお
いて、コンタクトホール９ａが形成されている。
【００４１】第１の磁性層８の厚みは例えば１〜２μｍ
である。第１の磁性層８を構成する磁性材料は、例えば
鉄−ニッケル系合金すなわちパーマロイでもよいし、後
述するような高飽和磁束密度材でもよい。
【００４２】絶縁層９Ａは、アルミナ等の非導電性且つ
非磁性の材料よりなり、その厚みは例えば０．１〜１μ
ｍである。
【００４３】薄膜コイル１０は、銅等の導電性の材料よ
りなり、その巻線の厚みは例えば０．３〜２μｍであ
る。薄膜コイル１０の巻数は任意であり、巻線のピッチ
も任意である。ここでは、一例として、薄膜コイル１０
の巻線の厚みを１．３μｍ、巻線の幅を０．８μｍ、巻
線のピッチを１．３μｍ、巻数を８とする。
【００４４】絶縁層９Ｂは、形成時に流動性を有する非
導電性且つ非磁性の材料よりなる。具体的には、絶縁層
９Ｂは、例えば、フォトレジスト（感光性樹脂）のよう
な有機系の非導電性非磁性材料によって形成してもよい
し、塗布ガラスよりなるスピンオングラス（ＳＯＧ）膜
で形成してもよい。
【００４５】薄膜磁気ヘッドは、更に、コンタクトホー
ル９ａが形成された位置において第１の磁性層８の上に
形成された磁性材料よりなる連結部１２と、薄膜コイル
１０、絶縁層９Ａおよび絶縁層９Ｂを覆うように形成さ
れた絶縁層９Ｃとを備えている。薄膜コイル１０は、連
結部１２の回りに巻回されている。
【００４６】連結部１２の形状は、例えば、厚みが２〜
４μｍ、奥行き（媒体対向面ＡＢＳに垂直な方向の長
さ）が２〜１０μｍ、幅が５〜２０μｍである。連結部
１２を構成する磁性材料は、例えば鉄−ニッケル系合金
すなわちパーマロイでもよいし、後述するような高飽和
磁束密度材でもよい。
【００４７】絶縁層９Ｃは、絶縁層９Ｂよりも耐食性、
剛性および絶縁性が優れた非導電性且つ非磁性の材料よ
りなる。このような材料としては、アルミナやシリコン
酸化物（ＳｉＯ2）等の無機系の非導電性非磁性材料を
用いることができる。媒体対向面ＡＢＳにおける絶縁層
９Ａおよび絶縁層９Ｃの合計の厚みは、例えば２〜４μ
ｍである。また、この厚みは、連結部１２の厚み以上と
する。
【００４８】絶縁層９Ａ，９Ｂ，９Ｃは、第１の磁性層
８と後述する第２の磁性層１４との間に設けられるギャ
ップ層９を構成する。
【００４９】薄膜磁気ヘッドは、更に、媒体対向面ＡＢ
Ｓから少なくとも連結部１２まで、絶縁層９Ｃおよび連
結部１２の上に形成された磁性材料よりなる第２の磁性
層１４を備えている。第２の磁性層１４は、磁極部分を
含む磁極部分層１４Ａと、ヨークとなるヨーク部分層１
４Ｂとを有している。磁極部分層１４Ａは、媒体対向面
ＡＢＳから、媒体対向面ＡＢＳと連結部１２との間の所
定の位置にかけて、絶縁層９Ｃの上に形成されている。
ヨーク部分層１４Ｂは、連結部１２の第２の磁性層１４
側の端部（以下、上端部と言う。）と磁極部分層１４Ａ
の媒体対向面ＡＢＳとは反対側の端面（以下、後端面と
言う。）とを磁気的に接続する。また、ヨーク部分層１
４Ｂは、その内部において連結部１２の上端部と磁極部
分層１４Ａの後端面との間を最短距離で結ぶ磁気経路２
０が形成されるような形状を有している。薄膜磁気ヘッ
ドは、更に、磁極部分層１４Ａの上に形成された非磁性
層１５を備えている。ヨーク部分層１４Ｂの媒体対向面
ＡＢＳ側の一部は、非磁性層１５を介して磁極部分層１
４Ａの上面に隣接し、非磁性層１５を介して磁極部分層
１４Ａに磁気的に接続されている。薄膜磁気ヘッドは、
更に、アルミナ等の非導電性且つ非磁性の材料よりな
り、第２の磁性層１４を覆うように形成された保護層１
７を備えている。
【００５０】薄膜コイル１０の第２の磁性層１４側の面
は、媒体対向面ＡＢＳにおけるギャップ層９の第２の磁
性層１４側の端部（絶縁層９Ｃの磁性層１４側の端部）
の位置よりも第１の磁性層８側の位置に配置されてい
る。
【００５１】磁極部分層１４Ａの厚みは、好ましくは
０．１〜０．８μｍであり、更に好ましくは０．３〜
０．８μｍである。ここでは、一例として、磁極部分層
１４Ａの厚みを０．５μｍとする。また、媒体対向面Ａ
ＢＳから磁極部分層１４Ａの後端面までの長さは２μｍ
以上である。ここでは、一例として、この長さを１０μ
ｍとする。
【００５２】図３に示したように、磁極部分層１４Ａ
は、媒体対向面ＡＢＳ側に配置された第１の部分１４Ａ
1と、この第１の部分１４Ａ1よりも媒体対向面ＡＢＳか
ら離れた位置に配置された第２の部分１４Ａ2とを含ん
でいる。第１の部分１４Ａ1は、第２の磁性層１４にお
ける磁極部分となる。第１の磁性層８における磁極部分
は、第１の磁性層８のうちギャップ層９を介して上記第
１の部分１４Ａ1に対向する部分を含む。
【００５３】第１の部分１４Ａ1は、トラック幅と等し
い幅を有している。すなわち、第１の部分１４Ａ1の媒
体対向面ＡＢＳにおける幅がトラック幅を規定してい
る。第２の部分１４Ａ2の幅は、第１の部分１４Ａ1との
境界位置では第１の部分１４Ａ 1の幅と等しく、その位
置から媒体対向面ＡＢＳより遠ざかる程、徐々に大きく
なった後、一定の大きさになっている。ヨーク部分層１
４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の一部は、非磁性層１５を介
して磁極部分層１４Ａの第２の部分１４Ａ2の上に重な
っている。
【００５４】第１の部分１４Ａ1の媒体対向面ＡＢＳに
おける幅、すなわちトラック幅は、好ましくは０．５μ
ｍ以下であり、更に好ましくは０．３μｍ以下である。
ヨーク部分層１４Ｂと重なる部分における第２の部分１
４Ａ2の幅は、第１の部分１４Ａ1の媒体対向面ＡＢＳに
おける幅よりも大きく、例えば２μｍ以上である。
【００５５】ヨーク部分層１４Ｂの厚みは、例えば１〜
２μｍである。ヨーク部分層１４Ｂは、図１に示したよ
うに、磁極部分層１４Ａの後端面に磁気的に接続されて
いると共に、図３に示したように、磁極部分層１４Ａの
幅方向の両側面に磁気的に接続されている。また、ヨー
ク部分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の端部は、媒体対
向面ＡＢＳから例えば１．５μｍ以上離れた位置に配置
されている。
【００５６】磁極部分層１４Ａの飽和磁束密度は、ヨー
ク部分層１４Ｂの飽和磁束密度以上となっている。磁極
部分層１４Ａを構成する磁性材料としては、飽和磁束密
度が１．４Ｔ以上の高飽和磁束密度材を用いるのが好ま
しい。高飽和磁束密度材としては、鉄および窒素原子を
含む材料、鉄、ジルコニアおよび酸素原子を含む材料、
鉄およびニッケル元素を含む材料等を用いることができ
る。具体的には、高飽和磁束密度材としては、例えば、
ＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）、Ｆ
ｅＮやその化合物、Ｃｏ系アモルファス合金、Ｆｅ−Ｃ
ｏ、Ｆｅ−Ｍ（必要に応じてＯ（酸素原子）も含
む。）、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ（必要に応じてＯ（酸素原子）
も含む。）の中のうちの少なくとも１種類を用いること
ができる。ここで、Ｍは、Ｎｉ，Ｎ，Ｃ，Ｂ，Ｓｉ，Ａ
ｌ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｕ（いず
れも化学記号）の中から選択された少なくとも１種類で
ある。
【００５７】ヨーク部分層１４Ｂを構成する磁性材料と
しては、例えば、飽和磁束密度が１．０Ｔ程度となる鉄
およびニッケル元素を含む材料を用いることができる。
このような材料は、耐食性に優れ、且つ磁極部分層１４
Ａを構成する材料よりも高抵抗である。また、このよう
な材料を用いることにより、ヨーク部分層１４Ｂの形成
が容易になる。
【００５８】また、ヨーク部分層１４Ｂを構成する磁性
材料としては、磁極部分層１４Ａを構成する磁性材料と
同じ組成系のものを用いることもできる。この場合に
は、ヨーク部分層１４Ｂの飽和磁束密度を、磁極部分層
１４Ａの飽和磁束密度よりも小さくするために、ヨーク
部分層１４Ｂを構成する磁性材料としては、磁極部分層
１４Ａを構成する磁性材料に比べて、鉄原子の組成比の
小さい材料を用いるのが好ましい。
【００５９】非磁性層１５の平面的な形状は、磁極部分
層１４Ａと同様である。また、非磁性層１５は、媒体対
向面ＡＢＳに露出している。非磁性層１５の厚みは、好
ましくは０．５μｍ以下である。ここでは、一例とし
て、非磁性層１５の厚みを０．３μｍとする。また、非
磁性層１５は、省くことも可能である。
【００６０】非磁性層１５を構成する材料としては、例
えば、チタンまたはタンタルを含む材料（合金および酸
化物を含む。）や、アルミナやシリコン酸化物（ＳｉＯ
2）等の無機系の非導電性非磁性材料を用いることがで
きる。また、磁極部分層１４Ａをドライエッチングによ
って形成する場合には、非磁性層１５を構成する材料と
して、磁極部分層１４Ａを構成する材料、およびギャッ
プ層９のうちの磁極部分層１４Ａに接する絶縁層９Ｃを
構成する材料よりもドライエッチングに対するエッチン
グ速度が小さい材料を用いるのが好ましい。このような
材料としては、例えばチタンまたはタンタルを含む材料
（合金および酸化物を含む。）を用いることができる。
【００６１】図４および図５に示したように、媒体対向
面ＡＢＳに露出する磁極部分層１４Ａの面の形状は、長
方形あるいは記録媒体の進行方向Ｔの後側（スライダに
おける空気流入端側）に配置される下辺が上辺よりも小
さい台形であることが好ましい。また、媒体対向面ＡＢ
Ｓに露出する磁極部分層１４Ａの面における側辺と基板
１の面とのなす角度は８０〜８８゜が好ましい。
【００６２】以上説明したように、本実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面ＡＢ
Ｓと再生ヘッドと記録ヘッドとを備えている。再生ヘッ
ドは、再生素子としてのＭＲ素子５と、媒体対向面ＡＢ
Ｓ側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置さ
れた、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層
３および上部シールド層６を備えている。
【００６３】記録ヘッドは、媒体対向面ＡＢＳ側におい
て記録媒体の進行方向Ｔの前後に所定の間隔を開けて互
いに対向するように配置された磁極部分を含む第１の磁
性層８および第２の磁性層１４と、非磁性材料よりな
り、第１の磁性層８と第２の磁性層１４との間に設けら
れたギャップ層９と、媒体対向面ＡＢＳから離れた位置
において第１の磁性層８と第２の磁性層１４とを磁気的
に連結する連結部１２と、少なくとも一部が第１の磁性
層８および第２の磁性層１４の間に、これらの磁性層
８，１４に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイ
ル１０とを備えている。
【００６４】本実施の形態では、薄膜コイル１０のうち
磁性層８，１４の間に配置された部分の第２の磁性層１
４側の面（図１における上側の面）は、媒体対向面ＡＢ
Ｓにおけるギャップ層９の第２の磁性層１４側の端部
（図１における上側の端部）の位置よりも第１の磁性層
８側（図１における下側）の位置に配置されている。
【００６５】また、第２の磁性層１４は、磁極部分を含
み、媒体対向面ＡＢＳにおける幅がトラック幅を規定す
る磁極部分層１４Ａと、ヨークとなるヨーク部分層１４
Ｂとを有している。磁極部分層１４Ａの飽和磁束密度
は、ヨーク部分層１４Ｂの飽和磁束密度以上になってい
る。ヨーク部分層１４Ｂは、連結部１２の上端部と磁極
部分層１４Ａの後端面とを磁気的に接続している。
【００６６】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、垂
直磁気記録方式に用いるのに適している。この薄膜磁気
ヘッドを垂直磁気記録方式に用いる場合、第２の磁性層
１４の磁極部分層１４Ａにおける第１の部分１４Ａ1が
主磁極となり、第１の磁性層８の磁極部分が補助磁極と
なる。なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを垂直
磁気記録方式に用いる場合には、記録媒体としては２層
媒体と単層媒体のいずれをも使用することが可能であ
る。
【００６７】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
第２の磁性層１４が磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１
４Ｂとを有するようにしているので、磁極部分層１４Ａ
を微細に形成でき、これによりトラック幅を縮小するこ
とが可能になる。更に、ヨーク部分層１４Ｂは、磁極部
分層１４Ａに磁束を導くための十分な体積を有し、ま
た、磁極部分層１４Ａの飽和磁束密度がヨーク部分層１
４Ｂの飽和磁束密度以上となっていることから、第２の
磁性層１４の途中における磁束の飽和を防止することが
できる。これらのことから、本実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドによれば、磁極部分より発生される、記録媒体
の面に垂直な方向の磁界を大きくでき、且つ記録密度を
向上させることができる。
【００６８】また、本実施の形態では、薄膜コイル１０
のうち磁性層８，１４の間に配置された部分の第２の磁
性層１４側の面は、媒体対向面ＡＢＳにおけるギャップ
層９の第２の磁性層１４側の端部の位置および連結部１
２の上端部の位置よりも第１の磁性層８側の位置に配置
されている。そして、ヨーク部分層１４Ｂは、連結部１
２の上端部と磁極部分層１４Ａの後端面とを磁気的に接
続している。従って、ヨーク部分層１４Ｂは、連結部１
２と磁極部分層１４Ａとの間に短い磁気経路で且つ強い
磁気的結合を形成することができる。
【００６９】これらのことから、本実施の形態によれ
ば、第２の磁性層１４の磁極部分より発生される、記録
媒体の面に垂直な方向の磁界を大きくし、且つ磁路長を
短縮して高周波特性を向上させることが可能になる。磁
極部分層１４Ａに高飽和磁束密度材を用いた場合には、
特に、記録媒体の面に垂直な方向の磁界を大きくするこ
とができ、保磁力の大きな記録媒体への記録も可能とな
る。
【００７０】また、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
では、記録媒体の面に垂直な方向の磁界は長手方向の磁
界よりも大きく、ヘッドが発生する磁気エネルギを効率
よく、記録媒体に伝達することができる。従って、この
薄膜磁気ヘッドによれば、記録媒体の熱揺らぎの影響を
受けにくくして、線記録密度を高めることができる。
【００７１】図１に示したように、本実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドは、第１の磁性層８を記録媒体の進行方
向Ｔの後側（薄膜磁気ヘッドを含むスライダにおける空
気流入端側）に配置し、第２の磁性層１４を記録媒体の
進行方向Ｔの前側（薄膜磁気ヘッドを含むスライダにお
ける空気流出端側）に配置するのが好ましい。このよう
な配置とすることにより、これとは逆の配置の場合に比
べて、垂直磁気記録方式を用いた場合の記録媒体におけ
る磁化反転遷移幅が小さくなり、記録媒体において、よ
り高密度の磁化パターンを形成することができ、その結
果、線記録密度を高めることができる。
【００７２】また、図１に示したように、本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドでは、第２の磁性層１４のヨーク
部分層１４Ｂは、その内部において連結部１２の上端部
と磁極部分層１４Ａの後端面との間を最短距離で結ぶ磁
気経路２０が形成されるような形状を有している。これ
により、特に磁路長を短縮でき、高周波特性を向上させ
ることが可能になる。
【００７３】また、図１に示したように、本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドでは、媒体対向面ＡＢＳにおける
磁極部分層１４Ａと第１の磁性層８との間の距離は、連
結部１２の厚み以上としている。そして、ヨーク部分層
１４Ｂは、磁極部分層１４Ａの後端面との接続位置から
連結部１２との接続位置にかけて、徐々に第１の磁性層
８に近づいている。これにより、特に磁路長を短縮で
き、高周波特性を向上させることが可能になる。
【００７４】また、図１に示したように、本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドでは、ヨーク部分層１４Ｂの少な
くとも一部は、第１の磁性層８側に突出する弧状に形成
されている。これにより、ヨーク部分層１４Ｂの一部
が、薄膜コイル１０に近くなり、薄膜コイル１０によっ
て発生される磁界をヨーク部分層１４Ｂで効率よく吸収
することが可能になる。
【００７５】また、図３に示したように、本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドでは、ヨーク部分層１４Ｂは、磁
極部分層１４Ａの後端面と両側面とに磁気的に接続され
ている。これにより、磁極部分層１４Ａの体積が小さく
ても、ヨーク部分層１４Ｂと磁極部分層１４Ａとの接続
部分の面積を増やすことができ、この接続部分における
磁束の飽和を防止することができる。その結果、磁束を
効率よくヨーク部分層１４Ｂから磁極部分層１４Ａへ導
くことができ、記録媒体に印加される磁界を大きくする
ことができる。
【００７６】また、図１に示したように、本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドでは、ヨーク部分層１４Ｂの媒体
対向面ＡＢＳ側の端部は、媒体対向面ＡＢＳから離れた
位置に配置されている。これにより、ヨーク部分層１４
Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の端部より発生される磁界によ
って記録媒体に情報の書き込みが生じることを防止する
ことができる。
【００７７】また、図３に示したように、本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドでは、磁極部分層１４Ａのヨーク
部分層１４Ｂと接する部分の幅は、磁極部分層１４Ａの
媒体対向面ＡＢＳにおける幅よりも大きくなっている。
これにより、磁極部分層１４Ａのヨーク部分層１４Ｂと
接する部分の面積を大きくすることができ、この部分で
の磁束の飽和を防止することができる。その結果、磁束
を効率よくヨーク部分層１４Ｂから磁極部分層１４Ａへ
導くことができ、且つ磁極部分層１４Ａの媒体対向面Ａ
ＢＳにおける露出面積を小さくすることで、記録媒体に
印加される磁界を大きくすることができる。
【００７８】また、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
において、媒体対向面ＡＢＳから磁極部分層１４Ａの後
端面までの長さを２μｍ以上とすることにより、磁極部
分層１４Ａの厚みや幅を大きくすることなく、磁極部分
層１４Ａのヨーク部分層１４Ｂと接する部分の面積を大
きくして、この部分での磁束の飽和を防止することがで
きる。その結果、磁束を効率よくヨーク部分層１４Ｂか
ら磁極部分層１４Ａへ導くことができる。
【００７９】また、図１に示したように、本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドでは、磁極部分層１４Ａのギャッ
プ層９とは反対側の面に接する非磁性層１５を備えてい
る。非磁性層１５がない場合には、磁極部分層１４Ａを
ドライエッチングによって形成する際や、ヨーク部分層
１４Ｂを電気めっき法によって形成する際に、磁極部分
層１４Ａのギャップ層９とは反対側の面がダメージを受
け、この面に例えば０．１〜０．３μｍ程度の凹凸が生
じる。本実施の形態では、非磁性層１５を設けているこ
とから、磁極部分層１４Ａをドライエッチングによって
形成する際や、ヨーク部分層１４Ｂを電気めっき法によ
って形成する際に、磁極部分層１４Ａのギャップ層９と
は反対側の面がダメージを受けることを防止でき、その
面を平坦にすることができる。特に、本実施の形態で
は、非磁性層１５が媒体対向面ＡＢＳに露出しているの
で、媒体対向面ＡＢＳにおいて、磁極部分層１４Ａのギ
ャップ層９とは反対側の端部を平坦に保つことができ
る。これにより、媒体対向面ＡＢＳにおいて磁極部分層
１４Ａより発生される磁界を、トラックに交差する方向
について均一化することができる。その結果、記録媒体
におけるビットパターン形状の歪みを抑えて、線記録密
度を向上させることができる。
【００８０】また、本実施の形態では、ヨーク部分層１
４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の一部は、非磁性層１５を介
して磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の面に
隣接し、非磁性層１５を介して磁極部分層１４Ａに磁気
的に接続されている。その結果、磁極部分層１４Ａのギ
ャップ層９とは反対側の面からも、非磁性層１５を介し
てヨーク部分層１４Ｂからも磁極部分層１４Ａの媒体対
向面ＡＢＳ側へ磁束を導くことができる。
【００８１】また、非磁性層１５を、磁極部分層１４Ａ
を構成する材料、およびギャップ層９のうちの磁極部分
層１４Ａと接する部分を構成する材料よりもドライエッ
チングに対するエッチング速度が小さい材料で構成した
場合には、磁極部分層１４Ａをドライエッチングによっ
て形成する際に、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは
反対側の面がダメージを受けることを防止することがで
きる。
【００８２】また、図１に示したように、本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイル１０のうち第１
の磁性層８と第２の磁性層１４の間に配置された部分
は、第１の磁性層８と第２の磁性層１４の中間の位置よ
りも第１の磁性層８に近い位置に配置されている。これ
により、第２の磁性層１４よりも体積の大きな第１の磁
性層８によって、薄膜コイル１０から発生する磁界を効
率よく吸収でき、薄膜コイル１０が第２の磁性層１４に
近い場合に比べて、第１の磁性層８および第２の磁性層
１４における磁界の吸収率を高めることができる。
【００８３】また、図１に示したように、本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドでは、ギャップ層９は、形成時に
流動性を有する材料よりなり、少なくとも薄膜コイル１
０の巻線間に充填された第１の部分（絶縁層９Ｂ）と、
この第１の部分よりも耐食性、剛性および絶縁性が優れ
た材料よりなり、薄膜コイル１０および第１の部分を覆
い、第１の磁性層８、第２の磁性層１４および連結部１
２に接する第２の部分（絶縁層９Ａ，９Ｃ）とを有して
いる。ギャップ層９の第２の部分は、媒体対向面ＡＢＳ
に露出している。薄膜コイル１０の巻線間に隙間なく非
磁性材料を充填することは、スパッタリング法では困難
であるが、有機系の材料のように流動性を有する非磁性
材料を用いた場合には容易である。しかし、有機系の材
料は、ドライエッチングに対する耐性、耐食性、耐熱
性、剛性等の点で信頼性に乏しい。本実施の形態では、
上述のように、形成時に流動性を有する材料によって薄
膜コイル１０の巻線間に充填された第１の部分（絶縁層
９Ｂ）を形成し、この第１の部分よりも耐食性、剛性お
よび絶縁性が優れた材料によって、薄膜コイル１０およ
び第１の部分を覆い、第１の磁性層８、第２の磁性層１
４および連結部１２に接する第２の部分（絶縁層９Ａ，
９Ｃ）を形成するようにしたので、薄膜コイル１０の巻
線間に隙間なく非磁性材料を充填でき、且つギャップ層
９の信頼性を高めることができる。
【００８４】また、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
は、再生素子としてのＭＲ素子５を備えている。これに
より、誘導型電磁変換素子を用いて再生を行う場合に比
べて、再生性能を向上させることができる。また、ＭＲ
素子５は、シールド層３，６によってシールドされてい
るので、再生時の分解能を向上させることができる。
【００８５】次に、図６ないし図８を参照して、本実施
の形態に係る薄膜磁気ヘッドの第１の変形例について説
明する。図６は第１の変形例の薄膜磁気ヘッドの構成を
示す断面図である。なお、図６は媒体対向面および基板
の面に垂直な断面を示している。図７は図６に示した薄
膜磁気ヘッドの要部を示す斜視図である。図８は図７に
おける磁極部分の近傍を拡大して示す斜視図である。
【００８６】第１の変形例の薄膜磁気ヘッドでは、図１
に示した薄膜磁気ヘッドに比べて、媒体対向面ＡＢＳか
ら磁極部分層１４Ａの後端面までの長さが短くなってい
る。ここでは、一例として、この長さを５μｍとする。
非磁性層１５の平面的な形状は、磁極部分層１４Ａと同
様である。第１の変形例の薄膜磁気ヘッドのその他の構
成は、図１に示した薄膜磁気ヘッドと同様である。
【００８７】次に、図９を参照して、本実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドの第２の変形例について説明する。図
９は第２の変形例の薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図
である。なお、図９は媒体対向面および基板の面に垂直
な断面を示している。
【００８８】第２の変形例の薄膜磁気ヘッドは、上記第
１の変形例の薄膜磁気ヘッドにおける上部シールド層６
および非磁性層７を省き、第１の磁性層８が上部シール
ド層６を兼ねるようにしたものである。この構成によれ
ば、薄膜磁気ヘッドの構造が簡単になり、製造も簡単に
なる。第２の変形例の薄膜磁気ヘッドのその他の構成
は、第１の変形例の薄膜磁気ヘッドと同様である。
【００８９】次に、図１０ないし図２５を参照して、本
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説
明する。なお、ここでは、図６に示した薄膜磁気ヘッド
を製造する場合を例にとって製造方法を説明するが、図
１に示した薄膜磁気ヘッドを製造する場合も同様であ
る。また、図９に示した薄膜磁気ヘッドを製造する場合
も、上部シールド層６および非磁性層７を形成する工程
が省かれること以外は、以下の説明と同様である。
【００９０】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、基板１の上に絶縁層２を形成する。次
に、絶縁層２の上に下部シールド層３を形成する。な
お、図１０ないし図２５では、基板１および絶縁層２を
省略している。
【００９１】次に、図１０に示したように、下部シール
ド層３の上に、絶縁層４の一部となる絶縁膜を形成し、
この絶縁膜の上にＭＲ素子５と、このＭＲ素子５に接続
される図示しないリードとを形成する。次に、ＭＲ素子
５およびリードを、絶縁層４の他の一部となる新たな絶
縁膜で覆い、ＭＲ素子５およびリードを絶縁層４内に埋
設する。
【００９２】次に、絶縁層４の上に上部シールド層６を
形成し、その上に非磁性層７を形成する。次に、この非
磁性層７の上に、第１の磁性層８を所定の形状に形成す
る。次に、図示しないが、非磁性層７および第１の磁性
層８をアルミナ等の非磁性材料で覆い、第１の磁性層８
が露出するまで非磁性材料を研磨して、第１の磁性層８
の上面を平坦化する。
【００９３】次に、図１１に示したように、第１の磁性
層８の上に、アルミナ等の非導電性且つ非磁性の材料を
スパッタして、絶縁層９Ａを形成する。次に、周知のフ
ォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術とを用い
て、連結部１２を形成すべき位置において、絶縁層９Ａ
にコンタクトホール９ａを形成する。
【００９４】次に、図１２に示したように、周知のフォ
トリソグラフィ技術および成膜技術（例えば電気めっき
法）を用いて、絶縁層９Ａの上に薄膜コイル１０を形成
する。
【００９５】次に、図１３に示したように、周知のフォ
トリソグラフィ技術を用いて、少なくとも薄膜コイル１
０の巻線間に充填される絶縁層９Ｂを形成する。
【００９６】次に、図１４に示したように、周知のフォ
トリソグラフィ技術および成膜技術（例えば電気めっき
法）を用いて、コンタクトホール９ａが形成された位置
において第１の磁性層８の上に連結部１２を形成する。
連結部１２の厚みは、例えば２〜４μｍとする。
【００９７】次に、図１５に示したように、スパッタ法
を用いて、薄膜コイル１０、絶縁層９Ａ、絶縁層９Ｂお
よび連結部１２を覆うように絶縁層９Ｃを形成する。こ
の時点で、絶縁層９Ｃの厚みは、連結部１２の厚み以
上、例えば２〜６μｍとする。
【００９８】次に、図１６に示したように、例えば化学
機械研磨を用いて、連結部１２が露出するまで絶縁層９
Ｃの表面を研磨して、絶縁層９Ｃおよび連結部１２の上
面を平坦化する。この時点で、第１の磁性層８の上面か
ら絶縁層９Ｃおよび連結部１２の上面までの距離は、例
えば２〜４μｍとする。なお、この時点では、必ずしも
連結部１２を露出させる必要はなく、後の工程で露出さ
せてもよい。
【００９９】次に、図１７に示したように、絶縁層９Ｃ
および連結部１２の上に、第２の磁性層１４の磁極部分
層１４Ａを構成する材料よりなる被エッチング層１４Ａ
ｅを形成する。被エッチング層１４Ａｅの厚みは、好ま
しくは０．１〜０．８μｍとし、更に好ましくは０．３
〜０．８μｍとする。被エッチング層１４Ａｅの形成方
法は、電気めっき法でもよいし、スパッタ法でもよい。
被エッチング層１４Ａｅの表面の粗さが大きい場合（例
えば、算術平均粗さＲａが１２オングストローム以上の
場合）の場合は、化学機械研磨等によって被エッチング
層１４Ａｅの表面を研磨して平坦化することが好まし
い。
【０１００】次に、被エッチング層１４Ａｅの上に、非
磁性層１５ｅを形成する。非磁性層１５ｅの厚みは、好
ましくは０．５μｍ以下とする。
【０１０１】次に、図示しないが、非磁性層１５ｅの上
に、スパッタ法により、電気めっき法のための電極層を
形成する。この電極層の厚みは０．１μｍ以下とし、材
料は例えば鉄−ニッケル合金とする。
【０１０２】次に、図１８に示したように、フォトリソ
グラフィ技術を用いて、上記電極層の上に、フォトレジ
ストによって、磁極部分層１４Ａの形状に対応した空隙
部を有するレジストフレーム３１を形成する。次に、こ
のレジストフレーム３１を用いて、電気めっき法（フレ
ームめっき法）によって、上記電極層の上に、磁極部分
層１４Ａの形状に対応したマスク３２となるめっき膜を
形成する。このめっき膜の厚みは１〜４μｍとし、材料
は例えば鉄−ニッケル合金とする。次に、レジストフレ
ーム３１を除去する。
【０１０３】次に、図１９に示したように、マスク３２
を用いて、イオンミリング等のドライエッチング技術に
よって、非磁性層１５ｅおよび被エッチング層１４Ａｅ
をエッチングして、非磁性層１５および磁極部分層１４
Ａの外形を決定する。このとき、マスク３２のうち、少
なくとも媒体対向面ＡＢＳに対応する部分は完全に除去
することが好ましいが、マスク３２が非磁性で、耐食性
等の点で信頼性が十分にあれば、この限りではない。
【０１０４】上記のエッチングにより、図４および図５
に示したように、媒体対向面ＡＢＳに露出する磁極部分
層１４Ａの面の形状を長方形あるいは台形とする。ま
た、上記のエッチングにより、媒体対向面ＡＢＳにおけ
る磁極部分層１４Ａの幅を、トラック幅の規格に一致す
るように規定してもよい。
【０１０５】また、上記のエッチングにより、非磁性層
１５および磁極部分層１４Ａの外形が決定されるのと同
時に、連結部１２が露出する。なお、このときに連結部
１２が露出するように、連結部１２の厚みは予め所望の
厚み以上に大きくしておく。
【０１０６】なお、上述のようにめっき膜によるマスク
３２を形成する代りに、フォトリソグラフィ技術を用い
て、非磁性層１５ｅの上に、フォトレジストによって、
磁極部分層１４Ａの形状に対応したレジストパターンを
形成してもよい。そして、このレジストパターンをマス
クとして、非磁性層１５ｅおよび被エッチング層１４Ａ
ｅをエッチングして、非磁性層１５および磁極部分層１
４Ａの外形を決定すると共に連結部１２を露出させ、そ
の後、レジストパターンを除去してもよい。
【０１０７】次に、図２０に示したように、フォトリソ
グラフィ技術を用いて、フォトレジストによって、磁極
部分層１４Ａおよび非磁性層１５における媒体対向面Ａ
ＢＳ側の一部を覆うレジストカバー３３を形成する。こ
のレジストカバー３３の厚みは、後述するヨーク部分層
形成用のフレームの厚み以下とするのが好ましい。
【０１０８】次に、図２１に示したように、レジストカ
バー３３、磁極部分層１４Ａ（および非磁性層１５）、
絶縁層９Ｃ（ギャップ層９）および連結部１２の上に、
スパッタ法により、電気めっき法のための電極層３４を
形成する。この電極層３４の厚みは０．１μｍ以下と
し、材料は例えば鉄−ニッケル合金とし、下地にＴｉ
（チタン）を成膜してもよい。
【０１０９】次に、図２２に示したように、電極層３４
の上に、フォトレジストによって、ヨーク部分層１４Ｂ
の形状に対応した空隙部を有するレジストフレーム３５
を形成する。
【０１１０】次に、図２３に示したように、レジストフ
レーム３５を用いて、電気めっき法（フレームめっき
法）によって、電極層３４の上にヨーク部分層１４Ｂを
形成する。次に、レジストフレーム３５を除去する。な
お、ヨーク部分層１４Ｂは、リフトオフ法を用いて形成
することも可能であるが、ヨーク部分層１４Ｂの形状を
下地の形状に追従させるためには電気めっき法を用いる
のが最も好ましい。
【０１１１】次に、図２４に示したように、電極層３４
のうち、ヨーク部分層１４Ｂの下に存在する部分以外の
部分をドライエッチングで除去する。
【０１１２】次に、図２５に示したように、レジストカ
バー３３を除去する。次に、第２の磁性層１４を覆うよ
うに保護層１７を形成する。次に、保護層１７の上に配
線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒
体対向面ＡＢＳの研磨、浮上用レールの作製等を行っ
て、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１１３】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法によれば、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドと同
様の作用、効果の他に、以下のような作用、効果が得ら
れる。
【０１１４】本実施の形態では、第２の磁性層１４の磁
極部分層１４Ａを形成する工程は、ギャップ層９および
連結部１２の上に、磁極部分層１４Ａを構成する材料よ
りなる被エッチング層１４Ａｅを形成する工程と、被エ
ッチング層１４Ａｅをドライエッチングによって選択的
にエッチングして、磁極部分層１４Ａの外形を決定する
と共に連結部１２を露出させる工程とを含む。本実施の
形態では、被エッチング層１４Ａｅをドライエッチング
することによって、磁極部分層１４Ａの後端面から連結
部１２の上端部にかけて緩やかな傾斜を持つように、ヨ
ーク部分層１４Ｂの下地の形状が決定される。従って、
この下地の上にヨーク部分層１４Ｂを形成することによ
り、連結部１２と磁極部分層１４Ａとの間を最短距離で
結ぶ磁気経路を形成することが可能になる。
【０１１５】また、本実施の形態において、被エッチン
グ層１４Ａｅを形成する工程の後で、研磨により、被エ
ッチング層１４Ａｅの上面を平坦化した場合には、媒体
対向面ＡＢＳにおいて、磁極部分層１４Ａのギャップ層
９とは反対側の端部を完全に平坦化することができる。
これにより、媒体対向面ＡＢＳにおいて磁極部分層１４
Ａより発生される磁界を、トラックに交差する方向につ
いて均一化することができ、その結果、記録媒体におけ
るビットパターン形状の歪みを抑えて、線記録密度を向
上させることができる。
【０１１６】また、本実施の形態では、被エッチング層
１４Ａｅを形成する工程の前に、研磨により、被エッチ
ング層１４Ａｅの下地となる絶縁層９Ｃおよび連結部１
２の上面を平坦化している。これにより、媒体対向面Ａ
ＢＳにおいて、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の端
部を平坦化することができる。また、被エッチング層１
４Ａｅをスパッタ法によって形成する場合には、被エッ
チング層１４Ａｅの成膜時の膜厚均一性がよいため、媒
体対向面ＡＢＳにおいて、磁極部分層１４Ａのギャップ
層９とは反対側の端部も平坦化することができる。これ
らのことから、媒体対向面ＡＢＳにおいて磁極部分層１
４Ａより発生される磁界を、トラックに交差する方向に
ついて均一化することができ、その結果、記録媒体にお
けるビットパターン形状の歪みを抑えて、線記録密度を
向上させることができる。
【０１１７】また、本実施の形態において、磁極部分層
１４Ａを形成する工程は、被エッチング層１４Ａｅを形
成する工程の後で、被エッチング層１４Ａｅの上に非磁
性層１５ｅを形成する工程と、非磁性層１５ｅの上に、
磁極部分層１４Ａの形状に対応したマスク３２を形成す
る工程とを含み、被エッチング層１４Ａｅをエッチング
する工程は、このマスク３２を用いて、非磁性層１５ｅ
および被エッチング層１４Ａｅをエッチングしてもよ
い。この場合には、被エッチング層１４Ａｅの上面を非
磁性層１５ｅで保護した状態で磁極部分層１４Ａの外形
を決定でき、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対
側の端部の平坦性を維持することが可能になる。
【０１１８】また、マスク３２を形成する工程は、非磁
性層１５ｅの上に、磁極部分層１４Ａの形状に対応した
空隙部を有するレジストフレーム３１を形成し、このレ
ジストフレーム３１の空隙部内にマスク３２を形成して
もよい。この場合には、マスク３２をレジストで形成す
る場合に比べて、ドライエッチングに対する耐性に優れ
たマスク３２を形成することが可能になる。これによ
り、磁極部分層１４Ａを構成する材料がドライエッチン
グに対する耐性に優れている場合でも、マスク３２を用
いたドライエッチングによって磁極部分層１４Ａの外形
を決定することが可能になる。
【０１１９】また、本実施の形態において、ヨーク部分
層１４Ｂを形成する工程は、電気めっき法によってヨー
ク部分層１４Ｂを形成してもよい。この場合には、ヨー
ク部分層１４Ｂを容易に形成できると共に、ヨーク部分
層１４Ｂを、その下地の形状によく追従した形状に形成
することが可能になる。
【０１２０】また、ヨーク部分層１４Ｂを形成する工程
は、磁極部分層１４Ａにおける媒体対向面ＡＢＳ側の一
部を覆うレジストカバー３３を形成する工程と、レジス
トカバー３３、磁極部分層１４Ａ、ギャップ層９および
連結部１２の上に、電気めっき法のための電極層３４を
形成する工程と、電極層３４を用いて、電気めっき法に
よってヨーク部分層１４Ｂを形成する工程とを含んでも
よい。この場合には、磁極部分層１４Ａにおける媒体対
向面ＡＢＳ側の一部の側面に電極層が付着し、残留する
ことを防止することができ、電極層の付着、残留によっ
てトラック幅が大きくなることを防止することができ
る。更に、電極層をドライエッチングによって除去する
際に、エッチングされた材料が磁極部分層１４Ａにおけ
る媒体対向面ＡＢＳ側の一部の側面に付着し、残留して
薄膜磁気ヘッドの信頼性が低下してしまうことを防止す
ることもできる。
【０１２１】［第２の実施の形態］まず、図２６ないし
図２８を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドについて説明する。図２６は本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。な
お、図２６は媒体対向面および基板の面に垂直な断面を
示している。また、図２６において記号Ｔで示す矢印
は、記録媒体の進行方向を表している。図２７は図２６
に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示す斜視図である。図
２８は図２７における磁極部分の近傍を拡大して示す斜
視図である。
【０１２２】図２６に示したように、本実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドは、アルティック（Ａｌ2Ｏ3・Ｔｉ
Ｃ）等のセラミック材料よりなる基板１と、この基板１
の上に形成されたアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の絶縁材料よ
りなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に形成された磁性
材料よりなる下部シールド層３と、この下部シールド層
３の上に、絶縁層４を介して形成された再生素子として
のＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子５の上
に絶縁層４を介して形成された磁性材料よりなる上部シ
ールド層６とを備えている。下部シールド層３および上
部シールド層６の厚みは、それぞれ例えば１〜２μｍで
ある。
【０１２３】ＭＲ素子５の一端部は、媒体対向面（エア
ベアリング面）ＡＢＳに配置されている。ＭＲ素子５に
は、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大
磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗
効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子
を用いることができる。
【０１２４】薄膜磁気ヘッドは、更に、上部シールド層
６の上に形成された非磁性層７と、この非磁性層７の上
に形成された磁性材料よりなる第１の磁性層８と、この
第１の磁性層８の上において薄膜コイル１０を形成すべ
き位置に形成された絶縁層９Ａと、この絶縁層９Ａの上
に形成された薄膜コイル１０と、少なくとも薄膜コイル
１０の巻線間に充填され、媒体対向面ＡＢＳに露出しな
い絶縁層９Ｂとを備えている。絶縁層９Ａには、媒体対
向面ＡＢＳから離れた位置において、コンタクトホール
９ａが形成されている。また、本実施の形態では、絶縁
層９Ｂは、薄膜コイル１０の全体を覆うように形成され
ている。
【０１２５】第１の磁性層８の厚みは例えば１〜２μｍ
である。第１の磁性層８を構成する磁性材料は、例えば
鉄−ニッケル系合金すなわちパーマロイでもよいし、後
述するような高飽和磁束密度材でもよい。
【０１２６】絶縁層９Ａは、アルミナ等の非導電性且つ
非磁性の材料よりなり、その厚みは例えば０．１〜１μ
ｍである。
【０１２７】薄膜コイル１０は、銅等の導電性の材料よ
りなり、その巻線の厚みは例えば０．３〜２μｍであ
る。薄膜コイル１０の巻数は任意であり、巻線のピッチ
も任意である。ここでは、一例として、薄膜コイル１０
の巻線の厚みを１．３μｍ、巻線の幅を０．８μｍ、巻
線のピッチを１．３μｍ、巻数を８とする。また、薄膜
コイル１０は、コンタクトホール９ａの回りに巻回され
ている。
【０１２８】絶縁層９Ｂは、形成時に流動性を有する非
導電性且つ非磁性の材料よりなる。具体的には、絶縁層
９Ｂは、例えば、フォトレジスト（感光性樹脂）のよう
な有機系の非導電性非磁性材料によって形成してもよい
し、塗布ガラスよりなるスピンオングラス（ＳＯＧ）膜
で形成してもよい。
【０１２９】薄膜磁気ヘッドは、更に、絶縁層９Ｂにお
ける媒体対向面ＡＢＳ側の一部から媒体対向面ＡＢＳに
かけて絶縁層９Ａの上に形成され、媒体対向面ＡＢＳに
露出する絶縁層９Ｃを備えている。絶縁層９Ｃは、絶縁
層９Ｂよりも耐食性、剛性および絶縁性が優れた非導電
性且つ非磁性の材料よりなる。このような材料として
は、アルミナやシリコン酸化物（ＳｉＯ2）等の無機系
の非導電性非磁性材料を用いることができる。媒体対向
面ＡＢＳにおける絶縁層９Ａおよび絶縁層９Ｃの合計の
厚みは、例えば３〜６μｍである。
【０１３０】絶縁層９Ａ，９Ｂ，９Ｃは、第１の磁性層
８と後述する第２の磁性層１４との間に設けられるギャ
ップ層９を構成する。
【０１３１】薄膜コイル１０の第２の磁性層１４側の面
は、媒体対向面ＡＢＳにおけるギャップ層９の第２の磁
性層１４側の端部（絶縁層９Ｃの磁性層１４側の端部）
の位置よりも第１の磁性層８側の位置に配置されてい
る。
【０１３２】薄膜磁気ヘッドは、更に、ギャップ層９の
上に形成された磁性材料よりなる第２の磁性層１４と、
アルミナ等の非導電性且つ非磁性の材料よりなり、第２
の磁性層１４を覆うように形成された保護層１７を備え
ている。
【０１３３】第２の磁性層１４は、磁極部分を含む磁極
部分層１４Ａと、ヨークとなるヨーク部分層１４Ｂとを
有している。ヨーク部分層１４Ｂは、第１の磁性層８と
磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面とに接し、これ
らに対して磁気的に接続された第１層１４Ｂ1と、この
第１層１４Ｂ1と磁極部分層１４Ａの媒体対向面ＡＢＳ
とは反対側の端面（以下、後端面と言う。）および幅方
向の両側面とに接し、これらに対して磁気的に接続され
た第２層１４Ｂ2とを含んでいる。
【０１３４】ヨーク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ1は、
コンタクトホール９ａが形成された位置から媒体対向面
ＡＢＳに向けて、絶縁層９Ｃの媒体対向面ＡＢＳとは反
対側の端面の位置まで、第１の磁性層８および絶縁層９
Ｂの上に形成されている。コンタクトホール９ａの位置
における第１層１４Ｂ1の厚みは、絶縁層９Ａと絶縁層
９Ｂの合計の厚みより大きく、例えば３μｍ以上であ
る。第１層１４Ｂ1の媒体対向面ＡＢＳ側の端部は、媒
体対向面ＡＢＳから例えば１．５μｍ以上離れた位置で
あって、磁極部分層１４Ａの後端面よりは媒体対向面Ａ
ＢＳに近い位置に配置されている。ここでは、一例とし
て、第１層１４Ｂ1の媒体対向面ＡＢＳ側の端部と媒体
対向面ＡＢＳとの距離を５μｍとする。第１層１４Ｂ1
を構成する磁性材料は、例えば鉄−ニッケル系合金すな
わちパーマロイでもよいし、後述するような高飽和磁束
密度材でもよい。
【０１３５】ヨーク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ1にお
ける媒体対向面ＡＢＳ側の一部および絶縁層９Ｃの上面
は平坦化されている。磁極部分層１４Ａは、この平坦化
された第１層１４Ｂ1および絶縁層９Ｃの上面の上に形
成されている。従って、ヨーク部分層１４Ｂの第１層１
４Ｂ1は、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面に接
し、これに対し磁気的に接続されている。
【０１３６】薄膜磁気ヘッドは、更に、磁極部分層１４
Ａの上に形成された非磁性層１５を備えている。ヨーク
部分層１４Ｂの第２層１４Ｂ2は、第１層１４Ｂ1および
非磁性層１５の上に配置されている。第２層１４Ｂ
2は、第１層１４Ｂ1と磁極部分層１４Ａの後端面および
幅方向の両側面とに接し、これらに対して磁気的に接続
されている。また、第２層１４Ｂ2の媒体対向面ＡＢＳ
側の一部は、非磁性層１５を介して磁極部分層１４Ａの
上面に隣接し、非磁性層１５を介して磁極部分層１４Ａ
に磁気的に接続されている。ヨーク部分層１４Ｂの第２
層１４Ｂ2の厚みは、例えば０．５〜２μｍである。第
２層１４Ｂ2を構成する磁性材料は、例えば鉄−ニッケ
ル系合金すなわちパーマロイでもよいし、後述するよう
な高飽和磁束密度材でもよい。
【０１３７】磁極部分層１４Ａの厚みは、好ましくは
０．１〜０．８μｍであり、更に好ましくは０．３〜
０．８μｍである。ここでは、一例として、磁極部分層
１４Ａの厚みを０．５μｍとする。また、媒体対向面Ａ
ＢＳから磁極部分層１４Ａの後端面までの長さは２μｍ
以上である。ここでは、一例として、この長さを１０μ
ｍとする。
【０１３８】図２８に示したように、磁極部分層１４Ａ
は、媒体対向面ＡＢＳ側に配置された第１の部分１４Ａ
1と、この第１の部分１４Ａ1よりも媒体対向面ＡＢＳか
ら離れた位置に配置された第２の部分１４Ａ2とを含ん
でいる。第１の部分１４Ａ1は、第２の磁性層１４にお
ける磁極部分となる。第１の磁性層８における磁極部分
は、第１の磁性層８のうちギャップ層９を介して上記第
１の部分１４Ａ1に対向する部分を含む。
【０１３９】第１の部分１４Ａ1は、トラック幅と等し
い幅を有している。すなわち、第１の部分１４Ａ1の媒
体対向面ＡＢＳにおける幅がトラック幅を規定してい
る。第２の部分１４Ａ2の幅は、第１の部分１４Ａ1との
境界位置では第１の部分１４Ａ 1の幅と等しく、その位
置から媒体対向面ＡＢＳより遠ざかる程、徐々に大きく
なった後、一定の大きさになっている。磁極部分層１４
Ａの第２の部分１４Ａ2は、ヨーク部分層１４Ｂの第１
層１４Ｂ1の媒体対向面ＡＢＳ側の一部の上に重なり、
ヨーク部分層１４Ｂの第２層１４Ｂ2の媒体対向面ＡＢ
Ｓ側の一部は、非磁性層１５を介して磁極部分層１４Ａ
の第２の部分１４Ａ2の上に重なっている。
【０１４０】第１の部分１４Ａ1の媒体対向面ＡＢＳに
おける幅、すなわちトラック幅は、好ましくは０．５μ
ｍ以下であり、更に好ましくは０．３μｍ以下である。
ヨーク部分層１４Ｂと重なる部分における第２の部分１
４Ａ2の幅は、第１の部分１４Ａ1の媒体対向面ＡＢＳに
おける幅よりも大きく、例えば２μｍ以上である。
【０１４１】ヨーク部分層１４Ｂの第２層１４Ｂ2の媒
体対向面ＡＢＳ側の端部は、媒体対向面ＡＢＳから例え
ば１．５μｍ以上離れた位置であって、磁極部分層１４
Ａの後端面よりは媒体対向面ＡＢＳに近い位置に配置さ
れている。
【０１４２】また、本実施の形態では、ヨーク部分層１
４Ｂの第２層１４Ｂ2の媒体対向面ＡＢＳとは反対側の
端部は、第１層１４Ｂ1と第１の磁性層８との磁気的な
連結部よりも、媒体対向面ＡＢＳから離れた位置に配置
されている。
【０１４３】磁極部分層１４Ａの飽和磁束密度は、ヨー
ク部分層１４Ｂの飽和磁束密度以上となっている。磁極
部分層１４Ａを構成する磁性材料としては、飽和磁束密
度が１．４Ｔ以上の高飽和磁束密度材を用いるのが好ま
しい。高飽和磁束密度材としては、鉄および窒素原子を
含む材料、鉄、ジルコニアおよび酸素原子を含む材料、
鉄およびニッケル元素を含む材料等を用いることができ
る。具体的には、高飽和磁束密度材としては、例えば、
ＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）、Ｆ
ｅＮやその化合物、Ｃｏ系アモルファス合金、Ｆｅ−Ｃ
ｏ、Ｆｅ−Ｍ（必要に応じてＯ（酸素原子）も含
む。）、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ（必要に応じてＯ（酸素原子）
も含む。）の中のうちの少なくとも１種類を用いること
ができる。ここで、Ｍは、Ｎｉ，Ｎ，Ｃ，Ｂ，Ｓｉ，Ａ
ｌ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｕ（いず
れも化学記号）の中から選択された少なくとも１種類で
ある。
【０１４４】ヨーク部分層１４Ｂを構成する磁性材料と
しては、例えば、飽和磁束密度が１．０Ｔ程度となる鉄
およびニッケル元素を含む材料を用いることができる。
このような材料は、耐食性に優れ、且つ磁極部分層１４
Ａを構成する材料よりも高抵抗である。また、このよう
な材料を用いることにより、ヨーク部分層１４Ｂの形成
が容易になる。
【０１４５】また、ヨーク部分層１４Ｂを構成する磁性
材料としては、磁極部分層１４Ａを構成する磁性材料と
同じ組成系のものを用いることもできる。この場合に
は、ヨーク部分層１４Ｂの飽和磁束密度を、磁極部分層
１４Ａの飽和磁束密度よりも小さくするために、ヨーク
部分層１４Ｂを構成する磁性材料としては、磁極部分層
１４Ａを構成する磁性材料に比べて、鉄原子の組成比の
小さい材料を用いるのが好ましい。
【０１４６】非磁性層１５の平面的な形状は、磁極部分
層１４Ａと同様である。また、非磁性層１５は、媒体対
向面ＡＢＳに露出している。非磁性層１５の厚みは、好
ましくは０．５μｍ以下である。ここでは、一例とし
て、非磁性層１５の厚みを０．３μｍとする。また、非
磁性層１５は、省くことも可能である。
【０１４７】非磁性層１５を構成する材料としては、例
えば、チタンまたはタンタルを含む材料（合金および酸
化物を含む。）や、アルミナやシリコン酸化物（ＳｉＯ
2）等の無機系の非導電性非磁性材料を用いることがで
きる。また、磁極部分層１４Ａをドライエッチングによ
って形成する場合には、非磁性層１５を構成する材料と
して、磁極部分層１４Ａを構成する材料、およびギャッ
プ層９のうちの磁極部分層１４Ａに接する絶縁層９Ｃを
構成する材料よりもドライエッチングに対するエッチン
グ速度が小さい材料を用いるのが好ましい。このような
材料としては、例えばチタンまたはタンタルを含む材料
（合金および酸化物を含む。）を用いることができる。
【０１４８】以上説明したように、本実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面ＡＢ
Ｓと再生ヘッドと記録ヘッドとを備えている。再生ヘッ
ドは、再生素子としてのＭＲ素子５と、媒体対向面ＡＢ
Ｓ側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置さ
れた、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層
３および上部シールド層６を備えている。
【０１４９】記録ヘッドは、媒体対向面ＡＢＳ側におい
て記録媒体の進行方向Ｔの前後に所定の間隔を開けて互
いに対向するように配置された磁極部分を含むと共に、
媒体対向面ＡＢＳから離れた位置において互いに磁気的
に連結された第１の磁性層８および第２の磁性層１４
と、非磁性材料よりなり、第１の磁性層８と第２の磁性
層１４との間に設けられたギャップ層９と、少なくとも
一部が第１の磁性層８および第２の磁性層１４の間に、
これらの磁性層８，１４に対して絶縁された状態で設け
られた薄膜コイル１０とを備えている。
【０１５０】本実施の形態では、薄膜コイル１０のうち
磁性層８，１４の間に配置された部分の第２の磁性層１
４側の面（図２６における上側の面）は、媒体対向面Ａ
ＢＳにおけるギャップ層９の第２の磁性層１４側の端部
（図２６における上側の端部）の位置よりも第１の磁性
層８側（図２６における下側）の位置に配置されてい
る。
【０１５１】また、第２の磁性層１４は、磁極部分を含
み、媒体対向面ＡＢＳにおける幅がトラック幅を規定す
る磁極部分層１４Ａと、ヨークとなり、磁極部分層１４
Ａと第１の磁性層８とを磁気的に接続するヨーク部分層
１４Ｂとを有している。磁極部分層１４Ａの飽和磁束密
度は、ヨーク部分層１４Ｂの飽和磁束密度以上となって
いる。ヨーク部分層１４Ｂは、少なくとも磁極部分層１
４Ａのギャップ層９側の面、後端面および幅方向の両側
面において、磁極部分層１４Ａに対して磁気的に接続さ
れている。
【０１５２】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、垂
直磁気記録方式に用いるのに適している。この薄膜磁気
ヘッドを垂直磁気記録方式に用いる場合、第２の磁性層
１４の磁極部分層１４Ａにおける第１の部分１４Ａ1が
主磁極となり、第１の磁性層８の磁極部分が補助磁極と
なる。なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを垂直
磁気記録方式に用いる場合には、記録媒体としては２層
媒体と単層媒体のいずれをも使用することが可能であ
る。
【０１５３】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
第２の磁性層１４は磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１
４Ｂとを有し、薄膜コイル１０の少なくとも一部の第２
の磁性層１４側の面は、媒体対向面ＡＢＳにおけるギャ
ップ層９の第２の磁性層１４側の端部の位置よりも第１
の磁性層８側の位置に配置され、ヨーク部分層１４Ｂ
は、少なくとも磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の
面、後端面および幅方向の両側面において、磁極部分層
１４Ａに対して磁気的に接続されている。従って、本実
施の形態では、ヨーク部分層１４Ｂは、第１の磁性層８
に対する磁気的な連結部と磁極部分層１４Ａとの間に短
い磁気経路を形成することができ、且つヨーク部分層１
４Ｂを薄膜コイル１０の近くに配置することが可能にな
る。
【０１５４】また、本実施の形態では、磁極部分層１４
Ａの飽和磁束密度は、ヨーク部分層１４Ｂの飽和磁束密
度以上となっている。更に、ヨーク部分層１４Ｂは、少
なくとも磁極部分層１４Ａのギャップ層側の面、後端面
および幅方向の両側面において、磁極部分層１４Ａに対
して磁気的に接続されている。すなわち、ヨーク部分層
１４Ｂと磁極部分層１４Ａとの磁気的な接続部分の面積
が大きい。従って、本実施の形態によれば、第２の磁性
層１４の途中における磁束の飽和を防止することができ
る。
【０１５５】これらのことから、本実施の形態によれ
ば、電磁変換効率を高め、第２の磁性層１４の磁極部分
より発生される、記録媒体の面に垂直な方向の磁界を大
きくし、且つ磁路長を短縮して高周波特性を向上させる
ことが可能になる。磁極部分層１４Ａに高飽和磁束密度
材を用いた場合には、特に、記録媒体の面に垂直な方向
の磁界を大きくすることができ、保磁力の大きな記録媒
体への記録も可能となる。
【０１５６】また、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
では、記録媒体の面に垂直な方向の磁界は長手方向の磁
界よりも大きく、ヘッドが発生する磁気エネルギを効率
よく、記録媒体に伝達することができる。従って、この
薄膜磁気ヘッドによれば、記録媒体の熱揺らぎの影響を
受けにくくして、線記録密度を高めることができる。
【０１５７】図２６に示したように、本実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドは、第１の磁性層８を記録媒体の進行
方向Ｔの後側（薄膜磁気ヘッドを含むスライダにおける
空気流入端側）に配置し、第２の磁性層１４を記録媒体
の進行方向Ｔの前側（薄膜磁気ヘッドを含むスライダに
おける空気流出端側）に配置するのが好ましい。このよ
うな配置とすることにより、これとは逆の配置の場合に
比べて、垂直磁気記録方式を用いた場合の記録媒体にお
ける磁化反転遷移幅が小さくなり、記録媒体において、
より高密度の磁化パターンを形成することができ、その
結果、線記録密度を高めることができる。
【０１５８】また、図２６に示したように、本実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドでは、ヨーク部分層１４Ｂは、
第１の磁性層８と磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の
面とに接し、これらに対して磁気的に接続された第１層
１４Ｂ1と、第１層１４Ｂ1と磁極部分層１４Ａの後端面
および幅方向の両側面とに接し、これらに対して磁気的
に接続された第２層１４Ｂ2とを含む。これにより、ヨ
ーク部分層１４Ｂの形成が容易になる。
【０１５９】また、ヨーク部分層１４Ｂの第２層１４Ｂ
2は、更に、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対
側の面に磁気的に接続されている。これにより、磁極部
分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の面からも、ヨー
ク部分層１４Ｂの第２層１４Ｂ2から磁極部分層１４Ａ
へ磁束を導くことができ、その結果、電磁変換効率を向
上させることができる。
【０１６０】また、図２６に示したように、本実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドでは、ヨーク部分層１４Ｂの第
１層１４Ｂ1および第２層１４Ｂ2の媒体対向面ＡＢＳ側
の各端部は、媒体対向面ＡＢＳから離れた位置に配置さ
れている。これにより、ヨーク部分層１４Ｂの第１層１
４Ｂ1および第２層１４Ｂ2の媒体対向面ＡＢＳ側の各端
部より発生される磁界によって記録媒体に情報の書き込
みが生じることを防止することができる。
【０１６１】また、図２６に示したように、本実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドでは、磁極部分層１４Ａのヨー
ク部分層１４Ｂと接する部分の幅は、磁極部分層１４Ａ
の媒体対向面ＡＢＳにおける幅よりも大きくなってい
る。これにより、磁極部分層１４Ａのヨーク部分層１４
Ｂと接する部分の面積を大きくすることができ、この部
分での磁束の飽和を防止することができる。その結果、
磁束を効率よくヨーク部分層１４Ｂから磁極部分層１４
Ａへ導くことができ、且つ磁極部分層１４Ａの媒体対向
面ＡＢＳにおける露出面積を小さくすることで、記録媒
体に印加される磁界を大きくすることができる。
【０１６２】また、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
において、媒体対向面ＡＢＳから磁極部分層１４Ａの後
端面までの長さは２μｍ以上とすることにより、磁極部
分層１４Ａの厚みや幅を大きくすることなく、磁極部分
層１４Ａのヨーク部分層１４Ｂと接する部分の面積を大
きくして、この部分での磁束の飽和を防止することがで
きる。その結果、磁束を効率よくヨーク部分層１４Ｂか
ら磁極部分層１４Ａへ導くことができる。
【０１６３】また、図２６に示したように、本実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドでは、磁極部分層１４Ａのギャ
ップ層９とは反対側の面に接する非磁性層１５を備えて
いる。これにより、磁極部分層１４Ａをドライエッチン
グによって形成する際や、ヨーク部分層１４Ｂを電気め
っき法によって形成する際に、磁極部分層１４Ａのギャ
ップ層９とは反対側の面がダメージを受けることを防止
でき、その面を平坦にすることができる。特に、本実施
の形態では、非磁性層１５が媒体対向面ＡＢＳに露出し
ているので、媒体対向面ＡＢＳにおいて、磁極部分層１
４Ａのギャップ層９とは反対側の端部を平坦に保つこと
ができる。これにより、媒体対向面ＡＢＳにおいて磁極
部分層１４Ａより発生される磁界を、トラックに交差す
る方向について均一化することができる。その結果、記
録媒体におけるビットパターン形状の歪みを抑えて、線
記録密度を向上させることができる。
【０１６４】また、本実施の形態では、ヨーク部分層１
４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の一部、すなわち第２層１４
Ｂ2の媒体対向面ＡＢＳ側の一部は、非磁性層１５を介
して磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の面に
隣接し、非磁性層１５を介して磁極部分層１４Ａに磁気
的に接続されている。その結果、非磁性層１５を介し
て、ヨーク部分層１４Ｂの一部からも、磁束を磁極部分
層１４Ａの媒体対向面ＡＢＳ側へ導くことができる。
【０１６５】また、非磁性層１５を、磁極部分層１４Ａ
を構成する材料、およびギャップ層９のうちの磁極部分
層１４Ａと接する部分を構成する材料よりもドライエッ
チングに対するエッチング速度が小さい材料で構成した
場合には、磁極部分層１４Ａをドライエッチングによっ
て形成する際に、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは
反対側の面がダメージを受けることを防止することがで
きる。
【０１６６】また、図２６に示したように、本実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイル１０のうち第
１の磁性層８と第２の磁性層１４の間に配置された部分
は、第１の磁性層８と第２の磁性層１４の磁極部分層１
４Ａとの中間の位置よりも第１の磁性層８に近い位置に
配置されている。これにより、第２の磁性層１４よりも
体積の大きな第１の磁性層８によって、薄膜コイル１０
から発生する磁界を効率よく吸収でき、薄膜コイル１０
が第２の磁性層１４に近い場合に比べて、第１の磁性層
８および第２の磁性層１４における磁界の吸収率を高め
ることができる。
【０１６７】また、図２６に示したように、本実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドでは、ギャップ層９は、形成時
に流動性を有する材料よりなり、少なくとも薄膜コイル
１０の巻線間に充填され、媒体対向面ＡＢＳに露出しな
い第１の部分（絶縁層９Ｂ）と、この第１の部分よりも
耐食性、剛性および絶縁性が優れた材料よりなり、媒体
対向面ＡＢＳに露出する第２の部分（絶縁層９Ａ，９
Ｃ）とを有している。第１の部分（絶縁層９Ｂ）は、第
２の部分（絶縁層９Ａ，９Ｃ）とヨーク部分層１４Ｂの
第１層１４Ｂ1とによって完全に覆われている。薄膜コ
イル１０の巻線間に隙間なく非磁性材料を充填すること
は、スパッタリング法では困難であるが、有機系の材料
のように流動性を有する非磁性材料を用いた場合には容
易である。しかし、有機系の材料は、ドライエッチング
に対する耐性、耐食性、耐熱性、剛性等の点で信頼性に
乏しい。本実施の形態では、上述のように、形成時に流
動性を有する材料によって薄膜コイル１０の巻線間に充
填された第１の部分（絶縁層９Ｂ）を形成し、この第１
の部分よりも耐食性、剛性および絶縁性が優れた材料に
よって、第１の部分の一部を覆い、媒体対向面ＡＢＳに
露出する第２の部分（絶縁層９Ａ，９Ｃ）を形成するよ
うにしたので、薄膜コイル１０の巻線間に隙間なく非磁
性材料を充填でき、且つギャップ層９の信頼性を高める
ことができる。
【０１６８】また、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
は、再生素子としてのＭＲ素子５を備えている。これに
より、誘導型電磁変換素子を用いて再生を行う場合に比
べて、再生性能を向上させることができる。また、ＭＲ
素子５は、シールド層３，６によってシールドされてい
るので、再生時の分解能を向上させることができる。
【０１６９】次に、図２９を参照して、本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドの変形例について説明する。図２９
は変形例の薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
なお、図２９は媒体対向面および基板の面に垂直な断面
を示している。
【０１７０】この変形例の薄膜磁気ヘッドは、図２６に
示した薄膜磁気ヘッドにおける上部シールド層６および
非磁性層７を省き、第１の磁性層８が上部シールド層６
を兼ねるようにしたものである。この構成によれば、薄
膜磁気ヘッドの構造が簡単になり、製造も簡単になる。
この変形例の薄膜磁気ヘッドのその他の構成は、図２６
に示した薄膜磁気ヘッドと同様である。
【０１７１】次に、図３０ないし図４２を参照して、本
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説
明する。なお、ここでは、図２６に示した薄膜磁気ヘッ
ドを製造する場合を例にとって製造方法を説明するが、
図２９に示した薄膜磁気ヘッドを製造する場合も、上部
シールド層６および非磁性層７を形成する工程が省かれ
ること以外は、以下の説明と同様である。なお、図３０
ないし図４２では、基板１および絶縁層２を省略してい
る。
【０１７２】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、図１２に示したように、絶縁層９Ａの上に薄
膜コイル１０を形成する工程までは、第１の実施の形態
と同様である。
【０１７３】本実施の形態では、次に、図３０に示した
ように、周知のフォトリソグラフィ技術を用いて、少な
くとも薄膜コイル１０の巻線間に充填される絶縁層９Ｂ
を形成する。ここでは、絶縁層９Ｂは薄膜コイル１０を
完全に覆うように形成しているが、薄膜コイル１０の巻
線間に充填される絶縁層９Ｂを形成した後に、絶縁層９
Ｂとは別に、薄膜コイル１０および絶縁層９Ｂを覆う絶
縁層を形成してもよい。
【０１７４】次に、図３１に示したように、周知のフォ
トリソグラフィ技術および成膜技術（例えば電気めっき
法）を用いて、コンタクトホール９ａが形成された位置
から媒体対向面ＡＢＳに向けて所定の位置まで、第１の
磁性層８および絶縁層９Ｂの上にヨーク部分層１４Ｂの
第１層１４Ｂ1を形成する。この時点で、第１層１４Ｂ1
の形状は、例えば、厚みが３μｍ以上、奥行き（媒体対
向面ＡＢＳに垂直な方向の長さ）が２〜１０μｍ、幅が
５〜２０μｍである。
【０１７５】次に、図３２に示したように、スパッタ法
を用いて、絶縁層９Ａ、絶縁層９Ｂおよびヨーク部分層
１４Ｂの第１層１４Ｂ1を覆うように絶縁層９Ｃを形成
する。この時点で、絶縁層９Ｃの厚みは、第１層１４Ｂ
1の厚み以上とする。
【０１７６】次に、図３３に示したように、例えば化学
機械研磨を用いて、ヨーク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ
1が露出するまで絶縁層９Ｃの表面を研磨して、絶縁層
９Ｃおよび第１層１４Ｂ1の上面を平坦化する。この時
点で、第１の磁性層８の上面から絶縁層９Ｃの上面まで
の距離は、例えば３〜６μｍとする。
【０１７７】次に、図３４に示したように、絶縁層９Ｃ
および第１層１４Ｂ1の上に、第２の磁性層１４の磁極
部分層１４Ａを構成する材料よりなる被エッチング層１
４Ａｅを形成する。被エッチング層１４Ａｅの厚みは、
好ましくは０．１〜０．８μｍとし、更に好ましくは
０．３〜０．８μｍとする。被エッチング層１４Ａｅの
形成方法は、電気めっき法でもよいし、スパッタ法でも
よい。被エッチング層１４Ａｅの表面の粗さが大きい場
合（例えば、算術平均粗さＲａが１２オングストローム
以上の場合）の場合は、化学機械研磨等によって被エッ
チング層１４Ａｅの表面を研磨して平坦化することが好
ましい。
【０１７８】次に、被エッチング層１４Ａｅの上に、非
磁性層１５ｅを形成する。非磁性層１５ｅの厚みは、好
ましくは０．５μｍ以下とする。
【０１７９】次に、図示しないが、非磁性層１５ｅの上
に、スパッタ法により、電気めっき法のための電極層を
形成する。この電極層の厚みは０．１μｍ以下とし、材
料は例えば鉄−ニッケル合金とする。
【０１８０】次に、図３５に示したように、フォトリソ
グラフィ技術を用いて、上記電極層の上に、フォトレジ
ストによって、磁極部分層１４Ａの形状に対応した空隙
部を有するレジストフレーム３１を形成する。次に、こ
のレジストフレーム３１を用いて、電気めっき法（フレ
ームめっき法）によって、上記電極層の上に、磁極部分
層１４Ａの形状に対応したマスク３２となるめっき膜を
形成する。このめっき膜の厚みは１〜４μｍとし、材料
は例えば鉄−ニッケル合金とする。次に、レジストフレ
ーム３１を除去する。
【０１８１】次に、図３６に示したように、マスク３２
を用いて、イオンミリング等のドライエッチング技術に
よって、非磁性層１５ｅおよび被エッチング層１４Ａｅ
をエッチングして、非磁性層１５および磁極部分層１４
Ａを形成する。このとき、マスク３２のうち、少なくと
も媒体対向面ＡＢＳに対応する部分は完全に除去するこ
とが好ましいが、マスク３２が非磁性で、耐食性等の点
で信頼性が十分にあれば、この限りではない。
【０１８２】上記のエッチングにより、図４および図５
に示したように、媒体対向面ＡＢＳに露出する磁極部分
層１４Ａの面の形状を長方形あるいは台形とする。ま
た、上記のエッチングにより、媒体対向面ＡＢＳにおけ
る磁極部分層１４Ａの幅を、トラック幅の規格に一致す
るように規定してもよい。
【０１８３】また、上記のエッチングにより、非磁性層
１５および磁極部分層１４Ａが形成されるのと同時に、
ヨーク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ1が露出する。
【０１８４】なお、上述のようにめっき膜によるマスク
３２を形成する代りに、フォトリソグラフィ技術を用い
て、非磁性層１５ｅの上に、フォトレジストによって、
磁極部分層１４Ａの形状に対応したレジストパターンを
形成してもよい。そして、このレジストパターンをマス
クとして、非磁性層１５ｅおよび被エッチング層１４Ａ
ｅをエッチングして、非磁性層１５および磁極部分層１
４Ａを形成すると共にヨーク部分層１４Ｂの第１層１４
Ｂ1を露出させ、その後、レジストパターンを除去して
もよい。
【０１８５】次に、図３７に示したように、フォトリソ
グラフィ技術を用いて、フォトレジストによって、磁極
部分層１４Ａおよび非磁性層１５における媒体対向面Ａ
ＢＳ側の一部を覆うレジストカバー３３を形成する。こ
のレジストカバー３３の厚みは、後述するヨーク部分層
形成用のフレームの厚み以下とするのが好ましい。
【０１８６】次に、図３８に示したように、レジストカ
バー３３、磁極部分層１４Ａ（および非磁性層１５）、
およびヨーク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ1の上に、ス
パッタ法により、電気めっき法のための電極層３４を形
成する。この電極層３４の厚みは０．１μｍ以下とし、
材料は例えば鉄−ニッケル合金とし、下地にＴｉ（チタ
ン）を成膜してもよい。
【０１８７】次に、図３９に示したように、電極層３４
の上に、フォトレジストによって、ヨーク部分層１４Ｂ
の第２層１４Ｂ2の形状に対応した空隙部を有するレジ
ストフレーム３５を形成する。
【０１８８】次に、図４０に示したように、レジストフ
レーム３５を用いて、電気めっき法（フレームめっき
法）によって、電極層３４の上にヨーク部分層１４Ｂの
第２層１４Ｂ2を形成する。次に、レジストフレーム３
５を除去する。なお、第２層１４Ｂ2は、リフトオフ法
を用いて形成することも可能であるが、第２層１４Ｂ2
の形状を下地の形状に追従させるためには電気めっき法
を用いるのが最も好ましい。
【０１８９】次に、図４１に示したように、電極層３４
のうち、ヨーク部分層１４Ｂの第２層１４Ｂ2の下に存
在する部分以外の部分をドライエッチングで除去する。
【０１９０】次に、図４２に示したように、レジストカ
バー３３を除去する。次に、第２の磁性層１４を覆うよ
うに保護層１７を形成する。次に、保護層１７の上に配
線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒
体対向面ＡＢＳの研磨、浮上用レールの作製等を行っ
て、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１９１】このように、本実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法は、第１の磁性層８を形成する工程
と、薄膜コイル１０の少なくとも一部の第２の磁性層１
４側の面が、媒体対向面ＡＢＳにおけるギャップ層９の
第２の磁性層１４側の端部の位置よりも第１の磁性層８
側の位置に配置され、且つヨーク部分層１４Ｂが、少な
くとも磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面、後端面
および幅方向の両側面において、磁極部分層１４Ａに対
して磁気的に接続されるように、第１の磁性層８の上に
ギャップ層９、薄膜コイル１０および第２の磁性層１４
を形成する工程とを備えている。この薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
と同様の作用、効果が得られる。
【０１９２】また、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法では、第１の磁性層８の上にギャップ層９、
薄膜コイル１０および第２の磁性層１４を形成する工程
は、第１の磁性層８の上に、薄膜コイル１０と、この薄
膜コイル１０を周囲に対して絶縁するギャップ層９の一
部である絶縁層９Ｂとを形成する工程と、第１の磁性層
８および絶縁層９Ｂの上に、ヨーク部分層１４Ｂの第１
層１４Ｂ1を形成する工程と、第１の磁性層８、絶縁層
９Ｂおよび第１層１４Ｂ1の上に、ギャップ層９の他の
一部である絶縁層９Ｃを形成する工程と、第１層１４Ｂ
1が露出するまで、絶縁層９Ｃを研磨して、第１層１４
Ｂ1および絶縁層９Ｃの上面を平坦化する工程と、平坦
化された第１層１４Ｂ1および絶縁層９Ｃの上に、磁極
部分層１４Ａを構成する材料よりなる被エッチング層１
４Ａｅを形成する工程と、被エッチング層１４Ａｅをド
ライエッチングによって選択的にエッチングして、第１
層１４Ｂ1に接する磁極部分層１４Ａの外形を決定する
と共に第１層１４Ｂ1を露出させる工程と、第１層１４
Ｂ1の上に、ヨーク部分層１４Ｂの第２層１４Ｂ2を形成
する工程とを含む。
【０１９３】このように、本実施の形態によれば、磁極
部分層１４Ａを形成する前にヨーク部分層１４Ｂの第１
層１４Ｂ1を形成し、磁極部分層１４Ａを形成した後に
ヨーク部分層１４Ｂの第２層１４Ｂ2を形成するので、
少なくとも磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面、後
端面および幅方向の両側面において磁極部分層１４Ａに
対して磁気的に接続されるヨーク部分層１４Ｂを、容易
に形成することが可能になる。
【０１９４】また、本実施の形態によれば、被エッチン
グ層１４Ａｅを形成する工程の前に、研磨により、被エ
ッチング層１４Ａｅの下地となる絶縁層９Ｃおよびヨー
ク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ1の上面を平坦化してい
る。これにより、媒体対向面ＡＢＳにおいて、磁極部分
層１４Ａのギャップ層９側の端部を平坦化することがで
きる。また、被エッチング層１４Ａｅをスパッタ法によ
って形成する場合には、被エッチング層１４Ａｅの成膜
時の膜厚均一性がよいため、媒体対向面ＡＢＳにおい
て、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の端部
も平坦化することができる。これらのことから、媒体対
向面ＡＢＳにおいて磁極部分層１４Ａより発生される磁
界を、トラックに交差する方向について均一化すること
ができ、その結果、記録媒体におけるビットパターン形
状の歪みを抑えて、線記録密度を向上させることができ
る。
【０１９５】また、本実施の形態において、被エッチン
グ層１４Ａｅを形成する工程の後で、研磨により、被エ
ッチング層１４Ａｅの上面を平坦化した場合には、媒体
対向面ＡＢＳにおいて、磁極部分層１４Ａのギャップ層
９とは反対側の端部を完全に平坦化することができる。
これにより、媒体対向面ＡＢＳにおいて磁極部分層１４
Ａより発生される磁界を、トラックに交差する方向につ
いて均一化することができ、その結果、記録媒体におけ
るビットパターン形状の歪みを抑えて、線記録密度を向
上させることができる。
【０１９６】また、本実施の形態において、磁極部分層
１４Ａを形成する工程は、被エッチング層１４Ａｅを形
成する工程の後で、被エッチング層１４Ａｅの上に非磁
性層１５ｅを形成する工程と、非磁性層１５ｅの上に、
磁極部分層１４Ａの形状に対応したマスク３２を形成す
る工程とを含み、被エッチング層１４Ａｅをエッチング
する工程は、このマスク３２を用いて、非磁性層１５ｅ
および被エッチング層１４Ａｅをエッチングしてもよ
い。この場合には、被エッチング層１４Ａｅの上面を非
磁性層１５ｅで保護した状態で磁極部分層１４Ａの外形
を決定でき、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対
側の端部の平坦性を維持することが可能になる。
【０１９７】また、マスク３２を形成する工程は、非磁
性層１５ｅの上に、磁極部分層１４Ａの形状に対応した
空隙部を有するレジストフレーム３１を形成し、このレ
ジストフレーム３１の空隙部内にマスク３２を形成して
もよい。この場合には、マスク３２をレジストで形成す
る場合に比べて、ドライエッチングに対する耐性に優れ
たマスク３２を形成することが可能になる。これによ
り、磁極部分層１４Ａを構成する材料がドライエッチン
グに対する耐性に優れている場合でも、マスク３２を用
いたドライエッチングによって磁極部分層１４Ａの外形
を決定することが可能になる。
【０１９８】また、本実施の形態において、ヨーク部分
層１４Ｂの第２層１４Ｂ2は、電気めっき法によって形
成してもよい。この場合には、第２層１４Ｂ2を容易に
形成できると共に、第２層１４Ｂ2を、その下地の形状
によく追従した形状に形成することが可能になる。
【０１９９】また、ヨーク部分層１４Ｂの第２層１４Ｂ
2を形成する工程は、磁極部分層１４Ａの媒体対向面Ａ
ＢＳ側の一部を覆うレジストカバー３３を形成する工程
と、レジストカバー３３、磁極部分層１４Ａ（および非
磁性層１５）、およびヨーク部分層１４Ｂの第１層１４
Ｂ1の上に、電気めっき法のための電極層３４を形成す
る工程と、電極層３４を用いて、電気めっき法によって
第２層１４Ｂ2を形成する工程とを含んでもよい。この
場合には、磁極部分層１４Ａの媒体対向面ＡＢＳ側の一
部の側面に電極層が付着し、残留することを防止するこ
とができ、電極層の付着、残留によってトラック幅が大
きくなることを防止することができる。更に、電極層を
ドライエッチングによって除去する際に、エッチングさ
れた材料が磁極部分層１４Ａの媒体対向面ＡＢＳ側の一
部の側面に付着し、残留して薄膜磁気ヘッドの信頼性が
低下してしまうことを防止することもできる。
【０２００】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は第１の実施の形態と同様である。
【０２０１】［第３の実施の形態］次に、図４３および
図４４を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドについて説明する。図４３は本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。な
お、図４３は媒体対向面および基板の面に垂直な断面を
示している。また、図４３において記号Ｔで示す矢印
は、記録媒体の進行方向を表している。図４４は図４３
に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示す斜視図である。
【０２０２】本実施の形態では、第２の実施の形態に比
べて、ヨーク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ1の厚みが小
さくなっている。コンタクトホール９ａの位置における
第１層１４Ｂ1の厚みは、絶縁層９Ａと絶縁層９Ｂの合
計の厚み以下になっている。ただし、コンタクトホール
９ａの位置における第１層１４Ｂ1の厚みは、１μｍ以
上であることが好ましい。
【０２０３】また、本実施の形態では、ヨーク部分層１
４Ｂの第１層１４Ｂ1は、第１の磁性層８との磁気的な
連結部から、媒体対向面ＡＢＳから離れる方向に２μｍ
以上延びている。本実施の形態では、ヨーク部分層１４
Ｂの第１層１４Ｂ1を更に幅方向の両側にも延長するの
が好ましい。
【０２０４】また、本実施の形態では、ヨーク部分層１
４Ｂの第２層１４Ｂ2の媒体対向面ＡＢＳとは反対側の
端部は、第１層１４Ｂ1と第１の磁性層８との磁気的な
連結部よりも、媒体対向面ＡＢＳに近い位置に配置され
ている。ただし、第２層１４Ｂ2の媒体対向面ＡＢＳと
は反対側の端部は、磁極部分層１４Ａの媒体対向面ＡＢ
Ｓとは反対側の端部の位置よりも媒体対向面ＡＢＳから
離れた位置に配置され、好ましくは媒体対向面ＡＢＳか
ら１０μｍ以上離れた位置に配置される。
【０２０５】次に、図４５ないし図５６を参照して、本
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説
明する。
【０２０６】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、図３０に示したように、絶縁層９Ａの上に薄
膜コイル１０および絶縁層９Ｂを形成する工程までは、
第２の実施の形態と同様である。
【０２０７】本実施の形態では、次に、図４５に示した
ように、周知のフォトリソグラフィ技術および成膜技術
（例えば電気めっき法）を用いて、第１の磁性層８およ
び絶縁層９Ｂの上にヨーク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ
1を形成する。この時点で、第１層１４Ｂ1の形状は、例
えば、厚みが１〜４μｍ、奥行きが２〜１０μｍ、幅が
５〜２０μｍである。
【０２０８】次に、図４６に示したように、スパッタ法
を用いて、絶縁層９Ａ、絶縁層９Ｂおよびヨーク部分層
１４Ｂの第１層１４Ｂ1を覆うように絶縁層９Ｃを形成
する。この時点で、絶縁層９Ｃの厚みは、第１層１４Ｂ
1の厚み以上とする。
【０２０９】次に、図４７に示したように、例えば化学
機械研磨を用いて、ヨーク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ
1が露出するまで絶縁層９Ｃの表面を研磨して、絶縁層
９Ｃおよび第１層１４Ｂ1の上面を平坦化する。この時
点で、第１の磁性層８の上面から絶縁層９Ｃの上面まで
の距離は、例えば３〜６μｍとする。
【０２１０】次に、図４８に示したように、絶縁層９Ｃ
および第１層１４Ｂ1の上に、第２の磁性層１４の磁極
部分層１４Ａを構成する材料よりなる被エッチング層１
４Ａｅを形成する。被エッチング層１４Ａｅの厚みは、
好ましくは０．１〜０．８μｍとし、更に好ましくは
０．３〜０．８μｍとする。被エッチング層１４Ａｅの
形成方法は、電気めっき法でもよいし、スパッタ法でも
よい。被エッチング層１４Ａｅの表面の粗さが大きい場
合（例えば、算術平均粗さＲａが１２オングストローム
以上の場合）の場合は、化学機械研磨等によって被エッ
チング層１４Ａｅの表面を研磨して平坦化することが好
ましい。
【０２１１】次に、被エッチング層１４Ａｅの上に、非
磁性層１５ｅを形成する。非磁性層１５ｅの厚みは、好
ましくは０．５μｍ以下とする。
【０２１２】次に、図示しないが、非磁性層１５ｅの上
に、スパッタ法により、電気めっき法のための電極層を
形成する。この電極層の厚みは０．１μｍ以下とし、材
料は例えば鉄−ニッケル合金とする。
【０２１３】次に、図４９に示したように、フォトリソ
グラフィ技術を用いて、上記電極層の上に、フォトレジ
ストによって、磁極部分層１４Ａの形状に対応した空隙
部を有するレジストフレーム３１を形成する。次に、こ
のレジストフレーム３１を用いて、電気めっき法（フレ
ームめっき法）によって、上記電極層の上に、磁極部分
層１４Ａの形状に対応したマスク３２となるめっき膜を
形成する。このめっき膜の厚みは１〜４μｍとし、材料
は例えば鉄−ニッケル合金とする。次に、レジストフレ
ーム３１を除去する。
【０２１４】次に、図５０に示したように、マスク３２
を用いて、イオンミリング等のドライエッチング技術に
よって、非磁性層１５ｅおよび被エッチング層１４Ａｅ
をエッチングして、非磁性層１５および磁極部分層１４
Ａを形成する。このとき、マスク３２のうち、少なくと
も媒体対向面ＡＢＳに対応する部分は完全に除去するこ
とが好ましいが、マスク３２が非磁性で、耐食性等の点
で信頼性が十分にあれば、この限りではない。また、こ
のエッチングにより、非磁性層１５および磁極部分層１
４Ａが形成されるのと同時に、ヨーク部分層１４Ｂの第
１層１４Ｂ1が露出する。
【０２１５】なお、上述のようにめっき膜によるマスク
３２を形成する代りに、フォトリソグラフィ技術を用い
て、非磁性層１５ｅの上に、フォトレジストによって、
磁極部分層１４Ａの形状に対応したレジストパターンを
形成してもよい。そして、このレジストパターンをマス
クとして、非磁性層１５ｅおよび被エッチング層１４Ａ
ｅをエッチングして、非磁性層１５および磁極部分層１
４Ａを形成すると共にヨーク部分層１４Ｂの第１層１４
Ｂ1を露出させ、その後、レジストパターンを除去して
もよい。
【０２１６】次に、図５１に示したように、フォトリソ
グラフィ技術を用いて、フォトレジストによって、磁極
部分層１４Ａおよび非磁性層１５における媒体対向面Ａ
ＢＳ側の一部を覆うレジストカバー３３を形成する。こ
のレジストカバー３３の厚みは、後述するヨーク部分層
形成用のフレームの厚み以下とするのが好ましい。
【０２１７】次に、図５２に示したように、レジストカ
バー３３、磁極部分層１４Ａ（および非磁性層１５）、
およびヨーク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ1の上に、ス
パッタ法により、電気めっき法のための電極層３４を形
成する。この電極層３４の厚みは０．１μｍ以下とし、
材料は例えば鉄−ニッケル合金とし、下地にＴｉ（チタ
ン）を成膜してもよい。
【０２１８】次に、図５３に示したように、電極層３４
の上に、フォトレジストによって、ヨーク部分層１４Ｂ
の第２層１４Ｂ2の形状に対応した空隙部を有するレジ
ストフレーム３５を形成する。
【０２１９】次に、図５４に示したように、レジストフ
レーム３５を用いて、電気めっき法（フレームめっき
法）によって、電極層３４の上にヨーク部分層１４Ｂの
第２層１４Ｂ2を形成する。次に、レジストフレーム３
５を除去する。
【０２２０】次に、図５５に示したように、電極層３４
のうち、ヨーク部分層１４Ｂの第２層１４Ｂ2の下に存
在する部分以外の部分をドライエッチングで除去する。
【０２２１】次に、図５６に示したように、レジストカ
バー３３を除去する。次に、第２の磁性層１４を覆うよ
うに保護層１７を形成する。次に、保護層１７の上に配
線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒
体対向面ＡＢＳの研磨、浮上用レールの作製等を行っ
て、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０２２２】なお、本実施の形態においても、図２９に
示した薄膜磁気ヘッドと同様に、上部シールド層６およ
び非磁性層７を省き、第１の磁性層８が上部シールド層
６を兼ねるようにしてもよい。本実施の形態におけるそ
の他の構成、作用および効果は、第２の実施の形態と同
様である。
【０２２３】［第４の実施の形態］次に、図５７および
図５８を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドについて説明する。図５７は本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。な
お、図５７は媒体対向面および基板の面に垂直な断面を
示している。また、図５７において記号Ｔで示す矢印
は、記録媒体の進行方向を表している。図５８は図５７
に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示す斜視図である。
【０２２４】本実施の形態では、ヨーク部分層１４Ｂの
第１層１４Ｂ1の上面は、ギャップ層９の上面と共に平
坦化され、これらは同一の平面を形成している。本実施
の形態では、この平坦化された第１層１４Ｂ1およびギ
ャップ層９の上に、磁極部分層１４Ａが形成され、更に
その上に非磁性層１５が形成されている。本実施の形態
では、磁極部分層１４Ａおよび非磁性層１５の媒体対向
面ＡＢＳとは反対側の部分は、第１の磁性層８と第１層
１４Ｂ1との磁気的な連結部よりも、媒体対向面ＡＢＳ
から離れた位置まで延びている。
【０２２５】また、ヨーク部分層１４Ｂの第２層１４Ｂ
2の媒体対向面ＡＢＳとは反対側の部分は、磁極部分層
１４Ａおよび非磁性層１５の媒体対向面ＡＢＳとは反対
側の端部の近傍の位置まで延びている。本実施の形態で
は、第２層１４Ｂ2は、磁極部分層１４Ａに対して、そ
の後端部では接しておらず、その幅方向の両側面におい
てのみ接している。なお、第２層１４Ｂ2は、非磁性層
１５を介して、磁極部分層１４Ａの上面に対して磁気的
に接続されている。従って、本実施の形態では、ヨーク
部分層１４Ｂは、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の
面および幅方向の両側面において、磁極部分層１４Ａに
対して直接、接して磁気的に接続され、且つ非磁性層１
５を介して磁極部分層１４Ａの上面に対して磁気的に接
続されている。
【０２２６】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、第２の実施の形態と同様である。
【０２２７】なお、本実施の形態においても、図２９に
示した薄膜磁気ヘッドと同様に、上部シールド層６およ
び非磁性層７を省き、第１の磁性層８が上部シールド層
６を兼ねるようにしてもよい。本実施の形態におけるそ
の他の構成、作用および効果は、第２の実施の形態と同
様である。
【０２２８】［第５の実施の形態］次に、図５９ないし
図６１を参照して、本発明の第５の実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドについて説明する。図５９は本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。な
お、図５９は媒体対向面および基板の面に垂直な断面を
示している。また、図５９において記号Ｔで示す矢印
は、記録媒体の進行方向を表している。図６０は図５９
に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示す斜視図である。図
６１は図５９に示した薄膜磁気ヘッドの変形例の要部を
示す斜視図である。なお、図６０および図６１では、ギ
ャップ層９および薄膜コイル１０を省略している。
【０２２９】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、第
３の実施の形態におけるヨーク部分層１４Ｂの第２層１
４Ｂ2を省いた構成になっている。すなわち、本実施の
形態におけるヨーク部分層１４Ｂは、第３の実施の形態
におけるヨーク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ1と同様の
形状をなしている。従って、本実施の形態では、ヨーク
部分層１４Ｂは、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の
面において磁極部分層１４Ａに対して磁気的に接続され
ており、ヨーク部分層１４Ｂと磁極部分層１４Ａとの接
続部分の少なくとも一部は、第１の磁性層８とヨーク部
分層１４Ｂとの接続部分よりも媒体対向面ＡＢＳ側の位
置に配置されている。
【０２３０】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、第３の実施の形態において、第２層１４Ｂ2を
形成する工程を省いたものとなる。
【０２３１】本実施の形態では、ヨーク部分層１４Ｂの
第１の磁性層８とは反対側の面のうち磁極部分層１４Ａ
と接しない部分は、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側
の面よりも第１の磁性層８側に配置されている。また、
ヨーク部分層１４Ｂの第１の磁性層８とは反対側の面の
少なくとも一部は、磁極部分層１４Ａから離れるに従っ
て徐々に第１の磁性層８に近づいている。このようなヨ
ーク部分層１４Ｂの第１の磁性層８とは反対側の面の形
状は、磁極部分層１４Ａを形成する際のエッチングによ
って決定される。
【０２３２】なお、図６０は、ヨーク部分層１４Ｂを、
第２の実施の形態におけるヨーク部分層１４Ｂの第１層
１４Ｂ1と同様の形状とした場合を示している。これに
対し、図６１は、絶縁層９Ｂの厚みを第２の実施の形態
よりも大きくして、ヨーク部分層１４Ｂの媒体対向面Ａ
ＢＳ側の一部における厚みを、図６０の場合よりも薄く
した場合を示している。
【０２３３】本実施の形態では、ヨーク部分層１４Ｂを
上記のような形状としたことにより、ヨーク部分層１４
Ｂの体積を過剰に大きくすることなく、ヨーク部分層１
４Ｂによって磁極部分層１４Ａと第１の磁性層８とを短
い距離で磁気的に接続することが可能になる。
【０２３４】また、本実施の形態では、ヨーク部分層１
４Ｂが１層で構成されるため、他の実施の形態に比べて
薄膜磁気ヘッドの構造および製造が簡単になる。
【０２３５】なお、本実施の形態においても、図２９に
示した薄膜磁気ヘッドと同様に、上部シールド層６およ
び非磁性層７を省き、第１の磁性層８が上部シールド層
６を兼ねるようにしてもよい。本実施の形態におけるそ
の他の構成、作用および効果は、第３の実施の形態と同
様である。
【０２３６】[第６の実施の形態]次に、図６２および図
６３を参照して、本発明の第６の実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドについて説明する。図６２は本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。なお、
図６２は媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示し
ている。また、図６２において記号Ｔで示す矢印は、記
録媒体の進行方向を表している。図６３は図６２に示し
た薄膜磁気ヘッドの要部を示す斜視図である。なお、図
６３では、ギャップ層９および薄膜コイル１０を省略し
ている。
【０２３７】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、第
５の実施の形態における非磁性層１５の上に、磁性材料
よりなる第３の磁性層１６を設けた構成になっている。
第３の磁性層１６の媒体対向面ＡＢＳ側の端部は、媒体
対向面ＡＢＳから離れた位置に配置されている。また、
第３の磁性層１６の媒体対向面ＡＢＳ側の一部における
非磁性層１５とは反対側の面は、媒体対向面ＡＢＳに近
づくに従って徐々に非磁性層１５に近づいている。
【０２３８】次に、図６４ないし図６６を参照して、本
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説
明する。
【０２３９】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、図４８に示したように、被エッチング層１４
Ａｅの上に非磁性層１５ｅを形成する工程までは、第３
の実施の形態と同様である。本実施の形態では、次に、
図示しないが、非磁性層１５ｅの上に、スパッタ法によ
り、電気めっき法のための電極層を形成する。この電極
層の厚みは０．１μｍ以下とし、材料は例えば鉄−ニッ
ケル合金とする。
【０２４０】次に、図６４に示したように、フォトリソ
グラフィ技術を用いて、上記電極層の上に、フォトレジ
ストによって、磁極部分層１４Ａの形状に対応した空隙
部を有するレジストフレーム３１を形成する。本実施の
形態におけるレジストフレーム３１の形状については、
後で詳しく説明する。
【０２４１】次に、このレジストフレーム３１を用い
て、電気めっき法（フレームめっき法）によって、上記
電極層の上に、磁極部分層１４Ａの形状に対応したマス
ク１６Ｍとなるめっき膜を形成する。本実施の形態で
は、このマスク１６Ｍを、鉄−ニッケル合金等の磁性材
料によって形成する。このマスク１６Ｍの形状について
は後で詳しく説明する。次に、レジストフレーム３１を
除去する。
【０２４２】次に、図６５に示したように、マスク１６
Ｍを用いて、イオンミリング等のドライエッチング技術
によって、非磁性層１５ｅおよび被エッチング層１４Ａ
ｅをエッチングして、非磁性層１５および磁極部分層１
４Ａを形成する。このとき、マスク１６Ｍの一部もエッ
チングされる。そして、マスク１６Ｍのうち、エッチン
グ後に残った部分が第３の磁性層１６となる。また、こ
のエッチングにより、非磁性層１５および磁極部分層１
４Ａが形成されるのと同時に、ヨーク部分層１４Ｂの第
１層１４Ｂ1が露出する。
【０２４３】なお、上記のエッチングによってマスク１
６Ｍを完全に除去した場合には、得られる薄膜磁気ヘッ
ドは、第５の実施の形態と同様の構成となる。
【０２４４】次に、図６６に示したように、全体を覆う
ように保護層１７を形成する。次に、保護層１７の上に
配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、
媒体対向面ＡＢＳの研磨、浮上用レールの作製等を行っ
て、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０２４５】次に、図６７を参照して、本実施の形態に
おけるマスク１６Ｍの形状について説明する。図６７に
おいて、（ａ）は媒体対向面ＡＢＳ側から見たマスク１
６Ｍを示し、（ｂ）は媒体対向面ＡＢＳおよび基板に垂
直な面側から見たマスク１６Ｍを示し、（ｃ）基板の上
面側から見たマスク１６Ｍを示している。図６７に示し
たように、マスク１６Ｍは、媒体対向面ＡＢＳ側に配置
された第１の部分１６Ｍａと、この第１の部分１６Ｍａ
の媒体対向面ＡＢＳとは反対側に配置された第２の部分
１６Ｍｂと、この第２の部分１６Ｍｂの媒体対向面ＡＢ
Ｓとは反対側に配置された第３の部分１６Ｍｃとを有し
ている。第１の部分１６Ｍａの幅は第３の部分１６Ｍｃ
の幅よりも小さく、第１の部分１６Ｍａの厚みは第３の
部分１６Ｍｃの厚みよりも小さくなっている。第２の部
分１６Ｍｂの幅および厚みは、第１の部分１６Ｍａとの
境界部分では第１の部分１６Ｍａの幅および厚みと等し
く、第３の部分１６Ｍｃとの境界部分では第３の部分１
６Ｍｃの幅および厚みと等しく、中間の部分では徐々に
幅および厚みが変化している。
【０２４６】図６８は、図６７に示したマスク１６Ｍを
形成するためのレジストフレーム３１の平面図である。
このレジストフレーム３１は、マスク１６Ｍの外形に対
応した空隙部を有している。すなわち、この空隙部は、
それぞれマスク１６Ｍの第１の部分１６Ｍａ、第２の部
分１６Ｍｂ、第３の部分１６Ｍｃの外形に対応した第１
の部分３１Ａ、第２の部分３１Ｂ、第３の部分３１Ｃを
有している。第１の部分３１Ａの幅は第３の部分３１Ｃ
の幅よりも小さく、第２の部分３１Ｂの幅は、第１の部
分３１Ａとの境界部分では第１の部分３１Ａａの幅と等
しく、第３の部分３１Ｃとの境界部分では第３の部分３
１Ｃの幅と等しく、中間の部分では徐々に変化してい
る。
【０２４７】ところで、レジストフレームを用いて電気
めっき法（フレームめっき法）によってめっき膜を形成
する場合、めっき膜の厚みはレジストフレームの空隙部
の幅に依存する。図６９に、レジストフレームの空隙部
の幅とめっき膜の厚み（規格化膜厚）との関係の一例を
示す。この図は、めっき膜をＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量
％，Ｆｅ：２０重量％）で形成した場合の例を示してい
る。この例では、レジストフレームの空隙部の幅が１μ
ｍ以上のときにはめっき膜の厚みはほぼ一定であるが、
空隙部の幅が１μｍ未満のときには、空隙部の幅が小さ
くなるほどめっき膜の厚みも小さくなっている。
【０２４８】従って、例えば、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重
量％，Ｆｅ：２０重量％）によってマスク１６Ｍを形成
する場合には、図６８に示したレジストフレーム３１の
空隙部の第１の部分３１Ａの幅を１μｍ未満とし、第３
の部分３１Ｃの幅を１μｍ以上とすることにより、この
レジストフレーム３１を用いて図６７に示した形状のマ
スク１６Ｍを形成することができる。
【０２４９】図６７に示した形状のマスク１６Ｍを用い
て、イオンミリング等のドライエッチング技術によっ
て、非磁性層１５ｅおよび被エッチング層１４Ａｅをエ
ッチングすると、マスク１６Ｍの一部もエッチングされ
る。マスク１６Ｍのうちの媒体対向面ＡＢＳ側に配置さ
れた第１の部分１６Ｍａの厚みは他の部分よりも小さい
ので、エッチングによって、マスク１６Ｍの媒体対向面
ＡＢＳ側の一部を完全に除去し、他の部分を残すことが
できる。これにより、図６２に示した形状の第３の磁性
層１６を形成することができる。
【０２５０】なお、図６２には、第３の磁性層１６の媒
体対向面ＡＢＳ側の端部が媒体対向面ＡＢＳに露出しな
い例を示したが、図７０または図７１に示したように、
第３の磁性層１６の媒体対向面ＡＢＳ側の端部が媒体対
向面ＡＢＳに露出するようにしてもよい。この場合、図
７０に示したように、第３の磁性層１６の媒体対向面Ａ
ＢＳ側の一部における非磁性層１５とは反対側の面は、
媒体対向面ＡＢＳに近づくに従って徐々に非磁性層１５
に近づくようにしてもよい。あるいは、図７１に示した
ように、第３の磁性層１６の非磁性層１５とは反対側の
面は、非磁性層１５とほぼ一定の距離を保つようにして
もよい。
【０２５１】第３の磁性層１６の媒体対向面ＡＢＳ側の
端部が媒体対向面ＡＢＳに露出する場合には、一旦記録
媒体に書き込まれた情報が第３の磁性層１６側より発生
される磁界によって消されないように、第３の磁性層１
６の飽和磁束密度は磁極部分層１４Ａの飽和磁束密度よ
りも小さいことが好ましい。なお、第３の磁性層１６の
媒体対向面ＡＢＳ側の端部が媒体対向面ＡＢＳに露出し
ないようにした場合には、第３の磁性層１６の飽和磁束
密度を磁極部分層１４Ａの飽和磁束密度よりも小さくし
なくても、一旦記録媒体に書き込まれた情報が第３の磁
性層１６側より発生される磁界によって消されることを
防止することができる。
【０２５２】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
図６２に示したように、磁極部分層１４Ａを経由する磁
路として、２つの磁路１８Ａ，１８Ｂが形成される。磁
路１８Ａは、磁極部分層１４Ａ、記録媒体、第１の磁性
層８およびヨーク部分層１４Ｂを通る。磁路１８Ｂは、
磁極部分層１４Ａ、記録媒体および第３の磁性層１６を
通る。
【０２５３】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
磁極部分層１４Ａにおけるギャップ層９とは反対側に、
非磁性層１５を介して第３の磁性層１６が設けられてい
るので、磁極部分層１４Ａから記録媒体へ流れた磁束の
一部は、記録媒体を介して、第３の磁性層１６に流れ
る。これにより、媒体対向面ＡＢＳにおいて、磁極部分
層１４Ａのギャップ層９とは反対側の端部の近傍に磁界
が集中しやすくなり、この部分における磁界勾配が急峻
になる。従って、本実施の形態によれば、記録媒体にお
けるビットパターン形状の歪みを抑えて、線記録密度を
向上させることができる。
【０２５４】また、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法によれば、磁極部分層１４Ａの外形を決定す
るためのエッチングにおいて使用されるマスク１６Ｍを
磁性材料によって形成したので、ドライエッチングに対
する耐性に優れたマスク１６Ｍを形成することが可能に
なる。これにより、磁極部分層１４Ａを構成する材料が
ドライエッチングに対する耐性に優れている場合でも、
マスク１６Ａを用いたドライエッチングによって磁極部
分層１４Ａの外形を決定することが可能になる。また、
本実施の形態によれば、マスク１６Ｍのうちのエッチン
グ後に残った部分を第３の磁性層１６とすることができ
る。このようにして第３の磁性層１６を設けることによ
り、上述のように、記録媒体におけるビットパターン形
状の歪みを抑えて、線記録密度を向上させることが可能
になる。
【０２５５】ところで、図６７に示したように磁極部分
層１４Ａをドライエッチングによって形成する際のマス
ク１６Ｍの厚みが一様ではなく、マスク１６Ｍの一部の
領域ではマスク１６Ｍの厚み方向の全体がエッチングに
よって除去されるような場合には、マスク１６Ｍの下の
層がダメージを受け、その層に凹凸が生じる。本実施の
形態では、磁極部分層１４Ａの上に非磁性層１５を設
け、この非磁性層１５の上にマスク１６Ｍを形成するの
で、エッチングによって磁極部分層１４Ａのギャップ層
９とは反対側の面がダメージを受けることを防止でき、
その面を平坦にすることができる。
【０２５６】また、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法によれば、図６７に示したように媒体対向面
ＡＢＳ側の一部の厚みが他の部分の厚みよりも小さいマ
スク１６Ｍを用いて、非磁性層１５ｅおよび被エッチン
グ層１４Ａｅをエッチングするようにしたので、容易
に、マスク１６Ｍの媒体対向面ＡＢＳ側の一部が完全に
除去され、他の部分が残るように、エッチングを行うこ
とが可能になる。また、このようにエッチングを行うこ
とにより、媒体対向面ＡＢＳに露出しない第３の磁性層
１６を形成することができ、これにより、第３の磁性層
１６によって記録媒体に対する情報の記録が行われるこ
とを防止することができる。
【０２５７】また、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法によれば、図６８に示したように、媒体対向
面ＡＢＳ側の一部の幅が他の部分の幅よりも小さい空隙
部を有するレジストフレーム３１を用いて、電気めっき
法により、マスク１６Ｍを形成するようにしたので、図
６７に示した形状のマスク１６Ｍを容易に形成すること
ができる。
【０２５８】なお、本実施の形態において、第３の磁性
層１６は、上述のようにマスク１６Ｍのうちのエッチン
グ後に残った部分によって構成せずに、エッチング用の
マスクとは別に設けてもよい。
【０２５９】また、本実施の形態において、第３の磁性
層１６の非磁性層１５とは反対側の面の全体が、媒体対
向面ＡＢＳに近づくに従って徐々に非磁性層１５に近づ
くようにしてもよい。
【０２６０】また、本実施の形態においても、図６に示
した薄膜磁気ヘッドと同様に、上部シールド層６および
非磁性層７を省き、第１の磁性層８が上部シールド層６
を兼ねるようにしてもよい。
【０２６１】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第５の実施の形態と同様である。
【０２６２】[第７の実施の形態]次に、図７２および図
７３を参照して、本発明の第７の実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドについて説明する。図７２は本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。なお、
図７２は媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示し
ている。また、図７２において記号Ｔで示す矢印は、記
録媒体の進行方向を表している。図７３は図７２に示し
た薄膜磁気ヘッドの要部を示す斜視図である。なお、図
７３では、ギャップ層９および薄膜コイル１０を省略し
ている。
【０２６３】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、第
３の実施の形態における非磁性層１５とヨーク部分層１
４Ｂの第２層１４Ｂ2との間に、磁性材料よりなり、ヨ
ーク部分層１４Ｂの第３層１４Ｂ3を設けた構成になっ
ている。第３層１４Ｂ3の媒体対向面ＡＢＳ側の端部
は、媒体対向面ＡＢＳから離れた位置に配置されてい
る。また、第３層１４Ｂ3の媒体対向面ＡＢＳ側の一部
における非磁性層１５とは反対側の面は、媒体対向面Ａ
ＢＳに近づくに従って徐々に非磁性層１５に近づいてい
る。第３層１４Ｂ3は、非磁性層１５に接するので、本
発明における直接接続層に対応し、第２層１４Ｂ2は、
第３層１４Ｂ3の非磁性層１５とは反対側の面の少なく
とも一部に接するので、本発明における間接接続層に対
応する。
【０２６４】次に、図７４ないし図７６を参照して、本
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説
明する。
【０２６５】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、図４８に示したように、被エッチング層１４
Ａｅの上に非磁性層１５ｅを形成する工程までは、第３
の実施の形態と同様である。本実施の形態では、次に、
図示しないが、非磁性層１５ｅの上に、スパッタ法によ
り、電気めっき法のための電極層を形成する。この電極
層の厚みは０．１μｍ以下とし、材料は例えば鉄−ニッ
ケル合金とする。
【０２６６】次に、図７４に示したように、フォトリソ
グラフィ技術を用いて、上記電極層の上に、フォトレジ
ストによって、磁極部分層１４Ａの形状に対応した空隙
部を有するレジストフレーム３１を形成する。本実施の
形態におけるレジストフレーム３１は、第６の実施の形
態と同様に図６８に示したような形状を有している。
【０２６７】次に、このレジストフレーム３１を用い
て、電気めっき法（フレームめっき法）によって、上記
電極層の上に、磁極部分層１４Ａの形状に対応したマス
ク１４Ｍとなるめっき膜を形成する。本実施の形態で
は、このマスク１４Ｍを、鉄−ニッケル合金等の磁性材
料によって形成する。このマスク１４Ｍは、図６７に示
した第６の実施の形態におけるマスク１６Ｍと同様の形
状を有している。次に、レジストフレーム３１を除去す
る。
【０２６８】次に、図７５に示したように、マスク１４
Ｍを用いて、イオンミリング等のドライエッチング技術
によって、非磁性層１５ｅおよび被エッチング層１４Ａ
ｅをエッチングして、非磁性層１５および磁極部分層１
４Ａを形成する。このとき、マスク１４Ｍの一部もエッ
チングされる。そして、マスク１４Ｍのうちのエッチン
グ後に残った部分がヨーク部分層１４Ｂの第３層１４Ｂ
3となる。また、このエッチングにより、非磁性層１５
および磁極部分層１４Ａが形成されるのと同時に、ヨー
ク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ1が露出する。
【０２６９】なお、上記のエッチングによってマスク１
４Ｍを完全に除去した場合には、得られる薄膜磁気ヘッ
ドは、第３の実施の形態と同様の構成となる。
【０２７０】次に、第３の実施の形態における図５１な
いし図５６に示した工程と同様の工程によって、図７６
に示したようにヨーク部分層１４Ｂの第２層１４Ｂ2と
保護層１７とを形成する。次に、保護層１７の上に配線
や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体
対向面ＡＢＳの研磨、浮上用レールの作製等を行って、
薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０２７１】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
ヨーク部分層１４Ｂの第３層１４Ｂ 3の媒体対向面ＡＢ
Ｓ側の一部における非磁性層１５とは反対側の面は、媒
体対向面ＡＢＳに近づくに従って徐々に非磁性層１５に
近づいている。従って、本実施の形態によれば、ヨーク
部分層１４Ｂから非磁性層１５を介して磁極部分層１４
Ａへ流れる磁束を、第３層１４Ｂ3の媒体対向面ＡＢＳ
側の端部近傍で飽和させることなく、効率よく磁極部分
層１４Ａへ導くことが可能になる。
【０２７２】また、本実施の形態では、非磁性層１５と
ヨーク部分層１４Ｂの第２層１４Ｂ 2との間に第３層１
４Ｂ3を設けたので、ヨーク部分層１４Ｂのうち、非磁
性層１５を介して磁極部分層１４Ａと磁気的に接続され
る部分の面積を増加させることができ、これにより、磁
束をより効率よく磁極部分層１４Ａへ導くことが可能に
なる。
【０２７３】また、本実施の形態では、非磁性層１５の
上に、ヨーク部分層１４Ｂの第３層１４Ｂ3を介して第
２層１４Ｂ2を配置した構造とし、且つ第３層１４Ｂ3の
媒体対向面ＡＢＳ側の一部における非磁性層１５とは反
対側の面が、媒体対向面ＡＢＳに近づくに従って徐々に
非磁性層１５に近づくようにしている。従って、本実施
の形態によれば、ヨーク部分層１４Ｂのうち、非磁性層
１５を介して磁極部分層１４Ａと磁気的に接続される部
分において、ヨーク部分層１４Ｂから非磁性層１５を介
して磁極部分層１４Ａへ流れる磁束を効率よく磁極部分
層１４Ａへ導くためのヨーク部分層１４Ｂの形状を、容
易に形成することが可能になる。
【０２７４】また、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法によれば、磁極部分層１４Ａの外形を決定す
るためのエッチングにおいて使用されるマスク１４Ｍを
磁性材料によって形成したので、ドライエッチングに対
する耐性に優れたマスク１４Ｍを形成することが可能に
なる。これにより、磁極部分層１４Ａを構成する材料が
ドライエッチングに対する耐性に優れている場合でも、
マスク１４Ｍを用いたドライエッチングによって磁極部
分層１４Ａの外形を決定することが可能になる。また、
本実施の形態によれば、マスク１４Ｍのうちのエッチン
グ後に残った部分をヨーク部分層１４Ｂの第３層１４Ｂ
3とすることができる。
【０２７５】また、第６の実施の形態と同様に、磁極部
分層１４Ａをドライエッチングによって形成する際のマ
スク１４Ｍの厚みが一様ではなく、マスク１４Ｍの一部
の領域では厚み方向の全体がエッチングによって除去さ
れるような場合には、マスク１４Ｍの下の層がダメージ
を受け、その層に凹凸が生じる。本実施の形態では、磁
極部分層１４Ａの上に非磁性層１５を設け、この非磁性
層１５の上にマスク１４Ｍを形成するので、エッチング
によって磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の
面がダメージを受けることを防止でき、その面を平坦に
することができる。
【０２７６】また、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法によれば、媒体対向面ＡＢＳ側の一部の厚み
が他の部分の厚みよりも小さいマスク１４Ｍを用いて、
非磁性層１５ｅおよび被エッチング層１４Ａｅをエッチ
ングするようにしたので、容易に、マスク１４Ｍの媒体
対向面ＡＢＳ側の一部が完全に除去され、他の部分が残
るように、エッチングを行うことが可能になる。また、
このようにエッチングを行うことにより、媒体対向面Ａ
ＢＳに露出しない第３層１４Ｂ3を形成することがで
き、これにより、第３層１４Ｂ3によって記録媒体に対
する情報の記録が行われることを防止することができ
る。
【０２７７】また、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法によれば、図６８に示したように、媒体対向
面ＡＢＳ側の一部の幅が他の部分の幅よりも小さい空隙
部を有するレジストフレーム３１を用いて、電気めっき
法により、マスク１４Ｍを形成するようにしたので、上
述のような形状のマスク１４Ｍを容易に形成することが
できる。
【０２７８】なお、本実施の形態において、ヨーク部分
層１４Ｂの第３層１４Ｂ3は、マスク１４Ｍのうちのエ
ッチング後に残った部分によって構成せずに、エッチン
グ用のマスクとは別に設けてもよい。また、本実施の形
態において、ヨーク部分層１４Ｂの形状は、第３の実施
の形態と同様の形状に限らず、第２、第４または第５の
実施の形態と同様の形状としてもよい。
【０２７９】また、本実施の形態において、ヨーク部分
層１４Ｂの第３層１４Ｂ3の非磁性層１５とは反対側の
面の全体が、媒体対向面ＡＢＳに近づくに従って徐々に
非磁性層１５に近づくようにしてもよい。
【０２８０】また、本実施の形態において、第１の実施
の形態のように、連結部１２およびヨーク部分層１４Ｂ
によって、第１の磁性層８と磁極部分層１４Ａとを磁気
的に連結する構成としてもよい。
【０２８１】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第３の実施の形態と同様である。
【０２８２】なお、本発明は上記各実施の形態に限定さ
れず、種々の変更が可能である。例えば、第１の実施の
形態では、媒体対向面における磁極部分層１４Ａと第１
の磁性層８との間の距離を連結部１２の厚み以上とした
が、連結部１２の厚みを、媒体対向面における磁極部分
層１４Ａと第１の磁性層８との間の距離よりも大きくし
てもよい。
【０２８３】また、図２６等では、ヨーク部分層１４Ｂ
の第２層１４Ｂ2の媒体対向面ＡＢＳ側の端部が、第１
層１４Ｂ1の媒体対向面ＡＢＳ側の端部よりも媒体対向
面ＡＢＳの近くに配置されているが、両端部の位置関係
はこれとは逆でもよいし、両端部が媒体対向面ＡＢＳか
ら等しい距離の位置に配置されていてもよい。
【０２８４】また、本発明における磁極部分層１４Ａ
は、２つ以上の材料を順に成膜して２つ以上の層で構成
してもよい。この場合、例えば、磁極部分層１４Ａを構
成する２つ以上の層のうち、非磁性層１５に近い層を、
ギャップ層９に近い層よりも飽和磁束密度の大きな材料
で構成してもよい。
【０２８５】また、本発明は、垂直磁気記録方式に用い
られる薄膜磁気ヘッドに限らず、長手記録方式に用いら
れる薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【０２８６】また、被エッチング層を形成する工程の後
で、被エッチング層の上に非磁性層を形成し、この非磁
性層の上に、磁極部分層の形状に対応したマスクを形成
し、このマスクを用いて、非磁性層および被エッチング
層をエッチングして磁極部分層の外形を決定する方法
は、本発明の薄膜磁気ヘッドに限らず、磁極部分層のギ
ャップ層とは反対側の端部の平坦性を維持することが好
ましい薄膜磁気ヘッドであれば、他の形状の薄膜磁気ヘ
ッドにも有効である。
【０２８７】
【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし１２
のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドによれば、第２の磁
性層が磁極部分層とヨーク部分層とを有するようにした
ので、記録媒体に印加される磁界の強度を低下させるこ
となくトラック幅を縮小することが可能になる。また、
本発明の薄膜磁気ヘッドによれば、磁極部分層のギャッ
プ層とは反対側の面の全面に接する非磁性層を備えてい
るので、磁極部分層のギャップ層とは反対側の面が、薄
膜磁気ヘッドの製造工程においてダメージを受けること
を防止でき、その面を平坦に保つことができる。そのた
め、本発明によれば、媒体対向面において、磁極部分層
のギャップ層とは反対側の端部を平坦に保ち、媒体対向
面において磁極部分層より発生される磁界を、トラック
に交差する方向について均一化することができ、その結
果、記録媒体におけるビットパターン形状の歪みを抑え
て、線記録密度を向上させることができる。以上のこと
から、本発明によれば、磁極部分より発生される、記録
媒体の面に垂直な方向の磁界を大きくでき、且つ記録密
度を向上させることができるという効果を奏する。
【０２８８】また、請求項２ないし５のいずれかに記載
の薄膜磁気ヘッドによれば、ヨーク部分層の一部は、非
磁性層を介して磁極部分層のギャップ層とは反対側の面
に隣接し、非磁性層を介して磁極部分層に磁気的に接続
されているので、磁極部分層のギャップ層とは反対側の
面からも、非磁性層を介してヨーク部分層から磁極部分
層の媒体対向面側へ磁束を導くことができるという効果
を奏する。
【０２８９】また、請求項３記載の薄膜磁気ヘッドによ
れば、ヨーク部分層のうち非磁性層を介して磁極部分層
のギャップ層とは反対側の面に隣接する部分の少なくと
も媒体対向面側の一部における非磁性層とは反対側の面
が、媒体対向面に近づくに従って徐々に非磁性層に近づ
くようにしたので、ヨーク部分層から非磁性層を介して
磁極部分層へ流れる磁束を、ヨーク部分層の媒体対向面
側の端部近傍で飽和させることなく、効率よく磁極部分
層へ導くことが可能になるという効果を奏する。
【０２９０】また、請求項４または５記載の薄膜磁気ヘ
ッドによれば、ヨーク部分層のうち非磁性層を介して磁
極部分層のギャップ層とは反対側の面に隣接する部分
が、非磁性層に接する直接接続層と、この直接接続層の
非磁性層とは反対側の面の少なくとも一部に接する間接
接続層とを含むようにしたので、ヨーク部分層のうち、
非磁性層を介して磁極部分層と磁気的に接続される部分
の面積を増加させることが可能になり、これにより、磁
束をより効率よく磁極部分層へ導くことが可能になると
いう効果を奏する。
【０２９１】また、請求項５記載の薄膜磁気ヘッドによ
れば、直接接続層の少なくとも媒体対向面側の一部にお
ける非磁性層とは反対側の面が、媒体対向面に近づくに
従って徐々に非磁性層に近づくようにしたので、ヨーク
部分層のうち、非磁性層を介して磁極部分層と磁気的に
接続される部分において、ヨーク部分層から非磁性層を
介して磁極部分層へ流れる磁束を効率よく磁極部分層へ
導くためのヨーク部分層の形状を、容易に形成すること
が可能になるという効果を奏する。
【０２９２】また、請求項６ないし８のいずれかに記載
の薄膜磁気ヘッドによれば、非磁性層の磁極部分層とは
反対側の面に隣接する第３の磁性層を備えたので、媒体
対向面において、磁極部分層のギャップ層とは反対側の
面の近傍における磁界勾配を急峻にすることができ、こ
れにより、記録媒体におけるビットパターン形状の歪み
を抑えて、線記録密度を向上させることができるという
効果を奏する。
【０２９３】また、請求項７記載の薄膜磁気ヘッドによ
れば、第３の磁性層の媒体対向面側の端部を媒体対向面
から離れた位置に配置したので、一旦記録媒体に書き込
まれた情報が第３の磁性層側より発生される磁界によっ
て消されることを防止することができるという効果を奏
する。
【０２９４】また、請求項８記載の薄膜磁気ヘッドによ
れば、第３の磁性層の飽和磁束密度は磁極部分層の飽和
磁束密度よりも小さいので、一旦記録媒体に書き込まれ
た情報が第３の磁性層側より発生される磁界によって消
されることを防止することができるという効果を奏す
る。
【０２９５】また、請求項９記載の薄膜磁気ヘッドによ
れば、磁極部分層の飽和磁束密度は、ヨーク部分層の飽
和磁束密度以上であるので、第２の磁性層の途中におけ
る磁束の飽和を防止することができるという効果を奏す
る。
【０２９６】また、請求項１０記載の薄膜磁気ヘッドに
よれば、再生素子としての磁気抵抗効果素子を備えたの
で、誘導型電磁変換素子を用いて再生を行う場合に比べ
て、再生性能を向上させることができるという効果を奏
する。
【０２９７】また、請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドに
よれば、第１の磁性層は記録媒体の進行方向の後側に配
置され、第２の磁性層は記録媒体の進行方向の前側に配
置されるので、記録媒体において、より高密度の磁化パ
ターンを形成することができ、その結果、線記録密度を
高めることができるという効果を奏する。
【０２９８】また、請求項１２記載の薄膜磁気ヘッドに
よれば、この薄膜磁気ヘッドが垂直磁気記録方式に用い
られるようにしたので、記録媒体の熱揺らぎの影響を受
けにくくして、線記録密度を高めることができるという
効果を奏する。
【０２９９】また、請求項１３ないし２３のいずれかに
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第２の磁性
層が磁極部分層とヨーク部分層とを有するようにしたの
で、記録媒体に印加される磁界の強度を低下させること
なくトラック幅を縮小することが可能になる。また、本
発明によれば、磁極部分層のギャップ層とは反対側の面
の全面に接する非磁性層を形成するようにしたので、磁
極部分層のギャップ層とは反対側の面が、薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程においてダメージを受けることを防止で
き、その面を平坦に保つことができる。そのため、本発
明によれば、媒体対向面において、磁極部分層のギャッ
プ層とは反対側の端部を平坦に保ち、媒体対向面におい
て磁極部分層より発生される磁界を、トラックに交差す
る方向について均一化することができ、その結果、記録
媒体におけるビットパターン形状の歪みを抑えて、線記
録密度を向上させることができる。以上のことから、本
発明によれば、磁極部分より発生される、記録媒体の面
に垂直な方向の磁界を大きくでき、且つ記録密度を向上
させることができるという効果を奏する。
【０３００】また、請求項１４ないし２３のいずれかに
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第２の磁性
層および非磁性層を形成する工程は、ギャップ層の上
に、磁極部分層を構成する材料よりなる被エッチング層
を形成する工程と、被エッチング層の上に非磁性層を形
成する工程と、非磁性層の上に、磁極部分層の形状に対
応したマスクを形成する工程と、マスクを用いて、非磁
性層および被エッチング層をドライエッチングによって
選択的にエッチングして、磁極部分層の外形を決定する
工程とを含むようにしたので、被エッチング層の上面を
非磁性層で保護した状態で磁極部分層の外形を決定で
き、磁極部分層のギャップ層とは反対側の端部の平坦性
を維持することが可能になるという効果を奏する。
【０３０１】また、請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、被エッチング層を形成する工程の後
で、研磨により、被エッチング層の上面を平坦化するよ
うにしたので、媒体対向面において、磁極部分層のギャ
ップ層とは反対側の端部を完全に平坦化することがで
き、これにより、媒体対向面において磁極部分層より発
生される磁界を、トラックに交差する方向について均一
化することができ、その結果、記録媒体におけるビット
パターン形状の歪みを抑えて、線記録密度を向上させる
ことができるという効果を奏する。
【０３０２】また、請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、被エッチング層を形成する工程の前
に、研磨により、被エッチング層の下地を平坦化するよ
うにしたので、媒体対向面において、磁極部分層のギャ
ップ層側の端部を平坦化することができる。また、これ
により、被エッチング層をスパッタ法によって形成する
場合には、媒体対向面において、磁極部分層のギャップ
層とは反対側の端部も平坦化することができる。これら
のことから、本発明によれば、媒体対向面において磁極
部分層より発生される磁界を、トラックに交差する方向
について均一化することができ、その結果、記録媒体に
おけるビットパターン形状の歪みを抑えて、線記録密度
を向上させることができるという効果を奏する。
【０３０３】また、請求項１７ないし２３のいずれかに
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、マスクを磁
性材料によって形成したので、ドライエッチングに対す
る耐性に優れたマスクを形成することが可能になり、そ
の結果、磁極部分層を構成する材料がドライエッチング
に対する耐性に優れている場合でも、マスクを用いたド
ライエッチングによって磁極部分層の外形を決定するこ
とが可能になるという効果を奏する。
【０３０４】また、請求項１８ないし２３のいずれかに
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、磁極部分層
の外形を決定する工程は、マスクの少なくとも一部が残
るようにエッチングを行うようにしたので、マスクのう
ちのエッチング後に残った部分を磁性層として利用する
ことが可能になるという効果を奏する。
【０３０５】また、請求項１９記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、磁極部分層の外形を決定する工程
は、マスクのうちのエッチング後に残った部分によっ
て、非磁性層の磁極部分層とは反対側の面に隣接する第
３の磁性層を形成するようにしたので、媒体対向面にお
いて、磁極部分層のギャップ層とは反対側の面の近傍に
おける磁界勾配を急峻にすることができ、これにより、
記録媒体におけるビットパターン形状の歪みを抑えて、
線記録密度を向上させることができるという効果を奏す
る。
【０３０６】また、請求項２０記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、磁極部分層の外形を決定する工程
は、マスクのうちのエッチング後に残った部分によっ
て、非磁性層を介して磁極部分層のギャップ層とは反対
側の面に隣接し、非磁性層を介して磁極部分層に磁気的
に接続されるヨーク部分層の一部を形成するようにした
ので、ヨーク部分層のうち、非磁性層を介して磁極部分
層と磁気的に接続される部分の面積を増加させることが
可能になり、これにより、磁束をより効率よく磁極部分
層へ導くことが可能になるという効果を奏する。
【０３０７】また、請求項２１記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、マスクは、媒体対向面側の一部の幅
が他の部分の幅よりも小さい空隙部を有するフレームを
用いた電気めっき法によって形成されるようにしたの
で、媒体対向面側の一部の厚みが他の部分の厚みよりも
小さいマスクを容易に形成することができ、これによ
り、容易に、マスクの少なくとも一部が残るようにエッ
チングを行うことが可能になるという効果を奏する。
【０３０８】また、請求項２２または２３記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法によれば、磁極部分層の外形を決定
する工程は、マスクのうちの媒体対向面側の一部が完全
に除去され、他の部分が残るように、エッチングを行う
ようにしたので、マスクのうちのエッチング後に残った
部分によって記録媒体に対する情報の記録が行われるこ
とを防止することができるという効果を奏する。
【０３０９】また、請求項２３記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、マスクにおける媒体対向面側の一部
の厚みを他の部分の厚みよりも小さくしたので、容易
に、マスクのうちの媒体対向面側の一部が完全に除去さ
れ、他の部分が残るように、エッチングを行うことが可
能になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの構成を示す断面図である。
【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示す斜視
図である。
【図３】図２における磁極部分の近傍を拡大して示す斜
視図である。
【図４】図１に示した薄膜磁気ヘッドの媒体対向面の一
部を示す正面図である。
【図５】図４における磁極部分層および非磁性層を拡大
して示す正面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態における第１の変形
例の薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
【図７】図６に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示す斜視
図である。
【図８】図７における磁極部分の近傍を拡大して示す斜
視図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態における第２の変形
例の薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を示す断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を示す断面図である。
【図１２】図１１に続く工程を示す断面図である。
【図１３】図１２に続く工程を示す断面図である。
【図１４】図１３に続く工程を示す断面図である。
【図１５】図１４に続く工程を示す断面図である。
【図１６】図１５に続く工程を示す断面図である。
【図１７】図１６に続く工程を示す断面図である。
【図１８】図１７に続く工程を示す断面図である。
【図１９】図１８に続く工程を示す断面図である。
【図２０】図１９に続く工程を示す断面図である。
【図２１】図２０に続く工程を示す断面図である。
【図２２】図２１に続く工程を示す断面図である。
【図２３】図２２に続く工程を示す断面図である。
【図２４】図２３に続く工程を示す断面図である。
【図２５】図２４に続く工程を示す断面図である。
【図２６】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構成を示す断面図である。
【図２７】図２６に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示す
斜視図である。
【図２８】図２７における磁極部分の近傍を拡大して示
す斜視図である。
【図２９】本発明の第２の実施の形態における変形例の
薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
【図３０】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を示す断面図である。
【図３１】図３０に続く工程を示す断面図である。
【図３２】図３１に続く工程を示す断面図である。
【図３３】図３２に続く工程を示す断面図である。
【図３４】図３３に続く工程を示す断面図である。
【図３５】図３４に続く工程を示す断面図である。
【図３６】図３５に続く工程を示す断面図である。
【図３７】図３６に続く工程を示す断面図である。
【図３８】図３７に続く工程を示す断面図である。
【図３９】図３８に続く工程を示す断面図である。
【図４０】図３９に続く工程を示す断面図である。
【図４１】図４０に続く工程を示す断面図である。
【図４２】図４１に続く工程を示す断面図である。
【図４３】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構成を示す断面図である。
【図４４】図４３に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示す
斜視図である。
【図４５】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を示す断面図である。
【図４６】図４５に続く工程を示す断面図である。
【図４７】図４６に続く工程を示す断面図である。
【図４８】図４７に続く工程を示す断面図である。
【図４９】図４８に続く工程を示す断面図である。
【図５０】図４９に続く工程を示す断面図である。
【図５１】図５０に続く工程を示す断面図である。
【図５２】図５１に続く工程を示す断面図である。
【図５３】図５２に続く工程を示す断面図である。
【図５４】図５３に続く工程を示す断面図である。
【図５５】図５４に続く工程を示す断面図である。
【図５６】図５５に続く工程を示す断面図である。
【図５７】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構成を示す断面図である。
【図５８】図５７に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示す
斜視図である。
【図５９】本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構成を示す断面図である。
【図６０】図５９に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示す
斜視図である。
【図６１】図５９に示した薄膜磁気ヘッドの変形例の要
部を示す斜視図である。
【図６２】本発明の第６の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構成を示す断面図である。
【図６３】図６２に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示す
斜視図である。
【図６４】本発明の第６の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を示す断面図である。
【図６５】図６４に続く工程を示す断面図である。
【図６６】図６５に続く工程を示す断面図である。
【図６７】本発明の第６の実施の形態におけるマスクの
形状について説明する。
【図６８】図６７に示したマスクを形成するためのレジ
ストフレームの平面図である。
【図６９】レジストフレームの空隙部の幅とめっき膜の
厚みとの関係の一例を示す特性図である。
【図７０】本発明の第６の実施の形態における第１の変
形例の薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
【図７１】本発明の第６の実施の形態における第１の変
形例の薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
【図７２】本発明の第７の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構成を示す断面図である。
【図７３】図７２に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示す
斜視図である。
【図７４】本発明の第７の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を示す断面図である。
【図７５】図７４に続く工程を示す断面図である。
【図７６】図７５に続く工程を示す断面図である。
【符号の説明】
３…下部シールド層、４…絶縁層、５…ＭＲ素子、６…
上部シールド層、７…非磁性層、８…第１の磁性層、９
…ギャップ層、９Ａ，９Ｂ，９Ｃ…絶縁層、１０…薄膜
コイル、１２…連結部、１４…第２の磁性層、１４Ａ…
磁極部分層、１４Ｂ…ヨーク部分層、１５…非磁性層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡部 裕一 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 5D033 AA05 BA08 BA12 BB43 CA05 DA04 DA08 DA31

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 記録媒体に対向する媒体対向面と、 前記媒体対向面側において記録媒体の進行方向の前後に
    所定の間隔を開けて互いに対向するように配置された磁
    極部分を含むと共に、前記媒体対向面から離れた位置に
    おいて互いに磁気的に連結された第１および第２の磁性
    層と、 非磁性材料よりなり、前記第１の磁性層と第２の磁性層
    との間に設けられたギャップ層と、 少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、
    前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
    設けられた薄膜コイルとを備え、 前記第２の磁性層は、磁極部分を含み、媒体対向面にお
    ける幅がトラック幅を規定する磁極部分層と、前記磁極
    部分と前記第１の磁性層とを磁気的に接続するヨーク部
    分層とを有し、 前記ヨーク部分層は、前記磁極部分層の媒体対向面とは
    反対側の端面、ギャップ層側の面、幅方向の両側面のう
    ちの少なくとも一部において、前記磁極部分層に対して
    磁気的に接続され、 更に、前記磁極部分層の前記ギャップ層とは反対側の面
    の全面に接する非磁性層を備えたことを特徴とする薄膜
    磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記ヨーク部分層の一部は、前記非磁性
    層を介して前記磁極部分層の前記ギャップ層とは反対側
    の面に隣接し、前記非磁性層を介して前記磁極部分層に
    磁気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載
    の薄膜磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】 前記ヨーク部分層のうち前記非磁性層を
    介して前記磁極部分層の前記ギャップ層とは反対側の面
    に隣接する部分の少なくとも媒体対向面側の一部におけ
    る非磁性層とは反対側の面は、媒体対向面に近づくに従
    って徐々に非磁性層に近づいていることを特徴とする請
    求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】 前記ヨーク部分層のうち前記非磁性層を
    介して前記磁極部分層の前記ギャップ層とは反対側の面
    に隣接する部分は、前記非磁性層に接する直接接続層
    と、この直接接続層の非磁性層とは反対側の面の少なく
    とも一部に接する間接接続層とを含むことを特徴とする
    請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】 前記直接接続層の少なくとも媒体対向面
    側の一部における非磁性層とは反対側の面は、媒体対向
    面に近づくに従って徐々に非磁性層に近づいていること
    を特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】 更に、前記非磁性層の磁極部分層とは反
    対側の面に隣接する第３の磁性層を備えたことを特徴と
    する請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
  7. 【請求項７】 前記第３の磁性層の媒体対向面側の端部
    は媒体対向面から離れた位置に配置されていることを特
    徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
  8. 【請求項８】 前記第３の磁性層の飽和磁束密度は前記
    磁極部分層の飽和磁束密度よりも小さいことを特徴とす
    る請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
  9. 【請求項９】 前記磁極部分層の飽和磁束密度は、前記
    ヨーク部分層の飽和磁束密度以上であることを特徴とす
    る請求項１ないし８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッ
    ド。
  10. 【請求項１０】 更に、再生素子としての磁気抵抗効果
    素子を備えたことを特徴とする請求項１ないし９のいず
    れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  11. 【請求項１１】 前記第１の磁性層は記録媒体の進行方
    向の後側に配置され、前記第２の磁性層は記録媒体の進
    行方向の前側に配置されることを特徴とする請求項１な
    いし１０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  12. 【請求項１２】 垂直磁気記録方式に用いられることを
    特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の薄膜
    磁気ヘッド。
  13. 【請求項１３】 記録媒体に対向する媒体対向面と、前
    記媒体対向面側において記録媒体の進行方向の前後に所
    定の間隔を開けて互いに対向するように配置された磁極
    部分を含むと共に、前記媒体対向面から離れた位置にお
    いて互いに磁気的に連結された第１および第２の磁性層
    と、非磁性材料よりなり、前記第１の磁性層と第２の磁
    性層との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部
    が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および
    第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜
    コイルとを備え、前記第２の磁性層は、磁極部分を含
    み、媒体対向面における幅がトラック幅を規定する磁極
    部分層と、前記磁極部分と前記第１の磁性層とを磁気的
    に接続するヨーク部分層とを有する薄膜磁気ヘッドの製
    造方法であって、 前記第１の磁性層を形成する工程と、 前記ギャップ層を形成する工程と、 前記薄膜コイルを形成する工程と、 ヨーク部分層が、磁極部分層の媒体対向面とは反対側の
    端面、ギャップ層側の面、幅方向の両側面のうちの少な
    くとも一部において、磁極部分層に対して磁気的に接続
    されるように、磁極部分層とヨーク部分層とを有する前
    記第２の磁性層を形成すると共に、前記磁極部分層の前
    記ギャップ層とは反対側の面の全面に接する非磁性層を
    形成する工程とを備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記第２の磁性層および非磁性層を形
    成する工程は、 前記ギャップ層の上に、前記磁極部分層を構成する材料
    よりなる被エッチング層を形成する工程と、 前記被エッチング層の上に非磁性層を形成する工程と、 前記非磁性層の上に、磁極部分層の形状に対応したマス
    クを形成する工程と、 前記マスクを用いて、前記非磁性層および被エッチング
    層をドライエッチングによって選択的にエッチングし
    て、前記磁極部分層の外形を決定する工程とを含むこと
    を特徴とする請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  15. 【請求項１５】 前記第２の磁性層および非磁性層を形
    成する工程は、更に、前記被エッチング層を形成する工
    程の後で、研磨により、前記被エッチング層の上面を平
    坦化する工程を含むことを特徴とする請求項１４記載の
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記第２の磁性層および非磁性層を形
    成する工程は、更に、前記被エッチング層を形成する工
    程の前に、研磨により、前記被エッチング層の下地を平
    坦化する工程を含むことを特徴とする請求項１４または
    １５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記マスクは、磁性材料によって形成
    されることを特徴とする請求項１４ないし１６のいずれ
    かに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記磁極部分層の外形を決定する工程
    は、前記マスクの少なくとも一部が残るようにエッチン
    グを行うことを特徴とする請求項１７記載の薄膜磁気ヘ
    ッドの製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記磁極部分層の外形を決定する工程
    は、前記マスクのうちのエッチング後に残った部分によ
    って、前記非磁性層の磁極部分層とは反対側の面に隣接
    する第３の磁性層を形成することを特徴とする請求項１
    ８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  20. 【請求項２０】 前記磁極部分層の外形を決定する工程
    は、前記マスクのうちのエッチング後に残った部分によ
    って、前記非磁性層を介して前記磁極部分層の前記ギャ
    ップ層とは反対側の面に隣接し、前記非磁性層を介して
    前記磁極部分層に磁気的に接続されるヨーク部分層の一
    部を形成することを特徴とする請求項１８記載の薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
  21. 【請求項２１】 前記マスクは、媒体対向面側の一部の
    幅が他の部分の幅よりも小さい空隙部を有するフレーム
    を用いた電気めっき法によって形成されることを特徴と
    する請求項１８ないし２０のいずれかに記載の薄膜磁気
    ヘッドの製造方法。
  22. 【請求項２２】 前記磁極部分層の外形を決定する工程
    は、前記マスクのうちの媒体対向面側の一部が完全に除
    去され、他の部分が残るように、エッチングを行うこと
    を特徴とする請求項１８ないし２１のいずれかに記載の
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  23. 【請求項２３】 前記マスクにおける媒体対向面側の一
    部の厚みは他の部分の厚みよりも小さいことを特徴とす
    る請求項２２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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